JP2994678B2 - Multi-tone liquid crystal display device and its driving voltage generating circuit - Google Patents

Multi-tone liquid crystal display device and its driving voltage generating circuit

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JP2994678B2
JP2994678B2 JP2060589A JP6058990A JP2994678B2 JP 2994678 B2 JP2994678 B2 JP 2994678B2 JP 2060589 A JP2060589 A JP 2060589A JP 6058990 A JP6058990 A JP 6058990A JP 2994678 B2 JP2994678 B2 JP 2994678B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、多階調液晶表示装置とその駆動電圧発生
回路に関し、例えばディジタル方式により多色表示を行
うTFTアクティブマトリックス構成のカラー液晶表示装
置に利用して有効な技術に関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-gradation liquid crystal display device and a driving voltage generation circuit therefor, for example, a color liquid crystal display device having a TFT active matrix structure for performing multi-color display by a digital method. It relates to technology that is effective to use.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

TFT(薄膜トランジスタ)を搭載したアクティブマト
リックス構成のカラー液晶表示装置に関しては、例えば
日経マグロウヒル社、1984年9月10日付『日経エレクト
ロニクス』頁211等がある。
An active matrix color liquid crystal display device equipped with a TFT (thin film transistor) includes, for example, Nikkei McGraw-Hill Company, “Nikkei Electronics”, page 211, September 10, 1984, and the like.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

TFT液晶表示装置は、小型低消費電力のディスプレイ
装置として、主としてマイクロコンピュータシステムに
おけるモニター等に用いられているが、オフィスオート
メーション用機器におけるディスプレイ装置として多階
調、多色カラー表示の要求が強い。
The TFT liquid crystal display device is mainly used for a monitor or the like in a microcomputer system as a small and low power consumption display device, but there is a strong demand for multi-gradation and multi-color display as a display device in office automation equipment.

TFTアクティブマトリックス構成の液晶表示パネルを
用い、上記のように多階調表示を行わせるためには、液
晶の輝度−電圧特性におけるリニアな領域を使う必要が
ある。しかしながら、液晶における輝度−電圧特性は、
第31図に示すように、上下方向の視角により大きく変動
してしまう。例えば表示パネルに対して視角0゜で設定
した各階調の透過率から1/2階調以上に色調がずれない
視角範囲である視野角を求めてみると、視野角は約9゜
と非常に狭いことが判る。同図に示すように各階調が全
体として透過率が低くなる方向に、言い換えるならば黒
レベルに近い方に変化してしまう。このため、例えば51
2色等のように微妙な色調を表現することを目的とする
多色のカラー表示では色調が大幅に狂ってしまい多色表
示の意味を持たなくなってしまう。
In order to use a liquid crystal display panel having a TFT active matrix structure to perform multi-gradation display as described above, it is necessary to use a linear region in the luminance-voltage characteristics of the liquid crystal. However, the luminance-voltage characteristic of the liquid crystal is
As shown in FIG. 31, it greatly varies depending on the vertical viewing angle. For example, from the transmittance of each gradation set at a viewing angle of 0 ° with respect to the display panel, a viewing angle that is a viewing angle range in which the color tone does not shift to 1/2 gradation or more is obtained. It turns out that it is narrow. As shown in the drawing, each gradation changes in a direction in which the transmittance becomes lower as a whole, in other words, in a direction closer to the black level. Therefore, for example, 51
In the case of multi-color display for the purpose of expressing a subtle color tone such as two colors, the color tone is greatly changed and the meaning of the multi-color display is lost.

そこで、上記のように視角が変化した場合には、それ
に対応して各階調に対応した駆動電圧を変化させること
が考えられる。この場合、最も単純な発想に従えば、各
階調表示に対応した駆動電圧を調整可能にさせることが
考えられる。しかしこのような調整方法では、8階調の
表示を行うときには視角が変化する毎に8個所もの調整
を必要とし、その組み合わせが膨大となって到底実用に
供し得ない。このような理由から、従来のカラー液晶表
示装置は、上記輝度−電圧特性のリニアな部分を使わな
い赤、緑及び青の単階調の組み合わせにより8色を作り
出すものである。このような単階調の場合においては、
上記のような視角による輝度−電圧特性の変動の影響を
受けないように十分なマージンをとって駆動電圧を形成
することができるものとなる。
Therefore, when the viewing angle changes as described above, it is conceivable to change the drive voltage corresponding to each gray level accordingly. In this case, according to the simplest idea, it is conceivable to make the drive voltage corresponding to each gradation display adjustable. However, such an adjustment method requires eight adjustments each time the viewing angle changes when displaying eight gradations, and the combination is enormous and cannot be put to practical use at all. For this reason, the conventional color liquid crystal display device produces eight colors by a combination of red, green, and blue single gradations without using the linear part of the luminance-voltage characteristics. In the case of such a single tone,
The drive voltage can be formed with a sufficient margin so as not to be affected by the fluctuation of the luminance-voltage characteristic due to the viewing angle as described above.

本願発明者等は、上記液晶における上下方向の視角に
対する輝度(透過率)−電圧特性が近似的に一定の基準
電圧を持って変化することを発見した。そして、この基
準電圧を利用することより、液晶の透過率がリニアに変
化する領域を用いて多階調表示を行うときの視角の変化
に対して簡単に調整するようにした表示駆動電圧発生回
路を開発するに至った。
The present inventors have discovered that the luminance (transmittance) -voltage characteristic of the liquid crystal with respect to the vertical viewing angle changes with an approximately constant reference voltage. By using this reference voltage, a display drive voltage generation circuit that easily adjusts to a change in viewing angle when performing multi-gradation display using a region where the transmittance of the liquid crystal changes linearly. Has led to the development.

この発明の目的は、上下方向の視角変化に対する多階
調表示の調整が簡単にしかも正確に行うことができる多
階調液晶表示装置とその駆動電圧発生回路を提供するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a multi-gradation liquid crystal display device which can easily and accurately adjust a multi-gradation display with respect to a change in a viewing angle in a vertical direction, and a driving voltage generating circuit thereof.

この発明の他の目的は、高品質の多色カラー表示を実
現した多階調液晶表示装置とその駆動電圧発生回路を提
供することにある。
Another object of the present invention is to provide a multi-gradation liquid crystal display device which realizes high-quality multi-color display and a drive voltage generation circuit thereof.

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴
は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるで
あろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記の通りである。すなわち、
TFTアクティブマトリックス構成の液晶表示パネルに対
して上下方向に異なる少なくとも2つの視角に対応した
輝度−電圧特性の傾きにそれぞれ沿った直線の延長線上
での交点に基づいて近似的に求められる電圧を基準電圧
とし上記視角に対応して変化させられる電圧に連動した
多階調表示用の駆動電圧を形成し、液晶の交流化信号に
従い上記基準電圧を発生させる回路及び分圧回路に極性
反転させた動作電圧を供給する。上記基準電圧は、その
温度依存性に対応した温度補償回路により自動的に温度
補償する。多階調用の駆動電圧を発生させる電源回路が
搭載された実装基板は、液晶表示パネルの裏面側にバッ
クライトを挟むように重合わされて配置させる。
The outline of a typical invention disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is,
Reference is made to a voltage that is approximately determined based on the intersection of straight lines extending along the slope of the luminance-voltage characteristic corresponding to at least two viewing angles that differ vertically with respect to a liquid crystal display panel having a TFT active matrix configuration. An operation in which a driving voltage for multi-tone display is formed in conjunction with a voltage that is changed in accordance with the viewing angle as a voltage, and a polarity is inverted in a circuit for generating the reference voltage and a voltage dividing circuit in accordance with an alternating signal of liquid crystal. Supply voltage. The reference voltage is automatically temperature compensated by a temperature compensation circuit corresponding to the temperature dependency. A mounting substrate on which a power supply circuit for generating a driving voltage for multi-gradation is mounted is arranged so as to sandwich a backlight on the back side of the liquid crystal display panel.

〔作 用〕(Operation)

上記した手段によれば、1個所の調整により多階調の
ための複数からなる多階調用の駆動電圧をその視角に対
応した輝度−電圧特性の傾きに沿って変化させることが
できるから、視角の上下方向の変化に対する階調表示の
調整が簡単にしかも正確となる。また、比較的多くの素
子数が実装されることにより大型化する多階調用駆動電
圧発生回路用の実装基板を持つにも係わらず正面側から
みたサイズの大型化を防ぐことができる。
According to the above-described means, it is possible to change the driving voltage for multiple gradations for multiple gradations along the inclination of the luminance-voltage characteristic corresponding to the viewing angle by adjusting one location. The adjustment of the gradation display with respect to the change in the vertical direction becomes easy and accurate. Further, it is possible to prevent an increase in the size as viewed from the front side, despite having a mounting substrate for a multi-gradation drive voltage generation circuit, which is increased in size by mounting a relatively large number of elements.

〔実施例〕〔Example〕

第1図には、この発明に係る液晶の多階調表示におけ
る視角補正方式の原理を説明するための特性図が示され
ている。
FIG. 1 is a characteristic diagram for explaining the principle of the viewing angle correction method in multi-tone display of liquid crystal according to the present invention.

同図においては、縦軸に輝度(液晶の透過率)Bを、
横軸には液晶の両電極に印加される電圧Vを示してい
る。θ=0゜の特性曲線は、液晶の正面(法線)に対応
した視角の特性図であり、θ=40゜の特性曲線は、上記
法線に対して上方向に40゜に傾いた視角の特性図であ
る。このようにと、視角が0゜から40゜に変化すると、
輝度がリニアに変化する特性曲線の領域は、全体として
左方向にシフトする。したがって、例えば8階調を得る
ときに、前記のように視角が変化したときに同一の輝
度、例えば中間階調5が得られるように電圧V5をV5′
のように変化すればよいことが考えられる。しかしなが
ら、θ=0゜の特性曲線は視角が上記のように40゜に変
化したときには左方向に平行移動するするのではなく、
その電圧に対する輝度の傾きも変化してしまうから、前
記説明したように残り7つの階調についてもそれぞれに
電圧補正を行うことが必要となり前述のようにその組み
合わせが膨大となってとうてい実用に供し得ない。
In the figure, the vertical axis represents the luminance (liquid crystal transmittance) B,
The horizontal axis indicates the voltage V applied to both electrodes of the liquid crystal. The characteristic curve of θ = 0 ° is a characteristic diagram of the viewing angle corresponding to the front (normal line) of the liquid crystal, and the characteristic curve of θ = 40 ° is a viewing angle inclined upward by 40 ° with respect to the normal line. FIG. Thus, when the viewing angle changes from 0 ° to 40 °,
The region of the characteristic curve in which the luminance changes linearly shifts to the left as a whole. Thus, for example, when obtaining the eight gradations, the same luminance when the viewing angle is changed as, for example, the voltage V 5 to the intermediate gradation 5 is obtained V 5 '
It is conceivable that it should be changed as follows. However, the characteristic curve of θ = 0 ° does not translate to the left when the viewing angle changes to 40 ° as described above.
Since the gradient of the luminance with respect to the voltage also changes, it is necessary to perform the voltage correction for each of the remaining seven gray scales as described above. I can't get it.

ところが、本願発明者等においては、上記θ=0゜の
特性曲線とθ=40゜の特性曲線とを注意深く観察したと
ころ、特性曲線の変化には以下のような一定の法則的な
ものが存在することを発見した。すなわち、視角がθ=
0゜の特性曲線に対して、視角がθ=40゜の特性曲線は
全体として左方向にシフトするとともに、その傾きが大
きくなるように変化する。このような視角変化に対する
よる特性曲線の変化の特徴から、上記2つの曲線のう
ち、輝度がリニアに変化する領域を直線に近似してそれ
を上方向に延長させる。すると、同図に細線で示すよう
に近似された2つの直線は、特性図の上部で交点Pを持
つものとなる。また、上記2つの直線は特性曲線の下部
に延長することにより横軸と交点を持つ。
However, the inventors of the present invention have carefully observed the characteristic curve of θ = 0 ° and the characteristic curve of θ = 40 °. I discovered that That is, the viewing angle is θ =
With respect to the characteristic curve of 0 °, the characteristic curve of the visual angle θ = 40 ° shifts to the left as a whole, and changes so that the inclination becomes large. From the characteristic of the characteristic curve change due to such a change in the viewing angle, an area in which the luminance changes linearly in the two curves is approximated to a straight line and extended upward. Then, the two straight lines approximated as shown by the thin lines in the figure have an intersection P at the top of the characteristic diagram. Further, the two straight lines extend to the lower part of the characteristic curve and have an intersection with the horizontal axis.

このP点から横軸(電圧軸)に対した垂線を引き、そ
れを底辺とした2つの直角三角形を描くことができる。
すなわち、上記交点Pに対応した電圧(VOFF)を基準電
圧とし、上記横軸(電圧軸)との交点から求められる電
圧(以下、視角補正電圧という場合がある)VK0を高さ
とする直角三角形の斜辺が上記特性曲線θ=0゜に対応
したものとなる。
A perpendicular to the horizontal axis (voltage axis) is drawn from the point P, and two right-angled triangles having the base as the base can be drawn.
That is, a voltage (V OFF ) corresponding to the intersection P is set as a reference voltage, and a voltage (hereinafter, sometimes referred to as a viewing angle correction voltage) V K0 obtained from an intersection with the horizontal axis (voltage axis) is set as a right angle. The hypotenuse of the triangle corresponds to the characteristic curve θ = 0 °.

そして、上記基準電圧(VOFF)に対して視角補正の電
圧をVK40のように変化させることよって形成される直角
三角形の斜辺が上記特性曲線θ=40゜に対応したものと
なる。このように直角三角形の高さである上記電圧VK0
を電圧VK40のように変化させるだけで、上記2つの直角
三角形の斜辺を同じ比率で分割して得られる中間階調、
例えば同図において代表として例示的に示されている輝
度(第5階調)B5に対応したθ=0゜のときの電圧V5
らθ=40゜のときの電圧V5′のように自動的に得られ
ることが判る。
The hypotenuse of the right-angled triangle formed by changing the viewing angle correction voltage to V K40 with respect to the reference voltage (V OFF ) corresponds to the characteristic curve θ = 40 °. The voltage V K0 which is the height of the right triangle is thus
Is obtained by dividing the hypotenuses of the above two right triangles at the same ratio by simply changing
Automatic such as, for example luminance are typically illustrated in Fig. (5 gradation) voltage V 5 when the voltage V 5 at the time of theta = 0 ° corresponding to B5 of theta = 40 ° ' It can be seen that it can be obtained in a proper way.

言い換えるならば、輝度(透過率)0から100%まで
に対応した直角三角形の斜辺を8等分して8階調を得る
とき、上記特性曲線の傾きに近似された直線から擬似的
に求められる輝度0に対応した電圧VK0を電圧VK40のよ
うに1個所だけ視角の変化に対応して調整するだけで、
上記等分して形成された8階調を得るための液晶駆動電
圧を得ることができる。基準電圧VOFFは、上記電圧VK0
や電圧VK40に対して一種のオフセット電圧とみなすこと
ができる。それ故、同図においては、基準電圧をVOFF
ように表している。
In other words, when the hypotenuse of a right triangle corresponding to a luminance (transmittance) of 0 to 100% is divided into eight equal parts to obtain eight gradations, it is obtained in a pseudo manner from a straight line approximating the slope of the characteristic curve. Just adjust the voltage V K0 corresponding to the luminance 0 by one point corresponding to the change of the viewing angle like the voltage V K40 ,
It is possible to obtain a liquid crystal driving voltage for obtaining eight gradations formed by the above-mentioned equal division. The reference voltage V OFF is equal to the above voltage V K0
It can be regarded as a kind of offset voltage with respect to the voltage VK40 . Therefore, the reference voltage is represented as V OFF in FIG.

以上の説明においては、液晶の輝度が電圧の変化に対
してリニアに変化する領域の特性曲線を直線と近似した
が、実際には輝度が0となる付近では電圧を上げると再
び輝度が高くなるという跳ね返り部分を持つ。この跳ね
返り部分は、上記視角の変化により変化するため、それ
らの影響を受けないように輝度0に対応した1階調を得
るための電圧は、上記のような特性曲線の跳ね返り特性
の影響を受けないよう十分なマージンをとって電圧V1
ように高い固定電圧とするものである。したがって、上
記のように擬似的に求められる電圧VK0+VOFFと電圧V
K40+VOFFは、専ら視角補正用の調整電圧としの意味を
持つものであり、実際の液晶駆動電圧としては利用され
ないものである。
In the above description, the characteristic curve of the region where the luminance of the liquid crystal changes linearly with the change in the voltage is approximated to a straight line. However, in the vicinity of the point where the luminance becomes 0, the luminance increases again when the voltage is increased. It has a bounce part. Since the rebound portion changes due to the change in the viewing angle, the voltage for obtaining one gradation corresponding to the luminance of 0 is not affected by the rebound portion, and is affected by the rebound characteristic of the characteristic curve as described above. internal use is for higher fixed voltage as voltages V 1 takes sufficient margin. Therefore, as described above, the voltage V K0 + V OFF and the voltage V
K40 + V OFF has a meaning only as an adjustment voltage for correcting a viewing angle, and is not used as an actual liquid crystal drive voltage.

第2図には、多階調表示における視角補正機能を持つ
駆動電圧発生回路の一実施例を示す基本的回路図が示さ
れている。
FIG. 2 is a basic circuit diagram showing an embodiment of a drive voltage generation circuit having a viewing angle correction function in multi-tone display.

高レベル側の電圧VHは、透過率0%の黒レベルに相当
する第1階調に対応した液晶駆動電圧V1として用いる。
この電圧VHは電圧可変手段1を介して直列分圧抵抗回路
R1ないしR7の一端である抵抗R1に供給される。これらの
直列分圧抵抗回路R1ないしR6は、それぞれの相互接続点
から第2階調から第7階調までに対応した6通りの液晶
駆動電圧V2ないしV7を形成する。このように透過率0%
から透過率100%を7等分して第1階調から第8階調ま
での8階調を得るときには、上記直列抵抗回路R1ないし
R6は、相互に等しい抵抗値にされる。これに対して抵抗
R7は、第1図の特性図において、透過率が100%から変
化し始める、いわば液晶の視覚的しきい値電圧VTH0やV
TH40に対応した電圧を形成するためのものである。例え
ば、θ=0゜に対応した電圧VK0+VOFFのときには、上
記抵抗R7の抵抗値と抵抗R1ないしR6による直列合成抵抗
値との比により分圧して形成された電圧が、しきい値電
圧VTH0に対応した電圧に設定するものである。そして、
上記の直列抵抗R1ないしR6の抵抗値の比によりVK0+V
OFF−VTH0の電圧を7等分するものである。直列分圧抵
抗回路の他端である抵抗R7側は、上記基準電圧VOFFを形
成する電圧可変手段2を介して低レベル側の電圧VLに接
続される。この電圧VLは、十分なマージンを持って透過
率100%の白レベルを形成するために第8階調に対応し
た液晶駆動電圧V8とし用いられる。
Voltage V H of the high-level side is used as the liquid crystal driving voltages V 1 corresponding to the first gradation corresponding to the black level of transmittance of 0%.
This voltage VH is connected to a series voltage dividing resistor
R 1 to be supplied to the resistor R 1 which is one end of R 7. These series voltage dividing resistor circuits R 1 to R 6 form six liquid crystal driving voltages V 2 to V 7 corresponding to the second to seventh gradations from the respective interconnection points. Thus, the transmittance is 0%
When the eight gradations from the first gradation to the eighth gradation are obtained by dividing the transmittance 100% into seven equal to the above, the series resistance circuits R 1 to R 1
R 6 is made to have a resistance value equal to each other. Resistance to this
R 7 is, in the characteristic diagram of FIG. 1, the transmittance begins to change from 100%, as it were a liquid crystal visual threshold voltage V TH0 and V
This is for forming a voltage corresponding to TH40 . For example, when theta = 0 ° corresponds to the voltage V K0 + V OFF, the voltage formed by dividing by the ratio of the resistance value and the to no resistor R 1 in series combined resistance value due to R 6 of the resistor R 7 is, teeth This is set to a voltage corresponding to the threshold voltage V TH0 . And
According to the ratio of the resistance values of the series resistors R 1 to R 6 , V K0 + V
OFF- V TH0 voltage is divided into seven equal parts. Which is the other end of the series resistor divider resistors R 7 side is connected to the voltage V L of the low-level side through the voltage varying means 2 for forming the reference voltage V OFF. The voltage V L is used as the liquid crystal driving voltage V 8 corresponding to the eight gradations to form a white level of 100% transmittance with a sufficient margin.

この構成では、上記電圧可変手段1によりそこで発生
する電圧量を変化させることにより、上記第1図に示し
た電圧VK0+VOFFやVK40+VOFFといったような視角θの
変化に応じた電圧を得ることができる。上述のように電
圧VK0+VOFFやVK40+VOFFは、実際の液晶駆動電圧とし
ては用いられることがないため出力として取り出してい
ないが、実際には上記可変電圧手段1において存在する
電圧である。この可変電圧手段1により電圧をVK0+V
OFFやVK40+VOFFのように変化させることにより直列抵
抗回路によりその変化に連動して上記6つの階調に対応
した各液晶駆動電圧V2〜V7を得ることができる。
In this configuration, the voltage according to the change of the viewing angle θ such as the voltages V K0 + V OFF and V K40 + V OFF shown in FIG. Obtainable. As described above, the voltages V K0 + V OFF and V K40 + V OFF are not taken out as outputs because they are not used as actual liquid crystal drive voltages, but are actually voltages present in the variable voltage means 1. . The voltage is V K0 + V by this variable voltage means 1
By changing the voltage to OFF or V K40 + V OFF, the liquid crystal drive voltages V 2 to V 7 corresponding to the above six gradations can be obtained in conjunction with the change by the series resistance circuit.

なお、上記の説明では発明の理解を容易にするため、
上述のように抵抗R6とR7に分けて説明したが、抵抗R6
R7の接続点から得られる上記のようなしきい値電圧VTH0
等に対応した電圧は、液晶の駆動電圧として利用しな
い。したがって、実際の回路では、後に第10図等に示す
ように1つの抵抗に置き換えられるものである。
In the above description, in order to facilitate understanding of the invention,
It was described separately resistor R 6 and R 7 as described above, but a resistor R 6
The threshold voltage V TH0 as described above obtained from the connection point of R 7
Are not used as the driving voltage of the liquid crystal. Therefore, in an actual circuit, it is replaced with one resistor as shown in FIG. 10 and the like later.

この実施例では、電圧可変手段2により基準電圧VOFF
も調整可能にしている。これは、液晶の素子特性のバラ
ツキに対応したもの他、後述するような温度補償のため
にも必要となるものである。このような温度補償に関し
ては、後に詳細に説明する。
In this embodiment, the reference voltage V OFF is set by the voltage variable means 2.
Is also adjustable. This is necessary not only for the variation in the element characteristics of the liquid crystal but also for temperature compensation as described later. Such temperature compensation will be described later in detail.

第3図には、上記電圧可変手段1を用いた調整による
輝度−視角曲線の一例が示されている。
FIG. 3 shows an example of a luminance-viewing angle curve obtained by adjustment using the voltage varying means 1.

同図では、各中間階調である第2ないし第7階調をパ
ラメータとしている。同図に示すように、上記のような
電圧可変手段1による1個所の調整により、視角θに対
する透過率(輝度)は、視野角が約52゜の範囲で色調ず
れは1/2階調以内に収めることができる。これにより、
観察者は、ボリューム等からなる電圧可変手段1を操作
することにより、上記視野角の範囲内で簡単に任意の視
角に応じて正しい色調に合わせることが可能となる。
In the figure, the second to seventh gradations, which are the respective intermediate gradations, are used as parameters. As shown in the figure, the transmittance (luminance) with respect to the viewing angle θ is adjusted to a viewing angle range of about 52 ° and the color tone shift is within 1/2 gradation by adjusting one portion by the voltage varying means 1 as described above. Can be stored. This allows
The observer can easily adjust the color tone according to an arbitrary viewing angle within the range of the viewing angle by operating the voltage varying means 1 including a volume or the like.

