JP3000144B1 - MoSi2-based silicide composite material and method for producing the same - Google Patents
MoSi2-based silicide composite material and method for producing the sameInfo
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Abstract
【要約】
【課題】 粉末冶金法あるいは一方向凝固法による従来
のMoSi2 基複合材料に比べて、高温クリープ強度あるい
は低温域における靱性が飛躍的に優れた複合材料を、提
供する。
【解決手段】 Ｃ11b 型構造を持つMoSi2 基シリサイド
の単結晶をマトリックスとし、セラミックス長繊維にて
強化して成る。Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite material having remarkably superior high-temperature creep strength or toughness in a low-temperature region as compared with a conventional MoSi 2- based composite material by a powder metallurgy method or a directional solidification method. A single crystal of MoSi 2 groups silicide with C11 b structure as a matrix, formed by reinforced by ceramic long fibers.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、MoSi2 基シリサ
イド複合材料、中でもＣ11b 型構造を持つMoSi2基シリ
サイド複合材料およびその製造方法に関する。該MoSi2
基シリサイド複合材料は、ジェットエンジン、陸上ター
ビン、自動車エンジンおよび化学プラント、さらにはロ
ケット、超音速航空機、宇宙航空機のエンジンおよび機
体の高耐熱高耐酸性を要求される部品としての用途が期
待される。TECHNICAL FIELD The present invention is, MoSi 2 groups silicide composite material relates MoSi 2 groups silicide composite material and a manufacturing method thereof with inter alia C11 b structure. The MoSi 2
The base silicide composite material is expected to be used in jet engines, terrestrial turbines, automotive engines and chemical plants, as well as rockets, supersonic aircraft, spacecraft engines and parts requiring high heat resistance and acid resistance for engines and fuselage. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】Ｃ11b 型構造を持つMoSi2 基シリサイド
複合材料（以下、単にMoSi2 基複合材料と示す）は、Mo
Si2 のもつ、2000℃をこえる高融点、優れた耐酸化性、
超合金に比し極めて小さい密度（軽量性）、そして金属
並みの熱および電気伝導率などの優れた特性を生かしつ
つ、1000℃以下での脆さを克服し、積極的に高温強度を
引き上げるため、多結晶MoSi2 に、繊維状または粒状の
SiC 、あるいは窒化珪素等のセラミックスを複合するこ
とによって製造される。BACKGROUND ART C11 b structure having MoSi 2 groups silicide composite material (hereinafter, simply referred to as MoSi 2 group composite material), Mo
Si 2 has a high melting point over 2000 ° C, excellent oxidation resistance,
To overcome the brittleness below 1000 ° C and actively increase high-temperature strength while taking advantage of extremely low density (light weight) and superior properties such as heat and electric conductivity comparable to metals compared to superalloys. Into polycrystalline MoSi 2 , fibrous or granular
It is manufactured by combining ceramics such as SiC or silicon nitride.
【０００３】しかし、未だ十分な高温強度が得られない
ため、このような複合材料が実用化されるに至っていな
い。もし、十分な高温強度を発揮し得るMoSi2 基複合材
料が開発されれば、Ni基超合金の使用温度をこえる高温
環境で使用可能な、新しい高温構造材料が出現すること
となり、その波及効果は計り知れない。例えば、陸上タ
ービンエンジンや宇宙航空機エンジン、さらに各種燃焼
炉など、高温強度と耐酸化性とが併せて要求されるよう
な用途に、広く供されると考えられる。However, such composite materials have not yet been put to practical use because sufficient high-temperature strength has not yet been obtained. If a MoSi 2- based composite material capable of exhibiting sufficient high-temperature strength is developed, a new high-temperature structural material that can be used in high-temperature environments exceeding the operating temperature of Ni-based superalloys will emerge, and its ripple effect Is immeasurable. For example, it is considered to be widely used in applications that require both high-temperature strength and oxidation resistance, such as a land-based turbine engine, a space aircraft engine, and various combustion furnaces.
