JP3067287B2 - 多層基板検査法 - Google Patents
多層基板検査法Info
- Publication number
- JP3067287B2 JP3067287B2 JP3176617A JP17661791A JP3067287B2 JP 3067287 B2 JP3067287 B2 JP 3067287B2 JP 3176617 A JP3176617 A JP 3176617A JP 17661791 A JP17661791 A JP 17661791A JP 3067287 B2 JP3067287 B2 JP 3067287B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- layer
- ray
- multilayer substrate
- energy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、産業用の非破壊検査法
に関し、特に多層基板検査法に関するものである。
に関し、特に多層基板検査法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プリント基板の検査は一般に、Ｘ線の発
生装置とＸ線検出器からなる装置を用いて、そのプリン
ト基板のＸ線透画過像を視認して行われている。多層基
板の場合も同様にＸ線透過画像を調べることにより行わ
れている。また、Ｘ線発生器とＸ線検出器を同期して移
動させながら複数のＸ線透過データを測定し、このデー
タから、基板の断層像を得て、これを再構成し、１層ご
との透過画像を求める方法が用いられている。
生装置とＸ線検出器からなる装置を用いて、そのプリン
ト基板のＸ線透画過像を視認して行われている。多層基
板の場合も同様にＸ線透過画像を調べることにより行わ
れている。また、Ｘ線発生器とＸ線検出器を同期して移
動させながら複数のＸ線透過データを測定し、このデー
タから、基板の断層像を得て、これを再構成し、１層ご
との透過画像を求める方法が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】多層基板の単純なＸ線
透過像は、全ての層を透過した後のＸ線量により構成さ
れるため、各層のパターンが重なった画像となるため判
別しにくい。また、各層ごとの樹脂と金属よりなる導電
層部を別々に表示することができない。断層撮影を行う
には、Ｘ線発生器とＸ線検出器を同期して複雑に移動す
る装置が必要になる。
透過像は、全ての層を透過した後のＸ線量により構成さ
れるため、各層のパターンが重なった画像となるため判
別しにくい。また、各層ごとの樹脂と金属よりなる導電
層部を別々に表示することができない。断層撮影を行う
には、Ｘ線発生器とＸ線検出器を同期して複雑に移動す
る装置が必要になる。
【０００４】本発明は、上記課題に鑑み、多層基板の一
層ごとのＸ線透過像を得るのに、Ｘ線透過検査装置の構
成を簡素化できる、多層基板検査方法を提供することを
目的とする。
層ごとのＸ線透過像を得るのに、Ｘ線透過検査装置の構
成を簡素化できる、多層基板検査方法を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】放射線発生器と放射線検
出器とデータ演算器と画像表示装置を用いる多層基板検
査検査法において、測定対象となる多層基板の各層を構
成する材料の減弱係数と前記各層の各々の厚さの積から
なる放射線吸収量の計算値と、前記多層基板を透過した
放射線の透過強度の測定値とを用いて、前記各層ごとの
放射線の透過強度を算出し、前記多層基板の前記各層ご
との放射線透過予測画像を構成する。さらに、放射線発
生器から放射される放射線を２つのエネルギースペクト
ルに分離し、検査対象となる多層基板を透過した放射線
を測定する放射線検出器が前記放射線のエネルギーを識
別することが可能な放射線検出器を用いる多層基板検査
法において、測定対象となる多層基板の各層を構成する
材料の減弱係数と前記各層の各々の厚さの積からなる前
記２つのエネルギースペクトルごとの放射線吸収量の計
算値および前記減弱係数と、前記多層基板を透過した放
射線の前記エネルギースペクトルごとの透過強度の測定
値とを用いて、前記各層ごとの前記放射線のエネルギー
スペクトルごとの透過強度を算出し、さらに前記多層基
板の前記各層ごとの導電層のみあるいは樹脂層のみの放
