JP3114578B2 - Exhaust gas concentration control system - Google Patents

Exhaust gas concentration control system

Info

Publication number
JP3114578B2
JP3114578B2 JP07220957A JP22095795A JP3114578B2 JP 3114578 B2 JP3114578 B2 JP 3114578B2 JP 07220957 A JP07220957 A JP 07220957A JP 22095795 A JP22095795 A JP 22095795A JP 3114578 B2 JP3114578 B2 JP 3114578B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
reaction product
concentration
adsorption
detection result
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP07220957A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0957046A (en
Inventor
博 藤崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP07220957A priority Critical patent/JP3114578B2/en
Publication of JPH0957046A publication Critical patent/JPH0957046A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3114578B2 publication Critical patent/JP3114578B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は排気ガス濃度制御シ
ステムに関し、特に半導体製造工程等で使用される特殊
高圧ガスを含む反応生成ガスを処理する排ガス処理施設
に使用する排気ガス濃度制御システムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust gas concentration control system, and more particularly to an exhaust gas concentration control system used in an exhaust gas treatment facility for processing a reaction product gas containing a special high-pressure gas used in a semiconductor manufacturing process or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の排気ガス濃度制御システ
ムにおいては、生産設備からの反応生成ガスを排出する
ための配管(ダクト配管)内に、反応生成ガスの濃度が
除減量以下となるようにArやN2 等の不活性ガスを予
め導入している。
2. Description of the Related Art Conventionally, in this type of exhaust gas concentration control system, the concentration of the reaction product gas in a pipe (duct pipe) for discharging the reaction product gas from a production facility is not more than a reduction amount. An inert gas such as Ar or N2 is introduced in advance.

【0003】この配管を通して排出される反応生成ガス
に対しては希釈を行うか、あるいは吸着フィルタを通し
て排出する等の簡易除害処理を実施している。これらの
処理が実施された反応生成ガスに対しては最終処理とし
てスクラバ(Scrubber)処理(気体浄化処理)
が実施され、その後に外部に放出される。
[0003] The reaction product gas discharged through this pipe is subjected to simple detoxification treatment such as dilution or discharge through an adsorption filter. A scrubber process (gas purification process) is performed as a final process on the reaction product gas on which these processes are performed.
Is carried out and then released to the outside.

【0004】ここで、スクラバ処理とは微細な水滴を噴
霧することによって、気体中に含まれる粉塵やガス等を
除去する空気浄化処理のことである。
[0004] Here, the scrubber treatment is an air purification treatment for removing dust and gas contained in gas by spraying fine water droplets.

【0005】また、スクラバ処理の前段にガス検知器を
設置し、このガス検知器がガスを検知した際に、高圧ガ
ス消費設備への高圧ガスの供給を制御するガス供給バル
ブを停止させるインタロックが設けられている。
[0005] Further, an interlock for installing a gas detector before the scrubber treatment and stopping a gas supply valve for controlling the supply of high-pressure gas to the high-pressure gas consuming equipment when the gas detector detects gas. Is provided.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の排気ガ
ス濃度制御システムでは、反応生成ガスの濃度制御を積
極的に行うのではなく、反応生成ガスをモニタして警報
等を発するだけなので、反応生成ガスの濃度が管理濃度
に達すると生産設備を停止させ、その原因追及を行わな
ければならない。
The conventional exhaust gas concentration control system described above does not actively control the concentration of the reaction product gas, but only monitors the reaction product gas and issues an alarm. When the concentration of the generated gas reaches the control concentration, the production equipment must be stopped and its cause must be investigated.

【0007】また、反応生成ガスに対して簡易除害処理
を実施している場合でも、高濃度の反応生成ガスが排出
された時にスルー成分が自主規制値を越えることがある
が、その場合にスクラバ処理では反応生成ガスが完全に
除害されないことが考えられる。
Further, even when the simple removal treatment is performed on the reaction product gas, the through component may exceed the voluntary regulation value when the high concentration reaction product gas is discharged. It is conceivable that the reaction product gas is not completely removed by the scrubber treatment.

【0008】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、反応生成ガスの濃度制御を積極的に行うことがで
き、反応生成ガスを自主規制値以下のガス濃度まで除去
することができる排気ガス濃度制御システムを提供する
ことにある。
Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, to actively control the concentration of the reaction product gas, and to remove the reaction product gas to a gas concentration equal to or less than the voluntary regulation value. An object of the present invention is to provide an exhaust gas concentration control system.

【0009】また、本発明の他の目的は、反応生成ガス
の種類に対応した排気ガス濃度制御を実施することがで
きる排気ガス濃度制御システムを提供することにある。
It is another object of the present invention to provide an exhaust gas concentration control system capable of performing exhaust gas concentration control corresponding to the type of reaction product gas.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明による排気ガス濃
度制御システムは、生産設備から排出される反応生成ガ
スを気体浄化処理して外部に放出する気体浄化手段を含
む排ガス処理施設の排気ガス濃度制御システムであっ
て、前記反応生成ガスを吸着するガス吸着手段と、前記
ガス吸着手段でガス吸着処理が実施された後の前記反応
生成ガスのガス濃度を検出するガス検出手段と、前記ガ
ス検出手段の検出結果に応じて前記反応生成ガスを前記
気体浄化手段と前記ガス吸着手段とのうち一方に選択的
に供給する供給手段とを備えている。
SUMMARY OF THE INVENTION An exhaust gas concentration control system according to the present invention comprises an exhaust gas treatment facility including a gas purification means for purifying a reaction product gas discharged from a production facility and discharging the gas to the outside. A control system, comprising: gas adsorbing means for adsorbing the reaction product gas; gas detecting means for detecting a gas concentration of the reaction product gas after a gas adsorption process is performed by the gas adsorption means; A supply unit for selectively supplying the reaction product gas to one of the gas purifying unit and the gas adsorption unit according to a detection result of the unit.

【0011】本発明による他の排気ガス濃度制御システ
ムは、生産設備から排出される複数種の反応生成ガスを
気体浄化処理して外部に放出する気体浄化手段を含む排
ガス処理施設の排気ガス濃度制御システムであって、前
記複数種の反応生成ガス各々を吸着する複数のガス吸着
手段と、前記複数のガス吸着手段でガス吸着処理が実施
された後の前記複数種の反応生成ガスの種類及び濃度を
検出するガス検出手段と、前記ガス検出手段の検出結果
に応じて前記反応生成ガスを前記気体浄化手段と前記複
数のガス吸着手段とのうちいずれかに選択的に供給する
供給手段とを備えている。
Another exhaust gas concentration control system according to the present invention is an exhaust gas concentration control system for an exhaust gas treatment facility including a gas purifying means for purifying a plurality of types of reaction products discharged from a production facility and discharging the gas to the outside. A system, wherein a plurality of gas adsorbing means for adsorbing each of the plurality of reaction product gases, and types and concentrations of the plurality of reaction product gases after the plurality of gas adsorption means perform a gas adsorption process. And a supply unit for selectively supplying the reaction product gas to one of the gas purification unit and the plurality of gas adsorption units according to a detection result of the gas detection unit. ing.

