JP3014843B2 - Pretreatment method for dry etching equipment - Google Patents
Pretreatment method for dry etching equipmentInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、清掃後のドライエッチ
ング装置を短時間の前処理で確実に脱ガスして立ち上げ
ることができるドライエッチング装置の前処理方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pretreatment method for a dry etching apparatus which can surely degas and start a dry etching apparatus after cleaning with a short pretreatment.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の配線パターンの形成等にＲ
ＩＥ（反応性イオンエッチング）などのドライエッチン
グが用いられている。ドライエッチングによる配線パタ
ーンの形成は、まず、半導体基板上に形成された絶縁層
上にＡｌ等の配線材料層を形成した後、フォトレジスト
等によって配線パターンに従ったレジスト層を形成す
る。レジスト層が形成された半導体装置はエッチング装
置に供され、放電等によって励起されたエッチングガス
に接触してレジスト層に覆われない部分の配線材料が除
去されることにより、所定の配線パターンが形成され
る。2. Description of the Related Art R is used for forming a wiring pattern of a semiconductor device.
Dry etching such as IE (reactive ion etching) is used. In forming a wiring pattern by dry etching, first, a wiring material layer such as Al is formed on an insulating layer formed on a semiconductor substrate, and then a resist layer according to the wiring pattern is formed using a photoresist or the like. The semiconductor device having the resist layer formed thereon is subjected to an etching apparatus, and a predetermined wiring pattern is formed by removing a portion of the wiring material that is not covered with the resist layer in contact with an etching gas excited by electric discharge or the like. Is done.
【０００３】ところでドライエッチング（以下、エッチ
ングとする）を繰り返すと、エッチング装置の反応室
（チャンバー）内壁等、装置内部（エッチング系＝反応
系）にはエッチングによって生じる反応物が堆積してし
まう。そのため、エッチング装置内部は定期的に清掃を
行う必要がある。By the way, when dry etching (hereinafter referred to as etching) is repeated, a reactant generated by etching accumulates inside the apparatus (etching system = reaction system) such as an inner wall of a reaction chamber of the etching apparatus. Therefore, it is necessary to periodically clean the inside of the etching apparatus.
【０００４】エッチング装置の清掃は、通常、装置を分
解してブラシ等によってチャンバー内壁等の装置内部に
堆積した反応物等を落とすことによって行われる。清掃
を終了して、再度組み立てられたエッチング装置は、一
回大気開放されているので大気成分が装置内壁に付着し
ている。そのため、清掃を終了したエッチング装置は、
エッチングを行う前に装置内部の脱ガス処理（前処理）
が施される。The cleaning of the etching apparatus is usually performed by disassembling the apparatus and dropping a reactant or the like deposited inside the apparatus such as the inner wall of the chamber by a brush or the like. After the cleaning is completed, the assembled etching apparatus is once opened to the atmosphere, so that atmospheric components adhere to the inner wall of the apparatus. Therefore, the etching device that has finished cleaning,
Degassing process inside the equipment before etching (pretreatment)
Is applied.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】エッチング装置の前処
理は、大気開放された装置内を真空引きしつつ加熱（ベ
ーキング）することによって行われるが、これだけでは
水分子等の除去困難な成分を除去することができず、チ
ャンバー内壁の吸着成分等としてエッチング系内に残存
してしまう。従って、水分子除去のために真空引きおよ
びベーキングを行った後に予備放電が行われるが、予備
放電でも水分子の除去は困難であり、これを確実に除去
するためには長時間の予備放電が必要となってしまう。
そのため、清掃後のエッチング装置の立ち上げに時間が
かかり、半導体装置の生産効率を低下させる原因の一つ
となっている。The pretreatment of the etching apparatus is performed by heating (baking) the inside of the apparatus opened to the atmosphere while evacuating the apparatus. However, this alone removes components that are difficult to remove such as water molecules. And remains in the etching system as an adsorbed component on the inner wall of the chamber. Therefore, although preliminary discharge is performed after evacuation and baking to remove water molecules, it is difficult to remove water molecules even in the preliminary discharge, and a long-time preliminary discharge is required to remove this reliably. You will need it.
For this reason, it takes time to start up the etching apparatus after cleaning, which is one of the causes of lowering the production efficiency of the semiconductor device.
