JP3056655B2 - Aniline-based conductive polymer film and method for producing the same - Google Patents

Aniline-based conductive polymer film and method for producing the same

Info

Publication number
JP3056655B2
JP3056655B2 JP6305733A JP30573394A JP3056655B2 JP 3056655 B2 JP3056655 B2 JP 3056655B2 JP 6305733 A JP6305733 A JP 6305733A JP 30573394 A JP30573394 A JP 30573394A JP 3056655 B2 JP3056655 B2 JP 3056655B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
aniline
conductive polymer
acid
polymer film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP6305733A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH08143664A (en
Inventor
隆司 斉藤
茂 清水
恭之 高柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Mitsubishi Rayon Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Mitsubishi Rayon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp, Mitsubishi Rayon Co Ltd filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP6305733A priority Critical patent/JP3056655B2/en
Publication of JPH08143664A publication Critical patent/JPH08143664A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3056655B2 publication Critical patent/JP3056655B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、化学的安定性に優れる
アニリン系導電性高分子膜とその製造方法に関するもの
である。本発明のアニリン系導電性高分子膜は各種帯電
防止、各種センサー、電池電極材料、コンデンサー電極
材料等の用途に適応可能である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an aniline-based conductive polymer film having excellent chemical stability and a method for producing the same. The aniline-based conductive polymer film of the present invention is applicable to various antistatic applications, various sensors, battery electrode materials, capacitor electrode materials, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術と問題点】アニリン系重合体は、工業原料
のアニリンを使用し電気的または化学的酸化重合によっ
て容易に得られ、塩酸や硫酸等のプロトン酸により容易
にドープされ比較的高導電性を示すことから導電性高分
子として注目されている。また、アニリンを酸化剤とし
てペルオキソ二硫酸アンモニウムを用いてプロトン酸性
条件下で重合すると高分子量のものが得られ、それをア
ンモニア水などで処理することによりN,N−ジメチル
ホルムアミドやN−メチル−2−ピロリドンなど極性溶
媒に可溶な重合体が得られることが報告(Synth.
Met.,18,285(1987)、Synth.M
et.,18,317(1987)、J.Chem.S
oc.,Chem.Commun.,22,1736
(1989))されており、そのフィルム化(薄膜化)
などによる用途開発がなされている。アニリン系導電性
重合体を用いて導電性高分子膜を得ようとする場合に
は、アニリン系導電性重合体を脱ドープ状態に変換し、
N,N−ジメチルホルムアミドやN−メチル−2−ピロ
リドンなど極性有機溶媒に溶解し、その溶液をスピンコ
ート法やキャスト法によってフィルム化した後に、ドー
ピングする方法が一般的に用いられている。
2. Description of the Related Art Aniline-based polymers are easily obtained by electrical or chemical oxidative polymerization using aniline as an industrial raw material, and are easily doped with a protic acid such as hydrochloric acid or sulfuric acid to obtain a relatively high conductivity. It has attracted attention as a conductive polymer because of its properties. When polymerized under protonic acid conditions using ammonium peroxodisulfate as an oxidizing agent, a high molecular weight product is obtained, which is treated with aqueous ammonia or the like to give N, N-dimethylformamide or N-methyl-2. -It is reported that a polymer soluble in a polar solvent such as pyrrolidone can be obtained (Synth.
Met. , 18, 285 (1987), Synth. M
et. , 18, 317 (1987); Chem. S
oc. Chem. Commun. , 22,1736
(1989)) and its film (thinning)
Applications are being developed for this purpose. When trying to obtain a conductive polymer film using an aniline-based conductive polymer, the aniline-based conductive polymer is converted to a undoped state,
Generally, a method of dissolving in a polar organic solvent such as N, N-dimethylformamide or N-methyl-2-pyrrolidone, forming the solution into a film by spin coating or casting, and then doping is used.

【0003】従来、アニリン系導電性高分子膜において
はドーパントとして、塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸など
の無機塩、p−トルエンスルホン酸、ドデンシルベンゼ
ンスルホン酸などの有機酸などが付加したものが知られ
ている。これらの低分子のドーパントを有するアニリン
系導電性高分子膜は、そのドーパントが多量に高分子膜
中にドーピングされるが、アニリン系導電性高分子膜中
を容易に移動したり、また加熱処理等によって飛散し脱
離しやすいという問題があり、物理的及び化学的に安定
なものとは言い難い。
Conventionally, an inorganic salt such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, and perchloric acid, and an organic acid such as p-toluenesulfonic acid and dodensylbenzenesulfonic acid have been added to an aniline-based conductive polymer film as a dopant. Things are known. In the aniline-based conductive polymer film having these low-molecular dopants, a large amount of the dopant is doped into the polymer film, but the dopant easily moves through the aniline-based conductive polymer film or is subjected to heat treatment. There is a problem that it is easily scattered and desorbed due to, for example, and it is hard to say that it is physically and chemically stable.

【0004】そこで、近年、炭素数5以上のアルカンス
ルホン酸をドーパントとして有する重合体(特開平01
−163263号公報)、ポリスチレンスルホン酸、ポ
リビニル硫酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスル
ホン酸、ポリメタクリルスルホン酸、ポリ(2−アクリ
ルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸)などのポリ
マー酸をドーパントとして有する導電性有機重合体薄膜
複合体及びその製造方法(特開平02−169525号
公報)、ドーパントとして、スルホン化ポリエチレン、
スルホン化ポリスチレン、スルホン化ポリ(2,5−ジ
メチルフェニレンオキシド)、スルホン化ポリビニルア
ルコールなどの高分子アニオンを用いる導電性高分子組
成物やその製造方法(特開昭59−98165号公報)
が提案されている。しかしながら、これらの化合物は脱
ドープ状態のアニリン系重合体に対するドーピングが低
く、しかも不均一である。そのため、アニリン系導電性
高分子膜は導電性が低いという問題がある。また、耐熱
性および耐候性においても十分とは言えない。
Therefore, in recent years, a polymer having an alkanesulfonic acid having 5 or more carbon atoms as a dopant (Japanese Unexamined Patent Publication No.
163263), a conductive material having as a dopant a polymer acid such as polystyrenesulfonic acid, polyvinylsulfuric acid, polyvinylsulfonic acid, polyallylsulfonic acid, polymethacrylsulfonic acid, and poly (2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid). Organic polymer thin film composite and method for producing the same (JP-A-02-169525), sulfonated polyethylene as a dopant,
A conductive polymer composition using a polymer anion such as sulfonated polystyrene, sulfonated poly (2,5-dimethylphenylene oxide), and sulfonated polyvinyl alcohol, and a method for producing the same (JP-A-59-98165).
Has been proposed. However, these compounds have low doping to the undoped aniline-based polymer and are non-uniform. Therefore, there is a problem that the aniline-based conductive polymer film has low conductivity. Further, heat resistance and weather resistance are not sufficient.

【0005】また、ドーピング方法に用いられる前述の
無機塩、有機酸またはポリマー酸を含む溶液は、強酸性
を示すため腐食性が強く、工業的に適するとは言い難
い。
Further, the solution containing the above-mentioned inorganic salt, organic acid or polymer acid used in the doping method shows strong acidity, is highly corrosive, and cannot be said to be industrially suitable.

【0006】このほか、脱ドープ状態のポリアニリンお
よびその誘導体と重合性スルホン酸とを複合後にスルホ
ン酸を重合する導電性高分子複合物の製造方法(特開平
06−32845号公報)も提案されているが、成膜後
スルホン酸の重合工程が必要であり操作が煩雑であるこ
と、ドーパントである重合したスルホン酸は膜中で強酸
性を示すことなどの問題が残されている。
In addition, there has been proposed a method of producing a conductive polymer composite in which sulfonic acid is polymerized after compounding undoped polyaniline or a derivative thereof with a polymerizable sulfonic acid (JP-A-06-32845). However, there are still problems such as the necessity of a polymerization step of sulfonic acid after film formation and complicated operation, and the fact that the polymerized sulfonic acid as a dopant shows strong acidity in the film.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高い
導電性を発現すると共に、耐熱性、耐候性に優れた化学
的および物理的に安定なアニリン系導電性高分子膜およ
びその製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a chemically and physically stable aniline-based conductive polymer film exhibiting high conductivity and excellent heat resistance and weather resistance, and a method for producing the same. Is to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成すべく鋭意検討した結果、スルホン基および/
またはカルボキシル基などを有する酸性基置換アニリン
類を繰り返し単位として70%以上有する可溶性アニリ
ン系導電性ポリマー類がドーピング剤として優れた性能
を発揮し、アニリン系高分子膜を高導電化することがで
き、しかも得られたドープ状態のアニリン系導電性高分
子膜は耐熱性、耐候性などの化学的および物理的安定性
が非常に優れていることを見い出した。本発明はこのよ
うな知見に基づいて達成されたものである。
Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, have found that a sulfone group and / or
Alternatively, a soluble aniline-based conductive polymer having 70% or more of an acidic group-substituted aniline having a carboxyl group or the like as a repeating unit exhibits excellent performance as a doping agent, and can increase the conductivity of an aniline-based polymer film. Further, it has been found that the obtained aniline-based conductive polymer film in a doped state has extremely excellent chemical and physical stability such as heat resistance and weather resistance. The present invention has been achieved based on such findings.

【0009】すなわち、本発明の第一は、一般式(1)That is, the first aspect of the present invention is the general formula (1)

【化5】 (式中、R〜R18は、水素、炭素数1〜4の直鎖ま
たは分岐のアルキル基、炭素数1〜4の直鎖または分岐
のアルコキシ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハ
ロゲン基よりなる群から選ばれた一つの基である。xは
0〜1の任意の数を表し、nは重合度を示し、2〜50
00の数である)で表される脱酸処理または還元処理し
た脱ドープ状態のアニリン系高分子膜(m)に、スルホ
ン基および/またはカルボキシル基などを有する酸性基
置換アニリン、そのアルカリ金属塩、アンモニウム塩お
よび/または置換アンモニウム塩を繰り返し単位として
70%以上有するポリマーであって、その重量平均分子
量が1900以上の常温固体状である可溶性アニリン系
導電性ポリマー類(a)がドーパントとして付加してい
ることを特徴とするアニリン系導電性高分子膜に関す
る。
Embedded image (Wherein, R 1 to R 18 are hydrogen, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxyl group, a nitro group, an amino group, and a halogen atom. X represents an arbitrary number of 0 to 1, n represents a degree of polymerization, and 2 to 50.
Aniline-containing aniline having a sulfone group and / or a carboxyl group, or an alkali metal salt thereof, on the undoped aniline-based polymer membrane (m) represented by , An ammonium salt and / or a substituted ammonium salt as a repeating unit, a soluble aniline-based conductive polymer (a) having a weight average molecular weight of 1900 or more and being a solid at room temperature is added as a dopant. And a aniline-based conductive polymer film.

【0010】本発明の前記アニリン系導電性高分子膜を
構成する前記アニリン系高分子膜(m)としては、上記
の一般式(1)の構造式で示される脱ドープ状態のアニ
リン系重合体を薄膜化したものが好ましい。アニリン系
重合体の例としては、ポリアニリン、ポリ(メチルアニ
リン)、ポリ(エチルアニリン)、ポリ(n−プロピル
アニリン)ポリ(iso−プロピルアニリン)、ポリ
(n−ブチルアニリン)、ポリ(iso−ブチルアニリ
ン)、ポリ(sec−ブチルアニリン)、ポリ(t−ブ
チルアニリン)などのポリ(アルキル基置換アニリ
ン)、ポリ(N−メチルアニリン)、ポリ(N−エチル
アニリン)、ポリ(N−n−プロピルアニリン)ポリ
(N−iso−プロピルアニリン)、ポリ(N−n−ブ
チルアニリン)、ポリ(N−iso−ブチルアニリ
ン)、ポリ(N−sec−ブチルアニリン)、ポリ(N
−t−ブチルアニリン)などのポリ(N−アルキル基置
換アニリン)、ポリ(メトキシアニリン)、ポリ(エト
キシアニリン)、ポリ(n−プロポキシアニリン)、ポ
リ(iso−プロポキシアニリン)、ポリ(n−ブトキ
シアニリン)、ポリ(iso−ブトキシアニリン)、ポ
リ(sec−ブトキシアニリン)、ポリ(t−ブトキシ
アニリン)などのポリ(アルコキシ基置換アニリン)、
ポリ(ヒドロキシ基置換アニリン)、ポリ(ニトロ基置
換アニリン)、ポリ(フルオロアニリン)、ポリ(クロ
ロアニリン)、ポリ(ブロムアニリン)などのポリ(ハ
ロゲン基置換アニリン)などを挙げることができる。こ
れらのアニリン系重合体はそれぞれ単独で用いても、ま
た2種以上を任意の割合で混合しても良い。
The aniline-based polymer film (m) constituting the aniline-based conductive polymer film of the present invention is an undoped aniline-based polymer represented by the structural formula of the above general formula (1). Is preferably a thin film. Examples of the aniline-based polymer include polyaniline, poly (methylaniline), poly (ethylaniline), poly (n-propylaniline) poly (iso-propylaniline), poly (n-butylaniline), and poly (iso- Butylaniline), poly (sec-butylaniline), poly (alkyl-substituted aniline) such as poly (t-butylaniline), poly (N-methylaniline), poly (N-ethylaniline), poly (N-n -Propylaniline) poly (N-iso-propylaniline), poly (Nn-butylaniline), poly (N-iso-butylaniline), poly (N-sec-butylaniline), poly (N
Poly (N-alkyl-substituted aniline) such as -t-butylaniline), poly (methoxyaniline), poly (ethoxyaniline), poly (n-propoxyaniline), poly (iso-propoxyaniline), poly (n- Poly (alkoxy-substituted aniline) such as butoxyaniline), poly (iso-butoxyaniline), poly (sec-butoxyaniline), poly (t-butoxyaniline),
Examples thereof include poly (hydroxy-substituted aniline), poly (nitro-substituted aniline), poly (fluoroaniline), poly (chloroaniline), and poly (halogen-substituted aniline) such as poly (bromoaniline). Each of these aniline polymers may be used alone, or two or more of them may be mixed at an arbitrary ratio.

【0011】上記のアニリン系重合体は、重合時溶媒中
に含まれるアニオンがドーピングされた状態で得られる
場合が一般的であるため、溶媒に可溶化するためには脱
酸処理または還元処理などの脱ドーピング処理を施す必
要がある。脱ドープ法については特に限定されるもので
はないが、アンモニア水や水酸化ナトリウム水溶液中で
処理またはヒドラジン類などにて処理する方法が用いら
れる。
The above aniline-based polymer is generally obtained in a state in which an anion contained in a solvent at the time of polymerization is doped, so that in order to be solubilized in the solvent, a deacidification treatment or a reduction treatment is performed. Must be subjected to dedoping treatment. Although there is no particular limitation on the undoping method, a method of treating with ammonia water or an aqueous sodium hydroxide solution or treating with hydrazine or the like is used.

【0012】前記アニリン系高分子膜(m)は、上記ア
ニリン系重合体に高分子化合物を含有させアニリン系高
分子複合膜とすることもできる。これにより膜の硬度、
耐摩耗性、基板との密着性がより向上する。
The aniline-based polymer film (m) can be a aniline-based polymer composite film by adding a polymer compound to the aniline-based polymer. This allows the hardness of the film,
Abrasion resistance and adhesion to a substrate are further improved.

【0013】アニリン系重合体と高分子化合物の比率
は、重量比で、アニリン系重合体:高分子化合物=1
0:0〜1:9、好ましくは10:0〜6:4の範囲で
適宜選択するのがよい。ここで、高分子化合物の割合が
高いと導電性は低下する傾向を示す。
The ratio of the aniline-based polymer to the high-molecular compound is expressed in terms of weight ratio: aniline-based polymer: high-molecular compound = 1
It is good to select appropriately from 0: 0 to 1: 9, preferably from 10: 0 to 6: 4. Here, when the proportion of the polymer compound is high, the conductivity tends to decrease.

【0014】高分子化合物としては、例えばポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリスチレン、
ポリエステル、ABS樹脂、AS樹脂、メタクリル樹
脂、ポリブタジエン、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、ポリフッ化ビニリデン、ポリアミド、ポリイミド、
ポリアラミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエー
テルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリエ
ーテルニトリル、ポリアミドイミド、ポリエーテルサル
フォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリブ
チレンテレフタレートなどが用いられる。
As the polymer compound, for example, polyethylene, polyvinyl chloride, polypropylene, polystyrene,
Polyester, ABS resin, AS resin, methacrylic resin, polybutadiene, polycarbonate, polyarylate, polyvinylidene fluoride, polyamide, polyimide,
Polyaramid, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, polyphenylene ether, polyether nitrile, polyamide imide, polyether sulfone, polysulfone, polyether imide, polybutylene terephthalate, and the like are used.