第4図には、この発明に係る液晶の多階調表示におけ
る温度特性を考慮した視角補正方式の原理を説明するた
めの特性図が示されている。
FIG. 4 is a characteristic diagram for explaining the principle of the viewing angle correction method in consideration of the temperature characteristic in the multi-tone display of the liquid crystal according to the present invention.

液晶においては、同図に示すように温度が変化しても
輝度−電圧特性が変化することが知られている。本願発
明者等において、温度T=25℃の特性曲線とT=60℃の
特性曲線とを注意深く観察したところ、温度が変化した
場合でも上記の特性曲線の変化には以下のような一定の
法則的なものが存在することを発見した。すなわち、温
度T=25℃における視角θ=0゜と視角θ=40゜の特性
曲線に近似された2つの直線の交点Pから求められる基
準電圧VOFF1に対して、温度がT=60℃のように変化し
た場合でも、上記法則はそのまま維持され、温度T=25
℃における視角θ=0゜と視角θ=40゜の特性曲線に近
似された2つの直線により交点P′が形成される。この
交点P′から基準電圧VOFF2が求められる。すなわち、
本願発明者においては、上記のように温度が変化する
と、それに応じて基準電圧VOFFも変化することを発見し
た。第2図に示した駆動電圧発生回路において、電圧可
変手段2は、上記のような温度補償のために用いること
ができる。
In a liquid crystal, it is known that the luminance-voltage characteristics change even when the temperature changes as shown in FIG. The inventors of the present application have carefully observed a characteristic curve at a temperature of T = 25 ° C. and a characteristic curve at a temperature of T = 60 ° C., and even when the temperature changes, the change of the above-mentioned characteristic curve has a certain law as follows. Discovered that there was something special. That is, with respect to the reference voltage V OFF1 obtained from the intersection P of two straight lines approximated to the characteristic curves of the viewing angle θ = 0 ° and the viewing angle θ = 40 ° at the temperature T = 25 ° C., the temperature T = 60 ° C. Even if it changes as described above, the above rule is maintained as it is, and the temperature T = 25
An intersection point P 'is formed by two straight lines approximated to characteristic curves of a viewing angle θ = 0 ° and a viewing angle θ = 40 ° at ° C. The reference voltage V OFF2 is obtained from the intersection P ′. That is,
The inventor of the present application has found that when the temperature changes as described above, the reference voltage V OFF also changes accordingly. In the drive voltage generation circuit shown in FIG. 2, the voltage variable means 2 can be used for temperature compensation as described above.

第5図には、上記電圧可変手段1と2を用いた電圧調
整による輝度−視角曲線の一例が示されている。同図に
おいて、実線で示した特性曲線は、上記第4図における
第1階調の電圧V1を8Vとして、基準電圧VOFF2を1.2Vと
した場合の温度T=60℃において、上記電圧可変手段2
を調整した場合の各中間階調の視角特性である。各中間
階調のずれが1/2階調以内に収まる視野角は約30゜と広
い値を示す。しかし、同図に第7階調を例にして破線で
示したように、T=25℃で設定した基準電圧VOFF1=1.7
Vをそのまま用いると、透過率が著しく低下して色調の
調整が不可能になってしまう。
FIG. 5 shows an example of a luminance-viewing angle curve obtained by voltage adjustment using the voltage variable means 1 and 2. In the figure, the characteristic curve shown by the solid line, the voltage V 1 of the first tone in the Figure 4 as 8V, the reference voltage V OFF2 at a temperature T = 60 ° C. in the case of the 1.2V, the voltage variable Means 2
Is the viewing angle characteristic of each intermediate gray level when is adjusted. The viewing angle at which the shift of each intermediate gray level falls within 1/2 gray level is as wide as about 30 °. However, the reference voltage V OFF1 set at T = 25 ° C. = 1.7 as shown by the broken line in the same gray scale in FIG.
If V is used as it is, the transmittance is remarkably reduced, and the color tone cannot be adjusted.

以上のように本発明に係る液晶の多階調表示における
視角補正方式においては、最大輝度である白レベルの駆
動電圧V8と最低輝度である黒レベルの駆動電圧V1は、上
述のように視角変化や温度変化に対して十分な電圧マー
ジンを持って設定された固定電圧であるため、上記のよ
うな中間階調の視角補正や温度補償のために電圧可変手
段1や2の変化に無関係となる。これにより、上記のよ
うな電圧可変手段1や2を操作しても、白黒ディスプレ
イでの最大コントラストや、カラーパネルにおける基本
8色のコントラストは低下しないという特長を持つ。な
お、上記温度補償のための電圧可変手段2による基準電
圧VOFFの調整は、後述するように温度補償回路を用いる
ことにより自動調整を行うことができる。これにより、
実質的には1個所の調整により多階調表示における視角
補正が行われ、観察者にとって極めて使い勝手のよい液
晶多階調ディスプレイ装置を得ることができる。
In the viewing angle correcting system in a multi-gradation display of the liquid crystal according to the present invention as described above, the drive voltage V 1 of the black level is the lowest luminance and drive voltage V 8 of the white level is the maximum luminance, as described above Since the fixed voltage is set with a sufficient voltage margin for the viewing angle change and the temperature change, it is irrespective of the change of the voltage variable means 1 and 2 for the correction of the viewing angle of the intermediate gradation and the temperature compensation as described above. Becomes Thus, even if the voltage variable means 1 or 2 is operated as described above, the maximum contrast in a monochrome display and the contrast of eight basic colors in a color panel are not reduced. The adjustment of the reference voltage V OFF by the voltage variable means 2 for temperature compensation can be performed automatically by using a temperature compensation circuit as described later. This allows
Practically, the viewing angle correction in the multi-gradation display is performed by adjusting one point, and a liquid crystal multi-gradation display device which is extremely easy to use for the observer can be obtained.

第6図には、多階調表示のための液晶駆動電圧発生回
路の基本的な一実施例の回路図が示されている。
FIG. 6 is a circuit diagram of a basic embodiment of a liquid crystal drive voltage generation circuit for multi-gradation display.

液晶表示装置においては、液晶に印加される駆動電圧
に直流成分があってはならないためは、駆動電圧はフレ
ーム毎に正/負極性に交互に極性反転するという交流駆
動が必要である。このような交流駆動のために、正及び
負の駆動電圧が必要になる。したがって、第2図に示し
た基本回路を2組設けて正極性に対応した駆動電圧と負
極性に対応した駆動電圧を作り出すことが考えられる。
しかし、このようにすると、回路規模が大きくなるとと
もに、正と負の駆動電圧が素子特性バラツキの影響を受
けて正しく一致しなくなる。このように正と負の駆動電
圧にバラツキを有すると、それが直流成分として液晶に
印加されることとなり、液晶の表示寿命を極端に短くし
てしまうという問題を有する。
In a liquid crystal display device, since there is no direct current component in the drive voltage applied to the liquid crystal, it is necessary to perform an AC drive in which the drive voltage is alternately inverted between positive and negative polarities for each frame. Positive and negative drive voltages are required for such AC driving. Therefore, it is conceivable to provide two sets of the basic circuits shown in FIG. 2 to generate a drive voltage corresponding to the positive polarity and a drive voltage corresponding to the negative polarity.
However, in this case, the circuit scale becomes large, and the positive and negative drive voltages are not correctly matched due to the influence of the element characteristic variation. When the positive and negative drive voltages have such a variation, they are applied to the liquid crystal as a DC component, and there is a problem that the display life of the liquid crystal is extremely shortened.

この実施例では、上記のような問題を解決するため
に、上記第2図に示したような1つの基本回路を用い
て、正と負の両極性の液晶駆動電圧を発生させるもので
ある。
In this embodiment, in order to solve the above-mentioned problem, a single basic circuit as shown in FIG. 2 is used to generate both positive and negative liquid crystal driving voltages.

高レベル側の電圧VHと低レベル側の電圧VLとは抵抗R8
とR9による直列回路に印加され、ここで分圧され中点電
圧が上記駆動電圧V8として出力される。この中点電圧V8
側に上記電圧可変手段2を設け、前記のような基準電圧
VOFFを形成し、6個の階調電圧V2ないしV7を形成する抵
抗R1ないしR6からなる直列抵抗回路の抵抗R6に供給され
る。この直列抵抗回路の他端側である抵抗R1には電圧可
変手段1が設けられる。電圧可変手段1には、上記のよ
うな交流化のための駆動電圧を形成するために、スイッ
チSW1介して上記高レベル側の電圧VHとスイッチSW2を介
して上記低レベル側の電圧VLとが交互に切り換えられて
供給される。例えば、奇数フレームには、スイッチSW1
がオン状態となり、高レベルVHと中点電圧V8により正極
性の駆動電圧V1ないしV8を形成する。そして、偶数フレ
ームのときにはスイッチSW2がオン状態となり、低レベ
ルVLと中点電圧V8により負極性の駆動電圧−V1ないし−
V8を形成する。同図においては、駆動電圧V1ないしV8
時分割的に正及び負に切り換えられるので上記極性を示
す記号を省略するものである。なお、上記スイッチSW1
とSW2により交互に切り換えられて供給される電圧VHとV
Lが上記第1階調に対応した駆動電圧V1又は−V1にされ
るものである。
The high-level voltage V H and the low-level voltage VL are equal to the resistance R 8
And it is applied to the series circuit of the R 9, wherein the divided midpoint voltage is output as the drive voltage V 8. This midpoint voltage V 8
The voltage variable means 2 is provided on the
V OFF is formed and supplied to a resistor R 6 of a series resistor circuit composed of resistors R 1 to R 6 forming six gradation voltages V 2 to V 7 . Voltage varying means 1 is provided to the resistor R 1 which is the other end side of the series resistor circuit. Voltage variable means 1, in order to form a drive voltage for the AC as described above, the voltage V L through the switch SW1 via the voltage V H and the switch SW2 of the high level side of the low level side Are alternately switched and supplied. For example, for odd frames, switch SW1
There turned on, to no driving voltage V 1 of the positive polarity by the high level V H, the midpoint voltage V 8 to form a V 8. Then, the switch SW2 is turned on when the even frame, to no driving voltage -V 1 negative polarity by the low level V L, the midpoint voltage V 8 -
To form a V 8. In the figure, the driving voltages V 1 to V 8 is so switched in divided positive and negative when it is intended to omit the symbols indicating the polarity. The switch SW1
VH and V supplied alternately by SW2 and SW2
L is intended to be in the driving voltages V 1 or -V 1 corresponding to the first gradation.

この構成では、液晶の交流化駆動のための正及び負極
性の駆動電圧が、上記視角補正や温度補償を行う共通の
電圧可変手段1及び2と、直列抵抗から形成できる。こ
れにより、回路の簡素化と正及び負極性の駆動電圧を正
しく一致させることができるから、正及び負極性で交互
に駆動するとき液晶に直流電圧が印加されることがな
い。
In this configuration, the positive and negative drive voltages for AC drive of the liquid crystal can be formed from the common voltage variable means 1 and 2 for performing the above-described viewing angle correction and temperature compensation, and the series resistance. As a result, the circuit can be simplified and the positive and negative drive voltages can be correctly matched, so that no DC voltage is applied to the liquid crystal when driving alternately with positive and negative polarities.

第7図には、この発明に係るTFT液晶表示装置の一実
施例のブロック図が示されている。
FIG. 7 is a block diagram showing one embodiment of the TFT liquid crystal display device according to the present invention.

同図の液晶表示装置は、512色のカラー表示に向けら
れている。
The liquid crystal display device shown in the figure is directed to 512 color display.

マイクロコンピュータシステム等に対応したインター
フェイス部は、タイミングコンバータTCON3により構成
される。このタイミングコンバータは、標準的なカラー
CRT(陰極線管)のR、G、Bの入力に対応したカラー
データR0〜R5、G0〜G5及びB0〜B5と、水平同期信号HSYN
C、垂直同期信号VSYNC、表示タイミング信号YDISP等を
受け、多色カラー表示用のTFT液晶駆動信号に変換す
る。PLLは、フェーズ・ロックド・ループ回路であり、
1ドットクロックパルスDOTCLKを形成する。
The interface unit corresponding to the microcomputer system or the like is configured by the timing converter TCON3. This timing converter uses standard color
Color data R0 to R5, G0 to G5 and B0 to B5 corresponding to R, G, B inputs of a CRT (cathode ray tube), and a horizontal synchronizing signal HSYN
C, receives a vertical synchronizing signal VSYNC, a display timing signal YDISP, etc., and converts it into a TFT liquid crystal driving signal for multi-color display. PLL is a phase locked loop circuit,
One dot clock pulse DOTCLK is formed.

TFTパネル(TFT Panel)は、特に制限されないが、
横方向に走査線電極が延長されるよう配置され、縦方向
に信号線電極が延長されるよう配置される。上記走査線
電極と信号線電極の交点には1の画素が構成される。1
つの画素は、画素電極とTFTトランジスタから構成され
る。上記TFTトランジスタのゲートは対応する走査線電
極に接続され、上記TFTトランジスタのドレインは対応
する信号線電極に接続される。そして、TFTトランジス
タのソースは画素電極に接続される。なお、TFTトラン
ジスタはMOSFET(絶縁ゲート型電界効果トランジスタ)
と同様に双方向に信号を伝達するものである。それ故、
上記TFTトランジスタのドレインとソースという呼び方
は便宜的なものであると理解されたい。
The TFT panel is not particularly limited,
The scanning line electrodes are arranged to extend in the horizontal direction, and the signal line electrodes are arranged to extend in the vertical direction. One pixel is formed at the intersection of the scanning line electrode and the signal line electrode. 1
One pixel includes a pixel electrode and a TFT transistor. The gate of the TFT transistor is connected to a corresponding scan line electrode, and the drain of the TFT transistor is connected to a corresponding signal line electrode. Then, the source of the TFT transistor is connected to the pixel electrode. The TFT transistor is a MOSFET (insulated gate field effect transistor)
The signal is transmitted bidirectionally in the same manner as in the above. Therefore,
It is to be understood that the terms drain and source of the TFT transistor are for convenience.

上記横方向に延長される走査線電極は、ゲートドライ
バーにより順次選択される。すなわち、ゲートドライバ
ーは、フレーム信号FLMと、走査タイミングに対応した
パルスCL3を受け、上から下方向に向かって上記走査線
電極を順次選択するものである。このため、ゲートドラ
イバーは、特に制限されないが、ダイナミック型のシフ
トレジスタとドライバーとから構成される。
The scanning line electrodes extending in the horizontal direction are sequentially selected by a gate driver. That is, the gate driver receives the frame signal FLM and the pulse CL3 corresponding to the scanning timing, and sequentially selects the scanning line electrodes from top to bottom. For this reason, the gate driver includes, but is not limited to, a dynamic shift register and a driver.

この実施例では、特に制限されないが、TFTパネルに
おいて縦方向に延長される信号線電極は、奇数と偶数と
に分けられそれぞれに対応してドレインドライバーが設
けられる。例えば、奇数番目の信号線電極はTFTパネル
の上側に設けられたドレインドライバーにより駆動さ
れ、偶数番目の信号線電極はTFTパネルの上側に設けら
れたドレインドライバーにより駆動される。このように
上下にドライバーを振り分けることによって、ドライバ
ー側からみた信号線電極のピッチを広くできドライバー
の実装を容易にすることができる。また、上記のように
信号線電極を振り分けることにより、簡単に奇数と偶数
の信号線電極を相互に異なる極性の駆動電圧を供給する
構成を取ることができる。
In this embodiment, although not particularly limited, the signal line electrodes extending in the vertical direction in the TFT panel are divided into an odd number and an even number, and a drain driver is provided corresponding to each. For example, the odd-numbered signal line electrodes are driven by a drain driver provided above the TFT panel, and the even-numbered signal line electrodes are driven by a drain driver provided above the TFT panel. By distributing the drivers up and down in this way, the pitch of the signal line electrodes as viewed from the driver side can be widened, and the mounting of the driver can be facilitated. Further, by allocating the signal line electrodes as described above, it is possible to easily adopt a configuration in which the odd and even signal line electrodes are supplied with drive voltages having polarities different from each other.

タイミングコンバータTCON3は、上記のように振り分
けられた上側と下側のドレインドライバーに対応して2
つの信号バスにより上側データと出力側データが転送さ
れる。クロックパルスCL2UとCL2Lは、上記信号バスによ
り12ビットの単位でシリアルにデータを入力するために
用いられる。すなわち、上側のドレインドライバーと下
側のドレインドライバーとには上記クロックパルスCL2U
とCL2Lにそれぞれ同期して12ビットの単位で上側データ
と下側データがそれぞれシリアルに転送される。
Timing converter TCON3 corresponds to the upper and lower drain drivers distributed as described above.
Upper data and output data are transferred by one signal bus. The clock pulses CL2U and CL2L are used for serially inputting data in units of 12 bits through the signal bus. That is, the clock pulse CL2U is supplied to the upper drain driver and the lower drain driver.
The upper data and the lower data are serially transferred in units of 12 bits in synchronization with the data and CL2L, respectively.

クロックパルスCL1は、上記シリアルに転送された1
ライン分のデータをラッチするために用いられる。すな
わち、クロックパルスCL1は、1ライン分のデータ転送
が終了すると発生され、転送されたデータを保持し、そ
れに基づいて1ライン分の駆動電圧が形成され、ゲート
ドライバーにより選択された走査線電極に対応した1ラ
イン分の画素にパラレルに書き込まれる。
The clock pulse CL1 is the serially transferred 1
It is used to latch data for a line. That is, the clock pulse CL1 is generated when data transfer for one line is completed, holds the transferred data, forms a drive voltage for one line based on the data, and applies the drive voltage to the scanning line electrode selected by the gate driver. The data is written in parallel to the corresponding pixels for one line.

上記のような液晶画素への書き込みと並行して上記ク
ロックパルスCL2UとCL2Lとを用いて次のラインに対応し
たデータのシリアル取り込みが行われる。
In parallel with the writing to the liquid crystal pixels as described above, serial capture of data corresponding to the next line is performed using the clock pulses CL2U and CL2L.

電源安定化回路は、+5Vと−24Vのような2つの電圧
を受け、駆動電圧発生回路の動作に必要な+5Vと−20V
のような安定化電圧を発生させる。電源安定化回路は、
タイミングコンバータTCON3からの表示制御信号DISP/ON
を受けてその動作が有効にされる。
The power supply stabilization circuit receives two voltages, such as + 5V and -24V, and requires + 5V and -20V for the operation of the drive voltage generation circuit.
A stabilizing voltage as shown in FIG. The power stabilization circuit
Display control signal DISP / ON from timing converter TCON3
In response, the operation is validated.

駆動電圧発生回路は、基本的には上記第6図に示すよ
うな回路から構成される。視角調整用の可変抵抗は、前
記電圧可変手段1を構成するものである。
The drive voltage generation circuit is basically composed of a circuit as shown in FIG. The variable resistor for adjusting the viewing angle constitutes the voltage varying means 1.

この実施例では、上述のようにTFTパネルのドレイン
ドライバーが奇数番目の信号線電極と偶数番目の信号線
電極とに分けられ、しかも駆動電圧の極性が異なるよう
に構成されることに対応し、正及び負の2種類の駆動電
圧を同時に発生させるものである。タイミングコンバー
タTCON3により形成される交流化信号Mは、フレーム毎
にハイレベルとロウレベルに交互に変化する信号であ
り、液晶の交流駆動のための駆動電圧の極性を切り換え
を指示する。駆動電圧発生回路は、上記交流化信号Mを
受け、下側ドライバー用駆動電圧と上側ドライバー駆動
電圧の極性を交互に切り換えるようにする。第6図の基
本的な回路で説明すると、上記交流化信号Mは、スイッ
チSW1とSW2の交互の切り換えを制御するために用いられ
るものである。
In this embodiment, as described above, the drain driver of the TFT panel is divided into odd-numbered signal line electrodes and even-numbered signal line electrodes, and the configuration is such that the polarity of the driving voltage is different, This is to simultaneously generate two types of drive voltages, positive and negative. The alternating signal M formed by the timing converter TCON3 is a signal that alternates between a high level and a low level for each frame, and instructs to switch the polarity of the driving voltage for AC driving of the liquid crystal. The drive voltage generation circuit receives the AC signal M and alternately switches the polarity of the lower driver drive voltage and the upper driver drive voltage. Explaining the basic circuit of FIG. 6, the AC signal M is used to control the alternate switching of the switches SW1 and SW2.

第8図には、ドレインドライバーの要部一実施例のブ
ロック図が示されている。
FIG. 8 is a block diagram showing an embodiment of a main part of the drain driver.

同図のドレインドライバーは、下側のドレインドライ
バーにおける2つの信号線電極Y2、Y4に関連する回路が
例示的に示されている。なお、上側のドレインドライバ
ーも同様な回路から構成され、それに対応した信号線電
極は括弧により参考として表している。
The drain driver in FIG. 3 exemplarily shows a circuit related to the two signal line electrodes Y2 and Y4 in the lower drain driver. Note that the upper drain driver is also formed of a similar circuit, and the corresponding signal line electrodes are shown in parentheses for reference.

8階調表示を行うために、1画素分のデータは3ビッ
トから構成される。それ故、12ビットからなるデータを
転送する信号バスは3ビットづつ分割される。データD0
〜D2は、信号線電極Y2に対応したラッチ回路(2)に取
り込まれる。データD3〜D5は、次の信号線電極Y4に対応
したラッチ回路(2)に取り込まれる。そして、残りの
データD6〜D8とデータD9〜D11は、図外の信号線電極Y6
とY8に対応したラッチ回(2)それぞれ取り込まれる。
これにより、12ビットの単位でシリアルに転送されるカ
ラー画素データは、クロックCL2Lの1サイクルにより4
本分の信号線電極に対応したラッチ回路に取り込まれ
る。
In order to perform eight gradation display, data for one pixel is composed of three bits. Therefore, a signal bus for transferring 12-bit data is divided into three bits. Data D 0
To D 2 is taken into the latch circuit corresponding to the signal line electrode Y2 (2). Data D 3 to D 5 is taken into the latch circuit corresponding to the next signal line electrode Y4 (2). The remaining data D 6 to D 8 and the data D 9 to D 11 is an unillustrated signal line electrodes Y6
And the latch times (2) corresponding to Y8, respectively.
As a result, the color pixel data serially transferred in 12-bit units becomes 4 pixels in one cycle of the clock CL2L.
The signal is taken into the latch circuit corresponding to the signal line electrode.

例えば、TFTパネルの信号線電極がR、G及びBに対
応してそれぞれ640本からなる場合、下側のドレインド
ライバーは320×3本からなる偶数番目の信号線電極の
駆動するから、320×3/4=240(サイクル)により1ラ
イン分のデータを取り込むことになる。なお、上側のド
レインドライバーも320本からなる奇数番目の信号線電
極の駆動するから、320×3/4=240(サイクル)のよう
に上記下側ドライバート同じ時間内に1ライン分のデー
タを取り込む。
For example, if the signal line electrodes of the TFT panel are each composed of 640 lines corresponding to R, G and B, the lower drain driver drives even numbered signal line electrodes composed of 320 × 3 lines. Data for one line is taken in by 3/4 = 240 (cycles). Since the upper drain driver also drives the odd-numbered signal line electrodes composed of 320 lines, data for one line such as 320 × 3/4 = 240 (cycles) is written within the same time as the lower driver. take in.