【０００６】例えば、シャープで微細な配線パターンが
形成可能である等の点で、配線材料としてＡｌ合金が使
用されている。ところが、Ａｌ合金をエッチングする際
に系内に水分子が存在するとサイドエッチングが発生し
てしまい、配線パターンの幅方向に凹凸が生じ、設計ど
おりの配線パターンを正確に形成することができない。
そのため、Ａｌ合金をエッチングする際には、エッチン
グ系内の水分を確実に除去する必要があり、通算で３０
０分程度の予備放電が必要である。For example, an Al alloy is used as a wiring material because a sharp and fine wiring pattern can be formed. However, when water molecules are present in the system when etching the Al alloy, side etching occurs, and concavities and convexities occur in the width direction of the wiring pattern, and a wiring pattern as designed cannot be formed accurately.
For this reason, when etching an Al alloy, it is necessary to surely remove water in the etching system.
Preliminary discharge of about 0 minutes is required.
【０００７】本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決することにあり、短時間の予備放電でも確実にエッ
チング装置内部（エッチング系内）の水分等を除去する
ことができ、清掃後のエッチング装置の立ち上げを迅速
に行うことができるドライエッチング装置の前処理方法
を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is possible to reliably remove moisture and the like inside an etching apparatus (in an etching system) even by a short preliminary discharge, and It is an object of the present invention to provide a pre-treatment method for a dry etching apparatus which can quickly start up an etching apparatus.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、真空引きおよ
びベーキングによる脱ガス後、予備放電を所定時間行
い、さらに、予備放電を行いつつエッチング装置内部に
デポジション系のガスを供給することにより、予備放電
の時間を大幅に短縮できることを見出し、本発明を完成
した。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the present inventors have conducted intensive studies. As a result, after evacuation and degassing by baking, preliminary discharge is performed for a predetermined time, and further preliminary discharge is performed. The present inventors have found that the time of the preliminary discharge can be greatly reduced by supplying a deposition-based gas into the etching apparatus while performing the present invention, and completed the present invention.
【０００９】すなわち、本発明は、エッチング装置を清
掃した後、前記エッチング装置を立ち上げるための前処
理を行うに際し、清掃後のエッチング装置を組み立てた
後、装置内部の脱ガスするための真空引きおよびベーキ
ングを行い、次いで予備放電を所定時間行った後に、予
備放電を行いつつデポジション系のガスを装置内部に供
給し、装置内部に残留する水分を除去することによって
前記エッチング装置の立ち上げを行うことを特徴とする
ドライエッチング装置の前処理方法を提供する。また、
前記デポジション系のガスが含炭素系のガスであるのが
好ましい。 That is, according to the present invention, in performing a pretreatment for starting up the etching apparatus after cleaning the etching apparatus, the cleaning apparatus is assembled and then evacuated to degas inside the apparatus. And baking, and then , after performing a preliminary discharge for a predetermined time, supplying a deposition gas to the inside of the apparatus while performing the preliminary discharge to remove moisture remaining inside the apparatus.
A pre-treatment method for a dry etching apparatus, characterized in that the etching apparatus is started up . Also,
The deposition gas is a carbon-containing gas.
preferable.
【００１０】さらに、本発明は、エッチング装置を大気
解放した後に、前記エッチング装置を立ち上げるための
前処理を行うに際し、前記エッチング装置内部の真空引
きおよびベーキングを行い、次いで予備放電を行った後
に、予備放電を行いつつデポジション系のガスを装置内
部に供給し、装置内部に重合膜を形成して、装置内部の
残留水分を除去することによって前記エッチング装置の
立ち上げを行うことを特徴とするドライエッチング装置
の前処理方法を提供する。 Further, according to the present invention, the etching apparatus is set to the atmosphere.
After release, to start the etching equipment
In performing the pretreatment, the inside of the etching apparatus is evacuated.
And baking, then pre-discharge
During the pre-discharge, the deposition gas is
To the inside of the device, forming a polymer film inside the device,
By removing residual moisture, the etching apparatus
Dry etching equipment characterized by starting up
To provide a pretreatment method.
