JP3074367B2 - 反射型液晶表示装置の基板 - Google Patents
反射型液晶表示装置の基板Info
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- JP3074367B2 JP3074367B2 JP7256793A JP7256793A JP3074367B2 JP 3074367 B2 JP3074367 B2 JP 3074367B2 JP 7256793 A JP7256793 A JP 7256793A JP 7256793 A JP7256793 A JP 7256793A JP 3074367 B2 JP3074367 B2 JP 3074367B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、大画面に高精細画像
を明るく表示できる、アクティブマトリクス液晶表示パ
ネルを用いた、投影型表示装置の基板に関する。
を明るく表示できる、アクティブマトリクス液晶表示パ
ネルを用いた、投影型表示装置の基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示装置を用いた投影型表示
装置としては、図２に示すように透過型液晶表示パネル
１の透過光を変調して投影レンズ２でスクリーン３に投
影する透過型投影表示装置と、図３に示すように透過型
アクティブマトリクス液晶表示パネル４の透過光を変調
し、レンズ５の像を液晶層と光伝導層からなる光空間変
調器６に書き込み、光空間変調器６で偏光ビームスプリ
ッタ７を通して入射した光を変調し反射し、偏光ビーム
スプリッタ７の出力光を投影レンズ８でスクリーン９に
投影する反射型投影表示装置が知られている。
装置としては、図２に示すように透過型液晶表示パネル
１の透過光を変調して投影レンズ２でスクリーン３に投
影する透過型投影表示装置と、図３に示すように透過型
アクティブマトリクス液晶表示パネル４の透過光を変調
し、レンズ５の像を液晶層と光伝導層からなる光空間変
調器６に書き込み、光空間変調器６で偏光ビームスプリ
ッタ７を通して入射した光を変調し反射し、偏光ビーム
スプリッタ７の出力光を投影レンズ８でスクリーン９に
投影する反射型投影表示装置が知られている。
【０００３】図２の透過型投影液晶表示装置の断面構造
を図４に示す。透明絶縁基板１０の上にはソース、ドレ
イン１１、１２、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４か
らなる薄膜トランジスタが形成されており、液晶駆動透
明電極１５はドレイン電極１２と接続されており液晶１
６に電圧を加える。薄膜トランジスタの上には保護膜１
７、液晶配向膜１８が形成されている。液晶１６は薄膜
トランジスタが形成された基板１０と透明電極２０、配
向膜２１が形成されているガラス基板１９の間に挟持さ
れている。
を図４に示す。透明絶縁基板１０の上にはソース、ドレ
イン１１、１２、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４か
らなる薄膜トランジスタが形成されており、液晶駆動透
明電極１５はドレイン電極１２と接続されており液晶１
６に電圧を加える。薄膜トランジスタの上には保護膜１
７、液晶配向膜１８が形成されている。液晶１６は薄膜
トランジスタが形成された基板１０と透明電極２０、配
向膜２１が形成されているガラス基板１９の間に挟持さ
れている。
【０００４】図３の反射型投影液晶表示装置に用いられ
る光空間変調器の断面構造を図５に示す。一方の基板２
２の上には透明電極２３、非晶質シリコン等からなる光
導電性を有する半導体膜２４、遮光膜２５、誘電体ミラ
ー層２６、液晶配向膜７０からなり、他方の基板にはガ
ラス基板２７の上に透明電極２８と液晶配向膜２９が形
成されている。基板２２と２７の間には液晶３０が挟持
されている。光導電層２４に入射光があると抵抗が下が
り透明電極の電圧が遮光膜２５、誘電体ミラー２６を介
して液晶層３０に電圧が加わる。液晶層では電圧の印加
で入射光の変調状態が変化するので非晶質シリコン上の
画像を液晶層３０の上に形成し光の変調ができる。
る光空間変調器の断面構造を図５に示す。一方の基板２
２の上には透明電極２３、非晶質シリコン等からなる光
導電性を有する半導体膜２４、遮光膜２５、誘電体ミラ
ー層２６、液晶配向膜７０からなり、他方の基板にはガ
ラス基板２７の上に透明電極２８と液晶配向膜２９が形
成されている。基板２２と２７の間には液晶３０が挟持
されている。光導電層２４に入射光があると抵抗が下が
り透明電極の電圧が遮光膜２５、誘電体ミラー２６を介