射線透過予測画像を構成する。
出器とデータ演算器と画像表示装置を用いる多層基板検
査検査法において、測定対象となる多層基板の各層を構
成する材料の減弱係数と前記各層の各々の厚さの積から
なる放射線吸収量の計算値と、前記多層基板を透過した
放射線の透過強度の測定値とを用いて、前記各層ごとの
放射線の透過強度を算出し、前記多層基板の前記各層ご
との放射線透過予測画像を構成する。さらに、放射線発
生器から放射される放射線を２つのエネルギースペクト
ルに分離し、検査対象となる多層基板を透過した放射線
を測定する放射線検出器が前記放射線のエネルギーを識
別することが可能な放射線検出器を用いる多層基板検査
法において、測定対象となる多層基板の各層を構成する
材料の減弱係数と前記各層の各々の厚さの積からなる前
記２つのエネルギースペクトルごとの放射線吸収量の計
算値および前記減弱係数と、前記多層基板を透過した放
射線の前記エネルギースペクトルごとの透過強度の測定
値とを用いて、前記各層ごとの前記放射線のエネルギー
スペクトルごとの透過強度を算出し、さらに前記多層基
板の前記各層ごとの導電層のみあるいは樹脂層のみの放
射線透過予測画像を構成する。
【０００６】
【作用】断層撮影のための駆動装置を必要とせずにＸ線
の単純透過量測定から、多層基板の１層ごとのＸ線透過
像が得られる。また、各層の導電層、樹脂層各々のパタ
ーンを得ることができる。
の単純透過量測定から、多層基板の１層ごとのＸ線透過
像が得られる。また、各層の導電層、樹脂層各々のパタ
ーンを得ることができる。
【０００７】
【実施例】以下本発明を、実施例にもとづき説明する。
【０００８】（実施例１） 図１に本実施例の検査法を具現化した検査装置の構成を
示す。Ｘ線発生器１からはファンビームＸ線２が放射さ
れ、これと同期してＣｄＴｅ多チャンネル型Ｘ線検出器
３を走査することにより、データ演算器８を介して画像
表示装置４に２次元のＸ線透過像が表示される。ＣｄＴ
ｅ多チャンネル型Ｘ線検出器３のチャンネルピッチは２
００μｍであり、走査ピッチを２００μｍとした。Ｘ線
透過画像は、検査対象の４層からなる多層基板５を透過
したＸ線光子のカウント数の大小により構成される。検
査の対象となる多層基板のパターン構成は設計からわか
る。
示す。Ｘ線発生器１からはファンビームＸ線２が放射さ
れ、これと同期してＣｄＴｅ多チャンネル型Ｘ線検出器
３を走査することにより、データ演算器８を介して画像
表示装置４に２次元のＸ線透過像が表示される。ＣｄＴ
ｅ多チャンネル型Ｘ線検出器３のチャンネルピッチは２
００μｍであり、走査ピッチを２００μｍとした。Ｘ線
透過画像は、検査対象の４層からなる多層基板５を透過
したＸ線光子のカウント数の大小により構成される。検
査の対象となる多層基板のパターン構成は設計からわか
る。
【０００９】図２は本実施例で検査を行った多層基板の
各層の座標ｘ１での断面図である。ガラスエポキシ樹脂
６に導電層として、Ｃｕパターン７が接着してある。
各層の座標ｘ１での断面図である。ガラスエポキシ樹脂
６に導電層として、Ｃｕパターン７が接着してある。
【００１０】一般に、あるエネルギーＥｋｅＶをもつＸ
線光子の物体を透過強度は、（数１）で表される。
線光子の物体を透過強度は、（数１）で表される。
【００１１】
【数１】
【００１２】ここで、Ｉは透過強度、Ｉ0は照射強度、
μEはエネルギーＥにおける物体の減弱係数、Ｔは物体
の厚さである。
μEはエネルギーＥにおける物体の減弱係数、Ｔは物体
の厚さである。
【００１３】したがって、多層基板５の各点でのＸ線に
対する（数２）で示されるようなＸ線の吸収量に相当す
る値ｋEを求めればよい。
対する（数２）で示されるようなＸ線の吸収量に相当す
る値ｋEを求めればよい。
【００１４】
【数２】
【００１５】Ｘ線発生器１から照射されるファンビーム
Ｘ線２のスペクトルは，図３に示すように、４０ｋｅＶ
の範囲でＸ線光子が分布している。図中、エネルギーＥ
ｋｅＶにおけるＸ線強度はＩ0Eである。
Ｘ線２のスペクトルは，図３に示すように、４０ｋｅＶ
の範囲でＸ線光子が分布している。図中、エネルギーＥ
ｋｅＶにおけるＸ線強度はＩ0Eである。
【００１６】１〜４０ｋｅＶまでの導電層部の金属のエ
ネルギーＥの光子に対する減弱係数、μmE、ガラスエポ
キシ樹脂のエネルギーＥの光子に対する減弱係数μpEを
１ｋｅＶごとに求めた。これらは、導電層であるＣｕパ