【0015】ドーピング剤として用いる前記可溶性アニ
リン系導電性ポリマー類(a)としては、下式(2)の
構造式で示されるもの、もしくはこの繰り返し単位を部
分構造として70%以上有するものが好ましい。
The soluble aniline-based conductive polymers (a) used as the doping agent are preferably those represented by the following structural formula (2) or those having a repeating unit having a partial structure of 70% or more.

【0016】すなわち、上記(a)は、That is, (a) is

【化6】 (式中、Aはスルホン基、カルボキシル基、またはそれ
らのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、置換アンモニウ
ム塩から選ばれた一つの基であり、Bは水素、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、
n−ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、
t−ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ
基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブ
トキシ基、iso−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、
t−ブトキシ基、ヘプトキシ基、ヘキソオキシ基、オク
トキシ基、ナノキシ基、デカノキシ基、ウンデカノキシ
基、ドデカノキシ基などのアルコキシ基、ヒドロキシ
基、ニトロ基、およびフルオロ基、クロロ基、ブロモ基
などのハロゲン基から選ばれた一つの基を示す。xは0
〜1の任意の数を示し、nは重合度を示し、3〜500
0の数である)で表されるスルホン基および/またはカ
ルボキシル基などの酸性基を有する酸性基置換アニリ
ン、そのアルカリ金属塩、アンモニウム塩および/また
は置換アンモニウム塩を繰り返し単位として70%以上
有するポリマーであって、その重量平均分子量が190
0以上の常温固体状であるものが好ましい。
Embedded image (In the formula, A is a sulfone group, a carboxyl group, or one group selected from alkali metal salts, ammonium salts, and substituted ammonium salts thereof, and B is hydrogen, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, iso-propyl group,
n-butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group,
alkyl groups such as t-butyl group, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, iso-butoxy group, sec-butoxy group,
From an alkoxy group such as a t-butoxy group, a heptoxy group, a hexoxy group, an octoxy group, a nanooxy group, a decanoloxy group, an undecanoloxy group, a dodecanoloxy group, a hydroxy group, a nitro group, and a fluoro group, a chloro group, and a halogen group such as a bromo group. Shows one selected group. x is 0
Represents an arbitrary number of 1 to 1; n represents a degree of polymerization;
0) a polymer having an acidic group-substituted aniline having an acidic group such as a sulfone group and / or a carboxyl group represented by the formula (1) or an alkali metal salt, an ammonium salt and / or a substituted ammonium salt thereof as a repeating unit of 70% or more. Having a weight average molecular weight of 190
Those having a solid state of 0 or more at room temperature are preferable.

【0017】アルカリ金属塩としては、リチウム、ナト
リウム、カリウムなどが例示できる。
Examples of the alkali metal salt include lithium, sodium, potassium and the like.

【0018】また、置換アンモニウムとしては、脂式ア
ンモニウム類、環式飽和アンモニウム類、環式不飽和ア
ンモニウム類などが挙げられる。
Examples of the substituted ammonium include aliphatic ammonium, cyclic saturated ammonium, and cyclic unsaturated ammonium.

【0019】前記脂式アンモニウム類としては、下式
(4)
As the aliphatic ammoniums, the following formula (4)

【化7】 (式中R24〜R27は、水素、炭素数1〜4のアルキル
基、CH2 OH、CH2 CH2 OH よりなる群から独
立して選ばれた基である。)で示される。たとえば、メ
チルアンモニウム、ジメチルアンモニウム、トリメチル
アンモニウム、エチルアンモニウム、ジエチルアンモニ
ウム、トリエチルアンモニウム、メチルエチルアンモニ
ウム、ジエチルメチルアンモニウム、ジメチルエチルア
ンモニウム、プロピルアンモニウム、ジプロピルアンモ
ニウム、イソプロピルアンモニウム、ジイソプロピルア
ンモニウム、ブチルアンモニウム、ジブチルアンモニウ
ム、メチルプロピルアンモニウム、エチルプロピルアン
モニウム、メチルイソプロピルアンモニウム、エチルイ
ソプロピルアンモニウム、メチルブチルアンモニウム、
エチルブチルアンモニウム、テトラメチルアンモニウ
ム、テトラメチロールアンモニウム、テトラエチルアン
モニウム、テトラn−ブチルアンモニウム、テトラse
c−ブチルアンモニウム、テトラt−ブチルアンモニウ
ムなどを例示することができる。なかでも、R24〜R27
のうち1つが水素、他の3つが炭素数1〜4のアルキル
基の場合が最も好ましく、ついでR24〜R27のうち2つ
が水素、他の2つが炭素数1〜4のアルキル基の場合が
好ましい。
Embedded image (Wherein R 24 to R 27 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, CH 2 OH, and CH 2 CH 2 OH). For example, methyl ammonium, dimethyl ammonium, trimethyl ammonium, ethyl ammonium, diethyl ammonium, triethyl ammonium, methyl ethyl ammonium, diethyl methyl ammonium, dimethyl ethyl ammonium, propyl ammonium, dipropyl ammonium, isopropyl ammonium, diisopropyl ammonium, butyl ammonium, dibutyl ammonium , Methylpropyl ammonium, ethyl propyl ammonium, methyl isopropyl ammonium, ethyl isopropyl ammonium, methyl butyl ammonium,
Ethyl butyl ammonium, tetramethyl ammonium, tetramethylol ammonium, tetraethyl ammonium, tetra n-butyl ammonium, tetrase
Examples thereof include c-butylammonium and tetra-t-butylammonium. Among them, R 24 ~R 27
Most preferably, one of them is hydrogen and the other three are alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms. Then, when two of R 24 to R 27 are hydrogen, and the other two are alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms. Is preferred.

【0020】環式飽和アンモニウム類としては、ピペリ
ジニウム、ピロリジニウム、モルホリニウム、ピペラジ
ニウム及びこれらの骨格を有する誘導体などが例示され
る。
Examples of cyclic saturated ammoniums include piperidinium, pyrrolidinium, morpholinium, piperazinium, and derivatives having these skeletons.

【0021】環式不飽和アンモニウム類としては、ピリ
ジニウム、α−ピコリニウム、β−ピコリニウム、γ−
ピコリニウム、キノリニウム、イソキノリニウム、ピロ
リニウム及びこれらの骨格を有する誘導体などが例示さ
れる。
The cyclic unsaturated ammoniums include pyridinium, α-picolinium, β-picolinium, γ-
Examples include picolinium, quinolinium, isoquinolinium, pyrrolium, and derivatives having these skeletons.

【0022】前記可溶性アニリン系導電性ポリマー類
(a)は化学的および電気化学的など各種合成法によっ
て得られるものを用いることができるが、例えば本発明
者らが提案(特願平05−353698号、特願平06
−89091号)した製造方法である、一般式(3)
As the soluble aniline-based conductive polymers (a), those obtained by various synthetic methods such as chemical and electrochemical methods can be used. For example, the present inventors have proposed (Japanese Patent Application No. 05-353698). No., Japanese Patent Application No. 06
General formula (3)

【化8】 (式中、R19〜R23は水素、炭素数1〜4の直鎖ま
たは分岐のアルキル基、炭素数1〜12の直鎖または分
岐のアルコキシ基、酸性基、水酸基、ニトロ基、ハロゲ
ンよりなる群から選ばれ、その少なくとも一つは酸性基
を示す。また、ここで酸性基とはスルホン基またはカル
ボキシル基を示す)で示される酸性基置換アニリン、そ
のアルカリ金属塩、アンモニウム塩、置換アンモニウム
塩のうち少なくとも一種の化合物(イ)を、塩基性化合
物(ロ)を含む溶液中で酸化剤により重合させることに
より得られた可溶性アニリン系導電性ポリマーが好まし
く用いられる。
Embedded image (Wherein, R 19 to R 23 are each selected from hydrogen, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an acidic group, a hydroxyl group, a nitro group, and a halogen. At least one of which represents an acidic group, wherein the acidic group represents a sulfone group or a carboxyl group); A soluble aniline-based conductive polymer obtained by polymerizing at least one compound (a) among salts with an oxidizing agent in a solution containing a basic compound (b) is preferably used.

【0023】該方法はモノマーとしてスルホン基および
/またはカルボキシル基などの酸性基を有する酸性基置
換アニリン、そのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、置
換アンモニウム塩のうち少なくとも一種の化合物(イ)
を、塩基性化合物(ロ)を含む溶液中で、酸化剤を用い
て重合すると特段に反応性が向上し、従来のスルホン基
および/またはカルボキシル基などを有するアニリン類
は、それ単独では化学酸化重合しにくいと言う定説に反
し、重合が可能である。しかも、得られた可溶性アニリ
ン系導電性ポリマーは、ベンゼン核のすべて対して酸性
基を持たせることにより、高い導電性とともに、アルカ
リ性、中性(とくに単なる水)、酸性のすべてのpHを
もつ水溶液およびアルコールなどの有機溶剤に対して優
れた溶解性を示す。
The method comprises the steps of: (a) at least one compound selected from the group consisting of an acid-substituted aniline having an acidic group such as a sulfone group and / or a carboxyl group as a monomer, and alkali metal salts, ammonium salts and substituted ammonium salts thereof;
Is especially polymerized using a oxidizing agent in a solution containing a basic compound (b), the reactivity is particularly improved, and the conventional aniline having a sulfone group and / or a carboxyl group can be chemically oxidized by itself. Contrary to the common belief that polymerization is difficult, polymerization is possible. Moreover, the resulting soluble aniline-based conductive polymer has an acidic group for all of the benzene nuclei, so that it has a high conductivity and an alkaline, neutral (particularly simply water), acidic aqueous solution having all pH values. And excellent solubility in organic solvents such as alcohols.

【0024】またこの一般式(3)の酸性基置換アニリ
ンなどの化合物(イ)はアミノ基に対して酸性基がo位
またはm位に結合しているものの方が得られるポリマー
の導電性、溶解性などの性能が優れており、ドーパント
としての有効性も高い。
The compound (A) such as an acid-substituted aniline represented by the general formula (3) has a polymer in which an acidic group is bonded to the amino group at the o-position or the m-position. It has excellent solubility and other properties, and is highly effective as a dopant.

【0025】前記酸性基置換アニリンとして最も代表的
なものは、スルホン基置換アニリンまたはカルボキシル
基置換アニリンである。好ましくはスルホン基置換アニ
リンである。
The most representative examples of the aniline substituted with an acidic group are aniline substituted with a sulfone group or aniline substituted with a carboxyl group. Preferably, it is a sulfone-substituted aniline.

【0026】スルホン基置換アニリンとして最も代表的
なものは、アミノベンゼンスルホン酸類であり、具体的
にはo−,m−,p−アミノベンゼンスルホン酸、アニ
リン−2,6−ジスルホン酸、アニリン−2,5−ジス
ルホン酸、アニリン−3,5−ジスルホン酸、アニリン
−2,4−ジスルホン酸、アニリン−3,4−ジスルホ
ン酸が好ましく用いられる。
The most typical sulfone-substituted anilines are aminobenzenesulfonic acids, specifically, o-, m-, p-aminobenzenesulfonic acid, aniline-2,6-disulfonic acid, and aniline- 2,5-Disulfonic acid, aniline-3,5-disulfonic acid, aniline-2,4-disulfonic acid, and aniline-3,4-disulfonic acid are preferably used.

【0027】その他のスルホン基置換アニリンとして
は、メチルアミノベンゼンスルホン酸、エチルアミノベ
ンゼンスルホン酸,n−プロピルアミノベンゼンスルホ
ン酸、iso−プロピルアミノベンゼンスルホン酸、n
−ブチルアミノベンゼンスルホン酸、iso−ブチルア
ミノベンゼンスルホン酸、sec−ブチルアミノベンゼ
ンスルホン酸、t−ブチルアミノベンゼンスルホン酸な
どのアルキル基置換アミノベンゼンスルホン酸類、メト
キシアミノベンゼンスルホン酸、エトキシアミノベンゼ
ンスルホン酸,n−プロポキシアミノベンゼンスルホン
酸、iso−プロポキシアミノベンゼンスルホン酸、n
−ブトキシアミノベンゼンスルホン酸、sec−ブトキ
シアミノベンゼンスルホン酸,iso−ブトキシアミノ
ベンゼンスルホン酸、t−ブトキシアミノベンゼンスル
ホン酸,ヘプトキシアミノベンゼンスルホン酸,ヘキソ
オキシアミノベンゼンスルホン酸,オクトキシアミノベ
ンゼンスルホン酸,ナノキシアミノベンゼンスルホン
酸,デカノキシアミノベンゼンスルホン酸,ウンデカノ
キシアミノベンゼンスルホン酸,ドデカノキシアミノベ
ンゼンスルホン酸などのアルコキシ基置換アミノベンゼ
ンスルホン酸類、。ヒドロキシ基置換アミノベンゼンス
ルホン酸類、ニトロ基置換アミノベンゼンスルホン酸
類、フルオロアミノベンゼンスルホン酸、クロロアミノ
ベンゼンスルホン酸、ブロムアミノベンゼンスルホン酸
などのハロゲン基置換アミノベンゼンスルホン酸類など
を挙げることができる。好ましくはアルキル基置換アミ
ノベンゼンスルホン酸およびアルコキシキ置換アミノベ
ンゼンスルホン酸類が挙げられる。これらのスルホン基
置換アニリンはそれぞれ単独で用いても、また異性体を
任意の割合で混合したものを用いても良い。
Other anilines substituted with a sulfone group include methylaminobenzenesulfonic acid, ethylaminobenzenesulfonic acid, n-propylaminobenzenesulfonic acid, iso-propylaminobenzenesulfonic acid, and n-propylaminobenzenesulfonic acid.
Alkyl-substituted aminobenzenesulfonic acids such as -butylaminobenzenesulfonic acid, iso-butylaminobenzenesulfonic acid, sec-butylaminobenzenesulfonic acid, t-butylaminobenzenesulfonic acid, methoxyaminobenzenesulfonic acid, ethoxyaminobenzenesulfonic acid Acid, n-propoxyaminobenzenesulfonic acid, iso-propoxyaminobenzenesulfonic acid, n
-Butoxyaminobenzenesulfonic acid, sec-butoxyaminobenzenesulfonic acid, iso-butoxyaminobenzenesulfonic acid, t-butoxyaminobenzenesulfonic acid, heptoxyaminobenzenesulfonic acid, hexoxyaminobenzenesulfonic acid, octoxyaminobenzene Alkoxy-substituted aminobenzenesulfonic acids such as sulfonic acid, nanoxyaminobenzenesulfonic acid, decanoxyaminobenzenesulfonic acid, undecanoxyaminobenzenesulfonic acid, and dodecanooxyaminobenzenesulfonic acid; Examples include hydroxy-substituted aminobenzenesulfonic acids, nitro-substituted aminobenzenesulfonic acids, halogen-substituted aminobenzenesulfonic acids such as fluoroaminobenzenesulfonic acid, chloroaminobenzenesulfonic acid, and bromoaminobenzenesulfonic acid. Preferably, an alkyl group-substituted aminobenzenesulfonic acid and an alkoxy-substituted aminobenzenesulfonic acid are used. These sulphone-substituted anilines may be used alone or in a mixture of isomers at an arbitrary ratio.

【0028】カルボキシル基置換アニリンとして最も代
表的なものは、アミノベンゼンカルボン酸類であり、具
体的にはo−,m−,p−アミノベンゼンカルボン酸、
アニリン−2,6−ジカルボン酸、アニリン−2,5−
ジカルボン酸、アニリン−3,5−ジカルボン酸、アニ
リン−2,4−ジカルボン酸、アニリン−3,4−ジカ
ルボン酸が好ましく用いられる。
The most typical carboxyl group-substituted anilines are aminobenzenecarboxylic acids, specifically, o-, m-, p-aminobenzenecarboxylic acids,
Aniline-2,6-dicarboxylic acid, aniline-2,5-
Dicarboxylic acid, aniline-3,5-dicarboxylic acid, aniline-2,4-dicarboxylic acid, and aniline-3,4-dicarboxylic acid are preferably used.

