JP2995060B2 - Active load circuit for ECL type output - Google Patents

Active load circuit for ECL type output

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JP2995060B2
JP2995060B2 JP63176846A JP17684688A JP2995060B2 JP 2995060 B2 JP2995060 B2 JP 2995060B2 JP 63176846 A JP63176846 A JP 63176846A JP 17684688 A JP17684688 A JP 17684688A JP 2995060 B2 JP2995060 B2 JP 2995060B2
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ケビン,エム.オブンズ
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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、エミッタ結合論理回路(以下ECL回路とい
う)に用いられる能動負荷回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to an active load circuit used for an emitter-coupled logic circuit (hereinafter referred to as an ECL circuit).

<従来の技術及びその問題点> 近年、ECL回路の出力端に用いられている負荷回路に
は、負の供給電圧ライン(VEE)に向う通常的な抵抗器
か、あるいは、正相と補相のエミッタフォロワ出力トラ
ンジスタの両エミッタ間に接続された抵抗器に対して直
列に配置されたトランジスタが使用されている。因み
に、このような負荷は、大抵のECL回路の消費電力を20
乃至30%増加させる。かかる負荷回路での負荷に関して
は、VEEに接続された1個のトランジスタを伴っている
差動トランジスタ対であって、その対をなす各トランジ
スタのコレクタ回路に各出力トランジスタを有するよう
なものを用いることで、これを半減することができる。
しかしながら、このような負荷回路の消費電力を更に減
少させることが強く望まれている。
<Conventional technology and its problems> In recent years, a load circuit used at an output terminal of an ECL circuit includes a normal resistor toward a negative supply voltage line (VEE) or a positive phase and a complementary phase. A transistor arranged in series with a resistor connected between the two emitters of the emitter follower output transistor is used. By the way, such loads reduce the power consumption of most ECL circuits by 20.
~ 30% increase. With respect to the load in such a load circuit, a differential transistor pair with one transistor connected to VEE, having each output transistor in the collector circuit of each transistor in the pair, is used. This can be halved.
However, it is strongly desired to further reduce the power consumption of such a load circuit.

ECL回路でのより複雑な引き込み回路、即ち、負荷回
路は、1985年12月17日に特許されたビン・フォン・マ
(Bing−Fing Ma)の米国特許第4,559,458号に開示され
ている。この特許では、一つの出力に対する負荷回路に
13個の素子が用いられている。消費電力の観点から見る
と、上記特許では、1つの出力に対して5つの素子が接
地されている。1つの素子を接地する都度、直流消費電
力が増加する。上記特許の回路を動作させるのに必要な
最小電圧は、3.7ボルトである。ECL回路では、2ボルト
より低い電圧で作動することが望まれている。
A more complex pull-in or load circuit in an ECL circuit is disclosed in U.S. Pat. No. 4,559,458 to Bing-Fing Ma, issued Dec. 17, 1985. In this patent, a load circuit for one output
Thirteen elements are used. From the viewpoint of power consumption, in the above patent, five elements are grounded for one output. Each time one element is grounded, the DC power consumption increases. The minimum voltage required to operate the circuit of the above patent is 3.7 volts. It is desired that ECL circuits operate at voltages below 2 volts.

そこで、本発明の目的はどちらかと言えば、消費電力
の増加を、ほとんど伴うことのないECL回路用の能動負
荷回路を提供することである。
Therefore, it is rather an object of the present invention to provide an active load circuit for an ECL circuit which hardly causes an increase in power consumption.