ラッチ回路(2)に上記1ライン分のカラーデータが
12ビットずつシリアルに入力されると、水平帰線期間に
おいてクロックパルスCL1によりパラレルにラッチ回路
(1)に転送される。上記のパラレル転送が終了する
と、ラッチ回路(2)は、次のラインに対応したカラー
データをシリアルに取り込む。ラッチ回路(1)に取り
込まれたカラーデータは、電圧セレクターに供給され
る。電圧セレクターは、上記3ビットからなるカラーデ
ータをデコードして、8階調に対応した駆動電圧V1ない
しV8の中から1つの駆動電圧に対応した選択信号を形成
する。これにより、カラーデータに対応した階調の駆動
電圧がスイッチを介して信号線電極に伝えられる。TFT
パネルにおいては、ゲートドライバーにより1つの走査
線電極が選択状態にされ、それに対応したTFTトランジ
スタがオン状態になっているので、このオン状態にされ
たTFTトランジスタを介して上記駆動電圧が画素電極に
書き込まれる。
The color data for one line is stored in the latch circuit (2).
When 12 bits are input serially, they are transferred to the latch circuit (1) in parallel by the clock pulse CL1 during the horizontal retrace period. When the above-described parallel transfer is completed, the latch circuit (2) serially captures color data corresponding to the next line. The color data captured by the latch circuit (1) is supplied to a voltage selector. Voltage selector decodes the color data consisting of the three bits, to no driving voltages V 1 corresponding to 8 gray-scale to form a selection signal corresponding to one of the drive voltage from the V 8. As a result, the drive voltage of the gradation corresponding to the color data is transmitted to the signal line electrode via the switch. TFT
In the panel, one scanning line electrode is selected by the gate driver, and the corresponding TFT transistor is turned on. Therefore, the driving voltage is applied to the pixel electrode via the turned on TFT transistor. Written.

上記のようにラッチ回路(1)や(2)及びデコーダ
回路は5Vと0Vにより動作する論理回路により構成され
る。これに対して、駆動電圧V1ないしV8を選択的に伝え
るスイッチをMOSFETにより構成したとき、MOSFETのゲー
ト電圧により上記電圧V1ないしV8をレベル損失なく伝え
る必要がある。このため、電圧セレクターは、必要に応
じて上記のような5V系の論理レベルにより形成されるス
イッチ制御信号を、上記電圧V1ないしV8を伝えるに必要
なMOSFETのゲート電圧レベルに変換するレベル変換機能
が付加される。
As described above, the latch circuits (1) and (2) and the decoder circuit are constituted by logic circuits operating at 5V and 0V. In contrast, when the to no driving voltages V 1 and the switch selectively convey the V 8 is constituted by MOSFET, certain V 8 to the voltages V 1 does not need to tell without level losses by the gate voltage of the MOSFET. Therefore, the voltage selector, level of converting the optionally switch control signals formed by the logic levels of 5V system as described above, the gate voltage level of the MOSFET needed to convey the voltages V 1 to V 8 A conversion function is added.

第9図には、この発明に係る多階調液晶表示装置にお
けるマザーボードの一実施例の回路図が示されている。
マザーボードには、上記タイミングコンバータTCON3を
構成する半導体集積回路装置LSIと、PLL用IC及び安定化
電源用のIC3と及びバイポーラ型トランジスタや抵抗素
子、ダイオード及びキャパシタといったようなディスク
リート部品とオプアンプを構成する複数からなるICが実
装される。
FIG. 9 is a circuit diagram showing one embodiment of a motherboard in a multi-tone liquid crystal display device according to the present invention.
On the motherboard, a semiconductor integrated circuit device LSI that constitutes the timing converter TCON3, an IC 3 for a PLL and an IC 3 for a stabilized power supply, and discrete components such as a bipolar transistor, a resistor, a diode, and a capacitor, and an op amp are formed. A plurality of ICs are mounted.

このマザーボードと、TFTパネルが取り付けられるド
ライバー基板とはフレキシブル配線基板FPCにより接続
される。端子PC、DU及びDLはこれらのフレキシブル配線
基板FPCが接続される端子であり、端子DUは上側のドレ
インドライバーに対応し、DLは下側のドレインドライバ
ーに対応している。
This motherboard and the driver board on which the TFT panel is mounted are connected by a flexible wiring board FPC. The terminals PC, DU, and DL are terminals to which these flexible wiring boards FPC are connected. The terminal DU corresponds to the upper drain driver, and the DL corresponds to the lower drain driver.

駆動電圧発生回路は、上記のようにバイポーラ型トラ
ンジスタや抵抗素子、ダイオード及びキャパシタといっ
たようなディスクリート部品とオプアンプを構成する複
数からなるICから構成される。
The drive voltage generation circuit is composed of discrete components such as a bipolar transistor, a resistor, a diode and a capacitor as described above, and a plurality of ICs constituting an op-amp.

第10図には、上記駆動電圧発生回路の一実施例の回路
図が示されている。同図の回路は、上記第9図の中から
駆動電圧発生回路の部分のみが抜き出されたものに対応
している。
FIG. 10 is a circuit diagram of one embodiment of the drive voltage generation circuit. The circuit shown in FIG. 14 corresponds to a circuit in which only the drive voltage generating circuit is extracted from FIG.

後に詳細に説明する安定化電源回路により形成される
+5V(Vcc)と−20V(VEE)とからなる動作電圧は、前
記第6図に示したハイレベル側の電圧VHとロウレベル側
の電圧VLとに対応している。両電圧間に直列に設けられ
た抵抗R8と抵抗R9は、−7.5Vのような中点電圧VNを形成
する。
The operating voltages of +5 V (Vcc) and -20 V (V EE ) formed by the stabilized power supply circuit described in detail later are the high-level voltage VH and the low-level voltage shown in FIG. VL and corresponding. A resistor R 8 that are disposed in series between the voltage resistance R 9 form a midpoint voltage V N as -7.5V.

中点電圧VNは、ボルテージフォロワ形態にされた演算
増幅回路IC4を介してノードbに伝えられる。演算増幅
回路IC4は、インピーダンス変換作用を行い、ノードb
の中点電圧VNが低出力インピーダンスの電圧源とされ
る。
Midpoint voltage V N is transmitted to the node b via the operational amplifier circuit IC 4, which is the voltage follower configuration. The operational amplifier circuit IC 4 performs an impedance conversion operation and outputs
The midpoint voltage V N is a voltage source of low output impedance.

正の電圧Vccにエミッタが接続されたPNPトランジスタ
T2と、エミッタが負の電圧VEEに接続されたNPNトランジ
スタT3は、前記第6図に示したスイッチSW1とSW2に対応
している。インバータ回路IC20とIC21、PNPトランジス
タT1とそのコレクタ抵抗とは上記トランジスタT2とT3を
交流化信号Mにしたがって相補的にスイッチング動作さ
せる制御信号を形成する。交流化信号Mは、インバータ
回路IC20の入力に供給され、その出力信号がトランジス
タT1のベースに伝えられる。インバータ回路IC20の出力
信号はインバータ回路IC21を介してトランジスタT2のベ
ースに供給される。これにより、トランジスタT1とT2と
は交流化信号Mに対して相補的にオン状態/オフ状態に
される。上記トランジスタT1のコレクタ出力信号は、ト
ランジスタT3のベースに伝えられる。
PNP transistor with emitter connected to positive voltage Vcc
And T2, NPN transistor T3 whose emitter is connected to the negative voltage V EE corresponds to the switches SW1 and SW2 shown in the Figure 6. The inverter circuit IC 20 and IC 21, a PNP transistor T1 and its collector resistance forms a control signal for complementarily switching operation in accordance with the AC signal M of the transistors T2 and T3. The AC signal M is supplied to the input of the inverter circuit IC 20 , and the output signal is transmitted to the base of the transistor T1. The output signal of the inverter circuit IC 20 is supplied to the base of the transistor T2 via the inverter circuit IC 21. As a result, the transistors T1 and T2 are turned on / off complementarily to the AC signal M. The collector output signal of the transistor T1 is transmitted to the base of the transistor T3.

交流化信号Mがハイレベルのときには、インバータ回
路IC20の出力信号がロウレベルとなり、PNPトランジス
タT1をオン状態にする。これにより、そのコレクタに電
流が流れてPNPトランジスタT3をオン状態にする。上記
交流化信号Mのハイレベルに応じてインバータ回路IC20
の出力信号がロウレベルにされるからインバータ回路IC
21の出力信号はハイレベルにされる。これにより、PNP
トランジスタT2はオフ状態となる。上記トランジスタT3
がオン状態にされるときには、トランジスタT3を介して
ノードaには−20Vの負電圧VEEが伝えられる。
When the AC signal M is at the high level, the output signal of the inverter circuit IC 20 goes to the low level, turning on the PNP transistor T1. As a result, a current flows through the collector and the PNP transistor T3 is turned on. The inverter circuit IC 20 according to the high level of the AC signal M
Output signal is made low level, so the inverter circuit IC
The output signal of 21 is made high. This allows PNP
The transistor T2 is turned off. The above transistor T3
There when it is in the ON state, the negative voltage V EE of -20V is transmitted to the node a via the transistor T3.

交流化信号Mがロウレベルのときには、インバータ回
路IC20の出力信号がハイレベルとなり、PNPトランジス
タT1をオフ状態にする。これにより、そのコレクタに電
流が流れないからNPNトランジスタT3をオフ状態にす
る。上記交流化信号Mのロウレベルに応じてインバータ
回路IC20の出力信号がハイレベルにされるからインバー
タ回路IC21の出力信号はロウレベルにされる。これによ
り、PNPトランジスタT2はオン状態となる。上記トラン
ジスタT2がオン状態にされるときには、トランジスタT2
を介してノードaには+5Vの正電圧Vccが伝えられる。
When the AC signal M is at a low level, the output signal of the inverter circuit IC 20 is at a high level, and the PNP transistor T1 is turned off. As a result, since no current flows through the collector, the NPN transistor T3 is turned off. Since the output signal of the inverter circuit IC 20 is set to the high level in accordance with the low level of the AC signal M, the output signal of the inverter circuit IC 21 is set to the low level. As a result, the PNP transistor T2 is turned on. When the transistor T2 is turned on, the transistor T2
, A positive voltage Vcc of +5 V is transmitted to node a.

このようにノードaには、交流化信号Mのハイレベル
とロウレベルに応じて、ノードbの中点電圧VNを基準に
して正電圧Vccと負電圧VEEとが交互に切り換えらて伝え
られる。
Such a node a, in response to high and low levels of the alternating signal M, on the basis of the midpoint voltage V N at the node b and the positive voltage Vcc and negative voltage V EE is conveyed et alternately switched .

この実施例では、特に制限されないが、上記ノードa
とノードbの間に、前記のような基準電圧VOFFと視角θ
に応じて変化させられる視角補正電圧VKを発生させる電
圧発生回路が設けられる。抵抗R13、R14及びR15と感温
素子としてのサーミスタRS1は、上記視角補正電圧VK
発生させる。すなわち、抵抗R14は固定抵抗と可変抵抗
とが直列形態に接続されてなり、上記可変抵抗を調整す
ることにより角度補正電圧VKを変化させる。この抵抗R
14には並列に抵抗R15とサーミスタRS1の直列回路が設け
られる。このサーミスタRS1は、第4図に示した特性図
から理解されるように温度の変化により基準電圧VOFF
変化することの他、直角三角形の斜辺により近似した輝
度の変化の傾き自体も変化する。このため、温度が高く
なるに応じてサーミスタRS1の抵抗値が小さくなるとい
う負特性を利用し、視角補正電圧VKを小さくするもので
ある。抵抗R14と抵抗R15及びサーミスタRS1からなる合
成抵抗値は、上記温度が高くなるに従いサーミスタRS1
の抵抗値が小さくなることに応じて小さくなる。これに
より、これらの合成抵抗値と抵抗R13との抵抗比により
形成される電圧が低下する。この分圧電圧はさらに上記
可変抵抗R14により分圧される。したがって、視角補正
電圧Vkは温度の上昇とともに低下し、上記輝度の傾きを
大きくさせるように作用する。
In this embodiment, although not particularly limited, the node a
Between the reference voltage V OFF and the viewing angle θ
A voltage generating circuit for generating a viewing angle correcting voltage V K which is varied in accordance with are provided. Resistors R 13, R 14 and R 15 and the thermistor R S1 as the temperature sensing element generates the viewing angle correcting voltage V K. That is, the resistance R 14 becomes a fixed resistor and a variable resistor are connected in series, to vary the angle correction voltage V K by adjusting the variable resistor. This resistance R
14 a series circuit of a resistor R 15 and the thermistor R S1 is provided in parallel to the. As can be seen from the characteristic diagram shown in FIG. 4, this thermistor R S1 not only changes the reference voltage V OFF due to a change in temperature, but also changes the gradient itself of the change in luminance approximated by the hypotenuse of a right triangle. I do. Therefore, it is intended to use the negative characteristic that the resistance value of the thermistor R S1 is reduced in response to temperature increases, to decrease the visual angle correction voltage V K. Combined resistance consisting of the resistor R 14 resistor R 15 and the thermistor R S1 is the thermistor R S1 in accordance with the above temperature is higher
Becomes smaller as the resistance value of the becomes smaller. Accordingly, the voltage formed by the resistance ratio of these combined resistance value and the resistance R 13 is lowered. The divided voltage is further divided by the variable resistor R 14. Therefore, viewing angle correction voltage V k decreases with increasing temperature acts to increase the inclination of the luminance.

なお、実際の回路では、視角補正電圧VKは省略でき
る。すなわち、第2階調に対応した駆動電圧V2を視角θ
に応じて変化させても前記第1図を用いて説明したと等
価の動作を行うことができる。そこで、この実施例では
電圧可変手段1としての上記抵抗R13ないしR15とサーミ
スタRS1からなる回路網により直接的に視角補正動作を
行う駆動電圧V2を形成するものである。このような理由
により上記可変抵抗R14の可変電圧端子からは直接的に
第2階調に対応した駆動電圧V2が形成されるものであ
る。この駆動電圧は、ボルテージフォロワ形態にされた
演算増幅回路IC2によりインピーダンス変換されて出力
される。
Incidentally, in an actual circuit, the viewing angle compensation voltage V K can be omitted. That is, the driving voltage V 2 corresponding to the second gradation is changed to the viewing angle θ.
The operation equivalent to that described with reference to FIG. Therefore, in this embodiment it is intended to form a drive voltage V 2 to perform direct viewing angle correcting operation by circuitry to not the resistor R 13 as the voltage varying means 1 consisting of R 15 and the thermistor R S1. For this reason in which the driving voltage V 2 corresponding to the direct second gradation from the variable voltage terminal of the variable resistor R 14 is formed. The drive voltage is output is impedance conversion by the operational amplifier circuit IC 2 which is a voltage follower configuration.

抵抗R16、R17及びR18とサーミスタRS2は、上記基準電
圧VOFFを発生させる。すなわち、抵抗R17は固定抵抗と
調整抵抗とが直列形態に接続されてなり、液晶表示装置
の組立工程や検査工程において、調整抵抗を調整するこ
とによりTFTパネルや上記抵抗素子等のバラツキを補正
するように基準電圧VOFFを設定する。この調整用の抵抗
R17には並列に抵抗R18とサーミスタRS2の直列回路が設
けられる。このサーミスタRS2は、第4図に示した特性
図から明らかなように液晶の持つ温度依存性に対応して
基準電圧VOFFを自動的に補正するものである。すなわ
ち、温度が高くなるに応じてサーミスタRS2の抵抗値が
小さくなるという負特性を利用し、基準電圧VOFFを小さ
くするものである。抵抗R17と抵抗R18及びサーミスタR
S2からなる合成抵抗値は、上記温度が高くなるに従いサ
ーミスタRS2の抵抗値が小さくなることに応じて小さく
なる。これにより、これらの合成抵抗値と抵抗R16との
抵抗比により形成される電圧が低下する。この分圧電圧
はさらに上記調整抵抗R17により分圧される。したがっ
て、基準電圧VOFFは温度の上昇とともに低下し、第4図
に示したような温度補償を自動的に行うものとなる。こ
の基準電圧VOFFはボルテージフォロワ形態にされた演算
増幅回路IC3によりインピーダンス変換されて出力され
る。
Resistors R 16, R 17 and R 18 and the thermistor R S2 generates the reference voltage V OFF. That is, the resistance R 17 becomes a fixed resistance and the adjustment resistor is connected in series, in the assembly process and the inspection process of the liquid crystal display device, correcting variation such as a TFT panel and the resistive element by adjusting the adjustment resistor To set the reference voltage V OFF . This adjustment resistor
The R 17 series circuit of a resistor R 18 and the thermistor R S2 are provided in parallel. The thermistor R S2 automatically corrects the reference voltage V OFF according to the temperature dependency of the liquid crystal, as is clear from the characteristic diagram shown in FIG. That is, the reference voltage V OFF is reduced by using the negative characteristic that the resistance value of the thermistor R S2 decreases as the temperature increases. Resistor R 17 and resistor R 18 and thermistor R
Combined resistance consisting of S2 is smaller in response to the resistance value of the thermistor R S2 in accordance with the temperature rises is reduced. Accordingly, the voltage formed by the resistance ratio of these combined resistance value and the resistance R 16 is lowered. The divided voltage is further divided by the adjusting resistor R 17. Therefore, the reference voltage V OFF decreases as the temperature rises, and the temperature compensation as shown in FIG. 4 is automatically performed. The reference voltage V OFF is output is impedance conversion by the operational amplifier circuit IC 3 which is in the voltage follower configuration.

視角補正電圧VKは上述のように駆動電圧V2に置き換え
ることができる。しかし、上記の基準電圧VOFFは、上記
前記第1図を用いて説明したように視角θの変化に対応
して構成されるところの2つ以上の直角三角形の基準と
なる電圧であるから中間階調の液晶駆動電圧を形成する
直列抵抗回路に現として存在しなければならない電圧で
あることに注意する必要がある。
Viewing angle compensation voltage V K can be replaced by a drive voltage V 2 as described above. However, as described above with reference to FIG. 1, the reference voltage V OFF is a reference voltage of two or more right triangles that are configured in response to a change in the viewing angle θ. It should be noted that this is the voltage that must actually be present in the series resistor circuit that forms the gray scale liquid crystal drive voltage.

上記演算増幅回路IC2とIC3の出力端子間には中間階調
電圧V3からV7を形成する直列抵抗R1ないしR6′が設け
られる。上記抵抗R1ないしR5は、第2図に示した抵抗R1
ないしR5に対応した互いに等しい抵抗値を持つ抵抗素子
とされる。これに対して、抵抗R6′は、第1図に示し
た抵抗R6とR7との合成抵抗値を持つようにされる。
Between the output terminal of the operational amplifier IC 2 and the IC 3 to no series resistor R 1 form a V 7 from the intermediate gray scale voltage V 3 is R 6 'is provided. It not the resistor R 1 R 5, the resistance R 1 shown in FIG. 2
To be a resistive element having mutually equal resistance values corresponding to R 5. In contrast, the resistance R 6 'is to have a combined resistance value of the resistor R 6 and R 7 shown in Figure 1.

上記演算増幅回路IC2の出力端子及び上記直列抵抗R1
ないしR6の相互接続点から出力される中間階調電圧V2
いしV7は、ボルテージフォロワ形態にされた演算増幅回
路IC10ないしIC5を介して、上側のドレインドライバー
に対応した液晶駆動電圧V2UないしV7Uとして出力され
る。
The output terminal of the operational amplifier circuit IC 2 and the series resistor R 1
To the intermediate gray scale voltage V 2 to V 7 are outputted from the interconnection point of the R 6 through the IC 5 to no operational amplifier circuit IC 10 is in a voltage follower configuration, the liquid crystal drive voltage corresponding to the upper drain driver It is no V 2U is output as V 7U.

また、上記演算増幅回路IC2の出力端子及び上記直列
抵抗R1ないしR6の相互接続点から出力される中間階調電
圧V2ないしV7は、電圧利得が1にされた反転増幅回路IC
17ないしIC12を介して、下側のドレインドライバーに対
応した液晶駆動電圧V2LないしV7Lとして出力される。上
記反転増幅回路増幅回路IC17ないしIC12は、演算増幅回
路からなり、反転入力(−)に設けられる入力抵抗と、
反転入力(−)と出力端子の間に設けられる帰還抵抗及
び非反転入力(+)に上記中点電圧VNを供給する抵抗が
設けられることにより、それぞれの出力端子から入力さ
れる各中間階調電圧V2ないしV7に対してそれぞれ極性が
反転させられた液晶駆動電圧V2LないしV7Lを出力させる
ものである。
Further, the operational amplifier halftone voltage V 2 to V 7 to the output terminal of the IC 2 and without the series resistor R 1 is outputted from the interconnection point of the R 6 are inverting amplifier circuit IC with voltage gain is 1
17 through to IC 12, is outputted as V 7L to no liquid crystal drive voltage V 2L corresponding to the drain driver lower. The inverting amplifier circuit amplifying circuit IC 17 to IC 12 is made operational amplifier, an inverting input - an input resistor provided in, ()
Inverting input (-) and by resistance supplying the midpoint voltage V N is provided to the feedback resistor and the non-inverting input (+) is arranged between the output terminal, each intermediate floor inputted from the respective output terminals it is intended to output a V 7L to no liquid crystal drive voltage V 2L polarity is inverted respectively adjusting the voltage V 2 to V 7.

液晶の透過率100%(白レベル)に対応した駆動電圧V8
は、中点電圧VNが利用される。すなわち、演算増幅回路
IC4を通して得られるノードbの電圧がそのまま液晶駆
動電圧V8として上側及び下側のドレインドライバーに共
通に供給される。
100% transmittance of the liquid crystal drive voltage V 8 corresponding to the (white level)
Is, the midpoint voltage V N is used. That is, the operational amplifier circuit
The voltage of the node b obtained through IC 4 is supplied in common to the drain driver of the upper and lower liquid crystal drive voltage V 8 as it is.

液晶の透過率0%(黒レベル)に対応した駆動電圧V1
は、ノードaの+5V又は−20Vに切り換えられる電圧が
ツェナーダイオードZD1とZD2及びダイオードD1とD2から
なる双方向性のレベルシフト回路によりレベルシフトさ
れて形成される。すなわち、ノードaの電圧が+5Vのよ
うな正の電圧であるときには、ツェナーダイオードZD2
ダイオードD2がオン状態となり、そのツェナー電圧とダ
イオード順方向電圧によりレベルシフト量を決定する。
ノードaの電圧が−20Vのような負の電圧であるときに
は、ツェナーダイオードZD1ダイオードD1がオン状態と
なり、そのツェナー電圧とダイオード順方向電圧により
レベルシフト量を決定する。このレベルシフト回路に直
列に設けられた抵抗R12は上記レベルシフト回路の動作
電流を流すものである。
Drive voltage V 1 corresponding to liquid crystal transmittance of 0% (black level)
, The voltage is switched to + 5V or -20V of the node a is formed is level-shifted by the bidirectional level shift circuit consisting of a Zener diode ZD 1 and ZD 2 and the diode D 1 and D 2. That is, when the voltage of the node a is a positive voltage such as +5 V, the Zener diode ZD 2
Diode D 2 is turned on to determine the level shift amount by the Zener voltage and the diode forward voltage.
When the voltage of the node a is a negative voltage such as -20V is zener diode ZD 1 diode D 1 is turned on, to determine the level shift amount by the Zener voltage and the diode forward voltage. Resistor R 12 which is provided in series with the level shift circuit is intended to flow the operating current of the level shift circuit.

上記レベルシフト回路によりレベルシフトされたノー
ドcの電圧は、上記同様にボルテージフォーワ形態の演
算増幅回路IC11を介して上側のドレインドライバーに供
給される液晶駆動電圧V1Uとして出力され、反転増幅回
路IC18を介して下側のドレインドライバーに供給される
液晶駆動電圧V1Lとして出力される。
The voltage at the node c, which has been level-shifted by the level shift circuit, is output as the liquid crystal drive voltage V 1U supplied to the upper drain driver via the operational amplifier circuit IC 11 in the same manner as described above. It is output as the liquid crystal drive voltage V 1L supplied to the lower drain driver via the circuit IC 18 .