【0029】その他のカルボキシル基置換アニリンとし
ては、メチルアミノベンゼンカルボン酸、エチルアミノ
ベンゼンカルボン酸,n−プロピルアミノベンゼンカル
ボン酸、iso−プロピルアミノベンゼンカルボン酸、
n−ブチルアミノベンゼンカルボン酸、iso−ブチル
アミノベンゼンカルボン酸、sec−ブチルアミノベン
ゼンカルボン酸、t−ブチルアミノベンゼンカルボン酸
などのアルキル基置換アミノベンゼンカルボン酸類、メ
トキシアミノベンゼンカルボン酸、エトキシアミノベン
ゼンカルボン酸,n−プロポキシアミノベンゼンカルボ
ン酸、iso−プロポキシアミノベンゼンカルボン酸、
n−ブトキシアミノベンゼンカルボン酸、sec−ブト
キシアミノベンゼンカルボン酸,iso−ブトキシアミ
ノベンゼンカルボン酸、t−ブトキシアミノベンゼンカ
ルボン酸,ヘプトキシアミノベンゼンカルボン酸,ヘキ
ソオキシアミノベンゼンカルボン酸,オクトキシアミノ
ベンゼンカルボン酸,ナノキシアミノベンゼンカルボン
酸,デカノキシアミノベンゼンカルボン酸,ウンデカノ
キシアミノベンゼンカルボン酸,ドデカノキシアミノベ
ンゼンカルボン酸などのアルコキシ基置換アミノベンゼ
ンカルボン酸類、ヒドロキシ基置換アミノベンゼンカル
ボン酸類、ニトロ基置換アミノベンゼンカルボン酸類、
フルオロアミノベンゼンカルボン酸、クロロアミノベン
ゼンカルボン酸、ブロムアミノベンゼンカルボン酸など
のハロゲン基置換アミノベンゼンカルボン酸類などを挙
げることができる。好ましくはアルキル基置換アミノベ
ンゼンカルボン酸およびアルコキシキ置換アミノベンゼ
ンカルボン酸が挙げられる。これらのカルボキシル基置
換アニリンはそれぞれ単独で用いても、また異性体を任
意の割合で混合して用いても良い。
Other carboxyl-substituted anilines include methylaminobenzenecarboxylic acid, ethylaminobenzenecarboxylic acid, n-propylaminobenzenecarboxylic acid, iso-propylaminobenzenecarboxylic acid,
Alkyl-substituted aminobenzenecarboxylic acids such as n-butylaminobenzenecarboxylic acid, iso-butylaminobenzenecarboxylic acid, sec-butylaminobenzenecarboxylic acid, t-butylaminobenzenecarboxylic acid, methoxyaminobenzenecarboxylic acid, ethoxyaminobenzene Carboxylic acid, n-propoxyaminobenzenecarboxylic acid, iso-propoxyaminobenzenecarboxylic acid,
n-butoxyaminobenzenecarboxylic acid, sec-butoxyaminobenzenecarboxylic acid, iso-butoxyaminobenzenecarboxylic acid, t-butoxyaminobenzenecarboxylic acid, heptoxyaminobenzenecarboxylic acid, hexoxyaminobenzenecarboxylic acid, octoxyamino Alkoxy-substituted aminobenzenecarboxylic acids such as benzenecarboxylic acid, nanoxyaminobenzenecarboxylic acid, decanoxyaminobenzenecarboxylic acid, undecanoxyaminobenzenecarboxylic acid, dodecanooxyaminobenzenecarboxylic acid, and hydroxy-substituted aminobenzenecarboxylic acid Acids, nitro-substituted aminobenzenecarboxylic acids,
Examples thereof include halogen-substituted aminobenzenecarboxylic acids such as fluoroaminobenzenecarboxylic acid, chloroaminobenzenecarboxylic acid, and bromoaminobenzenecarboxylic acid. Preferably, an alkyl group-substituted aminobenzenecarboxylic acid and an alkoxy-substituted aminobenzenecarboxylic acid are used. These carboxyl group-substituted anilines may be used alone, or may be used by mixing isomers at an arbitrary ratio.

【0030】更に詳しく、前記一般式(3)の酸性基置
換アニリンの具体例としては、スルホン基置換アルキル
アニリン、カルボキシル基置換アルキルアニリン、スル
ホン基置換アルコキシアニリン、カルボキシル基置換ア
ルコキシアニリン、スルホン基置換ヒドロキシアニリ
ン、カルボキシル基置換ヒドロキシアニリン、スルホン
基置換ニトロアニリン、カルボキシル基置換ニトロアニ
リン、スルホン基置換フルオロアニリン、カルボキシル
基置換フルオロアニリン、スルホン基置換クロロアニリ
ン、カルボキシル基置換クロロアニリン、スルホン基置
換ブロムアニリンおよびカルボキシル基置換アルキルア
ニリンなどを挙げることができ、これらの置換基の位置
と組み合わせの具体例を表1に示す。
More specifically, specific examples of the acidic group-substituted aniline represented by the general formula (3) include a sulfone group-substituted alkylaniline, a carboxyl group-substituted alkylaniline, a sulfone group-substituted alkoxyaniline, a carboxyl group-substituted alkoxyaniline, and a sulfone group-substituted aniline. Hydroxyaniline, carboxyl-substituted hydroxyaniline, sulfone-substituted nitroaniline, carboxyl-substituted nitroaniline, sulfone-substituted fluoroaniline, carboxyl-substituted fluoroaniline, sulfone-substituted chloroaniline, carboxyl-substituted chloroaniline, sulfone-substituted bromoaniline And carboxyl-substituted alkylanilines. Specific examples of the positions and combinations of these substituents are shown in Table 1.

【0031】[0031]

【表1】 ここで、 A:スルホン基またはカルボキシル基、そのアルカリ金
属塩、アンモニウム塩、置換アンモニウム塩かから選ば
れた一つの基を示し、 B:メチル基、エチル基,n−プロピル基,iso−プ
ロピル基,n−ブチル基,iso−ブチル基、sec−
ブチル基、t−ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、n−プロポキシ基,iso−プロポキ
シ基、n−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、sec−
ブトキシ基、t−ブトキシ基、ヘプトキシ基、ヘキソオ
キシ基、オクトキシ基、ナノキシ基、デカノキシ基、ウ
ンデカノキシ基、ドデカノキシ基などのアルコキシ基ヒ
ドロキシ基、ニトロ基、フルオロ基、クロロ基、ブロム
基などのハロゲン基から選ばれた一つの基を示し、 H:水素を示す。
[Table 1] Here, A: represents one group selected from a sulfone group or a carboxyl group, an alkali metal salt, an ammonium salt, and a substituted ammonium salt thereof; B: a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an iso-propyl group , N-butyl group, iso-butyl group, sec-
Alkyl groups such as butyl group and t-butyl group, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, iso-butoxy group, sec-
Halogen groups such as alkoxy groups such as butoxy group, t-butoxy group, heptoxy group, hexoxy group, octoxy group, nanoxy group, decanoloxy group, undecanoloxy group and dodecanoloxy, nitro group, fluoro group, chloro group, and bromo group. And H represents hydrogen.

【0032】また、上記酸性基置換アニリンに、アニリ
ン、N−アルキルアニリンおよびフェニレンジアミン類
よりなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物(ニ)
を添加し、化合物(イ)との共重合体としても使用する
ことができる。
The above-mentioned acidic group-substituted aniline may further comprise at least one compound selected from the group consisting of aniline, N-alkylaniline and phenylenediamines (d)
And can be used as a copolymer with the compound (a).

【0033】上記N−アルキルアニリンとしては、N−
メチルアニリン、N−エチルアニリン、N−n−プロピ
ルアニリン、N−iso−プロピルアニリン、N−ブチ
ルアニリン等を挙げることができ、フェニレンジアミン
類としては、フェニレンジアミン、N−フェニルフェニ
レンジアミン、N,N’−ジフェニルフェニレンジアミ
ン、N−アミノフェニル−N’−フェニルフェニレンジ
アミン等を挙げることができる。アニリン、N−アルキ
ルアニリンおよびフェニレンジアミン類は、それぞれ単
独で、または混合して用いることができる。
The N-alkylaniline includes N-alkylaniline.
Methylaniline, N-ethylaniline, Nn-propylaniline, N-iso-propylaniline, N-butylaniline and the like can be mentioned. Examples of phenylenediamines include phenylenediamine, N-phenylphenylenediamine, N, N'-diphenylphenylenediamine, N-aminophenyl-N'-phenylphenylenediamine and the like can be mentioned. Aniline, N-alkylaniline and phenylenediamines can be used alone or in combination.

【0034】上記一般式(3)の酸性基置換アニリンな
どの化合物(イ)と上記化合物(ニ)との割合は、当量
比で(イ):(ニ)=10:0〜7:3、好ましくは1
0:0〜8:2の範囲で用いられる。つまり、酸性基置
換アニリンなどの化合物(イ)の導入割合は70%以
上、好ましくは80%以上である。ここで、上記化合物
(ニ)の割合が高いとドーピング溶媒への溶解性が低く
なり、ドーピング率は低下しアニリン系導電性高分子膜
の導電性も低下する傾向を示す。
The ratio of the compound (a) such as the acidic group-substituted aniline of the general formula (3) to the compound (d) is (a) :( d) = 10: 0 to 7: 3 in equivalent ratio. Preferably 1
It is used in the range of 0: 0 to 8: 2. That is, the introduction ratio of the compound (a) such as an acid-substituted aniline is 70% or more, preferably 80% or more. Here, when the ratio of the compound (d) is high, the solubility in the doping solvent is reduced, the doping rate is reduced, and the conductivity of the aniline-based conductive polymer film tends to be reduced.

【0035】次に、本発明のドーパントとして用いられ
る可溶性アニリン系導電性ポリマー類(a)を合成する
際に用いられる塩基性化合物(ロ)としては、前記酸性
基置換アニリンなどの化合物(イ)と塩を形成する化合
物であればどのような化合物でも良いが、アンモニア、
脂式アミン類、環式飽和アミン類、環式不飽和アミン
類、無機塩基などが好ましく用いられる。より好ましく
は、脂式アミン類、環式飽和アミン類、環式不飽和アミ
ン類などが挙げられる。
Next, as the basic compound (b) used for synthesizing the soluble aniline-based conductive polymers (a) used as the dopant of the present invention, the compound (a) such as the above-mentioned acid-substituted aniline is used. Any compound may be used as long as it forms a salt with ammonia, ammonia,
Aliphatic amines, cyclic saturated amines, cyclic unsaturated amines, inorganic bases and the like are preferably used. More preferably, aliphatic amines, cyclic saturated amines, cyclic unsaturated amines and the like can be mentioned.

【0036】脂式アミン類としては、下式(5)As the fatty amines, the following formula (5)

【化9】 (式中、R2830は、それぞれ、炭素数1〜4のア
ルキル基、C OHおよびC CHOHよりなる
群から独立して選ばれた基である)で示される化合物、
または一般式(6)
Embedded image (Wherein, R 28 ~ 30, respectively, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a C H 2 OH and C H 2 CH 2 independently selected groups from the group consisting of OH) compound represented by the ,
Or the general formula (6)

【化10】 (式中、R3134は、それぞれ水素、炭素数1〜4
のアルキル基、C OHおよびC CHOHより
なる群から独立して選ばれた基である)で示されるハイ
ドロキサイド化合物を挙げることができる。
Embedded image (Wherein, R 31 to R 34 each represent hydrogen, carbon number 1 to 4
Alkyl group, and a hydro-key side compound represented by a is) C H 2 OH and C H 2 CH 2 independently selected groups from the group consisting of OH of.

【0037】環式飽和アミン類としては、ピペリジン、
ピロリジン、モルホリン、ピペラジン及びこれらの骨格
を有する誘導体及びこれらのアンモニウムヒドロキシド
化合物などが好ましく用いられる。
The cyclic saturated amines include piperidine,
Pyrrolidine, morpholine, piperazine, derivatives having these skeletons, and ammonium hydroxide compounds thereof are preferably used.

【0038】環式不飽和アミン類としては、ピリジン、
α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、キノリ
ン、イソキノリン、ピロリン及びこれらの骨格を有する
誘導体及びこれらのアンモニウムヒドロキシド化合物な
どが好ましく用いられる。
The cyclic unsaturated amines include pyridine,
α-picoline, β-picoline, γ-picoline, quinoline, isoquinoline, pyrroline, derivatives having these skeletons, and ammonium hydroxide compounds thereof are preferably used.

【0039】無機塩基としては、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化リチウムなどの水酸化物の塩など
が好ましく用いられるが、脂式アミン類、環式飽和アミ
ン類、環式不飽和アミン類に比べると導電性は劣る傾向
を示す。
As the inorganic base, salts of hydroxides such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide are preferably used. Aliphatic amines, cyclic saturated amines, cyclic unsaturated amines The conductivity tends to be inferior to that of.

【0040】これら塩基性化合物(ロ)の濃度は0.1
モル/リットル以上、好ましくは0.1〜10.0モル
/リットル、更に好ましくは0.2〜8.0モル/リッ
トルの範囲で用いられる。この際、0.1モル/リット
ル以下の場合、得られるポリマーの収率が低下し、1
0.0モル/リットル以上の場合、導電性が低下する傾
向を示す。前記塩基性化合物(ロ)は、それぞれ任意の
割合で混合して用いることもできる。
The concentration of these basic compounds (b) is 0.1
It is used in an amount of at least mol / l, preferably 0.1 to 10.0 mol / l, more preferably 0.2 to 8.0 mol / l. At this time, if the amount is 0.1 mol / liter or less, the yield of the obtained polymer decreases, and
When it is 0.0 mol / liter or more, the conductivity tends to decrease. The basic compound (b) can be used by mixing at an arbitrary ratio.

【0041】前記酸性基置換アニリンなどの化合物
(イ)と塩基性化合物(ロ)との重量比は(イ):
(ロ)=1:100〜100:1、好ましくは10:9
0〜90:10が用いられる。ここで、塩基性化合物の
割合が低いと反応性が低下し導電性も低下する。逆に割
合が高い場合は得られるポリマー中の酸性基と塩基性化
合物の塩を形成する割合が高くなり導電性が低下する傾
向にある。また、前記酸性基置換アニリンなどの化合物
(イ)中の酸性基(ハ)と塩基性化合物(ロ)との当量
比は(ハ):(ロ)=1:100〜100:1、好まし
くは1:0.25〜1:20、さらに好ましくは1:
0.5〜1:15で用いることができる。ここで、塩基
性化合物の割合が低いと反応性が低下し導電性も低下す
る。逆に割合が高い場合は得られるポリマー中の酸性基
と塩基性化合物が塩を形成する割合が高くなり導電性が
低下する傾向にある。
The weight ratio of the compound (a) such as the above-mentioned acidic group-substituted aniline to the basic compound (b) is (a):
(B) = 1: 100-100: 1, preferably 10: 9
0 to 90:10 is used. Here, if the ratio of the basic compound is low, the reactivity decreases and the conductivity also decreases. Conversely, when the ratio is high, the ratio of forming a salt of an acidic group and a basic compound in the obtained polymer increases, and the conductivity tends to decrease. The equivalent ratio of the acidic group (c) and the basic compound (b) in the compound (a) such as the acidic group-substituted aniline is (c) :( b) = 1: 100 to 100: 1, preferably 1: 0.25 to 1:20, more preferably 1:
0.5 to 1:15 can be used. Here, if the ratio of the basic compound is low, the reactivity decreases and the conductivity also decreases. Conversely, when the ratio is high, the ratio of the salt formed between the acidic group and the basic compound in the obtained polymer increases, and the conductivity tends to decrease.

【0042】重合又は共重合は、これら塩基性化合物を
含む溶液中、酸化剤で酸化重合することにより行う。溶
媒は、水、メタノール、エタノールおよびイソプロピル
アルコールなどのアルコール類、アセトニトリルなどの
ニトリル類、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケ
トンなどのケトン類、ジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチル
スルオキシドなどの極性溶剤、テトラヒドロフランなど
のエーテル類などの各種有機溶剤、あるいは水とこれら
の有機溶剤との混合物などが好ましく用いられる。
The polymerization or copolymerization is carried out by oxidative polymerization with an oxidizing agent in a solution containing these basic compounds. Solvents include water, alcohols such as methanol, ethanol and isopropyl alcohol, nitriles such as acetonitrile, ketones such as methyl isobutyl ketone and methyl ethyl ketone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide and the like. And various organic solvents such as ethers such as tetrahydrofuran, or a mixture of water with these organic solvents.