【0012】本発明による別の排気ガス濃度制御システ
ムは、生産設備から排出される複数種の反応生成ガスを
気体浄化処理して外部に放出する気体浄化手段を含む排
ガス処理施設の排気ガス濃度制御システムであって、前
記複数種の反応生成ガス各々を吸着する複数のガス吸着
手段と、前記複数のガス吸着手段でガス吸着処理が実施
された後の前記複数種の反応生成ガスのガス濃度を検出
するガス検出手段と、前記ガス検出手段の検出結果が予
め設定された規制値以下の時に前記反応生成ガスを前記
気体浄化手段に供給する第1の供給手段と、前記ガス検
出手段の検出結果が前記規制値以下でない時に前記反応
生成ガスを前記複数のガス吸着手段各々に順次供給する
第2の供給手段とを備えている。
Another exhaust gas concentration control system according to the present invention is an exhaust gas concentration control system for an exhaust gas treatment facility including a gas purifying means for purifying a plurality of types of reaction product gases discharged from a production facility and discharging the gas to the outside. In the system, a plurality of gas adsorbing means for adsorbing each of the plurality of reaction product gases, and a gas concentration of the plurality of reaction product gases after the gas adsorption process is performed by the plurality of gas adsorption means. Gas detection means for detecting, first supply means for supplying the reaction product gas to the gas purification means when the detection result of the gas detection means is equal to or less than a preset regulation value, and detection result of the gas detection means And a second supply unit for sequentially supplying the reaction product gas to each of the plurality of gas adsorption units when is not less than the regulation value.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】まず、本発明の作用について以下
に述べる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, the operation of the present invention will be described below.

【0014】高圧ガス消費設備を使用する半導体製造ラ
イン等で特殊高圧ガスを含有する反応生成ガスを排出す
る際にダンパバルブを制御し、スクラバによるスクラバ
処理の前に反応生成ガスの濃度が自主規制値以下となる
まで吸着塔によるガス吸着処理で反応生成ガスを吸着す
る。これによって、反応生成ガスの濃度制御を積極的に
行うことができ、反応生成ガスを自主規制値以下のガス
濃度まで除去することが可能となる。
When a reaction product gas containing a special high-pressure gas is discharged from a semiconductor manufacturing line or the like using a high-pressure gas consuming equipment, a damper valve is controlled so that the concentration of the reaction product gas is controlled to a voluntary regulation value before the scrubber treatment by the scrubber The reaction product gas is adsorbed by a gas adsorption process using an adsorption tower until the following conditions are satisfied. As a result, the concentration of the reaction product gas can be positively controlled, and the reaction product gas can be removed to a gas concentration equal to or less than the voluntary regulation value.

【0015】また、スクラバによるスクラバ処理の前に
反応生成ガスの濃度が種類毎に自主規制値以下となるま
で、その種類に対応する吸着塔によるガス吸着処理で反
応生成ガスを吸着する。これによって、反応生成ガスの
種類に対応した排気ガス濃度制御を実施することが可能
となる。
Before the scrubber treatment by the scrubber, the reaction product gas is adsorbed by the gas adsorption treatment by the adsorption tower corresponding to the type until the concentration of the reaction product gas falls below the voluntary regulation value for each type. This makes it possible to control the exhaust gas concentration corresponding to the type of the reaction product gas.

【0016】次に、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図1は本発明の一実施例のシステム構成
を示すブロック図である。図において、本発明の一実施
例による半導体製造システムは高圧ガス消費設備1−i
(i=1,2,3,4,5,……)と、簡易除害処理部
2−iと、ダクト配管3と、ガス検知器ヘッド4,13
〜15と、ダンパバルブ5〜9,16〜21と、吸着塔
10〜12と、排気ブロア22と、排気ファン23と、
スクラバ24と、システムコントローラ25とから構成
されている。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a system configuration according to an embodiment of the present invention. In the figure, a semiconductor manufacturing system according to one embodiment of the present invention is a high-pressure gas consuming facility 1-i.
(I = 1, 2, 3, 4, 5,...), The simple abatement processing unit 2-i, the duct pipe 3, and the gas detector heads 4, 13
-15, damper valves 5-9, 16-21, adsorption towers 10-12, exhaust blower 22, exhaust fan 23,
It comprises a scrubber 24 and a system controller 25.

【0017】図2〜図4は本発明の一実施例による反応
生成ガスの濃度制御を示すフローチャートである。これ
ら図1〜図4を用いて本発明の一実施例による反応生成
ガスの濃度制御について説明する。
FIGS. 2 to 4 are flowcharts showing the control of the concentration of the reaction product gas according to one embodiment of the present invention. The control of the concentration of the reaction product gas according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0018】高圧ガス消費設備1−iは半導体製造ライ
ンのCVD、ドライエッチング、エピ成長工程等におい
て、シランやホスフィン、及びアルシン等の多量の特殊
高圧ガスが使用される装置を示している。
The high-pressure gas consuming equipment 1-i is an apparatus in which a large amount of special high-pressure gas such as silane, phosphine, and arsine is used in a CVD process, a dry etching process, an epi-growth process, and the like in a semiconductor manufacturing line.

【0019】簡易除害処理部2−iは高圧ガス消費設備
1−iから排出される反応生成ガスを多量の不活性ガス
(ArやN2 等)で希釈するか、あるいは反応生成ガス
を吸着フィルタ等を通して簡易除害処理を実施し、その
気体を排気ガスとしてダクト配管3に排出する。
The simple detoxification processing unit 2-i dilutes the reaction product gas discharged from the high-pressure gas consuming equipment 1-i with a large amount of inert gas (Ar, N2, etc.) or removes the reaction product gas by an adsorption filter. And the like, the simple harm removal process is performed, and the gas is discharged to the duct pipe 3 as exhaust gas.

【0020】ダクト配管3にはガス検知器ヘッド4が設
置されており、ガス検知器ヘッド4によってダクト配管
3内のガスの種類や濃度を検知し、その検知結果をシス
テムコントローラ25の検知器コントローラ25aに通
知しかつ表示している。
A gas detector head 4 is installed in the duct pipe 3. The gas detector head 4 detects the type and concentration of gas in the duct pipe 3, and the detection result is used as a detector controller of the system controller 25. 25a is notified and displayed.

【0021】検知器コントローラ25aは反応生成ガス
の各種類に応じて予め決定された自主規制値等をプリセ
ットする機能を有している。尚、システムコントローラ
25は検知器コントローラ25aと、吸着塔コントロー
ラ25bと、バルブコントローラ25cとから構成され
ている。
The detector controller 25a has a function of presetting a voluntary regulation value or the like determined in advance according to each type of reaction product gas. The system controller 25 includes a detector controller 25a, an adsorption tower controller 25b, and a valve controller 25c.

【0022】通常、システムコントローラ25はガス検
知器ヘッド4の検知濃度が自主規制値以下であれば(図
2ステップS1,S2)、ダンパバルブ5を開いて他の
ダンパバルブ6〜9,16〜21を閉じた状態とする
(図2ステップS3)。
Normally, if the detected concentration of the gas detector head 4 is equal to or less than the voluntary regulation value (steps S1 and S2 in FIG. 2), the system controller 25 opens the damper valve 5 and activates the other damper valves 6-9 and 16-21. The closed state is set (step S3 in FIG. 2).

【0023】ダンパバルブ5の排出側に排出される反応
生成ガスは排気ファン23によってスクラバ24内に取
込まれ(図2ステップS4)、スクラバ24内でスクラ
バ処理(最終処理)が実施されて外部の大気中に放出さ
れる(図2ステップS5)。
The reaction product gas discharged to the discharge side of the damper valve 5 is taken into the scrubber 24 by the exhaust fan 23 (step S4 in FIG. 2), and the scrubber process (final process) is performed in the scrubber 24 to perform external processing. It is released into the atmosphere (step S5 in FIG. 2).

【0024】一方、システムコントローラ25はガス検
知器ヘッド4の検知濃度が自主規制値を越えた場合(図
2ステップS1,S2)、まずダンパバルブ5を閉じて
ダンパバルブ6を開く(図2ステップS6)。
On the other hand, when the detected concentration of the gas detector head 4 exceeds the voluntary regulation value (steps S1 and S2 in FIG. 2), the system controller 25 first closes the damper valve 5 and opens the damper valve 6 (step S6 in FIG. 2). .

