JP3035401B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JP3035401B2
JP3035401B2 JP4035367A JP3536792A JP3035401B2 JP 3035401 B2 JP3035401 B2 JP 3035401B2 JP 4035367 A JP4035367 A JP 4035367A JP 3536792 A JP3536792 A JP 3536792A JP 3035401 B2 JP3035401 B2 JP 3035401B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はスイッチングレギュレ
ータ等に使用するスイッチングトランジスタの駆動回路
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a driving circuit for a switching transistor used in a switching regulator or the like.

【0002】近年のスイッチングレギュレータでは小型
・軽量化及び高効率化が要請されている。このため、平
滑用フィルタの小型化が可能な高周波動作時において
も、スイッチングトランジスタのターンオン・ターンオ
フ時の損失を低減し、小型化と同時に高効率動作を実現
することが要請されている。
In recent years, switching regulators are required to be small, light, and highly efficient. For this reason, even during high-frequency operation in which the size of the smoothing filter can be reduced, it is required to reduce the loss at the time of turning on and off the switching transistor and realize high efficiency operation at the same time as size reduction.

【0003】[0003]

【従来の技術】従来のスイッチングトランジスタ駆動回
路を図3に従って説明すると、駆動回路1は入力信号V
inがトランジスタTr1,Tr2のベースに入力され、両ト
ランジスタTr1,Tr2のコレクタには電流源2a,2b
が接続され、エミッタはグランドGNDに接続されてい
る。
2. Description of the Related Art A conventional switching transistor driving circuit will be described with reference to FIG.
in is input to the bases of the transistors Tr1 and Tr2, and the current sources 2a and 2b are connected to the collectors of the transistors Tr1 and Tr2.
And the emitter is connected to the ground GND.

【0004】トランジスタTr1のコレクタはトランジス
タTr3のベースに接続され、そのトランジスタTr3のコ
レクタは抵抗R1,R2を介して電源Vccに接続され、
エミッタはグランドGNDに接続されている。
The collector of the transistor Tr1 is connected to the base of the transistor Tr3, and the collector of the transistor Tr3 is connected to the power supply Vcc via the resistors R1 and R2.
The emitter is connected to the ground GND.

【0005】トランジスタTr2のコレクタはトランジス
タTr4のベースに接続され、同トランジスタTr4のエミ
ッタはトランジスタTr5のベースに接続され、両トラン
ジスタTr4,Tr5のコレクタは互いに接続されて出力端
子t1に接続されて両トランジスタTr4,Tr5はダーリ
ントン構成となっている。
The collector of the transistor Tr2 is connected to the base of the transistor Tr4, the emitter of the transistor Tr4 is connected to the base of the transistor Tr5, and the collectors of both the transistors Tr4 and Tr5 are connected to each other and connected to the output terminal t1 so that both transistors are connected. The transistors Tr4 and Tr5 have a Darlington configuration.

【0006】トランジスタTr5のエミッタは外部素子を
接続するための端子t2に接続され、同端子t2とグラ
ンドGNDとの間には外部素子として並列に接続された
スピードアップコンデンサCE 及び抵抗RE が接続され
ている。
The emitter of the transistor Tr5 is connected to a terminal t2 for connecting an external element, and a speed-up capacitor CE and a resistor RE connected in parallel as external elements are connected between the terminal t2 and the ground GND. ing.

【0007】前記トランジスタTr4のベースはダイオー
ドD1を介してPNPトランジスタTr6のエミッタに接
続され、同トランジスタTr6のベースには基準電圧VR
が入力され、コレクタはグランドGNDに接続されてい
る。従って、前記トランジスタTr2がオフされるとトラ
ンジスタTr4のベース電位は基準電圧VR よりダイオー
ド2段分のしきい値分高い電位となり、端子t2の電位
はほぼ基準電圧VR となる。
The base of the transistor Tr4 is connected to the emitter of a PNP transistor Tr6 via a diode D1, and the base of the transistor Tr6 has a reference voltage VR.
And the collector is connected to the ground GND. Therefore, when the transistor Tr2 is turned off, the base potential of the transistor Tr4 becomes higher than the reference voltage VR by the threshold value of two diodes, and the potential of the terminal t2 becomes almost the reference voltage VR.

