JP3090537U - Power light emitting diode - Google Patents
Power light emitting diodeInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大幅に製造コストを下げて、照明設備を組み
立てることができるパワー発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 ベース体を有して、ベース体中央に凹槽
を具備して、凹槽にはチップを設置することができ、ベ
ース体上方に外カバーを有して、凹槽内のチップを保護
して、ベース体の背面に放熱部を設置する。そして、本
考案に優れた放熱効果を持たせて、ベース体のリードフ
レームから延伸したピンが、ベース体の両側から突出し
て回路の連接に使用する回路連接部材を具備したパワー
発光ダイオードである。
(57) [Problem] To provide a power light-emitting diode capable of assembling lighting equipment at a significantly reduced manufacturing cost. SOLUTION: The base body has a concave tank at the center of the base body, and the chip can be installed in the concave tank. The outer cover is provided above the base body, and the chip in the concave tank is provided. Protect the unit and install a heat radiator on the back of the base body. In addition, the present invention provides a power light emitting diode having a circuit connecting member that has excellent heat dissipation effect and that extends from a lead frame of the base body and protrudes from both sides of the base body and is used for connecting circuits.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、パワー発光ダイオードに関し、特に特定の製造工程ステップにより 発光ダイオードが完成されて、高い放熱機能を持たせて、高輝度の光を放出する ことのできる照明器具の技術分野に属する。 The present invention relates to a power light emitting diode, and more particularly, to a lighting device capable of emitting high-intensity light with a high heat dissipation function when the light emitting diode is completed by a specific manufacturing process step.
【０００２】[0002]
従来、一般の発光ダイオードは大部分が、ブレーキランプなどの指示（indica tors）あるいは表示（displays）用であった。チップ（chip）構造層の関係によ り放出する光密度が制限されていたため、照明用にすることはできなかった。例 えば、一般の発光ダイオードは、その放熱構造のために使用する電流が約２０ｍ Ａ〜５０ｍＡに制限されて、高パワーで大電流の照明用発光ダイオードとして用 いることは出来なかった。 Conventionally, most of the general light emitting diodes are used for indicating (indica tors) or displaying (displays) such as brake lamps. Since the emitted light density was limited due to the relationship of the chip structure layer, it could not be used for illumination. For example, a general light emitting diode cannot be used as a high power, large current lighting light emitting diode because the current used for its heat dissipation structure is limited to about 20 mA to 50 mA.
【０００３】 一般の発光ダイオード（Light emitting diodes=LEDs）は、既に光線を発生す ることができる固体素子（Solid state device）として知られ、その光線はスペ クトル特別領域中のピーク波長（peak wavelength）を有する。チップ製造工程 の進歩により、高パワーの発光ダイオードは近年来、広く注目を集めている。例 えば、AlGaInNをベースとする発光ダイオード（Aluminum-gallium-indium-nitri de(AlGaInN)-based LEDs）は、青および緑の可視スペクトルのピーク波長の光線 を放つことができ、一般の発光ダイオードと較べて発光密度が高い。その優れた 発光性により、AlGaInNベースの発光ダイオードは非常に魅力を有する。[0003] Light emitting diodes (LEDs) in general are already known as solid state devices capable of generating light rays, which are peak wavelengths in a special region of the spectrum. ). Due to advances in chip manufacturing processes, high-power light-emitting diodes have received widespread attention in recent years. For example, light-emitting diodes based on AlGaInN (Aluminum-gallium-indium-nitride (AlGaInN) -based LEDs) can emit light at the peak wavelengths of the blue and green visible spectrum, and are light-emitting diodes. The emission density is higher than that. Due to their excellent luminescence properties, AlGaInN based light emitting diodes are very attractive.
【０００４】 LumiLeds Lighting, U.S.,のＬＬＣが生産する00-0001型パワー発光ダイオー ドは、図１および図２に示すような、従来のパワー発光ダイオードの構造であり 、それに必要な電流は約３５０ｍＡであったため、高輝度を発生することができ た。 しかし高輝度に伴って発生する高熱のため、パワー発光ダイオードは良好 な放熱機能を備えなければならなかった。A 00-0001 type power light emitting diode manufactured by LLC of LumiLeds Lighting, US, has a structure of a conventional power light emitting diode as shown in FIGS. 1 and 2, and a current required for it is about 350 mA. As a result, high luminance could be generated. However, due to the high heat generated by the high brightness, the power light emitting diode had to have a good heat dissipation function.
【０００５】 前述の従来のパワー発光ダイオードにおいて、図１および図２に示すようにパ ワー発光ダイオード構造中、チップ９１を直接に回路板９２上に接続して、ソケ ット９３はプラスチック体９４でチップの外側を固定して、全体のパワー発光ダ イオード構造を構成する。In the above-mentioned conventional power light emitting diode, as shown in FIGS. 1 and 2, in a power light emitting diode structure, a chip 91 is directly connected to a circuit board 92, and a socket 93 is formed of a plastic body 94. Then, the outside of the chip is fixed to form the entire power light-emitting diode structure.
