JP2995300B1 - Surface improving method of machine components - Google Patents

Surface improving method of machine components

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JP2995300B1 JP11026143A JP2614399A JP2995300B1 JP 2995300 B1 JP2995300 B1 JP 2995300B1 JP 11026143 A JP11026143 A JP 11026143A JP 2614399 A JP2614399 A JP 2614399A JP 2995300 B1 JP2995300 B1 JP 2995300B1
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Abstract

【要約】 【課題】 表面の劣化部や欠損部、並びに表面荒れや表面粗さの等の表面欠陥を、いずれも高精度に改善することのできる表面改善方法を提供することを解決課題とする。 [Abstract] deteriorated part and defects of the surface, and surface defects such as surface roughness and surface roughness, both the problem to be solved is to provide a surface improving method that can improve the precision . 【解決手段】 本発明では、工具(10)を反応室(2 A in the present invention, the reaction chamber of the tool (10) (2
1)に配置した後、基準表面(13)での結晶の成長が最小となる条件で前記反応室(21)に気相原料を間欠的に供給し、前記工具(10)に原子層成長法を施す。 After placing 1), the growth of crystals of the reference surface (13) is intermittently supplied to the gas phase material wherein the reaction chamber (21) under the condition that a minimum, the atomic layer deposition to the tool (10) the applied.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、工具やベアリング等の機械要素部品の基準表面に存在する欠損部や劣化部、あるいは表面荒れや表面粗さの等の表面欠陥を改善するための方法に関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method for improving the surface defects such as the defects present on the reference surface of the machine component tools and bearings, etc. and deterioration portion, or surface roughness and surface roughness it is intended.

【0002】 [0002]

【従来の技術】工具やベアリング等の機械要素部品においては、その構造上、長期の使用に伴って摩耗等の劣化や変形・欠損といった各種表面欠陥を生じる。 BACKGROUND OF THE INVENTION In tools and machine components such as bearings, its structure, resulting in various surface defects such as deterioration and deformation and defects such as abrasion in accordance with the long-term use. 表面欠陥を生じた機械要素部品は、その機能や性能が著しく低下するようになる。 Machine component that caused the surface defects, so that its features and performance is remarkably lowered. このため、このような機械要素部品を継続的に用いた場合には、所望の機能や性能を期待することができない。 Therefore, when using such a machine component continuously can not expect the desired function and performance.

【0003】従来、こうした機械要素部品の表面欠陥に対しては、新たな部品との交換という方法でこれに対処するようにしている。 Conventionally, with respect to the surface defects of such machine components, so that address this in such a way that exchange with a new part.

【0004】しかしながら、新たな部品と交換するためには、予め多数の機械要素部品を用意しておかなければならず、この機械要素部品を適用する機械のランニングコストを著しく増加させる。 However, in order to replace with a new component it must be kept prepared in advance a number of machine components, significantly increases the running cost of the machine that applies the machine component.

【0005】したがって、ランニングコストの低減を図ることのできる対処法の開発が望まれている。 Accordingly, development of a remedy has been desired which can reduce the running cost.

【0006】一方、昨今の機械要素部品においては、その高機能化および微細化が進んでおり、表面品質に対する要求精度も厳しいものとなっている。 On the other hand, in recent machine component, that is at high functionality and miniaturization advances, has become stricter demand accuracy of surface quality. このため、機械要素部品の表面粗さや表面荒れ等の表面欠陥に対しては、原子1層、あるいは原子1個のレベルでこれを改善できる技術の開発が望まれている。 Therefore, for the surface defects, such as roughening the surface roughness and surface of the machine component, one layer atom, or the development of a technique that can improve this in atomic one level it is desired.

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、機械要素部品の表面処理方法としては、従来よりCVD(chem [0007] Meanwhile, as the surface treatment method of the machine component, conventionally CVD (chem
ical vapor deposition)法が利用されている。 ical vapor deposition) method is used. このCVD法は、反応系分子の気体を加熱した基板上に供給し、分解/還元/置換等の各種反応によって生成物を基板上に析出させる方法であり、例えばTiN等の硬質材料を堆積させて機械要素部品の表面を硬化させる場合に適用される。 The CVD method, a gas of the reaction system molecules and supplies the on board heating is a method to precipitate the product on a substrate by various reactions such as decomposition / reduction / substitution, for example, depositing a hard material such as TiN It applied to the case of curing the surface of the machine component Te.

