JP3014810B2 - 半導体分布帰還型レーザ装置 - Google Patents
半導体分布帰還型レーザ装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光の発生に利用す
る。特に、利得結合による分布帰還を用いた半導体分布
帰還型レーザ装置の構造の改良に関する。
る。特に、利得結合による分布帰還を用いた半導体分布
帰還型レーザ装置の構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】利得結合による分布帰還を実現した半導
体分布帰還型レーザ装置として、本願発明者らは、活性
層内のキャリア密度を周期的に変化させる構造およびそ
の製造方法について発明し、すでに特許出願した（特願
平２−２３５２３５）。この構造の場合には平坦な構造
の活性層を用いることができるので、屈折率結合の成分
をかなり小さくでき、純粋な利得結合型の半導体分布帰
還型レーザ装置を実現するのに適している。
体分布帰還型レーザ装置として、本願発明者らは、活性
層内のキャリア密度を周期的に変化させる構造およびそ
の製造方法について発明し、すでに特許出願した（特願
平２−２３５２３５）。この構造の場合には平坦な構造
の活性層を用いることができるので、屈折率結合の成分
をかなり小さくでき、純粋な利得結合型の半導体分布帰
還型レーザ装置を実現するのに適している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】利得結合型の半導体分
布帰還型レーザ装置におけるモード間利得差などの特性
は、利得結合係数κg を大きくするほど良好になると考
えられる。上述した先の出願に示された構造では、活性
層内でのキャリア密度の高低の差が大きいほど利得結合
係数κg が大きくなる。したがって、大きな利得結合係
数κg を得るには、活性層内に注入されたキャリアが拡
散しないほうがよい。
布帰還型レーザ装置におけるモード間利得差などの特性
は、利得結合係数κg を大きくするほど良好になると考
えられる。上述した先の出願に示された構造では、活性
層内でのキャリア密度の高低の差が大きいほど利得結合
係数κg が大きくなる。したがって、大きな利得結合係
数κg を得るには、活性層内に注入されたキャリアが拡
散しないほうがよい。
【０００４】キャリアの拡散を防止する一つの方法とし
て、活性層に高密度のドーピングを行ってキャリア寿命
を短くすることが考えられる。しかし、この方法では、
レーザ発振のためのしきい値電流が高くなってしまう。
また、活性層への電流注入量を多くすることによりキャ
リア寿命を短くすることも考えられる。この方法につい
ては、末松編著「半導体レーザと光集積回路」オーム社
刊、に詳しく説明されている。しかし、この方法でも、
活性層全体のしきいキャリア密度が増加するので、適当
なしきい値で大きな利得結合係数κg を実現することは
難しい。また、利得結合係数κg の値を調整しようとす
ると、活性層の膜厚などを変更するしかなく、素子設計
も困難である。
て、活性層に高密度のドーピングを行ってキャリア寿命
を短くすることが考えられる。しかし、この方法では、
レーザ発振のためのしきい値電流が高くなってしまう。
また、活性層への電流注入量を多くすることによりキャ
リア寿命を短くすることも考えられる。この方法につい
ては、末松編著「半導体レーザと光集積回路」オーム社
刊、に詳しく説明されている。しかし、この方法でも、
活性層全体のしきいキャリア密度が増加するので、適当
なしきい値で大きな利得結合係数κg を実現することは
難しい。また、利得結合係数κg の値を調整しようとす
ると、活性層の膜厚などを変更するしかなく、素子設計
も困難である。
【０００５】本発明は、以上の課題を解決し、活性層の
キャリア密度を周期的に変化させることにより利得結合
を得る構造で利得結合係数κg の大きな半導体分布帰還
型レーザ装置を提供することを目的とする。
キャリア密度を周期的に変化させることにより利得結合
を得る構造で利得結合係数κg の大きな半導体分布帰還
型レーザ装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体分布帰還
型レーザ装置は、電流注入により光を発生する第一の活
性層と、導電性に周期的な変化が設けられ第一の活性層
に注入される電流に空間的な周期分布を与える回折格子
層とを半導体導波路内に備えた半導体分布帰還型レーザ
装置において、半導体導波路内にさらに、第一の活性層