【０００４】このMoSi2 基シリサイド複合材料は、(1)
MoSi2 粉末を用いて、焼結、高温プレスおよびＨＩＰ技
術を駆使して製造するか、あるいは(2) MoSi2 と金属、
金属間化合物あるいはセラミックスとの共晶系を利用し
て、一方向凝固によって製造されるのが、普通である。The MoSi 2 -based silicide composite material comprises (1)
Using MoSi 2 powder, making use of sintering, high-temperature pressing and HIP technology, or (2) MoSi 2 and metal,
It is usually manufactured by directional solidification using an eutectic system with an intermetallic compound or ceramics.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、多結晶
MoSi2 は、1200℃をこえると急速に強度が低下し、容易
に塑性流動が生じるために、MoSi2 基複合材料といえど
も、高温強度、特にクリープ強度を維持し得なくなる。
従って、1200℃以上でMoSi2 基複合材料のクリープ強度
を維持するためには、マトリックスを構成するMoSi2 の
高温強度と耐塑性流動性を抜本的に改良する必要があ
る。SUMMARY OF THE INVENTION However, polycrystalline
Since the strength of MoSi 2 rapidly decreases when the temperature exceeds 1200 ° C. and plastic flow easily occurs, even a MoSi 2 based composite material cannot maintain high-temperature strength, particularly creep strength.
Therefore, in order to maintain the creep strength of MoSi 2 group composite material at 1200 ° C. or more, it is necessary to drastically improve the high temperature strength and resistance to plastic flow properties of MoSi 2 constituting the matrix.
【０００６】そこで、この発明は、粉末冶金法あるいは
一方向凝固法による従来のMoSi2 基複合材料に比べて、
高温クリープ強度あるいは低温域における靱性が飛躍的
に優れた複合材料を、その有利な製造方法に併せて提供
しようとするものである。[0006] Therefore, the present invention, compared with the conventional MoSi 2- based composite material by powder metallurgy or unidirectional solidification method,
It is an object of the present invention to provide a composite material having a remarkably excellent high-temperature creep strength or toughness in a low-temperature region, together with its advantageous production method.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】発明者らは、マトリック
スを構成する、MoSi2 基シリサイドを、一方向凝固によ
って単結晶化しつつセラミックス長繊維を複合すること
によって、全く新しい材料が得られることを見出し、こ
の発明を完成するに到った。Means for Solving the Problems The present inventors have found that a completely new material can be obtained by compounding ceramic long fibers while unicrystallizing the MoSi 2 -based silicide constituting the matrix by unidirectional solidification. Heading, the present invention has been completed.
【０００８】すなわち、この発明の要旨構成は、次のと
おりである。 (1) Ｃ11b 型構造を持つMoSi2 基シリサイドの単結晶を
マトリックスとし、セラミックス長繊維にて強化した複
合材料であって、MoSi2 基シリサイドの単結晶の〔００
１〕近傍の方位をセラミックス長繊維の軸方向と平行に
配向して成ることを特徴とするMoSi2 基シリサイド複合
材料。 (2) Ｃ11b 型構造を持つMoSi2 基シリサイドの単結晶を
マトリックスとし、セラミックス長繊維にて強化した複
合材料であって、MoSi2 基シリサイドの単結晶の〔０１
０〕近傍の方位をセラミックス長繊維の軸方向と平行に
配向して成ることを特徴とするMoSi2 基シリサイド複合
材料。That is, the gist of the present invention is as follows. (1) A composite material in which a single crystal of MoSi 2 -based silicide having a C11 b- type structure is used as a matrix and reinforced with ceramic long fibers, and a single crystal of MoSi 2 -based silicide [00
1) A MoSi 2 -based silicide composite material characterized in that a nearby direction is oriented in parallel with the axial direction of the ceramic long fiber. (2) C11 single crystal of MoSi 2 groups silicide having a b-type structure as a matrix, a composite material reinforced with ceramics long fibers, of a single crystal of MoSi 2 groups silicide [01
0] A MoSi 2 -based silicide composite material characterized in that the orientation in the vicinity is oriented parallel to the axial direction of the ceramic long fiber.