【００１１】以下、本発明のドライエッチング装置の前
処理方法（以下、本発明の前処理方法とする）について
詳細に説明する。Hereinafter, the pretreatment method of the dry etching apparatus of the present invention (hereinafter referred to as the pretreatment method of the present invention) will be described in detail.
【００１２】図１に、本発明の前処理方法のフローチャ
ートが示される。本発明の前処理方法は、エッチング装
置の反応室（チャンバー）内部等の装置内部（エッチン
グ系＝反応系）の清掃後、この装置をエッチングできる
状態に立ち上げるための前処理であって、ブラシ等によ
って装置内部の付着物を除去し、エッチング装置を組み
立てた後、まず、装置内部を真空引きおよび加熱（ベー
キング）して、清掃のため大気開放することによって装
置内部に入った大気の大部分を系外に排出（脱ガス）す
る。FIG. 1 shows a flowchart of the preprocessing method of the present invention. The pretreatment method of the present invention is a pretreatment for cleaning the inside of an apparatus (etching system = reaction system) such as the inside of a reaction chamber (chamber) of an etching apparatus and then starting up the apparatus so that the apparatus can be etched. After removing the deposits inside the apparatus by assembling and assembling the etching apparatus, first, the inside of the apparatus is evacuated and heated (baked), and most of the air entering the apparatus is opened to the atmosphere for cleaning. Is discharged (degassed) out of the system.
【００１３】真空引きおよびベーキングは、通常のエッ
チング装置の前処理方法と同様でよく、１０-4〜１０-5
Ｔｏｒｒ程度に減圧し、６０〜７０℃程度に加熱して、
１０〜２０時間程度処理を行えばよい。なお、真空引き
およびベーキングの際に、装置内部に窒素ガス等の不活
性ガスを若干供給してもよい。[0013] evacuation and baking may be similar to the previous method of processing normal etching apparatus, 10-4 to -5
Reduce the pressure to about Torr, heat to about 60-70 ° C,
The treatment may be performed for about 10 to 20 hours. At the time of evacuation and baking, an inert gas such as nitrogen gas may be slightly supplied to the inside of the apparatus.
【００１４】真空引きおよびベーキングを終了したら、
次いで、予備放電を行うが、本発明の前処理方法におい
ては、所定時間の通常の予備放電後、放電を行いつつデ
ポジション系のガスを装置内部に供給する。After completing the evacuation and baking,
Next, a preliminary discharge is performed. In the pretreatment method of the present invention, after a normal preliminary discharge for a predetermined time, a deposition gas is supplied into the apparatus while performing the discharge.
【００１５】予備放電の条件は、通常の清掃後の前処理
と同様でよく１Ｔｏｒｒ程度の圧力、３００Ｗ程度のＲ
Ｆバイアスパワーで、５０℃程度で行えばよい。なお、
本発明の前処理方法においては、この後にデポジション
系のガスを供給することにより、デポジション系のガス
を供給しない通常の予備放電は、従来の前処理に比べて
大幅に短縮することができ、５０〜６０分程度行えばよ
い。The conditions for the pre-discharge are the same as in the pretreatment after the normal cleaning, and the pressure is about 1 Torr and the R is about 300 W.
What is necessary is just to carry out at about 50 degreeC with F bias power. In addition,
In the pretreatment method of the present invention, by supplying the deposition-based gas thereafter, the normal preliminary discharge without supplying the deposition-based gas can be significantly reduced as compared with the conventional pretreatment. , 50 to 60 minutes.
【００１６】通常の予備放電を行った後、放電を行いつ
つ、クロロホルムガス等のデポジション系のガスを装置
内部に供給する。本発明の前処理方法は、このガスの供
給によって予備放電の時間を大幅に短縮したものであ
る。After performing a normal preliminary discharge, a deposition system gas such as chloroform gas is supplied into the apparatus while performing the discharge. In the pretreatment method of the present invention, the time of the preliminary discharge is greatly reduced by supplying the gas.
【００１７】図２に、放電を行いつつデポジション系の
ガスを供給した際の、エッチング装置のチャンバー内部
の様子を概念的に示す。なお、図２において、符号１０
はチャンバーの蓋体を、同１２はチャンバーの基台を、
同１４は上部電極を、同１６は下部電極をそれぞれ示
す。FIG. 2 conceptually shows the inside of a chamber of an etching apparatus when a deposition-based gas is supplied while performing discharge. Note that, in FIG.
