JP3076293B2 - Semiconductor device characteristic test apparatus and test method thereof - Google Patents

Semiconductor device characteristic test apparatus and test method thereof

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JP3076293B2
JP3076293B2 JP09350306A JP35030697A JP3076293B2 JP 3076293 B2 JP3076293 B2 JP 3076293B2 JP 09350306 A JP09350306 A JP 09350306A JP 35030697 A JP35030697 A JP 35030697A JP 3076293 B2 JP3076293 B2 JP 3076293B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置特性試験
装置およびその試験方法に関し、特に複数の測定系を切
替えられる半導体装置特性試験装置およびその試験方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device characteristic test apparatus and a test method thereof, and more particularly to a semiconductor device characteristic test apparatus capable of switching a plurality of measurement systems and a test method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体装置特性試験装置として
は、実開昭62―116546号公報(第1の公知例)
に示すものがある。この特性試験装置は、図5に示すよ
うに、半導体装置測定部AとICテスタ9との接続関係
を模式的に示すブロック図である。図において、10は
ICテスタ9と測定部Aの各デバイス間を接続するパフ
ォーマンスボード、11は測定部Aに設けられた並列2
個同時及び交互に測定する測定ボードである。この特性
試験装置は、交互に測定を行うものであるから、測定部
Aの左部分Bの動作について説明する。
2. Description of the Related Art A conventional semiconductor device characteristic test apparatus is disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 62-116546 (first known example).
There are the following. As shown in FIG. 5, this characteristic test apparatus is a block diagram schematically showing a connection relationship between a semiconductor device measuring section A and an IC tester 9. In the figure, reference numeral 10 denotes a performance board for connecting the IC tester 9 and each device of the measuring section A, and 11 denotes a parallel board provided in the measuring section A.
This is a measurement board for measuring simultaneously and alternately. Since this characteristic test apparatus performs measurements alternately, the operation of the left portion B of the measurement section A will be described.

【0003】半導体装置の特性試験を実施する場合、第
1、第2の測定系13a,13bには同時に半導体装置
が供給され、第1の測定系13aに設置された半導体装
置が測定されていう時は、第2の測定系13bの半導体
装置は接続されておらず、特性試験が行われていない。
第1の測定系13aの半導体装置の測定が完了するとコ
ンタクトが解除されて、第2の測定系13bの半導体装
置がコンタクトされ、この第2の測定系13bの測定が
開始される。また、この測定の完了した第1の測定系1
3aの半導体装置はソケット12から取り出され、次の
半導体装置が第1の測定系13aにセットされる。ただ
し、第2の測定系13bの半導体装置の測定が完了する
までコンタクトはされない。
When a characteristic test of a semiconductor device is performed, the semiconductor device is supplied to the first and second measurement systems 13a and 13b at the same time, and the semiconductor device installed in the first measurement system 13a is measured. The semiconductor device of the second measurement system 13b is not connected, and the characteristic test is not performed.
When the measurement of the semiconductor device of the first measurement system 13a is completed, the contact is released, the semiconductor device of the second measurement system 13b is contacted, and the measurement of the second measurement system 13b is started. In addition, the first measurement system 1 where this measurement is completed
The semiconductor device 3a is taken out of the socket 12, and the next semiconductor device is set in the first measurement system 13a. However, no contact is made until the measurement of the semiconductor device of the second measurement system 13b is completed.

【0004】このように複数の測定系13a,13bを
交互、または順次に測定することにより、半導体装置
が、供給部〜測定部〜収納部とハンドリングされるに要
する時間、すなわち単一測定系では、ICテスタが測定
を行わない時間となるので、稼働ロスとなる時間を削減
することができる測定方法である。
As described above, by alternately or sequentially measuring the plurality of measurement systems 13a and 13b, the time required for the semiconductor device to be handled from the supply unit to the measurement unit to the storage unit, that is, in a single measurement system, This is a measurement method in which the time during which the IC tester does not perform the measurement can reduce the time during which operation loss occurs.