【０００９】(3) 上記(1) または(2) において、MoSi2
基シリサイドが、MoSi2 から成ることを特徴とするMoSi
2 基シリサイド複合材料。(3) In the above (1) or (2), MoSi 2
MoSi, wherein the base silicide comprises MoSi 2
Two silicide composite materials.
【００１０】(4) 上記(1) または(2) において、MoSi2
基シリサイドが、MoSi2 に、主にMoと置換する元素およ
び主にSiと置換する元素の中から選ばれる１種または２
種以上を添加して成ることを特徴とするMoSi2 基シリサ
イド複合材料。(4) In the above (1) or (2), MoSi 2
The base silicide is one or two selected from MoSi 2 and an element mainly replacing Mo and an element mainly replacing Si.
A MoSi 2 -based silicide composite material characterized by adding at least one species.
【００１１】(5) 上記(1) ないし(4) のいずれかにおい
て、セラミックス長繊維が、MoSi2基シリサイドと化学
的に容易に反応しないセラミックスであるMoSi2 基シリ
サイド複合材料。[0011] (5) above (1) to in any one of (4), ceramics long fibers, MoSi 2 groups silicide chemically readily react non MoSi 2 groups silicide composite material is ceramic.
【００１２】(6) 種結晶を用いた一方向凝固にて成長さ
せた、MoSi2 基シリサイドの単結晶をマトリックスとし
て、該マトリックス中にセラミックス長繊維が整列した
複合材料を製造するに当たり、MoSi2 基シリサイドの単
結晶を、その〔００１〕近傍の方位がセラミックス長繊
維の軸方向と平行になる配向の下に成長させて、優れた
耐クリープ性を付与したことを特徴とするMoSi2 基シリ
サイド複合材料の製造方法。[0012] (6) grown in unidirectional solidification using a seed crystal, as a matrix a single crystal of MoSi 2 groups silicide, when manufacturing a composite material ceramic long fibers aligned in the matrix, MoSi 2 MoSi 2 -based silicide characterized by imparting excellent creep resistance by growing a single crystal of the base silicide under an orientation in which the orientation near [001] is parallel to the axial direction of the ceramic long fiber. Manufacturing method of composite material.
【００１３】(7) 種結晶を用いた一方向凝固にて成長さ
せた、MoSi2 基シリサイドの単結晶をマトリックスとし
て、該マトリックス中にセラミックス長繊維が整列した
複合材料を製造するに当たり、MoSi2 基シリサイドの単
結晶を、その〔０１０〕近傍の方位がセラミックス長繊
維の軸方向と平行になる配向の下に成長させて、優れた
耐酸化性および耐熱サイクル性を付与したことを特徴と
するMoSi2 基シリサイド複合材料の製造方法。[0013] (7) were grown in unidirectional solidification using a seed crystal, as a matrix a single crystal of MoSi 2 groups silicide, when manufacturing a composite material ceramic long fibers aligned in the matrix, MoSi 2 The single crystal of the base silicide is grown under the orientation in which the orientation near [010] is parallel to the axial direction of the long ceramic fiber to impart excellent oxidation resistance and heat cycle resistance. Manufacturing method of MoSi 2- based silicide composite material.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】この発明に従う、MoSi2 基シリサ
イドの単結晶をマトリックスとする複合材料は、まず粉
末冶金法あるいは溶解法によって製造した、図１に示す
ような、MoSi 2 基シリサイド１およびセラミックス長繊
維２から成る１次複合体３を、図２に示すように、予め
育成したMoSi2 単結晶から必要方位に切り出した結晶を
種結晶４として一方向凝固することによって得られる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTIONTwoBasic silisa
First, a composite material with a matrix of single crystals of
It is manufactured by the powder metallurgy method or the melting method.
Like, MoSi TwoBase silicide 1 and ceramic long fiber
As shown in FIG. 2, a primary complex 3 composed of fibers 2 is
MoSi grownTwoA crystal cut out of a single crystal in the required orientation
The seed crystal 4 is obtained by unidirectional solidification.
