JP4708452B2 - 光変調デバイス - Google Patents

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本発明はバイアス電圧を印加する必要がなく、かつ歩留まりの良い低コストな光変調器や電界センサなどの光変調デバイスの分野に属する。
リチウムナイオベート(LiNbO)のように電界を印加することにより屈折率が変化する、いわゆる電気光学効果を有する基板(以下、リチウムナイオベート基板をLN基板と略す)に光導波路と進行波電極を形成した進行波電極型リチウムナイオベート光変調器(以下、LN光変調器と略す)は、その優れたチャーピング特性から2.5Gbit/s、10Gbit/sの大容量光伝送システムに広く適用されている。最近はさらに、空間を伝搬してくる電界をキャッチする電界センサとしても応用されつつある。これらの光変調器や電界センサを光変調デバイスと呼ぶ。
光変調デバイスであるこのLN光変調器や電界センサにはz−カット基板を使用するタイプとx−カット基板(あるいはy−カット基板)を使用するタイプがある。ここではx−カット基板として説明するが、本明細書での議論は基板のカットの種類に依存しない、あらゆるタイプのカットの基板に適用できる。
[第1の従来技術]
光変調デバイスとして、まずLN光変調器について考える。図7にLN光変調器の第1の従来技術についてその概念的な上面図を示す。ここで、1はx−カットLN基板、2はx−カット基板1に例えばTiを熱拡散、あるいはプロトン交換により製作した2本のアームを持ち、マッハツェンダ干渉系を構成する光導波路、3は光導波路2に光を入力するための入力光用光ファイバ、4は入力光用光ファイバ3の芯線であり、その端面から出射された光が光導波路2に入射する。5は光導波路2から出射される光を外部に伝えるための出力光用光ファイバである。6は出力光用光ファイバ5の芯線であり、光導波路2から光を取り出す役割をする。7はx−カットLN基板1を内蔵するパッケージとしての筐体、9は高周波電気信号(マイクロ波)を入力するためのマイクロ波入力用コネクタ、10は高周波電気信号を出力するためのマイクロ波出力用コネクタであり、通常はここに例えば50Ωの特性インピーダンスを有する終端を接続するが、筐体7の内部に終端を内蔵することによりマイクロ波出力用コネクタ10を省略することができる。40aは高周波電気信号を伝搬するCPW進行波電極の中心導体、40bと40cはその接地導体である。
なお、図7では説明を簡単にするために、CPW進行波電極の中心導体40a及び接地導体40b、40cと、マイクロ波入力用コネクタ9及びマイクロ波出力用コネクタ10との電気的接続の様子を省略した。
さて、製作したLN光変調器にDCバイアス電圧を印加せずに(バイアスフリーと呼ぶ)、高周波電気信号による高い変調効率を得るには、例えば図8における点線のように印加電圧が零の場合に印加電圧に対する光出力の微係数が大きくなる光出力―印加電圧特性が望ましい。
しかしながら、実際には、印加電圧が零の場合に印加電圧に対する光出力の微係数が大きくない実線のような光出力特性となるため、バイアスフリーでは高い変調効率を得ることは難しい。このようにバイアスフリーにおける光出力と印加電圧の特性はrun−to−runでランダムとなってしまう。そこで、LN光変調器の場合には光出力―印加電圧特性の山から谷までを有効に使用するために、通常、DCバイアスを印加しており、このDCバイアスの制御がLN光変調器を適用する際の大きなコスト上昇の一因となっている。また、DCバイアスを印加するのでDCドリフトも生じ、信頼性上の問題も発生する。
なお、印加するDCバイアス電圧が零の場合における光出力と印加電圧の特性がrun−to−runでランダムとなってしまう原因としては、マッハツェンダ干渉系からなる光導波路2を構成する2本のアームの微細な非対称性もあるが、何よりもx−カットLN基板1を筐体7に固定する際のストレスの影響が最も大きい。