【0005】また、図5の半導体装置をコンタクトする
か否かにより測定を切換る方法に対し、他の公知例とし
て実開昭62―67270号公報に示される方法もあ
る。この場合は、図6のブロック図に示すように、マル
チリレー14を用いて測定系を切換える方法である。す
なわち、2つの測定系の測定ヘッド15,16の切換え
をマルチリレー14により行い、ACテスタ17または
DCテスタ18に接続するものである。
As another known example, there is a method disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 62-67270 as another known example of the method of switching the measurement depending on whether or not the semiconductor device is in contact with the semiconductor device shown in FIG. In this case, as shown in the block diagram of FIG. 6, a method of switching the measurement system using the multi-relay 14 is used. That is, the measurement heads 15 and 16 of the two measurement systems are switched by the multi-relay 14 and connected to the AC tester 17 or the DC tester 18.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術にお
いて、第2の公知例では、測定ヘッド15,16の切換
えをマルチリレー14により行っているので、試験装置
が大形化するという問題がある。それは、半導体装置の
高集積化に伴ない、数百個の外部端子があるICがあ
り、このようなICを交互に測定するマルチリレー14
を使用すると、その部品数の増加により、試験装置が大
形化してしまう。
In the above-mentioned prior art, in the second known example, since the measuring heads 15 and 16 are switched by the multi-relay 14, there is a problem that the test apparatus becomes large. . There is an IC having several hundreds of external terminals with the increase in the degree of integration of a semiconductor device.
When using the test equipment, the test equipment becomes large due to the increase in the number of parts.

【0007】また、第1の公知例では、測定系13a,
13bの切換えが半導体装置を交互にコンタクトするこ
とにより行い、測定系が図5のD部のように電気的接続
状態にあり、独立していないことが問題である。そのた
め、測定周波数が数百MHzの高い場合、測定の行われ
ていない側の測定系の配線の影響により、信号線と接地
との間の容量(コンデンサ成分)が増加すること、また
測定の行われていない側のICソケットの測定端子間に
導電性の異物が付着することなどにより、測定が正常に
行えないという不具合を生じる場合がある。
In the first known example, the measuring system 13a,
The problem is that the switching of 13b is performed by alternately contacting the semiconductor devices, and the measurement system is in an electrically connected state as shown in part D of FIG. 5 and is not independent. Therefore, when the measurement frequency is as high as several hundred MHz, the capacitance (capacitor component) between the signal line and the ground increases due to the influence of the wiring of the measurement system on the side where the measurement is not performed. In some cases, the measurement may not be performed properly due to, for example, the adhesion of conductive foreign matter between the measurement terminals of the IC socket on the side that is not touched.

【0008】本発明の目的は、これらの問題を解決し、
半導体装置の特性試験を行う際に、電気的に独立した複
数の測定系により順次測定可能とし、小形化された半導
体装置特性試験装置を提供することにある。
[0008] The object of the present invention is to solve these problems,
It is an object of the present invention to provide a miniaturized semiconductor device characteristic test device which can be sequentially measured by a plurality of electrically independent measurement systems when performing a characteristic test of a semiconductor device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置特性
試験装置の構成は、多数の外部接続端子を有する半導体
装置をそれぞれ装着する複数のソケットを実装し、かつ
これら複数のソケットとそれぞれ接続されるコンタクト
パッドが前記各半導体装置のソケットの配置間隔より短
かい間隔ごとに実装された配線基板部と、この配線基板
部のコンタクトパッド面に対向して前記半導体装置1個
分の外部端子数に相当する複数のコンタクトピンが配設
され、かつこれらコンタクトピンがDUTボードを介し
て試験装置と接続されるコンタクトユニットと、このコ
ンタクトユニット上の各コンタクトピンを前記コンタク
トパッド上で順次移動させて前記複数の半導体装置の間
の各コンタクトパッドを切換える駆動部とを有し、前前
記各コンタクトパッドが、前記コンタクトピン単位に1
個所に集中配列されていることを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor device characteristic testing apparatus according to the present invention comprises a plurality of sockets for mounting semiconductor devices each having a large number of external connection terminals, and is connected to each of the plurality of sockets. Contact pads are shorter than the spacing between the sockets of each of the semiconductor devices.
A plurality of contact pins corresponding to the number of external terminals corresponding to one semiconductor device are arranged facing the wiring board portion mounted at every interval and facing the contact pad surface of the wiring board portion; A contact unit connected to a test apparatus via a DUT board, and a drive unit for sequentially moving each contact pin on the contact unit on the contact pad and switching each contact pad between the plurality of semiconductor devices. have a, before before
Note that each contact pad is one for each contact pin.
It is characterized by being concentratedly arranged at each location .