【０００６】 製造する時、先ず回路板９２上にチップ９１を固定してから、ソケット９３を チップ９１の周囲に接着固定してから、プラスチック体９４をソケットの上方に 押し入れて、図１が示すように完全な発光ダイオードを完成する。そのうちチッ プ９１は直接回路板９２に連接されて、良好な放熱機能を達成することができる 。In manufacturing, first, a chip 91 is fixed on a circuit board 92, a socket 93 is bonded and fixed around the chip 91, and then a plastic body 94 is pushed in above the socket, and FIG. To complete a complete light emitting diode. Among them, the chip 91 is directly connected to the circuit board 92, so that a good heat radiation function can be achieved.
【０００７】[0007]
しかしながら、この従来のパワー発光ダイオードは製造上とても面倒であり、 各部品を人為的に組み合わせなければならなく、組立が繁雑であった。また、こ の構造はコストを増大させて、製品の単価が増大し、複数のパワー発光ダイオー ドで照明設備を組み立てて、そのコストは従来の一般のランプ式あるいはその他 の照明設備を大きく上回っていた。 また、現在ある発光ダイオード（図を参考）の放熱機能は十分でなかったため大 電流を用いることはできなかった。 However, this conventional power light-emitting diode is very troublesome in manufacturing, and each component must be artificially combined, so that assembly is complicated. In addition, this structure increases the cost, increases the unit price of the product, and assembles the lighting equipment with multiple power light-emitting diodes, the cost of which is much higher than the conventional general lamp type or other lighting equipment. Was. In addition, the current light emitting diode (see the figure) did not have sufficient heat dissipation function, so it was not possible to use a large current.
【０００８】 本考案は、前記の課題に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、パワー発 光ダイオードにおいて、厚、薄材料でリードフレームを製作して、また一般の発 光ダイオードのパッケージ製造工程に使用して、異なる外観のパワー発光ダイオ ードを提供することである。また、このパワー発光ダイオーは自動化が可能であ り、本件考案のパワー発光ダイオードを生産において、大幅に製造コストを下げ て、複数のパワー発光ダイオードで照明設備を組み立てることができ、市場に受 け入れられることができるパワー発光ダイオードを提供するものである。The present invention has been made in view of the above problems, and a first object of the present invention is to manufacture a lead frame using a thick and thin material for a power light emitting diode, and to provide a general light emitting diode. It is to provide different appearance power emitting diodes for use in the package manufacturing process. In addition, this power light emitting diode can be automated, and in the production of the power light emitting diode of the present invention, the production cost can be significantly reduced, and the lighting equipment can be assembled with a plurality of power light emitting diodes, and the power light emitting diode can be marketed. It is to provide a power light emitting diode that can be encased.
【０００９】 本考案の第２の目的は、パワー発光ダイオードにおいて、パッケージ製造工程 においてモールド（Molding）方法あるいは流し入れる方法を選択できるパワー 発光ダイオードを提供するものである。A second object of the present invention is to provide a power light emitting diode in which a molding method or a pouring method can be selected in a package manufacturing process.
【００１０】 本考案の第３の目的は、パワー発光ダイオードにおいて、厚い或いは薄い材料 を円状に加工して、連続した巻きリードフレームを完成させてから、パッケージ 製造工程前に、モールドの一回のパッケージ量により、巻かれたリードフレーム を適当な片方段状にカットして、リードフレームの加工、保存、運搬および製造 に便利なパワー発光ダイオードを提供するものである。A third object of the present invention is to provide a power light emitting diode by processing a thick or thin material into a circular shape to complete a continuous wound lead frame, and then perform a single molding process before the package manufacturing process. Depending on the package size, the wound lead frame is cut into an appropriate one-stage shape to provide a power light emitting diode that is convenient for processing, storing, transporting and manufacturing the lead frame.