【００１５】すなわち、１次複合体３は、セラミックス
長繊維を必要な３次元分布（セラミックス長繊維が直線
的に配列しなくてもよい）を呈するように、MoSi2 基シ
リサイドの粉末を充填することによって、あるいは必要
な次元分布に配列したセラミックス長繊維の骨格を内蔵
する鋳型にて、溶融MoSi2 基シリサイドを鋳造すること
によって、製造する。That is, the primary composite 3 is filled with a powder of MoSi 2 -based silicide so that the ceramic long fibers have a required three-dimensional distribution (ceramic long fibers need not be arranged linearly). It is manufactured by casting molten MoSi 2 -based silicide in a mold having a skeleton of ceramic long fibers arranged in a required dimensional distribution.
【００１６】ここで、MoSi2 基シリサイドには、MoSi2
単相は勿論、MoSi2 に主にMoと置換する元素および主に
Siと置換する元素の中から選ばれる１種または２種以上
を添加して成る、MoSi2 と同じＣ11b 型構造を持つもの
が適合する。すなわち、主にMoと置換する元素、具体的
にはTi, Zr, Hf, Ｖ, Nb, Ta, Cr, ＷおよびReと、主に
Siと置換する元素、具体的にはＢ, Al, Ga, Ｃ, Geおよ
びSnと、の中から選ばれる１種または２種以上含み、残
部MoSi2 に成るものも、適合する。Here, the MoSi 2 -based silicide includes MoSi 2
Single phase, of course, MoSi 2 is mainly replaced with Mo and mainly
Formed by adding one or more selected from among the elements to be replaced with Si, compatible those having the same C11 b structure and MoSi 2. That is, elements that mainly substitute for Mo, specifically, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, W, and Re,
An element that contains one or more elements selected from elements to replace Si, specifically, B, Al, Ga, C, Ge, and Sn, and that forms MoSi 2 as a balance is also suitable.
【００１７】なお、MoSi2 に添加する１種または２種以
上の成分は、MoSi2 基シリサイドの結晶構造をＣ11b 型
に保つ範囲とする。もし、結晶構造が変化すれば、マト
リックスの結晶方位を、後述する〔００１〕または〔０
１０〕に育成することの意義が失われる。一方、セラミ
ックス長繊維２には、MoSi2 基シリサイドと化学的に容
易に反応せずに高温においても共存し得る、セラミック
スを用いることが好ましい。[0017] Incidentally, one or more components to be added to the MoSi 2 is a range to maintain the crystal structure of the MoSi 2 groups silicide C11 b-type. If the crystal structure changes, the crystal orientation of the matrix is changed to [001] or [0
The significance of cultivating in [10] is lost. On the other hand, for the ceramic long fiber 2, it is preferable to use a ceramic which does not easily react chemically with MoSi 2 -based silicide and can coexist at high temperatures.
【００１８】次いで、図２に示すように、高周波熱源あ
るいはハロゲンランプからの強力な光を熱源とする、加
熱５を、１次複合体３に施して溶融し、この溶融帯６を
１次複合体３の種結晶４に隣接させた一端側から他端側
へ順次に、溶融帯６を移動する、帯域溶融法により、Mo
Si2 基シリサイドの単結晶を簡単に育成できる。なお、
MoSi2 基シリサイド中にセラミックス長繊維１が存在す
る場合であっても、セラミックス長繊維１が該シリサイ
ドと活発に反応しないSiC および Al2O3等であれば、Mo
Si2 基シリサイド単相の単結晶を育成する場合と同じ条
件にて、一方向凝固させることにより単結晶化できる。Next, as shown in FIG. 2, a heating 5 using a high-frequency heat source or a strong light from a halogen lamp as a heat source is applied to the primary composite 3 and melted. By moving the melting zone 6 sequentially from one end side adjacent to the seed crystal 4 of the body 3 to the other end side,
A single crystal of Si 2- based silicide can be easily grown. In addition,
Even if the ceramic long fibers 1 are present in the MoSi 2 -based silicide, if the ceramic long fibers 1 are SiC and Al 2 O 3 which do not actively react with the silicide, Mo
Unidirectional solidification can be achieved by unidirectional solidification under the same conditions as when growing a single crystal of a Si 2- base silicide single phase.
