JP3082319B2 - Test method for semiconductor chip - Google Patents
Test method for semiconductor chipInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、テストボードを用いる
ことで半導体チップの電気特性を試験する半導体チップ
の試験方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of testing a semiconductor chip for testing electrical characteristics of the semiconductor chip by using a test board.
【0002】LSI 素子などの半導体チップを直に基板に
実装する場合、通常、個々の半導体チップに対する電気
特性の試験を行い、試験の結果良品となった半導体チッ
プを基板に実装することが行われる。When a semiconductor chip such as an LSI element is directly mounted on a substrate, an electrical characteristic test for each semiconductor chip is usually performed, and a semiconductor chip which is a good product as a result of the test is mounted on the substrate. .
【0003】また、このような実装は、半導体チップの
端子部にバンプを形成し、実装すべき基板のパッドにボ
ンディングすることで行われる。[0003] Such mounting is performed by forming a bump on a terminal portion of a semiconductor chip and bonding the bump to a pad of a substrate to be mounted.
【0004】[0004]
【従来の技術】従来は図4の従来の説明図に示すように
行われていた。図4の(a) は試験方法の説明図,(b1) 〜
(b3)は実装工程図である。2. Description of the Related Art Conventionally, this has been performed as shown in the conventional explanatory diagram of FIG. Fig. 4 (a) is an explanatory diagram of the test method, and (b1) ~
(b3) is a mounting process diagram.
【0005】図4の(a) に示すように、半導体チップ1
をテーブル12に載置し、プローブピン11が設けられたプ
ローブヘッド10を半導体チップ1 の直上に位置決めし、
プローブヘッド10を矢印のように降下させ、半導体チッ
プ1 の端子部2 にプローブピン11を当接させることで試
験器6 から所定のテスト信号の送受信を行い、半導体チ
ップ1 に対する電気特性の試験が行われていた。[0005] As shown in FIG.
Is placed on a table 12, a probe head 10 provided with a probe pin 11 is positioned just above the semiconductor chip 1,
The probe head 10 is lowered as shown by the arrow, and a predetermined test signal is transmitted and received from the tester 6 by bringing the probe pin 11 into contact with the terminal portion 2 of the semiconductor chip 1. It was done.
【0006】また、電気特性の試験によって良品と判定
された半導体チップ1は、(b1)に示すように、それぞれ
の端子部2 にはバンプ3 の形成が行われる。この場合の
バンプ3 は、通常、バンプツールによって金Auを融着さ
せるか、または、所定の厚みの金箔を拡散接合によって
固着されることで形成される。The bumps 3 are formed on the respective terminal portions 2 of the semiconductor chip 1 determined to be non-defective by the test of the electrical characteristics, as shown in (b1). In this case, the bump 3 is usually formed by fusing gold Au with a bump tool or by bonding a gold foil having a predetermined thickness by diffusion bonding.
【0007】更に、バンプ3 が形成された半導体チップ
1 は、(b2)に示すように、端子部2に形成されたバンプ3
の先端部3Aがガラス板13に当接するよう重ね、所定の
圧力P によって押圧し、先端部3Aを平滑になるように平
滑度の調整が行われる。Further, a semiconductor chip on which bumps 3 are formed
1 is a bump 3 formed on the terminal 2 as shown in (b2).
The tip 3A is overlapped so as to be in contact with the glass plate 13 and pressed by a predetermined pressure P to adjust the smoothness so that the tip 3A is smooth.
【0008】このようにして、バンプ3 の先端部3Aが平
滑された半導体チップ1 を(b3)に示すように、実装すべ
き基板14の所定のパッド15に位置決めし、加圧, 加熱と
同時に超音波または振動などを加えることで、バンプ3
の先端部3Aをパッド14に拡散接合させるボンディグが行
われていた。The semiconductor chip 1 with the tip 3A of the bump 3 smoothed in this way is positioned on a predetermined pad 15 of the substrate 14 to be mounted as shown in FIG. By applying ultrasonic or vibration, bump 3
Bonding for diffusion bonding of the front end 3A to the pad 14 has been performed.
【0009】したがって、試験が終了した半導体チップ
1 にバンプ3 の形成を行い、ボンディングによって基板
14に対する実装が行われていた。Therefore, a semiconductor chip whose test has been completed
First, bump 3 is formed, and the substrate is
Implementation for 14 was done.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような半
導体チップ1 の一つ一つを試験し、試験後は、それぞれ
の端子部にバンプ3 を形成し、更に、バンプ3 の先端部
3Aの平滑度の調整を行い、基板14にボンディングを行う
ことは、実装すべき半導体チップ1 の量が膨大な量にな
ると多くの工数を要することになる。However, each of the semiconductor chips 1 is tested, and after the test, bumps 3 are formed on the respective terminal portions.
Adjusting the smoothness of 3A and performing bonding to the substrate 14 requires a lot of man-hours when the amount of the semiconductor chip 1 to be mounted becomes enormous.