【００１１】[0011]
上述の目的を達成するために、本考案のパワー発光ダイオードは、ベース体を 有して、ベース体中央に凹槽を具備して、凹槽にはチップを設置することができ 、ベース体上方に外カバーを有して、凹槽内のチップを保護して、ベース体の背 面に放熱部を設置する。そして、本考案に優れた放熱効果を持たせて、ベース体 のリードフレームから延伸したピンが、ベース体の両側から突出して、回路に連 接に使用する回路連接部材を具備するものである。 すなわち、請求項１の考案は、ベース体を有して、前記ベース体中央に凹槽を 具備して、前記凹槽にはチップを設置することができ、前記ベース体上方に外カ バーを有して、前記凹槽内のチップを保護して、前記ベース体の背面に放熱部を 設置して優れた放熱効果を持たせて、前記ベース体のリードフレームから延伸し たピンが、前記ベース体の両側から突出して回路の連接に使用する回路連接部材 を具備したことを特徴とするパワー発光ダイオードである。 請求項２の考案は、ベース体を有して、前記ベース体中央に凹槽を具備して、 前記凹槽にはチップを設置することができ、前記ベース体上方が外カバーを有し て、前記凹槽内のチップを保護して、前記ベース体の背面に放熱部を設置して優 れた放熱効果を持たせて、前記ベース体のリードフレームから延伸したピンが、 前記ベース体の下方から突出して回路の連接に使用する回路連接部材を具備した ことを特徴とするパワー発光ダイオードである。 請求項３の考案は、請求項１または２に記載のパワー発光ダイオードにおいて 、厚、薄材料で連続したリードフレームに製作した後、ダイボンディング、ワイ ヤーボンディングおよびディスペンシングをおこない、プラスチックのパッケー ジ及びカットにより完成させて、前記リードフレームが、プラスチックまで延伸 した放熱部を有して、大電流がチップを通過して発生する高熱を発散させること を特徴とする請求項１または２に記載のパワー発光ダイオードである。 請求項４の考案は、請求項１に記載のパワー発光ダイオードにおいて、前記リ ードフレームが延伸してプラスチックから出たピンが片状接点であることを特徴 とする請求項１記載のパワー発光ダイオードである。 請求項５の考案は、請求項１または２に記載のパワー発光ダイオードにおいて 、前記リードフレームが延伸してプラスチックから出たピンが細い接点式である ことを特徴とする請求項１または２に記載のパワー発光ダイオードである。 請求項６の考案は、請求項１に記載のパワー発光ダイオードにおいて、前記リ ードフレームが延伸してプラスチックから出たピンが２ピン式であることを特徴 とする請求項１記載のパワー発光ダイオードである。 請求項７の考案は、請求項１または２に記載のパワー発光ダイオードにおいて 、前記リードフレームが延伸してプラスチックから出たピンが４ピン式であるこ とを特徴とする請求項１または２に記載のパワー発光ダイオードである。 In order to achieve the above object, the power light emitting diode according to the present invention has a base body, a concave tank in the center of the base body, and a chip can be installed in the concave tank, and the chip can be installed above the base body. An outer cover is provided to protect the chips in the concave tank, and a heat radiator is installed on the back of the base body. A pin extending from the lead frame of the base body is provided with a circuit connecting member used for connection to a circuit, with the pin extending from the lead frame of the base body having excellent heat radiation effect to the present invention. That is, the invention of claim 1 has a base body, a concave tank is provided at the center of the base body, a chip can be installed in the concave tank, and an outer cover is provided above the base body. A pin extending from a lead frame of the base body, which protects a chip in the concave tank and provides an excellent heat dissipation effect by installing a heat radiating portion on a back surface of the base body. A power light-emitting diode comprising a circuit connecting member projecting from both sides of a base body and used for connecting circuits. The invention according to claim 2 has a base body, a concave tank at the center of the base body, a chip can be installed in the concave tank, and an upper cover above the base body has an outer cover. A pin extending from a lead frame of the base body is provided with a heat radiating portion provided on a back surface of the base body to protect a chip in the concave tank and to have an excellent heat radiating effect. A power light-emitting diode comprising a circuit connecting member projecting from below and used for connecting circuits. According to a third aspect of the present invention, in the power light emitting diode according to the first or second aspect, after a lead frame made of a thick and thin material is continuously formed, die bonding, wire bonding, and dispensing are performed to form a plastic package. 3. The lead frame, which is completed by cutting and cutting, has a heat radiating portion extending to plastic, and disperses high heat generated when a large current passes through the chip. 4. Power light emitting diode. According to a fourth aspect of the present invention, in the power light emitting diode according to the first aspect, a pin extending from the plastic by extending the lead frame is a single contact. is there. The invention of claim 5 is the power light-emitting diode according to claim 1 or 2, wherein the lead frame extends and a pin coming out of plastic is a thin contact type. Power light emitting diode. According to a sixth aspect of the present invention, in the power light emitting diode according to the first aspect, the pin extending from the plastic by extending the lead frame is a two-pin type. is there. According to a seventh aspect of the present invention, in the power light emitting diode according to the first or second aspect, the pin extending from the plastic by extending the lead frame is a four-pin type. Power light emitting diode.