上記レベルシフト回路は、次のような理由により設け
られる。第7図に示したゲートドライバーは、上記正の
電圧Vccと負の電圧VEEとを受けて選択レベルが+5とさ
れ、非選択レベルが−20Vとされるような出力信号を形
成する。すなわち、TFTトランジスタのゲートには上記
のような+5V又は−20Vが印加されることになる。上記
のようなレベルシフト回路を設けることにより、TFTド
レイン(又はソース)が結合される信号線電極に与えら
れる最大電圧+V1と最小電圧−V1は、上記のようなレベ
ルシフト回路により設定されたレベルシフト量により中
点電圧VNを基準にして正負対称的に決められる。
The level shift circuit is provided for the following reason. A gate driver shown in FIG. 7, the above positive voltage Vcc and negative selection receives the voltage V EE level is +5, the non-select level to form the output signal as a -20 V. That is, + 5V or -20V as described above is applied to the gate of the TFT transistor. By providing a level shift circuit as described above, the maximum voltage + V 1 and a minimum voltage -V 1 to TFT drain (or source) is applied to the signal line electrode coupled is set by the level shift circuit as described above by the level shift amount based on the midpoint voltage V N is determined in the positive and negative symmetrically.

このレベルシフト量をTFTトランジスタの持つしきい
値電圧より大きく設定することにより、TFTトランジス
タがオン状態になったときに信号線電極の駆動電圧がレ
ベル損失なく選択された画素電極に伝えるようにするこ
とができる。
By setting the level shift amount larger than the threshold voltage of the TFT transistor, the drive voltage of the signal line electrode is transmitted to the selected pixel electrode without level loss when the TFT transistor is turned on. be able to.

抵抗R10とR11及び調整抵抗からなる直列回路は、ボル
テージフォロワ形態にされた演算増幅回路IC1に入力さ
れる。この演算増幅回路IC1は、液晶パネルの共通電極
に供給するコモン電圧Vcomを形成する。すなわち、TFT
トランジスタを介して設けられる画素電極は、上記共通
電極と等価的にキャパシタを構成し、TFTがオン状態の
ときに伝えられた駆動電圧が上記共通電極側のコモン電
comを基準にして加えられ、TFTがオフ状態にされると
その駆動電圧を保持するものとなる。なお、この演算増
幅回路IC1や前記演算増幅回路IC4のように他の演算増幅
回路も全てVccとVEEとを受けて動作するものである。こ
のような動作電圧を用いることにより、中点電圧VNを基
準にして正と負に切り換えられる液晶駆動電圧V1U〜V7U
及びV1L〜V7Lを形成することができる。
Resistor R 10 and R 11 and a series circuit consisting adjustment resistor is input to the operational amplifier circuit IC 1 which is a voltage follower configuration. The operational amplifier circuit IC 1 'forms a common voltage V com supplied to the common electrode of the liquid crystal panel. That is, TFT
A pixel electrode provided via a transistor constitutes a capacitor equivalent to the common electrode, and a driving voltage transmitted when the TFT is in an ON state is applied with reference to the common voltage com on the common electrode side, When the TFT is turned off, the driving voltage is maintained. Incidentally, and it operates by receiving and also all other operational amplifier Vcc and V EE as the operational amplifier circuit IC 1 and the operational amplifier circuit IC 4. By using such an operation voltage, the liquid crystal driving voltage V 1U ~V 7U being switched positive and negative with respect to the mid-point voltage V N
And V 1L to V 7L can be formed.

第11図には、上記駆動電圧発生回路の他の一実施例の
回路図が示されている。
FIG. 11 is a circuit diagram of another embodiment of the drive voltage generation circuit.

この実施例では、上側のドレインドライバー用と下側
のドレインドライバーにそれぞれ対応して分圧抵抗回路
R1〜R5とR1′〜R5′とが設けられる。そして、上側
のドレインドライバーに供給される駆動電圧V1U〜V7U
下側のドレインドライバーに供給される駆動電圧V1L〜V
7Lの極性を第10図の実施例と同様に逆に設定するため、
下側のドレインドライバーに供給される駆動電圧を形成
する分圧抵抗回路R1′〜R5′には、逆極性の電圧が
与えられる。すなわち、反転増幅回路として動作する演
算増幅回路IC2′は、上記ノードbの電位を基準にして
抵抗R13、R14及びR15と感温素子としてのサーミスタRS1
からなる前記視角補正電圧発生回路により形成された補
正電圧VK(実際には前述のように第2階調に対応した駆
動電圧V2U)の極性を反転させた電圧を形成し、分圧抵
抗R1′側に供給する。これにより、演算増幅回路IC2
とIC2′は互いに逆極性の視角補正電圧を出力する。ま
た、反転増幅回路として動作する演算増幅回路IC
3′は、上記ノードbの電位を基準にして抵抗R16、R17
及びR18と感温素子としてのサーミスタRS2からなる前記
基準電圧発生回路により形成された基準電圧VOFFの極性
を反転させた電圧を形成し、分圧抵抗R5′側に供給す
る。これにより、演算増幅回路IC3とIC3′は互いに逆
極性の基準電圧を出力する。したがって、分圧抵抗回路
R1〜R5とR1′〜R5′のそれぞれの相互接続点からは
互いに逆極性にされた駆動電圧V1U〜V7UとV1L〜V7Lを形
成することができる。それ故、この実施例では、上側の
ドレインドライバーに対応した演算増幅回路IC5〜IC10
と同様に下側のドレインドライバーに対応した演算増幅
回路IC12〜IC17もボルテージフォロワ形態にされる。た
だし、駆動電圧V1Lは、分圧抵抗回路ではなく、前記の
ようにレベルシフト回路により形成されるものであるた
め、反転増幅回路として動作する演算増幅回路回路IC18
により形成される。
In this embodiment, a voltage dividing resistor circuit corresponds to the upper drain driver and the lower drain driver, respectively.
R 1 to R 5 and R 1 ′ to R 5 ′ are provided. The driving voltages V 1U to V 7U supplied to the upper drain driver and the driving voltages V 1L to V 7V supplied to the lower drain driver
In order to reverse the polarity of 7L as in the embodiment of FIG. 10,
Voltages of opposite polarities are applied to the voltage dividing resistance circuits R 1 ′ to R 5 ′ that form the driving voltage supplied to the lower drain driver. That is, the operational amplifier circuit IC 2 ′ operating as an inverting amplifier circuit includes the resistors R 13 , R 14 and R 15 and the thermistor R S1 as a temperature sensing element based on the potential of the node b.
A voltage obtained by inverting the polarity of the correction voltage V K (actually, as described above, the driving voltage V 2U corresponding to the second gradation) formed by the viewing angle correction voltage generating circuit, Supply to R 1 ' side. Thereby, the operational amplifier circuit IC 2
And IC 2 ' output viewing angle correction voltages having polarities opposite to each other. An operational amplifier circuit IC that operates as an inverting amplifier circuit
3 ', resistor R 16 with respect to the potential of the node b, R 17
And forming the reference voltage voltage obtained by inverting the polarity of the reference voltage V OFF formed by generating circuit consisting of a thermistor R S2 as R 18 and the temperature-sensitive element, and supplies the voltage dividing resistors R 5 'side. Thus, the operational amplifier IC 3 and IC 3 'outputs a reference voltage of opposite polarities. Therefore, the voltage dividing resistor circuit
Driving voltages V 1U to V 7U and V 1L to V 7L having opposite polarities can be formed from respective interconnection points of R 1 to R 5 and R 1 ′ to R 5 ′ . Therefore, in this embodiment, the operational amplifier circuit IC 5 ~IC 10 corresponding to the upper side of the drain driver
The operational amplifier circuit IC 12 ~IC 17 corresponding to the drain driver lower in the same manner as is also the voltage follower configuration. However, since the drive voltage V 1L is formed not by the voltage dividing resistor circuit but by the level shift circuit as described above, the operational amplifier circuit IC 18 that operates as an inverting amplifier circuit is used.
Formed by

この構成においては、下側のドレインドライバーに対
応した駆動電圧V2L〜V7Lを形成するために演算増幅回路
を抵抗素子が不必要なボルテージフォロワ形態にできる
から、分圧抵抗回路R1′〜R5′が新たに必要になる
ことを考慮しても、駆動電圧発生回路を構成する全体と
しての素子数を低減できるものとなる。
In this configuration, because it to an operational amplifier circuit resistance element unnecessary voltage follower configuration to form a driving voltage V 2L ~V 7L corresponding to the drain driver lower, resistor divider R 1 '~ Even if the necessity of R5 ' is newly taken into consideration, the number of elements constituting the drive voltage generation circuit as a whole can be reduced.

上記の構成以外の残りの回路部分については、第10図
に示した実施例回路と同様であるので、その説明を省略
するものである。
The remaining circuit portions other than the above-described configuration are the same as those of the embodiment circuit shown in FIG. 10, and the description thereof will be omitted.

第12図には、上記TFTパネルの動作の一例を説明する
ための駆動波形図が示されている。上側には上側ドレイ
ンドライバーに対応した波形が示され、下側には下側ド
レインドライバーに対応した波形が示されている。
FIG. 12 shows a drive waveform diagram for explaining an example of the operation of the TFT panel. The upper side shows a waveform corresponding to the upper drain driver, and the lower side shows a waveform corresponding to the lower drain driver.

ゲートドライバーにより出力されるゲート駆動波形
は、VEE=−20Vの低電圧が非選択レベルとされ、Vcc=
+5Vの高電圧が選択レベルとされる。
The gate driving waveform output by the gate driver is such that a low voltage of V EE = −20 V is set to a non-selection level, and Vcc =
A high voltage of + 5V is set as the selection level.

上記高電圧Vccと低電圧VEEとの中点電圧VN(−7.5V)
を中心電位として、液晶を交流駆動する正の電圧V1〜V7
と負の電圧V1〜V7が形成される。駆動電圧V8は中点電圧
VNと等しく設定される。同図においては、多階調表示の
ための中間電圧は、V2とV7とが例示的に示されており、
両電圧V2とV7間が等分されて残りの中間電圧電圧V3〜V6
が形成される。このような中間階調電圧V2とV7に対して
黒レベルに対応した電圧V1と白レベルに対応した電圧V8
とは比較的大きなマージンを持って設定されるのもであ
る。
Midpoint voltage between the high voltage Vcc and the low voltage V EE V N (-7.5V)
Is the center potential, and the positive voltages V 1 to V 7 for AC driving the liquid crystal
Negative voltage V 1 ~V 7 is formed with. The drive voltage V 8 is the midpoint voltage
Set equal to V N. In the figure, an intermediate voltage for the multi-gradation display, and V 2 and V 7 are illustratively shown,
During both the voltages V 2 and V 7 is equal remaining intermediate voltage voltage V 3 ~V 6
Is formed. Voltage V 8 corresponding to the voltage V 1 and the white level corresponding to the black level for such halftone voltage V 2 and V 7
Is also set with a relatively large margin.

上側ドライバーの出力電圧の極性と下側ドライバーの
出力電圧の極性とは同図のように逆極性とされる。例え
ば、同図に示すように最初のフレームでは上側ドライバ
ーからは負極性の駆動電圧が出力され、下側ドライバー
からは正極性の駆動電圧が出力される。次のフレームで
は上側ドライバーからは正極性の駆動電圧が出力され、
下側ドライバーからは負極性の駆動電圧が出力される。
このような極性の切り換えは、同図では省略されいてい
るが、前記の交流化信号Mのハイレベルとロウレベルに
より行われる。
The polarity of the output voltage of the upper driver is opposite to the polarity of the output voltage of the lower driver as shown in FIG. For example, as shown in the figure, in the first frame, a negative driving voltage is output from the upper driver, and a positive driving voltage is output from the lower driver. In the next frame, the upper driver outputs a positive drive voltage,
A lower driving voltage is output from the lower driver.
Although not shown in the figure, such polarity switching is performed by the high level and the low level of the AC signal M.

第13図には、電源安定化回路の一実施例の回路図が示
されている。同図の回路は、第9図に示されたマザーボ
ードの回路図の中から電源安定化回路の部分を抜き出し
たものである。
FIG. 13 is a circuit diagram of an embodiment of the power supply stabilizing circuit. The circuit shown in FIG. 9 is obtained by extracting a power supply stabilizing circuit from the circuit diagram of the motherboard shown in FIG.

制御信号DISP ONは、タイミングコンバータTCON3によ
り発生され、液晶の表示動作の開始を指示する信号であ
る。すなわち、電源投入直後においてタイミングコンバ
ータTCON3が正常に動作を開始する前に、液晶駆動電圧
発生回路に不安定な電圧を供給すると、無意味な駆動電
圧が液晶に加えられることによって目障りな表示を行っ
てしまうことを防止するものである。
The control signal DISPON is a signal generated by the timing converter TCON3 and instructing the start of a liquid crystal display operation. That is, if an unstable voltage is supplied to the liquid crystal drive voltage generation circuit immediately after the power is turned on and before the timing converter TCON3 starts operating normally, an unsightly drive voltage is applied to the liquid crystal, causing an unsightly display. It is to prevent that.

すなわち、制御信号DISP ONがロウレベルのときに
は、インバータ回路IC22の出力信号がハイレベルとな
り、PNPトランジスタT4をオフ状態にする。これによ
り、−24Vのような負の高電圧を伝えるダーリン接続さ
れたPNPトランジスタT6とT7をオフ状態にする。これに
より、PNPトランジスタT5がオン状態となり、トランジ
スタT7及びT6をオフ状態にする。これらのトランジスタ
T7とT6のオフ状態により、安定化電源用IC3に動作電圧
が供給されないから−20Vのような安定化電圧が出力さ
れない。
That is, when the control signal DISP ON is low, the output signal of the inverter circuit IC 22 becomes high level, to turn off the PNP transistor T4. This turns off the Darling-connected PNP transistors T6 and T7 that transmit a negative high voltage such as -24V. As a result, the PNP transistor T5 is turned on, and the transistors T7 and T6 are turned off. These transistors
Since the operating voltage is not supplied to the stabilized power supply IC 3 due to the OFF state of T7 and T6, a stabilized voltage such as -20 V is not output.

制御信号DISP ONがハイレベルのときには、インバー
タ回路IC22の出力信号がロウレベルとなり、PNPトラン
ジスタT4をオン状態にする。これにより、トランジスタ
T4のコレクタ電位がVccに近いハイレベルとなり、トラ
ンジスタT5をオフ状態にする。したがって、−24Vのよ
うな負の高電圧を伝えるダーリン接続されたPNPトラン
ジスタT7のベースには−24Vが供給されて、これらのト
ランジスタT7及びT6をオン状態にする。これらのトラン
ジスタT7とT6のオン状態により、安定化電源用IC3に低
電位側の動作電圧が供給され、−20Vのような安定化電
圧VEEが形成される。
When the control signal DISP ON is at the high level, the output signal of the inverter circuit IC 22 becomes low level, the PNP transistor T4 ON state. This allows the transistor
The collector potential of T4 becomes high level close to Vcc, turning off the transistor T5. Therefore, -24V is supplied to the base of the Darling-connected PNP transistor T7 that transmits a negative high voltage such as -24V, and turns on these transistors T7 and T6. The ON state of the transistors T7 and T6, the operating voltage of the low potential side is supplied to the stabilized power supply IC3, regulated voltage V EE as -20V is formed.

なお、この実施例の電源安定化回路では、+5Vのよう
な正の電圧Vccが供給される前に−24Vのような負電圧が
供給されると、接地電圧がダイオードD4を通してトラン
ジスタT5のエミッタに供給されるから、このトランジス
タT5がオン状態となり、上記トランジスタT7及びT6をオ
フ状態にするものである。これにより、上記−24Vのよ
うな負電圧が先に電源安定化用のIC3に供給されるのを
防止している。
Incidentally, the power supply stabilizing circuit of this embodiment, a negative voltage such as -24V is supplied before the positive voltage Vcc, such as + 5V is supplied, an emitter of the transistor T5 ground voltage through the diode D 4 The transistor T5 is turned on, and the transistors T7 and T6 are turned off. This prevents a negative voltage such as −24 V from being supplied to the power stabilizing IC 3 first.

第14図には、この発明に係る多階調液晶表示装置の一
実施例の背面実装図が示されている。
FIG. 14 is a rear mounting view of one embodiment of the multi-tone liquid crystal display device according to the present invention.

同図は、多階調液晶表示装置を裏面図が示されてい
る。特に制限されないが、図示しないTFTパネルの上下
及び左側面に対応して逆コの字状にされたドライバー基
板には、タブ(TAB)が設けられ、上下のタブにはドレ
インドライバーを構成する半導体集積回路装置が実装さ
れ、同図の左側のタブにはゲートドライバーを構成する
半導体集積回路が実装される。
The figure shows a back view of the multi-tone liquid crystal display device. Although not particularly limited, a tab (TAB) is provided on the driver substrate which is formed in an inverted U shape corresponding to the upper and lower sides and the left side of the TFT panel (not shown), and the upper and lower tabs are semiconductors constituting a drain driver. An integrated circuit device is mounted, and a semiconductor integrated circuit constituting a gate driver is mounted on a left tab in FIG.

上記のタブはそれに実装されたドレインドライバーや
ゲートドライバーといった半導体集積回路装置の出力端
子をTFTパネルの対応する信号線電極及び走査線電極に
それぞれ接続される配線パターンが設けられる。これよ
り、上記のようなタブ及び半導体集積回路装置が実装さ
れたドライバー基板とTFTパネルとは略同一平面を構成
するように薄型に組立られる。
The tab is provided with a wiring pattern for connecting an output terminal of a semiconductor integrated circuit device such as a drain driver or a gate driver mounted on the tab to a corresponding signal line electrode and scanning line electrode of a TFT panel. Thus, the driver substrate on which the tab and the semiconductor integrated circuit device as described above are mounted and the TFT panel are assembled thin so as to form substantially the same plane.

従来の単階調を基本とする液晶表示装置では、駆動電
圧が白と黒の2値電圧で済むこと等によりマザーボード
が比較的小さくできる。これにより、従来の単階調を基
本とする液晶表示装置においては、上記ドライバー基板
と同様にTFTパネルと略同一平面を形ち作るよう配置さ
れるものである。
In a conventional liquid crystal display device based on a single tone, the motherboard can be made relatively small because the drive voltage can be a binary voltage of white and black. As a result, in the conventional liquid crystal display device based on a single gray scale, it is arranged so as to form a substantially same plane as the TFT panel similarly to the driver substrate.

しかしながら、この実施例のような多階調の液晶表示
装置では、多階調に応じた多数の駆動電圧等を発生させ
るために、第9図に示すように多数の半導体集積回路装
置やディスクリート部品を実装する。このため、これら
の電子部品が実装されるマザーボードは従来に比べて大
型化することは必須となる。このような大型のマザーボ
ードを上記ドライバー基板のようにTFTパネルと略同一
平面上に置くようにしたのでは、液晶表示装置の全体の
構成が、表示画面を中心にしてその枠となる部分が大き
くなるとともに左右若しくは上下が非対称となってしま
うという問題が生じる。
However, in a multi-gradation liquid crystal display device such as this embodiment, a large number of semiconductor integrated circuit devices and discrete components as shown in FIG. Implement For this reason, it is essential that the motherboard on which these electronic components are mounted be made larger than in the past. By arranging such a large motherboard on the substantially same plane as the TFT panel like the above driver board, the entire configuration of the liquid crystal display device has a large frame portion around the display screen. In addition, there arises a problem that left and right or up and down become asymmetric.

このため、この実施例では上記マザーボードとドライ
バー基板との間をフレキシブル配線基板FPCにより接続
し、マザーボードをTFTパネルの裏面側に置くようにす
るものである。すなわち、上記TFTパネルとマザーボー
ドとはバックライト板を挟むように重合わされて構成さ
れる。
For this reason, in this embodiment, the motherboard and the driver board are connected by the flexible wiring board FPC, and the motherboard is placed on the back side of the TFT panel. That is, the TFT panel and the motherboard are configured to be overlapped so as to sandwich the backlight plate.

第15図には、この発明に係る多階調液晶表示装置の他
の一実施例の正面図が示されている。同図においては、
その構造の理解を容易にするためフレキシブル配線部分
が展開して描かれている。この実施例においても、TFT
(LCD)パネルの上下及び左側面に対応して左右逆コの
字状にされたドライバー基板には、タブ(TAB)が設け
られ、上下のタブにはドレインドライバーを構成する半
導体集積回路装置が実装され、同図の左側のタブにはゲ
ートドライバーを構成する半導体集積回路装置が実装さ
れる。上記のタブはそれに実装されたドレインドライバ
ーやゲートドライバーといった半導体集積回路装置の出
力端子をTFTパネルの対応する信号線電極及び走査線電
極にそれぞれ接続される配線パターンが設けられる。こ
れより、上記のようなタブ及び半導体集積回路装置が実
装されたドライバー基板とTFTパネルとは略同一平面を
構成するように薄型に組立られる。また、上記ドライバ
ー基板と背面側に配置されるマザーボードとを接続する
フレキシブル配線FPCは、ドライバー基板の右側に上下
2つ設けられる。
FIG. 15 is a front view of another embodiment of the multi-tone liquid crystal display device according to the present invention. In the figure,
In order to facilitate understanding of the structure, a flexible wiring portion is drawn out. In this embodiment, the TFT
A tab (TAB) is provided on the driver substrate, which is formed in an inverted U-shape corresponding to the upper and lower sides of the (LCD) panel, and a semiconductor integrated circuit device constituting a drain driver is provided on the upper and lower tabs. The semiconductor integrated circuit device constituting the gate driver is mounted on the left tab in FIG. The tab is provided with a wiring pattern for connecting an output terminal of a semiconductor integrated circuit device such as a drain driver or a gate driver mounted on the tab to a corresponding signal line electrode and scanning line electrode of a TFT panel. Thus, the driver substrate on which the tab and the semiconductor integrated circuit device as described above are mounted and the TFT panel are assembled thin so as to form substantially the same plane. Further, two flexible wiring FPCs are provided on the right side of the driver board, for connecting the driver board to the motherboard arranged on the rear side.

第16図には、この発明に係る多階調液晶表示装置の他
の一実施例の側面図が示されている。同図の側面図は、
第15図に示した正面図に対応している。この実施例のよ
うにバックライトを挟んで正面側にはTFTパネル及びド
ライバー基板が、背面側にはマザーボードが設けられ
る。そして、両者はフレキシブル配線FPCにより接続さ
れる。この場合、マザーボードとフレキシブル配線FPC
とはコネクタにより接続される。このようなバックライ
トを挟むようにしたサンドイッチ構成は、第14図に示し
た多階調液晶表示装置においても同様である。すなわ
ち、第14図の実施例ではフレキシブル配線FPCの取付方
法が若干異なるだけである。
FIG. 16 is a side view of another embodiment of the multi-tone liquid crystal display device according to the present invention. The side view of FIG.
This corresponds to the front view shown in FIG. As in this embodiment, a TFT panel and a driver board are provided on the front side with the backlight therebetween, and a motherboard is provided on the back side. Then, both are connected by a flexible wiring FPC. In this case, the motherboard and the flexible wiring FPC
And are connected by a connector. Such a sandwich structure sandwiching the backlight is the same in the multi-tone liquid crystal display device shown in FIG. That is, in the embodiment of FIG. 14, the method of attaching the flexible wiring FPC is only slightly different.

第17図には、この発明に係る多階調液晶表示装置の他
の一実施例の背面図が示されている。同図の背面図は、
第15図に示した正面図に対応している。この実施例にお
いても、同図に示すようにマザーボードは、TFTパネル
及びドライバー基板に対して完全に重ね合うように設け
られる。すなわち、ドライバーボードとマザーボードと
は図示しないバックライトを挟むようにして重ね合わさ
れるようにされる。したがって、マザーボードは、上記
のような多階調駆動用の電圧発生回路を実装させるため
にそのサイズが大型化されても正面側からみた液晶表示
装置の全体の大きさの増大を防ぐことができる。
FIG. 17 is a rear view of another embodiment of the multi-gradation liquid crystal display device according to the present invention. The rear view of the figure is
This corresponds to the front view shown in FIG. Also in this embodiment, as shown in the figure, the motherboard is provided so as to completely overlap the TFT panel and the driver board. That is, the driver board and the motherboard are overlapped so as to sandwich a backlight (not shown). Therefore, even if the size of the motherboard is increased in order to mount the voltage generation circuit for multi-gradation driving as described above, it is possible to prevent an increase in the overall size of the liquid crystal display device as viewed from the front side. .