【0010】また、前記配線基板部の一面に各コンタク
トパッドが実装され、前記配線基板部の他面に複数のソ
ケットが実装されることができ、また前記コンタクトパ
ッドと前記コンタクトピンとを入れ換えて前記コンタク
トユニットに前記コンタクトパッドを設け、前記配線基
板部に前記コンタクトピンを設けることができ、さらい
2組の半導体装置用のコンタクトパッドまたはコンタク
トピンが前記2組の半導体装置の間隔より短かい所定間
隔ごとに並列して配設され、また3組の半導体装置用の
コンタクトパッドまたはコンタクトピンが所定間隔ごと
に三角形状に配設されることができる。
[0010] Further, each contact pad can be mounted on one surface of the wiring board portion, a plurality of sockets can be mounted on the other surface of the wiring board portion, and the contact pads and the contact pins are interchanged. The contact unit may be provided with the contact pads, and the wiring board portion may be provided with the contact pins. Further, two sets of contact pads or contact pins for a semiconductor device are shorter than a space between the two sets of semiconductor devices. And three sets of contact pads or contact pins for a semiconductor device can be arranged in a triangular shape at predetermined intervals.

【0011】また本発明の半導体装置特性試験方法は、
複数の半導体装置を接続する複数のソケットと接続され
る各コンタクトパッドが前記各半導体装置のソケットの
配置間隔より短かい間隔ごとに実装された配線基板部の
各ソケット上に、多数の外部接続端子を有する複数の半
導体装置を実装し、前記配線基板部のコンタクトパッド
面に対向して前記半導体装置1個分の外部端子数に相当
する複数のコンタクトピンを配設しかつこれらコンタク
トピンをDUTボードを介して試験装置と接続したコン
タクトユニットを、前記コンタクトピンの1組と対向さ
せるようにかつ前記各半導体装置のソケットの配置間隔
より短かい間隔ごとに移動させて接続し、前記各半導体
装置の1個づつ試験を行うことを特徴とする。
Further, the method for testing semiconductor device characteristics according to the present invention comprises:
Each contact pad connected to a plurality of sockets connecting a plurality of semiconductor devices is connected to a socket of each semiconductor device.
A plurality of semiconductor devices having a large number of external connection terminals are mounted on each socket of the wiring board portion mounted at intervals shorter than the arrangement interval , and the semiconductor device faces the contact pad surface of the wiring board portion. A contact unit in which a plurality of contact pins corresponding to the number of one external terminal are provided, and these contact pins are connected to a test apparatus via a DUT board so as to face one set of the contact pins, and Socket spacing of each semiconductor device
The semiconductor devices are moved and connected at shorter intervals, and a test is performed on each of the semiconductor devices one by one.