ターン７、ガラスエポキシ樹脂６を構成する各々の元素
の重量組成比を利用して計算した。
ネルギーＥの光子に対する減弱係数、μmE、ガラスエポ
キシ樹脂のエネルギーＥの光子に対する減弱係数μpEを
１ｋｅＶごとに求めた。これらは、導電層であるＣｕパ
ターン７、ガラスエポキシ樹脂６を構成する各々の元素
の重量組成比を利用して計算した。
【００１７】検査対象となる多層基板５の平面を２００
μｍごとに分割し、（ｘ，ｙ）座標で位置づけた。
μｍごとに分割し、（ｘ，ｙ）座標で位置づけた。
【００１８】次に、ｎ層目の位置（ｘ、ｙ）におけるＸ
線吸収量に相当する値ｋnE（ｘ、ｙ）をそれぞれ求め
た。ｋnE（ｘ、ｙ）は（数３）で示される。
線吸収量に相当する値ｋnE（ｘ、ｙ）をそれぞれ求め
た。ｋnE（ｘ、ｙ）は（数３）で示される。
【００１９】
【数３】
【００２０】ここで、Ｔnm(x,y)、Ｔnp(x,y)はそれぞれ
ｎ層の導電層部Ｃｕの厚さ、ガラスエポキシ樹脂の厚さ
であり、ｋnmE(x,y)、ｋnpE(x,y)はそれぞれｎ層の導電
層部、ガラスエポキシ樹脂部のＸ線吸収量である。
ｎ層の導電層部Ｃｕの厚さ、ガラスエポキシ樹脂の厚さ
であり、ｋnmE(x,y)、ｋnpE(x,y)はそれぞれｎ層の導電
層部、ガラスエポキシ樹脂部のＸ線吸収量である。
【００２１】図２中の１層目の点（ｘ１、ｙ１）では、
Ｔ1m(x1,y1)、Ｔ1p(x1,y1)はそれぞれＴ1m、Ｔ1p、（ｘ
１、ｙ２）においてはＴ1m(x1,y2)、Ｔ1p(x1,y2)は０、
Ｔ1pとなる。
Ｔ1m(x1,y1)、Ｔ1p(x1,y1)はそれぞれＴ1m、Ｔ1p、（ｘ
１、ｙ２）においてはＴ1m(x1,y2)、Ｔ1p(x1,y2)は０、
Ｔ1pとなる。
【００２２】以上のｋnE（ｘ、ｙ）と（ｘ，ｙ）におけ
るＸ線透過強度の測定値Ｉs（ｘ、ｙ）から、各層ごと
のＸ線透過強度の測定データＩn(x、y)を以下のようにし
て求めることができる。
るＸ線透過強度の測定値Ｉs（ｘ、ｙ）から、各層ごと
のＸ線透過強度の測定データＩn(x、y)を以下のようにし
て求めることができる。
【００２３】検査対象となる多層基板５の全層を透過し
たのち、測定されたエネルギーＥのＸ線の強度IsE(x、y)
は、
たのち、測定されたエネルギーＥのＸ線の強度IsE(x、y)
は、
【００２４】
【数４】
【００２５】で表される。
【００２６】各層ごとにＸ線を照射した場合のエネルギ
ーＥ（ｋｅＶ）における透過Ｘ線強度は以下のように表
される。
ーＥ（ｋｅＶ）における透過Ｘ線強度は以下のように表
される。
【００２７】
【数５】
【００２８】例えば、２層目のみのＸ線透過強度の測定
データＩ2E(x,y)は、
データＩ2E(x,y)は、
【００２９】
【数６】
【００３０】で表わされる。
【００３１】（数４）と（数５）から、２層目のみのエ
ネルギーＥ（ｋｅＶ）におけるＸ線透過強度は測定した
Ｘ線透過強度IsE(x,y)を用いて（数７）のように表すこ
とができる。
ネルギーＥ（ｋｅＶ）におけるＸ線透過強度は測定した
Ｘ線透過強度IsE(x,y)を用いて（数７）のように表すこ
とができる。
【００３２】
【数７】
【００３３】Ｘ線管から放射されるＸ線のすべてのエネ
ルギー帯については、（数７）を用いて得られた、各エ
ネルギーにおける２層目のみの透過強度を加算して得
る。後述するように、透過Ｘ線をパルス計測することに
より、パルス波高を弁別し、パルス波高ごとのパルス数
を求めることにより、各エネルギーにおける透過Ｘ線強
度を計測でき、各エネルギーごとのパルス数の総和を求
めることで、全エネルギー範囲のＸ線強度を求めること
ができる。以上から、全層を透過したＸ線強度と基板を
構成する導電層と樹脂層の材料と厚さから求まる吸収量
により、各層ごとの透過Ｘ線量を算出できる。
ルギー帯については、（数７）を用いて得られた、各エ
ネルギーにおける２層目のみの透過強度を加算して得
る。後述するように、透過Ｘ線をパルス計測することに
より、パルス波高を弁別し、パルス波高ごとのパルス数
を求めることにより、各エネルギーにおける透過Ｘ線強
度を計測でき、各エネルギーごとのパルス数の総和を求
めることで、全エネルギー範囲のＸ線強度を求めること
ができる。以上から、全層を透過したＸ線強度と基板を
構成する導電層と樹脂層の材料と厚さから求まる吸収量
により、各層ごとの透過Ｘ線量を算出できる。