【００１９】ここで、MoSi2 基シリサイドを単結晶の
〔００１〕近傍の方位と、これに複合するセラミックス
長繊維１の軸方向が平行であれば、得られた複合材料の
繊維軸方向にかかる１軸応力に対するマトリックスの変
形応力が高いために、図３に示すように、複合材料は15
00℃まで高強度、従って高いクリープ抵抗を示す。Here, if the orientation of MoSi 2 -based silicide in the vicinity of [001] of the single crystal is parallel to the axial direction of the ceramic long fiber 1 which is composited with the single crystal, it is applied in the fiber axis direction of the obtained composite material. Due to the high deformation stress of the matrix relative to the uniaxial stress, as shown in FIG.
It shows high strength up to 00 ° C. and thus high creep resistance.
【００２０】従って、複合材料に優れた耐クリープ性が
求められる場合には、MoSi2 基シリサイドの単結晶を、
その〔００１〕近傍の方位がセラミックス長繊維の軸方
向と平行になる配向の下に成長させることが、有利であ
る。Accordingly, when a composite material is required to have excellent creep resistance, a single crystal of MoSi 2 -based silicide is used.
It is advantageous to grow under the orientation in which the orientation near [001] is parallel to the axial direction of the long ceramic fiber.
【００２１】また、MoSi2 基シリサイドを単結晶の〔０
１０〕近傍の方位と、これに複合するセラミックス長繊
維１の軸方向が平行であれば、得られた複合材料のマト
リックスのシリサイド単結晶が常温でも変形能を有する
上、図３に示すように、700〜1000℃では低応力で塑性
変形するため、クラックの進展抵抗が大きくなり、低温
域における靱性の大きな複合材料となる。Further, the MoSi 2 -based silicide is converted to a single crystal
10] If the nearby orientation is parallel to the axial direction of the ceramic long fiber 1 composite with the same, the obtained silicide single crystal of the matrix of the composite material has deformability even at room temperature, and as shown in FIG. At 700 to 1000 ° C., plastic deformation occurs with low stress, so that crack propagation resistance increases and a composite material having high toughness in a low temperature range is obtained.
【００２２】従って、複合材料に耐クリープ性より耐酸
化性および耐熱サイクル性が求められる場合は、MoSi2
基シリサイドの単結晶を、その〔０１０〕近傍の方位が
セラミックス長繊維の軸方向と平行になる配向の下に成
長させることが、有利である。Therefore, when the composite material is required to have oxidation resistance and heat cycle resistance rather than creep resistance, MoSi 2
It is advantageous to grow the single crystal of the base silicide under an orientation in which the orientation near [010] is parallel to the axial direction of the long ceramic fiber.
【００２３】なお、図３は、MoSi2 単結晶から所定の圧
縮方位をもつ圧縮試験片を切り出し、液体窒素温度：15
00℃の圧縮試験を行って、MoSi2 単結晶の４種の異なっ
た方位に対する降伏応力を求めたものである。この実験
結果から、〔００１〕方位が他の方位に比して圧倒的に
高強度であること、また〔０１０〕方位の降伏応力が低
く、変形能に優れていることがわかる。FIG. 3 shows a compression test piece having a predetermined compression orientation cut out of a MoSi 2 single crystal, and a liquid nitrogen temperature: 15%.
The yield stress in four different orientations of the MoSi 2 single crystal was determined by performing a compression test at 00 ° C. From this experimental result, it can be seen that the [001] orientation is overwhelmingly higher in strength than the other orientations, and that the [010] orientation has a low yield stress and is excellent in deformability.