<問題点を解決するための手段> 本発明の要旨とするところでは、第2図に示されるよ
うに、補相型エミッタフォロアの1対のトランジスタを
有するECL回路用の能動負荷回路を提供するものであ
り、その能動負荷回路には、その1対のトランジスタ、
即ち、正相出力トランジスタ28と補相出力トランジスタ
26の各エミッタから負電圧供給線58に向けて接続された
正相補相両負荷トランジスタ72、73と、上記正相補相両
負荷トランジスタ72、73の各ベースと負電圧供給線58と
の間に挿入されたバイアス素子84と、前記正相補相両出
力トランジスタ28、26の出力端子から前記正相補相両負
荷トランジスタ72、73の各ベースに向けて、各別に接続
された交流結合素子74、76とが含まれている。
<Means for Solving the Problems> According to the gist of the present invention, as shown in FIG. 2, an active load circuit for an ECL circuit having a pair of transistors of a complementary emitter follower is provided. And the active load circuit includes the pair of transistors,
That is, the positive phase output transistor 28 and the complementary phase output transistor
The positive and negative dual load transistors 72 and 73 connected from the respective emitters of 26 to the negative voltage supply line 58, and between each base of the positive and complementary dual load transistors 72 and 73 and the negative voltage supply line 58 The inserted bias element 84 and the AC coupling elements 74 and 76 connected separately from the output terminals of the positive and complementary dual output transistors 28 and 26 to the respective bases of the positive and complementary dual load transistors 72 and 73. And are included.

上記交流結合素子74、76は、コンデンサで有効に実現
可能である。
The AC coupling elements 74 and 76 can be effectively realized by capacitors.

<作 用> 正相補相両出力トランジスタ28、26のうちのトランジ
スタ26がオンに転じて、その出力を「H」に駆動する
と、その「H」の出力の現われた出力ライン64上の電荷
がその出力ライン64に接続された交流結合素子76経由で
正相補相両負荷トランジスタ72、73のうちのトランジス
タ72のベースに供給されるので、その負荷トランジスタ
72が引き込みトランジスタとして強固に駆動され、これ
により、他方の出力トランジスタ28のエミッタ電位を引
き下げるように作用する。
<Operation> When the transistor 26 of the positive and complementary dual output transistors 28 and 26 is turned on and its output is driven to “H”, the electric charge on the output line 64 where the “H” output appears appears. The load transistor is supplied to the base of the transistor 72 of the positive and complementary phase dual load transistors 72 and 73 via the AC coupling element 76 connected to the output line 64.
72 is strongly driven as a pull-in transistor, thereby acting to lower the emitter potential of the other output transistor 28.

<実施例> まず、本発明を理解しやすくするために第1図に示す
ECL回路用の能動負荷回路について説明する。
<Example> First, in order to make the present invention easy to understand, FIG.
An active load circuit for an ECL circuit will be described.

第1図に示す変形されたECL回路の正相/補相バッフ
ァにおいて、ライン50の入力はPNPトランジスタ10のベ
ースを駆動し、このトランジスタ10のエミッタはバイア
ス抵抗器42から電流を引き込む。抵抗器42を通る電流
は、トランジスタ14、20及びダイオイード40、34、36、
38に対してのバイアス電流となる。制御信号によって外
部から駆動されるベース70を有するトランジスタ12は、
そのベース70が「L」に駆動されたとき、ダイオード3
4、36、38に対して電流を供給する。差動対をなす1対
のトランジスタ14、16のうちのトランジスタ16に関して
は、そのベースがライン60経由で第1の基準電圧REF1に
接続される。抵抗器44、46は、各別にトランジスタ14、
16のコレクタ負荷になるとともに、それらは、クランプ
トランジスタ18のエミッタにも接続されるが、そのクラ
ンプトランジスタ18のコレクタは高電圧ライン52に接続
され、該トランジスタ18のベースはライン48経由で外部
から供給されるクランプ電圧に接続される。
In the modified ECL circuit positive / complementary buffer shown in FIG. 1, the input on line 50 drives the base of a PNP transistor 10 whose emitter draws current from bias resistor 42. The current through resistor 42 is determined by transistors 14, 20 and diodes 40, 34, 36,
Bias current for 38. Transistor 12 having a base 70 driven externally by a control signal,
When its base 70 is driven low, the diode 3
Supply current to 4, 36 and 38. The base of the transistor 16 of the pair of transistors 14 and 16 forming the differential pair is connected to the first reference voltage REF1 via the line 60. The resistors 44 and 46 are respectively connected to the transistor 14,
As well as becoming the collector load of 16, they are also connected to the emitter of the clamp transistor 18, the collector of which is connected to the high voltage line 52, the base of which is externally connected via line 48. Connected to the supplied clamp voltage.