【0012】本発明の半導体装置特性試験装置の構成に
よれば、この測定系の切換え部品の大きさが、コンタク
トパッドおよびコンタクトピンの径と、これらと隣接す
るコンタクトパッドおよびコンタクトピンの間隔で、大
体決定されるので、コンタクトパッドおよびコンタクト
ピンの径を小さくし、また隣接するコンタクトパッドお
よびコンタクトピンの間隔を狭くすることにより、部品
・装置の小型化を図ることができる。
According to the configuration of the semiconductor device characteristic testing apparatus of the present invention, the size of the switching part of the measuring system is determined by the diameter of the contact pad and the contact pin and the distance between the contact pad and the contact pin adjacent thereto. Since it is roughly determined, the size of the component / device can be reduced by reducing the diameter of the contact pad and the contact pin and reducing the distance between the adjacent contact pad and the contact pin.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面に
より説明する。図1(a)(b)(c)は本発明の一実
施形態の構成を示すブロック図、その配線基板部1の正
面図およびそのコンタクトピンユニットの斜視図であ
る。本実施形態の特性試験装置は、コンタクトパッド7
を設けたソケット・配線基板部1、コンタクトピン8を
設けたコンタクトピンユニット2、ICテスタと接続さ
れるDUTボード4およびコンタクトピンユニット2を
上下左右に可動させる駆動部3から構成される。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. 1A, 1B, and 1C are a block diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention, a front view of a wiring board unit 1 thereof, and a perspective view of a contact pin unit thereof. The characteristic test apparatus of the present embodiment includes a contact pad 7
And a contact pin unit 2 provided with contact pins 8, a DUT board 4 connected to an IC tester, and a drive unit 3 for moving the contact pin unit 2 up, down, left and right.

【0014】コンタクトパッド7を設けたソケット・配
線基板部1は、表面に複数のICソケット5,6の試験
端子と裏面のコンタクトパッド7との間が電気的に結線
されており、また表面にコンタクトピン8のあるコンタ
クトピンユニット2は、コンタクトピン8とDUT(D
evice Under Test )ボード4のテスト
端子間が電気的に結線されている。
In the socket / wiring board portion 1 provided with the contact pads 7, the test terminals of the plurality of IC sockets 5, 6 and the contact pads 7 on the back surface are electrically connected on the front surface. The contact pin unit 2 having the contact pins 8 includes a contact pin 8 and a DUT (D
The test terminals of the device under test board 4 are electrically connected.

【0015】またソケット・配線基板部1は、裏面のコ
ンタクトパッド7の面が、図1(b)ように、ICソケ
ット5,6、すなわち測定系の数に対応する個数のコン
タクトパッド7が、特定のルールで配置されており、こ
れらコンタクトパッド7のグループが、半導体装置の外
部端子の個数分配置されている。 ここでm個の測定系
でn本の外部端子をもつ半導体装置を順次測定する場合
には、m×n個のコンタクトパッド7が配置され、例え
ば図のC1A,C1B,C2A,C2B……CnA,CnBがコンタ
クトパッド番号である。
As shown in FIG. 1B, in the socket / wiring board portion 1, the contact pads 7 on the back surface have IC sockets 5 and 6, ie, the number of contact pads 7 corresponding to the number of measurement systems. The contact pads 7 are arranged according to a specific rule, and the groups of the contact pads 7 are arranged by the number of external terminals of the semiconductor device. Here, when measuring the semiconductor device having n external terminals sequentially with m measurement systems, m × n contact pads 7 are arranged. For example, C1A, C1B, C2A, C2B... , CnB are contact pad numbers.

【0016】また、コンタクトピンユニット2は、図1
(c)のように、コンクタトピンユニット2の表面に
は、n本の外部端子をもつ半導体装置の測定をする場
合、n本のコンタクトピン8が配列されており、P1 ,
P2 ,Pn-1 ,Pn がコンタクトピン番号である。な
お、コンタクトピン8のP1 ,P2 の間隔は、コンタク
トパッド7のC1A,C1B,7の間隔と同じになってい
る。
The contact pin unit 2 corresponds to FIG.
As shown in (c), when measuring a semiconductor device having n external terminals, n contact pins 8 are arranged on the surface of the contact pin unit 2, and P 1, P 1,
P2, Pn-1 and Pn are contact pin numbers. Note that the interval between P1 and P2 of the contact pin 8 is the same as the interval between C1A, C1B and 7 of the contact pad 7.