【００１２】[0012]
本考案の好適な１実施例を図面に沿って説明する。 図３は、本考案の第１実施例のパワー発光ダイオードを製造する簡易製造流れ 図であり、それは厚銅板により連続リードフレームを製造して、その厚銅板の厚 さは２〜３ｍｍである。第１ステップＡ１において、図５のＡ−１が示すように 、整備された厚銅板を円状に加工する。第２ステップＢ１において、図６のＢ− １が示すように、厚銅板を先ずカット加工する。第３ステップＣ１において、カ ット加工の厚銅板を厚、薄材料に巻く。図７中のＣ−１あるいはＣ−２において 、図中の側面図から分かるように、リードフレームの銅板上にチップを設置する 突出部分ｃ１１は既に製作されている。第４ステップＤ１において、図８のＤ− １あるいはＤ−２が示すように、厚、薄材料を連続して巻いたリードフレームに 加工カットして、図中の円周は巻取りを示す。第５ステップＥ１において、図９ のＥ−１或いはＥ−２が示すように、リードフレームを毎回のモールド射出製造 の数量により片側段状のリードフレームに切断する。第６ステップＦ１において 、図１０のＦ−１或いはＦ−２が示すように、各リードフレーム上にダイボンデ ィングｆ１１、ワイヤーボンディングｆ１２およびディスペンシング（シリカゲ ル或いはエポキシ樹脂）を行う。第７ステップのＧ１においてモールドをおこな い、図１１のＧ−１或いはＧ−２が示すように、リードフレーム上にプラスチッ クを射出して、射出成型のモールドは上モールドｇ１１および下モールドｇ１２ からなり、プラスチック塊ｇ１３はモールドホールｇ１４から入れられる。第８ ステップＨ１において、図１２のＧ−１或いはＧ−２に示すように、モールドを 外した後、連続した半完成品となる。第９ステップＩ１において、図１３のＩ− １或いはＩ−２が示すように、連続した半完成のピンをカット、折り曲げて、１ 個の完成したパワー発光ダイオードとする。 One preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a simplified manufacturing flowchart for manufacturing the power light emitting diode according to the first embodiment of the present invention, in which a continuous lead frame is manufactured from a thick copper plate, and the thickness of the thick copper plate is 2 to 3 mm. In the first step A1, as shown by A-1 in FIG. 5, the prepared thick copper plate is processed into a circular shape. In the second step B1, as shown by B-1 in FIG. 6, a thick copper plate is first cut. In the third step C1, a thick copper plate for cutting is wound around a thick and thin material. In C-1 or C-2 in FIG. 7, as can be seen from the side view in FIG. 7, the protruding portion c11 for mounting the chip on the copper plate of the lead frame has already been manufactured. In the fourth step D1, as shown by D-1 or D-2 in FIG. 8, a thick and thin material is cut into a continuous wound lead frame, and the circumference in the figure indicates winding. In the fifth step E1, as shown by E-1 or E-2 in FIG. 9, the lead frame is cut into one-sided step-shaped lead frames according to the quantity of mold injection production each time. In the sixth step F1, die bonding f11, wire bonding f12, and dispensing (silica gel or epoxy resin) are performed on each lead frame as indicated by F-1 or F-2 in FIG. The molding is performed in G1 of the seventh step, and as shown by G-1 or G-2 in FIG. 11, plastic is injected onto the lead frame, and the injection molding is performed by the upper mold g11 and the lower mold g12. And the plastic lump g13 is inserted from the mold hole g14. In the eighth step H1, as shown by G-1 or G-2 in FIG. 12, after the mold is removed, a continuous semi-finished product is obtained. In the ninth step I1, as shown by I-1 or I-2 in FIG. 13, continuous semi-finished pins are cut and bent to form one completed power light emitting diode.
【００１３】 図１３中に示すのは、本考案のパワー発光ダイオードの製造方法により完成し たパワー発光ダイオードＩ−１或いはＩ−２であり、リードフレーム下方に延伸 したプラスチック体ｉ１１の底部には放熱部ｉ１２があり、パワー発光ダイオー ドは約３５０ｍＡの大電流を利用して、高強度の光線を得ることができる。完成 した製品Ｉ−１は片状接点のパワー発光ダイオードであり、Ｉ−２はピン式のパ ワー発光ダイオードである。FIG. 13 shows a power light-emitting diode I-1 or I-2 completed by the method for manufacturing a power light-emitting diode according to the present invention. The bottom of the plastic body i11 extending below the lead frame is shown in FIG. There is a heat radiating part i12, and the power light emitting diode can obtain a high intensity light beam by using a large current of about 350 mA. The completed product I-1 is a single contact power light emitting diode, and I-2 is a pin type power light emitting diode.