【0011】したがって、半導体チップ1 を基板に実装
する場合は、試験工数を含め、非常に多くの作業工数を
費やす問題を有していた。そこで、本発明では、試験に
際してバンプの平滑度の調整を同時に行うことで作業工
数の削減を図ることを目的とする。Therefore, when the semiconductor chip 1 is mounted on the substrate, there is a problem that a very large number of work steps including a test step are required. Therefore, an object of the present invention is to reduce the number of working steps by simultaneously adjusting the smoothness of the bumps at the time of the test.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。図1に示すように、信号が入出力される端子
部2 にバンプ3 を形成した半導体チップ1 と、該端子部
2 に対応するパッド5が形成されたテストボード4 と、
該テストボード4 に接続され、該パッド5 を介して該半
導体チップ1 に対する電気特性の試験を行う試験器6 と
を備え、該パッド5 に該バンプ3 が圧接されるよう該半
導体チップ1 を押圧させることで該バンプ3 の先端部3A
の平滑度の調整と、該半導体チップ1 の電気特性試験と
を同時に実行するように構成したものである。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention. As shown in FIG. 1, a semiconductor chip 1 in which bumps 3 are formed in a terminal portion 2 to which signals are input and output, and the terminal portion
A test board 4 on which pads 5 corresponding to 2 are formed;
A tester 6 connected to the test board 4 and testing the electrical characteristics of the semiconductor chip 1 via the pad 5; and pressing the semiconductor chip 1 so that the bump 3 is pressed against the pad 5. To make the tip 3A of the bump 3
The adjustment of the smoothness and the electrical characteristic test of the semiconductor chip 1 are simultaneously executed.
【0013】このように構成することによって前述の課
題は解決される。The above-mentioned configuration solves the above-mentioned problem.
【0014】[0014]
【作用】即ち、テストボード4 のパッド5 に半導体チッ
プ1 の端子部2 に形成されたバンプ3 を圧接させるよう
テストボード4 に半導体チップ1 を押圧させ、バンプ3
の先端部3Aの平滑度の調整を行うと同時に、試験器6 に
よる半導体チップ1 の電気特性の試験を行うようにした
ものである。[Operation] That is, the semiconductor chip 1 is pressed against the test board 4 so that the bumps 3 formed on the terminal portions 2 of the semiconductor chip 1 are pressed against the pads 5 of the test board 4, and the bumps 3
In addition to the adjustment of the smoothness of the tip 3A, the electrical characteristics of the semiconductor chip 1 are tested by the tester 6.
【0015】したがって、予め、試験を行う前に半導体
チップ1 の端子部2 にバンプ3 の形成を行うことで、従
来のバンプ3 の先端部3Aの平滑度の調整を行う工程が不
要となり、作業工数の削減を図ることができる。Therefore, by previously forming the bumps 3 on the terminal portions 2 of the semiconductor chip 1 before conducting the test, the conventional process of adjusting the smoothness of the tip 3A of the bumps 3 becomes unnecessary, and the work is not required. The man-hour can be reduced.
【0016】[0016]
【実施例】以下本発明を図2および図3を参考に詳細に
説明する。図2は本発明による一実施例の説明図で、図
3の(a) 〜(c) は本発明の実装工程図である。全図を通
じて、同一符号は同一対象物を示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to FIGS. FIG. 2 is an explanatory view of an embodiment according to the present invention, and FIGS. 3A to 3C are mounting process diagrams of the present invention. Throughout the drawings, the same reference numerals indicate the same objects.
【0017】図2 に示すように、半導体チップ1 の端子
部2に対応するようにパッド5 が設けられたテストボー
ド4 に吸着ヘッド7 によって保持することで半導体チッ
プ1を位置決めし、端子部2 にバンプ3 が形成された半
導体チップ1 を所定の圧力Pによってテストボード4 に
押圧させるようにしたものである。As shown in FIG. 2, the semiconductor chip 1 is positioned by being held by a suction head 7 on a test board 4 provided with pads 5 corresponding to the terminal portions 2 of the semiconductor chip 1. The semiconductor chip 1 having the bumps 3 formed thereon is pressed against the test board 4 by a predetermined pressure P.
【0018】また、テストボード4 にはコネクタ8 が固
着され、パッド5 とコネクタ8 とを接続するパターン配
線4Aが設けられており、試験器6 からのテスト信号がケ
ーブル9 を介してコネクタ8 に接続され、更に、パター
ン配線4Aを介してパッド5 に送受信されるように形成さ
れている。A connector 8 is fixed to the test board 4, and a pattern wiring 4 A for connecting the pad 5 and the connector 8 is provided. A test signal from the tester 6 is transmitted to the connector 8 via the cable 9. It is formed so as to be connected and further transmitted and received to and from the pad 5 via the pattern wiring 4A.