【0017】次に、本実施形態の動作について、図2の
接続図を用いて説明する。この特性試験装置の駆動部3
によって、コンタクトピンユニット2が上下左右に可動
するよう動作し、そのコンタクトピン8がソケット・配
線基板部(以下基板部という)1の裏面のコンタクトパ
ッド7と接続したり、切離されたりする。図2(a)
(b)は測定系AがICテスタと接続された時の基板部
1のコンタクトパッド7の面とコンタクトピンユニット
2との接続を示す模式図およびその回路図で、コンタク
トピンP1 がコンタクトパッドC1Aに、コンタクトピン
P2 がコンタクトパッドC2Aに接続され、その接続状態
が示されている。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to the connection diagram of FIG. Driving unit 3 of this characteristic test device
As a result, the contact pin unit 2 operates to move up, down, left and right, and the contact pins 8 are connected to or disconnected from the contact pads 7 on the back surface of the socket / wiring board unit (hereinafter, referred to as the board unit) 1. FIG. 2 (a)
(B) is a schematic diagram and a circuit diagram showing the connection between the contact pad unit 2 and the surface of the contact pad 7 of the substrate unit 1 when the measurement system A is connected to the IC tester, and the contact pin P1 is used as the contact pad C1A. The contact state of the contact pin P2 to the contact pad C2A is shown in FIG.

【0018】同様に、図2(c)(d)は測定系BがI
Cテスタと接続された時の基板部1のコンタクトパッド
7の面とコンタクトピンユニット2との接続を示す模式
図およびその回路図で、コンタクトピンP1 がコンタク
トパッドC1Bに、コンタクトピンP2 がコンタクトパッ
ドC2Bに接続されている。この図2では、2組のコンタ
クトパッド7とコンタクトピン8しか示していないが、
n本の外部端子を有する半導体装置の測定を行う時に
は、同時にn組のコンタクトパッド7とコンタクトピン
8とが接続されることになる。この場合にも、駆動部3
により、コンタクトピンユニット2を、図2(a),
(b)のように、これらを交互に移動させて、測定系
A,Bの交互測定を実現することができる。
Similarly, FIGS. 2C and 2D show that the measurement system B
FIG. 4 is a schematic diagram showing the connection between the contact pad unit 2 and the surface of the contact pad 7 of the substrate unit 1 when connected to the C tester, and a circuit diagram thereof, wherein the contact pin P1 is a contact pad C1B, Connected to C2B. Although FIG. 2 shows only two sets of contact pads 7 and contact pins 8,
When measuring a semiconductor device having n external terminals, n sets of contact pads 7 and contact pins 8 are connected at the same time. Also in this case, the driving unit 3
As a result, the contact pin unit 2 is
As shown in (b), these can be moved alternately to realize the alternate measurement of the measurement systems A and B.

【0019】なお、コンタクトピンユニット2は、隣接
するコンタクトピン8の間隔およびコンタクトピン8の
径を小さくすることにより、装置の小型化が可能とな
り、また各測定系は、電気的に独立しているため、他の
測定系の影響を受けることはない。
The contact pin unit 2 can be downsized by reducing the distance between the adjacent contact pins 8 and the diameter of the contact pins 8, and each measuring system is electrically independent. Therefore, it is not affected by other measurement systems.