【0008】このCVD法を適用した場合には、表面に堆積した硬質材料によって機械要素部品の硬質化を図ることができると同時に、表面に存在する小さな穴等の欠損部を消滅させることができるため、表面粗さの改善を図ることは可能となる。 [0008] When applying this CVD method, and at the same time it is possible to harden the machine component by hard material deposited on the surface, can be eliminated defect of small holes or the like existing on the surface Therefore, possible to improve the surface roughness becomes possible.

【0009】しかしながら、上記CVD法では、表面に凹凸が存在していた場合、この凹凸が増長される事態を招来する。 [0009] However, the above CVD method, if the uneven surface is present, to lead to a situation in which the unevenness is length increasing. すなわち、CVD法においては、一般にステップフローモードで結晶が成長していくため、機械要素部品の表面に凹凸がある場合、その凸部に対する結晶の成長が支配的となり、当該凹凸が一層顕著となる結果を招来する。 That is, in the CVD method, since generally continue to crystal growth in a step flow mode, if there is unevenness on the surface of the machine component, crystal growth becomes dominant for the convex portion, the unevenness becomes more conspicuous to lead to results.

【0010】したがって、劣化や比較的大きな欠損、あるいは表面荒れが存在する機械要素部品に対してCVD Accordingly, CVD against machine component degradation and relatively large defects, or surface roughness is present
法を適用した場合には、劣化や欠損、あるいは表面荒れを増長する事態を招来し、これら表面欠陥を改善することが困難となる。 When applying the law, to lead to a situation that length increasing deterioration or defect, or a rough surface, it is difficult to improve these surface defects.

【0011】本発明は、上記実情に鑑みて、機械要素部品の使用に伴う表面の劣化部や欠損部、並びに表面荒れや表面粗さの等の表面欠陥を、いずれも高精度に改善することのできる表面改善方法を提供することを解決課題とする。 [0011] The present invention is, in view of the above circumstances, a deteriorated part and defects of the surface with the use of the machine component, as well as surface defects such as surface roughness and surface roughness, both to improve the precision providing a surface improving method that may be a problem to be solved for.

【0012】 [0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、機械要素部品の基準表面に存在する表面欠陥を改善するための方法であって、前記機械要素部品を所定の反応室に配置する工程と、前記基準表面での結晶の成長が最小となる条件で前記機械要素部品に原子層成長法を施すべく前記反応室に気相原料を間欠的に供給する工程とを含んでいる。 Means for Solving the Problems The present invention provides a method for improving the surface defects present on the reference surface of the machine component, placing the machine components to a predetermined reaction chamber, wherein growth of crystals in the reference surface and a intermittently supplying process gas phase raw material into the reaction chamber so subjected to atomic layer deposition on the machine component under conditions that minimized. すなわち、本発明では、面方位に対する成長選択性に優れ、かつ二次元島状に結晶が成長する原子層成長法(a That is, in the present invention, excellent growth selectivity for the plane orientation, and a two-dimensional island atomic layer deposition method crystal is grown (a
tomic layer epitaxy)を適用して機械要素部品の表面欠陥を改善するようにしている。 Tomic layer Epitaxy) by applying so that to improve the surface defects of the machine component.

【0013】 [0013]

【発明の実施の形態】以下、一実施の形態を示す図面に基づいて本発明を詳細に説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail based on the drawings illustrating one embodiment.

【0014】図7は、本発明が適用する原子層成長法の原理を説明するための概略図である。 [0014] Figure 7 is a schematic diagram for explaining the principle of the atomic layer deposition to which the present invention is applied. 以下、この図7を参照して原子層成長法についてまず説明する。 Hereinafter, it will be described first with reference to atomic layer deposition to FIG 7.

【0015】図7(a)中の符号1で示す試料は、基準表面となるx面に表面欠陥2を有している。 [0015] Samples denoted by reference numeral 1 in FIG. 7 (a), it has a surface defect 2 x plane serving as a reference surface. 表面欠陥2 Surface defects 2
は、x面に対して傾斜する一対のy面と、これらy面の間に延在するx面とを有して構成されているものとする。 It is assumed to be configured to include a pair of y plane inclined with respect to the x plane, and x surface extending therebetween y plane.