【0043】また、酸化剤は、標準電極電位が0.6V
以上である酸化剤であれば特に限定されないが、ペルオ
キソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキ
ソ二硫酸ナトリウム及びペルオキソ二硫酸カリウムなど
のペルオキソ二硫酸類、過酸化水素等が好ましく用いら
れ、モノマー1モルに対して0.1〜5モル、好ましく
は0.5〜5モル用いられる。またこの際、触媒として
鉄、銅などの遷移金属化合物を添加することも有効であ
る。
The oxidizing agent has a standard electrode potential of 0.6 V.
The oxidizing agent is not particularly limited as long as it is the above, but peroxodisulfuric acid, ammonium peroxodisulfate, peroxodisulfuric acids such as sodium peroxodisulfate and potassium peroxodisulfate, hydrogen peroxide, and the like are preferably used, and are preferably used in 1 mole of the monomer. It is used in an amount of 0.1 to 5 mol, preferably 0.5 to 5 mol. At this time, it is also effective to add a transition metal compound such as iron or copper as a catalyst.

【0044】反応温度は、マイナス15〜70℃の温度
範囲で行うのが好ましく、更に好ましくはマイナス5〜
60℃の範囲が適用される。ここで、マイナス15℃以
下、又は70℃以上では、導電性が低下する傾向があ
る。
The reaction is preferably carried out in a temperature range of -15 to 70 ° C, more preferably -5 to 70 ° C.
A range of 60 ° C. applies. Here, when the temperature is lower than −15 ° C. or higher than 70 ° C., the conductivity tends to decrease.

【0045】上記方法によって製造される可溶性アニリ
ン系導電性ポリマー類(a)の一般式(2)のA中のス
ルホン基またはカルボキシル基における水素は、水素、
アルカリ金属、アンモニウム及び置換アンモニウムより
なる群から独立して選ばれた基であること、即ちこれら
の基が単独ではなく混合した状態でも得ることができ
る。
In the soluble aniline-based conductive polymers (a) produced by the above method, hydrogen in the sulfone group or carboxyl group in A in the general formula (2) is hydrogen,
It is a group independently selected from the group consisting of alkali metals, ammonium and substituted ammonium, that is, these groups can be obtained not only alone but also in a mixed state.

【0046】具体的には、水酸化ナトリウム存在下で重
合された場合、単離されたポリマー中のスルホン基また
はカルボキシル基における水素は、ほとんどがナトリウ
ムに置換された状態になっている。
Specifically, when polymerized in the presence of sodium hydroxide, most of the hydrogen in the sulfone group or carboxyl group in the isolated polymer has been replaced with sodium.

【0047】同様に、ポリマー中のスルホン基またはカ
ルボキシル基における水素は、アンモニア存在下重合し
た場合、大部分はアンモニウムであり、トリメチルアミ
ン存在下重合した場合、大部分はトリメチルアンモニウ
ムであり、キノリン存在下重合した場合、大部分はキノ
リニウムで得られる。
Similarly, most of the hydrogen in the sulfone group or carboxyl group in the polymer is ammonium when polymerized in the presence of ammonia, and is mostly trimethylammonium in the case of polymerization in the presence of trimethylamine, in the presence of quinoline. When polymerized, it is mostly obtained with quinolinium.

【0048】また、塩基性化合物を混合して用いた場合
は、これらの混合した状態で得られる。具体的には、水
酸化ナトリウムとアンモニア存在下重合された場合、単
離されたポリマー中のスルホン基またはカルボキシル基
における水素は、ナトリウムとアンモニウムの両方が存
在した状態で得られる。また、得られたポリマーを水酸
化ナトリウムとアンモニアの両方が存在する溶液で処理
した場合も同様にポリマー中のスルホン基またはカルボ
キシル基における水素は、ナトリウムとアンモニウムの
両方が存在した状態で得られる。
When a basic compound is used as a mixture, the mixture is obtained in a mixed state. Specifically, when polymerized in the presence of sodium hydroxide and ammonia, hydrogen at the sulfone or carboxyl groups in the isolated polymer is obtained in the presence of both sodium and ammonium. Similarly, when the obtained polymer is treated with a solution in which both sodium hydroxide and ammonia are present, hydrogen in the sulfone group or carboxyl group in the polymer is obtained in a state where both sodium and ammonium are present.

【0049】酸性基の一部が塩を形成しているポリマー
は、酸性用液中で処理するとその塩が水素に置換された
ポリマーにすることができる。酸性溶液としては塩酸、
硫酸、p−トルエンスルホン酸、硝酸などを挙げること
ができる。但し、十分に酸置換を行っても全てが水素で
置換されたものを得ることは難しい。
The polymer in which a part of the acidic group forms a salt can be converted into a polymer in which the salt is replaced by hydrogen when treated in an acidic solution. Hydrochloric acid as an acidic solution,
Examples thereof include sulfuric acid, p-toluenesulfonic acid, and nitric acid. However, it is difficult to obtain a product completely substituted with hydrogen even if the acid substitution is sufficiently performed.

【0050】しかし、本方法の製造法で得られるポリマ
ーは重合溶媒中より析出してくるため、塩を形成する割
合は低いため特に酸性溶液中で処理する必要はなく、高
導電性の実用的なポリマーを製造することができる。
However, since the polymer obtained by the production method of the present method precipitates out of the polymerization solvent, the rate of salt formation is low, so that it is not necessary to treat the polymer in an acidic solution. Polymer can be produced.

【0051】かくして得られたすべての芳香環に対して
70%以上のスルホン基および/またはカルボキシル基
を含有する可溶性アニリン系導電性ポリマー類(a)は
重合度が、3〜5000、好ましくは5〜5000であ
り、分子量は約1900〜3240000、好ましくは
3200〜3240000である。このポリマーは更に
スルホン化操作を施すことなく、単なる水、アンモニア
及びアルキルアミン等の塩基又は酢酸アンモニウム、シ
ュウ酸アンモニウム等の塩基及び塩基性塩を含む水、塩
酸及び硫酸等の酸を含む水又はメチルアルコール、エチ
ルアルコール、イソプロピルアルコール等の溶媒又はそ
れらの混合物に溶解することができる。
The soluble aniline-based conductive polymers (a) containing 70% or more of sulfone groups and / or carboxyl groups with respect to all aromatic rings thus obtained have a polymerization degree of 3 to 5000, preferably 5 to 5. 5,000 and a molecular weight of about 1900-3240000, preferably 3200-3240000. This polymer can be used without further sulphonation operation without any water, a base such as ammonia and an alkylamine or a water containing a base and a basic salt such as ammonium acetate and ammonium oxalate, a water containing an acid such as hydrochloric acid and sulfuric acid or the like. It can be dissolved in a solvent such as methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol or a mixture thereof.

【0052】本発明によるアニリン系導電性高分子膜
は、上述のような可溶性アニリン系導電性ポリマー類
(a)がドーパンとして前記の一般式で表されれる脱ド
ープ状態のアニリン系高分子膜(m)に付加されたもの
である。
The aniline-based conductive polymer film according to the present invention is a undoped aniline-based polymer film represented by the above-mentioned general formula wherein the soluble aniline-based conductive polymer (a) as described above is used as a dopan. m).

【0053】また、本発明の第二は、基板の少なくとも
一つの面上に、前記の一般式で表されれる脱酸処理また
は還元処理した脱ドープ状態のアニリン系高分子膜
(m)を形成後、スルホン基および/またはカルボキシ
ル基などを有する酸性基置換アニリン、そのアルカリ金
属塩、アンモニウム塩および/または置換アンモニウム
塩を繰り返し単位として70%以上有するポリマーであ
って、その重量平均分子量が1900以上の常温固体状
である前記可溶性アニリン系導電性ポリマー類(a)、
および溶媒(b)からなる組成物によりドーピング処理
後、常温で放置あるいは加熱処理することを特徴とする
アニリン系導電性高分子膜の製造方法に関する。
A second aspect of the present invention is to form a dedoped or undoped aniline-based polymer film (m) represented by the above general formula on at least one surface of a substrate. Thereafter, a polymer having 70% or more of an acidic group-substituted aniline having a sulfone group and / or a carboxyl group, an alkali metal salt, an ammonium salt and / or a substituted ammonium salt thereof as a repeating unit, and having a weight average molecular weight of 1900 or more The soluble aniline-based conductive polymers (a), which are solids at room temperature,
And a method for producing an aniline-based conductive polymer film, which comprises doping with a composition comprising a solvent and a solvent (b), and then allowing the composition to stand at room temperature or heating.

【0054】基板へのアニリン系重合体膜(m)の形成
方法としては、脱ドープ状態のアニリン系重合体含有溶
液を一般の塗料に用いられる方法によって基材の表面に
加工する。例えばグラビアコーター、ロールコーター、
カーテンフローコーター、スピンコーター、バーコータ
ー、リバースコーター、キスコーター、ファンテンコー
ター、ロッドコーター、エアドクターコーター、ナイフ
コーター、ブレードコーター、キャストコーティング、
スクリーンコティングなどの塗布法、スプレーコーティ
ングなどの噴霧法、ディップなどの浸漬法などが用いら
れる。
As a method for forming the aniline-based polymer film (m) on the substrate, a undoped aniline-based polymer-containing solution is processed on the surface of the substrate by a method used for a general coating material. For example, gravure coater, roll coater,
Curtain flow coater, spin coater, bar coater, reverse coater, kiss coater, fountain coater, rod coater, air doctor coater, knife coater, blade coater, cast coating,
Application methods such as screen coating, spray methods such as spray coating, and dipping methods such as dip are used.

【0055】上記アニリン系重合体含有溶液を塗工する
基材としては、高分子化合物、木材、紙材、セラミック
ス及びそのフィルムまたはガラス板などが用いられる。
例えば高分子化合物及びフィルムとしては、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリスチレン、
ポリエステル、ABS樹脂、AS樹脂、メタクリル樹
脂、ポリブタジエン、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、ポリフッ化ビニリデン、ポリアミド、ポリイミド、
ポリアラミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエー
テルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリエ
ーテルニトリル、ポリアミドイミド、ポリエーテルサル
フォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリブ
チレンテレフタレート及びそのフィルムなどがある。こ
れらの高分子フィルムは、少なくともその一つの面にア
ニリン系高分子膜を形成させるため、該高分子膜の密着
性を向上させる目的で上記フィルム表面をコロナ表面処
理またはプラズマ処理することが好ましい。
As the substrate on which the aniline-based polymer-containing solution is applied, polymer compounds, wood, paper, ceramics, and films or glass plates thereof are used.
For example, as the polymer compound and the film, polyethylene, polyvinyl chloride, polypropylene, polystyrene,
Polyester, ABS resin, AS resin, methacrylic resin, polybutadiene, polycarbonate, polyarylate, polyvinylidene fluoride, polyamide, polyimide,
Examples include polyaramid, polyphenylene sulfide, polyetheretherketone, polyphenyleneether, polyethernitrile, polyamideimide, polyethersulfone, polysulfone, polyetherimide, polybutyleneterephthalate, and films thereof. In order to form an aniline-based polymer film on at least one surface of these polymer films, the film surface is preferably subjected to a corona surface treatment or a plasma treatment for the purpose of improving the adhesion of the polymer film.

【0056】上記アニリン系重合体含有溶液は、溶媒
に、脱ドープ状態のアニリン系重合体単独または該アニ
リン系重合体と高分子化合物を加え、室温下でまたは加
熱攪拌して完全に溶解するか、または混和して調製す
る。溶媒としては、脱ドープ状態のアニリン系重合体お
よび高分子化合物が可溶な溶媒なら特に限定はされない
が、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの
アルコール類、アセトニトリルなどのニトリル類、メチ
ルイソブチルケトン、メチルエチルケトンなどのケトン
類、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキ
シドの極性溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル類
などの各種有機溶媒、あるいは水とこれらの有機溶媒と
の混合物を挙げることができる。好ましくは、N,N−
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メ
チル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシドの極性溶
媒が用いられ、さらに好ましくはN,N−ジメチルホル
ムアミドまたはN−メチル−2−ピロリドンが用いられ
る。
The aniline-based polymer-containing solution may be prepared by adding the undoped aniline-based polymer alone or the aniline-based polymer and a polymer compound to a solvent and dissolving the solution at room temperature or by heating and stirring. Or by mixing. The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent in which the undoped aniline-based polymer and the polymer compound are soluble, but alcohols such as methanol, ethanol, and isopropanol; nitriles such as acetonitrile; methyl isobutyl ketone; methyl ethyl ketone; Various organic solvents such as ketones, polar solvents such as N, N-dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone and dimethylsulfoxide, and ethers such as tetrahydrofuran, or a mixture of water and these organic solvents. Can be mentioned. Preferably, N, N-
Polar solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, and dimethylsulfoxide are used, and N, N-dimethylformamide or N-methyl-2-pyrrolidone is more preferably used.

【0057】本発明の方法におけるドーピング処理は、
前記可溶性アニリン系導電性ポリマー類(a)および溶
媒(b)、あるいは可溶性アニリン系導電性ポリマー類
(a)および溶媒(b)にさらにアミン類および四級ア
ンモニウム塩から選ばれた少なくとも一種の含窒素化合
物(c)、および/または界面活性剤(d)からなる組
成物中に、基板の少なくとも一つの面上に形成した脱酸
処理または還元処理した脱ドープ状態のアニリン系高分
子膜を浸漬処理する。しかる後、溶媒にて余分な可溶性
アニリン系導電性ポリマー類(a)を洗浄除去し乾燥す
る。なお、可溶性アニリン系導電性ポリマー類は2種以
上用いても何らさしつかえない。
In the method of the present invention, the doping treatment
The soluble aniline-based conductive polymer (a) and the solvent (b) or the soluble aniline-based conductive polymer (a) and the solvent (b) further contain at least one kind selected from amines and quaternary ammonium salts. A deoxidized or reduced undoped aniline-based polymer film formed on at least one surface of the substrate is immersed in a composition comprising a nitrogen compound (c) and / or a surfactant (d). To process. Thereafter, excess soluble aniline-based conductive polymers (a) are washed away with a solvent and dried. It should be noted that two or more soluble aniline-based conductive polymers can be used without any problem.

【0058】本発明に用いられる溶媒(b)としては、
可溶性アニリン系導電性ポリマー類(a)が可溶な溶媒
なら特に限定はされないが、水、酸性溶媒、有機溶媒が
用いられ、水または水と相溶性のある有機溶媒の混合系
がより好ましく、特に水単独が更に好ましい。有機溶媒
の具体例としては、メタノール、エタノール、プロパノ
ール、イソプロパノールなどのアルコール類、アセト
ン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブなどのセロソルブ類、メチ
ルプロピレングリコール、エチルプロピレングリコール
などのプロピレングリコール類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミドなどのアミド類、N−メチル
ピロリドン,N−エチルピロリドンなどのピロリドン
類、乳酸エチル、乳酸メチル、β−メトキシイソ酪酸メ
チル、α−ヒドロキシイソ酪酸メチル、α−ヒドロキシ
イソ酪酸エチル、α−メトキシイソ酪酸メチルなどのヒ
ドロキシエステル類などを挙げることができ、アルコー
ル類、プロピレングリコール類、アミド類およびピロリ
ドン類が好ましく用いられ、アルコール類が更に好まし
く用いられる。上記有機溶媒または有機溶媒を含有する
溶媒を用いることにより、アニリン系高分子膜に対する
溶媒(b)のぬれ性を向上することができ、ドーピング
率が高くなり導電性も向上する傾向を示す。水との混合
系として用いられる割合は、重量比で水:有機溶媒=
1:100〜100:1が好ましい。
The solvent (b) used in the present invention includes:
The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent in which the soluble aniline-based conductive polymers (a) are soluble, but water, an acidic solvent, and an organic solvent are used, and a mixed system of water or an organic solvent compatible with water is more preferable. Particularly, water alone is more preferable. Specific examples of the organic solvent include alcohols such as methanol, ethanol, propanol and isopropanol; ketones such as acetone and methyl isobutyl ketone; cellosolves such as methyl cellosolve and ethyl cellosolve; propylene such as methyl propylene glycol and ethyl propylene glycol. Glycols, amides such as dimethylformamide and dimethylacetamide, pyrrolidones such as N-methylpyrrolidone and N-ethylpyrrolidone, ethyl lactate, methyl lactate, methyl β-methoxyisobutyrate, methyl α-hydroxyisobutyrate, α-hydroxyiso Examples include hydroxyesters such as ethyl butyrate and methyl α-methoxyisobutyrate, and alcohols, propylene glycols, amides and pyrrolidones are preferred. Irare, alcohols are more preferably used. By using the above organic solvent or a solvent containing an organic solvent, the wettability of the solvent (b) with respect to the aniline-based polymer film can be improved, and the doping ratio tends to increase and the conductivity tends to improve. The ratio used as a mixed system with water is water: organic solvent =
1: 100 to 100: 1 is preferred.