【0020】図3(a)は本発明の第2の実施形態の構
成を示すブロック図で、第1の実施形態のコンタクトパ
ッド7とコンタクトピン8とを入替えたもので、ソケッ
ト・配線基板部1には、裏面にコンタクトピン8が設け
られ、コンタクトユニット2の表面にコンタクトパッド
7が設けられたものである。この場合には、駆動部3
が、コンタクトユニット2ではなく、ソケット・配線基
板部1の下部を移動させて行うもので、コンタクトパッ
ド7とコンタクトピン8とを上下逆にしている。この場
合の動作も第1の実施形態と同様になる。
FIG. 3A is a block diagram showing the configuration of the second embodiment of the present invention, in which the contact pads 7 and the contact pins 8 of the first embodiment are replaced with each other. 1 is provided with a contact pin 8 on the back surface and a contact pad 7 on the front surface of the contact unit 2. In this case, the driving unit 3
However, this is performed by moving the lower part of the socket / wiring board part 1 instead of the contact unit 2, and the contact pads 7 and the contact pins 8 are turned upside down. The operation in this case is the same as in the first embodiment.

【0021】図3(b)は本発明の第3の実施形態の基
板部1の構成を示す接続図であり、第1の実施形態のソ
ケット・配線基板部1が、2組の測定系A,Bであった
ものを、3組の測定系A,B,Cとしたもので、3組の
測定系のコンタクトパッドC1A,C1B,C1Cおよびコン
タクトパッドC2A,C2B,C2Cがそれぞれ三角形状に配
置されたもので、これらコンタクトパッド7の間を、コ
ンタクトピン(8)P1 ,P2 が移動して測定系の切替
えが行われる。この測定系の切替えは、例えば矢印の方
向に順次行えばよい。
FIG. 3B is a connection diagram showing a configuration of the board unit 1 according to the third embodiment of the present invention. The socket / wiring board unit 1 according to the first embodiment includes two sets of measurement systems A. , B are replaced with three sets of measurement systems A, B, C. The contact pads C1A, C1B, C1C and the contact pads C2A, C2B, C2C of the three sets of measurement systems are respectively arranged in a triangular shape. The contact pins (8) P1 and P2 move between the contact pads 7 to switch the measurement system. The switching of the measurement system may be performed sequentially, for example, in the direction of the arrow.

【0022】[0022]

【実施例】次に本実施形態の実施例の説明を、図4
(a)(b)のコンタクトパッド7とコンクトピン8と
の接続を示す模式図およびその回路図により行う。図4
(a)は、100本の外部端子を有する半導体装置を測
定する試験装置の基板部1のコンタクトパッド面の平面
図であり、200個の円形コンタクトパッド7が、3m
mの間隔で配置されており、図4(b)は、100本の
コンクトピン8が6mmの間隔で配置されたコンタクト
ユニット2の斜視図である。この試験装置では、前述の
図2(a)(c)の説明と同様に動作する。すなわち、
測定系A,Bが2個ある場合、これらの接続状態が交互
に繰返され、コンタクトユニット2が左右に3mm動く
ことにより、測定状態が交互に切替えられ、交互の測定
が可能となる。なお、この場合、縦27mm,横54m
m内の領域に100本のコンクトピン8が収まることに
なり、これは実用化が可能な大きさである。
Next, an example of this embodiment will be described with reference to FIG.
The connection between the contact pad 7 and the contact pin 8 shown in FIGS. FIG.
(A) is a plan view of a contact pad surface of a substrate unit 1 of a test apparatus for measuring a semiconductor device having 100 external terminals, and 200 circular contact pads 7 are 3 m long.
FIG. 4B is a perspective view of the contact unit 2 in which 100 contact pins 8 are arranged at an interval of 6 mm. This test apparatus operates in the same manner as described with reference to FIGS. That is,
When there are two measurement systems A and B, these connection states are alternately repeated, and the measurement state is alternately switched by moving the contact unit 2 left and right by 3 mm, so that alternate measurement is possible. In this case, the height is 27 mm and the width is 54 m
100 contact pins 8 will fit in the area within m, which is a size that can be put to practical use.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、相互に接続されるコンクトピン、コンタクトパッ
ドの移動により、測定系の接続が切換えられ、これらコ
ンクトピン、コンタクトパッドの径および間隔を小さく
することで、測定系の切換機構を小型化できるので、数
百の外部端子をもった半導体装置を交互に測定する特性
試験装置を小型化することができるという優れた効果が
ある。また、測定状態となっていない測定系は、電気的
に切離されているため、複数の測定系を有する特性試験
装置でも、測定状態にある測定系以外の測定系による電
気的な影響を除去することができるという効果がある。
As described above, according to the structure of the present invention, the connection of the measuring system is switched by the movement of the contact pins and contact pads connected to each other, and the diameter and the interval of these contact pins and contact pads are changed. By reducing the size, the switching mechanism of the measurement system can be miniaturized, so that there is an excellent effect that the characteristic test apparatus for alternately measuring semiconductor devices having several hundred external terminals can be miniaturized. In addition, since the measurement system that is not in the measurement state is electrically disconnected, even in a characteristic test device having a plurality of measurement systems, the electrical influence of the measurement system other than the measurement system in the measurement state is removed. There is an effect that can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態を示す主要ブロック図、そ
の基板部の正面図および斜視図である。
FIG. 1 is a main block diagram showing an embodiment of the present invention, and a front view and a perspective view of a substrate portion thereof.

