JP2996324B2 - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JP2996324B2
JP2996324B2 JP4253867A JP25386792A JP2996324B2 JP 2996324 B2 JP2996324 B2 JP 2996324B2 JP 4253867 A JP4253867 A JP 4253867A JP 25386792 A JP25386792 A JP 25386792A JP 2996324 B2 JP2996324 B2 JP 2996324B2
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cell array
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明の半導体集積回路装置に関
し、特にダイナミック型ランダムアクセスメモリ(DR
AM)等の半導体集積回路装置のレイアウト構成に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a dynamic random access memory (DR).
AM) etc. relates to a layout configuration of a semiconductor integrated circuit device.

【0002】[0002]

【従来の技術】64MDRAMに関しては各社からいく
つかのレイアウトが提案されている。図3は、その一例
を示すレイアウト図であって、チップ30の長辺方向の
中央部には短辺方向に長い周辺回路部34が配置され、
周辺回路部34を挟んで左右にそれ以外の回路が対称的
に配置されている。
2. Description of the Related Art Several layouts have been proposed by companies for 64MDRAM. FIG. 3 is a layout diagram showing an example of such a case, in which a peripheral circuit section 34 that is long in the short side direction is arranged at the center of the chip 30 in the long side direction.
Other circuits are symmetrically arranged on the left and right sides of the peripheral circuit section 34.

【0003】即ち、周辺回路部の左右には、センスアン
プおよび16Mのセルを有するセルアレイ部31が、ロ
ウアドレスデコーダ32を挟んで上下方向(短辺方向)
に2段重ねられている。そして、各セルアレイ部31と
周辺回路部34との間にはそれぞれカラムデコーダ33
が設けられ、また各セルアレイ部のそれぞれの短辺方向
の外側にはチップの長辺に沿ってパッド領域35が配置
されている。
That is, on the left and right sides of the peripheral circuit section, a cell array section 31 having sense amplifiers and 16M cells is arranged in a vertical direction (short side direction) with a row address decoder 32 interposed therebetween.
In two layers. A column decoder 33 is provided between each cell array unit 31 and the peripheral circuit unit 34.
Are provided, and pad regions 35 are arranged outside the respective cell array portions in the short side direction along the long side of the chip.

【0004】このレイアウト例では、カラムアドレスデ
コーダ33は各セルアレイ部31毎に設けられるが、ロ
ウアドレスデコーダ32は上下にあるセルアレイ部に共
通に使用されている。
In this layout example, a column address decoder 33 is provided for each cell array section 31, but a row address decoder 32 is commonly used for upper and lower cell array sections.

【0005】図4は、64MDRAMの他のレイアウト
例を示す図であって、この例ではチップ40の短辺方向
の中央部に長辺方向に延びるパッド領域45が配置さ
れ、その上下にそれぞれ周辺回路部44が設けられてお
り、それ以外の回路はパッド領域に対し対称的に配置さ
れる。
FIG. 4 is a diagram showing another layout example of a 64MDRAM. In this example, a pad region 45 extending in the long side direction is arranged at the center of the chip 40 in the short side direction, and peripheral regions are provided above and below the chip region. A circuit section 44 is provided, and other circuits are arranged symmetrically with respect to the pad area.

【0006】即ち、チップ40の四隅に16M分のセル
とセンスアンプを有するセルアレイ部41が配置され、
長辺方向においては2組のセルアレイ部41間にそれぞ
れカラムアドレスデコーダ43が配置され、各セルアレ
イ部41と周辺回路部44との間にはそれぞれロウアド
レスデコーダ42が配置されている。
That is, cell arrays 41 having 16M cells and sense amplifiers are arranged at four corners of a chip 40,
In the long side direction, a column address decoder 43 is arranged between the two sets of cell array units 41, and a row address decoder 42 is arranged between each cell array unit 41 and the peripheral circuit unit 44.

【0007】このレイアウト例では、ロウアドレスデコ
ーダ42は各セルアレイ部41毎に設けられるが、カラ
ムアドレスデコーダ43は左右のセルアレイ部に共通に
用いられている。
In this layout example, the row address decoder 42 is provided for each cell array section 41, but the column address decoder 43 is commonly used for the left and right cell array sections.