つまり、一般にLN基板には機械的なストレスが加わると、屈折率変化や複屈折が生じる光弾性効果が有る。図7の例ではx−カットLN基板1をパッケージの筐体7に固定する際に使用する不図示の接着剤が固化する際に発生する不均一な内部ストレス(結果的に、光導波路2に作用する機械的なストレス)のために、光導波路2を構成する2本のアームの屈折率が不均一に、かつrun−to−runでランダムになってしまうためである。
さらに、x−カットLN基板1の上面にはSiOからなる不図示のバッファ層を電子ビーム蒸着、プラズマCVD、あるいはスパッタなどにより堆積するが、このSiOバッファ層をx−カットLN基板1の上に堆積する際に生じる機械的なストレスもランダムに生じてしまい、光導波路2の2本のアームにランダムかつ不均一なストレスを与える。このバッファ層が光導波路2の2本のアームに与える機械的なストレスをrun−to−runで制御することは事実上不可能である。
なお、これらのことはx−カットに留まらずz−カットを含む全てのLN基板、あるいはリチウムタンタレートや半導体など電圧を印加して屈折率を変化させる全ての材料について言うことができる。また、以上のことは、通常、バイアスフリーで使用する電界センサの場合においては、極めて悪い歩留まりにつながっており、事態は大変深刻であり、DCバイアスを印加しなくても印加電圧に対する光出力の微係数が大きくなる光出力―印加電圧特性を得る(バイアスフリー化と言う)技術を開発することは急務である。
[第2の従来技術]
この問題を解決するために、図9に示す〔特許文献1〕の構造が提案されている。この第2の従来技術ではx−カットLN基板1の一端のみが固定台座8により固定されており、他端はフリーとなっている。そして、11はx−カットLN基板1をx−カットLN基板1の幅方向(つまり、光導波路2が形成された面に水平な方向)に押すネジである。図10は図9のA−A'から見た図である。さらにわかりやすいように、図11にはx−カットLN基板1、固定台座8、ネジ11の関係を示している。また、図11のB−B'から見た図を図12に示す。
図11からわかるように、x−カットLN基板1の固定台座8に固定されていない他端をネジ11により、押すことによりx−カットLN基板1にストレスを加える構造としている。
このネジ11により加えられたストレスによりx−カットLN基板1の中に機械的な歪が生じる。その結果、光導波路2を構成する2本のアームに異なった歪が加わり、2本のアームに異なった屈折率変化が生じる。こうして、図8における点線の光―印加電圧特性を実現している。
我々もこの第2の従来技術を試み、この技術がバイアスフリー化に有効であることを確認したが、実験を行うにつれて大きな問題に遭遇した。次に、これについて説明する。
図13に示すように、この第1の従来技術ではx−カットLN基板1の外側では引っ張りストレス(その結果、原子間の距離が伸びる)、内側では圧縮ストレス(その結果、原子間の距離が縮む)が発生している。そして、LN光変調器の場合にも電界センサの場合にも、x−カットLN基板1の表面には電極を形成するので、通常、x−カットLN基板1の横幅は数ミリ(例えば2mm〜6mm程度)と大きい。そのため、x−カットLN基板1の外側において生じる引っ張りストレスによる伸びと内側において生じる圧縮ストレスによる縮みの差は大きく、ウェーハプロセスの後に切断・チップ化する際にx−カットLN基板1の側面に形成された微細な傷からクラックが広がり、x−カットLN基板1そのものが破損・破壊してしまう場合が生じた。
また、前述のように電極を形成するためにx−カットLN基板1の幅方向の寸法が大きく、この方向の機械的剛性は極めて高いので、ネジ11に大きな力を加える必要がある。この大きな力と幅方向の高い機械的剛性のために、x−カットLN基板1を固定台座8に固定している不図示の接着剤がはがれてしまい、x−カットLN基板1そのものが固定台座8から外れる場合もあった。
さらに、この第2の従来技術では原理的にネジ11とx−カットLN基板1は機械的に互いに固定されていないので、振動・衝撃試験の際にx−カットLN基板1が鞭のようにしなった後に、ネジ11に激突し、x−カットLN基板1が破壊される場合もあった。このように、この第2の従来技術は機械的強度に弱い構造と言える。