との間で互いに光が結合する位置に第二の活性層を備
え、この第二の活性層に注入する電流と第一の活性層に
注入する電流とにより利得を制御し、第一の活性層に注
入する電流により利得結合の大きさを制御する手段を備
えたことを特徴とする。
型レーザ装置は、電流注入により光を発生する第一の活
性層と、導電性に周期的な変化が設けられ第一の活性層
に注入される電流に空間的な周期分布を与える回折格子
層とを半導体導波路内に備えた半導体分布帰還型レーザ
装置において、半導体導波路内にさらに、第一の活性層
との間で互いに光が結合する位置に第二の活性層を備
え、この第二の活性層に注入する電流と第一の活性層に
注入する電流とにより利得を制御し、第一の活性層に注
入する電流により利得結合の大きさを制御する手段を備
えたことを特徴とする。
【０００７】第一の活性層内またはそれに接して不純物
が高濃度にドープされた層を備えることが望ましい。具
体的には、第一の活性層全体に不純物が高濃度にドーピ
ングされていてもよく、第一の活性層に接してそのよう
な層を設けてもよい。
が高濃度にドープされた層を備えることが望ましい。具
体的には、第一の活性層全体に不純物が高濃度にドーピ
ングされていてもよく、第一の活性層に接してそのよう
な層を設けてもよい。
【０００８】
【作用】利得結合係数κg を大きくするうえでの限界
は、同一の活性層で利得結合と利得とを得ようとするか
らと考えられる。そこで本発明では、利得結合を得るた
めの活性層と、利得を稼ぐための活性層とを別々に設け
る。利得結合を得るための活性層、すなわち第一の活性
層の近傍には、周期的な導電性の変化が設けられた層が
回折格子として配置され、利得結合による分布帰還が実
現される。利得を稼ぐための活性層、すなわち第二の活
性層の構造は、従来からの屈折率結合によるものと同等
である。これらの二つの活性層は、光強度分布のうえで
は一体のものとなるように近接して配置され、一つの光
導波路を形成する。電流は二つの活性層にそれぞれ独立
に、あるいは適当な比率に分割して注入される。
は、同一の活性層で利得結合と利得とを得ようとするか
らと考えられる。そこで本発明では、利得結合を得るた
めの活性層と、利得を稼ぐための活性層とを別々に設け
る。利得結合を得るための活性層、すなわち第一の活性
層の近傍には、周期的な導電性の変化が設けられた層が
回折格子として配置され、利得結合による分布帰還が実
現される。利得を稼ぐための活性層、すなわち第二の活
性層の構造は、従来からの屈折率結合によるものと同等
である。これらの二つの活性層は、光強度分布のうえで
は一体のものとなるように近接して配置され、一つの光
導波路を形成する。電流は二つの活性層にそれぞれ独立
に、あるいは適当な比率に分割して注入される。
【０００９】従来からも、可変周波数レーザなどでは、
一つの導波路内に活性層と変調層のような二つの電流注
入層をもった構造が実現されている。すなわち、一方の
注入層の屈折率または吸収率を制御することにより他方
の電流注入層の発振波長や利得を制御するものや、バン
ドギャップの異なる二つの電流注入層を用いて発振波長
を変化させるものが知られている。しかし、これらの構
造は変調を目的としたものであり、利得結合による分布
帰還を考慮したものではない。
一つの導波路内に活性層と変調層のような二つの電流注
入層をもった構造が実現されている。すなわち、一方の
注入層の屈折率または吸収率を制御することにより他方
の電流注入層の発振波長や利得を制御するものや、バン
ドギャップの異なる二つの電流注入層を用いて発振波長
を変化させるものが知られている。しかし、これらの構
造は変調を目的としたものであり、利得結合による分布
帰還を考慮したものではない。
【００１０】
【実施例】図１および図２は本発明の第一実施例を示す
図であり、図１は活性層領域部分のストライプに平行な
方向の断面図、図２はストライプに垂直な方向の断面図
を示す。以下の説明において、「上」とは基板から離れ
る方向すなわち結晶成長の方向をいう。
図であり、図１は活性層領域部分のストライプに平行な
方向の断面図、図２はストライプに垂直な方向の断面図
を示す。以下の説明において、「上」とは基板から離れ
る方向すなわち結晶成長の方向をいう。
【００１１】この半導体分布帰還型レーザ装置は、電流
注入により光を発生する第一の活性層７と、導電性に周
期的な変化が設けられ活性層７に注入される電流に空間
的な周期分布を与える回折格子層５とを半導体導波路内