【0059】また、上記溶媒(b)に酸性化合物を添加
することによって、酸性化合物からのドーピング効果も
加わり導電性を向上することができる。酸性化合物とし
ては、硫酸、塩酸、硝酸などの無機酸、p−トルエンス
ルホン酸、酢酸、メタンスルホン酸などの有機酸などを
挙げることができる。溶媒(b)添加される重量比の割
合は溶媒:酸性化合物=70:30〜100:0.01
が好ましい。前記それぞれの溶媒は一種以上を任意の割
合で混合して用いることもできる。
Further, by adding an acidic compound to the solvent (b), a doping effect from the acidic compound is added, and the conductivity can be improved. Examples of the acidic compound include inorganic acids such as sulfuric acid, hydrochloric acid, and nitric acid, and organic acids such as p-toluenesulfonic acid, acetic acid, and methanesulfonic acid. The ratio of the weight ratio of the solvent (b) to be added is as follows: solvent: acid compound = 70: 30 to 100: 0.01
Is preferred. Each of the above-mentioned solvents may be used as a mixture of one or more kinds at an arbitrary ratio.

【0060】また、前期可溶性アニリン系導電性ポリマ
ー類(a)と溶媒(b)の使用割合は、溶媒(b)10
0重量部に対して0.01〜30重量部であり、好まし
くは0.5〜20重量部、更に好ましくは1〜20重量
部である。成分(a)の割合が0.01重量部未満では
導電性が劣ることになり、一方30重量部を超えるとド
ーピング溶液の粘度が高くなり、ドーピングされ難くな
るとともに導電性はピークに達しており増加しない。
The proportion of the soluble aniline-based conductive polymer (a) and the solvent (b) is 10
The amount is 0.01 to 30 parts by weight, preferably 0.5 to 20 parts by weight, more preferably 1 to 20 parts by weight based on 0 parts by weight. If the proportion of component (a) is less than 0.01 parts by weight, the conductivity will be poor. On the other hand, if it exceeds 30 parts by weight, the viscosity of the doping solution will increase, making it difficult to dope, and the conductivity will reach a peak. Does not increase.

【0061】更に、溶媒(b)に、アミン類および四級
アンモニウム塩から選ばれた少なくとも一種の含窒素化
合物(c)を添加することにより、組成物のPHを任意
に調整することが可能となり、基材等に対する腐食性を
防止することができる。
Further, by adding at least one nitrogen-containing compound (c) selected from amines and quaternary ammonium salts to the solvent (b), the pH of the composition can be adjusted arbitrarily. And corrosiveness to the substrate and the like can be prevented.

【0062】本方法のドーパントとして用いられる可溶
性アニリン系導電性ポリマー類(a)は、含窒素化合物
が含有していてもドープ処理後、常温または加熱処理を
施すことにより含窒素化合物が容易にドーパント内より
飛散し、得られるアニリン系導電性高分子膜は高導電性
を示す。
The soluble aniline-based conductive polymer (a) used as a dopant in the present method can be easily converted into a dopant by subjecting it to a normal temperature or heat treatment after doping even if it contains a nitrogen-containing compound. The aniline-based conductive polymer film obtained by scattering from the inside shows high conductivity.

【0063】本発明で用いられる含窒素化合物(c)
は、式(7)、式(8)で表される化合物が用いられ
る。用いられるアミン類の構造式を式(7)に示す。
The nitrogen-containing compound (c) used in the present invention
Is a compound represented by the formula (7) or (8). Formula (7) shows the structural formula of the amines used.

【0064】[0064]

【化11】 (式中、R35〜R37は各々互いに独立に水素、炭素数1
〜4のアルキル基、CH2 OH、CH2 CH2 OH、C
ONH2 又はNH2 を表す) 更に用いられる四級アンモニウム塩類の構造式を式
(8)に示す。
Embedded image (Wherein, R 35 to R 37 are each independently hydrogen, carbon 1
To 4 alkyl groups, CH 2 OH, CH 2 CH 2 OH, C
(Representing ONH 2 or NH 2 ) Further, the structural formula of the quaternary ammonium salt used is shown in formula (8).

【0065】[0065]

【化12】 (式中、 38 〜R 41 は各々互いに独立に水素、炭素
数1〜4のアルキル基、CHOH)CHCH
H、CONH又はNHを表し;X−はOH、1/
2・SO 2−、NO 、1/2CO 2−、HCO
、1/2・(COO) 2−、又はR’COO
(式中、R’は炭素数1〜3のアルキル基である)を
表す)
Embedded image ( Wherein , R 38 to R 41 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, CH 2 OH) CH 2 CH 2 O
X represents OH , 1 / H, CONH 2 or NH 2 ;
2. SO 4 2− , NO 3 , 1 / 2CO 3 2− , HCO
3 -, 1/2 · ( COO) 2 2-, or R'COO
- (Wherein, R 'represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms)

【0066】上記含窒素化合物(c)は、これらのアミ
ン類とアンモニウム塩類を混合して用いることにより更
に導電性を向上させることができる。具体的には,NH
3 /(NH4 2 CO3 、NH3 /(NH4 )HC
3 、NH3 /(NH4 )HCO3 、NH3 /CH3
OONH4 、NH3 /(NH4 2 SO4 、N(C
3 3 /(NH4 )HCO3 、N(CH3 3 /CH
3 COONH4 、N(CH3 3 /(NH4 2 SO4
などが挙げられる。また、これらの混合比は任意の割合
で用いることができるが、アミン類/アンモニウム塩類
=1/10〜10/0が好ましい。
The conductivity of the nitrogen-containing compound (c) can be further improved by using a mixture of these amines and ammonium salts. Specifically, NH
3 / (NH 4 ) 2 CO 3 , NH 3 / (NH 4 ) HC
O 3 , NH 3 / (NH 4 ) HCO 3 , NH 3 / CH 3 C
OONH 4 , NH 3 / (NH 4 ) 2 SO 4 , N (C
H 3 ) 3 / (NH 4 ) HCO 3 , N (CH 3 ) 3 / CH
3 COONH 4 , N (CH 3 ) 3 / (NH 4 ) 2 SO 4
And the like. The mixing ratio of these may be any ratio, but it is preferable that amines / ammonium salts = 1/10 to 10/0.

【0067】溶媒(b)に添加される含窒素化合物
(c)の使用割合は溶媒(b)100重量部に対して0
〜30重量部、好ましくは0〜20重量部である。30
重量部を超えると溶液が強塩基性を示し、ドーピング率
が低下し、アニリン系導電性重合体の導電性が劣ること
となる。なお、溶液のpHは、含窒素化合物の濃度、種
類及び混合比率で任意に調節することができ、pH0.
1〜12の範囲で用いることができる。
The proportion of the nitrogen-containing compound (c) added to the solvent (b) is 0 to 100 parts by weight of the solvent (b).
-30 parts by weight, preferably 0-20 parts by weight. 30
If the amount is more than 10 parts by weight, the solution exhibits strong basicity, the doping rate decreases, and the conductivity of the aniline-based conductive polymer becomes poor. The pH of the solution can be arbitrarily adjusted by the concentration, type and mixing ratio of the nitrogen-containing compound.
It can be used in the range of 1 to 12.

【0068】本発明のドーピング溶液は、可溶性アニリ
ン系導電性ポリマー類(a)および溶媒(b)、または
(a)、(b)および含窒素化合物(c)の成分のみで
も性能の良いドーピング効果を示すが、これらのドーピ
ング溶媒にに界面活性剤(d)を加えると、更に脱ドー
プ状態のアニリン系高分子膜へのぬれ性が向上し、ドー
ピング率が高くなるため導電性も向上する傾向を示す。
The doping solution of the present invention has a good doping effect even when only the components of the soluble aniline-based conductive polymers (a) and the solvent (b) or the components (a), (b) and the nitrogen-containing compound (c) are used. However, when the surfactant (d) is added to these doping solvents, the wettability of the undoped aniline-based polymer film is further improved, and the conductivity is also improved because the doping rate is increased. Is shown.

【0069】界面活性剤としては、アルキルスルホン
酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルカルボン
酸、アルキルナフタレンスルホン酸、α−オレフィンス
ルホン酸、ジアルキルスルホコハク酸、α−スルホン化
脂肪酸、N−メチル−N−オレイルタウリン、石油スル
ホン酸、アルキル硫酸、硫酸化油脂、ポリオキシエチレ
ンアルキルエーテル硫酸、ポリオキシエチレンスチレン
化フェニルエーテル硫酸、アルキルリン酸、ポリオキシ
エチレンアルキルエーテルリン酸、ポリオキシエチレン
アルキルフェニルエーテルリン酸、ナフタレンスルホン
酸ホルムアルデヒド縮合物およびこれらの塩などのアニ
オン系界面活性剤、第一〜第三脂肪アミン、四級アンモ
ニウム、テトラアルキルアンモニウム、トリアルキルベ
ンジルアンモニウムアルキルピリジニウム,2−アルキ
ル−1−アルキル−1−ヒドロキシエチルイミダゾリニ
ウム、N,N−ジアルキルモルホリニウム、ポリエチレ
ンポリアミン脂肪酸アミド、ポリエチレンポリアミン脂
肪酸アミドの尿素縮合物、ポリエチレンポリアミン脂肪
酸アミドの尿素縮合物の第四級アンモニウムおよびこれ
らの塩などのカチオン系界面活性剤、N,N−ジメチル
−N−アルキル−N−カルボキシメチルアンモニウムベ
タイン、N,N,N−トリアルキル−N−スルホアルキ
レンアンモニウムベタイン、N,N−ジアルキル−N,
N−ビスポリオキシエチレンアンモニウム硫酸エステル
ベタイン、2−アルキル−1−カルボキシメチル−1−
ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタインなどのベタ
イン類、N,N−ジアルキルアミノアルキレンカルボン
酸塩などのアミノカルボン酸類などの両性界面活性剤、
ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチ
レンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンポ
リスチリルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンーポ
リオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレンー
ポリオキシプロピレンアルキルエーテル、多価アルコー
ル脂肪酸部分エステル、ポリオキシエチレン多価アルコ
ール脂肪酸部分エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エ
ステル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエ
チレン化ヒマシ油、脂肪酸ジエタノールアミド、ポリオ
キシエチレンアルキルアミン、トリエタノールアミン脂
肪酸部分エステル、トリアルキルアミンオキサイドなど
の非イオン系界面活性剤及びフルオロアルキルカルボン
酸、パーフルオロアルキルカルボン酸、パーフルオロア
ルキルベンゼンスルホン酸、パーフルオロアルキルポリ
オキシエチレンエタノールなどのフッ素系界面活性剤が
用いられる。ここで、アルキル基は炭素数1〜24が好
ましく、炭素数3〜18がより好ましい。これら界面活
性剤の中では特に非イオン系界面活性剤およびアニオン
系界面活性剤が好ましく用いられ、その中でも、分子中
にスルホン基やカルボキシル基などのアニオン基を有す
る界面活性剤が更に好ましく用いられる。なお、界面活
性剤は2種以上用いても何らさしつかえない。
Examples of the surfactant include alkylsulfonic acid, alkylbenzenesulfonic acid, alkylcarboxylic acid, alkylnaphthalenesulfonic acid, α-olefinsulfonic acid, dialkylsulfosuccinic acid, α-sulfonated fatty acid, and N-methyl-N-oleyltaurine. , Petroleum sulfonic acid, alkyl sulfate, sulfated oil, polyoxyethylene alkyl ether sulfate, polyoxyethylene styrenated phenyl ether sulfate, alkyl phosphate, polyoxyethylene alkyl ether phosphate, polyoxyethylene alkyl phenyl ether phosphate, naphthalene Anionic surfactants such as sulfonic acid formaldehyde condensates and salts thereof, primary to tertiary fatty amines, quaternary ammonium, tetraalkylammonium, trialkylbenzylammonium alcohol Quilpyridinium, 2-alkyl-1-alkyl-1-hydroxyethylimidazolinium, N, N-dialkylmorpholinium, polyethylene polyamine fatty acid amide, urea condensate of polyethylene polyamine fatty acid amide, urea condensate of polyethylene polyamine fatty acid amide Cationic surfactants such as quaternary ammonium and salts thereof, N, N-dimethyl-N-alkyl-N-carboxymethylammonium betaine, N, N, N-trialkyl-N-sulfoalkyleneammonium betaine, N, N-dialkyl-N,
N-bispolyoxyethylene ammonium sulfate betaine, 2-alkyl-1-carboxymethyl-1-
Amphoteric surfactants such as betaines such as hydroxyethylimidazolinium betaine, and aminocarboxylic acids such as N, N-dialkylaminoalkylene carboxylate;
Polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, polyoxyethylene polystyryl phenyl ether, polyoxyethylene-polyoxypropylene glycol, polyoxyethylene-polyoxypropylene alkyl ether, polyhydric alcohol fatty acid partial ester, polyoxyethylene Nonionic such as polyhydric alcohol fatty acid partial ester, polyoxyethylene fatty acid ester, polyglycerin fatty acid ester, polyoxyethylated castor oil, fatty acid diethanolamide, polyoxyethylene alkylamine, triethanolamine fatty acid partial ester, trialkylamine oxide, etc. Surfactants and fluoroalkylcarboxylic acids, perfluoroalkylcarboxylic acids, perfluoroalkylbenzenes Acid, fluorine-based surfactants such as perfluoroalkyl polyoxyethylene ethanol is used. Here, the alkyl group preferably has 1 to 24 carbon atoms, and more preferably 3 to 18 carbon atoms. Among these surfactants, nonionic surfactants and anionic surfactants are particularly preferably used, and among them, surfactants having an anionic group such as a sulfone group or a carboxyl group in the molecule are more preferably used. . In addition, even if it uses two or more surfactants, there is no problem.

【0070】界面活性剤の使用割合は、溶媒(b)10
0重量部に対して0〜10重量部、好ましくは0〜5重
量部である。界面活性剤の割合が10重量部を超えると
分散性およびぬれ性は低下し、導電性も低下傾向を示
す。
The proportion of the surfactant to be used is 10% in the solvent (b).
0 to 10 parts by weight, preferably 0 to 5 parts by weight, based on 0 parts by weight. When the proportion of the surfactant exceeds 10 parts by weight, dispersibility and wettability decrease, and conductivity also tends to decrease.

【0071】また、基材にアニリン系導電性高分子膜を
形成した後の処理は、常温で放置することにより行うこ
ともできるが、加熱処理により残留する成分(b)およ
び(c)の量をより低下することができるため導電性が
さらに良くなる(抵抗値が小さくなる)ので好ましい。
使用用途により異なるが、アニリン系導電性高分子膜に
残留する成分(c)の量はアニリン系導電性高分子膜1
00重量部に対して2重量部以下、好ましくは1重量部
以下とするのがよい。また、成分(b)も実質的に存在
しない方が良い。加熱処理としては、250℃以下、好
ましくは40〜200℃の範囲の加熱が好ましい。25
0℃より高いと、可溶性アニリン系導電性ポリマー類
(a)の劣化により導電性が低下することがある。
The treatment after the formation of the aniline-based conductive polymer film on the substrate can be carried out by leaving it at room temperature, but the amount of the components (b) and (c) remaining after the heat treatment Is further reduced, so that the conductivity is further improved (the resistance value is reduced).
The amount of the component (c) remaining in the aniline-based conductive polymer film depends on the intended use.
The amount is preferably 2 parts by weight or less, more preferably 1 part by weight or less based on 00 parts by weight. Further, it is better that the component (b) is not substantially present. As the heat treatment, heating at 250 ° C. or less, preferably 40 to 200 ° C. is preferable. 25
If the temperature is higher than 0 ° C., the conductivity may decrease due to the deterioration of the soluble aniline-based conductive polymers (a).

【0072】かくして全ての芳香環に対して70%以上
の酸性基を含有する可溶性アニリン系導電性ポリマーを
ドーパントとして有するアニリン系導電性高分子膜は、
高い導電性を発現性すると共に、耐熱性、耐候性など化
学的および物理的に優れた性質を有している。
Thus, an aniline-based conductive polymer film having as a dopant a soluble aniline-based conductive polymer containing 70% or more of an acidic group with respect to all aromatic rings,
While exhibiting high conductivity, it has chemically and physically excellent properties such as heat resistance and weather resistance.