Is the lid of the chamber, 12 is the base of the chamber,
Reference numeral 14 denotes an upper electrode, and reference numeral 16 denotes a lower electrode.
【００１８】図２に示されるように、放電を行いつつデ
ポジション系のガスを供給することにより、チャンバー
内部（装置内部）にはこのガスによる薄い重合膜１８が
形成される。本発明の前処理方法においては、この重合
膜１８がチャンバー内部に残存する水分子等を封じ込
め、結果的にチャンバー内部（エッチング系内）より水
分子等を除去する。As shown in FIG. 2, by supplying a deposition gas while performing discharge, a thin polymer film 18 is formed in the chamber (inside the apparatus) by this gas. In the pretreatment method of the present invention, the polymer film 18 seals water molecules and the like remaining inside the chamber, and as a result, removes water molecules and the like from inside the chamber (in the etching system).
【００１９】本発明に使用されるデポジション系のガス
としては、放電等によって装置内部に重合膜を形成可能
な各種の化合物のガスがいずれも適用可能である。特
に、炭素系の重合膜は水分子を好適に封じ込める等の点
で、好ましくは含炭素化合物のデポジション系ガスが使
用される。含炭素化合物のデポジション系ガスとして
は、クロロホルム、四塩化炭素、三フッ化メタン等、各
種のものが例示される。中でも特に、クロロホルムは好
適に例示される。As the deposition-based gas used in the present invention, any of various compound gases capable of forming a polymer film inside the apparatus by discharge or the like can be used. In particular, a deposition gas of a carbon-containing compound is preferably used for the carbon-based polymer film from the viewpoint that water molecules can be suitably sealed. Various gases such as chloroform, carbon tetrachloride, and methane trifluoride are exemplified as the deposition gas of the carbon-containing compound. Of these, chloroform is particularly preferred.
【００２０】デポジション系ガスの供給量は、エッチン
グ装置の規模やガスの種類等によって適宜決定すればよ
く、特に限定はないが、余り多量に供給すると、このガ
スによる重合物がエッチング装置内壁に多量に堆積して
半導体装置製造の妨害物質として作用してしまうため好
ましくない。そのため、デポジション系ガスの供給は、
通常ＲＩＥの場合は全ガス流量の１％程度、好ましくは
１５〜２０ｓｃｃｍ程度の供給量で、３〜５分程度行う
のが好ましい。上記範囲とすることにより、水分子等を
確実に封じ込め、しかも過剰な重合物の生成を好適に押
さえることができ、不良の発生のない高い歩留まりでの
エッチングを実現することができる。The supply amount of the deposition-based gas may be appropriately determined depending on the scale of the etching apparatus, the type of gas, and the like, and is not particularly limited. However, if supplied in an excessively large amount, a polymer due to this gas may deposit on the inner wall of the etching apparatus. It is not preferable because it deposits in large amounts and acts as an interfering substance in semiconductor device manufacture. Therefore, the supply of deposition gas
Normally, in the case of RIE, it is preferable to perform the supply at about 1% of the total gas flow rate, preferably about 15 to 20 sccm, for about 3 to 5 minutes. By setting the content within the above range, water molecules and the like can be reliably contained, and the generation of an excessive polymer can be appropriately suppressed, and etching can be realized at a high yield without causing defects.
【００２１】なお、本発明の前処理方法においては、こ
のデポジション系ガスの供給の終了と同時に前処理を終
了する。従って、予備放電のみによる従来の前処理に比
べ、エッチング装置清掃後の装置立ち上げを大幅に短時
間で行うことができる。In the pretreatment method of the present invention, the pretreatment ends at the same time as the end of the supply of the deposition gas. Therefore, as compared with the conventional pretreatment using only the preliminary discharge, the apparatus can be started up after the cleaning of the etching apparatus in a much shorter time.
【００２２】デポジション系ガスの供給は、ヘリウム、
窒素ガス等の不活性ガスや、前処理後のエッチングに使
用されるエッチングガス等と混合して行うのが好まし
い。The supply of the deposition gas is helium,
It is preferable to perform the treatment by mixing with an inert gas such as a nitrogen gas or an etching gas used for etching after the pretreatment.