【0008】前記抵抗R1,R2間には抵抗R3を介し
てトランジスタTr7のエミッタに接続されるとともに同
抵抗R3及びダイオードD2を介して同トランジスタT
r7のベースに接続され、同トランジスタTr7のコレクタ
は電源Vccに接続されている。また、トランジスタTr7
のエミッタは前記トランジスタTr4,Tr5のコレクタ及
び出力端子t1に接続されている。
Between the resistors R1 and R2, the emitter of the transistor Tr7 is connected via a resistor R3 and the transistor T7 is connected via the resistor R3 and a diode D2.
The collector of the transistor Tr7 is connected to the power supply Vcc. Also, the transistor Tr7
Is connected to the collectors of the transistors Tr4 and Tr5 and the output terminal t1.

【0009】出力端子t1には外部素子であるPNP型
スイッチングトランジスタTr8のベースが接続され、同
スイッチングトランジスタTr8のエミッタは電源Vccに
接続されて、コレクタから出力電流Iout が出力され
る。
The output terminal t1 is connected to the base of a PNP type switching transistor Tr8, which is an external element. The emitter of the switching transistor Tr8 is connected to the power supply Vcc, and the output current Iout is output from the collector.

【0010】前記抵抗R1,R2間には端子t3が接続
され、前記トランジスタTr7のベースには端子t4が接
続されている。そして、端子t3,t4間には外部素子
としてブートストラップコンデンサCBSが接続されてい
る。
A terminal t3 is connected between the resistors R1 and R2, and a terminal t4 is connected to the base of the transistor Tr7. A bootstrap capacitor CBS is connected between the terminals t3 and t4 as an external element.

【0011】このように構成された駆動回路1では、入
力信号VinがLレベルからHレベルに立ち上がるとトラ
ンジスタTr1,Tr2がオンされ、これにともなってトラ
ンジスタTr3,Tr4,Tr5がオフされ、スイッチングト
ランジスタTr8のベース電流IB が遮断されて同スイッ
チングトランジスタTr8もオフされる。
In the driving circuit 1 configured as described above, when the input signal Vin rises from the L level to the H level, the transistors Tr1 and Tr2 are turned on, and accordingly, the transistors Tr3, Tr4 and Tr5 are turned off, and the switching transistor is turned off. The base current IB of Tr8 is cut off, and the switching transistor Tr8 is also turned off.

【0012】このとき、それまでオン状態にあったトラ
ンジスタTr4,Tr5がオフされると、端子t3の電位が
瞬間的に上昇し、ブートストラップコンデンサCBSに基
づいてトランジスタTr7が瞬間的にオンされて出力端子
t1の電位が電源Vccのレベル近傍まで急激に引き上げ
られる。従って、スイッチングトランジスタTr8が速や
かにオフされてターンオフ損失が低減されている。
At this time, when the transistors Tr4 and Tr5, which have been in the on state, are turned off, the potential of the terminal t3 rises momentarily, and the transistor Tr7 is turned on momentarily based on the bootstrap capacitor CBS. The potential of the output terminal t1 is rapidly increased to near the level of the power supply Vcc. Therefore, the switching transistor Tr8 is quickly turned off, and the turn-off loss is reduced.

【0013】一方、入力信号VinがHレベルからLレベ
ルに立ち下がるとトランジスタTr1,Tr2がオフされ、
これにともなってトランジスタトランジスタTr3,Tr
4,Tr5,Tr6がオンされ、スイッチングトランジスタ
Tr8にベース電流IB が流れて同スイッチングトランジ
スタTr8がオンされ、出力電流Iout が出力される。
On the other hand, when the input signal Vin falls from the H level to the L level, the transistors Tr1 and Tr2 are turned off,
Accordingly, the transistors Tr3 and Tr
4, Tr5 and Tr6 are turned on, a base current IB flows through the switching transistor Tr8, and the switching transistor Tr8 is turned on to output an output current Iout.