【００３４】この結果のＩ2（ｘ，ｙ）を画像表示装置
４に表示し、２層目のパターンを確認することができ
た。
４に表示し、２層目のパターンを確認することができ
た。
【００３５】（数７）からわかるように、ｎ層目のみの
Ｘ線透過強度を得るには、ｎ層めをのぞくＸ線吸収量に
相当する値ｋnE（ｘ，ｙ）を加算した値の指数関数に測
定したＸ線強度を乗算することにより得られる。
Ｘ線透過強度を得るには、ｎ層めをのぞくＸ線吸収量に
相当する値ｋnE（ｘ，ｙ）を加算した値の指数関数に測
定したＸ線強度を乗算することにより得られる。
【００３６】ｋnE（ｘ，ｙ）は、検査対象となる多層基
板の設計時の材料組成や厚さから求めることができるた
め、各層ごとのＸ線透過量は（数５）により計算であら
かじめ求められる。この値と、測定したＸ線透過強度か
ら例えば（数７）により求めた値を各点において比較す
ることで基板が設計通りであるかどうかを検査すること
ができた。
板の設計時の材料組成や厚さから求めることができるた
め、各層ごとのＸ線透過量は（数５）により計算であら
かじめ求められる。この値と、測定したＸ線透過強度か
ら例えば（数７）により求めた値を各点において比較す
ることで基板が設計通りであるかどうかを検査すること
ができた。
【００３７】この様にして、１層目から４層目までの各
層のＸ線画像を順次表示し、パターンを確認した。
層のＸ線画像を順次表示し、パターンを確認した。
【００３８】Ｘ線検出器として用いたＣｄＴｅ多チャン
ネル型検出器は、Ｘ線光子エネルギーに比例した波高の
パルスを出力するため、Ｘ線管から出力されるエネルギ
ーに対応した波高のパルスを計数し加算していくことに
より、（数５）、（数６）、（数７）で表したような全
エネルギー範囲についての計測が可能である。
ネル型検出器は、Ｘ線光子エネルギーに比例した波高の
パルスを出力するため、Ｘ線管から出力されるエネルギ
ーに対応した波高のパルスを計数し加算していくことに
より、（数５）、（数６）、（数７）で表したような全
エネルギー範囲についての計測が可能である。
【００３９】Ｘ線検出器としては、シンチレータアレ
イ、ＣＣＤ、蛍光体とＣＣＤを組合せた検出器なども用
いることができる。
イ、ＣＣＤ、蛍光体とＣＣＤを組合せた検出器なども用
いることができる。
【００４０】また、Ｘ線発生器の代わりに、γ線を照射
することによっても行なうことができる。
することによっても行なうことができる。
【００４１】（実施例２） 本実施例では、各層の導電層ごと、樹脂層ごとの画像を
得る方法について説明する。
得る方法について説明する。
【００４２】図４に本実施例で用いたＸ線のスペクトル
を示す。Ｘ線は、２０ｋｅＶで２つのスペクトルに分離
されている。この分離はＸ線発生器の照射口に、ｋエッ
ジフィルタを設置することにより行なった。ｋエッジフ
ィルタはＭｏを用いた。ここでは、２０ｋｅＶ以下のＸ
線スペクトルをスペクトルＬ、２０ｋｅＶ以上のＸ線ス
ペクトルをスペクトルＨと呼ぶことにする。
を示す。Ｘ線は、２０ｋｅＶで２つのスペクトルに分離
されている。この分離はＸ線発生器の照射口に、ｋエッ
ジフィルタを設置することにより行なった。ｋエッジフ
ィルタはＭｏを用いた。ここでは、２０ｋｅＶ以下のＸ
線スペクトルをスペクトルＬ、２０ｋｅＶ以上のＸ線ス
ペクトルをスペクトルＨと呼ぶことにする。
【００４３】Ｘ線検出器としては、１つのチャンネルが
図５に示す構成のＣｄＴｅ多チャンネル型検出器を用い
た。この検出器は、入射したＸ線光子のエネルギーを識
別することができ、入射光子のエネルギーに比例した波
高のパルスを出力する。
図５に示す構成のＣｄＴｅ多チャンネル型検出器を用い
た。この検出器は、入射したＸ線光子のエネルギーを識
別することができ、入射光子のエネルギーに比例した波
高のパルスを出力する。
【００４４】ＣｄＴｅ１６の１つのチャンネルの増幅器
１５からの出力パルスは、２つのパルス波高の比較器１
１、１２により、弁別されたのち、計数器１３、１４に
より計数される。比較器１１では、電圧Ｖ１より大きな
パルス波高をもつパルスが入力された場合に、パルスを
出力し、これが、計数器１３で計数される。比較器１２
では、電圧Ｖ２より大きなパルス波高をもつパルスが入
力された場合に、パルスを出力し、これが、計数器１４
で計数される。
１５からの出力パルスは、２つのパルス波高の比較器１
１、１２により、弁別されたのち、計数器１３、１４に