して液晶層３０に電圧が加わる。液晶層では電圧の印加
で入射光の変調状態が変化するので非晶質シリコン上の
画像を液晶層３０の上に形成し光の変調ができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２の透過型投影液晶
表示装置は液晶パネル１枚で表示ができ小型で高精細表
示が可能であるが、一般にアクティブ液晶表示パネルに
用いられるトランジスタなどのアクティブ素子は光に対
し感受性が高く、投影型表示装置のごとき強力な入射光
のある状態で使用される表示装置では画質の劣化が避け
られない。一方図３の反射型投影液晶表示装置は強力な
入射光の有る状態でも空間変調器は高い画質を実現でき
る。しかし、この場合画像を入力するパネルと、入力画
像を反射表示するパネルの２枚の液晶パネルが必要とな
り、パネルと光空間変調器の間の光学的結像系が必要で
あることを考慮すると装置の小型化は困難である。
表示装置は液晶パネル１枚で表示ができ小型で高精細表
示が可能であるが、一般にアクティブ液晶表示パネルに
用いられるトランジスタなどのアクティブ素子は光に対
し感受性が高く、投影型表示装置のごとき強力な入射光
のある状態で使用される表示装置では画質の劣化が避け
られない。一方図３の反射型投影液晶表示装置は強力な
入射光の有る状態でも空間変調器は高い画質を実現でき
る。しかし、この場合画像を入力するパネルと、入力画
像を反射表示するパネルの２枚の液晶パネルが必要とな
り、パネルと光空間変調器の間の光学的結像系が必要で
あることを考慮すると装置の小型化は困難である。
【０００６】そこで、この発明の目的は、従来のこのよ
うな課題を解決するため、小型化が容易でしかも明るく
高解像度の表示が出来る反射型アクティブマトリクス表
示装置の基板を得ることである。
うな課題を解決するため、小型化が容易でしかも明るく
高解像度の表示が出来る反射型アクティブマトリクス表
示装置の基板を得ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は不透明な絶縁膜をアクティブマトリクス
液晶パネルのトランジスタ及び画素駆動電極の上に形成
して明るく小型高精細な表示を可能にした。
に、この発明は不透明な絶縁膜をアクティブマトリクス
液晶パネルのトランジスタ及び画素駆動電極の上に形成
して明るく小型高精細な表示を可能にした。
【０００８】
【作用】上記のように構成された液晶表示装置の基板に
おいては、入射光が遮光性絶縁膜で吸収され光の影響が
トランジスタに及ばないようにできる。反射型の表示な
のでミラーをトランジスタの上にも重ねて形成できトラ
ンジスタの存在で画素の有効な面積の損失がないので光
の利用効率が向上する。更に絶縁性遮光膜を形成すると
入射光に対する透過率を０．１％以下に出来、遮光性が
完全になり、強力な入射光のもとでも（例えば１００万
ルックス）トランジスタが誤動作することを防ぐことが
できる。
おいては、入射光が遮光性絶縁膜で吸収され光の影響が
トランジスタに及ばないようにできる。反射型の表示な
のでミラーをトランジスタの上にも重ねて形成できトラ
ンジスタの存在で画素の有効な面積の損失がないので光
の利用効率が向上する。更に絶縁性遮光膜を形成すると
入射光に対する透過率を０．１％以下に出来、遮光性が
完全になり、強力な入射光のもとでも（例えば１００万
ルックス）トランジスタが誤動作することを防ぐことが
できる。
【０００９】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図に基づいて説
明する。図１は本発明の一実施例を示す反射型投影液晶
表示装置で、反射型液晶表示装置３１には偏光ビームス
プリッタ３２を介して偏光光が入射し、入射光は表示装
置３１に表示された画像で変調される。反射光は偏光ビ
ームスプリッタを通過後投影レンズ３３を介してスクリ
ーン３４に投影される。
明する。図１は本発明の一実施例を示す反射型投影液晶
表示装置で、反射型液晶表示装置３１には偏光ビームス
プリッタ３２を介して偏光光が入射し、入射光は表示装
置３１に表示された画像で変調される。反射光は偏光ビ
ームスプリッタを通過後投影レンズ３３を介してスクリ
ーン３４に投影される。
【００１０】図６は図１に示す反射型液晶表示装置の断
面構造図で、単結晶珪素の基板３５の上にソース３６、
ドレイン３７、ゲート絶縁膜３８、ゲート電極３９から
なる電界効果型トランジスタとトランジスタのドレイン
電極３７に接続された画素電極４０が形成されている。
画素電極４０、トランジスタなどを覆って全面に隙間無
く遮光層４１が形成されている。遮光層４１を形成する