【0008】また、この例では、パッドがチップの中央
部に配列されているため、パッケージの組み立ての際に
は、リードをチップ上に延長させたLOC(リード・オ
ン・チップ)構造のリードフレームが用いられる。即
ち、リードフレームはチップ上に載置され、信号用リー
ド1a、電源(VCCまたはGND)用リード1bとチッ
プ上のパッドとはボンディング線2により接続される。
In this example, since the pads are arranged in the center of the chip, when assembling the package, a lead frame having a LOC (lead-on-chip) structure in which the leads are extended on the chip is provided. Is used. That is, the lead frame is mounted on the chip, and the signal lead 1a, the power supply ( VCC or GND) lead 1b, and the pad on the chip are connected by the bonding wire 2.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述した第1の従来例
では、パッド領域が上下辺に2個所配置されるため、ま
た第2の従来例ではロウアドレスデコーダが短辺方向に
2個所に分かれて配置されるため、短辺方向のサイズが
大きくなる欠点があった。
In the above-mentioned first conventional example, two pad areas are arranged on the upper and lower sides, and in the second conventional example, the row address decoder is divided into two places in the short side direction. This disadvantageously increases the size in the short side direction.

【0010】さらに、従来例ではロウアドレスデコーダ
が長辺方向に延在しているため、即ちワード線が短辺方
向に走ることになるため、短辺方向の縮小が困難な構造
となっていた。ワード線には通常ポリシリコンが用いら
れているが、ワード線を低抵抗化するためにはポリシリ
コン上にAl配線を配置し複数個所でこれと接続するこ
とが必要となり、そのためのコンタクト領域を短辺方向
に確保しなければならなくなるからである。
Further, in the conventional example, since the row address decoder extends in the long side direction, that is, the word line runs in the short side direction, the structure is difficult to reduce in the short side direction. . Normally, polysilicon is used for the word line. However, in order to reduce the resistance of the word line, it is necessary to arrange an Al wiring on the polysilicon and connect it to the wiring at a plurality of locations. This is because it is necessary to secure in the short side direction.

【0011】その結果、従来例では短辺方向のサイズが
12〜13mmとなり、500ミルパッケージ内に収納す
ることが困難であった。また、第1の従来例ではLOC
構造に対応するものではないため、パッケージもその分
大型化していた。
As a result, in the conventional example, the size in the short side direction is 12 to 13 mm, and it has been difficult to store it in a 500 mil package. In the first conventional example, LOC
Since it does not correspond to the structure, the package has also been enlarged accordingly.

【0012】さらに、第2の従来例においては、LOC
によるパッケージ組立の際には、入出力用の信号用リー
ド1aとパッドの間を、電源用リード1bをまたいでボ
ンディングしなければならないため、パッケージ厚の増
大を招き、TSOP(Thin Small Outline Package)な
どの薄型パッケージに搭載することが困難な構造となっ
ていた。
Further, in the second conventional example, the LOC
When assembling a package, the bonding between the input / output signal lead 1a and the pad must be performed across the power supply lead 1b, resulting in an increase in the thickness of the package, resulting in a TSOP (Thin Small Outline Package). It has a structure that is difficult to mount on a thin package such as the above.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、長辺方向の中央部に短辺方向のほぼ全体の長さ
を占めるデコーダを含まない周辺回路領域およびパッド
領域が設けられ、複数に分割されたセルアレイ部が、短
辺方向にカラムアドレスデコーダを挟んで2段に重ねら
、長辺方向にはロウアドレスデコーダを挟んでセルア
レイが対で配置されているものである。
A semiconductor integrated circuit device according to the present invention is provided with a peripheral circuit region and a pad region which do not include a decoder occupying almost the entire length in the short side direction at the center in the long side direction. A plurality of divided cell array sections are stacked in two stages with a column address decoder sandwiched in the short side direction, and a cell array section sandwiched with a row address decoder in the long side direction.
Rays are arranged in pairs .

【0014】[0014]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は、本発明の第1の実施例を示す64
MDRAMのレイアウト図である。同図に示されるよう
に、本実施例ではチップ10の長辺方向の中央部に短辺
方向に延在する周辺回路部14を配置し、パッド領域1
5を周辺回路部14を挟む左右両側に配置している。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a layout diagram of an MDRAM. As shown in the drawing, in the present embodiment, a peripheral circuit portion 14 extending in the short side direction is arranged at the center of the chip 10 in the long side direction, and the pad region 1 is formed.
5 are disposed on both the left and right sides of the peripheral circuit section 14.

【0015】それ以外の回路は、パッド領域15および
周辺回路部14を挟んで左右の対称となる領域に配置さ
れる。即ち、各々の側において短辺方向には、長辺方向
に延びるカラムアドレスデコーダ13を挟んで2段にセ
ルアレイ部11が配置され、同様に長辺方向には短辺方
向に延びるロウアドレスデコーダ12を挟んで2段にセ
ルアレイ部11が配置されている。ここで、各セルアレ
イ部11には8M分のメモリセルとそれに付属するセン
スアンプが配置されている。また、チップの上辺には必
要に応じて設けられるロウアドレス用プリデコーダ16
が配置されている。
The other circuits are arranged in a left-right symmetrical area with the pad area 15 and the peripheral circuit section 14 interposed therebetween. That is, on each side, the cell array units 11 are arranged in two stages with the column address decoder 13 extending in the long side direction in the short side direction, and similarly, the row address decoders 12 extending in the short side direction in the long side direction. , Cell array units 11 are arranged in two stages. Here, in each cell array section 11, memory cells for 8M and sense amplifiers attached thereto are arranged. A row address predecoder 16 provided on the upper side of the chip as needed.
Is arranged.