【図2】図1の基板部1とコンタクトピンユニット2と
の関係を説明する接続図および回路図である。
FIG. 2 is a connection diagram and a circuit diagram for explaining a relationship between a substrate unit 1 and a contact pin unit 2 in FIG.

【図3】本発明の第2の実施形態を示す主要ブロック
図、その接続関係図である。
FIG. 3 is a main block diagram showing a second embodiment of the present invention, and a connection diagram thereof.

【図4】図1の基板部1とコンタクトピンユニット2と
の具体的構造を説明する正面図および斜視図である。
FIGS. 4A and 4B are a front view and a perspective view illustrating a specific structure of a substrate unit 1 and a contact pin unit 2 of FIG.

【図5】第1の従来例の構成を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a first conventional example.

【図6】第2の従来例の構成を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a second conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板部 2 コンタクトピンユニット 3 駆動部 4 DUTボード 5,6 ICソケット 7 コンタクトパッド 8 コンタクトピン 9 ICテスタ 10 パフォーマンスボード 11 測定用ボード 12 ソケット 13a,b 測定系 14 マルチリレー 15,16 測定ヘッド 17 ACテスタ 18 DCテスタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate part 2 Contact pin unit 3 Driving part 4 DUT board 5, 6 IC socket 7 Contact pad 8 Contact pin 9 IC tester 10 Performance board 11 Measurement board 12 Socket 13a, b Measurement system 14 Multi-relay 15, 16 Measurement head 17 AC tester 18 DC tester