【0025】その後に、システムコントローラ25はダ
ンパバルブ7を開き(図2ステップS7)、吸着塔10
で反応生成ガスに対してガス吸着処理を実施する(図2
ステップS8)。ここで、吸着塔10には一定の表面積
を持った金属酸化物の固体粒子(吸着充填剤)が充填さ
れるとともに、吸引ブロア(図示せず)が配設されてい
る。
After that, the system controller 25 opens the damper valve 7 (step S7 in FIG. 2), and
Performs a gas adsorption process on the reaction product gas in FIG.
Step S8). Here, the adsorption tower 10 is filled with metal oxide solid particles (adsorption filler) having a certain surface area, and a suction blower (not shown) is provided.

【0026】また、吸着塔10の後段にはガス検知器ヘ
ッド13が設置されており、吸着塔10でガス吸着処理
が実施された後の反応生成ガスのガス濃度をガス検知器
ヘッド13で検知する(図2ステップS9)。
A gas detector head 13 is provided at the subsequent stage of the adsorption tower 10, and the gas detector head 13 detects the gas concentration of the reaction product gas after the gas adsorption process is performed in the adsorption tower 10. (Step S9 in FIG. 2).

【0027】システムコントローラ25はガス検知器ヘ
ッド13による検知結果が自主規制値(設定値)以下と
なったか否かを確認する(図2ステップS10)。シス
テムコントローラ25はガス検知器ヘッド13による検
知結果が自主規制値以下であればダンパバルブ16を開
き(図2ステップS11)、吸着塔10でガス吸着処理
が実施された反応生成ガスを排気ファン23によってス
クラバ24内に取込み(図2ステップS12)、スクラ
バ24内でスクラバ処理を実施して外部の大気中に放出
する(図2ステップS13)。
The system controller 25 checks whether or not the detection result by the gas detector head 13 has become equal to or less than the self-regulation value (set value) (step S10 in FIG. 2). If the detection result by the gas detector head 13 is equal to or less than the self-regulation value, the system controller 25 opens the damper valve 16 (step S11 in FIG. 2), and removes the reaction product gas subjected to the gas adsorption process in the adsorption tower 10 by the exhaust fan 23. The scrubber is taken into the scrubber 24 (step S12 in FIG. 2), and the scrubber processing is performed in the scrubber 24 and released into the outside atmosphere (step S13 in FIG. 2).

【0028】また、システムコントローラ25はガス検
知器ヘッド13による検知結果が自主規制値以下となら
なければ、ダンパバルブ17を開き(図3ステップS1
4)、吸着塔11で反応生成ガスに対してガス吸着処理
を実施する(図3ステップS15)。
The system controller 25 opens the damper valve 17 if the detection result by the gas detector head 13 does not fall below the voluntary regulation value (step S1 in FIG. 3).
4) A gas adsorption process is performed on the reaction product gas in the adsorption tower 11 (Step S15 in FIG. 3).

【0029】吸着塔11の後段にはガス検知器ヘッド1
4が設置されており、吸着塔11でガス吸着処理が実施
された後の反応生成ガスのガス濃度をガス検知器ヘッド
14で検知する(図3ステップS16)。
The gas detector head 1 is located downstream of the adsorption tower 11.
The gas detector head 14 detects the gas concentration of the reaction product gas after the gas adsorption process is performed in the adsorption tower 11 (step S16 in FIG. 3).

【0030】システムコントローラ25はガス検知器ヘ
ッド14による検知結果が自主規制値以下となったか否
かを確認する(図3ステップS17)。システムコント
ローラ25はガス検知器ヘッド14による検知結果が自
主規制値以下であればダンパバルブ18を開き(図3ス
テップS18)、吸着塔11でガス吸着処理が実施され
た反応生成ガスを排気ファン23によってスクラバ24
内に取込み(図3ステップS19)、スクラバ24内で
スクラバ処理を実施して外部の大気中に放出する(図3
ステップS20)。
The system controller 25 checks whether or not the detection result by the gas detector head 14 has become equal to or less than the self-regulation value (step S17 in FIG. 3). The system controller 25 opens the damper valve 18 if the detection result by the gas detector head 14 is equal to or less than the voluntary regulation value (step S18 in FIG. 3), and the reaction fan gas subjected to the gas adsorption process in the adsorption tower 11 is exhausted by the exhaust fan 23. Scrubber 24
(Step S19 in FIG. 3), a scrubber process is performed in the scrubber 24, and the scrubber is released into the outside atmosphere (FIG. 3).
Step S20).

【0031】また、システムコントローラ25はガス検
知器ヘッド14による検知結果が自主規制値以下となら
なければ、ダンパバルブ19を開き(図4ステップS2
1)、吸着塔12で反応生成ガスに対してガス吸着処理
を実施する(図4ステップS22)。
The system controller 25 opens the damper valve 19 if the detection result by the gas detector head 14 does not fall below the voluntary regulation value (step S2 in FIG. 4).
1) A gas adsorption process is performed on the reaction product gas in the adsorption tower 12 (Step S22 in FIG. 4).

【0032】吸着塔12の後段にはガス検知器ヘッド1
5が設置されており、吸着塔12でガス吸着処理が実施
された後の反応生成ガスのガス濃度をガス検知器ヘッド
15で検知する(図4ステップS23)。
The gas detector head 1 is located downstream of the adsorption tower 12.
5 is installed, and the gas concentration of the reaction product gas after the gas adsorption process is performed in the adsorption tower 12 is detected by the gas detector head 15 (step S23 in FIG. 4).

【0033】システムコントローラ25はガス検知器ヘ
ッド15による検知結果が自主規制値以下となったか否
かを確認する(図4ステップS24)。システムコント
ローラ25はガス検知器ヘッド15による検知結果が自
主規制値以下であればダンパバルブ20を開き(図4ス
テップS25)、吸着塔12でガス吸着処理が実施され
た反応生成ガスを排気ファン23によってスクラバ24
内に取込み(図4ステップS26)、スクラバ24内で
スクラバ処理を実施して外部の大気中に放出する(図4
ステップS27)。
The system controller 25 checks whether or not the detection result by the gas detector head 15 has become equal to or less than the self-regulation value (step S24 in FIG. 4). The system controller 25 opens the damper valve 20 if the detection result by the gas detector head 15 is equal to or less than the voluntary regulation value (step S25 in FIG. 4), and the reaction fan gas subjected to the gas adsorption process in the adsorption tower 12 is exhausted by the exhaust fan 23. Scrubber 24
(Step S26 in FIG. 4), a scrubber process is performed in the scrubber 24, and the scrubber is released into the outside atmosphere (FIG. 4).
Step S27).

【0034】また、システムコントローラ25はガス検
知器ヘッド15による検知結果が自主規制値以下となら
なければ、ダンパバルブ21を開き(図4ステップS2
8)、吸着塔12でガス吸着処理が実施された反応生成
ガスを排気ブロア22によってダンパバルブ7を通して
吸着塔10に吸引する(図4ステップS29)。
The system controller 25 opens the damper valve 21 if the detection result by the gas detector head 15 does not fall below the voluntary regulation value (step S2 in FIG. 4).
8) The reaction product gas subjected to the gas adsorption process in the adsorption tower 12 is sucked into the adsorption tower 10 through the damper valve 7 by the exhaust blower 22 (step S29 in FIG. 4).

【0035】上記のステップS7〜S29の処理は、吸
着塔10〜12でガス吸着処理が実施された反応生成ガ
スのガス濃度が自主規制値以下となるまで繰り返し実行
される。
The processes in steps S7 to S29 are repeatedly executed until the gas concentration of the reaction product gas subjected to the gas adsorption process in the adsorption towers 10 to 12 becomes lower than the voluntary regulation value.

【0036】尚、多数の高圧ガス消費設備1−iが接続
されている場合には、ガス検知器ヘッド4で高濃度のガ
スが検出された時にダンパバルブ6を開くとともに、ダ
ンパバルブ7〜9を同時に開くことで、吸着塔10〜1
2によるガス吸着処理の多段同時処理も可能である。
When a large number of high-pressure gas consuming facilities 1-i are connected, when the gas detector head 4 detects a high-concentration gas, the damper valve 6 is opened and the damper valves 7 to 9 are simultaneously operated. By opening, the adsorption towers 10-1
A multistage simultaneous treatment of the gas adsorption treatment by 2 is also possible.