【００２３】なお、これらの混合ガスを用いる場合に
は、各ガスの混合比には特に限定はないが、重合膜１８
の形成を良好に行うことができる等の点で、デポジショ
ン系ガスは全体の１ vol％程度とするのが好ましい。When these mixed gases are used, the mixing ratio of each gas is not particularly limited.
It is preferable that the deposition-based gas be about 1 vol% of the whole, from the viewpoint that the formation of sapphire can be favorably performed.
【００２４】また、デポジション系ガスを供給する際の
放電やその他の条件には特に限定はなく、用いるデポジ
ション系ガス等に応じて適宜決定すればよいが、通常、
ＲＩＤの場合１Ｔｏｒｒ程度の圧力、３００Ｗ程度のＲ
Ｆバイアスパワーで、５０℃程度で行えばよい。The discharge and other conditions for supplying the deposition system gas are not particularly limited, and may be appropriately determined according to the deposition system gas to be used.
For RID, pressure of about 1 Torr, R of about 300 W
What is necessary is just to carry out at about 50 degreeC with F bias power.
【００２５】以上、本発明のドライエッチング装置の前
処理方法に付いて詳細に説明したが、本発明はこれに限
定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、
各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんであ
る。As described above, the pretreatment method for the dry etching apparatus of the present invention has been described in detail. However, the present invention is not limited to this.
Of course, various improvements and changes may be made.
【００２６】[0026]
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をより詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples of the present invention.
【００２７】清掃を終了したＲＩＥエッチング装置を組
み立て、まず、装置内部を１０-4〜１０-5Ｔｏｒｒまで
減圧して、さらに６０〜７０℃に加熱し、１０〜２０時
間真空引きおよびベーキング処理して脱ガスを行った。The RIE etching apparatus after cleaning is assembled. First, the inside of the apparatus is depressurized to 10 -4 to 10 -5 Torr, heated to 60 to 70 ° C., and evacuated and baked for 10 to 20 hours. To degas.
【００２８】上記の各種の条件で脱ガスを行ったＲＩＥ
エッチング装置について、次いで、１Ｔｏｒｒの減圧し
た状態で、３００ＷのＲＦバイアスパワーで、６０分間
の予備放電を行った。RIE degassed under the above various conditions
With respect to the etching apparatus, a preliminary discharge was performed for 60 minutes at an RF bias power of 300 W under a reduced pressure of 1 Torr.
【００２９】予備放電を６０分行った後、デポジション
系ガスとしてのクロロホルムを含む混合ガスをチャンバ
ー内に３分間供給し、前処理を終了した。混合ガスの組
成および流量は下記のとおりである。 ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ／Ｈｅ／ＣＨＣｌ3 ＝２０／２０／１３５０／２０ ［ＳＣＣＭ］After performing the preliminary discharge for 60 minutes, a mixed gas containing chloroform as a deposition system gas was supplied into the chamber for 3 minutes, thereby completing the pretreatment. The composition and flow rate of the mixed gas are as follows. BCl 3 / Cl 2 / He / CHCl 3 = 20/20/1350/20 [SCCM]
【００３０】このような本発明のドライエッチング装置
の前処理方法を施した多数のＲＩＥエッチング装置によ
って、上層に配線パターンに応じたレジスト層を形成し
たＡｌ合金層のＲＩＥエッチングを行った。その結果、
本発明の前処理を施したいずれのＲＩＥエッチング装置
においても、デポジション系ガスを供給しない以外には
同条件で、真空引きおよびベーキング処理、その後３０
０分の予備放電による前処理を行ったＲＩＥエッチング
装置と同様、サイドエッチのない良好な配線パターンを
形成することができた。以上の結果より、本発明の効果
は明らかである。The RIE etching of the Al alloy layer having a resist layer corresponding to the wiring pattern formed thereon was performed by a number of RIE etching apparatuses which were subjected to the pretreatment method of the dry etching apparatus of the present invention. as a result,
In any of the RIE etching apparatuses that have been subjected to the pretreatment of the present invention, evacuation and baking are performed under the same conditions except that no deposition-based gas is supplied.
As in the case of the RIE etching apparatus in which the pretreatment by the 0-minute preliminary discharge was performed, a favorable wiring pattern without side etching could be formed. From the above results, the effect of the present invention is clear.