材料としては珪素とゲルマニウムの混合物等が適当であ
る。遮光層４１の上には、やはり、全面に渡り絶縁膜か
らなる鏡、誘電体ミラー層４２、その上に液晶配向膜４
３が形成されている。この基板と、配向膜４４と電極４
５が表面に形成された対向基板４６の間に液晶４７を挟
持すれば、画素電極４０に印加された信号は絶縁性の遮
光層４１、誘電体ミラー層４２を介して液晶層に電圧を
加えることが出来る。遮光層４１により入射光はトラン
ジスタの半導体膜に影響を与えることがない。遮光層４
１、誘電体ミラー４２いずれも絶縁性であるので画素電
極４０の電圧は各絶縁層の等価的容量で分割され、液晶
層４７にも電圧が加わる。誘電体ミラー４２は通常屈折
率の異なる２層を繰り返し多層形成する構造をしてい
る。この際各層の誘電率はできるだけ大きな方がミラー
層による電圧損失がないので望ましい。遮光層４１とし
ては珪素と酸化珪素の２層を繰り返し形成した多層膜、
珪素とゲルマニウムの合金膜などが絶縁性を有しかつ遮
光性を有することで用いられる。
面構造図で、単結晶珪素の基板３５の上にソース３６、
ドレイン３７、ゲート絶縁膜３８、ゲート電極３９から
なる電界効果型トランジスタとトランジスタのドレイン
電極３７に接続された画素電極４０が形成されている。
画素電極４０、トランジスタなどを覆って全面に隙間無
く遮光層４１が形成されている。遮光層４１を形成する
材料としては珪素とゲルマニウムの混合物等が適当であ
る。遮光層４１の上には、やはり、全面に渡り絶縁膜か
らなる鏡、誘電体ミラー層４２、その上に液晶配向膜４
３が形成されている。この基板と、配向膜４４と電極４
５が表面に形成された対向基板４６の間に液晶４７を挟
持すれば、画素電極４０に印加された信号は絶縁性の遮
光層４１、誘電体ミラー層４２を介して液晶層に電圧を
加えることが出来る。遮光層４１により入射光はトラン
ジスタの半導体膜に影響を与えることがない。遮光層４
１、誘電体ミラー４２いずれも絶縁性であるので画素電
極４０の電圧は各絶縁層の等価的容量で分割され、液晶
層４７にも電圧が加わる。誘電体ミラー４２は通常屈折
率の異なる２層を繰り返し多層形成する構造をしてい
る。この際各層の誘電率はできるだけ大きな方がミラー
層による電圧損失がないので望ましい。遮光層４１とし
ては珪素と酸化珪素の２層を繰り返し形成した多層膜、
珪素とゲルマニウムの合金膜などが絶縁性を有しかつ遮
光性を有することで用いられる。
【００１１】図７は本発明の他の実施例を示す断面構造
図で、単結晶珪素の基板４８の上にソース４９、ドレイ
ン５０、ゲート絶縁膜５１、ゲート電極５２からなる電
界効果型トランジスタとトランジスタのドレイン電極５
０に接続された画素電極５３が形成されている。絶縁膜
５４はトランジスタの上を覆っている。画素電極５３、
トランジスタなどを覆って全面に隙間無く遮光層５５が
形成されている。遮光層５５の上には画素電極５３と平
面的に重なりを有する反射電極５６が各画素毎に分離さ
れて形成されている。反射電極５６の上には配向膜５７
が形成されている。この基板４８と配向膜５８と電極５
９が形成された対向基板６０の間に液晶６１を狭持すれ
ば、画素に印加された信号は容量結合で画素電極５３か
ら、反射電極５６を介して液晶層６１に電圧を加えるこ
とが出来る。
図で、単結晶珪素の基板４８の上にソース４９、ドレイ
ン５０、ゲート絶縁膜５１、ゲート電極５２からなる電
界効果型トランジスタとトランジスタのドレイン電極５
０に接続された画素電極５３が形成されている。絶縁膜
５４はトランジスタの上を覆っている。画素電極５３、
トランジスタなどを覆って全面に隙間無く遮光層５５が
形成されている。遮光層５５の上には画素電極５３と平
面的に重なりを有する反射電極５６が各画素毎に分離さ
れて形成されている。反射電極５６の上には配向膜５７
が形成されている。この基板４８と配向膜５８と電極５
９が形成された対向基板６０の間に液晶６１を狭持すれ
ば、画素に印加された信号は容量結合で画素電極５３か
ら、反射電極５６を介して液晶層６１に電圧を加えるこ
とが出来る。
【００１２】液晶層としては４５度ツイスト型を用い
る。半導体基板と対向する基板面に平行な方向で４５度
異なるように配向させる。電圧が液晶に加わってない場
合、偏光板を通して入射した光は反射され再度偏光板を
透過して出てくる。液晶に電圧が加わると、液晶分子は
垂直に配向し、斜めから入射する偏光光に対し液晶層は
複屈折性を示すので液晶材料及び液晶層の厚さを適当な
値にすることにより、入射光が９０度回転して出射する
ようにできる。この光は偏光板で吸収される。こうして
電圧のオン／オフにより光の透過吸収を制御する反射モ