【0073】[0073]

【実施例】以下実施例を挙げて説明する。なお、IRス
ペクトルはパーキンエルマー社製model 1600
の装置を用いて測定した。分子量分布及び分子量の測定
には、N,N−ジメチルホルムアミド用のGPCカラム
を用いて、GPC測定(ポリスチレン換算)を行った。
カラムは、N,N−ジメチルホルムアミド用のものを3
種類連結して用いた。また、溶離液には0.01モル/
リットルトリエチルアミンと0.1モル/リットル臭化
リチウムのN,N−ジメチルホルムアミド溶液を用い
た。導電性は、導電率の測定には4端子法、表面抵抗の
測定には2端子法を用いた。を用いた。
Embodiments will be described below with reference to embodiments. In addition, IR spectrum is model 1600 manufactured by PerkinElmer.
The measurement was performed using the apparatus described in (1). For the measurement of the molecular weight distribution and the molecular weight, GPC measurement (in terms of polystyrene) was performed using a GPC column for N, N-dimethylformamide.
The column has 3 columns for N, N-dimethylformamide.
Types were used in conjunction. The eluent contains 0.01 mol /
A solution of liter triethylamine and 0.1 mol / liter lithium bromide in N, N-dimethylformamide was used. For the conductivity, a four-terminal method was used for measuring the conductivity, and a two-terminal method was used for measuring the surface resistance. Was used.

【0074】<可溶性アニリン系導電性ポリマーの合成
> 実施例1 o−アミノベンゼンスルホン酸100mmolを25℃
で4モル/リットルのアンモニア水溶液に撹拌溶解し、
ペルオキソ二硫酸アンモニウム100mmolの水溶液
を滴下した。滴下終了後25℃で12時間更に撹拌した
のち、反応生成物を濾別洗浄後乾燥し、重合体粉末12
gを得た。このものの体積抵抗値は12.0Ωcmであ
った。分子量分布及び分子量の測定の結果、数平均分子
量150,000、重量平均分子量190,000、Z
平均分子量210,000、分散度MW/MN1.5、
MZ/MW1.3であった。水、0.1モル/リットル
の硫酸水溶液又は0.1モル/リットルのアンモニア水
10mlにポリマーを少量ずつ加えて溶解しなくなった
ところで濾過し、溶解量を求めたところ、実施例1にて
合成した導電性ポリマーの溶解性は、 水 230mg/ml 0.1モル/リットルの硫酸水溶液 225mg/ml 0.1モル/リットルのアンモニア水 200mg/ml であった。
<Synthesis of Soluble Aniline-Based Conductive Polymer> Example 1 100 mmol of o-aminobenzenesulfonic acid was added at 25 ° C.
And dissolve in 4 mol / l ammonia aqueous solution with stirring.
An aqueous solution of 100 mmol of ammonium peroxodisulfate was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred at 25 ° C. for 12 hours.
g was obtained. This had a volume resistance of 12.0 Ωcm. As a result of measuring the molecular weight distribution and the molecular weight, the number average molecular weight was 150,000, the weight average molecular weight was 190,000, Z
Average molecular weight 210,000, dispersity MW / MN 1.5,
MZ / MW was 1.3. The polymer was added little by little to 10 ml of water, 0.1 mol / l sulfuric acid aqueous solution or 0.1 mol / l ammonia water. When the polymer no longer dissolved, the mixture was filtered and the dissolved amount was determined. The solubility of the obtained conductive polymer was 230 mg / ml of water and 0.1 mol / l of an aqueous sulfuric acid solution 225 mg / ml and 0.1 mol / l of aqueous ammonia and 200 mg / ml.

【0075】実施例2 2−アミノアニソール−4−スルホン酸100mmol
を25℃で4モル/リットルのアンモニア水溶液に撹拌
溶解し、ペルオキソ二硫酸アンモニウム100mmol
の水溶液を滴下した。滴下終了後25℃で12時間更に
撹拌したのち、反応生成物を濾別洗浄後乾燥し、重合体
粉末15gを得た。このものの体積抵抗値は9.0Ωc
mであった。分子量分布及び分子量の測測定の結果、数
平均分子量200,000、重量平均分子量330,0
00、Z平均分子量383,000、分散度MW/MN
1.63、MZ/MW1.16であった。水、0.1モ
ル/リットルの硫酸水溶液又は0.1モル/リットルの
アンモニア水10mlにポリマーを少量ずつ加えて溶解
しなくなったところで濾過し、溶解量を求めたところ、
実施例1にて合成した導電性ポリマーの溶解性は、 水 210mg/ml 0.1モル/リットルの硫酸水溶液 205mg/ml 0.1モル/リットルのアンモニア水 190mg/ml であった。
Example 2 100 mmol of 2-aminoanisole-4-sulfonic acid
Is dissolved in a 4 mol / l aqueous ammonia solution at 25 ° C. with stirring to obtain 100 mmol of ammonium peroxodisulfate.
Was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred at 25 ° C. for 12 hours, and the reaction product was separated by filtration, washed, and dried to obtain 15 g of a polymer powder. This has a volume resistance of 9.0Ωc.
m. As a result of measuring and measuring the molecular weight distribution and the molecular weight, the number average molecular weight was 200,000 and the weight average molecular weight was 330,0.
00, Z average molecular weight 383,000, dispersity MW / MN
1.63, MZ / MW 1.16. The polymer was added little by little to 10 ml of water, 0.1 mol / l sulfuric acid aqueous solution or 0.1 mol / l ammonia water, and the mixture was dissolved.
The solubility of the conductive polymer synthesized in Example 1 was 210 mg / ml of water, 0.1 mol / l of a sulfuric acid aqueous solution, 205 mg / ml, and 0.1 mol / l of aqueous ammonia, 190 mg / ml.

【0076】実施例3 3ーメチルー6ーアミノベンゼンスルホン酸100mm
olを4℃で4モル/リットルのトリメチルアミン水溶
液に撹拌溶解し、ペルオキソ二硫酸アンモニウム100
mmolの水溶液を滴下した。滴下終了後25℃で6時
間更に撹拌したのち、反応生成物を濾別洗浄後乾燥し、
重合体粉末10gを得た。この重合体を1モル/リット
ルPTSのアセトン溶液中で1時間撹拌し濾別洗浄後、
乾燥しスルホン基がフリーの重合体の粉末18gを得
た。このものの体積抵抗値は12.5Ωcmであった。
Example 3 3-Methyl-6-aminobenzenesulfonic acid 100 mm
was dissolved in a 4 mol / l aqueous solution of trimethylamine with stirring at 4 ° C., and ammonium peroxodisulfate 100
An aqueous solution of mmol was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred at 25 ° C. for 6 hours, and the reaction product was separated by filtration, washed, and dried.
10 g of a polymer powder was obtained. This polymer was stirred for 1 hour in an acetone solution of 1 mol / liter PTS, washed by filtration and then washed.
After drying, 18 g of a polymer powder free of sulfone groups was obtained. This had a volume resistance of 12.5 Ωcm.

【0077】実施例4 2−カルボキシルアニリン(アントラニル酸)100m
molを4℃で4モル/リットルのキノリン水溶液に撹
拌溶解し、ペルオキソ二硫酸アンモニウム100mmo
lの水溶液を滴下した。滴下終了後25℃で12時間更
に撹拌したのち、反応生成物を濾別洗浄後乾燥し、重合
体粉末11gを得た。このものの体積抵抗値は45Ωc
mであった。
Example 4 2-carboxaniline (anthranilic acid) 100 m
mol was dissolved in a 4 mol / l quinoline aqueous solution at 4 ° C. with stirring, and ammonium peroxodisulfate was added in an amount of 100 mmol.
l of aqueous solution was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred at 25 ° C. for 12 hours, and the reaction product was separated by filtration, washed, and dried to obtain 11 g of a polymer powder. The volume resistance of this is 45Ωc
m.

【0078】<脱ドープ型アニリン系重合体の合成> 実施例5 アニリン100mmolを4℃で1モル/リットルの硫
酸水溶液に撹拌溶解し、ペルオキソ二硫酸アンモニウム
100mmolの1モル/リットルの硫酸水溶液を滴下
した。滴下終了後25℃で12時間更に撹拌したのち、
ドープ型のアニリン系重合体(ポリアニリン)粉末9.
5gを得た。次いで、このドープ型のアニリン系重合体
を0.5モル/リットルのアンモニア水溶液中で2時間
撹拌混合し、濾別洗浄後乾燥し、脱ドープ型のアニリン
系重合体7.2gを得た。
<Synthesis of undoped aniline polymer> Example 5 100 mmol of aniline was dissolved in a 1 mol / l aqueous sulfuric acid solution at 4 ° C. with stirring, and a 1 mol / l aqueous sulfuric acid solution of 100 mmol ammonium peroxodisulfate was added dropwise. . After the addition, the mixture was further stirred at 25 ° C. for 12 hours,
8. Doped aniline-based polymer (polyaniline) powder
5 g were obtained. Next, this dope type aniline polymer was stirred and mixed in a 0.5 mol / l aqueous ammonia solution for 2 hours, washed by filtration, dried and obtained, to obtain 7.2 g of a undoped aniline polymer.

【0079】実施例6 3−メチルアニリン100mmolを4℃で1モル/リ
ットルの硫酸水溶液に撹拌溶解し、ペルオキソ二硫酸ア
ンモニウム100mmolの1モル/リットルの硫酸水
溶液を滴下した。滴下終了後25℃で12時間更に撹拌
したのち、ドープ型のアニリン系重合体(ポリ(メチル
アニリン))粉末10.5gを得た。次いで、このドー
プ型のアニリン系重合体を0.5モル/リットルのアン
モニア水溶液中で2時間撹拌混合し、濾別洗浄後乾燥
し、脱ドープ型のアニリン系重合体8.5gを得た。
Example 6 100 mmol of 3-methylaniline was dissolved in a 1 mol / l aqueous sulfuric acid solution at 4 ° C. with stirring, and a 1 mol / l aqueous sulfuric acid solution of 100 mmol of ammonium peroxodisulfate was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred at 25 ° C. for 12 hours to obtain 10.5 g of a doped aniline-based polymer (poly (methylaniline)) powder. Next, this dope type aniline polymer was stirred and mixed in a 0.5 mol / liter aqueous ammonia solution for 2 hours, filtered, washed and dried to obtain 8.5 g of a undoped aniline polymer.

【0080】実施例7 3−メトキシアニリン100mmolを4℃で1モル/
リットルの硫酸水溶液に撹拌溶解し、ペルオキソ二硫酸
アンモニウム100mmolの1モル/リットルの硫酸
水溶液を滴下した。滴下終了後25℃で12時間更に撹
拌したのち、ドープ型のアニリン系重合体(ポリ(メト
キシアニリン))粉末11.2gを得た。次いで、この
ドープ型のアニリン系重合体を0.5モル/リットルの
アンモニア水溶液中で2時間撹拌混合し、濾別洗浄後乾
燥し、脱ドープ型のアニリン系重合体9.1gを得た。
Example 7 100 mmol of 3-methoxyaniline was added at 4 ° C.
The mixture was stirred and dissolved in 1 liter of a sulfuric acid aqueous solution, and a 1 mol / l aqueous solution of 100 mmol of ammonium peroxodisulfate was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was further stirred at 25 ° C. for 12 hours to obtain 11.2 g of a doped aniline polymer (poly (methoxyaniline)) powder. Next, this dope type aniline polymer was stirred and mixed in a 0.5 mol / liter aqueous ammonia solution for 2 hours, washed by filtration, dried and obtained, thereby obtaining 9.1 g of a undoped aniline polymer.

【0081】<アニリン系導電性高分子膜の製造> 実施例8 可溶性アニリン系導電性ポリマー(実施例2にて合成し
たポリマー)3重量部を水100重量部に室温で撹拌溶
解し、ドーピング溶液組成物を調製した。上記ドーピン
グ溶液組成物のpHは2.5であった。次いで、アニリ
ン系重合体(実施例5にて合成したポリアニリン)2重
量部をN−メチル−2−ピロリドン100重量部に室温
で撹拌溶解し、ガラス基板上にスピンコート法により塗
布し、120℃で乾燥させ、アニリン系高分子膜を形成
させた。得られた膜の表面抵抗値は、1.0×1013Ω
/□以上の値であった。上記アニリン系高分子膜を上記
ドーピング溶液中に1時間浸漬した後水洗浄し、120
℃で乾燥させアニリン系導電性高分子膜を形成した。得
られた膜の表面抵抗値は、2.0×107 Ω/□であっ
た。次いで上記導電性高分子膜をを250℃で2時間加
熱処理した後、表面抵抗を測定したところ、2.3×1
7 Ω/□であり、また、120℃で1週間放置後、再
度表面抵抗を測定したところ、2.0×107 Ω/□で
あり導電性の変化は認められず、高温で安定なアニリン
系導電性高分子膜であることが確認された。
<Production of an aniline-based conductive polymer film> Example 8 3 parts by weight of a soluble aniline-based conductive polymer (the polymer synthesized in Example 2) were stirred and dissolved in 100 parts by weight of water at room temperature, and a doping solution was prepared. A composition was prepared. The pH of the doping solution composition was 2.5. Next, 2 parts by weight of an aniline-based polymer (polyaniline synthesized in Example 5) was dissolved by stirring at room temperature in 100 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone, and the solution was applied on a glass substrate by a spin coating method, and then applied at 120 ° C. To form an aniline-based polymer film. The surface resistance of the obtained film was 1.0 × 10 13 Ω.
/ □ or more. The aniline-based polymer film was immersed in the doping solution for 1 hour, and then washed with water.
The resultant was dried at ℃ to form an aniline-based conductive polymer film. The surface resistance of the obtained film was 2.0 × 10 7 Ω / □. Next, the conductive polymer film was subjected to a heat treatment at 250 ° C. for 2 hours, and the surface resistance was measured.
0 7 Ω / □ and is, also, after standing for 1 week at 120 ° C., was measured surface resistance again, 2.0 × 10 7 Ω / □ and is the change in conductivity is not recognized and stable at high temperatures It was confirmed that the film was an aniline-based conductive polymer film.

【0082】実施例9 可溶性アニリン系導電性ポリマー(実施例1にて合成し
たポリマー)5重量部、ドデシルベンゼンスルホン酸
0.05重量部を水100重量部に室温で撹拌溶解し、
ドーピング溶液組成物を調製した。上記ドーピング溶液
組成物のpHは1.5であった。次いで、アニリン系重
合体(実施例5にて合成したポリアニリン)2重量部を
N−メチル−2−ピロリドン100重量部に室温で撹拌
溶解し、ガラス基板上にスピンコート法により塗布し、
120℃で乾燥させ、アニリン系高分子膜を形成させ
た。得られた膜の表面抵抗値は、1.0×1013Ω/□
以上の値であった。上記アニリン系高分子膜を上記ドー
ピング溶液中に1時間浸漬した後水洗浄し、120℃で
乾燥させアニリン系導電性高分子膜を形成した。得られ
た膜の表面抵抗値は、1.0×107 Ω/□であった。
次いで上記導電性高分子膜をを250℃で2時間加熱処
理した後、表面抵抗を測定したところ、1.0×107
Ω/□であり、また、120℃で1週間放置後、再度表
面抵抗を測定したところ、1.0×107 Ω/□であり
導電性の変化は認められず、高温で安定なアニリン系導
電性高分子膜であることが確認された。
Example 9 5 parts by weight of a soluble aniline-based conductive polymer (the polymer synthesized in Example 1) and 0.05 parts by weight of dodecylbenzenesulfonic acid were stirred and dissolved in 100 parts by weight of water at room temperature.
A doping solution composition was prepared. The pH of the doping solution composition was 1.5. Next, 2 parts by weight of an aniline-based polymer (polyaniline synthesized in Example 5) was stirred and dissolved at room temperature in 100 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone, and applied on a glass substrate by spin coating.
It was dried at 120 ° C. to form an aniline-based polymer film. The surface resistance of the obtained film was 1.0 × 10 13 Ω / □.
The values were above. The aniline-based polymer film was immersed in the doping solution for 1 hour, washed with water, and dried at 120 ° C. to form an aniline-based conductive polymer film. The surface resistance of the obtained film was 1.0 × 10 7 Ω / □.
Then, after the the conductive polymer film was heated for 2 hours at 250 ° C., was measured surface resistance, 1.0 × 10 7
When the surface resistance was measured again after being left at 120 ° C. for one week, it was found to be 1.0 × 10 7 Ω / □, and no change in conductivity was observed. It was confirmed that the film was a conductive polymer film.