トランジスタ14、16のエミッタはトランジスタ22のコ
レクタに共通接続され、さらに、このトランジスタ22の
エミッタはグランドライン58に接続される。定電流源ト
ランジスタ22のベースは、他の定電流源トランジスタ32
のベースとともに外部端子からのライン56を介して駆動
される。トランジスタ16のコレクタ出力はエミッタフォ
ロワの正相出力トランジスタ28のベースを駆動する。一
方、トランジスタ14のコレクタ出力はエミッタフォロワ
の補相出力トランジスタ26のベースを駆動する。ライン
66の正相出力は正相出力トランジスタ28のエミッタから
取り出され、ライン64の補相出力は補相出力トランジス
タ26のエミッタから取り出される。
The emitters of the transistors 14 and 16 are commonly connected to the collector of the transistor 22, and the emitter of the transistor 22 is connected to the ground line 58. The base of the constant current source transistor 22 is connected to another constant current source transistor 32.
Is driven via a line 56 from an external terminal together with the base. The collector output of transistor 16 drives the base of the positive follower output transistor 28 of the emitter follower. On the other hand, the collector output of the transistor 14 drives the base of the complementary output transistor 26 of the emitter follower. line
The in-phase output of 66 is taken from the emitter of the in-phase output transistor 28, and the complement output on line 64 is taken from the emitter of the in-phase output transistor 26.

出力トランジスタ負荷回路15は、トランジスタ20、2
4、30、32から構成される。トランジスタ24、30に関し
ては、そのエミッタが定電流源トランジスタ32のコレク
タに共通接続され、トランジスタ32のエミッタはグラン
ドライン58に接続される。トランジスタ30のベースはラ
イン62を介して第2の基準電圧REF2に接続される。エミ
ッタフォロワのトランジスタ20のエミッタはトランジス
タ24のベースを駆動する。グランドライン58とトランジ
スタ20のエミッタ間に挿入された抵抗器54は、トランジ
スタ20の負荷抵抗を形成する。
The output transistor load circuit 15 includes transistors 20 and 2
It consists of 4, 30, and 32. Regarding the transistors 24 and 30, the emitters are commonly connected to the collector of the constant current source transistor 32, and the emitter of the transistor 32 is connected to the ground line 58. The base of transistor 30 is connected via line 62 to a second reference voltage REF2. The emitter of transistor 20 in the emitter follower drives the base of transistor 24. A resistor 54 inserted between the ground line 58 and the emitter of the transistor 20 forms the load resistance of the transistor 20.

次に、動作について説明する。 Next, the operation will be described.

