JP3030977B2 - Multiplier - Google Patents

Multiplier

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JP3030977B2
JP3030977B2 JP3260171A JP26017191A JP3030977B2 JP 3030977 B2 JP3030977 B2 JP 3030977B2 JP 3260171 A JP3260171 A JP 3260171A JP 26017191 A JP26017191 A JP 26017191A JP 3030977 B2 JP3030977 B2 JP 3030977B2
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和弘 田原
泰宏 細野
貞義 ▲吉▼田
龍也 宮
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は逓倍器に関し、特にマイ
クロ波用の逓倍器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multiplier, and more particularly to a multiplier for microwaves.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の逓倍器は、図4に示すように、第
1の周波数f1を持つ入力信号Vinを入力し、第1の
周波数f1を逓倍した第2の周波数f2成分を含む信号
を出力するソース接地の型の電界効果トランジスタQ1
と、この電界効果トランジスタQ1の出力信号に含まれ
る第2の周波数f2成分のみを通過させる分布定数型の
帯域フィルタ1Aとを有する構成となっている。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 4, a conventional multiplier receives an input signal Vin having a first frequency f1 and converts a signal including a second frequency f2 component obtained by multiplying the first frequency f1. Output source-grounded field effect transistor Q1
And a distributed constant bandpass filter 1A that passes only the second frequency f2 component included in the output signal of the field effect transistor Q1.

【0003】第1の周波数f1を持つ入力信号Vin
は、電界効果トランジスタQ1により非線形に増幅さ
れ、その結果、歪成分として第1の周波数f1の逓倍の
周波数を含む信号が出力される。この出力信号が後続の
帯域フィルタ1Aにより所望の逓倍波である第2の周波
数f2成分のみが出力される。
An input signal Vin having a first frequency f1
Is nonlinearly amplified by the field effect transistor Q1, and as a result, a signal including a frequency that is a multiple of the first frequency f1 is output as a distortion component. From this output signal, only the second frequency f2 component, which is a desired multiple wave, is output by the subsequent bandpass filter 1A.

【0004】マイクロ波の分野では、この帯域フィルタ
1Aは分布定数回路により構成されているため、所望の
信号の波長程度以上の実装寸法を必要としていた。
In the field of microwaves, since the bandpass filter 1A is constituted by a distributed constant circuit, a mounting size larger than a wavelength of a desired signal is required.

【0005】なお、図4において、抵抗素子R1,イン
ダクタンス素子L1は、電界効果トランジスタQ1のゲ
ート及びドレインにバイアス電位を供給するためのバイ
アス回路である。
In FIG. 4, a resistance element R1 and an inductance element L1 are bias circuits for supplying a bias potential to the gate and the drain of the field effect transistor Q1.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】この従来の逓倍器で
は、帯域フィルタ1Aが分布定数回路型となっているの
で、その実装寸法が取扱う信号の波長程度或はそれ以上
となり広い面積を必要として、集積化,モノリシック化
が困難であるという問題点があった。
In this conventional multiplier, since the bandpass filter 1A is of a distributed constant circuit type, its mounting size is about the wavelength of a signal to be handled or more, requiring a large area. There is a problem that integration and monolithicization are difficult.

【0007】本発明の目的は、帯域フィルタの実装寸法
を小さくし、集積化,モノリシック化が容易となる逓倍
器を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a multiplier capable of reducing the mounting size of a bandpass filter and facilitating integration and monolithicization.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の逓倍器は、ソー
スを接地電位点と接続しドレイン及びゲートにそれぞれ
所定のバイアス電位が供給されて前記ゲートに伝達され
る入力信号の第1の周波数を逓倍して第2の周波数成分
を含む信号を出力する電界効果トランジスタと、集中定
数型の容量素子及びインダクタンス素子で形成され前記
電界効果トランジスタの出力信号のうち少なくとも前記
第1の周波数成分を除去し前記第2の周波数成分を抽出
して出力する帯域フィルタと、所定の値の入力容量をも
つバッファ回路とを備え、前記入力容量を1つの容量素
子として帯域フィルタを形成しこの帯域フィルタの出力
信号を前記バッファ回路の入力端へ供給するようにした
ことを特徴とする
A multiplier according to the present invention has a source connected to a ground potential point, a predetermined bias potential supplied to a drain and a gate, and a first frequency of an input signal transmitted to the gate. And a field-effect transistor that outputs a signal containing a second frequency component by multiplying the frequency-divided signal, and removes at least the first frequency component from the output signal of the field-effect transistor that is formed by a lumped-constant-type capacitance element and an inductance element. A band-pass filter for extracting and outputting the second frequency component, and an input capacitance having a predetermined value.
And a buffer circuit, wherein the input capacitance is one capacitance element.
Form a bandpass filter as a child and the output of this bandpass filter
A signal is supplied to the input terminal of the buffer circuit.
It is characterized by the following .