に備える。活性層７と回折格子層５との間には緩衝層６
が設けられ、これらを挟んでクラッド層８、１３が設け
られる。
注入により光を発生する第一の活性層７と、導電性に周
期的な変化が設けられ活性層７に注入される電流に空間
的な周期分布を与える回折格子層５とを半導体導波路内
に備える。活性層７と回折格子層５との間には緩衝層６
が設けられ、これらを挟んでクラッド層８、１３が設け
られる。
【００１２】ここで本実施例の特徴とするところは、半
導体導波路内にさらに、活性層７との間で互いに光が結
合する位置に第二の活性層１２を備え、この活性層１２
に注入する電流と活性層７に注入する電流とにより利得
を制御し、活性層７に注入する電流により利得結合の大
きさを制御する手段として、活性層７と１２とに別々に
電流を注入するための構造が設けられたことにある。す
なわち、活性層１２が基板１上に設けられたクラッド層
３の上に形成され、このクラッド層３の一部、活性層１
２、クラッド層８、活性層７、緩衝層６、回折格子層５
およびクラッド層１３が埋込層１４により埋め込まれる
ことにより、基板１からクラッド層３、活性層１２およ
びクラッド層８を経由して埋込層１４に至る電流経路
と、クラッド層１３から活性層７およびクラッド層８を
経由して埋込層１４に至る電流経路とが形成される。基
板１の裏面には電極１０が設けられ、クラッド層１３に
はコンタクト層９を介して電極１１が接続され、埋込層
１４にはコンタクト層１５を介して電極１６が接続され
る。
導体導波路内にさらに、活性層７との間で互いに光が結
合する位置に第二の活性層１２を備え、この活性層１２
に注入する電流と活性層７に注入する電流とにより利得
を制御し、活性層７に注入する電流により利得結合の大
きさを制御する手段として、活性層７と１２とに別々に
電流を注入するための構造が設けられたことにある。す
なわち、活性層１２が基板１上に設けられたクラッド層
３の上に形成され、このクラッド層３の一部、活性層１
２、クラッド層８、活性層７、緩衝層６、回折格子層５
およびクラッド層１３が埋込層１４により埋め込まれる
ことにより、基板１からクラッド層３、活性層１２およ
びクラッド層８を経由して埋込層１４に至る電流経路
と、クラッド層１３から活性層７およびクラッド層８を
経由して埋込層１４に至る電流経路とが形成される。基
板１の裏面には電極１０が設けられ、クラッド層１３に
はコンタクト層９を介して電極１１が接続され、埋込層
１４にはコンタクト層１５を介して電極１６が接続され
る。
【００１３】活性層７の周辺構造は上述した先の出願に
示されたものと同等であり、回折格子層５は緩衝層６や
クラッド層１３とは異なる導電形で形成される。屈折率
結合の成分を無くすためにはクラッド層１３と回折格子
層５とで屈折率が同じになるような組成を用いることが
望ましい。また、緩衝層６は、電流の拡散を少なくする
ため、できるだけ薄いことが望ましい。活性層７への注
入電流は回折格子層５の間を通って流れ、回折格子層５
の直下では注入電流が少なくなって利得の周期的摂動が
生じる。
示されたものと同等であり、回折格子層５は緩衝層６や
クラッド層１３とは異なる導電形で形成される。屈折率
結合の成分を無くすためにはクラッド層１３と回折格子
層５とで屈折率が同じになるような組成を用いることが
望ましい。また、緩衝層６は、電流の拡散を少なくする
ため、できるだけ薄いことが望ましい。活性層７への注
入電流は回折格子層５の間を通って流れ、回折格子層５
の直下では注入電流が少なくなって利得の周期的摂動が
生じる。
【００１４】また、活性層７で利得を稼ぐ必要はないの
で、キャリア寿命を短くするため、活性層７に１０18ｃ
ｍ-3を越える高濃度の不純物をドーピングしておくこと
が望ましい。
で、キャリア寿命を短くするため、活性層７に１０18ｃ
ｍ-3を越える高濃度の不純物をドーピングしておくこと
が望ましい。
【００１５】活性層１２の周辺の構造は通常のダブルヘ
テロ構造である。クラッド層８は、二つの活性層７およ
び１２が光学的に結合して一つの光導波路として機能す
るような厚さに設定される。
テロ構造である。クラッド層８は、二つの活性層７およ
び１２が光学的に結合して一つの光導波路として機能す
るような厚さに設定される。
【００１６】この実施例における導電型と組成の例を、
基板１にｐ型のＩｎＰを用いた場合と、同じくｐ型のＧ
ａＡｓを用いた場合とについて、それぞれ表１、表２に
示す。
基板１にｐ型のＩｎＰを用いた場合と、同じくｐ型のＧ
ａＡｓを用いた場合とについて、それぞれ表１、表２に