【0083】実施例10 可溶性アニリン系導電性ポリマー(実施例1にて合成し
たポリマー)5重量部、アンモニア1.5重量部を水1
00重量部に室温で撹拌溶解し、ドーピング溶液組成物
を調製した。上記ドーピング溶液組成物のpHは7.3
であった。次いで、アニリン系重合体(実施例5にて合
成したポリアニリン)2重量部をN−メチル−2−ピロ
リドン100重量部に室温で撹拌溶解し、ガラス基板上
にスピンコート法により塗布し、120℃で乾燥させ、
アニリン系高分子膜を形成させた。得られた膜の表面抵
抗値は、1.0×1013Ω/□以上の値であった。上記
アニリン系高分子膜を上記ドーピング溶液中に1時間浸
漬した後水洗浄し、120℃で乾燥させアニリン系導電
性高分子膜を形成した。得られた膜の表面抵抗値は、
3.0×107 Ω/□であった。次いで上記導電性高分
子膜をを250℃で2時間加熱処理した後、表面抵抗を
測定したところ、2.8×107 Ω/□であり、また、
120℃で1週間放置後、再度表面抵抗を測定したとこ
ろ、2.8×107 Ω/□であり導電性の変化は認めら
れず、高温で安定なアニリン系導電性高分子膜であるこ
とが確認された。
Example 10 5 parts by weight of a soluble aniline-based conductive polymer (the polymer synthesized in Example 1) and 1.5 parts by weight of ammonia were added to water 1
The mixture was stirred and dissolved in 00 parts by weight at room temperature to prepare a doping solution composition. The pH of the doping solution composition is 7.3.
Met. Next, 2 parts by weight of an aniline-based polymer (polyaniline synthesized in Example 5) was dissolved by stirring at room temperature in 100 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone, and the solution was applied on a glass substrate by a spin coating method, and then applied at 120 ° C. And let it dry
An aniline polymer film was formed. The surface resistance of the obtained film was 1.0 × 10 13 Ω / □ or more. The aniline-based polymer film was immersed in the doping solution for 1 hour, washed with water, and dried at 120 ° C. to form an aniline-based conductive polymer film. The surface resistance of the obtained film is
It was 3.0 × 10 7 Ω / □. Next, the conductive polymer film was subjected to heat treatment at 250 ° C. for 2 hours, and the surface resistance was measured. As a result, it was 2.8 × 10 7 Ω / □.
After being left at 120 ° C. for one week, the surface resistance was measured again. As a result, it was 2.8 × 10 7 Ω / □, no change in conductivity was observed, and the aniline-based conductive polymer film was stable at high temperatures. Was confirmed.

【0084】実施例11 可溶性アニリン系導電性ポリマー(実施例1にて合成し
たポリマー)5重量部、トリエチルアミン1重量部を水
100重量部に室温で撹拌溶解し、ドーピング溶液組成
物を調製した。次いで、アニリン系重合体(実施例5に
て合成したポリアニリン)2重量部をN−メチル−2−
ピロリドン100重量部に室温で撹拌溶解し、ガラス基
板上にスピンコート法により塗布し、120℃で乾燥さ
せ、アニリン系高分子膜を形成させた。得られた膜の表
面抵抗値は、1.0×1013Ω/□以上の値であった。
上記アニリン系高分子膜を上記ドーピング溶液中に1時
間浸漬した後、120℃で乾燥した後水洗浄し、120
℃で乾燥させアニリン系導電性高分子膜を形成した。得
られた膜の表面抵抗値は、8.0×106 Ω/□であっ
た。次いで上記導電性高分子膜をを250℃で2時間加
熱処理した後、表面抵抗を測定したところ、8.5×1
7Ω/□であり、また、120℃で1週間放置後、再
度表面抵抗を測定したところ、8.3×107 Ω/□で
あり導電性の変化は認められず、高温で安定なアニリン
系導電性高分子膜であることが確認された。
Example 11 5 parts by weight of a soluble aniline-based conductive polymer (the polymer synthesized in Example 1) and 1 part by weight of triethylamine were stirred and dissolved in 100 parts by weight of water at room temperature to prepare a doping solution composition. Next, 2 parts by weight of the aniline-based polymer (polyaniline synthesized in Example 5) was added to N-methyl-2-
The solution was stirred and dissolved in 100 parts by weight of pyrrolidone at room temperature, applied on a glass substrate by spin coating, and dried at 120 ° C. to form an aniline-based polymer film. The surface resistance of the obtained film was 1.0 × 10 13 Ω / □ or more.
The aniline-based polymer film was immersed in the doping solution for 1 hour, dried at 120 ° C., and washed with water.
The resultant was dried at ℃ to form an aniline-based conductive polymer film. The surface resistance of the obtained film was 8.0 × 10 6 Ω / □. Next, the conductive polymer film was subjected to a heat treatment at 250 ° C. for 2 hours, and the surface resistance was measured.
0 7 Ω / □ and is, also, after standing for 1 week at 120 ° C., was measured surface resistance again, 8.3 × 10 7 Ω / □ and is the change in conductivity is not recognized and stable at high temperatures It was confirmed that the film was an aniline-based conductive polymer film.

【0085】実施例12 可溶性アニリン系導電性ポリマー(実施例3にて合成し
たポリマー)3重量部を水100重量部に室温で撹拌溶
解し、ドーピング溶液組成物を調製した。次いで、アニ
リン系重合体(実施例6にて合成したポリ(メチルアニ
リン))2重量部、ポリエチレンテレフタレート「バイ
ロン200」(東洋紡(株)製)0.5重量部をN−メ
チル−2−ピロリドン100重量部に室温で撹拌溶解
し、ガラス基板上にスピンコート法により塗布し、12
0℃で乾燥させ、アニリン系高分子膜を形成させた。得
られた膜の表面抵抗値は、1.0×1013Ω/□以上の
値であった。上記アニリン系高分子膜を上記ドーピング
溶液中に1時間浸漬した後水洗浄し、120℃で乾燥さ
せアニリン系導電性高分子膜を形成した。得られた膜の
表面抵抗値は、5.5×107 Ω/□であった。次いで
上記導電性高分子膜をを250℃で2時間加熱処理した
後、表面抵抗を測定したところ、5.3×107 Ω/□
であり、また、120℃で1週間放置後、再度表面抵抗
を測定したところ、5.9×107 Ω/□であり導電性
の変化は認められず、高温で安定なアニリン系導電性高
分子膜であることが確認された。
Example 12 3 parts by weight of a soluble aniline-based conductive polymer (the polymer synthesized in Example 3) was stirred and dissolved in 100 parts by weight of water at room temperature to prepare a doping solution composition. Next, 2 parts by weight of an aniline-based polymer (poly (methylaniline) synthesized in Example 6) and 0.5 part by weight of polyethylene terephthalate “Vylon 200” (manufactured by Toyobo Co., Ltd.) were added to N-methyl-2-pyrrolidone. 100 parts by weight were stirred and dissolved at room temperature, and applied on a glass substrate by a spin coating method.
It was dried at 0 ° C. to form an aniline-based polymer film. The surface resistance of the obtained film was 1.0 × 10 13 Ω / □ or more. The aniline-based polymer film was immersed in the doping solution for 1 hour, washed with water, and dried at 120 ° C. to form an aniline-based conductive polymer film. The surface resistance of the obtained film was 5.5 × 10 7 Ω / □. Next, the conductive polymer film was subjected to a heat treatment at 250 ° C. for 2 hours, and the surface resistance was measured. The result was 5.3 × 10 7 Ω / □.
The surface resistance was measured again after being left at 120 ° C. for one week, and found to be 5.9 × 10 7 Ω / □, no change in conductivity was observed. It was confirmed to be a molecular film.

【0086】実施例13 可溶性アニリン系導電性ポリマー(実施例4にて合成し
たポリマー)5重量部を水/イソプロピルアルコール
(7/3)100重量部に室温で撹拌溶解し、ドーピン
グ溶液組成物を調製した。次いで、アニリン系重合体
(実施例7にて合成したポリ(メトキシアニリン))2
重量部をN−メチル−2−ピロリドン100重量部に室
温で撹拌溶解し、ガラス基板上にスピンコート法により
塗布し、120℃で乾燥させ、アニリン系高分子膜を形
成させた。得られた膜の表面抵抗値は、1.0×1013
Ω/□以上の値であった。上記アニリン系高分子膜を上
記ドーピング溶液中に1時間浸漬した後水洗浄し、12
0℃で乾燥させアニリン系導電性高分子膜を形成した。
得られた膜の表面抵抗値は、4.8×107 Ω/□であ
った。次いで上記導電性高分子膜をを250℃で2時間
加熱処理した後、表面抵抗を測定したところ、4.8×
107 Ω/□であり、また、120℃で1週間放置後、
再度表面抵抗を測定したところ、5.0×107 Ω/□
であり導電性の変化は認められず、高温で安定なアニリ
ン系導電性高分子膜であることが確認された。
Example 13 5 parts by weight of a soluble aniline-based conductive polymer (the polymer synthesized in Example 4) was stirred and dissolved at room temperature in 100 parts by weight of water / isopropyl alcohol (7/3) to prepare a doping solution composition. Prepared. Next, an aniline-based polymer (poly (methoxyaniline) synthesized in Example 7) 2
A part by weight was stirred and dissolved at room temperature in 100 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone, applied on a glass substrate by a spin coating method, and dried at 120 ° C. to form an aniline polymer film. The surface resistance of the obtained film was 1.0 × 10 13
The value was Ω / □ or more. The aniline-based polymer film was immersed in the doping solution for 1 hour and then washed with water.
It was dried at 0 ° C. to form an aniline-based conductive polymer film.
The surface resistance of the obtained film was 4.8 × 10 7 Ω / □. Next, the conductive polymer film was subjected to a heat treatment at 250 ° C. for 2 hours, and the surface resistance was measured.
10 7 Ω / □, and after standing at 120 ° C. for 1 week,
When the surface resistance was measured again, it was 5.0 × 10 7 Ω / □.
No change in conductivity was observed, and it was confirmed that the aniline-based conductive polymer film was stable at high temperatures.

【0087】実施例14 可溶性アニリン系導電性ポリマー(実施例2にて合成し
たポリマー)5重量部、トリエタノールアミン2重量
部、ドデシルベンゼンスホン酸0.1重量部を水100
重量部に室温で撹拌溶解し、ドーピング溶液組成物を調
製した。次いで、アニリン系重合体(実施例5にて合成
したポリアニリン)2重量部をN−メチル−2−ピロリ
ドン100重量部に室温で撹拌溶解し、ガラス基板上に
スピンコート法により塗布し、120℃で乾燥させ、ア
ニリン系高分子膜を形成させた。得られた膜の表面抵抗
値は、1.0×1013Ω/□以上の値であった。上記ア
ニリン系高分子膜を上記ドーピング溶液中に1時間浸漬
した後水洗浄し、120℃で乾燥させアニリン系導電性
高分子膜を形成した。得られた膜の表面抵抗値は、1.
6×107 Ω/□であった。次いで上記導電性高分子膜
をを250℃で2時間加熱処理した後、表面抵抗を測定
したところ、1.4×107 Ω/□であり、また、12
0℃で1週間放置後、再度表面抵抗を測定したところ、
1.1×107 Ω/□であり導電性の変化は認められ
ず、高温で安定なアニリン系導電性高分子膜であること
が確認された。
Example 14 5 parts by weight of a soluble aniline-based conductive polymer (the polymer synthesized in Example 2), 2 parts by weight of triethanolamine and 0.1 part by weight of dodecylbenzenesulfonic acid were added to 100 parts of water.
The solution was stirred and dissolved at room temperature in parts by weight to prepare a doping solution composition. Next, 2 parts by weight of an aniline-based polymer (polyaniline synthesized in Example 5) was dissolved by stirring at room temperature in 100 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone, and the solution was applied on a glass substrate by a spin coating method, and then applied at 120 ° C. To form an aniline-based polymer film. The surface resistance of the obtained film was 1.0 × 10 13 Ω / □ or more. The aniline-based polymer film was immersed in the doping solution for 1 hour, washed with water, and dried at 120 ° C. to form an aniline-based conductive polymer film. The surface resistance of the obtained film was 1.
It was 6 × 10 7 Ω / □. Next, the conductive polymer film was heated at 250 ° C. for 2 hours, and the surface resistance was measured to be 1.4 × 10 7 Ω / □.
After leaving at 0 ° C for one week, the surface resistance was measured again.
1.1 × 10 7 Ω / □, no change in conductivity was observed, and it was confirmed that the aniline-based conductive polymer film was stable at high temperatures.

【0088】比較例1 p−トルエンスルホン酸3重量部を水100重量部に室
温で撹拌溶解し、ドーピング溶液組成物を調製した。次
いで、アニリン系重合体(実施例5にて合成したポリア
ニリン)2重量部をN−メチル−2−ピロリドン100
重量部に室温で撹拌溶解し、ガラス基板上にスピンコー
ト法により塗布し、120℃で乾燥させ、アニリン系高
分子膜を形成させた。得られた膜の表面抵抗値は、1.
0×1013Ω/□以上の値であった。上記アニリン系高
分子膜を上記ドーピング溶液中に1時間浸漬した後水洗
浄し、120℃で乾燥させアニリン系導電性高分子膜を
形成した。得られた膜の表面抵抗値は、6.2×109
Ω/□であった。次いで上記導電性高分子膜をを250
℃で2時間加熱処理した後、表面抵抗を測定したとこ
ろ、1.0×1013Ω/□以上であり、また、120℃
で1週間放置後、再度表面抵抗を測定したところ、1.
0×1013Ω/□以上であり導電性は著しく低下し、高
温では不安定であることが確認された。
Comparative Example 1 3 parts by weight of p-toluenesulfonic acid was dissolved in 100 parts by weight of water at room temperature with stirring to prepare a doping solution composition. Next, 2 parts by weight of an aniline-based polymer (polyaniline synthesized in Example 5) was added to N-methyl-2-pyrrolidone 100
The aniline-based polymer film was formed by dissolving in parts by weight at room temperature while stirring and dissolving it, applying it on a glass substrate by spin coating, and drying it at 120 ° C. The surface resistance of the obtained film was 1.
The value was 0 × 10 13 Ω / □ or more. The aniline-based polymer film was immersed in the doping solution for 1 hour, washed with water, and dried at 120 ° C. to form an aniline-based conductive polymer film. The surface resistance of the obtained film was 6.2 × 10 9
Ω / □. Next, the above conductive polymer film was
After heat treatment at 2 ° C. for 2 hours, the surface resistance was measured and found to be 1.0 × 10 13 Ω / □ or more.
After one week, the surface resistance was measured again.
It was 0 × 10 13 Ω / □ or more, and the conductivity was remarkably reduced, and it was confirmed that the film was unstable at high temperatures.

【0089】比較例2 硫酸3重量部を水100重量部に室温で撹拌溶解し、ド
ーピング溶液組成物を調製した。次いで、アニリン系重
合体(実施例5にて合成したポリアニリン)2重量部を
N−メチル−2−ピロリドン100重量部に室温で撹拌
溶解し、ガラス基板上にスピンコート法により塗布し、
120℃で乾燥させ、アニリン系高分子膜を形成させ
た。得られた膜の表面抵抗値は、1.0×1013Ω/□
以上の値であった。上記アニリン系高分子膜を上記ドー
ピング溶液中に1時間浸漬した後水洗浄し、120℃で
乾燥させアニリン系導電性高分子膜を形成した。得られ
た膜の表面抵抗値は、4.7×109 Ω/□であった。
次いで上記導電性高分子膜をを250℃で2時間加熱処
理した後、表面抵抗を測定したところ、1.0×1013
Ω/□以上であり、また、120℃で1週間放置後、再
度表面抵抗を測定したところ、1.0×1013Ω/□以
上であり導電性は著しく低下し、高温では不安定である
ことが確認された。
Comparative Example 2 3 parts by weight of sulfuric acid was stirred and dissolved in 100 parts by weight of water at room temperature to prepare a doping solution composition. Next, 2 parts by weight of an aniline-based polymer (polyaniline synthesized in Example 5) was stirred and dissolved at room temperature in 100 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone, and applied on a glass substrate by spin coating.
It was dried at 120 ° C. to form an aniline-based polymer film. The surface resistance of the obtained film was 1.0 × 10 13 Ω / □.
The values were above. The aniline-based polymer film was immersed in the doping solution for 1 hour, washed with water, and dried at 120 ° C. to form an aniline-based conductive polymer film. The surface resistance of the obtained film was 4.7 × 10 9 Ω / □.
Then, after the the conductive polymer film was heated for 2 hours at 250 ° C., was measured surface resistance, 1.0 × 10 13
Ω / □ or more, and after being left at 120 ° C. for 1 week, the surface resistance was measured again. As a result, it was 1.0 × 10 13 Ω / □ or more. It was confirmed that.