【0009】[0009]

【0010】また、電界効果トランジスタのドレインへ
のバイアス電位が、集中定数型の直流阻止用の容量素子
と直流供給用のインダクタンス素子とを含むバイアス回
路により供給さ、帯域フィルタが、前記直流阻止用の
容量素子と前記直流供給用のインダクタンス素子とを含
んで構成される。
[0010] The bias potential to the drain of the field effect transistor is supplied by the bias circuit including a capacitor for DC blocking of lumped inductance element for DC supply, bandpass filter, the DC blocking And a direct-current supply inductance element.

【0011】[0011]

【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0012】図1は本発明の参考例を示す回路図であ
る。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a reference example of the present invention.

【0013】この参考例が図4に示された従来の逓倍器
と相違する点は、帯域フィルタ1を、電界効果トランジ
スタQ1のドレインと接地電位点との間に直列接続さ
れ、入力信号Vinの第1の周波数f1で直列共振する
集中定数型のインダクタンス素子L2及び容量素子C2
と、電界効果トランジスタQ1のドレインと接地電位点
との間に接続され、インダクタンス素子L2,容量素子
C2と共に並列共振する容量素子C1とを備えた構成と
した点にある。
This reference example differs from the conventional multiplier shown in FIG. 4 in that the bandpass filter 1 is connected in series between the drain of the field effect transistor Q1 and the ground potential point, and the input signal Vin is A lumped-constant-type inductance element L2 and a capacitance element C2 that resonate in series at the first frequency f1
And a capacitor C1 connected between the drain of the field-effect transistor Q1 and the ground potential point and resonating in parallel with the inductance element L2 and the capacitor C2.

【0014】電界効果トランジスタQ1の出力信号に
は、第1の周波数f1成分と、これを逓倍した第2の周
波数f2成分が含まれている。
The output signal of the field effect transistor Q1 contains a first frequency f1 component and a second frequency f2 component obtained by multiplying the first frequency f1 component.

【0015】帯域フィルタ1において、第1の周波数f
1成分に対しては、インダクタンス素子L2及び容量素
子C2により接地電位点との間のインピーダンスが零と
なるので、第1の周波数f1成分は出力端子には現われ
ない。一方、第2の周波数f2成分に対しては、インダ
クタンス素子L2及び容量素子C2と容量素子C1とが
並列共振して接地電位点との間インピーダンスが無限大
となるので、第2の周波数f2成分はそのまま出力端子
に現れる。こうして出力端子には所望の第2の周波数f
2成分のみの信号(Vout)が得られる。
In the bandpass filter 1, the first frequency f
For one component, the impedance between the ground potential point and the inductance element L2 and the capacitance element C2 becomes zero, so that the first frequency f1 component does not appear at the output terminal. On the other hand, for the second frequency f2 component, since the inductance element L2 and the capacitance element C2 and the capacitance element C1 resonate in parallel to make the impedance between the ground potential point infinite, the second frequency f2 component Directly appears at the output terminal. Thus, the desired second frequency f
A signal (Vout) of only two components is obtained.

【0016】この参考例では、帯域フィルタ1をイン
タンス素子L2,容量素子C1,C2の3個の集中定
数素子により形成しているので、従来の分布定数回路型
に比べその実装面積を小さくすることができる。
[0016] In this reference example, a band-pass filter 1 in da
Click drawers element L2, since is formed by three lumped element capacitive element C1, C2, it is possible to reduce the mounting area compared with the conventional distributed constant circuit type.

【0017】図2は本発明の第の実施例を示す回路図
である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【0018】この実施例は、所望の周波数を増幅して出
力するバッファ回路2が設けられており、帯域フィルタ
1aは、このバッファ回路2の入力容量Csを1つの容
量素子として含んだ構成となっている。従って、参考
のように独立した容量素子C1を設ける必要がなく、帯
域フィルタとして独立して設けられる素子の実装面積を
更に小さくすることができる。
In this embodiment, a buffer circuit 2 for amplifying and outputting a desired frequency is provided, and the bandpass filter 1a has a configuration including the input capacitance Cs of the buffer circuit 2 as one capacitance element. ing. Therefore, there is no need to provide an independent capacitance element C1 as in the reference example, and the mounting area of the element independently provided as a bandpass filter can be further reduced.