ライン70が「L」で、ライン48が「H」であると仮定
すると、トランジスタ12はバイアス電流をエミッタのダ
イオード列34、36、38に供給し、これによってトランジ
スタ14のベースで許容される電圧振幅の上限を4つのダ
イオードの順方向電圧降下値に固定する結果となる。た
とえば、ライン50の電圧が十分に降下して、トランジス
タ10のベースから電流が引き出されると、トランジスタ
14はオフになり、同様にトランジスタ20もオフになる。
トランジスタ10のエミッタ電圧が降下すると、ダイオー
ド40がオフに向かう。一方、トランジスタ14がオフにな
ったことに応呼して、トランジスタ16がオンになり、そ
の結果、トランジスタ26のベースが「H」になり、逆
に、トランジスタ28のベースが「L」になる。かくて、
ライン64の補相出力は「H」に向い、逆にライン66の正
相出力は「L」に向う。同時に、トランジスタ20、24が
オフになり、一方、トランジスタ30がオンになって、ラ
イン66の正相出力電圧を強制的に引き下げる。正相又は
補相の出力ライン66、64上に、該出力ライン自体での電
圧降下として残留する電圧を引き下げるのに必要な、出
力トランジスタ負荷回路15での引き込み電流量によっ
て、その引き込み電流の通過するトランジスタ32のベー
スに必要なバイアス電流の下限値が制約を受ける。一
方、プルダウントランジスタ24、30が差動的に接続され
ていて、これらのトランジスタ全体から引き出された電
流は半減されるが、そのような電流は回路全体での電力
消費としてなお比較的大きな値を占めている。
Assuming that line 70 is "L" and line 48 is "H", transistor 12 supplies a bias current to the emitter diode rows 34, 36, 38, thereby allowing the voltage allowed at the base of transistor 14 This results in fixing the upper limit of the amplitude to the forward voltage drop of the four diodes. For example, if the voltage on line 50 drops enough to draw current from the base of transistor 10, the transistor
14 turns off and transistor 20 similarly turns off.
When the emitter voltage of transistor 10 drops, diode 40 turns off. On the other hand, in response to the transistor 14 being turned off, the transistor 16 is turned on, so that the base of the transistor 26 becomes “H” and conversely, the base of the transistor 28 becomes “L”. . Thus,
The complement output of line 64 goes to "H", and conversely the positive output of line 66 goes to "L". At the same time, transistors 20 and 24 are turned off, while transistor 30 is turned on, forcing the positive phase output voltage on line 66 to decrease. Due to the amount of current drawn in the output transistor load circuit 15 necessary to reduce the voltage remaining as a voltage drop on the positive or complementary phase output lines 66, 64, the output lines themselves pass the drawn current. The lower limit of the bias current required for the base of the transistor 32 is limited. On the other hand, the pull-down transistors 24 and 30 are differentially connected, and the current drawn from these transistors is halved, but such a current still has a relatively large value as the power consumption in the entire circuit. is occupying.

本発明によって改良された能動負荷回路17を第2図に
示す。図中、第1図の回路構成と同一のものについて
は、同一の参照番号を付してある。第2図の回路は、正
相、補相出力ライン66、64にトランジスタ72、73が各々
接続されている負荷回路17以外の構成部分に関しては、
第1図の回路構成と同一である。各トランジスタ72、73
のベースバイアスは、ダイオード接続のトランジスタ84
によって確定され、そのトランジスタ84は抵抗器78、80
を介してトランジスタ72、73の各ベースに接続される。
ダイオード84及びトランジスタ72、73のベースに対する
バイアス電流は、ライン56から抵抗器82を通る電流によ
るものである。結合コンデンサ74、76は、各々正相、補
相出力ライン66、64からの電荷を各トランジスタ73、72
のベースに向けて運ぶ。
An active load circuit 17 improved according to the present invention is shown in FIG. In the figure, the same components as those of the circuit configuration of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. The circuit shown in FIG. 2 includes components other than the load circuit 17 in which the transistors 72 and 73 are connected to the positive-phase and complementary-phase output lines 66 and 64, respectively.
The circuit configuration is the same as that of FIG. Each transistor 72, 73
The base bias of the diode-connected transistor 84
Transistor 84 is determined by resistors 78, 80
Are connected to the respective bases of the transistors 72 and 73.
The bias current for the diode 84 and the base of the transistors 72, 73 is due to the current through the resistor 82 from the line 56. Coupling capacitors 74 and 76 respectively transfer charges from the positive-phase and complementary-phase output lines 66 and 64 to the transistors 73 and 72, respectively.
Carry towards the base.