【0016】この試料1を反応管(図示せず)に配置し、x面での結晶の成長が最小となる条件で気相原料を間欠的に(パルスシーケンスで)供給する。 [0016] Place the sample 1 in the reaction tube (not shown), intermittently (in a pulse sequence) for supplying the gaseous source under conditions where the growth of crystals in the x plane is minimized. ここで、この原子層成長法は、表面の化学反応を積極的に利用するものであるため、表面状態に敏感で、成長表面に対する選択性が極めて高い。 Here, the atomic layer deposition method, because it is intended to positively utilize the chemical reaction of the surface, sensitive to the surface conditions, a very high selectivity for the growth surface. したがって、試料1の表面温度、 Therefore, the surface temperature of the sample 1,
気相原料の供給量、気相原料の供給時間等々、気相原料を供給する条件を適宜変更すれば、上述したようにx面での結晶の成長が最小となるものを選択することができる。 The supply amount of vapor, etc. supply time of the vapor, if appropriately changing the conditions for supplying the vapor, it is possible to select the one that crystal growth in the x plane as described above is minimized .

【0017】こうした条件下で反応管に気相原料を供給していくと、面方位に依存した成長速度差に起因して、 [0017] As you supplying vapor phase material in the reaction tube under these conditions, due to the growth rate difference depending on the plane orientation,
図7(b)に示すように、y面での結晶の成長が支配的に進行する。 As shown in FIG. 7 (b), the growth of crystals of the y plane dominantly proceeds. また、反応管に供給された気相原料は、それ自身が成長の停止を分子1層で行うため(成長の自己停止機構)、薄膜形成が簡単、かつ正確に達成できる。 Further, the vapor supplied to the reaction tube, in order to perform its own to stop growth at a molecular one layer (self-limiting mechanism of growth), the thin film formation is easy and can be accurately achieved.
さらに結晶の成長が二次元の島状である。 Further growth of the crystal is a two-dimensional island.

【0018】これらの結果、上記原子層成長法によれば、試料1の表面に存在する凹凸を増長することなく、 [0018] These results, according to the atomic layer deposition method, without length increasing the irregularities present on the surface of the sample 1,
図7(c)に示すように、原子レベルで平坦なx面を得ることが可能となる。 As shown in FIG. 7 (c), it is possible to obtain a flat x surface at the atomic level.

【0019】図1は、この原子層成長法を利用した工具の修復方法を示すものである。 [0019] Figure 1 shows a method of repairing a tool utilizing the atomic layer deposition method.

【0020】この工具10は、図4に示すように、円柱状を成す基部11の外周面に一条の突状部12を螺旋状に設けたものである。 [0020] The tool 10, as shown in FIG. 4, in which the outer peripheral surface of the base portion 11 forming a cylindrical provided projecting portions 12 of Article helically. 突状部12は、本来、横断面が一様の三角形状を成し、そのうちの一辺部を介して上述した基部11に固着されたものである。 Protrusion 12 is essentially form a uniform triangular cross-section, through one side portion of which is one which is secured to the base 11 described above. 修復対象となる工具10では、長期の使用に伴い、図2(a)に示すように、この突状部12の基準表面13に摩耗部、変形部および欠損部といった各種の表面欠陥を生じているものとする。 In the tool 10 be repaired, with the long-term use, as shown in FIG. 2 (a), the wear part to the reference surface 13 of the projecting portion 12, various surface defects such as deformation portion and defect occurs and those who are.

【0021】以下、この工具10の突状部12に生じた表面欠陥の修復方法について説明する。 [0021] The following describes how to repair surface defects generated protrusion 12 of the tool 10.

【0022】まず、図1に示すように、反応管20の内部に工具10を配置する。 [0022] First, as shown in FIG. 1, to place the tool 10 into the reaction tube 20. この場合、突状部12の全長域が反応管20によって構成される反応室21の内部雰囲気に接することができるように、基部11の軸心が鉛直方向に沿うように配置することが好ましい。 In this case, as can be the full length region of the projecting portion 12 comes into contact with the internal atmosphere of the reaction chamber 21 constituted by the reaction tube 20, it is preferable that the axis of the base portion 11 is disposed along the vertical direction.