より計数される。比較器１１では、電圧Ｖ１より大きな
パルス波高をもつパルスが入力された場合に、パルスを
出力し、これが、計数器１３で計数される。比較器１２
では、電圧Ｖ２より大きなパルス波高をもつパルスが入
力された場合に、パルスを出力し、これが、計数器１４
で計数される。
【００４５】従って、Ｖ１を検出器のノイズレベルより
わずかに高い値に設定し、Ｖ２をＸ線の分離エネルギー
に相当するパルスの波高値、すなわち２０ｋｅＶに相当
する波高の電圧に設定することにより、エネルギー帯
Ｌ，Ｈにある光子の数、すなわち透過Ｘ線強度をそれぞ
れ計数器１３、１４により同時に計数することができ
る。
わずかに高い値に設定し、Ｖ２をＸ線の分離エネルギー
に相当するパルスの波高値、すなわち２０ｋｅＶに相当
する波高の電圧に設定することにより、エネルギー帯
Ｌ，Ｈにある光子の数、すなわち透過Ｘ線強度をそれぞ
れ計数器１３、１４により同時に計数することができ
る。
【００４６】以上のようなＸ線発生器とＸ線検出器によ
り、実施例１と同様な多層基板のＸ線透過強度を２次元
測定し、エネルギー帯Ｌにあるエネルギーの光子の透過
強度の測定値をＩsL（ｘ，ｙ）、エネルギー帯Ｈにある
エネルギーの光子の透過強度の測定値ＩsH（ｘ，ｙ）を
得た。それぞれ以下の（数１１）（数１２）で表すこと
ができる。
り、実施例１と同様な多層基板のＸ線透過強度を２次元
測定し、エネルギー帯Ｌにあるエネルギーの光子の透過
強度の測定値をＩsL（ｘ，ｙ）、エネルギー帯Ｈにある
エネルギーの光子の透過強度の測定値ＩsH（ｘ，ｙ）を
得た。それぞれ以下の（数１１）（数１２）で表すこと
ができる。
【００４７】
【数８】
【００４８】
【数９】
【００４９】ここで、ｋnL(x、y)、ｋnH(x、y)は、エネル
ギー帯ＬとＨにおけるＸ線吸収量に相当し、（数３）と
同じく基板を構成する減弱係数と厚さから求められる。
測定対象となる基板の減弱係数は、基板を構成する原子
のエネルギー帯ＬとＨの実効エネルギーにおける減弱係
数を用いて求めことができる。
ギー帯ＬとＨにおけるＸ線吸収量に相当し、（数３）と
同じく基板を構成する減弱係数と厚さから求められる。
測定対象となる基板の減弱係数は、基板を構成する原子
のエネルギー帯ＬとＨの実効エネルギーにおける減弱係
数を用いて求めことができる。
【００５０】各層ごとにＸ線を照射した場合のエネルギ
ー帯ＬとＨにおける透過Ｘ線強度は以下のように表され
る。
ー帯ＬとＨにおける透過Ｘ線強度は以下のように表され
る。
【００５１】
【数１０】
【００５２】
【数１１】
【００５３】例えば、２層目のみのＸ線透過強度の測定
データＩ2L(x,y)、Ｉ2H(x,y)は、
データＩ2L(x,y)、Ｉ2H(x,y)は、
【００５４】
【数１２】
【００５５】
【数１３】
【００５６】で表わされる。
【００５７】（数８）、（数９）と（数１２）、（数１
３）から、２層目のみのエネルギー帯Ｌとエネルギー帯
ＨにおけるＸ線透過強度は測定したＸ線透過強度I
sE(x,y)を用いて（数１４）、（数１５）のように表す
ことができる。
３）から、２層目のみのエネルギー帯Ｌとエネルギー帯
ＨにおけるＸ線透過強度は測定したＸ線透過強度I
sE(x,y)を用いて（数１４）、（数１５）のように表す
ことができる。
【００５８】
【数１４】
【００５９】
【数１５】
【００６０】エネルギー２０ｋｅＶまでのエネルギー帯
Ｌ、２０ｋｅＶから４０ｋｅＶまでのエネルギー帯Ｈ、
それぞれについて、各層ごとのＸ線透過強度ＩnL（ｘ，
ｙ）、ＩnH（ｘ，ｙ）をこのようにしてＩsL（ｘ，
ｙ）、ＩsH（ｘ，ｙ）を用いて算出できた。 これによ
り、異なるエネルギースペクトルを持つＸ線による各層
ごとの透過画像が画像表示装置に表示できた。
Ｌ、２０ｋｅＶから４０ｋｅＶまでのエネルギー帯Ｈ、
それぞれについて、各層ごとのＸ線透過強度ＩnL（ｘ，
ｙ）、ＩnH（ｘ，ｙ）をこのようにしてＩsL（ｘ，
ｙ）、ＩsH（ｘ，ｙ）を用いて算出できた。 これによ
り、異なるエネルギースペクトルを持つＸ線による各層
ごとの透過画像が画像表示装置に表示できた。
【００６１】以上のようにして求めた各層ごとのＸ線透
過強度から、エネルギー差分法を用いて、各層の導電層
のみのＸ線吸収量に相当する値、樹脂層のみのＸ線吸収
量に相当する値を算出して画像として表示し、導電層の
パターンを目視検査できる。