示す。
【００１７】 表１ １ 基板 ｐ+ −ＩｎＰ ３ クラッド層 ｐ−ＩｎＰ １２ 活性層 ｉ−Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓと ＩｎＧａＡｓＰ（λｇ＝１．３μｍ）との 多重量子井戸構造（等価的なλｇ＝１．５５μｍ） ８ クラッド層 ｎ−ＩｎＰ ７ 活性層 ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ（λｇ＝１．５５μｍ） ６ 緩衝層 ｐ−ＩｎＰ ５ 回折格子層 ｎ−ＩｎＰ １３ クラッド層 ｐ−ＩｎＰ ９ コンタクト層 ｐ+ −Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ １４ 埋込層 ｎ−ＩｎＰ １５ コンタクト層 ｎ−Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ ただし四元混晶はＩｎＰに格子整合している。また、λ
ｇは禁制帯幅に対応する光の波長である。
ｇは禁制帯幅に対応する光の波長である。
【００１８】
【００１９】ここでは活性層１２としてＩｎＰ系で多重
量子井戸構造を用いた例とＧａＡｓ系で単一量子井戸構
造を用いた例とを示したが、ＩｎＰ系、ＧａＡｓ系でそ
れぞれ単一量子井戸構造、多重量子井戸構造を用いても
本発明を同様に実施でき、混晶の活性層を用いても本発
明を同様に実施できる。また、活性層７に量子井戸構造
を用いてもよい。
量子井戸構造を用いた例とＧａＡｓ系で単一量子井戸構
造を用いた例とを示したが、ＩｎＰ系、ＧａＡｓ系でそ
れぞれ単一量子井戸構造、多重量子井戸構造を用いても
本発明を同様に実施でき、混晶の活性層を用いても本発
明を同様に実施できる。また、活性層７に量子井戸構造
を用いてもよい。
【００２０】以上の説明では基本的な構造を示したが、
活性層以外への余分な電流を防止するための構造、例え
ば内部電流狭窄層や、イオン注入により高抵抗化した構
造を併用することが望ましい。
活性層以外への余分な電流を防止するための構造、例え
ば内部電流狭窄層や、イオン注入により高抵抗化した構
造を併用することが望ましい。
【００２１】ファブリペローモードで発振することを防
止するためには、両端面に無反射被膜を設けて反射率を
下げておくことが望ましい。
止するためには、両端面に無反射被膜を設けて反射率を
下げておくことが望ましい。
【００２２】図３は本発明の第二実施例を示す図であ
り、活性領域部分のストライプに平行な方向の断面図を
示す。
り、活性領域部分のストライプに平行な方向の断面図を
示す。
【００２３】この実施例は、第一実施例における第一の
活性層７と第二の活性層１２との位置を入れかえた構造
をもつ。すなわち、基板１上にはクラッド層３および活
性層７が形成され、その上に緩衝層６を介して回折格子
層５が設けられる。回折格子層５の上にはクラッド層８
が形成され、その上に活性層１２が設けられる。活性層
１２の上にはクラッド層１３が設けられ、コンタクト層
９を介して電極１１が接続される。
活性層７と第二の活性層１２との位置を入れかえた構造
をもつ。すなわち、基板１上にはクラッド層３および活
性層７が形成され、その上に緩衝層６を介して回折格子
層５が設けられる。回折格子層５の上にはクラッド層８
が形成され、その上に活性層１２が設けられる。活性層
１２の上にはクラッド層１３が設けられ、コンタクト層
９を介して電極１１が接続される。
【００２４】図４は第二実施例の変形例を示す図３と同
等の図である。この例の場合には、緩衝層６にも凹凸が
設けられ、回折格子層５で平坦にされる。この場合、回
折格子層５は格子状に分断されている必要はなく、薄い
層で連続していてもよい。回折格子層５が薄い層で連続
しているときは、活性層７へ注入される電流はクラッド
層３から緩衝層６を通って埋込層１４への経路で流れ
る。
等の図である。この例の場合には、緩衝層６にも凹凸が
設けられ、回折格子層５で平坦にされる。この場合、回
折格子層５は格子状に分断されている必要はなく、薄い
層で連続していてもよい。回折格子層５が薄い層で連続
しているときは、活性層７へ注入される電流はクラッド
層３から緩衝層６を通って埋込層１４への経路で流れ
る。
【００２５】図５は本発明の第三実施例の示す図であ
り、第６図は本発明の第四実施例を示す図である。これ
らの図は、活性領域部分のストライプに平行な方向の断
面図を示す。これらの実施例は、緩衝層６と回折格子層
５とが活性層７の下側、すなわち基板１側にあることが