【0023】次いで、上記反応室21に気相原料をパルスシーケンスで供給する。 [0023] Then, supplying the gas phase material with a pulse sequence in the reaction chamber 21. このとき、修復目標面となる基準表面13での結晶の成長が最小となる条件を選択する。 In this case, selecting the conditions under which the growth of crystals of the reference surface 13 as a repair target surface is minimized. 例えば、図3に示すように、基準表面13以外の表面での原料供給1周期あたりの結晶の成長が1分子層であるときに、基準表面13での結晶の成長が1/4分子層程度であるような条件を選択する(図3中の範囲a部分)。 For example, as shown in FIG. 3, when the growth of the raw material supply 1 per cycle crystals on the surface other than the reference surface 13 is one molecular layer, the growth of crystals of the reference surface 13 is about 1/4 molecular layer selecting which under such conditions (range a portion in FIG. 3). この場合、修復すべき表面欠陥が複雑な面で構成されている場合には、複数の条件を組み合わせ、あるいは複数の条件を適宜切り換えながら気相原料を供給するようにしても構わない。 In this case, when the surface defect to be repaired is made of a complex plane, a combination of a plurality of conditions, or may be supplied to the gas phase material while switching a plurality of conditions as appropriate.

【0024】また気相原料としては、例えば工具10の突状部12がTiNで成形されている場合、有機チタン金属と窒素の水素化物(アンモニア)とを交互にパルスシーケンスで供給する。 Examples of the vapor When, for example projecting portions 12 of the tool 10 is molded with TiN, and supplies a pulse sequence alternately and organic titanium metal and nitrogen hydride (ammonia). また、工具10の突状部12が酸化アルミニウムの場合には、有機アルミニウム金属と酸素の水素化物(過酸化水素)とを交互にパルスシーケンスで供給する。 Further, when the projecting portion 12 of the tool 10 is aluminum oxide, and supplies a pulse sequence alternately and organic aluminum metal and oxygen hydride (hydrogen peroxide).

【0025】こうした条件下で反応管20に気相原料を供給していくと、上述した原子層成長法の特徴により、 [0025] As you supplying vapor phase material in the reaction tube 20 under these conditions, the characteristics of the above-described atomic layer deposition,
突状部12において基準表面13以外での結晶の成長が支配的となる。 Growth of crystals other than the reference surface 13 is dominant in the projecting portion 12. つまり工具10の突状部12において修復すべき部分にのみ選択的に結晶が成長していくようになる。 That is, that only selectively crystals portion to be repaired in the projecting portion 12 of the tool 10 grows. したがって、図2(b)に示すように、表面に存在する凹凸を増長することなく工具10を修復することができ、その再利用が可能となる。 Accordingly, as shown in FIG. 2 (b), it is possible to repair the tool 10 without length increasing the irregularities present on the surface, thereby enabling its re-use. この結果、当該工具10を適用する加工機械のランニングコストを低減することができるようになる。 As a result, it is possible to reduce the running cost of the processing machine for applying the tool 10.

【0026】しかも、上記方法によれば、工具10の修復が原子レベルで可能になる。 [0026] Moreover, according to the above method, the repair of the tool 10 is enabled at the atomic level. このため、マイクロオーダーやナノオーダーで微細構造化された工具に対しても適用することが可能である。 Therefore, it can be applied to the tool which is microstructured in micro order or nano order. また、原料の使用量も最小限となり、修復の際のコストの点でも有利となる。 The amount of the raw materials is minimized, which is advantageous in terms of cost of repair.

【0027】さらに、上記方法によれば、気相原料自らが自動的に結晶成長の停止を分子1層で行うため、修復の際の制御や作業が煩雑化することもない。 Furthermore, according to the above method, for performing the stop of its own vapor is automatically grown in the molecule one layer, not be complicated to control and work during repair.

【0028】なお、上述した実施の形態では、工具10 [0028] It should be noted that, in the embodiment described above, the tool 10
を修復する方法について例示しているが、修復対象は必ずしも工具に限られるものではない。 Is exemplified how to repair, repaired is not necessarily limited to the tool. 例えば、図5に示すように、ベアリング30を構成する転動体31や内外レース32,33に生じた表面欠陥を修復したり、図6 For example, as shown in FIG. 5, or to repair a surface defect generated in the rolling elements 31 and inner and outer races 32 and 33 constituting the bearing 30, FIG. 6
に示すように、構造部品40の外表面41に生じた表面欠陥を修復する場合にももちろん適用することが可能である。 As shown in, it is possible of course apply in the case of repairing a surface defect generated on the outer surface 41 of the structural part 40. また、機械要素部品の修復に限ることなく、製造段階で生じた表面粗さや表面荒れの改善、あるいは硬化処理等の各種表面処理を行う場合にも適用することが可能である。 Further, not limited to repair of the machine component, it can also be applied to a case where improvement of roughness surface roughness and surface occurs at the manufacturing stage, or to various surface treatments hardening treatment. 例えば上記方法を適用して機械要素部品の表面にTiN層を形成する処理を施せば、表面の硬化処理と同時に表面欠陥の改善を行うことが可能となる。 For example, Hodokose the process for forming a TiN layer on the surface of the machine component by applying the above method, it is possible to make improvements at the same time surface defect and hardening of the surface.