次に、この発明に係る多階調液晶表示装置に用いられ
るTFTパネル(LCDパネル)について詳細に説明する。
Next, a TFT panel (LCD panel) used in the multi-tone liquid crystal display device according to the present invention will be described in detail.

第18A図には、発明が適用されるアクティブ・マトリ
ックス方式カラー液晶表示装置の1画素とその周辺部の
一実施例の平面図が示されている。第18B図には、第18A
図のII B−II B切断線における一実施例の断面と表示パ
ネルのシール部分付近の断面図が示されている。第18C
図には、第18A図のII C−II C切断線における一実施例
の断面図が示されている。また、第19図(要部平面図)
には、第18A図に示す画素を複数配置したときの一実施
例の平面図が示されている。
FIG. 18A is a plan view showing an embodiment of one pixel and its peripheral portion of an active matrix type color liquid crystal display device to which the present invention is applied. FIG.
FIG. 2 shows a cross section of the embodiment along a section line IIB-IIB in the drawing and a cross sectional view near a seal portion of the display panel. 18th C
The figure shows a cross-sectional view of one embodiment taken along section line IIC-IIC in FIG. 18A. Fig. 19 (Plan view of main part)
Shows a plan view of one embodiment when a plurality of pixels shown in FIG. 18A are arranged.

(画素配置) 第18A図に示すように、各画素は隣接する2本の操作
信号線(ゲート信号線又は水平信号線)GLと、隣接する
2本の映像信号線(ドレイン信号線又は垂直信号線)DL
との交差領域内(4本の信号線で囲まれた領域内)に配
置されいてる。各画素は薄膜トランジスタTFT、画素電
極ITO1及び付加容量Caddを含む。走査信号線GLは、列方
向に延在し、行方向に複数本配置されている。映像信号
線DLは、行方向に延在し、列方向に複数本配置されてい
る。
(Pixel Arrangement) As shown in FIG. 18A, each pixel has two adjacent operation signal lines (gate signal lines or horizontal signal lines) GL and two adjacent video signal lines (drain signal lines or vertical signal lines). Line) DL
(In a region surrounded by four signal lines). Each pixel includes a thin film transistor TFT, a pixel electrode ITO1, and an additional capacitance Cadd. The scanning signal lines GL extend in the column direction, and a plurality of the scanning signal lines GL are arranged in the row direction. The video signal lines DL extend in the row direction and are arranged in a plurality in the column direction.

(パネル断面全体構造) 第18B図に示すように、液晶層LCを基準に下部透明ガ
ラス基板SUB1側には薄膜トランジスタTFT及び透明画素
電極ITO1が形成され、上部透明ガラス基板SUB2側には、
カラーフィルタFIL、遮光用ブラックマトリックスパタ
ーンBMが形成されている。下部透明ガラス基板SUB1側
は、例えば1.1(mm)程度の厚さで構成されている。
(Overall structure of panel cross section) As shown in FIG. 18B, a thin film transistor TFT and a transparent pixel electrode ITO1 are formed on the lower transparent glass substrate SUB1 side with respect to the liquid crystal layer LC, and on the upper transparent glass substrate SUB2 side,
A color filter FIL and a light shielding black matrix pattern BM are formed. The lower transparent glass substrate SUB1 side has a thickness of, for example, about 1.1 (mm).

第18B図の中央部は一画素部分の断面を示している
が、左側は透明ガラス基板SUB1及びSUB2の左側縁部分で
外部引出配線の存在する部分の断面を示している。右側
は、透明ガラス基板SUB1及びSUB2の右側縁部分で外部引
出配線の存在しない部分の断面を示している。
The center part in FIG. 18B shows a cross section of one pixel portion, while the left side shows a cross section of a left edge portion of the transparent glass substrates SUB1 and SUB2 where an external lead-out line exists. The right side shows a cross section of a portion on the right side edge of the transparent glass substrates SUB1 and SUB2 where there is no external lead-out wiring.

第18B図の左側、右側のそれぞれに示すシール材SL
は、液晶LCを封止するように構成されており、液晶封入
口(図示していない)を除く透明ガラス基板SUB1及びSU
B2の縁周囲全体に沿って形成されている。シール材SL
は、例えば、エポキシ樹脂で形成されいてる。
Seal material SL shown on the left and right sides of FIG. 18B
Are configured to seal the liquid crystal LC, and the transparent glass substrates SUB1 and SU except for the liquid crystal filling port (not shown)
It is formed along the entire periphery of the edge of B2. Seal material SL
Is formed of, for example, an epoxy resin.

前記上部透明ガラス基板SUB2側の共通透明画素電極IT
O2は、少なくとも一個所において、銀ペースト材SILに
よって、下部透明ガラス基板SUB1側に形成された外部引
出配線に接続されている。この外部引出配線は、前述し
たゲート電極GT、ソース電極SD1、ドレイン電極SD2のそ
れぞれと同一製造工程で形成される。
The common transparent pixel electrode IT on the upper transparent glass substrate SUB2 side
O2 is connected to the external lead-out wiring formed on the lower transparent glass substrate SUB1 side by the silver paste material SIL at at least one place. This external lead-out wiring is formed in the same manufacturing process as each of the gate electrode GT, the source electrode SD1, and the drain electrode SD2 described above.

配向膜ORI1及びORI2、透明画素電極ITO1、共通透明画
素電極ITO2、保護膜PSV1及びPSV2、絶縁膜GIのそれぞれ
の層は、シール材SLの内側に形成される。偏光板POL1と
POL2は、下側透明ガラス基板SUB1、上側透明ガラス基板
SUB2のそれぞれの外側の表面に形成されいてる。
Each layer of the alignment films ORI1 and ORI2, the transparent pixel electrode ITO1, the common transparent pixel electrode ITO2, the protective films PSV1 and PSV2, and the insulating film GI is formed inside the sealing material SL. With polarizing plate POL1
POL2 is lower transparent glass substrate SUB1, upper transparent glass substrate
It is formed on the outer surface of each of SUB2.

液晶LCは、液晶分子の向きを設定する下部配向膜ORI1
及び上部配向膜ORI2の間に封入され、シール部SLによっ
てシールされている。
The liquid crystal LC is a lower alignment film ORI1 that sets the orientation of liquid crystal molecules.
And the upper alignment film ORI2, and is sealed by a seal portion SL.

下部配向膜ORI1は、下部透明ガラス基板SUB1側の保護
膜PSV1の上部に形成される。
The lower alignment film ORI1 is formed above the protective film PSV1 on the lower transparent glass substrate SUB1 side.

上部透明ガラス基板SUB2の内側(液晶側)の表面に
は、遮光膜BM、カラーフィルタFIL、保護膜PSV2、共通
透明画素電極(COM)ITO2及び上部配向膜ORI2が順次積
層して設けられている。
On the inner (liquid crystal side) surface of the upper transparent glass substrate SUB2, a light-shielding film BM, a color filter FIL, a protective film PSV2, a common transparent pixel electrode (COM) ITO2, and an upper alignment film ORI2 are sequentially laminated. .

この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板SUB1側、上
部透明ガラス基板SUB2側のそれぞれの層を別々に形成
し、その後、上下透明ガラス基板SUB1とSUB2を重ね合わ
せ、両者間に液晶LCを封入することによって組み立てら
れる。
In this liquid crystal display device, the respective layers on the lower transparent glass substrate SUB1 side and the upper transparent glass substrate SUB2 side are separately formed, and then the upper and lower transparent glass substrates SUB1 and SUB2 are overlapped, and the liquid crystal LC is sealed between the two. Assembled by

(薄膜トランジスタTFT) 薄膜トランジスタTFTは、ゲート電極GTに正のバイア
スを印加すると、ソース−ドレイン間のチャンネル抵抗
値が小さくなり、バイアスを零にすると、チャンネル抵
抗値が大きくなるように動作する。
(Thin Film Transistor TFT) The thin film transistor TFT operates so that the channel resistance between the source and the drain decreases when a positive bias is applied to the gate electrode GT, and the channel resistance increases when the bias is set to zero.

各画素の薄膜トランジスタTFTは、画素内において2
つ(複数)に分割され、薄膜トランジスタ(分割薄膜ト
ランジスタ)TFT1及びTFT2で構成されている。薄膜トラ
ンジスタTFT1,TFT2のそれぞれは、実質的に同一サイズ
(チャンネル長と幅が同じ)で構成されている。この分
割された薄膜トランジスタTFT1,TFT2のそれぞれは、主
にゲート電極GT、ゲート絶縁膜GI、i型(真性、intrin
sic、導電型決定不純物がドープされていない)非晶質S
i半導体層AS、一対のソース電極SD1及びドレイン電極SD
2で構成されている。なお、ソース・ドレインは本来そ
の間のバイアス極性によって決まり、本表示装置の回路
ではその極性は動作中反転するので、ソース・ドレイン
は動作中入れ替わると理解されたい。しかし以下の説明
でも、便宜上一方をソース、他方をドレインと固定して
表現する。
The thin film transistor TFT of each pixel has 2 pixels in the pixel.
And a plurality of thin film transistors (divided thin film transistors) TFT1 and TFT2. Each of the thin film transistors TFT1 and TFT2 has substantially the same size (the same channel length and width). Each of the divided thin film transistors TFT1 and TFT2 mainly includes a gate electrode GT, a gate insulating film GI, and an i-type (intrinsic, intrinsic).
sic, not doped with conductivity determining impurities) Amorphous S
i Semiconductor layer AS, a pair of source electrode SD1 and drain electrode SD
It consists of two. It should be understood that the source and the drain are originally determined by the bias polarity between them, and the polarity of the circuit of the present display device is inverted during the operation, so that the source and the drain are switched during the operation. However, also in the following description, for convenience, one is fixed as a source and the other is fixed as a drain.

(ゲート電極GT) ゲート電極GTは、第20図(第18A図の層g1、g2及びAS
のみを描いた平面図)に詳細に示すように、走査信号線
GLから垂直方向(第2A図及び第4図において上方向)に
突出する形状で構成されている(T字形状に分岐されて
いる)。ゲート電極GTは、薄膜トランジスタTFT1,TFT2
のそれぞれの形成領域まで突出するように構成されてい
る。薄膜トランジスタTFT1,TFT2のそれぞれのゲート電
極GTは、一体に(共通ゲート電極として)構成されてお
り、走査信号線GLに連続して形成されている。ゲート電
極GTは、薄膜トランジスタTFTの形成領域において大き
い段差を作らないように、単層の第1導電膜g1で構成さ
れる。第1導電膜g1は、例えばスパッタで形成されたク
ロム(Cr)膜を用い、1000(Å)程度の薄膜で構成され
る。
(Gate electrode GT) The gate electrode GT is shown in FIG. 20 (layers g1, g2 and AS in FIG. 18A).
Scan signal line as shown in detail in the plan view)
It is configured to protrude vertically (upward in FIGS. 2A and 4) from the GL (branched into a T-shape). The gate electrode GT is a thin film transistor TFT1, TFT2
Are formed so as to protrude to the respective formation regions. The respective gate electrodes GT of the thin film transistors TFT1 and TFT2 are integrally formed (as a common gate electrode) and are formed continuously with the scanning signal line GL. The gate electrode GT is formed of a single-layer first conductive film g1 so as not to form a large step in a region where the thin film transistor TFT is formed. The first conductive film g1 is, for example, a chromium (Cr) film formed by sputtering, and is formed of a thin film of about 1000 (Å).

このゲート電極GTは、第18A図、第18B図及び第20図に
示されているように、半導体層ASを完全に覆うよう(下
方からみて)それより大き目に形成される。従って、基
板SUB1の下方に蛍光灯等のバックライトBLを取付けた場
合、この不透明のCrゲート電極GTが影となって、半導体
層ASにはバックライト光が当たらず、光照射による導電
現象すなわちTFTのオフ特性劣化は起きにくくなる。な
お、ゲート電極GTの本来の大きさは、ソース・ドレイン
電極SD1とSD2間をまたがるに最低限必要な(ゲート電極
とソース・ドレイン電極の位置合わせ余裕分も含めて)
幅を持ち、チャンネル幅Wを決めるその奥行き長さはソ
ース・ドレイン電極間の距離(チャンネル長)Lとの
比、すなわち相互コンダクタンスgmを決定するファクタ
W/Lをいくつにするかによって決められる。
As shown in FIGS. 18A, 18B, and 20, the gate electrode GT is formed to be larger than that (as viewed from below) so as to completely cover the semiconductor layer AS. Therefore, when a backlight BL such as a fluorescent lamp is mounted below the substrate SUB1, the opaque Cr gate electrode GT becomes a shadow and the semiconductor layer AS is not irradiated with the backlight, and the conductive phenomenon due to light irradiation, that is, Deterioration of off-characteristics of the TFT hardly occurs. Note that the original size of the gate electrode GT is the minimum necessary to extend between the source / drain electrodes SD1 and SD2 (including the alignment margin between the gate electrode and the source / drain electrodes).
It has a width, and its depth length that determines the channel width W is the ratio to the distance (channel length) L between the source and drain electrodes, that is, a factor that determines the transconductance gm
It is determined by the number of W / L.

本実施例におけるゲート電極の大きさは勿論、上述し
た本来の大きさよりも大きくされる。
The size of the gate electrode in this embodiment is, of course, larger than the original size described above.

ゲート電極GTのゲート及び遮光の機能面からだけで考
えれば、ゲート電極GT及びその配線GLは単一の層で一体
に形成しても良く、その場合不透明導体材料としてSiを
含有させたAl、純Al及びPdを含有させたAl等を選ぶこと
ができる。
Considering only from the function of the gate and the light shielding function of the gate electrode GT, the gate electrode GT and its wiring GL may be integrally formed in a single layer, in which case Al containing Si as an opaque conductor material, Al or the like containing pure Al and Pd can be selected.

(走査信号線GL) 前記走査信号線GLは、第1導電膜g1及びその上部に設
けられた第2導電膜g2からなる複合膜で構成されてい
る。この走査信号線GLの第1導電膜g1は、前記ゲート電
極GTの第1導電膜g1と同一製造工程で形成され、かつ一
体に構成されている。第2導電膜g2は、例えば、スパッ
タで形成されたアルミニュウム(Al)膜を用い、2000〜
4000(Å)程度の膜厚で形成する。第2導電膜g2は、走
査信号線GLの抵抗値を低減し、信号伝送速度の高速化
(画素の情報の書き込み特性向上)を図ることができる
ように構成されている。
(Scanning Signal Line GL) The scanning signal line GL is formed of a composite film including a first conductive film g1 and a second conductive film g2 provided thereon. The first conductive film g1 of the scanning signal line GL is formed in the same manufacturing process as the first conductive film g1 of the gate electrode GT, and is integrally formed. The second conductive film g2 is, for example, an aluminum (Al) film formed by sputtering,
It is formed with a thickness of about 4000 (Å). The second conductive film g2 is configured so that the resistance value of the scanning signal line GL can be reduced, and the signal transmission speed can be increased (the information writing characteristics of the pixel can be improved).

また、走査信号線GLは、第1導電膜g1の幅寸法に比べ
て第2導電膜g2の幅寸法を小さく構成している。すなわ
ち、走査信号線GLは、その側壁の段差形状がゆるやかに
なっている。
Further, the scanning signal line GL is configured such that the width of the second conductive film g2 is smaller than the width of the first conductive film g1. That is, the scanning signal line GL has a gentle step shape on the side wall.

(ゲート絶縁膜GI) 絶縁膜GIは、薄膜トンランジスタTFT1,TFT2のそれぞ
れのゲート絶縁膜として使用される。絶縁膜GIは、ゲー
ト電極GT及び走査信号線GLの上層に形成されている。絶
縁膜GIは、例1ば、プラズマCVDで形成された窒化珪素
膜を用い、3000(Å)程度の膜厚に形成される。
(Gate Insulating Film GI) The insulating film GI is used as each gate insulating film of the thin film transistors TFT1 and TFT2. The insulating film GI is formed above the gate electrode GT and the scanning signal line GL. In the first example, the insulating film GI is formed to have a thickness of about 3000 (Å) using a silicon nitride film formed by plasma CVD.

(半導体層AS) i型半導体層ASは、第20図に示すように、複数に分割
された薄膜トランジスタTFT1,TFT2のそれぞれのチャン
ネル形成領域として使用される。i型半導体層ASは、ア
モーファスシリコン膜又は多結晶シリコン膜で形成さ
れ、約1800(Å)程度の膜厚に形成される。
(Semiconductor Layer AS) As shown in FIG. 20, the i-type semiconductor layer AS is used as each channel forming region of the thin-film transistors TFT1 and TFT2 divided into a plurality. The i-type semiconductor layer AS is formed of an amorphous silicon film or a polycrystalline silicon film, and has a thickness of about 1800 (Å).

このi型半導体層ASは、供給ガスの成分を変えてSi3N
4ゲート絶縁膜GIの形成に連続して、同じプラズマCVD装
置で、しかもその装置から外部に露出することなく形成
される。また、オーミックコンタクト用のPをドープし
たN+層d0(第18B図)も同様に連続して約400(Å)の厚
さに形成される。しかる後下側基板SUB1はCVD装置から
外に取り出され、写真処理技術により、N+層d0及びi層
ASは第18A図、第18B図及び第20図に示すように独立した
島にパターニングされる。
This i-type semiconductor layer AS is made of Si 3 N
Fourth, following the formation of the gate insulating film GI, the gate insulating film GI is formed in the same plasma CVD apparatus without being exposed to the outside from the apparatus. Similarly, a P-doped N + layer d0 (FIG. 18B) for ohmic contact is continuously formed to a thickness of about 400 (Å). Thereafter, the lower substrate SUB1 is taken out of the CVD apparatus, and the N + layer d0 and the i layer
AS is patterned into independent islands as shown in FIGS. 18A, 18B and 20.

i型半導体層ASは、第18A図及び第20図に詳細に示す
ように、走査信号線GLと映像信号線DLとの交差部(クロ
スオーバ部)の両者間にも設けられている。この交差部
i型半導体層ASは、交差部における走査信号線GLと映像
信号線DLとの短絡を低減するように構成されている。
The i-type semiconductor layer AS is also provided between both intersections (crossover portions) of the scanning signal lines GL and the video signal lines DL, as shown in detail in FIGS. 18A and 20. The intersection i-type semiconductor layer AS is configured to reduce a short circuit between the scanning signal line GL and the video signal line DL at the intersection.

(ソース・ドレイン電極SD1,SD2) 複数に分割された薄膜トランジスタTFT1,TFT2のそれ
ぞれのソース電極SD1とドレイン電極SD2とは、第18A
図、第18B図及び第21図(第18A図の層d1〜d3のみを描い
た平面図)で詳細に示すように、半導体層AS上にそれぞ
れ離隔して設けられている。
(Source / drain electrodes SD1, SD2) The source electrode SD1 and the drain electrode SD2 of each of the thin-film transistors TFT1, TFT2 divided into a plurality
As shown in detail in FIG. 18, FIG. 18B, and FIG. 21 (a plan view showing only the layers d1 to d3 in FIG. 18A), they are separately provided on the semiconductor layer AS.

ソース電極SD1、ドレイン電極SD2のそれぞれは、N+
半導体層d0に接触する下層側から、第1導電膜d1、第2
導電膜d2、第3導電膜d3を順次重合わせて構成されてい
る。ソース電極SD1の第1導電膜d1、第2導電膜d2及び
第3導電膜d3は、ドレイン電極SD2のそれぞれと同一製
造工程で形成される。
The source electrode SD1 and the drain electrode SD2 are respectively connected to the first conductive film d1 and the second conductive film d1 from the lower side in contact with the N + type semiconductor layer d0.
The conductive film d2 and the third conductive film d3 are sequentially overlapped. The first conductive film d1, the second conductive film d2, and the third conductive film d3 of the source electrode SD1 are formed in the same manufacturing process as each of the drain electrode SD2.

第1導電膜d1は、スパッタで形成したクロム膜を用
い、500〜1000(Å)の膜厚〔本実施例では600(Å)程
度の膜厚〕により形成される。クロム膜は、膜厚を厚く
形成するとストレスが大きくなるので、2000(Å)程度
を膜厚を越えない範囲に形成される。クロム膜は、N+
半導体層d0との接触が良好である。クロム膜は、後述す
る第2導電膜d2のアルミニュウムがN+型半導体層d0に拡
散することを防止するという、所謂バリア層を構成す
る。第1導電膜d1としては、上記のようなクロム膜の他
に高融点金属(Mo、Ti、Ta、W)膜、高融点金属シリサ
イド(MoSi2、TiSi2、TaSi2、WSi2)膜で形成してもよ
い。
The first conductive film d1 is formed of a chromium film formed by sputtering, and has a thickness of 500 to 1000 (Å) (in this embodiment, a thickness of about 600 (Å)). The chromium film is formed in a range that does not exceed about 2,000 (Å) because the stress increases when the chromium film is formed thick. The chromium film has good contact with the N + type semiconductor layer d0. The chromium film constitutes a so-called barrier layer that prevents aluminum of a second conductive film d2 described later from diffusing into the N + type semiconductor layer d0. As the first conductive film d1, a high melting point metal (Mo, Ti, Ta, W) film or a high melting point metal silicide (MoSi 2 , TiSi 2 , TaSi 2 , WSi 2 ) film in addition to the chromium film described above. It may be formed.

第1導電膜d1を写真処理でパターニングした後、同じ
写真処理用マスクで、或いは第1導電膜d1をマスクとし
てN+層d0が除去される。つまり、i層AS上に残っていた
N+層d0は第1導電膜d1以外の部分がセルフアラインで除
去される。このとき、N+層d0はその厚さ分は全て除去さ
れるようエッチされるので、i層ASも若干その表面部分
でエッチされるが、その程度はエッチ時間で制御すれば
よい。
After patterning the first conductive film d1 by photo processing, the N + layer d0 is removed using the same photo processing mask or using the first conductive film d1 as a mask. That is, it remained on the i-layer AS
The portion of the N + layer d0 other than the first conductive film d1 is removed by self-alignment. At this time, since the N + layer d0 is etched so as to completely remove its thickness, the i layer AS is also slightly etched at its surface, but the degree may be controlled by the etching time.

しかる後第2導電膜d2が、アルミニュウムのスパッタ
リングで3000〜4000(Å)の膜厚〔本実施例では3000
(Å)程度の膜厚〕に形成される。アルミニュウム層
は、クロム層に比べてストレスが小さく、厚い膜厚に形
成することが可能で、ソース電極SD1、ドレイン電極SD2
及び映像信号線DLの抵抗値を低減するように構成されて
いる。第2導電膜d2は、アルミニュウム膜の他にシリコ
ン(Si)や銅(Cu)を添加物として含有させたアルミニ
ュウム膜で形成されてもよい。
Thereafter, the second conductive film d2 is formed to have a thickness of 3000 to 4000 (Å) by sputtering aluminum (in the present embodiment, 3000 to 4000 (Å)).
(Å) film thickness]. The aluminum layer has a smaller stress than the chromium layer and can be formed to have a large thickness, and the source electrode SD1 and the drain electrode SD2 can be formed.
And the resistance value of the video signal line DL is reduced. The second conductive film d2 may be formed of an aluminum film containing silicon (Si) or copper (Cu) as an additive in addition to the aluminum film.