過強度から、エネルギー差分法を用いて、各層の導電層
のみのＸ線吸収量に相当する値、樹脂層のみのＸ線吸収
量に相当する値を算出して画像として表示し、導電層の
パターンを目視検査できる。
【００６２】ここでは、第２層の導電層パターンを表示
する方法について述べる。（数１２）、（数１３）の両
辺の対数を取ると
する方法について述べる。（数１２）、（数１３）の両
辺の対数を取ると
【００６３】
【数１６】
【００６４】
【数１７】
【００６５】この（数１６）、（数１７）からＴ2pを消
去して、２層目の導電層の厚さをＴ2mを求めることがで
き、
去して、２層目の導電層の厚さをＴ2mを求めることがで
き、
【００６６】
【数１８】
【００６７】と表すことができる。
【００６８】この（数１８）に、測定したＸ線透過強度
から（数１４）、（数１５）により求めたI2L(x,y)、I
2H(x,y)を用いて計算することにより、各点の２層目の
導電層部の厚さを計算することができる。
から（数１４）、（数１５）により求めたI2L(x,y)、I
2H(x,y)を用いて計算することにより、各点の２層目の
導電層部の厚さを計算することができる。
【００６９】このようにして、各層の導電層部のみの画
像として表示し、設計時のパターンから理論的に求めら
れる画像と比較することにより、容易にパターン切れな
どの不良を検査することができる。
像として表示し、設計時のパターンから理論的に求めら
れる画像と比較することにより、容易にパターン切れな
どの不良を検査することができる。
【００７０】また、逆に（数１６）、（数１７）から導
電層の厚さＴ2n(x,y)を消去し、各層の樹脂層のみの画
像を表示でき、絶縁が保たれているか、チェックするこ
とができた。
電層の厚さＴ2n(x,y)を消去し、各層の樹脂層のみの画
像を表示でき、絶縁が保たれているか、チェックするこ
とができた。
【００７１】Ｘ線検出器として、シンチレーション検出
器をパルスモードで動作させても、あるいはガンマカメ
ラを用いても可能であった。
器をパルスモードで動作させても、あるいはガンマカメ
ラを用いても可能であった。
【００７２】Ｘ線発生器としては、複数のエネルギーを
持つγ線源を用いてもよい。この場合、ｋエッジフィル
タは必要としない。
持つγ線源を用いてもよい。この場合、ｋエッジフィル
タは必要としない。
【００７３】
【発明の効果】本発明により、多層基板のＸ線透過像
が、簡単なＸ線透過検査装置により得ることができる。
が、簡単なＸ線透過検査装置により得ることができる。
【図１】本発明の多層基板検査法の実施例を用いた検査
装置の構成図
装置の構成図
【図２】多層基板の一例における各層の断面図
【図３】図１の検査装置で用いたＸ線のスペクトル図
【図４】図１の検査装置で用いた他のＸ線のスペクトル
図
図
【図５】図１の検査装置において用いたＣｄＴｅ多チャ
ンネル型Ｘ線検出器の１つのチャンネルの構成図
ンネル型Ｘ線検出器の１つのチャンネルの構成図
１ Ｘ線発生器 ２ ファンビームＸ線 ３ ＣｄＴｅ多チャンネル型Ｘ線検出器 ４ 画像表示装置 ５ 多層基板 ６ ガラスエポキシ樹脂 ７ Ｃｕパターン ８ データ演算器 １１、１２ 比較器 １３、１４ 計数器 １５ 増幅器 １６ ＣｄＴｅ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 筒井 博司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−121742（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/66 H05K 3/46
Claims (3)
- 【請求項１】 放射線発生器と放射線検出器とデータ演
算器と画像表示装置とを用いる多層基板検査法におい
て、測定対象となる多層基板の各層を構成する各々の材
料の減弱係数と前記各層の各々の厚さの積からなる放射
線吸収量の計算値と、前記多層基板を透過した放射線の
透過強度の測定値とを用いて、前記各層ごとの放射線の
透過強度を算出し、前記各層ごとの放射線透過予測画像
を構成し、前記放射線透過予測画像と理論的に計算され
る前記各層の放射線透過画像とを比較することにより検
査することを特徴とする多層基板検査法。 - 【請求項２】 放射線発生器から放射される放射線を２
つのエネルギースペクトルに分離し、検査対象となる多