[第3の従来技術]
図14には第2の従来技術である図9の考え方を電界センサに適用した例である。ここで、12aと12bはアンテナ、13aと13bはアンテナ12aと12bと不図示の電極とを電気的に接続する線路である。この第3の従来技術でも第2の従来技術において述べた問題は解決すべき大きな問題である。特に、バイアスフリーが前提である電界センサの極めて悪い歩留まりは製造コストの観点から深刻な問題となっている。
[第4の従来技術]
図15には〔特許文献2〕に開示された第4の従来技術を示す。この第4の従来技術ではx−カットLN基板1の上にSiOバッファ層14が形成されている。そして、x−カットLN基板1の裏面は金属などからなる台座15に不図示の接着剤により固定されている。なお、説明を簡単にするために光導波路や電極などは省略した。
この従来技術では、x−カットLN基板1とSiOバッファ層14の熱膨張係数の違いからSiOバッファ層14の成膜条件やSiOバッファ層14の厚みを調整することによって、x−カットLN基板1にストレスを与える試みである。
しかしながら、先に述べたように、図8に実線として示した光出力―印加電圧特性のように、光出力―印加電圧特性がrun−to−runでほば完全にランダムになる主要因はx−カットLN基板1を不図示の接着剤により台座15に固定した際に発生するストレスであるので、この第4の従来技術では問題の解決にならない。
[第5の従来技術]
図16には〔特許文献3〕に開示された第5の従来技術では、x−カットLN基板1を台座16に固定した後に、ネジ17をx−カットLN基板1に押し当てることにより機械的なストレスを与え、不図示のマッハツェンダ干渉系を構成する光導波路の屈折率を調整しようとしている。なお、説明の簡単のために図16ではバッファ層や電極などの構成要素を省略している。
そしてこの第5の従来技術では、ネジ17のx−カットLN基板1への接触面積が小さいので、不図示のマッハツェンダ干渉系を構成する光導波路の屈折率の変化量が小さいためバイアスフリー化は達成できなかった。さらに何よりも、x−カットLN基板1は硬い台座16に固定されており、ネジ17と台座16に挟まれているので、ネジ17をねじ込むとバイアスフリー化を達成する前にx−カットLN基板1が頻繁に割れてしまった。このように、この第5の従来技術では問題の解決にならない。
特許3049190号公報 特許3090176号公報 特開平7−218881号公報
以上のように、第1の従来技術の問題を解決しようとする第2の従来技術ではバイアスフリー化を達成できるものの、LN基板を剛性の高い幅方向に無理に曲げるので、ウェーハからチップ化する際の切断時にLN基板の側面に形成された細かな傷の箇所からクラックが入り、LN基板そのものが破壊される、あるいはLN基板の横方向の高い剛性のためにLN基板そのものが固定台座から外れてしまうという問題があった。一方、第4の従来技術ではバイアスフリー化そのものが実現できず、さらに第5の従来技術ではバイアスフリー化も実現できないばかりか、LN基板が簡単に破壊されてしまうという問題があった。
上記課題を解決するために、本発明の請求項1の光変調デバイスは、光弾性効果を有する基板上の一方の面側に少なくとも2本の光導波路を有し、該基板の一部が固定されており、前記基板の幅方向のほぼ真ん中に前記基板の厚さ方向に対し変位可能に配置され、前記基板の前記一方の面または前記一方の面と背向する他方の面における固定されていない箇所に当接して応力を付与することにより、前記基板を当該基板の厚さ方向に変形させる調整手段を備え、前記調整手段によって前記基板に応力が付与される際に前記2本の光導波路に完全に同じ応力が加わらないことで前記2本の光導波路の屈折率に差が生じてなり、前記調整手段は、前記基板の厚さ方向に対する変位量に応じて当該少なくとも2本の光導波路の光学的長さを所望の長さに調整するとともに、前記調整後の変位量を保持することにより所望の光学的長さを保持することを特徴とする。