【0037】また、吸着塔10〜12に夫々異なる種類
の反応生成ガスに対応する吸着剤を充填することで、吸
着塔10〜12では各々異なる種類の反応生成ガスに対
するガス吸着処理が可能となる。
Further, by filling the adsorption towers 10 to 12 with adsorbents corresponding to different types of reaction products, respectively, the adsorption towers 10 to 12 can perform a gas adsorption process for different types of reaction products. .

【0038】これによって、異なる種類の反応生成ガス
が混合された場合、その混合ガスに対して吸着塔10〜
12で順次ガス吸着処理を繰り返し実施することで、異
なる種類の反応生成ガスを夫々除害することが可能とな
る。
In this way, when different types of reaction product gases are mixed, the mixed gas is adsorbed to the adsorption tower 10 to 10.
By repeatedly performing the gas adsorption process sequentially at 12, it is possible to remove different types of reaction product gases.

【0039】ここで、反応生成ガスとしてはシランやホ
スフィン、及びアンモニア等があり、シランの許容濃度
は5ppm、ホスフィンの許容濃度は0.3ppm、ア
ンモニアの許容濃度は25ppmである。
Here, the reaction product gas includes silane, phosphine, and ammonia. The allowable concentration of silane is 5 ppm, the allowable concentration of phosphine is 0.3 ppm, and the allowable concentration of ammonia is 25 ppm.

【0040】したがって、例えばシランの自主規制値を
4ppm、ホスフィンの自主規制値を0.2ppm、ア
ンモニアの自主規制値を24ppmとすれば、吸着塔1
0〜12によるガス吸着処理でスクラバ24によるスク
ラバ処理の前に許容濃度以下とすることが可能となる。
Therefore, for example, if the self-regulation value of silane is 4 ppm, the self-regulation value of phosphine is 0.2 ppm, and the self-regulation value of ammonia is 24 ppm, the adsorption tower 1
It becomes possible to make the concentration below the permissible concentration before the scrubber treatment by the scrubber 24 by the gas adsorption treatment by 0-12.

【0041】図5は本発明の他の実施例のシステム構成
を示すブロック図である。図において、本発明の他の実
施例による半導体製造システムは排気ブロア22を除去
し、ダンパバルブ17,19,21各々の排出側を吸着
塔10〜12各々の吸入側に接続した以外は図1の本発
明の一実施例による半導体製造システムと同様の構成と
なっており、同一構成要素には同一符号を付してある。
また、同一構成要素の動作も本発明の一実施例と同様で
ある。
FIG. 5 is a block diagram showing the system configuration of another embodiment of the present invention. In the figure, a semiconductor manufacturing system according to another embodiment of the present invention has the same configuration as that of FIG. 1 except that the exhaust blower 22 is removed, and the discharge side of each of the damper valves 17, 19, 21 is connected to the suction side of each of the adsorption towers 10 to 12. The configuration is the same as that of the semiconductor manufacturing system according to the embodiment of the present invention, and the same components are denoted by the same reference numerals.
The operation of the same component is the same as that of the embodiment of the present invention.

【0042】但し、ガス検知器ヘッド4はマルチガスヘ
ッドとなっており、複数種類の反応生成ガス各々の種類
及び濃度を検知することが可能となっている。つまり、
ガス検知器ヘッド4は反応生成ガスを種類毎に検知する
複数の検知ヘッドから構成されており、それら複数の検
知ヘッドで夫々反応生成ガスを検知することによって複
数種類の反応生成ガス各々の種類及び濃度が検知可能と
なっている。
However, the gas detector head 4 is a multi-gas head, and can detect the type and concentration of each of a plurality of types of reaction product gases. That is,
The gas detector head 4 is composed of a plurality of detection heads for detecting the reaction product gas for each type. By detecting the reaction product gas with each of the plurality of detection heads, the type and the type of each reaction product gas are detected. The density can be detected.

【0043】図6〜図9は本発明の他の実施例による反
応生成ガスの濃度制御を示すフローチャートである。こ
れら図5〜図9を用いて本発明の他の実施例による反応
生成ガスの濃度制御について説明する。
FIGS. 6 to 9 are flow charts showing the control of the concentration of the reaction product gas according to another embodiment of the present invention. The control of the concentration of the reaction product gas according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0044】通常、システムコントローラ25はガス検
知器ヘッド4の検知濃度が自主規制値以下であれば(図
6ステップS31,S32)、ダンパバルブ5を開いて
他のダンパバルブ6〜9,16〜21を閉じた状態とす
る(図2ステップS33)。
Normally, if the detected concentration of the gas detector head 4 is equal to or less than the voluntary regulation value (steps S31 and S32 in FIG. 6), the system controller 25 opens the damper valve 5 and activates the other damper valves 6-9 and 16-21. The closed state is set (step S33 in FIG. 2).

【0045】ダンパバルブ5の排出側に排出される反応
生成ガスは排気ファン23によってスクラバ24内に取
込まれ(図6ステップS34)、スクラバ24内でスク
ラバ処理(最終処理)が実施されて外部の大気中に放出
される(図6ステップS35)。
The reaction product gas discharged to the discharge side of the damper valve 5 is taken into the scrubber 24 by the exhaust fan 23 (step S34 in FIG. 6), and a scrubber process (final process) is performed in the scrubber 24 to perform an external process. It is released into the atmosphere (step S35 in FIG. 6).

【0046】一方、システムコントローラ25はガス検
知器ヘッド4の検知濃度が自主規制値を越えた場合(図
2ステップS31,S32)、まずダンパバルブ5を閉
じてダンパバルブ6を開く(図6ステップS36)。
On the other hand, when the detected concentration of the gas detector head 4 exceeds the voluntary regulation value (steps S31 and S32 in FIG. 2), the system controller 25 closes the damper valve 5 and opens the damper valve 6 (step S36 in FIG. 6). .

【0047】その後に、システムコントローラ25はガ
ス検知器ヘッド4で検知されたガスの種類を判定し(図
6ステップS37)、夫々反応生成ガスの種類(ガス
〜)に応じて吸着塔10〜12によるガス吸着処理が
実施されるよう制御する。
Thereafter, the system controller 25 determines the type of gas detected by the gas detector head 4 (step S37 in FIG. 6), and according to the type of reaction product gas (gas), respectively, the adsorption towers 10-12. Is controlled so that the gas adsorption process is performed.

【0048】システムコントローラ25は反応生成ガス
の種類をガスと判定した場合、ダンパバルブ7を開き
(図7ステップS38)、吸着塔10で反応生成ガスに
対してガス吸着処理を実施する(図7ステップS3
9)。ここで、吸着塔10にはガスの種類に対応する
吸着充填剤が充填されている。
When the type of the reaction product gas is determined to be gas, the system controller 25 opens the damper valve 7 (step S38 in FIG. 7) and performs a gas adsorption process on the reaction product gas in the adsorption tower 10 (step S7 in FIG. 7). S3
9). Here, the adsorption tower 10 is filled with an adsorption filler corresponding to the type of gas.

【0049】吸着塔10の後段にはガス検知器ヘッド1
3が設置されており、吸着塔10でガス吸着処理が実施
された後の反応生成ガスのガス濃度をガス検知器ヘッド
13で検知する(図7ステップS40)。
The gas detector head 1 is located downstream of the adsorption tower 10.
The gas detector head 13 detects the gas concentration of the reaction product gas after the gas adsorption process is performed in the adsorption tower 10 (step S40 in FIG. 7).