【0016】本実施例では、各ロウアドレスデコーダ1
2は、左右にある2つのセルアレイ部11に共通に用い
られ、また各カラムアドレスデコーダ13は上下の2つ
のセルアレイ部に共有されている。
In this embodiment, each row address decoder 1
2 is commonly used by the two cell array units 11 on the left and right, and each column address decoder 13 is shared by the two cell array units on the upper and lower sides.

【0017】本実施例では、短辺方向にはパッド領域は
設けられておらず、この方向に存在するデコーダは1本
のカラムアドレスデコーダのみであるので、短辺方向の
サイズを縮小することができる。また、本実施例では、
低抵抗化のために補強用配線とのコンタクトを必要とす
るワード線が長辺方向に走っているため、短辺方向の縮
小化には一層有利な構成となっている。よって、本実施
例により短辺方向のサイズを11mm以下とすることがで
き、500ミルパッケージ内に容易に収容することがで
きる。
In this embodiment, no pad region is provided in the short side direction, and only one column address decoder exists in this direction, so that the size in the short side direction can be reduced. it can. In this embodiment,
Since a word line which needs a contact with a reinforcing wiring for low resistance runs in the long side direction, the configuration is more advantageous for reduction in the short side direction. Therefore, according to the present embodiment, the size in the short side direction can be made 11 mm or less, and can be easily accommodated in a 500 mil package.

【0018】また、本実施例をLOCパッケージに実装
する場合、リードフレームの信号用リード1aとボンデ
ィングパッドとを接続するボンディング線2を電源用リ
ード1bをまたがないように配線することができるよう
になるので、TSOPのような薄型パッケージにも容易
に収容することが可能になる。
When the present embodiment is mounted on a LOC package, the bonding wires 2 connecting the signal leads 1a of the lead frame and the bonding pads can be wired so as not to extend over the power leads 1b. Therefore, it can be easily accommodated in a thin package such as TSOP.

【0019】図2は、本発明の第2の実施例を示すレイ
アウト図である。同図において、図1の部分と対応する
部分には下1桁が共通する参照番号が付されている。本
実施例では、チップ20の長辺方向の中央部に短辺方向
に延びるパッド領域25が設けられ、その左右両側に周
辺回路部24が配置されている。
FIG. 2 is a layout diagram showing a second embodiment of the present invention. In the figure, parts corresponding to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals with the same last digit. In this embodiment, a pad region 25 extending in the short side direction is provided at the center of the chip 20 in the long side direction, and the peripheral circuit section 24 is arranged on both left and right sides thereof.

【0020】パッド領域25およびその両側の周辺回路
部24を挟んで左右に繰り返し回路となるセルアレイ部
(センスアンプを含む)、ロウアドレスデコーダ、カラ
ムアドレスデコーダが対称的に配置される。即ち、各々
の側において、4Mのメモリセルを有するセルアレイ部
21は、短辺方向には中央にカラムアドレスデコーダ2
3を挟んで2個ずつ配置され、長辺方向にはロウアドレ
スデコーダ22を挟んで上下段にそれぞれ2対ずつ配置
されている。そして、ロウアドレスデコーダが存在して
いないセルアレイ部21間には、追加の周辺回路部24
およびパッド領域25が設けられている。
A cell array section (including sense amplifiers), a row address decoder, and a column address decoder, which form a repetitive circuit on the left and right sides of the pad area 25 and the peripheral circuit sections 24 on both sides thereof, are arranged symmetrically. That is, on each side, the cell array unit 21 having 4M memory cells is arranged at the center of the column address decoder 2 in the short side direction.
3, two pairs are arranged on the upper and lower sides of the row address decoder 22 in the long side direction. An additional peripheral circuit section 24 is provided between the cell array sections 21 where no row address decoder exists.
And a pad region 25 are provided.