本発明の請求項2の光変調デバイスは、光弾性効果を有する基板上の一方の面側に少なくとも2本の光導波路を有し、該基板の前記一方の面に背向する他方の面側が保持台座の一方の面側に固定され、前記保持台座の他方の面側の一部が固定されており、前記基板の幅方向のほぼ真ん中に前記基板の厚さ方向に対し変位可能に配置され、前記保持台座の固定されていない箇所における前記基板の一方の面側または前記保持台座の他方の面側に当接して応力を付与することにより、前記基板を当該基板の厚さ方向に変形させる調整手段を備え、前記調整手段によって前記基板に応力が付与される際に前記2本の光導波路に完全に同じ応力が加わらないことで前記2本の光導波路の屈折率に差が生じてなり、前記調整手段は、前記基板の厚さ方向に対する変位量に応じて当該少なくとも2本の光導波路の光学的長さを所望の長さに調整するとともに、前記調整後の変位量を保持することにより所望の光学的長さを保持することを特徴とする。
本発明の請求項3の光変調デバイスは、前記基板と前記調整手段とは、当接箇所で互いに接着剤で固定されていることを特徴とする。
本発明の請求項4の光変調デバイスは、前記保持台座と前記調整手段とは、当接箇所で互いに接着剤で固定されていることを特徴とする。
本発明の請求項5の光変調デバイスは、前記調整手段は、前記保持台座の他方の面側に受け材を介して当接することを特徴とする。
本発明の請求項6の光変調デバイスは、前記調整手段は、同一方向の応力を前記2本の光導波路に加えることを特徴とする。
本発明の請求項7の光変調デバイスは、前記基板は筐体内に配置され、前記調整手段は前記筐体に取り付けられていて、前記調整手段と前記筐体とが接着剤で固定されていることを特徴とする。
本発明ではLN基板を機械的な剛性の小さな厚み方向に曲げるので、バイアスフリー化を達成してもLN基板が破壊されることはないという優れた利点がある。また、LN基板を薄い保持台座に固定し、保持台座も一緒に反らせる場合には、LN基板の機械的強度をより高く確保できるばかりでなく、さらにはその保持台座にネジの受け材を設けるなどして固定することが可能となるので、振動・衝撃試験の際にLN基板が鞭のようにしなって破壊されることがない。従って、本発明により機械的強度を著しく向上できるという利点がある。このように、本発明では、ほぼ100%と極めて高い歩留まりでバイアスフリー化を達成しつつ、機械的な強度を極めて改善できた高効率な変調器や電界センサなどの光変調デバイスを実現できる。
以下、本発明の実施形態について説明するが、図7から図16に示した従来の実施形態と同一番号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一番号を持つ機能部の説明を省略する。
[第1の実施形態]
図1に本発明における第1の実施形態についてその横断面図を示す。なお、上面図は図7に示した第1の従来技術の場合とほぼ同じであるが、本発明の特徴としてx−カットLN基板1の幅は広くても狭くても良い。また、図1のC−C'から見た図を図2に示す。
x−カットLN基板1は熱膨張係数がx−カットLN基板1に近い、例えば金属の保持台座18に固定されている(なお、この保持台座18は金属でなくても良い)。そして、この保持台座18は厚み方向に機械的な弾性を有するように数百ミクロン程度と全体もしくはその一部の厚みを薄くしている。この保持台座18は図の19の固定部においてパッケージの筐体20にしっかりと固定されている。なお、保持台座18の機械的な弾性を確保するには保持台座18の一部を切り欠いていても良い。
21はネジであり、このネジ21をねじ込む(押し込む)ことにより金属の保持台座18、従って、x−カットLN基板1も上方に反ることになる。説明を簡単にするために、図1においてC−C'から見た際のx−カットLN基板1を固定した保持台座18とネジ21の関係を図2に示す。図1のように、ネジ21をねじ込むことにより、図7からもわかるように不図示のマッハツェンダ干渉系を構成する2本の光導波路も当然上方に反ることになり、機械的な内部ストレスが発生し、それらの屈折率が変化する。