【0014】このとき、スピードアップコンデンサCE
の作用によりスイッチングトランジスタTr8のベース電
流IB が急激に立ち上がって、同スイッチングトランジ
スタTr8が速やかにオンされてターンオン損失が低減さ
れている。そして、スイッチングトランジスタTr8がオ
ンされた後は抵抗RE で設定される一定のベース電流I
B でスイッチングトランジスタTr8が飽和状態で駆動さ
れ、電源Vccに依存しない一定の駆動状態が得られる。
At this time, the speed-up capacitor CE
The base current IB of the switching transistor Tr8 sharply rises by the action of the switching transistor Tr8, and the switching transistor Tr8 is quickly turned on to reduce the turn-on loss. After the switching transistor Tr8 is turned on, a constant base current I set by the resistor RE is set.
At B, the switching transistor Tr8 is driven in a saturated state, and a constant driving state independent of the power supply Vcc is obtained.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な駆動回路では出力端子t1と外部素子であるスピード
アップコンデンサCE 及び抵抗RE とブートストラップ
コンデンサCBSを接続するための端子t2〜t4の4つ
の端子が必要となる。また、上記スピードアップコンデ
ンサCE 及びブートストラップコンデンサCBSは容量が
大きいため、駆動回路1に内蔵することは困難であり、
抵抗RE はスイッチングトランジスタTr8のコレクタに
接続される負荷によりその抵抗値を調整する必要がある
ため、駆動回路1に内蔵することは困難である。
However, in the above-described drive circuit, there are four terminals t1 and t2 for connecting the output terminal t1 to the speed-up capacitor CE and the resistor RE and the bootstrap capacitor CBS which are external elements. Terminals are required. Further, since the speed-up capacitor CE and the bootstrap capacitor CBS have large capacities, it is difficult to incorporate them in the drive circuit 1.
Since the resistance value of the resistor RE needs to be adjusted by a load connected to the collector of the switching transistor Tr8, it is difficult to incorporate the resistor RE in the drive circuit 1.

【0016】従って、駆動回路1の端子数が増大し、こ
のような駆動回路1を多数使用すると端子数の増大がシ
ステムの小型化を図る上での障害となるという問題点が
ある。
Accordingly, the number of terminals of the drive circuit 1 increases, and when a large number of such drive circuits 1 are used, there is a problem that the increase in the number of terminals becomes an obstacle to downsizing the system.

【0017】この発明の目的は、高効率化を図りながら
端子数を削減してシステムの小型化を図り得る駆動回路
を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a drive circuit capable of reducing the number of terminals while achieving high efficiency and thereby achieving downsizing of the system.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。すなわち、請求項1では、スイッチングトラ
ンジスタTr8の駆動回路5は3つの端子t5,t6,t
7を備え、前記駆動回路5の第一の端子t5と第三の端
子t7との間にブートストラップコンデンサCBSを接続
し、前記駆動回路5の前記第一の端子t5と第二の端子
t6との間にスピードアップコンデンサCE と抵抗RB
とを並列に接続し、前記抵抗RB の一端を前記スイッチ
ングトランジスタTr8のベースに接続した。
FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention. That is, in claim 1, the switching transformer
The drive circuit 5 of the transistor Tr8 has three terminals t5, t6, t
7, a first terminal t5 and a third terminal of the drive circuit 5.
Connect bootstrap capacitor CBS to child t7
And the first terminal t5 and the second terminal of the drive circuit 5
Speed up capacitor CE and resistor RB between t6
And one end of the resistor RB is connected to the switch
Connected to the base of the switching transistor Tr8.

【0019】請求項2では、前記駆動回路は、前記スイ
ッチングトランジスタのターンオフ損失を低減するブー
トストラップ回路と、前記第一の端子と前記第二の端子
との間を定電圧にクランプするクランプ回路とを備え
た。請求項3では、前記クランプ回路は、複数段に直列
接続したダイオードで構成した。請求項4では、前記ブ
ートストラップ回路は、トランジスタと、該トランジス
タのコレクタとベースとの間に接続した抵抗とで構成し
た。
According to a second aspect, the drive circuit includes the switch.
Boot that reduces the turn-off loss of the switching transistor
A strap circuit, the first terminal and the second terminal
And a clamp circuit that clamps a constant voltage between
Was. In claim 3, the clamp circuit is connected in series in a plurality of stages.
It consisted of connected diodes. In claim 4, the block
The heat strap circuit includes a transistor and the transistor.
And a resistor connected between the collector and base of the
Was.