第2導電膜d2の写真処理技術によるパターニング後第
3導電膜d3が形成される。この第3導電膜d3は、スパッ
タリングで形成された透明導電膜(Induim−Tin−Oxide
ITO;ネサ膜)から成り、1000〜2000(Å)の膜厚〔本
実施例では1200(Å)程度の膜厚〕で形成される。この
第3導電膜d3は、ソース電極SD1、ドレイン電極SD2及び
映像信号線DLを構成すると共に、透明画素電極ITO1を構
成するようになっている。
After patterning the second conductive film d2 by a photoprocessing technique, a third conductive film d3 is formed. This third conductive film d3 is a transparent conductive film (Induim-Tin-Oxide) formed by sputtering.
ITO (Nesa film), and is formed to a thickness of 1000 to 2000 (Å) (in this embodiment, a thickness of about 1200 (Å)). The third conductive film d3 forms the source electrode SD1, the drain electrode SD2, and the video signal line DL, and also forms the transparent pixel electrode ITO1.

ソース電極SD1の第1導電膜d1、ドレイン電極SD2の第
1導電膜d1のそれぞれは、上層の第2導電膜d2及び第3
導電膜d3に比べて内側に(チャンネル領域内に)大きく
入り込んでいる。つまり、これらの部分における第1導
電膜d1は、層d2,d3とは無関係に薄膜トランジスタTFTの
ゲート長Lを規定できるように構成されている。
Each of the first conductive film d1 of the source electrode SD1 and the first conductive film d1 of the drain electrode SD2 is formed by an upper second conductive film d2 and a third conductive film d2.
It is deeper inside (into the channel region) than the conductive film d3. That is, the first conductive film d1 in these portions is configured so that the gate length L of the thin film transistor TFT can be defined regardless of the layers d2 and d3.

ソース電極SD1は、前記のように、透明画素電極ITO1
に接続されている。ソース電極SD1は、i型半導体層AS
の段差形状(第1導電膜d1の膜厚、N+層d0の膜厚及びi
型半導体層ASの膜厚とを加算した膜厚に相当する段差)
に沿って構成されている。具体的には、ソース電極SD1
は、i型半導体層ASの段差形状に沿って形成された第1
導電膜d1と、この第1導電膜d1の上部にそれに比べて透
明画素電極ITO1と接続される側を小さいサイズで形成し
た第2導電膜d2と、この第2導電膜から露出する第1導
電膜d1に接続された第3導電膜d3とで構成されている。
ソース電極SD1の第2導電膜d2は、第1導電膜d1のクロ
ム膜がストレスの増大から厚く形成できず、i型半導体
層ASの段差形状を乗り越えられないので、このi型半導
体層ASを乗り越えるために構成されている。つまり、第
2導電膜d2は、厚く形成することでステップカバレッジ
を向上している。第2導電膜d2は、厚く形成できるの
で、ソース電極SD1の抵抗値(ドレイン電極SD2や映像信
号線DLについても同様)の低減に大きく寄与している。
第3導電膜d3は、第2導電膜d2のi型半導体層ASに起因
する段差形状を乗り越えることができないので、第2導
電膜d2のサイズを小さくすることで露出する第1導電膜
d1に接続するように構成されている。第1導電膜d1と第
3導電膜d3とは、接着性が良好であるばかりか、両者間
の接続部の段差形状が小さいので、確実に接続すること
ができる。
The source electrode SD1 is, as described above, a transparent pixel electrode ITO1.
It is connected to the. The source electrode SD1 is an i-type semiconductor layer AS
(The film thickness of the first conductive film d1, the film thickness of the N + layer d0, and i
Step equivalent to the film thickness obtained by adding the film thickness of the semiconductor layer AS)
It is configured along. Specifically, the source electrode SD1
Represents a first portion formed along the step shape of the i-type semiconductor layer AS.
A conductive film d1, a second conductive film d2 formed on the upper side of the first conductive film d1 and connected to the transparent pixel electrode ITO1 with a smaller size, and a first conductive film exposed from the second conductive film. And a third conductive film d3 connected to the film d1.
Since the second conductive film d2 of the source electrode SD1 cannot form a thick chrome film of the first conductive film d1 due to an increase in stress and cannot overcome the step of the i-type semiconductor layer AS, the second conductive film d2 is It is configured to get over. That is, the step coverage is improved by forming the second conductive film d2 to be thick. Since the second conductive film d2 can be formed thick, it greatly contributes to a reduction in the resistance value of the source electrode SD1 (the same applies to the drain electrode SD2 and the video signal line DL).
Since the third conductive film d3 cannot overcome the stepped shape caused by the i-type semiconductor layer AS of the second conductive film d2, the first conductive film exposed by reducing the size of the second conductive film d2
It is configured to connect to d1. The first conductive film d1 and the third conductive film d3 not only have good adhesiveness, but also have a small step at the connection between them, so that they can be reliably connected.

(画素電極ITO1) 前記透明画素電極ITO1は、各画素毎に設けられてお
り、液晶表示部の画素電極の一方を構成する。透明画素
電極ITO1は、画素の複数に分割された薄膜トランジスタ
TFT1,TFT2のそれぞれに対応して2つの透明画素電極
(分割透明画素電極)E1,E2に分割されている。透明画
素電極E1,E2は、それぞれ薄膜トランジスタTFTのソース
電極SD1に接続されている。
(Pixel Electrode ITO1) The transparent pixel electrode ITO1 is provided for each pixel, and constitutes one of the pixel electrodes of the liquid crystal display unit. Transparent pixel electrode ITO1 is a thin-film transistor divided into multiple pixels
It is divided into two transparent pixel electrodes (divided transparent pixel electrodes) E1 and E2 corresponding to TFT1 and TFT2, respectively. The transparent pixel electrodes E1 and E2 are connected to the source electrode SD1 of the thin film transistor TFT, respectively.

透明画素電極E1,E2のそれぞれは、実質的に同一面積
となるようにパターニングされている。
Each of the transparent pixel electrodes E1 and E2 is patterned so as to have substantially the same area.

このように、1画素の薄膜トランジスタTFTを複数の
薄膜トランジスタTFT1,TFT2に分割し、この複数に分割
された薄膜トランジスタTFT1,TFT2のそれぞれに複数に
分割された透明電極E1,E2のそれぞれを接続することに
より、分割された一部分(例えば、TFT1)が点欠陥にな
っても、画素全体でみれば点欠陥でなくなる(TFT2が欠
陥でない)ので、点欠陥の確率を低減することができ
る。また欠陥を見にくくすることができる。
In this manner, the thin film transistor TFT of one pixel is divided into a plurality of thin film transistors TFT1 and TFT2, and each of the plurality of divided thin film transistors TFT1 and TFT2 is connected to each of the plurality of divided transparent electrodes E1 and E2. Even if the divided part (for example, TFT1) becomes a point defect, it is not a point defect when viewed as a whole pixel (TFT2 is not a defect), so that the probability of a point defect can be reduced. Further, it is possible to make the defect hard to see.

また、前記画素の分割された透明画素電極E1,E2のそ
れぞれを実質的に同一面積で構成することにより、透明
画素電極E1,E2のそれぞれと共通透明画素電極ITO2とで
構成されるそれぞれの液晶容量(Cpix)を均一にするこ
とができる。
Further, by forming each of the divided transparent pixel electrodes E1 and E2 of the pixel with substantially the same area, each liquid crystal formed by each of the transparent pixel electrodes E1 and E2 and the common transparent pixel electrode ITO2 is formed. The capacity (Cpix) can be made uniform.

(保護膜PSV1) 薄膜トランジスタTFT及び透明画素電極ITO1上には、
保護膜PSV1が設けられている。保護膜PSV1は、主に、薄
膜トランジスタTFTを湿気等から保護するために形成さ
れており、透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用
する。保護膜PSV1は、例えば、プラズマCVDで形成され
た酸化珪素膜や窒化珪素膜で形成されており、8000
(Å)程度の膜厚を持つように形成される。
(Protective film PSV1) On the thin film transistor TFT and the transparent pixel electrode ITO1,
A protective film PSV1 is provided. The protective film PSV1 is mainly formed to protect the thin film transistor TFT from moisture and the like, and uses a film having high transparency and good moisture resistance. The protective film PSV1 is formed of, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film formed by plasma CVD, and has a thickness of 8000
It is formed so as to have a film thickness of (Å).

(遮光膜BM) 上部基板SUB2側には、外部光(第18B図では上方から
の光)がチャンネル形成領域として使用されるi型半導
体層ASに入射されないように、遮光膜BMが設けられ、第
22図のハッチングに示すようなパターンとされている。
なお、第22図は、第18A図におけるITO膜、層d3、フィル
タ層FIL及び遮光膜BMのみを描いた平面図である。遮光
膜BMは、光に対する遮蔽性が高い、例えばアルミニュウ
ム膜やクロム膜で形成されており、本実施例ではクロム
膜がスパッタリングにより1300(Å)程度の膜厚に形成
される。
(Light-shielding film BM) A light-shielding film BM is provided on the upper substrate SUB2 side so that external light (light from above in FIG. 18B) does not enter the i-type semiconductor layer AS used as a channel formation region. No.
The pattern is as shown by hatching in FIG.
FIG. 22 is a plan view illustrating only the ITO film, the layer d3, the filter layer FIL, and the light shielding film BM in FIG. 18A. The light-shielding film BM is formed of, for example, an aluminum film or a chromium film having a high light-shielding property. In this embodiment, the chromium film is formed to a thickness of about 1300 (Å) by sputtering.

したがって、TFT1,2の共通半導体層ASは、上下にある
遮光膜BM及び大き目のゲート電極GTによってサンドイッ
チにされ、その部分には外部の自然光やバックライト光
が当たらなくなる。遮光膜BMは、第22図のハッチング部
分で示すように、画素の周囲に形成される。つまり、遮
光膜BMは、格子状に形成され(ブラックマトリック
ス)、この格子で1画素の有効表示領域が仕切られてい
る。したがって、各画素の輪郭が遮光膜BMによってはっ
きりとしコントラストが向上する。つまり、遮光膜BM
は、半導体層ASに対する遮光とブラックマトリックスと
の2つの機能を持つ。
Therefore, the common semiconductor layers AS of the TFTs 1 and 2 are sandwiched by the upper and lower light shielding films BM and the large gate electrodes GT, and the portions are not exposed to external natural light or backlight. The light-shielding film BM is formed around the pixel as shown by the hatched portion in FIG. That is, the light-shielding film BM is formed in a lattice shape (black matrix), and an effective display area of one pixel is partitioned by the lattice. Therefore, the outline of each pixel is made clear by the light shielding film BM, and the contrast is improved. That is, the light shielding film BM
Has two functions of shading the semiconductor layer AS and a black matrix.

おな、バックライトをSUB2側に取り付け、SUB1を観察
側(外部露出側)とすることもできる。
The backlight can be attached to the SUB2 side, and SUB1 can be the observation side (externally exposed side).

(共通電極ITO2) 共通透明画素電極ITO2は、下部透明ガラス基板SUB1側
に画素毎に設けられた透明画素電極ITO1に対向し、液晶
の光学的な状態は各画素電極ITO1と共通画素電極ITO2間
の電位差(電界)に応答して変化する。この共通透明画
素電極ITO2には、コモン電圧Vcomが印加されるように構
成されている。コモン電圧Vcomは、映像信号線DLに印加
されるロウレベルの駆動電圧Vdminとハイレベルの駆動
電圧Vdmaxとの中間電位である。
(Common electrode ITO2) The common transparent pixel electrode ITO2 faces the transparent pixel electrode ITO1 provided for each pixel on the lower transparent glass substrate SUB1 side, and the optical state of the liquid crystal is between each pixel electrode ITO1 and the common pixel electrode ITO2. Changes in response to the potential difference (electric field) of. The common transparent pixel electrode ITO2 is configured to apply a common voltage Vcom. The common voltage Vcom is an intermediate potential between the low-level drive voltage Vdmin and the high-level drive voltage Vdmax applied to the video signal line DL.

(カラーフィルタFIL) カラーフィルタFILは、アクリル樹脂等の樹脂材料で
形成される染色基材に染料を着色して構成されている。
カラーフィルタFILは、画素に対向する位置に各画素毎
にドット状に形成され(第23図)、染め分けられいてる
(第23図は第19図の第3導電膜d3、ブラックマトリック
ス層BM及びカラーフィルタ層FILのみを描いたもので、
R,G,Bの各フィルタはそれぞれ、45゜、135゜、クロスの
ハッチを施してある)。
(Color Filter FIL) The color filter FIL is formed by coloring a dye on a dyeing base material formed of a resin material such as an acrylic resin.
The color filter FIL is formed in a dot shape for each pixel at a position facing the pixel (FIG. 23) and is dyed separately (FIG. 23 shows the third conductive film d3, the black matrix layer BM and the color shown in FIG. 19). Only the filter layer FIL is drawn.
The R, G, and B filters are 45 °, 135 ° and cross hatched, respectively.)

カラーフィルタFILは、第22図に示すように画素電極I
TO1(E1,E2)の全てを覆うように大き目に形成され、遮
光膜BMはカラーフィルタFIL及び画素電極ITO1のエッジ
部分と重なるよう画素電極ITO1の周縁部より内側に形成
されている。
The color filter FIL has a pixel electrode I as shown in FIG.
The light-shielding film BM is formed larger than the periphery of the pixel electrode ITO1 so as to cover all of the TO1 (E1, E2) and overlap the color filter FIL and the edge of the pixel electrode ITO1.

カラーフィルタFILは、次のように形成することがで
きる。まず、上部透明ガラス基板SUB2の表面に染色基材
を形成し、フォトリソグラフィ技術で赤色フィルタ形成
領域以外の染色基材を除去する。この後、染色基材を赤
色染料で染め、固着処理を施し、赤色フィルタRを形成
する。次に、同様な工程を施すことによって、緑色フィ
ルタG、青色フィルタBを順次形成する。
The color filter FIL can be formed as follows. First, a dyed base material is formed on the surface of the upper transparent glass substrate SUB2, and the dyed base material other than the red filter forming region is removed by photolithography. Thereafter, the dyed substrate is dyed with a red dye and subjected to a fixing treatment to form a red filter R. Next, by performing similar steps, a green filter G and a blue filter B are sequentially formed.

保護膜PSV2は、前記カラーフィルタFILを異なる色に
染め分けた染料が液晶LCに漏れることを防止するために
設けられている。保護膜PSV2は、例えばアクリル樹脂、
エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成されている。
The protective film PSV2 is provided in order to prevent the dye obtained by dyeing the color filter FIL into different colors from leaking into the liquid crystal LC. The protective film PSV2 is, for example, an acrylic resin,
It is formed of a transparent resin material such as an epoxy resin.

(表示パネル全体等価回路) 表示マトリックス部の等価回路とその周辺回路の結線
図を第24図に示す。同図は回路図であるが、実際の幾何
学的配置に対応して描かれている。ARは複数画素の二次
元状に配列したマトリックス・アレイである。
(Equivalent Circuit of Entire Display Panel) FIG. 24 shows a connection diagram of an equivalent circuit of the display matrix portion and its peripheral circuits. The figure is a circuit diagram, but is drawn corresponding to an actual geometric arrangement. AR is a two-dimensional matrix array of a plurality of pixels.

図中、Xは映像信号線DLを意味し、添字G、B及びR
がそれぞれ緑、青及び赤画素に対応して付加されてい
る。Yは走査信号線GLを意味し、添字1、2、3・・・
・endは走査タイミングの順序に従って付加されてい
る。
In the figure, X means a video signal line DL, and suffixes G, B and R
Are added corresponding to the green, blue and red pixels, respectively. Y means a scanning signal line GL, and suffixes 1, 2, 3,.
End is added according to the order of the scanning timing.

映像信号線X(添字省略)は、交互に上側(又は奇
数)映像信号駆動回路He及び下側(又は偶数)映像信号
駆動回路Hoに接続されている。
The video signal lines X (subscripts omitted) are alternately connected to the upper (or odd) video signal drive circuit He and the lower (or even) video signal drive circuit Ho.

SUPは1つの電圧源から複数の分圧した安定化された
電圧源を得るための電源回路やホスト(上位演算処理装
置)からのCRT(陰極線管)用の情報をTFT液晶表示パネ
ル用の情報に変換する回路を含む回路である。
SUP is a power supply circuit for obtaining a plurality of divided and stabilized voltage sources from one voltage source, and information for a CRT (cathode ray tube) from a host (upper processing unit) for TFT liquid crystal display panels. This is a circuit that includes a circuit for converting to.

(付加容量Caddの構造) 透明画素電極E1,E2のそれぞれは、薄膜トランジスタT
FTと接続される端部と反対側の端部において、隣りの走
査信号線GLと重なるように形成されている。この重ね合
わせは、第18C図からも明らかなように、透明画素電極E
1,E2のそれぞれを一方の電極PL1とし、隣りの走査信号
線GLを他方の電極PL2とする保持容量素子(静電容量素
子)Caddを構成する。この保持容量素子Caddの誘電体膜
は、薄膜トランジスタTFTのゲート絶縁膜として使用さ
れる絶縁膜GIと同一層で構成されている。
(Structure of additional capacitance Cadd) Each of the transparent pixel electrodes E1 and E2 is a thin film transistor T
The end opposite to the end connected to the FT is formed so as to overlap with the adjacent scanning signal line GL. This superposition is, as is clear from FIG. 18C, the transparent pixel electrode E
A storage capacitance element (capacitance element) Cadd in which each of the electrodes E1 and E2 is one electrode PL1 and the adjacent scanning signal line GL is the other electrode PL2. The dielectric film of the storage capacitor Cadd is formed of the same layer as the insulating film GI used as the gate insulating film of the thin film transistor TFT.

保持容量Caddは、第20図からも明らかなように、ゲー
ト線GLの一層目g1の一層目g1の幅を広げた部分に形成さ
れている。なお、ドレイン線DLと交差する部分の層g1
は、ドレイン線との短絡の確率を小さくするため細くさ
れている。
As is apparent from FIG. 20, the storage capacitor Cadd is formed at a portion where the width of the first layer g1 of the first layer g1 of the gate line GL is increased. The portion of the layer g1 that intersects with the drain line DL
Are thinned to reduce the probability of short circuit with the drain line.

保持容量Caddを構成するために重ね合わされる透明画
素電極E1,E2のそれぞれと容量電極線(g1)との間の一
部は、前記ソース電極SD1と同様に、段差形状を乗り越
える際に透明画素電極ITO1が断線しないように、第1導
電膜d1及び第2導電膜D2が構成された島領域が設けられ
ている。この島領域は、透明画素電極ITO1の面積(開口
率)を低下しないように、できる限り小さく構成する。
A portion between each of the transparent pixel electrodes E1 and E2 overlapped to form the storage capacitor Cadd and the capacitor electrode line (g1) is similar to the source electrode SD1 when a transparent pixel is crossed over the stepped shape. An island region in which the first conductive film d1 and the second conductive film D2 are formed is provided so that the electrode ITO1 is not disconnected. This island region is configured to be as small as possible so as not to reduce the area (opening ratio) of the transparent pixel electrode ITO1.

(付加容量Caddの等価回路とその動作) 第18A図に示される画素の等価回路を第25図に示す。
第25図において、Cgsは薄膜トランジスタTFTのゲート電
極GT及びソース電極SD1間に形成される寄生容量Cgsの誘
電体膜は絶縁膜GIである。Cpixは透明画素電極ITO1(PI
X)及び共通透明画素電極ITO2(COM)間で形成される液
晶容量である。液晶容量Cpixの誘電体膜は液晶LC、保護
膜PSV1及び配向膜ORI1,ORI2である。Vlcは中点電位であ
る。
(Equivalent Circuit of Additional Capacitor Cadd and Its Operation) FIG. 25 shows an equivalent circuit of the pixel shown in FIG. 18A.
In FIG. 25, Cgs is a dielectric film of a parasitic capacitance Cgs formed between the gate electrode GT and the source electrode SD1 of the thin film transistor TFT, and is an insulating film GI. Cpix is a transparent pixel electrode ITO1 (PI
X) and the liquid crystal capacitance formed between the common transparent pixel electrode ITO2 (COM). The dielectric films of the liquid crystal capacitor Cpix are the liquid crystal LC, the protective film PSV1, and the alignment films ORI1, ORI2. Vlc is the midpoint potential.

前記保持容量素子Caddは、TFTがスイッチングすると
き、中点電位(画素電極電位)Vlcに対するゲート電位
変化ΔVgの影響を低減するよう働く。この様子を式で表
すと、 ΔVlc={Cgs/(Cgs+Cadd+Cpix)}×ΔVg となる。ここで、ΔVlcはΔVgによる中点電位の変化分
を表わす。この変化分ΔVlcは液晶に加わる直流成分の
原因となるが、保持容量Caddを大きくすればする程その
値を小さくすることができる。
The holding capacitance element Cadd functions to reduce the influence of the gate potential change ΔVg on the midpoint potential (pixel electrode potential) Vlc when the TFT switches. When this state is expressed by an equation, ΔVlc = {Cgs / (Cgs + Cadd + Cpix)} × ΔVg. Here, ΔVlc represents a change in the midpoint potential due to ΔVg. The change ΔVlc causes a DC component applied to the liquid crystal, but the value can be reduced as the storage capacitance Cadd is increased.

また、保持容量Caddは放電時間を長くする作用もあ
り、TFTがオフした後の映像情報を長く蓄積する。液晶L
Cに印加される直流成分は低減は、液晶LCの寿命を向上
し、液晶表示画面の切り替え時に前の画像が残る所謂焼
き付きを低減することができる。
In addition, the storage capacitor Cadd also has a function of prolonging the discharge time, and stores video information after the TFT is turned off for a long time. LCD L
The reduction of the DC component applied to C improves the life of the liquid crystal LC, and can reduce so-called image sticking in which a previous image remains when the liquid crystal display screen is switched.

前述したように、ゲート電極GTは半導体層ASを完全に
覆うよう大きくされている分、ソース・ドレイン電極SD
1,SD2とのオーバーラップ面積が増え、従って寄生容量C
gsが大きくなり中点電位Vlcはゲート(走査)信号Vgの
影響を受け易くなるという逆効果が生じる。しかし、保
持容量Caddを設けることによりこのデメリットも解消す
ることができる。
As described above, the gate electrode GT is enlarged so as to completely cover the semiconductor layer AS, so that the source / drain electrode SD
1, The area of overlap with SD2 increases, so the parasitic capacitance C
As gs increases, the midpoint potential Vlc has an adverse effect of being easily affected by the gate (scan) signal Vg. However, this disadvantage can be eliminated by providing the storage capacitor Cadd.

前記保持容量素子Caddの保持容量は、画素の書き込み
特性から、液晶容量Cpixに対して4〜8倍(4・Cpix<
Cadd<8・Cpix)、重ね合わせ容量Cgsに対して8〜32
倍(8・Cgs<Cadd<32・Cgs)程度の値に設定される。
The storage capacitance of the storage capacitance element Cadd is 4 to 8 times (4 · Cpix <) the liquid crystal capacitance Cpix due to the writing characteristics of the pixel.
Cadd <8 · Cpix), 8 to 32 for overlay capacity Cgs
It is set to a value of about double (8 · Cgs <Cadd <32 · Cgs).

(付加容量Cadd電極線の結線方法) 容量電極線としてのみ使用される初段の走査信号線GL
(Y0)は、第24図に示すように、共通透明画素電極(Vc
om)ITO2に接続する。共通透明画素電極ITO2は、第18B
図に示すように、液晶表示装置の周縁部において銀ペー
スト材SLによって外部引出配線に接続されている。しか
も、この外部引出配線の一部の導電層(g1及びg2)は走
査信号線GLと同一製造工程で構成されている。この結
果、最終段の容量電極線GLは、共通透明画素電極ITO2に
簡単に接続することができる。
(Connection method of additional capacitance Cadd electrode line) First stage scanning signal line GL used only as capacitance electrode line
(Y 0 ) is a common transparent pixel electrode (Vc) as shown in FIG.
om) Connect to ITO2. Common transparent pixel electrode ITO2 is 18B
As shown in the figure, the periphery of the liquid crystal display device is connected to an external lead-out wiring by a silver paste material SL. In addition, some of the conductive layers (g1 and g2) of the external lead wiring are formed in the same manufacturing process as the scanning signal line GL. As a result, the last stage capacitor electrode line GL can be easily connected to the common transparent pixel electrode ITO2.