前述と同様に、ライン64の補相出力が「H」になり、
ライン66の正相出力が「L」になったと仮定すると、補
相出力が「H」であるライン64からの電荷は、引き込み
用のトランジスタ72のベースに向けてコンデンサ76によ
って運ばれ、正相出力が「L」であるライン66の引き込
みを増強すべく、より強固にトランジスタ72を駆動す
る。第2図の回路では、回復時間は抵抗器80、78とコン
デンサ74、76の組み合わせであるRC値(時定数)の3乃
至5倍の値に選定される。
As before, the complement output on line 64 goes high,
Assuming that the positive output of line 66 has gone "L", the charge from line 64 whose complementary output is "H" is carried by capacitor 76 towards the base of pull-in transistor 72 and Driving transistor 72 more robustly to enhance the pulling of line 66 whose output is "L". In the circuit of FIG. 2, the recovery time is selected to be 3 to 5 times the RC value (time constant) which is a combination of the resistors 80 and 78 and the capacitors 74 and 76.

第2図に示す出力トランジスタ負荷回路は明らかに、
他の種類の論理回路の内部で用いることができ、さすれ
ば、チップ全体での消費電力の節減に帰するところ大で
ある。
The output transistor load circuit shown in FIG.
It can be used inside other types of logic circuits, and this can greatly reduce the power consumption of the entire chip.

このように本発明は上記実施例を参照して開示された
が、この開示は限定的に解釈されるものではない。上記
実施例の種々の変形のみならず、本発明の他の実施例も
またこの開示を参照すれば当業者にとって容易に理解さ
れるものである。従って、添付したクレームは本発明の
真の範囲内のいかなる変形又は実施例をカバーするもの
である。
As described above, the present invention has been disclosed with reference to the above embodiments, but the present disclosure is not construed as being limited. Various modifications of the above embodiments, as well as other embodiments of the invention, will be readily apparent to those skilled in the art from reference to the present disclosure. Accordingly, the appended claims are intended to cover any variations or embodiments within the true scope of the invention.

次に、本発明の技術的事項に関連した開示項を記載す
る。
Next, disclosure items related to the technical matters of the present invention will be described.

(1)ツルー及びコンプリメント出力を有し、論理回路
用のアクティブプルダウン回路は、前記ツルー及びコン
プリメント出力の1つに接続されるプルダウントランジ
スタと、前記プルダウントランジスタをバイアスするた
めのバイアス素子と、前記ツルー及びコンプリメント出
力の他方と、前記プルダウントランジスタのベースとの
間に接続され、前記他方の出力がローになるとき、前記
プルダウントランジスタをオンするために前記他方の出
力からの電荷を前記プルダウントランジスタに結合する
電荷結合素子とから成るものである。
(1) An active pull-down circuit for a logic circuit having a true and a complement output, the pull-down transistor connected to one of the true and complement outputs, a bias element for biasing the pull-down transistor, The pull-down transistor is connected between the other of the true and complement outputs and the base of the pull-down transistor, and pulls down the charge from the other output to turn on the pull-down transistor when the other output goes low. And a charge-coupled device coupled to the transistor.

(2)第1項の回路において、前記電荷結合素子はキャ
パシタである。
(2) In the circuit according to item 1, the charge-coupled device is a capacitor.

(3)第1項の回路において、前記バイアス素子は電流
源及びベース直列抵抗を介して前記プルダウントランジ
スタのベースに接続されるトランジスタに接続されるダ
イオードである。
(3) In the circuit according to the first aspect, the bias element is a diode connected to a transistor connected to the base of the pull-down transistor via a current source and a base series resistor.