【００１４】 ここで注意が必要なことは、連続したリードフレームを片側段状にカットする 第７ステップＧ１時に、ｎ×ｎの平面式延伸を形成することができ、これは次ス テップのモールド設計に合うため、スピーディーに大量生産することができる。Here, it should be noted that in the seventh step G1 of cutting a continuous lead frame into a single-sided step, an n × n planar stretching can be formed, which is performed in the next step. It can be mass-produced quickly to meet the design.
【００１５】 そして図４が示すのは第２実施例のパワー発光ダイオードの簡易製造の流れ図 であり、薄銅板により連続リードフレームを製造するが、その薄銅板の厚さは0. 4〜0.8mmであり、第１ステップＡ２において、図５中のＡ−２が示すように、整 備された薄銅板を円状に加工する。第２ステップＢ２において、図６中のＢ−２ が示すように、薄銅板を厚銅板に接合する。第３ステップＣ２において、図７中 のＣ−３或いはＣ−４が示すように、カット加工の厚銅板を丸めた厚、薄材料に 製作して、図中の側面図から分かるように、製作されたリードフレームの銅板上 にチップを設置する突出部分ｃ１１が既に製作される。第４ステップＤ２におい て、図８のＤ−３或いはＤ−４が示すように、厚、薄材料を連続して巻いたリー ドフレームに加工カットするが、図中の円周は巻取りを示す。第５ステップＥ２ において、図９のＥ−３或いはＥ−４が示すように、注入する量により、リード フレームを片側段状にカットするとともにピンを折り曲げる。図６ステップＦ２ において、図１０のＦ−３或いはＦ−４が示すように、各リードフレーム上にダ イボンディングｆ１１、ワイヤーボンディングｆ１２及びディスペンシング（シ リカゲル或いはエポキシ樹脂でよい）を行う。第７ステップＧ２において注入を 行い、リードフレーム上にプラスチックｇ１５を固定して、図１１のＧ−３が示 すように、直接にモールドｇ１６中にプラスチック塊を入れてからリードフレー ムをモールドに押し入れて完成する。そして、Ｇ−４では先ず外カバーｇ１７を 成型してから、プラスチック塊を外カバーの中に注入するとともに、リードフレ ームと外カバーを組み合わせる。第８ステップのＨ２において、図１２のＨ−３ 或いはＨ−４が示すように、連続した半完成品を製作する。第９ステップＩ２に おいて、図１３のＩ−３或いはＩ−４が示すように、連続した半完成品を一個の 完成したパワー発光ダイオードにカットする。FIG. 4 shows a flow chart of a simplified manufacture of the power light emitting diode of the second embodiment, in which a continuous lead frame is manufactured from a thin copper plate, and the thickness of the thin copper plate is 0.4 to 0.8 mm. In a first step A2, as shown by A-2 in FIG. 5, the prepared thin copper plate is processed into a circular shape. In the second step B2, as shown by B-2 in FIG. 6, a thin copper plate is joined to a thick copper plate. In the third step C2, as shown by C-3 or C-4 in FIG. 7, a thick copper plate cut out is manufactured into a rounded thick and thin material, and as shown in the side view in FIG. The protruding portion c11 for mounting the chip is already manufactured on the copper plate of the lead frame. In the fourth step D2, as shown by D-3 or D-4 in FIG. 8, a thick and thin material is machined and cut into a continuously wound lead frame. Show. In the fifth step E2, as shown by E-3 or E-4 in FIG. 9, the lead frame is cut into one side step and the pins are bent according to the amount to be injected. In step F2 of FIG. 6, die bonding f11, wire bonding f12, and dispensing (silica gel or epoxy resin may be performed) on each lead frame as shown by F-3 or F-4 in FIG. In a seventh step G2, injection is performed, and the plastic g15 is fixed on the lead frame. As shown by G-3 in FIG. 11, the plastic lump is directly put into the mold g16, and then the lead frame is put into the mold. Push it in to complete it. In G-4, first, the outer cover g17 is molded, and then a plastic lump is injected into the outer cover, and the lead frame and the outer cover are combined. In H8 of the eighth step, a continuous semi-finished product is manufactured as shown by H-3 or H-4 in FIG. In a ninth step I2, as shown by I-3 or I-4 in FIG. 13, the continuous semi-finished product is cut into one completed power light emitting diode.
【００１６】 本考案のパワー発光ダイオードの製造方法により完成したパワー発光ダイオー ドＩ−３或いはＩ−４は、そのリードフレーム下方に延伸されたプラスチック体 ｉ１１底部に放熱部ｉ１２が設けられて、パワー発光ダイオードに約３５０ｍＡ の大電流の利用を可能にして、高強度の光線を得ることができる。製造された完 成品Ｉ−３は４個ピンのパワー発光ダイオードであり、上は水平ピンで、下は垂 直ピンである。Ｉ−４は２個ピン方式のパワー発光ダイオードであり、上は水平 ピンで、下は垂直ピンである。The power light-emitting diode I-3 or I-4 completed by the method of manufacturing a power light-emitting diode of the present invention is provided with a heat radiating part i12 at the bottom of the plastic body i11 extending below the lead frame, and the power A high current of about 350 mA can be used for the light emitting diode to obtain a high intensity light beam. The manufactured finished product I-3 is a four-pin power light-emitting diode, the upper one being a horizontal pin and the lower one a vertical pin. I-4 is a two-pin type power light-emitting diode, the upper one being a horizontal pin and the lower one being a vertical pin.