ードの表示が可能となる。
る。半導体基板と対向する基板面に平行な方向で４５度
異なるように配向させる。電圧が液晶に加わってない場
合、偏光板を通して入射した光は反射され再度偏光板を
透過して出てくる。液晶に電圧が加わると、液晶分子は
垂直に配向し、斜めから入射する偏光光に対し液晶層は
複屈折性を示すので液晶材料及び液晶層の厚さを適当な
値にすることにより、入射光が９０度回転して出射する
ようにできる。この光は偏光板で吸収される。こうして
電圧のオン／オフにより光の透過吸収を制御する反射モ
ードの表示が可能となる。
【００１３】液晶材料としては、電圧の印加で光の散乱
状態を変化させられる高分子分散型液晶、動的散乱型液
晶（ＤＳＭ）等の液晶を用いた表示も上記複屈折を用い
た場合と同様行うことができる。この場合偏光板を用い
る必要がないので光が吸収されず明るい表示が実現でき
る。反射電極は画素毎に分離されているので、隣接する
画素とのクロストークは起こらない。反射電極は入射光
を遮り、遮光効果を高める。
状態を変化させられる高分子分散型液晶、動的散乱型液
晶（ＤＳＭ）等の液晶を用いた表示も上記複屈折を用い
た場合と同様行うことができる。この場合偏光板を用い
る必要がないので光が吸収されず明るい表示が実現でき
る。反射電極は画素毎に分離されているので、隣接する
画素とのクロストークは起こらない。反射電極は入射光
を遮り、遮光効果を高める。
【００１４】基板として単結晶半導体を用いれば、特に
単結晶珪素を用いればこの上に集積回路を形成できるの
で各種の機能を実現できる。その中で代表的なものとし
ては画素を駆動するための回路で、シフトレジスタ、サ
ンプルホールド回路、増幅器など、また駆動回路の制御
回路、回路の動作を確認するための検査回路、入射光の
明るさや信号を検出する光検出器、温度の検出器などが
ある。駆動回路は遮光層、誘電体ミラー等を介して液晶
層を駆動するため高い電圧で動作できるトランジスタ例
えばＬＤＤ構造のトランジスタで形成することが望まし
い。
単結晶珪素を用いればこの上に集積回路を形成できるの
で各種の機能を実現できる。その中で代表的なものとし
ては画素を駆動するための回路で、シフトレジスタ、サ
ンプルホールド回路、増幅器など、また駆動回路の制御
回路、回路の動作を確認するための検査回路、入射光の
明るさや信号を検出する光検出器、温度の検出器などが
ある。駆動回路は遮光層、誘電体ミラー等を介して液晶
層を駆動するため高い電圧で動作できるトランジスタ例
えばＬＤＤ構造のトランジスタで形成することが望まし
い。
【００１５】光を反射する材料としては、誘電体薄膜を
多層積み重ねて形成する誘電体ミラーを用いれば絶縁体
で反射層を形成できるのでミラーをのパターン形成は必
要ないが、ミラーを金属で形成する場合画素毎に特定の
電位を保持するため画素毎に金属性のミラーを分割して
形成する。
多層積み重ねて形成する誘電体ミラーを用いれば絶縁体
で反射層を形成できるのでミラーをのパターン形成は必
要ないが、ミラーを金属で形成する場合画素毎に特定の
電位を保持するため画素毎に金属性のミラーを分割して
形成する。
【００１６】
【発明の効果】この発明は、以上説明したよう絶縁性遮
光膜をトランジスタ及び画素電極の上に形成するという
構成としたので、駆動回路を同一基板の上に形成した小
型の表示装置が実現でき、１枚のパネルでコンパクトな
反射型で高解像度なおかつ明るい表示が実現出来るとい
う効果がある。
光膜をトランジスタ及び画素電極の上に形成するという
構成としたので、駆動回路を同一基板の上に形成した小
型の表示装置が実現でき、１枚のパネルでコンパクトな
反射型で高解像度なおかつ明るい表示が実現出来るとい
う効果がある。
【図１】本発明の実施例である反射型液晶表示パネルの
構造を示した説明図である。
構造を示した説明図である。
【図２】従来の方法による透過型投影表示装置の説明図
である。
である。
【図３】従来の方法による反射型投影表示装置の説明図
である。
である。
【図４】従来の方法による反射型表示パネルの断面構造
を示した説明図である。
を示した説明図である。
【図５】従来の方法による反射型表示パネルの断面構造
を示した説明図である。
を示した説明図である。
【図６】本発明の一実施例である反射型液晶表示パネル
の断面構造を示した説明図である。
の断面構造を示した説明図である。
【図７】本発明の他の実施例である反射型液晶表示パネ
ルの断面構造を示した説明図である。
ルの断面構造を示した説明図である。