【0029】 [0029]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、 As described in the foregoing, according to the present invention,
基準表面での結晶の成長が最小となる条件で機械要素部品に原子層成長法を施すようにしているため、使用に伴う表面の劣化部や欠損部、並びに表面荒れや表面粗さの等の表面欠陥を、いずれも高精度に改善することが可能となる。 Since the growth of crystals of the reference surface is so subjected to atomic layer deposition in the machine component under conditions such that a minimum, a deteriorated part and defects of the surface with the use, as well as the surface roughness and surface roughness etc. surface defects, either it is possible to improve the precision.

【0030】しかも、本発明によれば、機械要素部品の表面を原子レベルで改善することができるため、マイクロオーダーやナノオーダーで微細構造化された機械要素部品に対しても適用することが可能である。 [0030] Moreover, according to the present invention, it is possible to improve the surface of the machine component at the atomic level, it can also be applied to machine component which is microstructured in micro order or nano order it is. また、原料使用量も最小限となり、表面改善の際のコストの点でも有利となる。 Further, the raw material used amount is minimized, it is advantageous in terms of cost of the surface improved.

【0031】さらに、本発明によれば、気相原料自らが自動的に成長の停止を分子1層で行うため、改善の際の作業が煩雑化することもない。 Furthermore, according to the present invention, for performing the stop of its own vapor is automatically grown in the molecule one layer, nor to work complicated when improvement.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明に係る機械要素部品の表面改善方法を示す概念図である。 1 is a conceptual diagram illustrating a surface improving method of the machine component according to the present invention.

【図2】図1に示した表面改善方法による機械要素部品の表面改善状態を示すもので、(a)は改善前の状態を示す要部拡大断面図、(b)は改善後の状態を示す要部拡大断面図である。 [Figure 2] shows the surface improve the condition of the machine component by surface improvement method shown in FIG. 1, (a) is a fragmentary enlarged sectional view showing a state before improvement, the (b) the state after improvement it is an enlarged sectional view showing.

【図3】図1に示した表面改善方法において適用する気相原料の供給条件例を示すグラフである。 3 is a graph showing the supply conditions Examples of the vapor to apply a surface improving method shown in FIG.

【図4】図1に示した表面改善方法の適用対象である工具を示す図である。 Is a diagram illustrating a tool which is subject to the surface improvement method shown in FIG. 1; FIG.

【図5】本発明に係る表面改善方法の適用対象例を示す図である。 5 is a diagram illustrating an application object example of a surface improving method of the present invention.

【図6】本発明に係る表面改善方法の適用対象例を示す図である。 6 is a diagram illustrating an application object example of a surface improving method of the present invention.

【図7】本発明が適用する原子層成長法を説明するための概念図である。 7 is a conceptual diagram for the present invention will be described an atomic layer deposition to apply.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10 工具 13 基準表面 21 反応室 30 ベアリング 40 構造部品 10 tool 13 reference surface 21 a reaction chamber 30 bearing 40 structural component

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl. 6 ,DB名) B23P 6/00 B01J 19/00 C23C 16/04 C23C 16/34 H03K 5/13 Front page of the continuation (58) investigated the field (Int.Cl. 6, DB name) B23P 6/00 B01J 19/00 C23C 16/04 C23C 16/34 H03K 5/13

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 機械要素部品の基準表面に存在する表面欠陥を改善するための方法であって、 前記機械要素部品を所定の反応室に配置する工程と、 前記基準表面での結晶の成長が最小となる条件で前記機械要素部品に原子層成長法を施すべく前記反応室に気相原料を間欠的に供給する工程とを含むことを特徴とする機械要素部品の表面改善方法。 1. A method for improving the surface defects present on the reference surface of the machine component, placing the machine components to a predetermined reaction chamber, the growth of crystals in the reference surface surface improving method of the machine component, characterized in that it comprises a intermittent feeding step gas phase raw material into the reaction chamber to a minimum the following condition subjected to the mechanical element atomic layer deposition on the component.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer

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