なお、もし2本の光導波路に全く同じ機械的歪が加われば、2本の光導波路において生じる屈折率の変化の差はほぼ無視できるので、図8の実線から点線へ変化するようなバイアスの調整はできない。
しかしながら、LN光変調器や電界センサにおいては、マッハツェンダ干渉系を構成する2本の光導波路である高周波電気信号が光に作用する相互作用部の長さは20mmから50mmと波長(波長を1.55μmとすると、x−カットLN基板1の屈折率は約2であるから、不図示の光導波路の中における波長は約0.8μmと相互作用部の長さに比べて極端に短い)と比較して大変長いので、幸いにもマッハツェンダ干渉系を構成する2本の光導波路に完全に同じ機械的なストレスが加わることはなく、バイアスフリー化を実現できる。
従って、図2の(a)のように保持台座18の幅方向のほぼ真ん中に、ネジを当てても結果的にバイアスフリー化を達成することが可能であった。また、図2の(b)のように幅方向のほぼ真ん中以外にネジを当てて、x−カットLN基板1をひねると、マッハツェンダ干渉系を構成する2本の光導波路に異なるひねりの機械的なストレスも付加されてより効果的であった。
なお、ネジ21と保持台座18の接触面に熱可塑性の接着剤を付けておき、バイアスフリー化の調整後に加熱することにより、ネジ21と保持台座18を接着しておけば、振動・衝撃試験に対してさらに強固になる。このことは、ネジ21とパッケージ筐体20との接触部についても言える。また、接着剤が熱硬化型でない場合はポットライフの長さがLN光変調器の製作に適した接着剤を選ぶ必要がある。なお、図2の30は押す力(押し応力)である。
図3にはx−カットLN基板1をネジ21により上方に変位量dだけ反らせた様子を示す。また、図4には図2(a)の場合について、変位量dと2本の光導波路2を伝搬する光の位相差を測定した結果を示す。図4からわかるように、変位量dを大きくすると光の位相差を大きくできるので、2本の光導波路2を伝搬する光の位相差を調整することが可能である。原理的には0からπまで変化できれば充分であるが、図からわかるように0から2πまでも変えることが可能であった。ここで、2本の光導波路2のギャップは20μmで、x−カットLN基板1の厚みは500μmとした。また1mm程度の厚みでも本発明の効果を確認できた。これらのことから、x−カットLN基板1の厚みとしては1mm程度以下が好適と考えられる。
以上のように、本発明を使用することにより、2本の光導波路2を伝搬する光の位相差(2本の光導波路2における光学的長さの差)を調整できるので、第1の従来技術におけるrun−to−runでの光出力―電圧印加特性のランダムなばらつきに起因する極めて低い歩留まりをほぼ100%へと飛躍的に改善できた。また、第2の従来技術と異なり、バイアスフリー化の工程、あるいはその後においてx−カットLN基板1が破壊されることもなかった。また、本実施形態やその他の実施形態についての本発明の考え方は光変調器や電界センサなどの全ての光変調デバイスに適用可能である。
[第2の実施形態]
図5に本発明における第2の実施形態の横断面図を示す。また、図5のD−D'から見た図を図6に示す。本実施形態においては金属の保持台座18にネジ21が入る受け材22を固定している。受け材22があることによりネジ21は保持台座18に対して位置決めができるので、振動・衝撃試験に対してより強固となる。
また、図6の(b)では2本のネジ21を保持台座18の幅方向のなるべく端に当て、保持台座18の幅方向の片方は押し込み、残りの片方の押し込み量を少なくする、さらには引っ張ることのできる構造を付与することにより、x−カットLN基板1に幅方向のねじれによる機械的ストレスをより効率的に与えることが可能となるのでバイアスフリー化がより容易となる。
なお、ネジ21の先端と受け材22、さらにネジ21と筐体20の接触部に熱可塑性の接着剤を使用しておき、バイアスフリー化の工程の後に加熱することによりこれらを完全に固定しても良いことは言うまでもない。なお、図6において、30は押す力(押し応力)、31は引っ張る力(引っ張り応力)である。