１ 透過型液晶表示パネル ４ 透過型アクティブマトリクス液晶表示パネル ６ 空間変調器 １１ ソース １２ ドレイン １４ ゲート電極 １７ 液晶駆動電極 ２４ 半導体膜 ２５ 遮光膜 ２６ 誘電体ミラー膜 ３０ 液晶 ４１ 遮光層 ４２ 誘電体ミラー層 ５３ 液晶駆動電極 ５５ 遮光層 ５６ 反射電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鷹巣 博昭 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイ コー電子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−244068（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1335
Claims (3)
- 【請求項１】 各画素毎にスイッチングトランジスタを
形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置の基板に
用いられるアクティブマトリクス基板において、トラン
ジスタ及び画素電極の上は全面を遮光性絶縁膜で覆われ
ていることを特徴とする反射型液晶表示装置の基板。 - 【請求項２】 遮光性絶縁膜の上は誘電体ミラーで覆わ
れていることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶
表示装置の基板。 - 【請求項３】 遮光性絶縁膜の上には各画素毎に分離さ
れた金属の反射電極が形成されていることを特徴とする
請求項１に記載の反射型液晶表示装置の基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7256793A JP3074367B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 反射型液晶表示装置の基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7256793A JP3074367B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 反射型液晶表示装置の基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06289422A JPH06289422A (ja) | 1994-10-18 |
| JP3074367B2 true JP3074367B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=13493082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7256793A Expired - Lifetime JP3074367B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 反射型液晶表示装置の基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3074367B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3191085B2 (ja) * | 1996-01-29 | 2001-07-23 | 株式会社日立製作所 | 反射型液晶表示素子および液晶表示装置 |
| US6819393B1 (en) | 1998-07-28 | 2004-11-16 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical device and display apparatus using light diffraction and light guide |
| US6618104B1 (en) | 1998-07-28 | 2003-09-09 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical device having reverse mode holographic PDLC and front light guide |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP7256793A patent/JP3074367B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06289422A (ja) | 1994-10-18 |
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