【００２４】[0024]
【実施例】図１および図２に示したところに従って、Mo
Si2 および６種の多元MoSi2 基シリサイド（Mo0.97Cr
0.03)Si2、（Mo0.97Nb0.03)Si2、（Mo0.97Ｖ0.03)Si2、
Mo（Si0.97Al0.03) 、（Mo0.50Ｗ0.50)Si2、（Mo0.25Ｗ
0.75)Si2について、体積率にして３％のSiC 繊維を配合
した複合材料の作製を試み、その作製が可能であること
を確認した。図２に示すところに従う溶解は、光学式浮
遊帯域溶融炉（凝固速度：10〜100 mm／ｈの範囲）によ
って行った。MoSi2 基複合材料について、1200〜1500℃
における高温強度を測定したが、マトリックスの方位が
〔００１〕の場合、同方位の単結晶の強度をこえる高温
強度が得られた。また、〔０１０〕方位の場合には、マ
トリックスの降伏強度の３倍をこえる高温強度が得られ
ていた。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As shown in FIGS.
Si 2 and 6 kinds of multi-element MoSi 2 -based silicides (Mo 0.97 Cr
0.03 ) Si 2 , (Mo 0.97 Nb 0.03 ) Si 2 , (Mo 0.97 V 0.03 ) Si 2 ,
Mo (Si 0.97 Al 0.03 ), (Mo 0.50 W 0.50 ) Si 2 , (Mo 0.25 W
0.75 ) With respect to Si 2 , an attempt was made to produce a composite material containing 3% by volume of SiC fibers, and it was confirmed that the production was possible. The melting according to what is shown in FIG. 2 was performed by an optical floating zone melting furnace (solidification rate: in the range of 10 to 100 mm / h). 1200-1500 ℃ for MoSi 2 matrix composite
The high-temperature strength was measured when the orientation of the matrix was [001], and a high-temperature strength exceeding that of a single crystal having the same orientation was obtained. In the case of the [010] orientation, a high-temperature strength exceeding three times the yield strength of the matrix was obtained.
【００２５】[0025]
【発明の効果】この発明によれば、従来にない高い高温
クリープ強度あるいは低温域における靱性を有するMoSi
2 基シリサイド複合材料が得られ、その特性に応じて、
過酷な環境で使用されるために、高耐熱または高耐酸性
などを要求される部品の素材として最適の複合材料を提
供できる。According to the present invention, MoSi having an unprecedented high high-temperature creep strength or toughness in a low-temperature region is obtained.
A two- group silicide composite material is obtained, and according to its characteristics,
Since it is used in a harsh environment, it is possible to provide a composite material that is optimal as a material for components requiring high heat resistance or high acid resistance.
【図１】MoSi2 基シリサイドとセラミックス長繊維との
１次複合体を示す図である。FIG. 1 is a view showing a primary composite of a MoSi 2 -based silicide and a ceramic long fiber.
【図２】MoSi2 基シリサイドとセラミックス長繊維との
１次複合体におけるシリサイドマトリックスを単結晶化
するための手法を示す図である。FIG. 2 is a view showing a technique for single crystallizing a silicide matrix in a primary composite of MoSi 2 -based silicide and ceramic long fibers.
【図３】MoSi2 単結晶の降伏応力の結晶方位および温度
依存性を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the crystal orientation and the temperature dependence of the yield stress of the MoSi 2 single crystal.
１ セラミックス長繊維 ２ MoSi2 基シリサイド ３ １次複合体 ４ 種結晶 ５ 加熱 ６ 溶融帯DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic long fiber 2 MoSi 2- base silicide 3 Primary composite 4 Seed crystal 5 Heating 6 Melt zone
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−310130（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−212396（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−152378（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−158197（ＪＰ，Ａ) 特許2543453（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C22C 1/09 - 1/10 C22C 27/04 102 C30B 29/52 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-7-310130 (JP, A) JP-A-2-212396 (JP, A) JP-A 10-152378 (JP, A) JP-A-6-310 158197 (JP, A) Patent 2543453 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) C22C 1/09-1/10 C22C 27/04 102 C30B 29/52
Claims (7)
の単結晶をマトリックスとし、セラミックス長繊維にて
強化した複合材料であって、MoSi2 基シリサイドの単結
晶の〔００１〕近傍の方位をセラミックス長繊維の軸方
向と平行に配向して成ることを特徴とするMoSi2 基シリ
サイド複合材料。1. A composite material in which a single crystal of MoSi 2 -based silicide having a C11 b- type structure is used as a matrix and reinforced with ceramic long fibers, and the orientation near [001] of the single crystal of MoSi 2 -based silicide is determined. MoSi 2 -based silicide composite material characterized by being oriented parallel to the axial direction of ceramic long fibers.