[各実施形態について]
また、以上の実施形態では筐体の底面にネジを設け、LN基板の下方から上方に向かってネジを押し込む実施形態について説明したが、逆にLN基板の上方からネジをLN基板に向かって押し込むことができるように、パッケージの筐体内部もしくは、不図示の蓋に工夫をしても良い。その場合にも図16に示した第5の従来技術と異なり、本発明ではLN基板が下方に反ることができるのでLN基板が破損することなく、バイアスフリー化を実現できる。なお、その際に保持台座の幅をLN基板の幅よりも広くしておき、上方から保持台座を下方に押し下げるようにすれば基板の破損を防ぐという観点からより安全である。
また、LN基板を保持台座に固定し、保持台座をネジで押す構造として来た。これに比べるとやや機械的な強度は落ちるものの、保持台座はなくても本発明の効果を発揮できる。つまり、LN基板の厚みは数100μm、あるいは高々1mm程度と薄く、基板の厚み方向に反らせてもLN基板は容易にしなるので機械的な強度は高く、バイアスフリー化とともに高い機械的強度を保つという本発明としての効果を発揮できる。なお、ネジとLN基板との接触面に例えば熱可塑性(あるいは、紫外線硬化)の接着剤を塗布しておき、バイアスフリー化後に、熱もしくは紫外線を照射することによりネジとLN基板とを互いに固定しても良い。あるいは、LN基板のネジの当たる箇所にのみネジによる傷が入らないように保護用の小さな板を接着しておけば、より機械的強度を確保できる。
また、保持台座もしくはLN基板の長手方向の一端を固定部に固定し、他端に近い箇所をネジで押して反らせる構造として説明して来たが、例えば長手方向の両端近傍に固定部を設けて固定するとともに、保持台座もしくはLN基板の長手方向の真ん中付近にネジを当てて機械的ストレスを加える、あるいは保持台座もしくはLN基板の長手方向の真ん中付近に固定部を設けて固定し、長手方向の両端近傍にネジを当てて機械的ストレスを加えるなど、本発明では光導波路を形成した面の上方もしくは下方に基板を反らせることにより光導波路に機械的ストレスを与える限り、保持台座、もしくはLN基板を固定する固定部の数や場所に依存しない。
さらには、LN基板の幅方向においてLN基板の片側を下方から押し上げ、他の片方をLN基板の上方から押し下げた形となっても良いことは言うまでもない。また、バイアスフリー化を確認できたら、ネジを接着剤などで筐体、保持台座、あるいは受け材に固定することにより振動・衝撃試験においてより強固になる。
これまでの説明においては、x−カット基板を例にとり議論したが、y−カットもしくはz−カットの面方位、即ち、基板表面(カット面)に対して垂直な方向に結晶のx軸、y軸もしくはz軸を持つ基板でも良いし、以上に述べた各実施形態での面方位を主たる面方位とし、これらに他の面方位が副たる面方位として混在しても良いし、LN基板のみでなく、リチウムタンタレートなどその他の基板でも良いことは言うまでもないし、さらには電圧をかけて屈折率を変化させる半導体光導波路型のデバイスにも適用可能である。
電極としては、CPW電極、非対称コプレーナストリップ(ACPS)や対称コプレーナストリップ(CPS)などの各種の進行波電極、あるいは集中定数型の電極、共振型でも良いことは言うまでもない。また、光導波路としてはマッハツェンダ型光導波路の他に、方向性結合器など、その他の光導波路でも良いことは言うまでもない。
また、バイアスフリー化に当たっては、印加電圧が零の場合に、光出力−印加電圧の特性における光の出力の山と谷の真ん中付近に合わせるとして説明をしてきたが、本発明では光の出力における任意の所望の位置に合わせることが可能である。
以上のように、本発明に係る光変調器は、充分な機械的強度を保ちつつ極めて高い歩留まりでバイアスフリー化を達成できるので、安価で特性の優れた光変調器や電界センサとして有用である。