【0050】システムコントローラ25はガス検知器ヘ
ッド13による検知結果が自主規制値以下となったか否
かを確認する(図7ステップS41)。システムコント
ローラ25はガス検知器ヘッド13による検知結果が自
主規制値以下であればダンパバルブ16を開き(図7ス
テップS42)、吸着塔10でガス吸着処理が実施され
た反応生成ガスを排気ファン23によってスクラバ24
内に取込み(図7ステップS43)、スクラバ24内で
スクラバ処理を実施して外部の大気中に放出する(図7
ステップS44)。
The system controller 25 checks whether or not the detection result by the gas detector head 13 has become equal to or less than the self-regulation value (step S41 in FIG. 7). The system controller 25 opens the damper valve 16 if the detection result by the gas detector head 13 is equal to or less than the voluntary regulation value (Step S42 in FIG. 7), and the reaction fan gas subjected to the gas adsorption process in the adsorption tower 10 is exhausted by the exhaust fan 23. Scrubber 24
(Step S43 in FIG. 7), a scrubber process is performed in the scrubber 24, and the scrubber is released into the outside atmosphere (FIG. 7).
Step S44).

【0051】また、システムコントローラ25はガス検
知器ヘッド13による検知結果が自主規制値以下となら
なければ、ダンパバルブ17を開き(図7ステップS4
5)、ステップS39に戻って吸着塔10で反応生成ガ
スに対してガス吸着処理を実施する。
The system controller 25 opens the damper valve 17 if the detection result by the gas detector head 13 does not fall below the voluntary regulation value (step S4 in FIG. 7).
5) Returning to step S39, the adsorption tower 10 performs a gas adsorption process on the reaction product gas.

【0052】上記の処理は、種類がガスの反応生成ガ
スのガス濃度が自主規制値以下となるまで繰り返し行わ
れる(図7ステップS39〜S41,S45)。尚、ダ
ンパバルブ17を開く前にはシステムコントローラ25
の制御でダンパバルプ7が閉じられている。
The above processing is repeated until the gas concentration of the reaction product gas of the type becomes equal to or less than the voluntary regulation value (steps S39 to S41, S45 in FIG. 7). Before opening the damper valve 17, the system controller 25
Control, the damper valve 7 is closed.

【0053】システムコントローラ25は反応生成ガス
の種類をガスと判定した場合、ダンパバルブ8を開き
(図8ステップS46)、吸着塔11で反応生成ガスに
対してガス吸着処理を実施する(図8ステップS4
7)。ここで、吸着塔11にはガスの種類に対応する
吸着充填剤が充填されている。
When the type of the reaction product gas is determined to be gas, the system controller 25 opens the damper valve 8 (step S46 in FIG. 8), and performs a gas adsorption process on the reaction product gas in the adsorption tower 11 (step S8 in FIG. 8). S4
7). Here, the adsorption tower 11 is filled with an adsorption filler corresponding to the type of gas.

【0054】吸着塔11の後段にはガス検知器ヘッド1
4が設置されており、吸着塔11でガス吸着処理が実施
された後の反応生成ガスのガス濃度をガス検知器ヘッド
14で検知する(図8ステップS48)。
The gas detector head 1 is located downstream of the adsorption tower 11.
The gas detector head 14 detects the gas concentration of the reaction product gas after the gas adsorption process has been performed in the adsorption tower 11 (step S48 in FIG. 8).

【0055】システムコントローラ25はガス検知器ヘ
ッド14による検知結果が自主規制値以下となったか否
かを確認する(図8ステップS49)。システムコント
ローラ25はガス検知器ヘッド14による検知結果が自
主規制値以下であればダンパバルブ18を開き(図8ス
テップS50)、吸着塔11でガス吸着処理が実施され
た反応生成ガスを排気ファン23によってスクラバ24
内に取込み(図8ステップS51)、スクラバ24内で
スクラバ処理を実施して外部の大気中に放出する(図8
ステップS52)。
The system controller 25 checks whether or not the detection result by the gas detector head 14 has become equal to or less than the self-regulation value (step S49 in FIG. 8). The system controller 25 opens the damper valve 18 if the detection result by the gas detector head 14 is equal to or less than the voluntary regulation value (Step S50 in FIG. 8), and the reaction fan gas subjected to the gas adsorption process in the adsorption tower 11 is exhausted by the exhaust fan 23. Scrubber 24
(Step S51 in FIG. 8), the scrubber process is performed in the scrubber 24, and the scrubber is released into the outside atmosphere (FIG. 8).
Step S52).

【0056】また、システムコントローラ25はガス検
知器ヘッド14による検知結果が自主規制値以下となら
なければ、ダンパバルブ19を開き(図8ステップS5
3)、ステップS47に戻って吸着塔11で反応生成ガ
スに対してガス吸着処理を実施する。
If the detection result by the gas detector head 14 does not fall below the voluntary regulation value, the system controller 25 opens the damper valve 19 (step S5 in FIG. 8).
3) Returning to step S47, the adsorption tower 11 performs a gas adsorption process on the reaction product gas.

【0057】上記の処理は、種類がガスの反応生成ガ
スのガス濃度が自主規制値以下となるまで繰り返し行わ
れる(図8ステップS47〜S49,S53)。尚、ダ
ンパバルブ19を開く前にはシステムコントローラ25
の制御でダンパバルプ8が閉じられている。
The above process is repeated until the gas concentration of the reaction product gas of the type becomes equal to or less than the voluntary regulation value (steps S47 to S49, S53 in FIG. 8). Before opening the damper valve 19, the system controller 25
The damper valve 8 is closed by the control of.

【0058】システムコントローラ25は反応生成ガス
の種類をガスと判定した場合、ダンパバルブ9を開き
(図9ステップS54)、吸着塔12で反応生成ガスに
対してガス吸着処理を実施する(図9ステップS5
5)。ここで、吸着塔12にはガスの種類に対応する
吸着充填剤が充填されている。
When the type of the reaction product gas is determined to be gas, the system controller 25 opens the damper valve 9 (step S54 in FIG. 9) and performs a gas adsorption process on the reaction product gas in the adsorption tower 12 (step S9 in FIG. 9). S5
5). Here, the adsorption tower 12 is filled with an adsorption filler corresponding to the type of gas.

【0059】吸着塔12の後段にはガス検知器ヘッド1
5が設置されており、吸着塔12でガス吸着処理が実施
された後の反応生成ガスのガス濃度をガス検知器ヘッド
15で検知する(図9ステップS56)。
The gas detector head 1 is located downstream of the adsorption tower 12.
The gas concentration of the reaction product gas after the gas adsorption process is performed in the adsorption tower 12 is detected by the gas detector head 15 (step S56 in FIG. 9).

【0060】システムコントローラ25はガス検知器ヘ
ッド15による検知結果が自主規制値以下となったか否
かを確認する(図9ステップS57)。システムコント
ローラ25はガス検知器ヘッド15による検知結果が自
主規制値以下であればダンパバルブ20を開き(図9ス
テップS58)、吸着塔12でガス吸着処理が実施され
た反応生成ガスを排気ファン23によってスクラバ24
内に取込み(図9ステップS59)、スクラバ24内で
スクラバ処理を実施して外部の大気中に放出する(図9
ステップS60)。
The system controller 25 checks whether or not the detection result by the gas detector head 15 has become equal to or less than the self-regulation value (step S57 in FIG. 9). If the detection result by the gas detector head 15 is equal to or less than the voluntary regulation value, the system controller 25 opens the damper valve 20 (step S58 in FIG. 9), and the reaction fan gas subjected to the gas adsorption process in the adsorption tower 12 is exhausted by the exhaust fan 23. Scrubber 24
(Step S59 in FIG. 9), the scrubber process is performed in the scrubber 24, and the scrubber is released into the outside atmosphere (FIG. 9).
Step S60).

【0061】また、システムコントローラ25はガス検
知器ヘッド15による検知結果が自主規制値以下となら
なければ、ダンパバルブ21を開き(図9ステップS6
1)、ステップS55に戻って吸着塔12で反応生成ガ
スに対してガス吸着処理を実施する。
The system controller 25 opens the damper valve 21 if the detection result by the gas detector head 15 does not fall below the voluntary regulation value (step S6 in FIG. 9).
1) Returning to step S55, the adsorption tower 12 performs a gas adsorption process on the reaction product gas.