の単結晶をマトリックスとし、セラミックス長繊維にて
強化した複合材料であって、MoSi2 基シリサイドの単結
晶の〔０１０〕近傍の方位をセラミックス長繊維の軸方
向と平行に配向して成ることを特徴とするMoSi2 基シリ
サイド複合材料。2. A composite material in which a single crystal of MoSi 2 -based silicide having a C11 b- type structure is used as a matrix and reinforced with ceramic long fibers, and the orientation near [010] of the single crystal of MoSi 2 -based silicide is MoSi 2 -based silicide composite material characterized by being oriented parallel to the axial direction of ceramic long fibers.
リサイドが、MoSi2 から成ることを特徴とするMoSi2 基
シリサイド複合材料。3. An apparatus according to claim 1 or 2, MoSi 2 groups silicide, MoSi 2 groups silicide composite material characterized by consisting of MoSi 2.
リサイドが、MoSi2 に、主にMoと置換する元素および主
にSiと置換する元素の中から選ばれる１種または２種以
上を添加して成ることを特徴とするMoSi2 基シリサイド
複合材料。4. The MoSi 2 -based silicide according to claim 1, wherein one or two or more elements selected from an element mainly replacing Mo and an element mainly replacing Si are added to MoSi 2. A MoSi 2 -based silicide composite material characterized by comprising:
セラミックス長繊維が、MoSi2 基シリサイドと化学的に
容易に反応しないセラミックスであるMoSi2 基シリサイ
ド複合材料。5. The method according to claim 1, wherein
MoSi 2 -based silicide composite material, which is a ceramic whose long fibers do not easily react chemically with MoSi 2 -based silicide.
た、MoSi2 基シリサイドの単結晶をマトリックスとし
て、該マトリックス中にセラミックス長繊維が整列した
複合材料を製造するに当たり、MoSi2 基シリサイドの単
結晶を、その〔００１〕近傍の方位がセラミックス長繊
維の軸方向と平行になる配向の下に成長させて、優れた
耐クリープ性を付与したことを特徴とするMoSi2 基シリ
サイド複合材料の製造方法。6. grown in unidirectional solidification using a seed crystal, as a matrix a single crystal of MoSi 2 groups silicide, when manufacturing a composite material ceramic long fibers aligned in the matrix, MoSi 2 group A MoSi 2 -based silicide composite characterized by imparting excellent creep resistance by growing a single crystal of silicide under an orientation in which the orientation near [001] is parallel to the axial direction of the ceramic long fiber. Material manufacturing method.
た、MoSi2 基シリサイドの単結晶をマトリックスとし
て、該マトリックス中にセラミックス長繊維が整列した
複合材料を製造するに当たり、MoSi2 基シリサイドの単
結晶を、その〔０１０〕近傍の方位がセラミックス長繊
維の軸方向と平行になる配向の下に成長させて、優れた
耐酸化性および耐熱サイクル性を付与したことを特徴と
するMoSi2 基シリサイド複合材料の製造方法。7. grown in unidirectional solidification using a seed crystal, as a matrix a single crystal of MoSi 2 groups silicide, when manufacturing a composite material ceramic long fibers aligned in the matrix, MoSi 2 group MoSi characterized by imparting excellent oxidation resistance and heat cycle resistance by growing a single crystal of silicide under an orientation in which the orientation near [010] is parallel to the axial direction of the ceramic long fiber. Manufacturing method of 2- base silicide composite material.
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| JP10183506A JP3000144B1 (en) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | MoSi2-based silicide composite material and method for producing the same |
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