【0019】そこで、パッド5 に端子部2 がバンプ3 を
介して接続されることで半導体チップ1 に対する電気特
性の試験が行われ、同時に、所定の圧力P によって、そ
れぞれのパッド5 にバンプ3 の先端部3Aが当接され、先
端部3Aの平滑度の調整が行われる。Then, the terminal 2 is connected to the pad 5 via the bump 3 to test the electrical characteristics of the semiconductor chip 1. At the same time, the bump 3 is applied to each pad 5 by a predetermined pressure P. The tip 3A is brought into contact with the tip 3A, and the smoothness of the tip 3A is adjusted.
【0020】したがって、半導体チップ1 を試験する場
合は、予め、図3 の(a) に示すように、半導体チップ1
の端子部2 にバンプ3 の形成を行い、次に(b) に示すよ
うに、バンプ3 が形成された半導体チップ1 をテストボ
ード4 に押圧させることで、半導体チップ1 の電気特性
の試験と、先端部3Aの平滑度の調整とを同時に実行し、
試験後は、(c) に示すように、半導体チップ1 を基板14
にボンディグすることが行え、図4の(b2)に示す、バン
プ3 が形成された半導体チップ1 をガラス板13に押圧さ
せる工程は不要となり、工数の削減を行うことができ
る。Therefore, when testing the semiconductor chip 1, as shown in FIG.
The bumps 3 are formed on the terminal portions 2 of the semiconductor chip 1, and then the semiconductor chip 1 on which the bumps 3 are formed is pressed against the test board 4 as shown in FIG. , And the adjustment of the smoothness of the tip 3A at the same time,
After the test, as shown in FIG.
The step of pressing the semiconductor chip 1 on which the bumps 3 are formed as shown in (b2) of FIG. 4 against the glass plate 13 is not required, and the number of steps can be reduced.
【0021】[0021]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
予め、端子部にバンプの形成が行われた半導体チップを
テストボードに押圧させ、テストボードによって電気特
性の試験を行うことで、電気特性の試験と、バンプの平
滑度の調整とを同時に行うことができる。As described above, according to the present invention,
The test of the electrical characteristics and the adjustment of the smoothness of the bumps can be performed simultaneously by pressing the semiconductor chip on which the bumps have been formed on the terminals in advance on the test board and testing the electrical characteristics with the test board. Can be.
【0022】したがって、従来のバンプの形成後行われ
るバンプの平滑度の調整工程が不要となり、工数の削減
により、コストダウンを図ることができ、実用的効果は
大である。Therefore, the step of adjusting the smoothness of the bump, which is performed after the formation of the conventional bump, becomes unnecessary, and the cost can be reduced by reducing the number of steps, and the practical effect is large.
【図1】 本発明の原理説明図FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.
【図2】 本発明による一実施例の説明図FIG. 2 is an explanatory view of an embodiment according to the present invention.
【図3】 本発明の実装工程図FIG. 3 is a mounting process diagram of the present invention.
【図4】 従来の説明図FIG. 4 is a conventional explanatory view.
1 半導体チップ 2 端子部 3 バンプ 4 テストボ
ード 5 パッド 6 試験器 3A 先端部DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor chip 2 Terminal part 3 Bump 4 Test board 5 Pad 6 Tester 3A Tip
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−154035(JP,A) 特開 平2−52447(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 31/26 H01L 21/66 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-59-154035 (JP, A) JP-A-2-52447 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01R 31/26 H01L 21/66
Claims (1)
(3) を形成した半導体チップ(1) と、該端子部(2) に対
応するパッド(5) が形成されたテストボード(4) と、該
テストボード(4) に接続され、該パッド(5) を介して該
半導体チップ(1) に対する電気特性の試験を行う試験器
(6) とを備え、該パッド(5) に該バンプ(3) が圧接され
るよう該半導体チップ(1)を押圧させることで該バンプ
(3) の先端部(3A)の平滑度の調整と、該半導体チップ
(1) の電気特性試験とを同時に実行することを特徴とす
る半導体チップの試験方法。A bump is provided at a terminal (2) for inputting and outputting a signal.
(3), a test board (4) on which a pad (5) corresponding to the terminal section (2) is formed, and a test board (4) connected to the test board (4). 5) a tester for testing the electrical characteristics of the semiconductor chip (1) via
(6), and the semiconductor chip (1) is pressed so that the bump (3) is pressed against the pad (5).
(3) Adjustment of the smoothness of the tip (3A) and the semiconductor chip
A method for testing a semiconductor chip, wherein the method further comprises simultaneously executing the electrical characteristic test of (1).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03174882A JP3082319B2 (en) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | Test method for semiconductor chip |
Applications Claiming Priority (1)
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JP03174882A JP3082319B2 (en) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | Test method for semiconductor chip |
Publications (2)
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JPH0519011A JPH0519011A (en) | 1993-01-26 |
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