【0020】[0020]

【作用】請求項1では、3つの端子に、外部素子である
ブートストラップコンデンサと、スピードアップコンデ
ンサと、抵抗とが接続されて、スイッチングトランジス
タが制御される。請求項2では、ブートストラップ回路
により、スイッチングトランジスタのターンオフ損失が
低減され、クランプ回路によりスイッチングトランジス
タのベース電流が定電流に維持される。請求項3では、
複数段に直列接続したダイオードでクランプ電圧が生成
され、そのクランプ電圧によりスイッチングトランジス
タのベース電流が定電流に維持される。請求項4では、
ブートストラップコンデンサの充電電荷に基づいてトラ
ンジスタがオンされ、そのトランジスタのオン動作に基
づいて、スイッチングトランジスタがターンオフされ
る。
According to the first aspect, the three terminals are external elements.
Bootstrap capacitor and speed-up capacitor
When the switching transistor is connected to the
Data is controlled. According to claim 2, a bootstrap circuit
As a result, the turn-off loss of the switching transistor
Switching transistor by the clamp circuit
The base current of the capacitor is maintained at a constant current. In claim 3,
Clamp voltage is generated by diodes connected in series in multiple stages
And the switching transistor
The base current of the capacitor is maintained at a constant current. In claim 4,
Based on the charge on the bootstrap capacitor,
Transistor is turned on, and the transistor is turned on.
The switching transistor is turned off.
You.

【0021】[0021]

【実施例】以下、この発明を具体化した一実施例を図2
に従って説明する。入力信号Vinは駆動回路5のNPN
トランジスタTr11 のベースに入力され、そのトランジ
スタTr11 のコレクタは電流源3aに接続されるととも
にNPNトランジスタTr12 のコレクタ及びベースに接
続され、エミッタはグランドGNDに接続されている。
FIG. 2 shows an embodiment of the present invention.
It will be described according to. The input signal Vin is the NPN of the drive circuit 5.
The input is input to the base of the transistor Tr11. The collector of the transistor Tr11 is connected to the current source 3a, the collector and the base of the NPN transistor Tr12, and the emitter is connected to the ground GND.

【0022】前記トランジスタTr12 のベースはNPN
トランジスタTr13 のベースに接続され、エミッタはグ
ランドGNDに接続されている。トランジスタTr13 の
コレクタには抵抗R11及び3段のダイオードD3,D
4,D5を介して電源Vccが供給され、エミッタはグラ
ンドGNDに接続されている。
The base of the transistor Tr12 is NPN
The transistor Tr13 is connected to the base and the emitter is connected to the ground GND. The collector of the transistor Tr13 has a resistor R11 and three-stage diodes D3 and D3.
Power supply Vcc is supplied via the terminals D4 and D5, and the emitter is connected to the ground GND.

【0023】前記トランジスタTr13 のコレクタにはP
NPトランジスタTr14 のベースが接続され、そのトラ
ンジスタTr14 のコレクタはグランドGNDに接続さ
れ、エミッタは出力端子t5に接続されている。
The collector of the transistor Tr13 has P
The base of the NP transistor Tr14 is connected, the collector of the transistor Tr14 is connected to the ground GND, and the emitter is connected to the output terminal t5.

【0024】前記ダイオードD3のアノードにはNPN
トランジスタTr15 のエミッタ及び端子t6が接続さ
れ、同トランジスタTr15 のコレクタには電源Vccが供
給され、ベースは抵抗R12を介して電源Vccが供給さ
れるとともに端子t7に接続されている。
NPN is connected to the anode of the diode D3.
The emitter of the transistor Tr15 and the terminal t6 are connected, the power supply Vcc is supplied to the collector of the transistor Tr15, the power supply Vcc is supplied via the resistor R12, and the base is connected to the terminal t7.

【0025】前記出力端子t5は並列に接続されたスピ
ードアップコンデンサCE と抵抗RB を介してスイッチ
ングトランジスタTr8のベースに接続され、同スイッチ
ングトランジスタTr8のエミッタには電源Vccが接続さ
れ、コレクタから出力スイッチング電流Iout が出力さ
れる。
The output terminal t5 is connected to the base of a switching transistor Tr8 via a speed-up capacitor CE and a resistor RB connected in parallel, the power supply Vcc is connected to the emitter of the switching transistor Tr8, and the output switching from the collector. The current Iout is output.