それぞれ第一実施例、第二実施例と異なる。このような
構造の場合には、活性層７に凹凸形状を与え、膜厚変化
による利得結合を取り入れることができる。
り、第６図は本発明の第四実施例を示す図である。これ
らの図は、活性領域部分のストライプに平行な方向の断
面図を示す。これらの実施例は、緩衝層６と回折格子層
５とが活性層７の下側、すなわち基板１側にあることが
それぞれ第一実施例、第二実施例と異なる。このような
構造の場合には、活性層７に凹凸形状を与え、膜厚変化
による利得結合を取り入れることができる。
【００２６】以上の説明では基板がｐ型の場合について
説明したが、ｎ型の基板を用い、二つの活性層への電流
注入の向きが逆になるように各層の導電形を入れ替えて
も本発明を同様に実施できる。また、材料組成としてＩ
ｎＰ系とＧａＡｓ系とについてそれぞれ一つの例を示し
たが、他の組成やＩｎＰ系、ＧａＡｓ系以外の材料を用
いる場合にも本発明を同様に実施できる。さらに、利得
結合に寄与する側の活性層に電流を注入する電極を二以
上に分割し、共振器方向での注入量を不均一にすること
で利得結合係数κg の分布を最適化できる構造にするこ
ともできる。
説明したが、ｎ型の基板を用い、二つの活性層への電流
注入の向きが逆になるように各層の導電形を入れ替えて
も本発明を同様に実施できる。また、材料組成としてＩ
ｎＰ系とＧａＡｓ系とについてそれぞれ一つの例を示し
たが、他の組成やＩｎＰ系、ＧａＡｓ系以外の材料を用
いる場合にも本発明を同様に実施できる。さらに、利得
結合に寄与する側の活性層に電流を注入する電極を二以
上に分割し、共振器方向での注入量を不均一にすること
で利得結合係数κg の分布を最適化できる構造にするこ
ともできる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の半導体分布帰還型レーザ装置で
は、第一の活性層、すなわち利得結合に寄与する側の活
性層のキャリア注入量を大きくすることにより、または
その活性層に高濃度の不純物ドーピングを行っておくこ
とにより、キャリア寿命を短くすることができる。この
ため、この活性層内でのキャリア拡散を抑制でき、効果
的に利得の周期分布を形成でき、利得結合係数κg を大
きくできる。また、この第一の活性層は、上述した先の
出願にも示されたように、平坦な構造なので屈折率変化
が少なく、純粋な利得結合を実現できる。この一方で、
第二の活性層については、キャリア寿命が短くなるよう
な構造をとらず、発振に必要な利得を通常のキャリア注
入量で得ることができるようにする。これにより、しき
い値電流をそれほど増加させることなく利得結合係数κ
g を大きくできる。
は、第一の活性層、すなわち利得結合に寄与する側の活
性層のキャリア注入量を大きくすることにより、または
その活性層に高濃度の不純物ドーピングを行っておくこ
とにより、キャリア寿命を短くすることができる。この
ため、この活性層内でのキャリア拡散を抑制でき、効果
的に利得の周期分布を形成でき、利得結合係数κg を大
きくできる。また、この第一の活性層は、上述した先の
出願にも示されたように、平坦な構造なので屈折率変化
が少なく、純粋な利得結合を実現できる。この一方で、
第二の活性層については、キャリア寿命が短くなるよう
な構造をとらず、発振に必要な利得を通常のキャリア注
入量で得ることができるようにする。これにより、しき
い値電流をそれほど増加させることなく利得結合係数κ
g を大きくできる。
【００２８】また、第二の活性層を量子井戸構造にすれ
ば、利得結合の利点と量子井戸構造の利点とを併せもつ
レーザ装置を実現でき、ＴＥモードとＴＭモードの選択
や線幅の点で有利である。
ば、利得結合の利点と量子井戸構造の利点とを併せもつ
レーザ装置を実現でき、ＴＥモードとＴＭモードの選択
や線幅の点で有利である。
【００２９】本発明の半導体分布帰還型レーザ装置はま
た、最適な動作点う選んで使用することにより、利得結
合係数ｋｇを最適化できる。これは、従来の分布帰還型
レーザのように素子の製造時点で結合係数が決定される
のとは大きく異なる特徴であり、使用時の柔軟性が高め
られる。本発明の半導体分布帰還型レーザは特に利得係
数の最適化を目的とした構造であるが、活性層を二つ有
する構造であるため、可変周波数レーザとして動作させ
ることも可能である。すなわち、山本らが電子情報通信
学会技術研究報告０ＱＥ９１−４１、１９９１年、第５
５頁から第６０頁に示したように、適当な活性層の構造