【0021】本実施例においては、第1の実施例と同
様、ロウアドレスデコーダが左右のセルアレイ部に共有
されているが、一本のワード線で選択されるセル数は第
1の実施例の場合の半分になるため、アクセス速度が速
くなる。また、本実施例においては、パッド領域25が
チップ中央部および左翼部、右翼部に分割されているた
め、チップ遠端側から延びる信号用リード1aに対して
は、左翼または右翼のパッド領域でボンディングするこ
とが可能となり、リードによる入出力の端子容量の増大
を抑えることができる。
In this embodiment, as in the first embodiment, the row address decoder is shared by the left and right cell array sections. However, the number of cells selected by one word line is the same as that of the first embodiment. Access speed is faster because it is half of the case. In the present embodiment, since the pad region 25 is divided into a chip central portion, a left wing portion, and a right wing portion, the signal lead 1a extending from the far end side of the chip has a left or right wing pad region. Bonding can be performed, and an increase in input / output terminal capacitance due to leads can be suppressed.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路装置は、周辺回路およびパッド領域を長辺方向の
中央部に短辺方向に長くなるように配置し、さらに短辺
方向には、カラムアドレスデコーダを挟むように2段の
セルアレイ部を配置したものであって、短辺方向にはパ
ッド領域は存在せずまた1個のアドレスデコーダにより
2個のセルアレイ部のセルを選択できるようにしたもの
であるので、本発明によれば、チップの短辺方向のサイ
ズ縮小化が可能となり、短辺方向に厳しいパッケージへ
の収納が容易となる。また、パッド領域を長辺方向の中
央部に設けたことにより、LOC構造の実装が可能とな
り、その際パッドと外部リードとの接続を他のリードを
またぐことなく実施できるようになるので、TSOPに
代表される薄型パッケージへの収納も可能となる。
As described above, in the semiconductor integrated circuit device according to the present invention, the peripheral circuit and the pad region are arranged at the center in the long side direction so as to be long in the short side direction. , A two-stage cell array section is arranged so as to sandwich a column address decoder. There is no pad area in the short side direction, and cells of two cell array sections can be selected by one address decoder. Therefore, according to the present invention, it is possible to reduce the size of the chip in the short side direction, and it is easy to store the chip in a severe package in the short side direction. Further, by providing the pad region at the center in the long side direction, the LOC structure can be mounted. At this time, the connection between the pad and the external lead can be performed without straddling another lead. It can also be stored in a thin package typified by.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施例のレイアウト図。FIG. 1 is a layout diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第2の実施例のレイアウト図。FIG. 2 is a layout diagram of a second embodiment of the present invention.

【図3】 第1の従来例のレイアウト図。FIG. 3 is a layout diagram of a first conventional example.

【図4】 第2の従来例のレイアウト図。FIG. 4 is a layout diagram of a second conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a リードフレームの信号用リード 1b リードフレームの電源用リード 2 ボンディング線 10、20、30、40 チップ 11、21、31、41 セルアレイ部 12、22、32、42 ロウアドレスデコーダ 13、23、33、43 カラムアドレスデコーダ 14、24、34、44 周辺回路部 15、25、35、45 パッド領域 16、26 ロウアドレス用プリデコーダ 1a Lead for signal of lead frame 1b Lead for power supply of lead frame 2 Bonding wire 10, 20, 30, 40 Chip 11, 21, 31, 41 Cell array unit 12, 22, 32, 42 Row address decoder 13, 23, 33, 43 Column address decoder 14, 24, 34, 44 Peripheral circuit unit 15, 25, 35, 45 Pad area 16, 26 Row address predecoder

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 長辺方向の中央部の、短辺方向のほぼ全
体の長さを占める中央領域にデコーダを含まない周辺回
およびパッド領域が設けられ、複数に分割されたセ
ルアレイ部が、短辺方向にはカラムアドレスレコーダを
挟んで2段に重ねられ、長辺方向には前記中央領域の左
右のそれぞれの領域においてロウアドレスデコーダを挟
んで対で配置されている半導体集積回路装置。
1. A central portion of the long side direction, the peripheral circuit portion and a pad region including no decoder substantially entire central region occupying the length of the short side direction is provided, the cell array divided into a plurality, the short side direction two-tiered across the column address decoder, the left of the central region in the longitudinal direction
A semiconductor integrated circuit device arranged in pairs in each of the right regions with a row address decoder interposed therebetween.
【請求項2】 長辺方向の前記中央領域の左右のそれぞ
れの領域に複数のセルアレイ部対が設けられ、該セルア
レイ部間に追加の周辺回路領域およびパッド領域が設
けられている請求項1記載の半導体集積回路装置。
2. The right and left sides of the central area in the long side direction.
A plurality of cell array pair is provided in the region of Les, the semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the additional peripheral circuit region and a pad region between the Serua <br/> ray unit pairs are provided.
【請求項3】 長辺方向の辺に沿って、ロウアドレス用
プリデコーダが設けられている請求項1または2記載の
半導体集積回路装置。
3. A system for a row address along a long side direction.
3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, further comprising a predecoder .
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