【００１７】 上で述べた本考案から分かるように、厚い或いは薄い銅板を素材に利用して、 先ず巻くように厚、薄材料を製作してから、連続したリードフレームにカットし 、各リードフレームに対してダイボンディング、ワイヤーボンディング及びディ スペンシングを行ってからパッケージ、カットし、単一のパワー発光ダイオード を完成する。この製造工程は、従来のパワートランジスタの製造工程を利用して 、新しいパワー発光ダイオードの製造工程に発展させて、その構造を簡素化する ことができる。そして、これは各パワー発光ダイオードの量産を可能にして製品 の単価を下げて、発光ダイオードの組み合わせを可能にし、照明設備とすること ができる。As can be seen from the present invention described above, using a thick or thin copper plate as a material, first, a thick or thin material is wound and then cut into continuous lead frames, and each lead frame is cut. After die bonding, wire bonding and dispensing, the package and cut are completed to complete a single power light emitting diode. This manufacturing process can be developed into a new power light emitting diode manufacturing process using the conventional power transistor manufacturing process, and the structure can be simplified. This enables mass production of each power light emitting diode, lowers the unit price of the product, enables the combination of light emitting diodes, and can be used as lighting equipment.
【００１８】 図１４に示すのは、本考案におけるパワー発光ダイオードの第１実施例の図で ある。図１４から分かるように、本考案の第１実施例の製作工程で製作されるパ ワー発光ダイオード１はベース体１１を有して、ベース体１１中央には凹槽１１ １を有する。凹槽１１１にはチップ１２を設置することができ、ベース体１１の 上方には外カバー１３を有して、凹槽１１１中のチップ１２を保護して、ベース 体１１の背面には放熱部１４が設置されて本考案に優れた放熱効果を有させる。 ベース体１１のリードフレームから延伸したピン１５は、ベース体１１の両側か ら突出して、回路の連接に使用する。FIG. 14 is a diagram of a first embodiment of the power light emitting diode according to the present invention. As can be seen from FIG. 14, the power light emitting diode 1 manufactured in the manufacturing process of the first embodiment of the present invention has a base body 11, and has a concave tank 111 at the center of the base body 11. The chip 12 can be placed in the concave tank 111, and an outer cover 13 is provided above the base body 11 to protect the chip 12 in the concave tank 111, and a heat radiating unit is provided on the rear surface of the base body 11. 14 is provided to make the present invention have an excellent heat radiation effect. The pins 15 extending from the lead frame of the base body 11 project from both sides of the base body 11 and are used for connecting circuits.
【００１９】 図１５に示すのは、本考案におけるパワー発光ダイオードの第２実施例の図で ある。図１５から分かるように、本考案の第２実施の製作工程で製作されるパワ ー発光ダイオード２はベース体２１を有して、ベース体２１中央には凹槽２１１ を有する。凹槽２１１にはチップ２２を設置することができて、ベース体２１の 上方には外カバー２３を有して、凹槽２１１中のチップ２２を保護して、ベース 体２１の背面には放熱部２４が設置されて、本考案に優れた放熱効果を持たせる 。ベース体２１のリードフレームが延伸したピン２５は、ベース体２１の下方に 突出して、回路の連接に使用する。FIG. 15 shows a second embodiment of the power light emitting diode according to the present invention. As can be seen from FIG. 15, the power light emitting diode 2 manufactured in the manufacturing process of the second embodiment of the present invention has a base body 21 and a concave tank 211 at the center of the base body 21. The chip 22 can be placed in the concave tank 211, and the outer cover 23 is provided above the base body 21 to protect the chip 22 in the concave tank 211, and to dissipate heat on the rear surface of the base body 21. A part 24 is provided to make the present invention have an excellent heat radiation effect. The pins 25 from which the lead frame of the base body 21 extends project below the base body 21 and are used for connecting circuits.
【００２０】 以上のごとく、この考案を好適な実施形態により開示したが、もとより、この 考案を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、 この考案の技術思想の範囲において、適当な変更ならびに修正が当然なされうる ものであるから、その実用新案の権利保護の範囲は、請求の範囲および、それと 均等な領域を基準として定めることは勿論である。As described above, the present invention has been disclosed in the preferred embodiment. However, the present invention is not intended to limit the present invention, and the technical idea of the present invention can be easily understood by those skilled in the art. Since appropriate changes and modifications can naturally be made in the scope, the scope of protection of rights in the utility model is, of course, determined based on the claims and the equivalent area.