【0062】上記の処理は、種類がガスの反応生成ガ
スのガス濃度が自主規制値以下となるまで繰り返し行わ
れる(図9ステップS55〜S57,S61)。尚、ダ
ンパバルブ21を開く前にはシステムコントローラ25
の制御でダンパバルプ9が閉じられている。
The above processing is repeatedly performed until the gas concentration of the reaction product gas of the type becomes equal to or less than the voluntary regulation value (steps S55 to S57, S61 in FIG. 9). Before opening the damper valve 21, the system controller 25
The damper valve 9 is closed by the control of.

【0063】これによって、自主規制値をガス〜の
種類毎に許容濃度以下に設定しておけば、ガス〜と
いう複数種類の反応生成ガス各々を種類毎に、その濃度
を吸着塔10〜12によるガス吸着処理でスクラバ24
によるスクラバ処理の前に許容濃度以下とすることが可
能となる。また、反応生成ガスが複数種類からなる場合
には、一つのガス吸着処理が終了した後に次のガス吸着
処理を行えるようスクラバ24の前段で吸着塔10〜1
2の前段まで戻るようにすればよい。
If the self-regulation value is set to be equal to or less than the permissible concentration for each type of gas, the concentration of each of the plurality of types of reaction product gas, gas, is controlled by the adsorption towers 10 to 12. Scrubber 24 by gas adsorption
Before the scrubber treatment, the concentration can be reduced to an allowable concentration or less. When a plurality of types of reaction product gases are used, after one gas adsorption process is completed, the adsorber towers 10 to 1 can be installed in front of the scrubber 24 so that the next gas adsorption process can be performed.
What is necessary is just to return to the former stage of 2.

【0064】このように、高圧ガス消費設備1−iを使
用する半導体製造ライン等で特殊高圧ガスを含有する反
応生成ガスを排出する際にダンパバルブ5〜9,16〜
21を制御し、スクラバ24によるスクラバ処理の前に
反応生成ガスの濃度が自主規制値以下となるまで吸着塔
10〜12によるガス吸着処理で反応生成ガスを吸着す
ることによって、反応生成ガスの濃度制御を積極的に行
うことができ、反応生成ガスを自主規制値以下のガス濃
度まで除去することができる。
As described above, when the reaction product gas containing the special high-pressure gas is discharged from the semiconductor manufacturing line or the like using the high-pressure gas consuming equipment 1-i, the damper valves 5 to 9, 16 to
21 is controlled, and before the scrubber treatment by the scrubber 24, the reaction product gas is adsorbed by the gas adsorption treatment by the adsorption towers 10 to 12 until the concentration of the reaction product gas becomes the voluntary regulation value or less. Control can be actively performed, and the reaction product gas can be removed to a gas concentration equal to or less than the voluntary regulation value.

【0065】また、スクラバ24によるスクラバ処理の
前に反応生成ガスの濃度が種類毎に自主規制値以下とな
るまで、その種類に対応する吸着塔10〜12によるガ
ス吸着処理で反応生成ガスを吸着することによって、反
応生成ガスの種類に対応した排気ガス濃度制御を実施す
ることができる。
Before the scrubber treatment by the scrubber 24, the reaction product gas is adsorbed by the gas adsorption treatment by the adsorption towers 10 to 12 corresponding to the type until the concentration of the reaction product gas falls below the voluntary regulation value for each type. By doing so, it is possible to control the exhaust gas concentration corresponding to the type of the reaction product gas.

【0066】尚、請求項の記載に関連して本発明はさら
に次の態様をとりうる。
The present invention can take the following aspects in connection with the description of the claims.

【0067】(1) 生産設備から排出される複数種の
反応生成ガスを気体浄化処理して外部に放出する気体浄
化手段を含む排ガス処理施設の排気ガス濃度制御システ
ムであって、前記生産設備から排出された前記反応生成
ガスの種類及び濃度を検出する第1のガス検出手段と、
前記複数種の反応生成ガス各々を吸着する複数のガス吸
着手段と、前記複数のガス吸着手段各々から排出される
前記反応生成ガスの種類及び濃度を検出する複数の第2
のガス検出手段と、前記第1のガス検出手段の検出結果
に応じて前記反応生成ガスを前記気体浄化手段と前記複
数のガス吸着手段とのうちいずれかに選択的に供給する
第1の供給手段と、前記第2のガス検出手段の検出結果
に応じて前記反応生成ガスを前記気体浄化手段と次段の
ガス吸着手段とのうちいずれかに選択的に供給する複数
の第2の供給手段とを有することを特徴とする排気ガス
濃度制御システム。
(1) An exhaust gas concentration control system for an exhaust gas treatment facility including a gas purification means for purifying a plurality of types of reaction product gases discharged from a production facility and releasing the gas to the outside, wherein First gas detection means for detecting the type and concentration of the discharged reaction product gas;
A plurality of gas adsorbing means for adsorbing each of the plurality of reaction product gases; and a plurality of second gas detecting means for detecting the type and concentration of the reaction product gas discharged from each of the plurality of gas adsorbing means.
And a first supply for selectively supplying the reaction product gas to one of the gas purifying means and the plurality of gas adsorbing means in accordance with a detection result of the first gas detecting means. Means, and a plurality of second supply means for selectively supplying the reaction product gas to one of the gas purifying means and the next gas adsorbing means in accordance with the detection result of the second gas detecting means. An exhaust gas concentration control system comprising:

【0068】(2) 前記第1の供給手段は、前記第1
のガス検出手段の検出結果が予め設定された規制値以下
の時に前記反応生成ガスを前記気体浄化手段に供給しか
つ前記第1のガス検出手段の検出結果が前記規制値以下
でない時に前記反応生成ガスを前記複数のガス吸着手段
のうちの先頭のガス吸着手段に供給するよう構成し、前
記複数の第2の供給手段各々は、前記第2のガス検出手
段の検出結果が予め設定された規制値以下の時に前記反
応生成ガスを前記気体浄化手段に供給しかつ前記第2の
ガス検出手段の検出結果が前記規制値以下でない時に前
記反応生成ガスを前記複数のガス吸着手段のうちの次段
のガス吸着手段に供給するよう構成したことを特徴とす
る(1)記載の排気ガス濃度制御システム。
(2) The first supply means includes:
The reaction product gas is supplied to the gas purifying means when the detection result of the gas detection means is equal to or less than a preset regulation value, and the reaction generation gas is supplied when the detection result of the first gas detection means is not less than the regulation value. A gas is supplied to a leading gas adsorbing means of the plurality of gas adsorbing means, and each of the plurality of second supplying means is configured to detect a detection result of the second gas detecting means in a predetermined manner. When the value is equal to or less than the regulation value, the reaction product gas is supplied to the gas purification unit, and when the detection result of the second gas detection unit is not less than the regulation value, the reaction product gas is supplied to the next stage of the plurality of gas adsorption units. The exhaust gas concentration control system according to (1), wherein the exhaust gas concentration control system is configured to supply the exhaust gas concentration to the gas adsorption means.