層基板を透過した放射線を測定する放射線検出器が前記
放射線のエネルギーを識別することが可能な放射線検出
器を用いる多層基板検査法において、測定対象となる多
層基板の各層を構成する材料の減弱係数と前記各層の各
々の厚さの積からなる前記２つのエネルギースペクトル
ごとの放射線吸収量の計算値および前記減弱係数と、前
記多層基板を透過した放射線の前記エネルギースペクト
ルごとの透過強度の測定値とを用いて、前記各層ごとの
前記放射線のエネルギースペクトルごとの透過強度を算
出し、さらに前記多層基板の前記各層ごとの導電層のみ
あるいは樹脂層のみの放射線透過予測画像を構成し、前
記放射線透過予測画像と理論的に計算される前記各層ご
との導電層のみあるいは樹脂層のみの放射線透過画像と
を比較することにより検査することを特徴とする多層基
板検査法。 - 【請求項３】 放射線発生器がｋエッジフィルタとＸ線
発生器からなり、前記放射線検出器がＣｄＴｅ多チャン
ネル型放射線検出器であることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の多層基板検査法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3176617A JP3067287B2 (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 多層基板検査法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3176617A JP3067287B2 (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 多層基板検査法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521548A JPH0521548A (ja) | 1993-01-29 |
| JP3067287B2 true JP3067287B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=16016707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3176617A Expired - Fee Related JP3067287B2 (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 多層基板検査法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3067287B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5754621A (en) * | 1993-03-15 | 1998-05-19 | Hitachi, Ltd. | X-ray inspection method and apparatus, prepreg inspecting method, and method for fabricating multi-layer printed circuit board |
| JPH10267628A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | ３次元形状検出方法およびその装置並びに基板の製造方法 |
| US7693261B2 (en) * | 2007-05-17 | 2010-04-06 | Durham Scientific Crystals Limited | Method and apparatus for inspection of materials |
| JP5863101B2 (ja) * | 2011-10-26 | 2016-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｘ線非破壊検査装置 |
-
1991
- 1991-07-17 JP JP3176617A patent/JP3067287B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521548A (ja) | 1993-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0385505B1 (en) | Radiographic image processing method and photographic imaging apparatus therefor | |