【００２１】[0021]
本考案は、パワー発光ダイオードにおいて、厚、薄材料でリードフレームを製 作して、また一般の発光ダイオードのパッケージ製造工程に使用して、異なる外 観のパワー発光ダイオードを提供することででき、また、このパワー発光ダイオ ーは自動化が可能であり、大幅に製造コストを下げて、複数のパワー発光ダイオ ードで照明設備を組み立てることができ、市場に受け入れられることができるパ ワー発光ダイオードであるという効果が得られ、パッケージ製造工程においてモ ールド（Molding）方法あるいは流し入れる方法を選択できるパワー発光ダイオ ードであるという効果が得られ、厚い或いは薄い材料を円状に加工して、連続し た巻きリードフレームを完成させてから、パッケージ製造工程前に、モールドの 一回のパッケージ量により、巻かれたリードフレームを適当な片方段状にカット して、リードフレームの加工、保存、運搬および製造に便利なパワー発光ダイオ ードであるという効果が得られる。 また、高い放熱機能を持たせて、高輝度の光を放出するパワー発光ダイオード となるから、照明器具として用いることができるという効果が得られる。 The present invention can provide a power light emitting diode having a different appearance by manufacturing a lead frame with a thick and thin material and using it in a general light emitting diode package manufacturing process. In addition, this power light-emitting diode can be automated, greatly reducing the manufacturing cost, making it possible to assemble the lighting equipment with multiple power light-emitting diodes, and using a power light-emitting diode that can be accepted in the market. There is an effect that it is possible to obtain the effect of being a power light emitting diode that can select a molding method or a casting method in the package manufacturing process. After completing the rolled lead frame and before the package manufacturing process, Thus, the wound lead frame is cut into an appropriate one-step shape, and an effect of being a power light emitting diode convenient for processing, storing, transporting and manufacturing the lead frame can be obtained. In addition, since a power light emitting diode that emits light with high luminance is provided with a high heat radiation function, an effect that it can be used as a lighting fixture is obtained.
【図１】従来の技術にかかる、パワー発光ダイオードの
組立斜視図である。FIG. 1 is an assembled perspective view of a power light emitting diode according to the related art.
【図２】従来の技術にかかる、パワー発光ダイオードの
分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a power light emitting diode according to the related art.
【図３】本考案の実施形態にかかる、厚銅板で厚、薄材
料を製作してから連続リードフレームを製作する流れ図
である。FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a continuous lead frame after manufacturing a thick and thin material from a thick copper plate according to an embodiment of the present invention.
【図４】本考案のもう一つの実施形態にかかる、厚銅板
で厚、薄材料を製作してから連続リードフレームを製作
する流れ図である。FIG. 4 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a continuous lead frame after manufacturing a thick and thin material using a thick copper plate according to another embodiment of the present invention.
【図５】本考案にかかる、製造工程の第１ステップを示
す図である。FIG. 5 is a diagram showing a first step of a manufacturing process according to the present invention.
【図６】本考案にかかる、製造工程の第２ステップを示
す図である。FIG. 6 is a diagram showing a second step of the manufacturing process according to the present invention.
【図７】本考案にかかる、製造工程の第３ステップを示
す図である。FIG. 7 is a diagram showing a third step of the manufacturing process according to the present invention.
【図８】本考案にかかる、製造工程の第４ステップを示
す図である。FIG. 8 is a diagram showing a fourth step of the manufacturing process according to the present invention.
【図９】本考案にかかる、製造工程の第５ステップを示
す図である。FIG. 9 is a diagram showing a fifth step of the manufacturing process according to the present invention.
【図１０】本考案にかかる、製造工程の第６ステップを
示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a sixth step of the manufacturing process according to the present invention.
【図１１】本考案にかかる、製造工程の第７ステップを
示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a seventh step of the manufacturing process according to the present invention.
【図１２】本考案にかかる、製造工程の第８ステップを
示す図である。FIG. 12 is a diagram showing an eighth step of the manufacturing process according to the present invention.
【図１３】本考案にかかる、製造工程の第９ステップを
示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a ninth step of the manufacturing process according to the present invention.
【図１４】本考案にかかる、パワー発光ダイオードの第
１組合を示す斜視図である。FIG. 14 is a perspective view showing a first combination of power light emitting diodes according to the present invention;
【図１５】本考案にかかる、パワー発光ダイオードの第
２組合を示す斜視図である。FIG. 15 is a perspective view showing a second combination of the power light emitting diodes according to the present invention.