【0069】(3) 生産設備から排出される複数種の
反応生成ガスを気体浄化処理して外部に放出する気体浄
化手段を含む排ガス処理施設の排気ガス濃度制御システ
ムであって、前記生産設備から排出された前記反応生成
ガスの種類及び濃度を検出する第1のガス検出手段と、
前記複数種の反応生成ガス各々を吸着する複数のガス吸
着手段と、前記複数のガス吸着手段各々から排出される
前記反応生成ガスの種類及び濃度を検出する複数の第2
のガス検出手段と、前記第1のガス検出手段の検出結果
に応じて前記反応生成ガスを前記気体浄化手段と前記複
数のガス吸着手段とのうちいずれかに選択的に供給する
第1の供給手段と、前記第2のガス検出手段の検出結果
に応じて前記反応生成ガスを前記気体浄化手段と前記第
2のガス検出手段の前段のガス吸着手段とのうち一方に
供給する複数の第2の供給手段とを有することを特徴と
する排気ガス濃度制御システム。
(3) An exhaust gas concentration control system for an exhaust gas treatment facility including a gas purification means for purifying a plurality of types of reaction product gases discharged from a production facility and discharging the gas to the outside, wherein First gas detection means for detecting the type and concentration of the discharged reaction product gas;
A plurality of gas adsorbing means for adsorbing each of the plurality of reaction product gases; and a plurality of second gas detecting means for detecting the type and concentration of the reaction product gas discharged from each of the plurality of gas adsorbing means.
And a first supply for selectively supplying the reaction product gas to one of the gas purifying means and the plurality of gas adsorbing means in accordance with a detection result of the first gas detecting means. Means for supplying the reaction product gas to one of the gas purifying means and a gas adsorbing means preceding the second gas detecting means in accordance with a detection result of the second gas detecting means. Exhaust gas concentration control system, comprising:

【0070】(4) 前記第1の供給手段は、前記第1
のガス検出手段の検出結果が予め設定された規制値以下
の時に前記反応生成ガスを前記気体浄化手段に供給しか
つ前記第1のガス検出手段の検出結果が前記反応生成ガ
スの種類毎に予め設定された規制値以下でない時に前記
反応生成ガスを前記規制値以下でない反応生成ガスに対
応するガス吸着手段に供給するよう構成し、前記複数の
第2の供給手段各々は、前記第2のガス検出手段の検出
結果が予め設定された規制値以下の時に前記反応生成ガ
スを前記気体浄化手段に供給しかつ前記第2のガス検出
手段の検出結果が前記規制値以下でない時に前記反応生
成ガスを前記第2のガス検出手段の前段のガス吸着手段
に供給するよう構成したことを特徴とする(3)記載の
排気ガス濃度制御システム。
(4) The first supply means includes:
When the detection result of the gas detection means is equal to or less than a preset regulation value, the reaction product gas is supplied to the gas purification means, and the detection result of the first gas detection means is set in advance for each type of the reaction product gas. When the reaction product gas is not less than the set regulation value, the reaction product gas is configured to be supplied to gas adsorbing means corresponding to the reaction product gas that is not less than the regulation value, and each of the plurality of second supply units is the second gas. The reaction product gas is supplied to the gas purification unit when the detection result of the detection unit is equal to or less than a preset regulation value, and the reaction product gas is supplied when the detection result of the second gas detection unit is not less than the regulation value. The exhaust gas concentration control system according to (3), characterized in that the exhaust gas concentration control system is configured to supply the gas to the gas adsorbing means at the preceding stage of the second gas detecting means.

【0071】[0071]

【発明の効果】以上説明したように本発明の排気ガス濃
度制御システムによれば、生産設備から排出される反応
生成ガスの濃度の検出結果が予め設定された規制値以下
の時に反応生成ガスに対して気体浄化処理を実施し、反
応生成ガスの濃度の検出結果が規制値以下でない時に反
応生成ガスに対してガス吸着処理を実施することによっ
て、反応生成ガスの濃度制御を積極的に行うことがで
き、反応生成ガスを自主規制値以下のガス濃度まで除去
することができるという効果がある。
As described above, according to the exhaust gas concentration control system of the present invention, when the detection result of the concentration of the reaction product gas discharged from the production facility is equal to or less than a predetermined regulation value, the reaction product gas is controlled. Actively control the concentration of the reaction product gas by performing the gas purification process and performing the gas adsorption process on the reaction product gas when the detection result of the concentration of the reaction product gas is not below the regulation value. Thus, there is an effect that the reaction product gas can be removed to a gas concentration equal to or less than the voluntary regulation value.

【0072】また、本発明の他の排気ガス濃度制御シス
テムによれば、生産設備から排出される反応生成ガスの
濃度の検出結果が予め設定された規制値以下の時に反応
生成ガスに対して気体浄化処理を実施し、反応生成ガス
の濃度の検出結果が反応生成ガスの種類毎に予め設定さ
れた規制値以下でない時にその反応生成ガスに対して規
制値以下でない反応生成ガスに対応するガス吸着処理を
実施することによって、反応生成ガスの種類に対応した
排気ガス濃度制御を実施することができるという効果が
ある。
Further, according to another exhaust gas concentration control system of the present invention, when the detection result of the concentration of the reaction product gas discharged from the production facility is equal to or less than a preset regulation value, the reaction product gas is controlled by the gas. When the purification process is performed and the detection result of the concentration of the reaction product gas is not less than the regulation value preset for each type of the reaction product gas, the gas adsorption corresponding to the reaction product gas that is not less than the regulation value for the reaction product gas By performing the processing, there is an effect that the exhaust gas concentration control corresponding to the type of the reaction product gas can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例のシステム構成を示すブロッ
ク図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a system configuration according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例による反応生成ガスの濃度制
御を示すフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart showing a control of a concentration of a reaction product gas according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例による反応生成ガスの濃度制
御を示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing a control of a concentration of a reaction product gas according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例による反応生成ガスの濃度制
御を示すフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart showing the control of the concentration of the reaction product gas according to one embodiment of the present invention.

【図5】本発明の他の実施例のシステム構成を示すブロ
ック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a system configuration according to another embodiment of the present invention.

【図6】本発明の他の実施例による反応生成ガスの濃度
制御を示すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing a control of a concentration of a reaction product gas according to another embodiment of the present invention.

【図7】本発明の他の実施例による反応生成ガスの濃度
制御を示すフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing a control of a concentration of a reaction product gas according to another embodiment of the present invention.

【図8】本発明の他の実施例による反応生成ガスの濃度
制御を示すフローチャートである。
FIG. 8 is a flowchart showing the control of the concentration of the reaction product gas according to another embodiment of the present invention.

【図9】本発明の他の実施例による反応生成ガスの濃度
制御を示すフローチャートである。
FIG. 9 is a flowchart showing the control of the concentration of the reaction product gas according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 ダクト配管 4,13〜15 ガス検知器ヘッド 5〜9,16〜21 ダンパバルブ 10〜12 吸着塔 22 排気ブロア 23 排気ファン 24 スクラバ 25 システムコントローラ 3 Duct piping 4, 13-15 Gas detector head 5-9, 16-21 Damper valve 10-12 Adsorption tower 22 Exhaust blower 23 Exhaust fan 24 Scrubber 25 System controller