【0026】前記端子t6は前記スイッチングトランジ
スタTr8のベースに接続され、前記端子t7と出力端子
t5との間にはブートストラップコンデンサCBSが接続
されている。
The terminal t6 is connected to the base of the switching transistor Tr8, and a bootstrap capacitor CBS is connected between the terminal t7 and the output terminal t5.

【0027】さて、上記のように構成された駆動回路5
では入力信号VinがLレベルからHレベルに立ち上がる
とトランジスタTr11 がオンされるとともにトランジス
タTr12 ,Tr13 がオフされ、トランジスタTr14 もオ
フされる。この結果、ブートストラップコンデンサCBS
の放電電流がトランジスタTr15 のベースに供給され、
その放電電流のhFE倍のコレクタ電流が端子t6を介し
てスイッチングトランジスタTr8のベースに供給され
る。従って、スイッチングトランジスタTr8のベース電
位が急速に引き上げられて同スイッチングトランジスタ
Tr8が速やかにオフされることによりターンオフ損失が
低減されている。
Now, the driving circuit 5 configured as described above
When the input signal Vin rises from the L level to the H level, the transistor Tr11 is turned on, the transistors Tr12 and Tr13 are turned off, and the transistor Tr14 is also turned off. As a result, the bootstrap capacitor CBS
Is supplied to the base of the transistor Tr15,
A collector current hFE times the discharge current is supplied to the base of the switching transistor Tr8 via the terminal t6. Therefore, the base potential of the switching transistor Tr8 is quickly raised and the switching transistor Tr8 is quickly turned off, so that the turn-off loss is reduced.

【0028】一方、入力信号VinがHレベルからLレベ
ルに立ち下がるとトランジスタTr11 がオフされるとと
もにトランジスタTr12 ,Tr13 がオンされ、トランジ
スタTr14 がオンされる。この結果、スイッチングトラ
ンジスタTr8のベースからスピードアップコンデンサC
E に流れる充電電流によりスイッチングトランジスタT
r8に瞬間的に大きなベース電流IB が流れて同スイッチ
ングトランジスタTr8が速やかにオンされることにより
ターンオン損失が低減されている。
On the other hand, when the input signal Vin falls from the H level to the L level, the transistor Tr11 is turned off, the transistors Tr12 and Tr13 are turned on, and the transistor Tr14 is turned on. As a result, the speed-up capacitor C is shifted from the base of the switching transistor Tr8.
The switching transistor T
A large base current IB instantaneously flows through r8, and the switching transistor Tr8 is quickly turned on, so that the turn-on loss is reduced.

【0029】そして、その後は抵抗RB の両端子間電圧
はダイオードD3,D4の順方向電圧降下分にクランプ
されるため、スイッチングトランジスタTr8のベース電
流IB は一定となり、電源Vccに依存しない一定の駆動
状態が得られる。
Then, since the voltage between both terminals of the resistor RB is clamped by the forward voltage drop of the diodes D3 and D4, the base current IB of the switching transistor Tr8 becomes constant, and the constant drive independent of the power source Vcc. The state is obtained.

【0030】また、このときブートストラップコンデン
サCBSは電源Vccから抵抗R12を介して充電される。
以上のようにこの駆動回路5では入力信号Vinの立ち上
がり時には端子t5,t7間に接続されたブートストラ
ップコンデンサCBSによりスイッチングトランジスタT
r8のターンオフ損失が低減される。また、入力信号Vin
の立ち下がり時には端子t5,t6間に接続されたスピ
ードアップコンデンサCE によりターンオン損失が低減
される。
At this time, the bootstrap capacitor CBS is charged from the power supply Vcc via the resistor R12.
As described above, in the driving circuit 5, when the input signal Vin rises, the switching transistor T is connected by the bootstrap capacitor CBS connected between the terminals t5 and t7.
The turn-off loss of r8 is reduced. Also, the input signal Vin
At the time of falling, the turn-on loss is reduced by the speed-up capacitor CE connected between the terminals t5 and t6.

【0031】そして、三つの端子t5,t6,t7で外
部素子であるブートストラップコンデンサCBSとスピー
ドアップコンデンサCE 及び抵抗RB の接続及びスイッ
チングトランジスタTr8の駆動を行うことができる。
The three terminals t5, t6, and t7 can connect the bootstrap capacitor CBS, the speed-up capacitor CE, and the resistor RB, which are external elements, and drive the switching transistor Tr8.