初段の容量電極線Y0は、最終段の走査信号線Yendに接
続、Vcom以外の直流電位点(交流接地点)に接続するか
又は垂直走査回路Vから1つ余分に走査パルスY0を受け
るよう接続しても良い。
The first-stage capacitor electrode line Y 0 is connected to the last-stage scan signal line Y end , connected to a DC potential point (AC ground point) other than Vcom, or an extra scan pulse Y 0 is supplied from the vertical scanning circuit V. It may be connected to receive.

以上の実施例においては、ゲート電極形成→ゲート絶
縁膜形成→半導体層形成→ソース・ドレイン電極形成の
逆スタガ構造を示したが、上記関係又は作る順番がそれ
と逆のスタガ構造としてもよい。
In the above embodiment, an inverted staggered structure in which a gate electrode is formed, a gate insulating film is formed, a semiconductor layer is formed, and a source / drain electrode is formed is described.

第26図には、この発明に係る多階調液晶表示装置の他
の一実施例を説明するための概念図が示されている。
FIG. 26 is a conceptual diagram for explaining another embodiment of the multi-tone liquid crystal display device according to the present invention.

TFTのパネルを大型化した場合や、TFTパネルのサイズ
が比較的小さくても目を接近させて見る場合には、同図
に示すように、TFTパネルの上部に対しては視角θ
ように比較的小さいが、下部に対しては視角θのよう
に大きくなる。このことは、前記第1図を用いて説明し
たように、TFTパネルの上部に対して視覚補正を行う
と、視角がθからθのように大きくなる下部では、
液晶の輝度がリニアに変化する領域が全体して左方向に
シフトする結果となり、階調がTFTパネルの下側にいく
につれてずれてしまう。
If you increase the size of the TFT panel and, when viewing is brought closer eyes even relatively small size of the TFT panels, as shown in the figure, as the viewing angle theta 1 with respect to the upper portion of the TFT panel relatively small but increases as the viewing angle theta 2 is relative to the lower. This means that, as described with reference to FIG. 1, when the visual correction is performed on the upper part of the TFT panel, the lower part where the visual angle becomes larger from θ 1 to θ 2 ,
As a result, the area where the luminance of the liquid crystal changes linearly shifts to the left as a whole, and the gradation shifts toward the lower side of the TFT panel.

本願発明者にあっては、上述のようにTFTパネルが大
型化した場合や、TFTパネルが比較的小型であっても目
を近づけて見る場合のようにTFTパネルの上下における
視角差があると液晶の多階調表示における階調の上下不
均一性をもたらす原因になることを発見した。そして、
このようなTFTパネルの上下方向の階調度の不均一性も
上下方向の視角の相違に起因うるものであるから、前述
のような視角変化に対する液晶の輝度特性曲線の持つ変
化の特徴を利用してダイナミックに補正することができ
ることに気が付いた。すなわち、本願発明者にあって
は、TFTパネルの垂直方向の走査タイミングに連動させ
て、視角補正電圧を順次変化させるというダイナミック
な視角補正法を考えたのである。
In the present inventor, when the TFT panel is enlarged as described above, or when there is a viewing angle difference between the upper and lower sides of the TFT panel, such as when the TFT panel is relatively small and the eyes are brought closer to each other. It has been found that this causes non-uniformity of gradation in a multi-gradation display of liquid crystal. And
Such non-uniformity of the gradation in the vertical direction of the TFT panel can also be caused by a difference in the vertical viewing angle. Therefore, the above-described characteristic of the change in the luminance characteristic curve of the liquid crystal with respect to the viewing angle change is used. I noticed that it could be dynamically corrected. That is, the inventor of the present application has considered a dynamic viewing angle correction method in which the viewing angle correction voltage is sequentially changed in synchronization with the vertical scanning timing of the TFT panel.

第27図には、TFTパネルの上下方向の視角差に対応し
た補正用電圧発生回路の一実施例の回路図が示されてい
る。
FIG. 27 shows a circuit diagram of an embodiment of a correction voltage generation circuit corresponding to a vertical viewing angle difference of a TFT panel.

この実施例では、リニア回路技術が利用される。演算
増幅回路OP1は、その入力抵抗と帰還抵抗及びキャパシ
タにより積分回路を構成し、フレームパルス(垂直同期
信号)FLMを入力する。これにより、フレーム周期に同
期した鋸歯状の電圧を発生させることができる。この場
合、積分回路は正のパルスFLMを積分するので、時間の
経過とともに電圧が低くなる。この電圧をTFTパネルの
上部の視角θを基準にして設定された補正電圧に重畳
させることにより、視角θのように視角が大きくなる
につれて、前記第1図を用いて説明したように視角補正
電圧を徐々に小さくすることができる。演算増幅回路OP
2は、上記積分回路により形成された鋸歯を電圧レベル
の調整とバッファアンプとして用いられる。このような
補正電圧発生回路により形成された鋸歯状の補正電圧d
が形成される。
In this embodiment, linear circuit technology is used. The operational amplifier OP1 forms an integrating circuit with its input resistance, feedback resistance, and capacitor, and inputs a frame pulse (vertical synchronization signal) FLM. This makes it possible to generate a sawtooth voltage synchronized with the frame period. In this case, since the integration circuit integrates the positive pulse FLM, the voltage decreases with time. By superimposing the voltage to the upper viewing angle theta 1 correction voltage set based on the TFT panel, as the viewing angle as the viewing angle theta 2 is increased, as described with reference to the Figure 1 viewing The correction voltage can be gradually reduced. Operational amplifier OP
2, the sawtooth formed by the integration circuit is used as a voltage amplifier for adjusting a voltage level and as a buffer amplifier. Sawtooth-shaped correction voltage d formed by such a correction voltage generation circuit
Is formed.

第28図には、上記TFTパネルの上下方向の視角差に対
応した補正用電圧発生回路を含む駆動電圧発生回路の一
実施例の回路図が示されている。
FIG. 28 is a circuit diagram of an embodiment of a drive voltage generation circuit including a correction voltage generation circuit corresponding to the vertical viewing angle difference of the TFT panel.

補正電圧波形発生回路は、上記第27図に示された積分
回路を利用した補正用電圧発生回路が用いられる。この
補正電圧波形発生回路により形成された鋸歯状の補正電
圧dは、抵抗とキャパシタとを介して、その交流成分が
前述したような抵抗R13〜R15やサーミスタRS1からなる
視角補正電圧発生回路により形成された直流的な補正電
圧に重畳される。すなわち、上記補正電圧dは、第2階
調に対応した補正電圧V2に重畳され、ボルテージフォロ
ワ形態のバッファアンプIC2の入力(+)に供給され
る。これにより、実際に多階調の表示に用いられる液晶
駆動電圧V2〜V7は、その表示位置が下になるにつれて上
記鋸歯状の補正電圧dが重畳されることに応じて低下
し、前述のような視覚補正を液晶の垂直方向の走査タイ
ミングに同期してダイナミックに補正することができる
ものとなる。
As the correction voltage waveform generation circuit, a correction voltage generation circuit using the integration circuit shown in FIG. 27 is used. The correction voltage waveform generating circuit sawtooth correction voltage d formed by the resistor and through a capacitor, the viewing angle compensation voltage generation whose AC component is composed of a resistor R 13 to R 15 and a thermistor R S1 as described above It is superimposed on the DC correction voltage formed by the circuit. That is, the correction voltage d is superimposed on the correction voltage V 2 corresponding to the second gradation is supplied to the input of the buffer amplifier IC 2 of the voltage follower configuration (+). Thus, the liquid crystal driving voltage V 2 ~V 7 used in the actual display of the multi-tone is reduced and the display position in response to the above sawtooth correction voltage d as facing down is superimposed, above Such visual correction can be dynamically corrected in synchronization with the vertical scanning timing of the liquid crystal.

なお、同図における補正電圧波形発生回路に入力され
るクロックパルスCL1は、上記第27図に示されたリニア
回路から構成される補正用電圧発生回路には使用れな
い。
Note that the clock pulse CL1 input to the correction voltage waveform generation circuit in the figure is not used in the correction voltage generation circuit composed of the linear circuit shown in FIG.

第29図には、上記TFTパネルの上下方向の視角差に対
応した補正用電圧発生回路の他の一実施例のブロック図
が示されている。
FIG. 29 is a block diagram showing another embodiment of the correction voltage generation circuit corresponding to the vertical viewing angle difference of the TFT panel.

この実施例では、ディジタル回路技術が利用される。
カウンタは、クロックパルスCL1を計数する2進のカウ
ンタであり、そのリセット端子RSTにはフレームパルスF
LMがインバータ回路を通して反転されて供給される。こ
れにより、カウンタは、フレーム毎にリセットされる。
上記のような計数動作とリセット動作から、カウンタ
は、TFTパネルの選択される走査線の数を計数すること
が理解されよう。
In this embodiment, digital circuit technology is used.
The counter is a binary counter for counting the clock pulse CL1, and its reset terminal RST has a frame pulse F1.
LM is inverted and supplied through an inverter circuit. Thus, the counter is reset every frame.
From the above counting operation and resetting operation, it will be understood that the counter counts the number of selected scanning lines of the TFT panel.

上記カウンタの計数出力C0〜Cnは、ROM(リード・オ
ンリー・メモリ)により構成されるデコーダ回路に入力
され、ここで走査線のアドレスに対応したディジタル信
号D0〜D7に変換される。すなわち、上記のような8ビッ
トの信号により、256通りのアドレスに変換される。例
えば、TFTパネルの走査線の数が約500本であると2本ず
つに1つのアドレスが割り当てられるように変換され、
約1000本であると4本ずつに1つのアドレスが割り当て
られるよう変換される。
Count output C 0 -C n of the counter is input to the decoder circuit constituted by a ROM (read only memory), where it is converted into a digital signal D 0 to D 7 corresponding to the address of the scan line . That is, the address is converted into 256 kinds of addresses by the 8-bit signal as described above. For example, if the number of scanning lines on a TFT panel is about 500, conversion is performed so that one address is assigned to every two lines,
If the number is about 1000, conversion is performed so that one address is assigned to every four addresses.

上記ROMにより変換された8ビットからなるディジタ
ル信号D0〜D7は、ディジタル/アナログ変換回路(以
下、単にD/Aコンバータと称する)に入力される。このD
/Aコンバータは、上記クロックパルスCL1に同期して入
力ディジタル信号を取り込み、そのディジタル値に対応
した前記同様な鋸歯状のアナログ電圧を形成して出力す
る。このD/A変換動作において、前記実施例と同様に時
間の経過とともに電圧レベルが低下するような鋸歯状の
電圧を形成するため、クロックパルスCL1を計数するカ
ウンタとしてダウンカウンタを用いるか、又はROMにお
いて最大値から最小値に変化するようなデコード動作を
行わせて上記のようなディジタル信号D0〜D7を形成すれ
ばよい。
Digital signal D 0 to D 7 of 8 bits converted by the ROM, the digital / analog conversion circuit (hereinafter, simply referred to as D / A converter) is input to. This D
The / A converter captures the input digital signal in synchronization with the clock pulse CL1, forms a similar saw-tooth analog voltage corresponding to the digital value, and outputs the analog voltage. In this D / A conversion operation, a down counter is used as a counter for counting the clock pulse CL1, or a ROM is used in order to form a saw-tooth voltage in which the voltage level decreases with the passage of time as in the above-described embodiment. and to perform a decoding operation that varies from the maximum value to the minimum value may be formed digital signal D 0 to D 7 as described above in.

上記D/Aコンバータの出力AOから得られる鋸歯状の電
圧信号は、演算増幅回路を用いた増幅器を通して動的な
視角補正電圧dとして前記同様に駆動電圧発生回路に供
給される。上記増幅器はバッファアンプとして作用する
ことの他、その利得を調整することにより、動的な視角
補正量の調整にも利用される。
The sawtooth voltage signal obtained from the output AO of the D / A converter is supplied to the drive voltage generating circuit in the same manner as described above as a dynamic viewing angle correction voltage d through an amplifier using an operational amplifier circuit. The amplifier is used not only as a buffer amplifier, but also for adjusting the visual angle correction amount dynamically by adjusting the gain.

なお、上記の視角補正量の設定の仕方としては、上部
と下部においてそれぞれ静的な補正電圧を求め、その差
電圧をピークとするような鋸歯状の電圧を形成すればよ
い。あるいは、表示画面を見ながら鋸歯状電圧を出力さ
せる増幅回路の利得を調整することにより行うようにす
ればよい。
As a method of setting the visual angle correction amount, a static correction voltage may be obtained in each of the upper part and the lower part, and a saw-tooth voltage may be formed such that the difference voltage has a peak. Alternatively, the adjustment may be performed by adjusting the gain of the amplifier circuit that outputs the sawtooth voltage while watching the display screen.

第30図には、この発明に係る多階調液晶表示装置を用
いたラップトップ型(又はブック型)のマイクロコンピ
ュータの一実施例の概略斜視図が示されている。
FIG. 30 is a schematic perspective view of one embodiment of a laptop (or book) microcomputer using the multi-tone liquid crystal display device according to the present invention.

この実施例のマイクロコンピュータは、キーボード30
を本体とし、可変手段20により液晶モジュール(以下、
多階調液晶表示装置という)10を開閉可能にするもので
ある。すなわち、マイクロコンピュータを使用しないと
きやそれを持ち運ぶときには、多階調液晶表示装置10を
キーボードの部分と重合わせるようにして閉じる。そし
て、マイクロコンピュータを使用するときには、本体と
してのキーボード30と多階調液晶表示装置10とを開き、
同図のようにセットするものである。
The microcomputer of this embodiment includes a keyboard 30
As a main unit, and a liquid crystal module (hereinafter, referred to as
A multi-tone liquid crystal display device 10) can be opened and closed. That is, when not using or carrying the microcomputer, the multi-tone liquid crystal display device 10 is closed so as to overlap the keyboard portion. Then, when using the microcomputer, open the keyboard 30 and the multi-tone liquid crystal display device 10 as the main body,
It is set as shown in FIG.

このとき、使用する場所において、天井の照明や明る
い窓外の景色等が表示画面に反射して文字等の読み取り
を煩わしくする場合がしばしば生じる。このようなとき
には、一般的には可変手段20を操作して、多階調液晶表
示装置を垂直に近い状態にたてて、言い換えるならば、
多階調液晶表示装置の開放角度を小さくして、表示画面
を上側から見るようになることが多い。このときには、
前述のような視角調整用のボリュームを操作することに
より、白黒表示のときには正しい階調により、カラー表
示のときには正しい色調により表示画面を見ることがで
きる。
At this time, in a place where the apparatus is used, lighting of a ceiling, scenery outside a bright window, and the like are often reflected on a display screen, which makes reading of characters and the like troublesome. In such a case, generally, the variable means 20 is operated to set the multi-gradation liquid crystal display device in a state close to vertical, in other words,
In many cases, the open angle of the multi-tone liquid crystal display device is reduced so that the display screen is viewed from above. At this time,
By operating the viewing angle adjustment volume as described above, the display screen can be viewed with the correct gradation for monochrome display and with the correct color tone for color display.

例えば、マイクロコンピュータをデスクの上において
使うことを想定すると、上記キーボード本体30に対する
多階調液晶表示装置の開放角度を調整する可変手段20に
角度センサーを設け、このセンサーにより検出信号によ
り視角補正電圧を自動的に変化させる。このようにすれ
ば、マイクロコンピュータを同一人が使うときには、一
度上記のようなボリューム操作により視角補正を行え
ば、あとは多階調液晶表示装置10の開放角度を変えても
自動的に視角補正が行えるようにできる。
For example, assuming that the microcomputer is used on a desk, an angle sensor is provided in the variable means 20 for adjusting the open angle of the multi-tone liquid crystal display device with respect to the keyboard main body 30, and the sensor corrects the viewing angle correction voltage by a detection signal. Is automatically changed. In this way, when the same person uses the microcomputer, once the visual angle correction is performed by the above-described volume operation, the visual angle correction is automatically performed even when the opening angle of the multi-tone liquid crystal display device 10 is changed. Can be performed.

また、多階調液晶表示装置10の画面を大型化した場合
には、上記上下方向の視角が異なることより、階調ない
し色調が変化する場合があるが、前記のような動的な視
角補正を行うようにすることによって、常に正しい階調
ないし色調による表示が可能となるものである。
Further, when the screen of the multi-tone liquid crystal display device 10 is enlarged, the gradation or the color tone may change due to the difference in the vertical viewing angle, but the dynamic viewing angle correction as described above is performed. Is performed, it is possible to always perform display with correct gradation or color tone.

上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りで
ある。すなわち、 (1)液晶表示パネルに対して上下方向に異なる少なく
とも2つの視角に対応した輝度−電圧特性の傾きにそれ
ぞれ沿った直線の延長線上での交点から近似的な基準電
圧を求め、上記視角に対応して変化させられる電圧を形
成して、この電圧に連動した分圧電圧により補正された
多階調表示のための駆動電圧を形成することにより、1
個所の調整により多階調のための複数の駆動電圧をその
視角に対応した輝度−電圧特性の傾きに沿って変化させ
ることができるから、視角の上下方向の変化に対する階
調表示の調整が簡単にしかも正確にできるという効果が
得られる。
The operational effects obtained from the above embodiment are as follows. That is, (1) an approximate reference voltage is obtained from an intersection on an extension line of a straight line along a slope of a luminance-voltage characteristic corresponding to at least two viewing angles different from each other in a vertical direction with respect to the liquid crystal display panel, and the viewing angle is determined. And a driving voltage for multi-gradation display corrected by a divided voltage linked to this voltage is formed, thereby obtaining 1
By adjusting the location, a plurality of driving voltages for multiple gradations can be changed along the gradient of the luminance-voltage characteristic corresponding to the viewing angle, so that the gradation display can be easily adjusted with respect to the vertical change of the viewing angle. In addition, the effect of being able to be performed accurately is obtained.

(2)上記近似的に求められた基準電圧に対して上記視
角に対応して変化させられる電圧に連動した多階調表示
用の駆動電圧を形成する分圧回路に、液晶の交流化信号
に従い極性反転させた動作電圧をスイッチ回路を介して
供給することにより、簡単な構成により液晶の交流駆動
電圧を発生させることができるという効果が得られる。
(2) A voltage dividing circuit that forms a drive voltage for multi-tone display linked to a voltage that is changed in accordance with the viewing angle with respect to the reference voltage that is approximately determined, in accordance with an alternating signal of the liquid crystal. By supplying the operation voltage whose polarity has been inverted through the switch circuit, it is possible to obtain an effect that an AC drive voltage for the liquid crystal can be generated with a simple configuration.

(3)上記分圧回路により形成された多階調用の駆動電
圧をボルテージフォロワ回路と、位相反転を行う反転増
幅回路を介して出力させ、液晶パネルの1つおきの信号
線にそれぞれ対応して上下に振り分けられた駆動回路に
対応してそれぞれ供給することにより、簡単な構成によ
り容量カップリングの影響の少ない書き込み電圧を得る
ことができるという効果が得られる。
(3) The multi-gradation drive voltage formed by the voltage dividing circuit is output through a voltage follower circuit and an inverting amplifier circuit that performs phase inversion, and the output voltage corresponds to every other signal line of the liquid crystal panel. By supplying each of the drive circuits corresponding to the vertically divided drive circuits, it is possible to obtain a write voltage with a simple configuration that is less affected by capacitive coupling.

(4)上記分圧回路は2つの分圧回路からなり、一方の
分圧回路には上記スイッチ回路を通して交流化信号に従
って極性が反転される動作電圧を供給し、他方の分圧回
路には極性反転増幅回路を介して動作電圧を供給して、
これら2つの分圧回路の分圧出力電圧をボルテージフォ
ロワ回路を介して液晶パネルの1つおきの信号線にそれ
ぞれ対応して上下に振り分けられた駆動回路に対応して
供給することにより、バッファアンプの簡素化が可能に
なるという効果が得られる。
(4) The voltage dividing circuit comprises two voltage dividing circuits. One of the voltage dividing circuits is supplied with an operating voltage whose polarity is inverted according to the AC signal through the switch circuit, and the other voltage dividing circuit is supplied with the polarity. Supply the operating voltage via the inverting amplifier circuit,
By supplying the divided output voltages of these two voltage divider circuits via the voltage follower circuit to the drive circuits divided up and down corresponding to every other signal line of the liquid crystal panel, respectively, the buffer amplifier is provided. The effect that simplification becomes possible is obtained.

(5)上記基準電圧は、その温度依存性に対応した温度
補償回路により自動的に補償することにより、調整個所
を実質的に1個所とすることができるという効果が得ら
れる。
(5) By automatically compensating the reference voltage by a temperature compensation circuit corresponding to the temperature dependency, it is possible to obtain an effect that the number of adjustment points can be substantially one.

(6)上記分圧回路には、視角補正及び温度補償用が行
われた動作電圧を低出力インピーダンスのバッファアン
プを介して供給することにより、分圧回路と比較補正用
及び温度補償回路と実質的に分離できるから、それぞれ
の電圧設定が容易にできるという効果が得られる。
(6) By supplying the operating voltage subjected to the viewing angle correction and the temperature compensation to the voltage dividing circuit via a buffer amplifier having a low output impedance, the voltage dividing circuit and the voltage compensating circuit and the temperature compensating circuit are compared with each other. Therefore, it is possible to easily set the respective voltages.

(7)上記液晶交流化駆動電圧を形成するためのスイッ
チ回路を通した電圧は、TFTトランジスタの実効的なし
きい値電圧に見合った双方向のレベルシフト電圧を形成
するレベルシフト回路に供給され、このレベルシフト回
路を介して液晶の信号線に与えられる絶対値的な最大駆
動電圧を形成することにより、画素対して確実な書き込
みが可能になるという効果が得られる。
(7) The voltage passed through the switch circuit for forming the liquid crystal AC drive voltage is supplied to a level shift circuit for forming a bidirectional level shift voltage corresponding to the effective threshold voltage of the TFT transistor, By forming an absolute maximum driving voltage applied to the liquid crystal signal line via the level shift circuit, an effect that reliable writing to pixels can be obtained is obtained.

(8)多階調用の駆動電圧を発生させる電源回路が搭載
された実装基板を、液晶表示パネルの裏面側にバックラ
イトを挟むように重合わせて配置することにより、正面
側からみたサイズの大型化を防ぐことができるという効
果が得られる。
(8) The mounting substrate on which the power supply circuit for generating the driving voltage for multi-gradation is mounted is superposed on the back side of the liquid crystal display panel so as to sandwich the backlight, thereby providing a large size as viewed from the front side. The effect is obtained that it is possible to prevent the conversion.

以上本発明者によりなされた発明を実施例に基づいて
具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。例えば、各階調の電
圧は、等分されるものである必要はなく、必要に応じて
オフセットを持つようにしてもよい。すなわち、分圧抵
抗回路の分圧比に多少のずれを持たせるようにしてもよ
い。階調は8階調の他4階調のように設定するものであ
ってもよい。例えば、4階調にしたときには、カラー表
示では4×4×4=64色のカラー表示が可能になる。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention of the present application is not limited to the embodiment, and it can be said that various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Not even. For example, the voltages of each gradation need not be equally divided, and may have an offset as needed. That is, the voltage dividing ratio of the voltage dividing resistance circuit may be slightly shifted. The gray levels may be set to 8 gray levels or 4 gray levels. For example, when four gradations are used, color display of 4 × 4 × 4 = 64 colors is possible.

基準電圧や温度補償用の電圧を発生させる回路は、多
階調用の駆動電圧を発生させる分圧回路に対して直列に
挿入するものであってもよい。この場合、基準電圧や温
度補償用の電圧発生回路としてレベルシフト回路を利用
することができる。
The circuit for generating the reference voltage and the voltage for temperature compensation may be inserted in series with the voltage dividing circuit for generating the driving voltage for multiple gradations. In this case, a level shift circuit can be used as a reference voltage or a voltage generation circuit for temperature compensation.