ｃ１１ 突出部分 ｇ１１ 上モールド ｇ１２ 下モールド ｇ１３ プラスチック塊 ｇ１４ モールドホール ｇ１５ プラスチック ｇ１６ モールド ｇ１７ 外カバー ｉ１１ プラスチック体 ｉ１２ 放熱部 １ パワー発光ダイオード １１ ベース体 １２ チップ １３ 外カバー １４ 放熱部 １５ ピン １１１ 凹槽 ２ パワー発光ダイオード ２１ ベース体 ２２ チップ ２３ 外カバー ２４ 放熱部 ２５ ピン ２１１ 凹槽 c11 projecting part g11 upper mold g12 lower mold g13 plastic lump g14 mold hole g15 plastic g16 mold g17 outer cover i11 plastic body i12 radiator 1 power light emitting diode 11 base 12 chip 13 outer cover 14 radiator 15 pin 111 concave tank 2 power Light-emitting diode 21 Base body 22 Chip 23 Outer cover 24 Heat radiator 25 Pin 211 Recessed tank
Claims (7)
槽を具備して、前記凹槽にはチップを設置することがで
き、前記ベース体上方に外カバーを有して、前記凹槽内
のチップを保護して、前記ベース体の背面に放熱部を設
置して優れた放熱効果を持たせて、前記ベース体のリー
ドフレームから延伸したピンが、前記ベース体の両側か
ら突出して回路の連接に使用する回路連接部材を具備し
たことを特徴とするパワー発光ダイオード。1. A base having a concave tank in the center of the base, a chip can be installed in the concave tank, and an outer cover is provided above the base. A pin extending from the lead frame of the base body protrudes from both sides of the base body to protect the chip in the concave tank and to provide a superior heat dissipation effect by installing a heat radiating portion on the back of the base body. A power light-emitting diode comprising a circuit connecting member used for connecting a circuit.
槽を具備して、前記凹槽にはチップを設置することがで
き、前記ベース体上方が外カバーを有して、前記凹槽内
のチップを保護して、前記ベース体の背面に放熱部を設
置して優れた放熱効果を持たせて、前記ベース体のリー
ドフレームから延伸したピンが、前記ベース体の下方か
ら突出して回路の連接に使用する回路連接部材を具備し
たことを特徴とするパワー発光ダイオード。2. The apparatus according to claim 1, further comprising a base body, a concave tank provided in the center of the base body, and a chip disposed in the concave tank. A pin extending from a lead frame of the base body projects from below the base body by protecting a chip in the concave tank and providing a superior heat dissipation effect by installing a heat radiating portion on the back surface of the base body. A power light-emitting diode comprising a circuit connecting member used for connecting a circuit.
オードにおいて、厚、薄材料で連続したリードフレーム
に製作した後、ダイボンディング、ワイヤーボンディン
グおよびディスペンシングをおこない、プラスチックの
パッケージ及びカットにより完成させて、前記リードフ
レームが、プラスチックまで延伸した放熱部を有して、
大電流がチップを通過して発生する高熱を発散させるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載のパワー発光ダ
イオード。3. The power light-emitting diode according to claim 1, wherein the lead frame is made of a thick and thin material and then die-bonded, wire-bonded and dispensed, and completed by plastic packaging and cutting. Then, the lead frame has a heat radiating portion extending to plastic,
3. The power light emitting diode according to claim 1, wherein the large current dissipates high heat generated by passing through the chip.
おいて、前記リードフレームが延伸してプラスチックか
ら出たピンが片状接点であることを特徴とする請求項１
記載のパワー発光ダイオード。4. The power light-emitting diode according to claim 1, wherein the pins extending from the plastic by extending the lead frame are flaky contacts.
A power light emitting diode as described.
オードにおいて、前記リードフレームが延伸してプラス
チックから出たピンが細い接点式であることを特徴とす
る請求項１または２に記載のパワー発光ダイオード。5. The power light-emitting diode according to claim 1, wherein said lead frame is extended and a pin coming out of plastic is a thin contact type. Light emitting diode.
おいて、前記リードフレームが延伸してプラスチックか
ら出たピンが２ピン式であることを特徴とする請求項１
記載のパワー発光ダイオード。6. The power light-emitting diode according to claim 1, wherein said lead frame extends from plastic and has two pins.
A power light emitting diode as described.
オードにおいて、前記リードフレームが延伸してプラス
チックから出たピンが４ピン式であることを特徴とする
請求項１または２に記載のパワー発光ダイオード。7. The power light-emitting diode according to claim 1, wherein said lead frame extends from said plastic and has four pins. Light emitting diode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002003417U JP3090537U (en) | 2002-06-07 | 2002-06-07 | Power light emitting diode |
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| JP3090537U true JP3090537U (en) | 2002-12-20 |
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