【0032】従って、高効率で端子数の少ない駆動回路
5を構成することができる。
Therefore, the drive circuit 5 having a high efficiency and a small number of terminals can be constructed.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上詳述したように、この発明は高効率
化を図りながら端子数を削減してシステムの小型化を図
り得る駆動回路を提供することができる優れた効果を発
揮する。
As described in detail above, the present invention has an excellent effect of providing a drive circuit capable of reducing the number of terminals and increasing the size of the system while improving the efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

【図2】本発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention.

【図3】従来例をを示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional example.

【符号の説明】 5 駆動回路 6 クランプ回路 7 ブートストラップ回路 Vin 2値入力信号 t5 出力端子 t6 端子 t7 端子 CBS ブートストラップコンデンサ RB 抵抗 RE 抵抗 CE スピードアップコンデンサ Tr8 PNP型スイッチングトランジスタ[Description of Signs] 5 Drive circuit 6 Clamp circuit 7 Bootstrap circuit Vin Binary input signal t5 Output terminal t6 terminal t7 terminal CBS Bootstrap capacitor RB Resistance RE Resistance CE Speed-up capacitor Tr8 PNP switching transistor

フロントページの続き (72)発明者 佐野 芳昭 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−168119(JP,A) 特開 平3−272218(JP,A) 特開 平2−279017(JP,A) 特開 平5−153768(JP,A) 特開 平4−140059(JP,A) 特開 平2−280662(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 17/00 - 17/693 H02M 3/00 - 3/44 Continuation of the front page (72) Inventor Yoshiaki Sano 1015 Uedanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (56) References JP-A-1-168119 (JP, A) JP-A-3-272218 (JP, A) JP-A-2-279017 (JP, A) JP-A-5-153768 (JP, A) JP-A-4-140059 (JP, A) JP-A-2-280662 (JP, A) (58) Survey Field (Int.Cl. 7 , DB name) H03K 17/00-17/693 H02M 3/00-3/44

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 3つの端子を有するスイッチングトラン
ジスタの駆動回路を備えた半導体集積回路であって、 前記駆動回路の第1の端子と第3の端子との間にブート
ストラップコンデンサを接続し、 前記駆動回路の前記第1の端子と第2の端子との間に、
スピードアップコンデンサと抵抗とを並列に接続し、 前記抵抗の一端を前記スイッチングトランジスタのベー
スに接続したことを特徴とする半導体集積回路。
1. A switching transformer having three terminals.
A semiconductor integrated circuit including a driver circuit , wherein a boot is provided between a first terminal and a third terminal of the driver circuit.
Connecting a strap capacitor , between the first terminal and the second terminal of the drive circuit,
A speed-up capacitor and a resistor are connected in parallel, and one end of the resistor is connected to the base of the switching transistor.
A semiconductor integrated circuit connected to the semiconductor integrated circuit.
【請求項2】 前記駆動回路は、 前記スイッチングトランジスタのターンオフ損失を低減
するブートストラップ回路と前記第1の端子と前記第2
の端子との間を定電圧にクランプするクランプ回路とを
備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回
路。
2. The drive circuit according to claim 1, wherein the drive circuit reduces a turn-off loss of the switching transistor.
Bootstrap circuit, the first terminal, and the second terminal.
And a clamp circuit that clamps to a constant voltage
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising:
Road.
【請求項3】 前記クランプ回路は、複数段に直列接続3. The clamp circuit is connected in series in a plurality of stages.
されたダイオードで構成したことを特徴とする請求項23. A diode according to claim 2, wherein:
に記載の半導体集積回路。3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1.
【請求項4】 前記ブートストラップ回路は、トランジ4. The bootstrap circuit includes a transistor
スタと該トランジスタのコレクタとベースとの間に接続Connected between the transistor and the collector and base of the transistor
された抵抗とで構成したことを特徴とする請求項2に記3. A resistor according to claim 2, wherein
載の半導体集積回路。Semiconductor integrated circuit.
JP4035367A 1992-02-21 1992-02-21 Semiconductor integrated circuit Expired - Fee Related JP3035401B2 (en)

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