本発明の第1の実施形態の横断面図 図1のC−C'から見た断面図 本発明の原理を説明する図 変位量に対する光の位相差を測定した結果を示す図 本発明の第2の実施形態の横断面図 図5のD−D'から見た断面図 第1の従来技術の概念的な上面図 光出力―印加電圧の特性を示す図 第2の従来技術の概念的な上面図 図9のA−A'から見た断面図 第2の従来技術の原理を説明する図 図11のB−B'から見た断面図 第2の従来技術の問題点を説明する図 第3の従来技術の概念的な上面図 第4の従来技術の問題点を説明する図 第5の従来技術の問題点を説明する斜視図
符号の説明
1:x−カットLN基板(基板)
2:光導波路
3:入力光用光ファイバ
4:入力光用光ファイバの芯線
5:出力光用光ファイバ
6:出力光用光ファイバの芯線
7、20:筐体
8:固定台座
9:マイクロ波入力用コネクタ
10:マイクロ波出力用コネクタ
11、17、21:ネジ(調整する手段)
12a、12b:アンテナ
13a、13b:電気的な線路
14:SiOバッファ層
15、16:台座
18:保持台座
19:固定部
22:受け材
30:押す力(押し応力)
31:引っ張る力(引っ張り応力)
40a:CPW進行波電極の中心導体
40b、40c:CPW進行波電極の接地導体

Claims (7)

  1. 光弾性効果を有する基板上の一方の面側に少なくとも2本の光導波路を有し、該基板の一部が固定されており、
    前記基板の幅方向のほぼ真ん中に前記基板の厚さ方向に対し変位可能に配置され、前記基板の前記一方の面または前記一方の面と背向する他方の面における固定されていない箇所に当接して応力を付与することにより、前記基板を当該基板の厚さ方向に変形させる調整手段を備え、
    前記調整手段によって前記基板に応力が付与される際に前記2本の光導波路に完全に同じ応力が加わらないことで前記2本の光導波路の屈折率に差が生じてなり、
    前記調整手段は、前記基板の厚さ方向に対する変位量に応じて当該少なくとも2本の光導波路の光学的長さを所望の長さに調整するとともに、前記調整後の変位量を保持することにより所望の光学的長さを保持することを特徴とする光変調デバイス。
  2. 光弾性効果を有する基板上の一方の面側に少なくとも2本の光導波路を有し、該基板の前記一方の面に背向する他方の面側が保持台座の一方の面側に固定され、前記保持台座の他方の面側の一部が固定されており、
    前記基板の幅方向のほぼ真ん中に前記基板の厚さ方向に対し変位可能に配置され、前記保持台座の固定されていない箇所における前記基板の一方の面側または前記保持台座の他方の面側に当接して応力を付与することにより、前記基板を当該基板の厚さ方向に変形させる調整手段を備え、
    前記調整手段によって前記基板に応力が付与される際に前記2本の光導波路に完全に同じ応力が加わらないことで前記2本の光導波路の屈折率に差が生じてなり、
    前記調整手段は、前記基板の厚さ方向に対する変位量に応じて当該少なくとも2本の光導波路の光学的長さを所望の長さに調整するとともに、前記調整後の変位量を保持することにより所望の光学的長さを保持することを特徴とする光変調デバイス。
  3. 前記基板と前記調整手段とは、当接箇所で互いに接着剤で固定されていることを特徴とする請求項1または2の何れか1項に記載の光変調デバイス。
  4. 前記保持台座と前記調整手段とは、当接箇所で互いに接着剤で固定されていることを特徴とする請求項2に記載の光変調デバイス。
  5. 前記調整手段は、前記保持台座の他方の面側に受け材を介して当接することを特徴とする請求項2に記載の光変調デバイス。
  6. 前記調整手段は、同一方向の応力を前記2本の光導波路に加えることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の光変調デバイス。
  7. 前記基板は筐体内に配置され、前記調整手段は前記筐体に取り付けられていて、前記調整手段と前記筐体とが接着剤で固定されていることを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載の光変調デバイス。
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