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 生産設備から排出される反応生成ガスを
気体浄化処理して外部に放出する気体浄化手段を含む排
ガス処理施設の排気ガス濃度制御システムであって、前
記反応生成ガスを吸着するガス吸着手段と、前記ガス吸
着手段でガス吸着処理が実施された後の前記反応生成ガ
スのガス濃度を検出するガス検出手段と、前記ガス検出
手段の検出結果に応じて前記反応生成ガスを前記気体浄
化手段と前記ガス吸着手段とのうち一方に選択的に供給
する供給手段とを有することを特徴とする排気ガス濃度
制御システム。
1. An exhaust gas concentration control system for an exhaust gas treatment facility including a gas purification means for purifying a reaction product gas discharged from a production facility and discharging the gas to the outside, wherein the gas for adsorbing the reaction product gas is provided. Adsorption means, and the gas absorption means
The reaction product gas after the gas adsorption process is performed by the attaching means.
Gas detection means for detecting the gas concentration of the gas , and supply means for selectively supplying the reaction product gas to one of the gas purification means and the gas adsorption means according to the detection result of the gas detection means. An exhaust gas concentration control system comprising:
【請求項2】 前記ガス検出手段の検出結果が予め設定
された規制値以下の時に前記反応生成ガスを前記気体浄
化手段に供給しかつ前記ガス検出手段の検出結果が予め
設定された規制値以下でない時に前記反応生成ガスを前
記ガス吸着手段に供給するよう前記供給手段を制御する
手段を有することを特徴とする請求項1記載の排気ガス
濃度制御システム。
2. When the detection result of said gas detection means is equal to or less than a preset regulation value, said reaction product gas is supplied to said gas purification means, and the detection result of said gas detection means is equal to or less than a preset regulation value. 2. The exhaust gas concentration control system according to claim 1, further comprising means for controlling the supply means so as to supply the reaction product gas to the gas adsorption means when the gas is not being supplied.
【請求項3】 生産設備から排出される複数種の反応生
成ガスを気体浄化処理して外部に放出する気体浄化手段
を含む排ガス処理施設の排気ガス濃度制御システムであ
って、前記複数種の反応生成ガス各々を吸着する複数の
ガス吸着手段と、前記複数のガス吸着手段でガス吸着処
理が実施された後の前記複数種の反応生成ガスの種類及
び濃度を検出するガス検出手段と、前記ガス検出手段の
検出結果に応じて前記反応生成ガスを前記気体浄化手段
と前記複数のガス吸着手段とのうちいずれかに選択的に
供給する供給手段とを有することを特徴とする排気ガス
濃度制御システム。
3. An exhaust gas concentration control system of an exhaust gas treatment facility including a gas purifying means for purifying a plurality of types of reaction product gases discharged from a production facility and discharging the same to the outside, wherein the plurality of types of reaction gases are removed. a plurality of gas suction means for sucking the product gas, respectively, gas adsorption treatment by the plurality of gas suction means
Of the plurality of reaction product gases after the
Gas detection means for detecting the concentration and concentration, and supply means for selectively supplying the reaction product gas to any one of the gas purification means and the plurality of gas adsorption means according to the detection result of the gas detection means. An exhaust gas concentration control system comprising:
【請求項4】 前記ガス検出手段の検出結果が予め設定
された規制値以下の時に前記反応生成ガスを前記気体浄
化手段に供給しかつ前記ガス検出手段の検出結果が前記
反応生成ガスの種類毎に予め設定された規制値以下でな
い時に前記反応生成ガスを前記規制値以下でない反応生
成ガスに対応するガス吸着手段に供給するよう前記供給
手段を制御する手段を有することを特徴とする請求項3
記載の排気ガス濃度制御システム。
4. When the detection result of said gas detection means is equal to or less than a preset regulation value, said reaction product gas is supplied to said gas purification means, and the detection result of said gas detection means is determined for each type of said reaction product gas. 4. A control means for controlling the supply means so as to supply the reaction product gas to a gas adsorption means corresponding to the reaction product gas which is not less than the regulation value when the regulation product value is not less than the regulation value set in advance.
The described exhaust gas concentration control system.
【請求項5】 生産設備から排出される複数種の反応生
成ガスを気体浄化処理して外部に放出する気体浄化手段
を含む排ガス処理施設の排気ガス濃度制御システムであ
って、前記複数種の反応生成ガス各々を吸着する複数の
ガス吸着手段と、前記複数のガス吸着手段でガス吸着処
理が実施された後の前記複数種の反応生成ガスのガス濃
度を検出するガス検出手段と、前記ガス検出手段の検出
結果が予め設定された規制値以下の時に前記反応生成ガ
スを前記気体浄化手段に供給する第1の供給手段と、前
記ガス検出手段の検出結果が前記規制値以下でない時に
前記反応生成ガスを前記複数のガス吸着手段各々に順次
供給する第2の供給手段とを有することを特徴とする排
気ガス濃度制御システム。
5. An exhaust gas concentration control system for an exhaust gas treatment facility including a gas purifying means for purifying a plurality of types of reaction product gases discharged from a production facility and discharging the same to the outside, wherein the plurality of types of reaction gases are treated. a plurality of gas suction means for sucking the product gas, respectively, gas adsorption treatment by the plurality of gas suction means
Gas concentration of the plurality of reaction product gases after the
Gas detection means for detecting the degree of reaction, first supply means for supplying the reaction product gas to the gas purification means when the detection result of the gas detection means is equal to or less than a preset regulation value, A second supply means for sequentially supplying the reaction product gas to each of the plurality of gas adsorption means when a detection result is not less than the regulation value.
【請求項6】 さらに前記ガス吸着手段の前段に前記反6. The method according to claim 1, further comprising:
応生成ガスのガス濃度を検出する第2のガス検出手段Second gas detecting means for detecting the gas concentration of the reaction gas
と、前記第2のガス検出手段の検出結果に応じて前記反And the countermeasure according to the detection result of the second gas detection means.
応生成ガスを前記気体浄化手段と前記ガス吸着手段とのReaction gas with the gas purifying means and the gas adsorbing means.
うち一方に選択的に供給する第2の供給手段とを有するAnd second supply means for selectively supplying one of them.
ことを特徴とする請求項1〜5いずれかに記載の排気ガAn exhaust gas according to any one of claims 1 to 5, wherein
ス濃度制御システム。Concentration control system.
JP07220957A 1995-08-30 1995-08-30 Exhaust gas concentration control system Expired - Lifetime JP3114578B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07220957A JP3114578B2 (en) 1995-08-30 1995-08-30 Exhaust gas concentration control system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07220957A JP3114578B2 (en) 1995-08-30 1995-08-30 Exhaust gas concentration control system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0957046A JPH0957046A (en) 1997-03-04
JP3114578B2 true JP3114578B2 (en) 2000-12-04

Family

ID=16759211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07220957A Expired - Lifetime JP3114578B2 (en) 1995-08-30 1995-08-30 Exhaust gas concentration control system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3114578B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010207771A (en) * 2009-03-12 2010-09-24 Jx Nippon Oil & Energy Corp Apparatus and method of exhaust gas treatment
KR102131116B1 (en) * 2018-11-30 2020-07-07 (주)에프테크 Exhaust gas measuring system and apparatus based on monitoring of operating state about processing of exhaust gas

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0957046A (en) 1997-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3280173B2 (en) Exhaust gas treatment equipment
US5827339A (en) Apparatus for generating chemical-free dry air
KR19990071762A (en) Molecular sieve type gas separator and its method
JPH09308817A (en) Method for treating exhaust gas and apparatus therefor
JP2007105657A (en) Gas treatment apparatus
JP3114578B2 (en) Exhaust gas concentration control system
JP3209628U (en) Exchangeable adsorption tower for exhaust gas treatment equipment
US5820658A (en) Apparatus and method for processing exhaust gas
CN101428284A (en) In-situ chamber cleaning method
JP2511363B2 (en) Vacuum processing equipment
US3494107A (en) Dust-fume control system
JP2003144852A (en) Exhaust gas denitrification method and exhaust gas denitrification equipment for gas engine using digested gas as fuel
US6770117B2 (en) Ion implantation and wet bench systems utilizing exhaust gas recirculation
JP2006272187A (en) Exhaust-gas treatment apparatus
CN208583145U (en) A kind of adsorption tower system and system for desulfuration and denitration
US6897165B2 (en) Environmental control equipment/method of developing apparatus for developing light-exposed resist film with developer in wafer treating chamber
JPH07100319A (en) Method for controlling cleaning of bag type reaction dust collector
JP2006088001A (en) Concentration method of volatile organic gas and volatile organic gas concentration device
CN212348227U (en) Flue gas desulfurization and denitrification activated carbon distribution system
JPH0745581A (en) Semiconductor substrate chemical treater
WO2020209338A1 (en) Exhaust gas treatment device and exhaust gas treatment method
JP2905126B2 (en) Vapor phase growth equipment
JPH11172440A (en) Treatment of exhaust gas in cvd device and device therefor
JP3724794B2 (en) Gas processing apparatus and gas processing method
JP3248125B2 (en) NOx adsorption removal device

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080929

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080929

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090929

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090929

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100929

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100929

Year of fee payment: 10

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100929

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110929

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110929

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120929

Year of fee payment: 12