【００３１】以上、詳細に説明したように、本発明のド
ライエッチング装置の前処理方法によれば、定期的に行
う必要があるドライエッチング装置内の清掃後、従来の
ドライエッチング装置の立ち上げのための前処理（脱ガ
ス処理）に比べ、大幅に短時間の予備放電で確実にエッ
チング装置系内の水分を除去することができ、清掃後の
エッチング装置の立ち上げを迅速に行うことができ、半
導体装置の製造効率を大幅に向上することができる。As described above in detail, according to the pretreatment method of the dry etching apparatus of the present invention, after cleaning the inside of the dry etching apparatus which needs to be performed periodically, the conventional dry etching apparatus is started up. Water in the etching system can be reliably removed with a very short pre-discharge compared to the pre-processing (degassing process), and the etching system can be started up quickly after cleaning. In addition, the manufacturing efficiency of the semiconductor device can be greatly improved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】 本発明のドライエッチング装置の前処理方法
のフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart of a pretreatment method for a dry etching apparatus according to the present invention.
【図２】 本発明のドライエッチング装置の前処理方法
を施した際のエッチング装置のチャンバー内部の状態を
概念的に示す線図である。FIG. 2 is a diagram conceptually showing a state inside a chamber of the etching apparatus when a pretreatment method for a dry etching apparatus of the present invention is performed.
１０ 蓋体 １２ 基台 １４ 上部電極 １６ 下部電極 １８ 重合膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Lid 12 Base 14 Upper electrode 16 Lower electrode 18 Polymer film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−73524（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−46726（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−35915（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−15930（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-63-73524 (JP, A) JP-A-2-46726 (JP, A) JP-A-64-35915 (JP, A) JP-A-64-35915 15930 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/3065
Claims (3)
ング装置を立ち上げるための前処理を行うに際し、 清掃後のエッチング装置を組み立てた後、装置内部の脱
ガスするための真空引きおよびベーキングを行い、次い
で予備放電を所定時間行った後に、予備放電を行いつつ
デポジション系のガスを装置内部に供給し、装置内部に
残留する水分を除去することによって前記エッチング装
置の立ち上げを行うことを特徴とするドライエッチング
装置の前処理方法。1. After cleaning an etching apparatus, before performing a pretreatment for starting up the etching apparatus, after assembling the etching apparatus after cleaning, performing vacuum evacuation and baking for degassing the inside of the apparatus. Next
The preliminary discharge after performing a predetermined time in the deposition system of the gas is supplied into the apparatus while performing preliminary discharge, in the apparatus
The etching device is removed by removing residual moisture.
A pretreatment method for a dry etching apparatus, characterized in that the apparatus is started up .
スである請求項１に記載のドライエッチング装置の前処
理方法。2. A pretreatment method for a dry etching apparatus according to claim 1, wherein said deposition-based gas is a carbon-containing gas.
エッチング装置を立ち上げるための前処理を行うに際When performing pretreatment for starting up the etching equipment
し、And 前記エッチング装置内部の真空引きおよびベーキングをVacuum and baking inside the etching apparatus
行い、次いで予備放電を行った後に、予備放電を行いつAfter performing the pre-discharge,
つデポジション系のガスを装置内部に供給し、装置内部Supply the deposition gas to the inside of the device and
に重合膜を形成して、装置内部の残留水分を除去するこA polymer film is formed on the
とによって前記エッチング装置の立ち上げを行うことをAnd starting the etching apparatus by
特徴とするドライエッチング装置の前処理方法。Characteristic pretreatment method for dry etching equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006700A JP3014843B2 (en) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | Pretreatment method for dry etching equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006700A JP3014843B2 (en) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | Pretreatment method for dry etching equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190516A JPH05190516A (en) | 1993-07-30 |
| JP3014843B2 true JP3014843B2 (en) | 2000-02-28 |
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ID=11645605
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4006700A Expired - Fee Related JP3014843B2 (en) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | Pretreatment method for dry etching equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3014843B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6195082B2 (en) * | 2015-03-25 | 2017-09-13 | 大陽日酸株式会社 | Method for removing moisture from high-pressure gas container |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP4006700A patent/JP3014843B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH05190516A (en) | 1993-07-30 |
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