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 多数の外部接続端子を有する半導体装置
をそれぞれ装着する複数のソケットを実装し、かつこれ
ら複数のソケットとそれぞれ接続されるコンタクトパッ
ドが前記各半導体装置のソケットの配置間隔より短かい
間隔ごとに実装された配線基板部と、この配線基板部の
コンタクトパッド面に対向して前記半導体装置1個分の
外部端子数に相当する複数のコンタクトピンが配設さ
れ、かつこれらコンタクトピンがDUTボードを介して
試験装置と接続されるコンタクトユニットと、このコン
タクトユニット上の各コンタクトピンを前記コンタクト
パッド上で順次移動させて前記複数の半導体装置の間の
各コンタクトパッドを切換える駆動部とを有し、前記コ
ンタクトパッドが、前記コンタクトピン単位に1個所に
集中配列されていることを特徴とする半導体装置特性試
験装置。
A plurality of sockets for mounting semiconductor devices having a large number of external connection terminals are mounted, and contact pads respectively connected to the plurality of sockets are shorter than an arrangement interval of the sockets of each semiconductor device.
A wiring board portion mounted at every interval, and a plurality of contact pins corresponding to the number of external terminals for one semiconductor device are provided facing the contact pad surface of the wiring board portion, and these contact pins are provided. A contact unit connected to a test apparatus via a DUT board, and a drive unit for sequentially moving each contact pin on the contact unit on the contact pad and switching each contact pad between the plurality of semiconductor devices. Yes, and the call
One contact pad for each contact pin
A semiconductor device characteristic test apparatus characterized by being centrally arranged .
【請求項2】 前記配線基板部の一面に各コンタクトパ
ッドが実装され、前記配線基板部の他面に複数のソケッ
トが実装された請求項1記載の半導体装置特性試験装
置。
2. The semiconductor device characteristic test apparatus according to claim 1, wherein each contact pad is mounted on one surface of said wiring board portion, and a plurality of sockets are mounted on another surface of said wiring board portion.
【請求項3】 前記コンタクトパッドと前記コンタクト
ピンとを入れ換えて前記コンタクトユニットに前記コン
タクトパッドを設け、前記配線基板部に前記コンタクト
ピンを設けた請求項1または2記載の半導体装置特性試
験装置。
Wherein the said the contact pad interchanged with contact pins the contact pads provided on the contact unit, the semiconductor device characteristic test apparatus of claim 1, wherein providing the contact pins to the wiring substrate section.
【請求項4】 2組の半導体装置用のコンタクトパッド
またはコンタクトピンが前記2組の半導体装置の間隔よ
り短かい所定間隔ごとに並列して配設された請求項1,
2または3記載の半導体装置特性試験装置。
4. A contact pad or contact pin for two sets of semiconductor devices is arranged at a distance between the two sets of semiconductor devices.
Claims 1 and 2 arranged in parallel at predetermined shorter intervals .
4. The semiconductor device characteristic test apparatus according to 2 or 3.
【請求項5】 3組の半導体装置用のコンタクトパッド
またはコンタクトピンが所定間隔ごとに三角形状に配設
された請求項1,2または3記載の半導体装置特性試験
装置。
5. The semiconductor device characteristic testing apparatus according to claim 1 , wherein three sets of contact pads or contact pins for the semiconductor device are arranged in a triangular shape at predetermined intervals.
【請求項6】 複数の半導体装置を接続する複数のソケ
ットと接続される各コンタクトパッドが前記各半導体装
置のソケットの配置間隔より短かい間隔ごとに実装され
た配線基板部の各ソケット上に、多数の外部接続端子を
有する複数の半導体装置を実装し、前記配線基板部のコ
ンタクトパッド面に対向して前記半導体装置1個分の外
部端子数に相当する複数のコンタクトピンを配設しかつ
これらコンタクトピンをDUTボードを介して試験装置
と接続したコンタクトユニットを、前記コンタクトピン
の1組と対向させるようにかつ前記各半導体装置のソケ
ットの配置間隔より短かい間隔ごとに移動させて接続
し、前記各半導体装置の1個づつ試験を行うことを特徴
とする半導体装置特性試験方法。
6. Each of the plurality of contact pads connected to a plurality of sockets for connecting the semiconductor device before Symbol respective semiconductor instrumentation
A plurality of semiconductor devices having a large number of external connection terminals are mounted on each socket of the wiring board portion mounted at intervals shorter than the arrangement interval of the sockets, and opposed to the contact pad surface of the wiring board portion. A contact unit in which a plurality of contact pins corresponding to the number of external terminals for one semiconductor device are arranged and these contact pins are connected to a test apparatus via a DUT board is opposed to one set of the contact pins. And the socket of each semiconductor device
A semiconductor device characteristic testing method, wherein the semiconductor devices are moved and connected at intervals shorter than the interval between the units, and the semiconductor devices are tested one by one.
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