【0090】比較例3 硫酸3重量部、アンモニア1重量部を水100重量部に
室温で撹拌溶解し、ドーピング溶液組成物を調製した。
次いで、アニリン系重合体(実施例6にて合成したポリ
(メチルアニリン))2重量部をN−メチル−2−ピロ
リドン100重量部に室温で撹拌溶解し、ガラス基板上
にスピンコート法により塗布し、120℃で乾燥させ、
アニリン系高分子膜を形成させた。得られた膜の表面抵
抗値は、1.0×1013Ω/□以上の値であった。上記
アニリン系高分子膜を上記ドーピング溶液中に1時間浸
漬した後水洗浄し、120℃で乾燥させアニリン系導電
性高分子膜を形成した。得られた膜の表面抵抗値は、
1.0×1013Ω/□以上であった。次いで上記導電性
高分子膜をを250℃で2時間加熱処理した後、表面抵
抗を測定したところ、1.0×1013Ω/□以上であ
り、また、120℃で1週間放置後、再度表面抵抗を測
定したところ、1.0×1013Ω/□以上であり導電性
は著しく低下し、高温では不安定であることが確認され
た。
Comparative Example 3 3 parts by weight of sulfuric acid and 1 part by weight of ammonia were dissolved in 100 parts by weight of water with stirring at room temperature to prepare a doping solution composition.
Next, 2 parts by weight of an aniline-based polymer (poly (methylaniline) synthesized in Example 6) was stirred and dissolved at room temperature in 100 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone, and applied to a glass substrate by spin coating. And dried at 120 ° C.
An aniline polymer film was formed. The surface resistance of the obtained film was 1.0 × 10 13 Ω / □ or more. The aniline-based polymer film was immersed in the doping solution for 1 hour, washed with water, and dried at 120 ° C. to form an aniline-based conductive polymer film. The surface resistance of the obtained film is
1.0 × 10 13 Ω / □ or more. Next, the conductive polymer film was subjected to a heat treatment at 250 ° C. for 2 hours, and the surface resistance was measured. As a result, it was 1.0 × 10 13 Ω / □ or more. When measuring the surface resistivity, 1.0 × 10 13 Ω / □ or more in and conductivity is significantly decreased, was confirmed to be unstable at high temperatures.

【0091】[0091]

【効果】本発明は、アニリン系高分子膜のドーパントと
して、スルホン基および/またはカルボキシル基などを
有する酸性基置換アニリン類を繰り返し単位として70
%以上有する可溶性アニリン系導電性ポリマーを用いる
ことにより、高い導電性とともに、耐熱性、耐候性に優
れた化学的および物理的に安定なアニリン系導電性高分
子膜を提供できる。
According to the present invention, as a dopant for an aniline-based polymer film, an acid group-substituted aniline having a sulfone group and / or a carboxyl group is used as a repeating unit.
%, A chemically and physically stable aniline-based conductive polymer film having high conductivity and excellent heat resistance and weather resistance can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、実施例8にて製造したアニリン系導電
性高分子膜のATR法によるIRスペクトルを示す。
FIG. 1 shows an IR spectrum of the aniline-based conductive polymer film produced in Example 8 by an ATR method.

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 73/00 - 73/26 C08J 5/18 C08L 79/00 - 79/08 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) C08G 73/00-73/26 C08J 5/18 C08L 79/00-79/08

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 一般式(1) 【化1】 (式中、R〜R18は、水素、炭素数1〜4の直鎖ま
たは分岐のアルキル基、炭素数1〜4の直鎖または分岐
のアルコキシ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハ
ロゲン基よりなる群から選ばれた一つの基である。xは
0〜1の任意の数を示し、nは重合度を示し、2〜50
00の数である)で表される脱酸処理または還元処理し
た脱ドープ状態のアニリン系高分子膜(m)に、スルホ
ン基および/またはカルボキシル基の酸性基を有する酸
性基置換アニリン、そのアルカリ金属塩、アンモニウム
塩および/または置換アンモニウム塩を繰り返し単位と
して70%以上有するポリマーであって、その重量平均
分子量が1900以上の常温固体状である可溶性アニリ
ン系導電性ポリマー類(a)が、ドーパントとして付加
していることを特徴とするアニリン系導電性高分子膜。
1. A compound of the general formula (1) (Wherein, R 1 to R 18 are hydrogen, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxyl group, a nitro group, an amino group, and a halogen atom. X represents an arbitrary number from 0 to 1, n represents a degree of polymerization, and 2 to 50.
Aniline-based polymer film 00 undoped state that deacidified or reduction treatment represented by the number a is) of (m), sulfo
Group- containing aniline having an acidic group of a carboxyl group and / or a carboxyl group, a polymer having 70% or more as a repeating unit of an alkali metal salt, an ammonium salt and / or a substituted ammonium salt thereof, and having a weight average molecular weight of 1900 or more An aniline-based conductive polymer film, wherein the soluble aniline-based conductive polymer (a) which is a solid at room temperature is added as a dopant.
【請求項2】 前記アニリン系高分子膜(m)が、高分
子化合物を含有している複合膜である請求項1記載のア
ニリン系導電性高分子膜。
2. The aniline-based conductive polymer film according to claim 1, wherein the aniline-based polymer film (m) is a composite film containing a polymer compound.
【請求項3】 前記可溶性アニリン系導電性ポリマー類
(a)が、一般式(2) 【化2】 (式中、Aはスルホン基、カルボキシル基、またはそれ
らのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、置換アンモニウ
ム塩から選ばれた一つの基であり、Bは水素、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、
n−ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、
t−ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ
基,n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブ
トキシ基、iso−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、
t−ブトキシ基、ヘプトキシ基、ヘキソオキシ基、オク
トキシ基、ナノキシ基、デカノキシ基、ウンデカノキシ
基、ドデカノキシ基などのアルコキシ基、ヒドロキシ
基、ニトロ基、およびフルオロ基、クロロ基、ブロモ基
のハロゲン基から選ばれた一つの基を示す。xは0〜1
の任意の数を示し、nは重合度を示し、3〜5000の
数である)で表されるスルホン基および/またはカルボ
キシル基の酸性基を有する酸性基置換アニリン、そのア
ルカリ金属塩、アンモニウム塩および/または置換アン
モニウム塩を繰り返し単位として70%以上有するポリ
マーであって、その重量平均分子量が1900以上の常
温固体状である請求項1または2記載のアニリン系導電
性高分子膜。
3. The soluble aniline-based conductive polymer (a) is represented by the general formula (2): (In the formula, A is a sulfone group, a carboxyl group, or one group selected from alkali metal salts, ammonium salts, and substituted ammonium salts thereof, and B is hydrogen, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, iso-propyl group,
n-butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group,
alkyl groups such as t-butyl group, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, iso-butoxy group, sec-butoxy group,
t-butoxy group, heptoxy group, hexoxy group, octoxy group, nanoxy group, decoxy group, undecanoxy group, alkoxy group such as dodecanoxy group, hydroxy group, nitro group, and fluoro group, chloro group, bromo group
And represents one group selected from halogen groups . x is 0-1
Any indicates the number of, n represents indicates the degree of polymerization, a sulfone group and / or carboxy represented by a is) Number of 3-5000
A polymer having an acid group-substituted aniline having an acid group of a xyl group, an alkali metal salt, an ammonium salt and / or a substituted ammonium salt thereof in a proportion of 70% or more as a repeating unit and having a weight average molecular weight of 1900 or more at room temperature. The aniline-based conductive polymer film according to claim 1 or 2.
【請求項4】 前記可溶性アニリン系導電性ポリマー類
(a)が、スルホン基および/またはカルボキシル基の
酸性基を有する酸性基置換アニリン、そのアルカリ金属
塩、アンモニウム塩、置換アンモニウム塩のうち少なく
とも一種の化合物(イ)を、塩基性化合物(ロ)を含む
溶液中で酸化剤により重合させることにより得られた可
溶性導電性ポリマー類である請求項1、2または3記載
のアニリン系導電性高分子膜。
4. The method according to claim 1, wherein the soluble aniline-based conductive polymer (a) has a sulfone group and / or a carboxyl group.
An acidic group-substituted aniline having an acidic group , an alkali metal salt thereof, an ammonium salt, or a substituted ammonium salt thereof, obtained by polymerizing at least one compound (a) with a oxidizing agent in a solution containing a basic compound (b). The aniline-based conductive polymer film according to claim 1, which is a soluble conductive polymer obtained.
【請求項5】 前記化合物(イ)が、一般式(3) 【化3】 (式中、R19〜R23は水素、炭素数1〜4の直鎖ま
たは分岐のアルキル基、炭素数1〜12の直鎖または分
岐のアルコキシ基、酸性基、水酸基、ニトロ基、ハロゲ
ンよりなる群から選ばれ、その少なくとも一つは酸性基
を示す。また、ここで酸性基とはスルホン基またはカル
ボキシル基を示す)で表される酸性基置換アニリン、そ
のアルカリ金属塩、アンモニウム塩、置換アンモニウム
塩のうち少なくとも一種の化合物である請求項4記載の
アニリン系導電性高分子膜。
5. The compound (a) represented by the general formula (3): (Wherein, R 19 to R 23 are each selected from hydrogen, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an acidic group, a hydroxyl group, a nitro group, and a halogen. At least one of which represents an acidic group, wherein the acidic group represents a sulfone group or a carboxyl group), an aniline substituted with an acidic group represented by the following formula: The aniline-based conductive polymer film according to claim 4, which is at least one compound among ammonium salts.
【請求項6】 基板の少なくとも一つの面上に、一般式
(1) 【化4】 (式中、R〜R18は、水素、炭素数1〜4の直鎖ま
たは分岐のアルキル基、炭素数1〜4の直鎖または分岐
のアルコキシ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基およびハ
ロゲン基よりなる群から選ばれた一つの基である。xは
0〜1の任意の数を示し、nは重合度を示し、2〜50
00の数である)で表される脱酸処理または還元処理し
た脱ドープ状態のアニリン系高分子膜(m)を形成後、
スルホン基および/またはカルボキシル基の酸性基を有
する酸性基置換アニリン、そのアルカリ金属塩、アンモ
ニウム塩および/または置換アンモニウム塩を繰り返し
単位として70%以上有するポリマーであって、その重
量平均分子量が1900以上の常温固体状である可溶性
アニリン系導電性ポリマー類(a)、および溶媒(b)
からなる組成物によりドーピング処理した後、常温で放
置あるいは加熱処理することを特徴とするアニリン系導
電性高分子膜の製造方法。
6. The method according to claim 1, wherein at least one surface of the substrate has the general formula (1) (Wherein, R 1 to R 18 are hydrogen, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a hydroxyl group, a nitro group, an amino group, and a halogen atom. X represents an arbitrary number from 0 to 1, n represents a degree of polymerization, and 2 to 50.
After the formation of the undoped or reduced aniline-based polymer film (m) represented by the following formula:
An acid-substituted aniline having an acid group of a sulfone group and / or a carboxyl group, a polymer having at least 70% of an alkali metal salt, an ammonium salt and / or a substituted ammonium salt as a repeating unit, and having a weight average molecular weight of 1900 or more A soluble aniline-based conductive polymer (a) which is a solid at room temperature and a solvent (b)
A method for producing an aniline-based conductive polymer film, comprising doping with a composition comprising:
【請求項7】 前記組成物が、アミン類および四級アン
モニウム塩類から選ばれた少なくとも一種の含窒素化合
物(c)および/または界面活性剤(d)を含有するも
のである請求項6記載のアニリン系導電性高分子膜の製
造方法。
7. The composition according to claim 6, wherein the composition contains at least one nitrogen-containing compound (c) and / or a surfactant (d) selected from amines and quaternary ammonium salts. A method for producing an aniline-based conductive polymer film.
【請求項8】 前記アニリン系高分子膜(m)が、高分
子化合物を含有している複合膜である請求項6または7
記載のアニリン系導電性高分子膜の製造方法。
8. The aniline-based polymer film (m) is a composite film containing a polymer compound.
A method for producing the aniline-based conductive polymer film according to the above.
【請求項9】 加熱処理が40〜250℃の温度範囲で
行い、溶媒(b)および含窒素化合物(c)を除去する
ものである請求項6、7または8記載のアニリン系導電
性高分子膜の製造方法。
9. The aniline-based conductive polymer according to claim 6, wherein the heat treatment is performed in a temperature range of 40 to 250 ° C. to remove the solvent (b) and the nitrogen-containing compound (c). Manufacturing method of membrane.
JP6305733A 1994-11-16 1994-11-16 Aniline-based conductive polymer film and method for producing the same Expired - Lifetime JP3056655B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6305733A JP3056655B2 (en) 1994-11-16 1994-11-16 Aniline-based conductive polymer film and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6305733A JP3056655B2 (en) 1994-11-16 1994-11-16 Aniline-based conductive polymer film and method for producing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08143664A JPH08143664A (en) 1996-06-04
JP3056655B2 true JP3056655B2 (en) 2000-06-26

Family

ID=17948699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6305733A Expired - Lifetime JP3056655B2 (en) 1994-11-16 1994-11-16 Aniline-based conductive polymer film and method for producing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3056655B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8732996B2 (en) 2008-02-01 2014-05-27 Dean Groening Advertising discs and lids to receive advertising discs

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6436236B1 (en) * 2001-03-05 2002-08-20 E. I. Du Pont De Nemours & Company Electrically-conductive para-aramid pulp
CN1954031B (en) * 2004-03-25 2010-06-09 日产化学工业株式会社 Charge-transporting varnish and organic electro- luminescent devices made by using the same
JP5026054B2 (en) * 2006-11-01 2012-09-12 信越ポリマー株式会社 Method for producing conductive polymer paint, method for producing conductive coating film
JP6875526B2 (en) * 2017-07-14 2021-05-26 富士フイルム株式会社 Thermosetting resin compositions, cured films thereof, laminates, semiconductor devices, and methods for producing them.
CN112996856B (en) * 2018-11-15 2024-04-09 三菱化学株式会社 Conductive composition and method for producing same, and conductive body and method for producing same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8732996B2 (en) 2008-02-01 2014-05-27 Dean Groening Advertising discs and lids to receive advertising discs

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08143664A (en) 1996-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5932144A (en) Soluble aniline conducting polymers
JP2959968B2 (en) Method for producing soluble aniline-based conductive polymer
JP3051244B2 (en) Sulfonated aniline copolymers and their preparation
JP3037547B2 (en) Conductive composition, conductor and method of forming the same
US6090985A (en) Chiral polyanilines and the synthesis thereof
US5641859A (en) Water-soluble self-acid-doped polyaniline, method of preparation thereof, and polymer blends made therefrom
Grigoras et al. Chemical synthesis and characterization of self-doped N-propanesulfonic acid polyaniline derivatives
JP3056655B2 (en) Aniline-based conductive polymer film and method for producing the same
JP3631910B2 (en) Method for producing highly conductive aniline polymer
JP3906071B2 (en) Conductive polyaniline composition, film thereof, and production method thereof
KR101022208B1 (en) Method for Preparing Organic Solvent Dispersion of Conducting Polymers Using Polymeric Ionic Liquid and the Conducting Polymer by Prepared using the same
JP3402961B2 (en) Method for producing high-purity soluble aniline-based conductive polymer
JP4269113B2 (en) Aromatic amine derivatives and soluble conductive compounds
JP3487370B2 (en) Aqueous polyaniline composition and method for producing the same
WO2003051961A1 (en) Conductive polyaniline composition, film thereof, and processes for producing these
Li et al. Facile synthesis of highly soluble copolymers and sub-micrometer particles from ethylaniline with anisidine and sulfoanisidine
JP3056650B2 (en) Aniline-based conductive polymer and method for producing the same
JP2010067448A (en) Manufacturing method of conductor
JP3506191B2 (en) Anticorrosion paint using conductive organic polymer composition and anticorrosion method
JP3475017B2 (en) High-purity soluble aniline-based conductive polymer and method for producing the same
JPH10158395A (en) Production of soluble conductive polymer having acidic group
JP3051308B2 (en) Conductive composition, conductor and method of forming the same
JP2000256617A (en) Water borne polyaniline composition, preparation thereof, and antistatic coating agent
JP3332293B2 (en) Conductive composition, conductor and method of forming the same
JP3592991B2 (en) Compensated sulfonated polyaniline and method for its preparation

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080414

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090414

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090414

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100414

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110414

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130414

Year of fee payment: 13

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130414

Year of fee payment: 13

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130414

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140414

Year of fee payment: 14

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term