(4)ツルー及びコンプリメント出力を有するエミッタ
結合論理回路に対するアクティブプルダウン回路が、ツ
ルー及びコンプリメント出力に対応して接続されるツル
ー及びコンプリメントプルダウントランジスタと、前記
各プルダウントランジスタのベースに接続され、前記各
プルダウントランジスタをバイアスするバイアス手段
と、前記ツルー及びコンプリメント出力の各々から前記
コンプリメント及びツループルダウントランジスタのベ
ースに各々接続され、前記ツルー又はコンプリメント出
力がローになるとき前記プルダウントランジスタをより
強くオンするような電荷結合素子とを有するものであ
る。
(4) an active pull-down circuit for an emitter-coupled logic circuit having true and complement outputs, connected to a true and complement pull-down transistor connected to the true and complement outputs, and a base of each of the pull-down transistors; Bias means for biasing each of the pull-down transistors; and a connection from each of the true and complement outputs to the base of the complement and true pull-down transistors, respectively. And a charge-coupled device that turns on strongly.

(5)第4項の回路において、前記電荷結合素子はキャ
パシタである。
(5) In the circuit according to item 4, the charge-coupled device is a capacitor.

(6)第4項の回路において、前記バイアス手段は電流
源及び絶縁抵抗を介して前記プルダウントランジスタの
ベースに接続されるダイオードである。
(6) In the circuit according to item 4, the bias means is a diode connected to the base of the pull-down transistor via a current source and an insulating resistor.

(7)第5項の回路において、前記絶縁抵抗の抵抗値と
電荷結合素子に関するキャパシタンスの値の積は0.5乃
至2.0ns(ナノセカンド)の範囲である。
(7) In the circuit according to item 5, the product of the resistance value of the insulation resistance and the capacitance value of the charge-coupled device is in a range of 0.5 to 2.0 ns (nanosecond).

(8)第6項の回路において、前記プルダウントランジ
スタ及びダイオードを通る各電流は論理回路を流れる電
流の1/10から1/100の範囲である。
(8) In the circuit according to item 6, each current flowing through the pull-down transistor and the diode is in a range of 1/10 to 1/100 of a current flowing in the logic circuit.

(9)ツルー及びコンプリメント出力(66、64)を有
し、論理回路用のアクティブプルダウン回路(17)は、
前記ツルー及びコンプリメント出力(66、64)の1つに
接続されるプルダウントランジスタ(72、73)と、前記
プルダウントランジスタをバイアスするためのバイアス
素子(84)と、前記ツルー及びコンプリメント出力(6
4、66)の他方と、前記プルダウントランジスタ(72、7
3)のベースとの間に接続され、前記他方の出力(64、6
6)がローになるとき、前記プルダウントランジスタ(7
2、73)をオンするために前記他方の出力(64、66)か
らの電荷を前記プルダウントランジスタ(72、73)に結
合する電荷結合素子(76、74)とから成る。
(9) An active pull-down circuit (17) having true and complement outputs (66, 64),
A pull-down transistor (72, 73) connected to one of the true and complement outputs (66, 64); a bias element (84) for biasing the pull-down transistor;
4, 66) and the pull-down transistor (72, 7
3) connected between the other output (64, 6)
When 6) goes low, the pull-down transistor (7
2, 73) for coupling the charge from the other output (64, 66) to the pull-down transistor (72, 73) to turn on the second pull-down transistor (72, 73).

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図はECL回路に用いられる従来の能動負荷回路の構
成を示すブロック図、第2図は本発明の好適な実施例で
ある能動負荷回路の構成を示すブロック図である。 17……能動負荷回路 26……補相出力トランジスタ 28……正相出力トランジスタ 64……補相出力ライン 66……正相出力ライン 72、73……引き込み用のトランジスタ 74、76……交流結合コンデンサ 84……バイアス素子
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a conventional active load circuit used in an ECL circuit, and FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of an active load circuit according to a preferred embodiment of the present invention. 17 Active load circuit 26 Complementary output transistor 28 Positive output transistor 64 Complementary output line 66 Positive output line 72, 73 Pull-in transistors 74, 76 AC coupling Capacitor 84 bias element