多階調液晶表示装置はカラーテレビジョン受像機に利
用するものであってもよい。ただし、前記のような駆動
電圧発生回路を用いるものであるため、RGBに分離され
た映像信号がそれぞれ3ビットづつのディジタル信号に
変換されていればよい。この場合、テレビジョン用の映
像信号はインタレースモードにより形成されるから、そ
の映像信号をいったんフレームメモリに記憶させ、奇数
フレームに対応して画素に対して正方向の電圧を書き込
み、偶数フレームに対応して負方向の電圧を書き込むよ
うにすればよい。
The multi-tone liquid crystal display device may be used for a color television receiver. However, since the above-described drive voltage generating circuit is used, it is only necessary that the video signals separated into RGB are converted into digital signals of 3 bits each. In this case, since the video signal for television is formed in the interlaced mode, the video signal is temporarily stored in the frame memory, a positive voltage is written to the pixel corresponding to the odd frame, and the video signal is written in the even frame. A negative voltage may be written accordingly.

また、基準電圧と視角補正電圧は、液晶にアナログ電
圧を書き込むときにも利用できる。すなわち、アナログ
電圧の黒レベルを第1図に示したような視角補正電圧VK
により調整し、白レベルがしきい値電圧VTHに対応した
ものにすればよい。すなわち、アナログ信号の振幅が上
記電圧VK〜VTHの範囲で変化させればよい。すなわち、
この発明では、上記のようなアナログ信号も実質的な階
調表示の一つの形態として捕えられるものである。この
場合でも、視角に対する色調の補正が同様に簡単にしか
も正確に行えるものとなる。
The reference voltage and the viewing angle correction voltage can also be used when writing an analog voltage to the liquid crystal. That is, the black level of the analog voltage is changed to the viewing angle correction voltage V K as shown in FIG.
To adjust the white level to correspond to the threshold voltage VTH . That is, the amplitude of the analog signal may be changed in the range of the voltage V K ~V TH. That is,
In the present invention, the analog signal as described above is also captured as one form of a substantial gradation display. Even in this case, the color tone can be easily and accurately corrected for the viewing angle.

この発明は、多階調液晶表示装置とその駆動電圧発生
回路にに広く利用できるものである。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely used for a multi-tone liquid crystal display device and a drive voltage generation circuit thereof.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。すなわち、液晶表示パネルに対して上下方向に異な
る少なくとも2つの視角に対応した輝度−電圧特性の傾
きにそれぞれ沿った直線の延長線上での交点から近似的
な基準電圧を求め、上記視角に対応して変化させられる
電圧を形成して、この電圧に連動した分圧電圧により補
正された多階調表示のための駆動電圧を形成することに
より、1個所の調整により多階調のための複数の駆動電
圧をその視角に対応した輝度−電圧特性の傾きに沿って
変化させることができるから、視角の上下方向の変化に
対する階調表示の調整が簡単にしかも正確にできる。そ
して、多階調表示用の駆動電圧を形成する分圧回路に対
して、液晶の交流化信号に従い極性反転させた動作電圧
をスイッチ回路を介して供給することにより、簡単な構
成により交流駆動電圧を発生させることができる。
The effect obtained by the representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, an approximate reference voltage is obtained from an intersection on an extension line of a straight line along the slope of the luminance-voltage characteristic corresponding to at least two viewing angles different from each other in the vertical direction with respect to the liquid crystal display panel, and the approximate reference voltage is obtained. To form a drive voltage for multi-tone display corrected by the divided voltage in conjunction with the voltage, thereby forming a plurality of voltages for multi-tone display by one adjustment. Since the drive voltage can be changed along the gradient of the luminance-voltage characteristic corresponding to the viewing angle, the gradation display can be easily and accurately adjusted with respect to the vertical change of the viewing angle. Then, an operation voltage whose polarity is inverted according to the AC signal of the liquid crystal is supplied to a voltage dividing circuit for forming a driving voltage for multi-gradation display through a switch circuit, so that the AC driving voltage can be easily configured. Can be generated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、この発明に係る液晶の多階調表示における視
角補正方式の原理を説明するための特性図、 第2図は、多階調表示におけく視角補正機能を持つ駆動
電圧発生回路の一実施例を示す基本的回路図、 第3図は、上記電圧可変手段1を用いた調整による輝度
−視角曲線図、 第4図は、この発明に係る液晶の多階調表示における温
度特性を考慮した視角補正方式の原理を説明するための
特性図、 第5図は、上記電圧可変手段1と2を用いた電圧調整に
よる輝度−視角曲線図、 第6図は、多階調表示のための液晶駆動電圧の基本的な
一実施例を示す回路図、 第7図は、この発明に係るTFT液晶表示装置の一実施例
を示すブロック図、 第8図は、ドレインドライバーの要部一実施例を示すブ
ロック図、 第9図は、この発明に係る多階調液晶表示装置における
マザーボードの一実施例を示す回路図、 第10図は、上記駆動電圧発生回路の一実施例を示す回路
図、 第11図は、上記駆動電圧発生回路の他の一実施例を示す
回路図、 第12図は、上記TFTパネルの動作の一例を説明するため
の駆動波形図、 第13図は、上記電源安定化回路の一実施例を示す回路
図、 第14図は、この発明に係る多階調液晶表示装置の一実施
例を示す背面図、 第15図は、この発明に係る多階調液晶表示装置の他の一
実施例を示す正面図、 第16図は、上記多階調液晶表示装置の他の一実施例の側
面図、 第17図は、上記多階調液晶表示装置の他の一実施例の背
面図、 第18A図は、この発明が適用されるアクティブ・マトリ
ックス方式カラー液晶表示装置の1画素とその周辺部の
一実施例の平面図、 第18B図は、上記第18A図のII B−II B切断線における一
実施例の断面と表示パネルのシール部分付近の断面図、 第18C図は、上記第18A図のII C−II C切断線における一
実施例の断面図、 第19図は、上記第18A図に示す画素を複数配置したとき
の一実施例を示す平面図、 第20図ないし第22図は、第18A図に示す所定の層のみを
描いた平面図、 第23図は、第19図に示す画素電極層とカラーフィルタ層
のみを描いた平面図、 第24図は、アクティブ・マトリックス方式のカラー液晶
表示装置の液晶表示部を示す等価回路図、 第25図は、第18A図に記載された画素の等価回路図、 第26図は、この発明に係る多階調液晶表示装置の他の一
実施例を説明するための概念図、 第27図は、TFTパネルの上下方向の視角差に対応した補
正用電圧発生回路の一実施例を示す回路図、 第28図は、TFTパネルの上下方向の視角差に対応した補
正用電圧発生回路を含む駆動電圧発生回路の一実施例を
示す回路図、 第29図は、TFTパネルの上下方向の視角差に対応した補
正用電圧発生回路の他の一実施例を示すブロック図、 第30図は、この発明に係る多階調液晶表示装置を用いた
ラップトップ型マイクロコンピュータの一実施例を示す
概略斜視図、 第31図は、液晶の視角範囲を説明するための特性図であ
る。 VOFF……基準電圧、VK……視角補正電圧、VTH……しき
い値電圧、V1〜V8……多階調駆動電圧、SW1,SW2……ス
イッチ、TCON3……タイミングコンバータ、FPC……フレ
キシブル配線、OP1,OP2……演算増幅回路、ROM……デコ
ーダ SUB……透明ガラス基板、GL……走査信号線、DL……映
像信号線、GI……絶縁膜、GT……ゲート電極、AS……i
型半導体層、SD……ソース電極又はドレイン電極、PSV
……保護膜、LS……遮光膜、LC……液晶、TFT……薄膜
トランジスタ、ITO……透明電極、g,d……導電膜、Cadd
……保持容量素子、Cgs……重ね合わ容量、Cpix……液
晶容量(英文字の後の数字の添字は省略)。
FIG. 1 is a characteristic diagram for explaining the principle of a viewing angle correction method in multi-gradation display of a liquid crystal according to the present invention, and FIG. 2 is a drive voltage generating circuit having a viewing angle correction function in multi-gradation display. FIG. 3 is a luminance-viewing angle curve diagram obtained by adjustment using the voltage variable means 1, and FIG. 4 is a temperature characteristic in a multi-tone display of a liquid crystal according to the present invention. FIG. 5 is a characteristic diagram for explaining the principle of the viewing angle correction method in consideration of the above, FIG. 5 is a luminance-viewing angle curve diagram by voltage adjustment using the voltage variable means 1 and 2, and FIG. FIG. 7 is a circuit diagram showing a basic embodiment of a liquid crystal drive voltage for the present invention, FIG. 7 is a block diagram showing an embodiment of a TFT liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. FIG. 9 is a block diagram showing an embodiment, and FIG. 9 is a multi-tone liquid crystal table according to the present invention. FIG. 10 is a circuit diagram showing one embodiment of the drive voltage generation circuit, and FIG. 11 is a circuit diagram showing another embodiment of the drive voltage generation circuit. FIG. 12, FIG. 12 is a driving waveform diagram for explaining an example of the operation of the TFT panel, FIG. 13 is a circuit diagram showing one embodiment of the power supply stabilizing circuit, and FIG. Rear view showing one embodiment of the multi-tone liquid crystal display device according to the present invention, FIG. 15 is a front view showing another embodiment of the multi-tone liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. 17 is a side view of another embodiment of the liquid crystal display device, FIG. 17 is a rear view of another embodiment of the multi-tone liquid crystal display device, and FIG. 18A is an active matrix to which the present invention is applied. FIG. 18B is a plan view of one embodiment of one pixel and its peripheral portion of the system color liquid crystal display device. FIG. 18C is a cross-sectional view of an embodiment taken along the line IIC-IIC in FIG. 18A, and FIG. FIG. 18A is a plan view showing an embodiment in which a plurality of pixels are arranged, FIG. 20 to FIG. 22 are plan views depicting only predetermined layers shown in FIG. 18A, FIG. FIG. 19 is a plan view showing only a pixel electrode layer and a color filter layer shown in FIG. 19; FIG. 24 is an equivalent circuit diagram showing a liquid crystal display portion of an active matrix type color liquid crystal display device; FIG. 18A is an equivalent circuit diagram of the pixel shown in FIG. 18A, FIG. 26 is a conceptual diagram for explaining another embodiment of the multi-tone liquid crystal display device according to the present invention, FIG. FIG. 28 is a circuit diagram showing one embodiment of a correction voltage generating circuit corresponding to the viewing angle difference in the direction, FIG. FIG. 29 is a circuit diagram showing an embodiment of a drive voltage generation circuit including a correction voltage generation circuit corresponding to an angle difference. FIG. 29 is another circuit diagram of a correction voltage generation circuit corresponding to a vertical viewing angle difference of a TFT panel. FIG. 30 is a block diagram showing an embodiment, FIG. 30 is a schematic perspective view showing an embodiment of a laptop microcomputer using the multi-tone liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. FIG. 4 is a characteristic diagram for explaining. V OFF … Reference voltage, V K … Viewing angle correction voltage, V TH … Threshold voltage, V 1 to V 8 … Multi-grayscale drive voltage, SW1, SW2… Switch, TCON3… Timing converter, FPC: Flexible wiring, OP1, OP2: Operational amplifier circuit, ROM: Decoder SUB: Transparent glass substrate, GL: Scanning signal line, DL: Video signal line, GI: Insulating film, GT: Gate Electrode, AS ... i
Type semiconductor layer, SD: Source electrode or drain electrode, PSV
… Protective film, LS… Shielding film, LC… Liquid crystal, TFT… Thin film transistor, ITO… Transparent electrode, g, d… Conductive film, Cadd
…… Retention capacitance element, Cgs …… Overlapping capacitance, Cpix …… Liquid crystal capacitance (subscripts of numbers after English letters are omitted).

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小西 信武 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−235995(JP,A) 特開 昭62−34133(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/133 G09G 3/36 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Nobutake Konishi 4026 Kuji-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-63-135995 (JP, A) JP-A-62-2 34133 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) G02F 1/133 G09G 3/36

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】TFTアクティブマトリックス構成の液晶表
示パネルに対して上下方向に異なる少なくとも2つの視
角に対応した輝度−電圧特性の傾きにそれぞれ沿った直
線の延長線上での交点に基づいて近似的に求められる基
準電圧を発生させる回路と、 上記基準電圧と上記視角に対応して変化させられる補正
電圧とに連動した多階調表示用の駆動電圧を形成する分
圧回路と、 液晶の交流化信号に従い上記基準電圧を発生させる回路
及び分圧回路に極性反転させた動作電圧を供給するスイ
ッチ回路とを含むことを特徴とする多階調液晶表示装
置。
1. A liquid crystal display panel having a TFT active matrix configuration is approximately determined based on intersections on extensions of straight lines respectively extending along slopes of luminance-voltage characteristics corresponding to at least two viewing angles different vertically. A circuit for generating a required reference voltage; a voltage dividing circuit for forming a driving voltage for multi-gradation display interlocked with the reference voltage and a correction voltage that is changed in accordance with the viewing angle; And a switch circuit for supplying a voltage-reversed operating voltage to the voltage dividing circuit.
【請求項2】請求項1において、 上記分圧回路により形成された多階調用の駆動電圧は、
ボルテージワォロワ回路と、上記出力電圧を受けて位相
反転を行う反転増幅回路とにそれぞれ供給され、 上記ボルテージフォロワ回路と反転増幅回路を通して形
成される駆動電圧は、液晶パネルの1つおきの信号線に
それぞれ対応して上下に振り分けられた駆動回路に対応
してそれぞれ供給されるものであることを特徴とする多
階調液晶表示装置。
2. The multi-gradation driving voltage formed by the voltage dividing circuit according to claim 1,
The driving voltage supplied to the voltage follower circuit and the inverting amplifier circuit for receiving the output voltage and inverting the phase is supplied to the signal follower circuit and the inverting amplifier circuit. A multi-gradation liquid crystal display device, which is supplied in correspondence with drive circuits that are allocated up and down in response to the above.
【請求項3】請求項1において、 上記分圧回路は2つの分圧回路からなり、 一方の分圧回路には上記スイッチ回路を通して交流化信
号に従って極性が反転される動作電圧が供給され、他方
の分圧回路には極性反転増幅回路を介して動作電圧が供
給され、 これら2つの分圧回路の分圧出力電圧は、それぞれボル
テージフォロワ回路を介して液晶パネルの1つおきの信
号線にそれぞれ対応して上下に振り分けられた駆動回路
に対応して供給されるものであることを特徴とする多階
調液晶表示装置。
3. The voltage dividing circuit according to claim 1, wherein the voltage dividing circuit comprises two voltage dividing circuits, and one of the voltage dividing circuits is supplied with an operating voltage whose polarity is inverted according to an AC signal through the switch circuit. The operating voltage is supplied to the voltage dividing circuit via a polarity inversion amplifier circuit, and the divided output voltages of these two voltage dividing circuits are respectively applied to every other signal line of the liquid crystal panel via a voltage follower circuit. A multi-gradation liquid crystal display device, which is supplied corresponding to a drive circuit which is correspondingly divided up and down.
【請求項4】請求項1において、 上記基準電圧は、その温度依存性に対応した温度補償回
路により自動的に温度補償されるものであることを特徴
とする多階調液晶表示装置。
4. The multi-gradation liquid crystal display device according to claim 1, wherein the reference voltage is automatically temperature-compensated by a temperature compensation circuit corresponding to the temperature dependency.
【請求項5】請求項1において、 上記分圧回路には、動作電圧が低出力インピーダンスの
バッファアンプを介して供給されるものであることを特
徴とする多階調液晶表示装置。
5. The multi-gradation liquid crystal display device according to claim 1, wherein an operating voltage is supplied to said voltage dividing circuit via a buffer amplifier having a low output impedance.
【請求項6】請求項1ないし3のいずれかにおいて、 上記液晶交流化駆動電圧を形成するためのスイッチ回路
を通した電圧は、TFTトランジスタの実効的なしきい値
電圧に見合った双方向のレベルシフト電圧を形成するレ
ベルシフト回路に供給され、 このレベルシフト回路を介して液晶の信号線に与えられ
る絶対値的な最大駆動電圧を形成するものであることを
特徴とする多階調液晶表示装置。
6. The liquid crystal display according to claim 1, wherein a voltage passed through a switch circuit for forming the liquid crystal alternating drive voltage is a bidirectional level corresponding to an effective threshold voltage of the TFT transistor. A multi-tone liquid crystal display device, which is supplied to a level shift circuit for forming a shift voltage, and forms an absolute maximum drive voltage applied to a liquid crystal signal line via the level shift circuit. .
【請求項7】請求項1ないし3のいずれかにおいて、 上記液晶の交流化信号によりスイッチ制御されるスイッ
チ回路を介して極性の切り替えが行われる電圧を視角補
正又は温度補償電圧発生回路に供給し、そこで発生され
た電圧を低出力インピーダンスのバッファアンプを通し
て多階調用の駆動電圧を形成する分圧回路に与えるもの
であることを特徴とする多階調液晶表示装置。
7. A voltage for switching polarity through a switch circuit controlled by an alternating signal of the liquid crystal according to any one of claims 1 to 3, is supplied to a viewing angle correction or temperature compensation voltage generation circuit. A multi-gradation liquid crystal display device wherein the generated voltage is supplied to a voltage dividing circuit for forming a multi-gradation driving voltage through a buffer amplifier having a low output impedance.
【請求項8】ゲート配線群、及びドレイン配線群を有す
るTFTアクティブマトリックス構成の液晶表示パネル
と、上記ゲート配線群を駆動するゲート線駆動手段と、
上記ドレイン配線群を駆動するドレイン線駆動手段とか
ら構成される多階調液晶表示装置において、 中間調表示輝度に対応する各々の駆動電圧は、電圧分割
手段から生成され、 最大及び最小振幅の駆動電圧は、上記電圧分割手段を介
さずに生成され、 更に、これらの駆動電圧は上記ドレイン線駆動手段に供
給され、 かつ、上記最大振幅の駆動電圧及び中間調表示用駆動電
圧の各々を周期的に2レベル電圧間で切り替わるよう
に、上記ドレイン線駆動手段の外部に配置されたスイッ
チ手段を有することを特徴とする多階調液晶表示装置。
8. A liquid crystal display panel having a TFT active matrix configuration having a group of gate lines and a group of drain lines, and gate line driving means for driving the group of gate lines.
In the multi-tone liquid crystal display device comprising the drain line driving means for driving the drain wiring group, each driving voltage corresponding to the halftone display luminance is generated from the voltage dividing means, and the driving voltage of the maximum and the minimum amplitude is generated. The voltage is generated without passing through the voltage dividing means. Further, these driving voltages are supplied to the drain line driving means, and the driving voltage having the maximum amplitude and the driving voltage for halftone display are periodically generated. And a switch means disposed outside the drain line driving means so as to switch between two-level voltages.
【請求項9】請求項8において、 上記電圧分割手段は、複数の抵抗素子を直列に接続した
ものであることを特徴とする多階調液晶表示装置。
9. A multi-gradation liquid crystal display device according to claim 8, wherein said voltage dividing means comprises a plurality of resistance elements connected in series.
【請求項10】ゲート配線群、及びドレイン配線群を有
するTFTアクティブマトリックス構成の液晶表示パネル
と、上記ゲート配線群を駆動するゲート線駆動手段と、
上記ドレイン配線群を駆動するドレイン線駆動手段とか
ら構成される多階調液晶表示装置において、 中間調表示輝度に対応する各々の駆動電圧は、電圧分割
手段から生成され、 最大及び最小振幅の駆動電圧は、上記電圧分割手段を介
さずに生成され、 更に、これらの駆動電圧は上記ドレイン線駆動手段に供
給され、 かつ、上記最大及び最小振幅の駆動電圧の各々は、最小
及び最大表示輝度に対応し、最小表示輝度に対応する最
大振幅の駆動電圧は、表示輝度零の近傍で、駆動電圧の
振幅を上昇させるにつれ、表示輝度が上昇するという特
性曲線の跳ね返り特性の影響を受けないように十分なマ
ージンをとって設定していることを特徴とする多階調液
晶表示装置。
10. A liquid crystal display panel having a TFT active matrix configuration having a group of gate lines and a group of drain lines, and gate line driving means for driving the group of gate lines.
In the multi-tone liquid crystal display device comprising the drain line driving means for driving the drain wiring group, each driving voltage corresponding to the halftone display luminance is generated from the voltage dividing means, and the driving voltage of the maximum and the minimum amplitude is generated. Voltages are generated without passing through the voltage dividing means.Furthermore, these driving voltages are supplied to the drain line driving means, and the driving voltages having the maximum and minimum amplitudes are respectively set to minimum and maximum display brightness. Correspondingly, the driving voltage having the maximum amplitude corresponding to the minimum display luminance is not affected by the rebound characteristic of the characteristic curve that the display luminance increases as the amplitude of the driving voltage increases near the display luminance of zero. A multi-gradation liquid crystal display device characterized by setting with a sufficient margin.
【請求項11】ゲート配線群、及びドレイン配線群を有
するTFTアクティブマトリックス構成の液晶表示パネル
と、上記ゲート配線群を駆動するゲート線駆動手段と、
上記ドレイン配線群を駆動するドレイン線駆動手段とか
ら構成される多階調液晶表示装置において、 中間調表示輝度に対応する各々の駆動電圧は、電圧分割
手段から生成され、 最大及び最小振幅の駆動電圧は、上記電圧分割手段を介
さずに生成され、 更に、これらの駆動電圧は上記ドレイン線駆動手段に供
給され、 かつ、上記最大振幅の駆動電圧及び中間調表示用駆動電
圧の全ては、どの駆動時間においても、上記最小振幅の
駆動電圧に対して、正側あるいは負側に電圧設定される
ことを特徴とする多階調液晶表示装置。
11. A liquid crystal display panel having a TFT active matrix configuration having a group of gate lines and a group of drain lines, and gate line driving means for driving the group of gate lines.
In the multi-tone liquid crystal display device comprising the drain line driving means for driving the drain wiring group, each driving voltage corresponding to the halftone display luminance is generated from the voltage dividing means, and the driving voltage of the maximum and the minimum amplitude is generated. The voltage is generated without passing through the voltage dividing means.Furthermore, these driving voltages are supplied to the drain line driving means, and all of the maximum amplitude driving voltage and the halftone display driving voltage are A multi-gradation liquid crystal display device wherein a voltage is set to a positive side or a negative side with respect to the driving voltage having the minimum amplitude also in a driving time.
【請求項12】請求項11において、 上記スイッチ手段によって、上記最大振幅の駆動電圧及
び中間調表示用駆動電圧の各々を周期的に2レベル電圧
間で切り替える動作期間が、 第1の駆動期間では、上記最大振幅の駆動電圧及び中間
調表示用駆動電圧の各々を上記最小振幅の駆動電圧に対
して、正側に電圧設定されるように、各々の第1電圧に
設定するように切り替える動作期間と、 上記第1の駆動期間と交互に変化する第2の駆動期間で
は、上記最大振幅の駆動電圧及び中間調表示用駆動電圧
の各々を上記最小振幅の駆動電圧に対して、負側に電圧
設定されるように、各々の第2電圧に設定するように切
り替える動作期間とからなることを特徴とする多階調液
晶表示装置。
12. The first driving period according to claim 11, wherein an operation period in which each of the driving voltage having the maximum amplitude and the driving voltage for halftone display is periodically switched between two-level voltages by the switching means is included in the first driving period. An operation period in which each of the maximum amplitude drive voltage and the halftone display drive voltage is set to the first voltage so as to be set to the positive side with respect to the minimum amplitude drive voltage. In the second drive period, which alternates with the first drive period, each of the drive voltage having the maximum amplitude and the drive voltage for halftone display is a negative voltage with respect to the drive voltage having the minimum amplitude. A multi-level liquid crystal display device, comprising: an operation period in which each of the second voltages is set so as to be set.
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