【0019】図3は本発明の第の実施例を示す回路図
である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【0020】この実施例は、第の実施例に加え、電界
効果トランジスタQ1のドレインへのバイアス電位を、
直流供給用の抵抗素子R2及びインダクタンス素子L3
と、一端を接地電位点と接続する直流阻止用の容量素子
C3とで形成したバイアス回路3により供給し、インダ
クタンス素子L3及び容量素子C3を第1の周波数f1
に直列共振するようにし、これらインダクタンス素子L
3及び容量素子C3とバッファ回路2の入力容量Csと
で帯域フィルタとして独立して設けられた素子は1つも
なく全て他の回路との兼用の素子となっている。
In this embodiment, in addition to the first embodiment, the bias potential to the drain of the field effect transistor Q1 is
Resistance element R2 and inductance element L3 for DC supply
And a bias circuit 3 formed of a DC blocking capacitive element C3 having one end connected to a ground potential point, and the inductance element L3 and the capacitive element C3 are supplied to the first frequency f1.
In series, and these inductance elements L
3, there is no single element provided independently as a bandpass filter with the capacitance element C3 and the input capacitance Cs of the buffer circuit 2, and all the elements are shared with other circuits.

【0021】従って、第の実施例より更に全体の実装
面積を小さくすることができる。
Therefore, the entire mounting area can be further reduced as compared with the first embodiment.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、帯域フィ
ルタを集中定数型のインダクタンス素子及び容量素子に
より形成する構成とすることにより、帯域フィルタの実
装面積を従来の分布定数型のものより小さくすることが
できるので、集積化,モノリシック化が容易になるとい
う効果がある。また、インダクタンス素子,容量素子を
他の回路と兼用することにより、全体の実装面積を更に
小さくすることができ、集積化,モノリシック化が更に
容易になる。
As described above, according to the present invention, the band-pass filter is formed by the lumped-constant type inductance element and the capacitance element, so that the mounting area of the band-pass filter is smaller than that of the conventional distributed constant type. Therefore, there is an effect that integration and monolithicization become easy. In addition, by using the inductance element and the capacitance element together with other circuits, the entire mounting area can be further reduced, and the integration and monolithicization can be further facilitated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の参考例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a reference example of the present invention.

【図2】本発明の第の実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第の実施例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図4】従来の逓倍器の一例を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a conventional multiplier.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a,1b,1A 帯域フィルタ 2 バッファ回路 3 バイアス回路 C1〜C3 容量素子 Cs バッファ回路の入力容量 L1〜L3 インダクタンス素子 Q1〜Q3 電界効果トランジスタ R1,R2 抵抗素子 1, 1a, 1b, 1A Bandpass filter 2 Buffer circuit 3 Bias circuit C1 to C3 Capacitance element Cs Input capacitance of buffer circuit L1 to L3 Inductance element Q1 to Q3 Field effect transistor R1, R2 Resistance element

フロントページの続き (72)発明者 宮 龍也 東京都港区芝五丁目7番1号日本電気株 式会社内 (56)参考文献 特開 平2−192205(JP,A) 特開 昭62−60304(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03B 19/14 Continuation of the front page (72) Inventor Tatsuya Miya 5-7-1, Shiba, Minato-ku, Tokyo Within NEC Corporation (56) References JP-A-2-192205 (JP, A) JP-A-62-60304 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H03B 19/14

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ソースを接地電位点と接続しドレイン及
びゲートにそれぞれ所定のバイアス電位が供給されて前
記ゲートに伝達される入力信号の第1の周波数を逓倍し
て第2の周波数成分を含む信号を出力する電界効果トラ
ンジスタと、集中定数型の容量素子及びインダクタンス
素子で形成され前記電界効果トランジスタの出力信号の
うち少なくとも前記第1の周波数成分を除去し前記第2
の周波数成分を抽出して出力する帯域フィルタと、所定
の値の入力容量をもつバッファ回路とを備え、前記入力
容量を1つの容量素子として帯域フィルタを形成しこの
帯域フィルタの出力信号を前記バッファ回路の入力端へ
供給するようにしたことを特徴とする逓倍器。
A source is connected to a ground potential point, a predetermined bias potential is supplied to a drain and a gate, and a first frequency of an input signal transmitted to the gate is multiplied to include a second frequency component. A field effect transistor that outputs a signal; and a lumped-constant type capacitive element and an inductance element, wherein at least the first frequency component is removed from the output signal of the field effect transistor and the second signal is removed.
A bandpass filter for extracting and outputting a frequency component of a predetermined
A buffer circuit having an input capacitance of the value
A bandpass filter is formed using the capacitance as one capacitance element.
Output signal of the bandpass filter to the input terminal of the buffer circuit
A multiplier characterized in that it is supplied .
【請求項2】 電界効果トランジスタのドレインへのバ
イアス電位が、集中定数型の直流阻止用の容量素子と直
流供給用のインダクタンス素子とを含むバイアス回路に
より供給さ、帯域フィルタが、前記直流阻止用の容量
素子と前記直流供給用のインダクタンス素子とを含んで
構成された請求項記載の逓倍器。
Bias potential to the drain of 2. A field effect transistor is supplied by the bias circuit including a capacitor for DC blocking of lumped inductance element for DC supply, bandpass filter, the DC blocking multiplier of claim 1 configured to include a inductance element for the DC supply and the capacitive element of use.
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