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ツルー出力とコンプリメント出力を有し、
かつ所定の電圧を与える外部基準線、基準電圧供給線を
設けた論理出力回路用の能動負荷回路において、 前記ツルー出力に接続されたコレクタ、前記基準電圧供
給線に直接接続されたエミッタ、およびベースを有する
第1のプルダウントランジスタと、 前記コンプリメント出力に接続されたコレクタ、前記基
準電圧供給線に直接接続されたエミッタ、およびベース
を有する第2のプルダウントランジスタと、 前記第1および第2のプルダウントランジスタのベース
および前記外部基準線に結合して前記第1および第2の
プルダウントランジスタにバイアス電流が供給される入
力を有し、かつ前記基準電圧供給線に接続された出力を
有するバイアス回路と、 前記第1のプルダウントランジスタのベースおよび前記
コンプリメント出力の間に接続され、かつその間の電荷
を結合する第1の電荷結合素子と、 前記第2のプルダウントランジスタのベースおよび前記
ツルー出力の間に接続され、かつその間の電荷を結合す
る第2の電荷結合素子と、を備えた能動負荷回路。
A true output and a complement output;
And an external reference line for applying a predetermined voltage, an active load circuit for a logic output circuit provided with a reference voltage supply line, a collector connected to the true output, an emitter directly connected to the reference voltage supply line, and a base. A second pull-down transistor having a collector connected to the complement output, an emitter directly connected to the reference voltage supply line, and a base; and a first and a second pull-down transistor. A bias circuit having an input coupled to a base of a transistor and the external reference line for supplying a bias current to the first and second pull-down transistors, and having an output connected to the reference voltage supply line; A connection is made between the base of the first pull-down transistor and the complement output. A first charge-coupled device connected between and coupled to a charge therebetween, and a second charge-coupled device connected between the base of the second pull-down transistor and the true output and coupling charge therebetween. An active load circuit comprising:
【請求項2】前記第1および第2の電荷結合素子はコン
デンサである請求項1に記載の能動負荷回路。
2. The active load circuit according to claim 1, wherein said first and second charge-coupled devices are capacitors.
【請求項3】前記バイアス回路は、前記第1のプルダウ
ントランジスタのベースからダイオード結合トランジス
タに接続されている第1の抵抗と、前記第2のプルダウ
ントランジスタのベースから前記ダイオード結合トラン
ジスタに接続されている第2の抵抗とを有する請求項1
に記載の能動負荷回路。
3. The bias circuit is connected to a first resistor connected from a base of the first pull-down transistor to a diode-coupled transistor, and connected to a base of the second pull-down transistor from the base of the second pull-down transistor to the diode-coupled transistor. And a second resistor that is
4. The active load circuit according to claim 1.
【請求項4】前記第1および第2の電荷結合素子は、各
コンデンサと前記第1および第2の抵抗であって、前記
コンデンサは時定数を0.5から2.0ナノ秒の範囲のものを
組み込む請求項3に記載の能動負荷回路。
4. The first and second charge-coupled devices include respective capacitors and the first and second resistors, wherein the capacitors have a time constant in the range of 0.5 to 2.0 nanoseconds. Item 7. An active load circuit according to item 3.
【請求項5】前記論理出力回路は電流を通過させ、前記
能動負荷回路は前記電流を前記第1および第2のプルダ
ウントランジスタおよび前記バイアス回路に前記電流の
1/10から1/100の範囲で通過させる請求項1に記載能動
負荷回路。
5. The logic output circuit passes a current, and the active load circuit transmits the current to the first and second pull-down transistors and the bias circuit.
2. The active load circuit according to claim 1, wherein the signal is passed in a range of 1/10 to 1/100.
【請求項6】前記基準電圧供給線は負電圧供給線である
請求項1に記載の能動負荷回路。
6. The active load circuit according to claim 1, wherein said reference voltage supply line is a negative voltage supply line.
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