を選べば、本発明のように活性層の一方が利得結合を発
生する場合でも周波数可変が可能である。
た、最適な動作点う選んで使用することにより、利得結
合係数ｋｇを最適化できる。これは、従来の分布帰還型
レーザのように素子の製造時点で結合係数が決定される
のとは大きく異なる特徴であり、使用時の柔軟性が高め
られる。本発明の半導体分布帰還型レーザは特に利得係
数の最適化を目的とした構造であるが、活性層を二つ有
する構造であるため、可変周波数レーザとして動作させ
ることも可能である。すなわち、山本らが電子情報通信
学会技術研究報告０ＱＥ９１−４１、１９９１年、第５
５頁から第６０頁に示したように、適当な活性層の構造
を選べば、本発明のように活性層の一方が利得結合を発
生する場合でも周波数可変が可能である。
【図１】本発明の第一実施例を示す図であり、活性領域
部分のストライプに平行な方向の断面図。
部分のストライプに平行な方向の断面図。
【図２】本発明の第一実施例を示す図であり、ストライ
プに垂直な方向の断面図。
プに垂直な方向の断面図。
【図３】本発明の第二実施例を示す図であり、活性領域
部分のストライプに平行な方向の断面図。
部分のストライプに平行な方向の断面図。
【図４】第二実施例の変形例を示す図。
【図５】本発明の第三実施例を示す図であり、活性領域
部分のストライプに平行な方向の断面図。
部分のストライプに平行な方向の断面図。
【図６】本発明の第四実施例を示す図であり、活性領域
部分のストライプに平行な方向の断面図。
部分のストライプに平行な方向の断面図。
１ 基板 ３ クラッド層 ５ 回折格子層 ６ 緩衝層 ７ 活性層 ８ クラッド層 ９ コンタクト層 １０、１１、１６ 電極 １２ 活性層 １３ クラッド層 １４ 埋込層 １５ コンタクト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 3/18 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 電流注入により光を発生する第一の活性
層と、 導電性に周期的な変化が設けられ前記第一の活性層に注
入される電流に空間的な周期分布を与える回折格子層と
を半導体導波路内に備えた半導体分布帰還型レーザ装置
において、 前記半導体導波路内にはさらに、前記第一の活性層との
間で互いに光が結合する位置に第二の活性層を備え、 この第二の活性層に注入する電流と前記第一の活性層に
注入する電流とにより利得を制御し、前記第一の活性層
に注入する電流により利得結合の大きさを制御する手段
を備えたことを特徴とする半導体分布帰還型レーザ装
置。 - 【請求項２】 第一の活性層内またはそれに接して不純
物が高濃度にドーピングされた層を備えた請求項１記載
の半導体分布帰還型レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3199463A JP3014810B2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3199463A JP3014810B2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548203A JPH0548203A (ja) | 1993-02-26 |
| JP3014810B2 true JP3014810B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=16408225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3199463A Expired - Lifetime JP3014810B2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3014810B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-08 JP JP3199463A patent/JP3014810B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ２７［６］，ｐ．２４− |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0548203A (ja) | 1993-02-26 |
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