| EP0938250B1 (en) | Apparatus and method for dual-energy X-ray imaging | |
| US5825032A (en) | Radiographic apparatus and image processing method | |
| Pacella | Energy-resolved X-ray detectors: the future of diagnostic imaging | |
| US20100027743A1 (en) | Apparatus and method for determiining a detector energy weighting function of a detection unit | |
| JPH0527043A (ja) | ｋ吸収端フイルタおよびＸ線装置 | |
| JPS6314984B2 (ja) | ||
| JPH04300525A (ja) | 骨塩定量分析方法 | |
| JP3459745B2 (ja) | 画像処理装置、放射線撮影装置及び画像処理方法 | |
| JPS6080746A (ja) | 放射線受像方法 | |
| JP6596414B2 (ja) | Ｘ線検出器におけるｘ線線量パラメータを測定するための装置、及び放射線学的情報を取り扱うためのコンピュータネットワーク | |
| Nillius et al. | Light output measurements and computational models of microcolumnar CsI scintillators for x‐ray imaging | |
| JPH06121791A (ja) | Ｘ線定量装置およびｘ線定量方法 | |
| JP3067287B2 (ja) | 多層基板検査法 | |
| GB2025728A (en) | Correction for radiation hardening in tomography | |
| RU2407437C2 (ru) | Способ регистрации рентгеновского изображения объекта в различных диапазонах спектра рентгеновского излучения | |
| KR20160056194A (ko) | 다층 구조 평판형 x선 검출기 및 이를 이용한 다중에너지 x선 영상구현방법 | |
| JP5648891B2 (ja) | 放射線測定方法及び放射線測定装置 | |
| Tsutsui et al. | CdTe semiconductor X-ray imaging sensor and energy subtraction method using X-ray energy information | |
| JPH0341933A (ja) | 放射線画像処理方法および撮影装置 | |
| EP0212836A1 (en) | Radiation imaging systems | |
| Kalivas et al. | Modeling quantum noise of phosphors used in medical X-ray imaging detectors | |
| Hellier et al. | Evaluation of a Large Area, 83$\mu $ m Pixel Pitch Amorphous Selenium Indirect Flat Panel Detector | |
| Cavouras et al. | An investigation of the imaging characteristics of the Y2O2S: Eu3+ phosphor for application in X-ray detectors of Digital Mammography | |
| JPH05216141A (ja) | 放射線画像処理方法および放射線画像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |