JP2966677B2 - Single crystal growing apparatus and single crystal manufacturing method - Google Patents
Single crystal growing apparatus and single crystal manufacturing methodInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は単結晶育成装置、特には
垂直ブリッジマン法によってSi、Geなどの半導体、
GaAs、InPなどのIII-V族化合物半導体、GdT
e、ZnSeなどの II-IV族化合物半導体、BGO、L
BOなどの酸化物の単結晶を育成する単結晶育成装置、
およびこの装置を使用する単結晶製造方法に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for growing a single crystal, in particular, a semiconductor such as Si, Ge, etc. by the vertical Bridgman method.
III-V compound semiconductors such as GaAs and InP, GdT
e, ZnSe and other II-IV compound semiconductors, BGO, L
A single crystal growing apparatus for growing single crystals of oxides such as BO,
And a method for producing a single crystal using the apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】S、Geなどの半導体、GaAs、In
PなどのIII-V族化合物半導体、GdTe、ZnSeな
どの II-IV属化合物半導体、BGO、LBOなどの酸化
物単結晶の育成は通常、垂直ブリッジマン法、引上げ法
などによって行なわれている。この垂直ブリッジマン法
は縦型容器に原料融液を収容して、該容器を温度勾配を
もった炉内に配置し、下方に移動することによって原料
融液を下方より冷却固化し、単結晶を育成する方法であ
るが、この垂直ブリッジマン法による単結晶育成装置に
ついては炉芯管内において所望の温度を炉芯管の長さ方
向に必要な範囲だけ作るようにして良質の結晶を得るた
めに、加熱装置を炉芯管の両側に長手方向に沿って多数
個の発熱体から構成して発熱体を複数の独立した加熱区
域に分割し、各加熱区域を独立に温度制御するようにし
たものが提案されている(特開平2-221180号公報参
照)。2. Description of the Related Art Semiconductors such as S and Ge, GaAs and In
Growing of III-V group compound semiconductors such as P, II-IV group compound semiconductors such as GdTe and ZnSe, and oxide single crystals such as BGO and LBO are usually performed by a vertical Bridgman method, a pulling method or the like. In this vertical Bridgman method, the raw material melt is housed in a vertical container, the container is placed in a furnace with a temperature gradient, and the raw material melt is cooled and solidified from below by moving it downward, thereby obtaining a single crystal. This single crystal growing apparatus by the vertical Bridgman method is used to obtain a good quality crystal by making a desired temperature in the furnace core tube in a necessary range in the length direction of the furnace core tube. In addition, the heating device was composed of a number of heating elements along the longitudinal direction on both sides of the furnace core tube, the heating elements were divided into a plurality of independent heating sections, and each heating section was independently temperature-controlled. One has been proposed (see JP-A-2-221180).
【0003】また、このブリッジマン法による結晶の成
長方法における結晶の成長速度を決定する因子としては
組成的過冷却の起き易さが知られており、したがって結
晶成長速度を大きくするには結晶成長方向の温度勾配を
大きくする必要があるのであるが、炉芯管の内径が小さ
いときには温度勾配を大きくすることが容易であり、こ
れには例えば1)炉を複数のヒーターに分割し、温度勾
配を大きくしたい位置のヒーターの設定温度を大きくす
る方法、2)温度勾配を大きくしたい位置に熱遮蔽板を
設置する方法、3)温度勾配を大きくしたい位置を水な
どで冷却する方法などが知られている。なお、この炉芯
管が比較的大きい炉については、炉芯管、ルツボ台など
をすべて石英製とし、炉の中の輻射熱を炉の下方から逃
がし易くすることで温度勾配を大きくすることも報告さ
れている[J. Cryst. Growth. 94(1989)373-380 参
照]。As a factor determining the crystal growth rate in the crystal growth method according to the Bridgman method, it is known that compositional supercooling is likely to occur. It is necessary to increase the temperature gradient in the direction, but it is easy to increase the temperature gradient when the inner diameter of the furnace core tube is small. This includes, for example, 1) dividing the furnace into a plurality of heaters, A method of increasing the set temperature of the heater at a position where the temperature gradient is desired to be increased, a method of installing a heat shielding plate at a position where the temperature gradient is desired to be increased, and a method of cooling the position at which the temperature gradient is desired to be cooled with water, etc. ing. For furnaces with a relatively large furnace core tube, it was also reported that the furnace core tube, crucible base, etc., were all made of quartz and that the temperature gradient was increased by facilitating the escape of radiant heat in the furnace from below the furnace. [See J. Cryst. Growth. 94 (1989) 373-380].
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ブリッジマン法による
単結晶の育成は炉内に収容した縦型容器内の原料を一旦
全て溶解し、その後育成する単結晶の融点を挟んだ温度
勾配を徐々に下方に移動することによって行なわれてい
るが、工業的には大口径の単結晶を短時間に育成する必
要があることから、結晶成長が進行している位置での温
度勾配を大きくすることが必要とされる。したがって、
工業的に好ましいブリッジマン炉は炉芯管内径と育成位
置での温度勾配を大きくすると共に、原料を溶融するゾ
ーンの温度を融点からあまり高くならないようにされて
いるが、炉芯管を大きくして大口径の結晶を育成するた
めにはルツボを釣り下げる方式ではなく、ルツボをルツ
ボ台の上に乗せる下支え式のものとする必要がある。In the growth of a single crystal by the Bridgman method, all the raw materials in a vertical vessel housed in a furnace are once melted, and then a temperature gradient is gradually set across the melting point of the single crystal to be grown. Although it is performed by moving downward, industrially it is necessary to grow a large-diameter single crystal in a short time, so it is necessary to increase the temperature gradient at the position where crystal growth is progressing. Needed. Therefore,
An industrially preferred Bridgman furnace is designed to increase the temperature gradient at the inner diameter of the furnace core and at the growing position, and not to raise the temperature of the zone for melting the raw material so much from the melting point. In order to grow large-diameter crystals, it is necessary to adopt a supporting type in which the crucible is placed on a crucible base instead of a method in which the crucible is hung.
【0005】しかし、この下支え式のブリッジマン炉に
おいて、結晶系が3インチ以上の大口径の結晶が育成で
きるように炉芯管内径を 140mmとし、前記した特開平2-
221180号公報に記載されているように加熱装置を多数個
の発熱体で構成し、発熱体を複数の独立した加熱区域に
分割して育成位置での温度勾配を大きくするようにした
ものでは最大の温度勾配が8℃/cmしか取れず、前記し
た文献に記載されているように炉芯管とルツボ台を石英
製のものとしたものについての育成位置での温度勾配も
育成位置が炉の上方に移動するだけで顕著な変化は見ら
れず、石英とすることによって炉温が均熱化することが
できず、原料の過昇温によって原料の分解、好ましくな
い相の出現によって結晶の品質の低下が生じた。However, in this under-supported Bridgman furnace, the inner diameter of the furnace core tube is set to 140 mm so that a crystal having a crystal system of 3 inches or more can be grown.
As described in 221180, the heating device is composed of a large number of heating elements, and the heating element is divided into a plurality of independent heating zones to increase the temperature gradient at the growing position. Temperature gradient of only 8 ° C./cm, and the temperature gradient at the growth position for the furnace core tube and the crucible base made of quartz as described in the above-mentioned document also shows the growth position of the furnace. No remarkable change was seen only by moving upward, the furnace temperature could not be equalized by using quartz, and the quality of the crystal was degraded by the overheating of the raw material, and the appearance of an unfavorable phase caused by the appearance of an undesirable phase. Decreased.
【0006】また、この温度勾配を大きくする手法とし
てはバッフルまたはリフレクターと称する輻射熱を遮る
ものを育成位置付近に設置する方法も知られているが、
この方法ではリフレクターをある程度まで大きくする必
要があるために、炉芯管を大きくしてもリフレクター内
径が小さいと育成できる結晶が径の小さいものになると
いう不利があり、従来公知のブリッジマン炉では大口径
の単結晶を製造することができないという問題点があ
る。As a method of increasing the temperature gradient, a method of installing a baffle or reflector that blocks radiant heat near the growing position is known.
In this method, it is necessary to enlarge the reflector to a certain extent.Therefore, even if the furnace core tube is enlarged, if the inner diameter of the reflector is small, there is a disadvantage that the crystal that can be grown has a small diameter. There is a problem that a single crystal having a large diameter cannot be manufactured.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、問題点を解決した単結晶育成装置および単結晶の製
造方法に関するものであり、この単結晶育成装置は筒状
の炉芯管とこの炉芯管の外側に備えた加熱手段を有し、
ルツボをこの炉芯管の内部に移動させてルツボ内に収納
した単結晶材料を単結晶に育成する装置において、炉芯
管の内壁に沿って複数枚のリフレクターを備えることを
特徴とするものであり、この単結晶の製造方法はこの単
結晶育成装置を使用して単結晶を育成することを特徴と
するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an apparatus for growing a single crystal and a method for producing a single crystal which solves such disadvantages and problems. Having heating means provided outside the furnace core tube,
In an apparatus for moving a crucible into the furnace core tube to grow a single crystal material contained in the crucible into a single crystal, a furnace core is provided.
The present invention is characterized in that a plurality of reflectors are provided along the inner wall of the tube , and the method for producing a single crystal is characterized in that a single crystal is grown using the single crystal growing apparatus. .
【0008】すなわち、本発明者らは垂直ブリッジマン
法によって各種の単結晶を容易に育成する装置を開発す
べく種々検討した結果、これについては筒状の炉芯管と
その外側に備えた加熱手段を有し、この炉芯管の中に単
結晶材料を収納したルツボを入れた垂直ブリッジマン炉
において、この炉芯管の内壁に沿って複数枚のリフレク
ターを設けたところ、リフレクター上部の高温部では保
温性がよくなり、リフレクターによって温度勾配を大き
くすることができ、ブリッジマン炉として最適分布が可
能になるということを見出し、かつ個々のリフレクター
を大きくする必要がなく、リフレクターの内径を大きく
することができるので、このようにしたブリッジマン炉
を使用すれば各種の大型の単結晶を容易に、かつ効率よ
く製造することができることを確認して本発明を完成さ
せた。以下にこれをさらに詳述する。That is, the present inventors have conducted various studies to develop an apparatus for easily growing various types of single crystals by the vertical Bridgman method. In a vertical Bridgman furnace in which a crucible containing a single crystal material is placed in the furnace core tube, a plurality of reflectors are provided along the inner wall of the furnace core tube. In the part, the heat retention is improved, the temperature gradient can be increased by the reflector, it is found that the optimum distribution is possible as a Bridgman furnace, and it is not necessary to increase the size of individual reflectors, and the inner diameter of the reflector is increased it is possible to, easily the so with Bridgman furnace various large single crystal, and be produced efficiently It was completed with the present invention confirmed that you can. This will be described in more detail below.
【0009】[0009]
【作用】本発明は単結晶育成装置および単結晶の製造方
法に関するものであり、この単結晶育成装置は筒状の炉
芯管とこの外側に備えた加熱手段を有し、ルツボをこの
炉芯管の内部に移動させてルツボ内に収納した単結晶材
料を単結晶に育成する装置において、炉芯管の内壁に沿
って複数枚のリフレクターを備えてなることを特徴とす
るものであり、この単結晶製造方法はこの単結晶育成装
置を用いて単結晶を育成することを特徴とするものであ
るが、これによればこの単結晶育成装置がブリッジマン
炉として熱の分布が最適なものとなるので各種単結晶を
容易に、かつ効率よく製造することができるという有利
性が与えられる。The present invention relates to a single crystal growing apparatus and a method for producing a single crystal. The single crystal growing apparatus has a cylindrical furnace core tube and heating means provided on the outside thereof, and the crucible is connected to the furnace core. an apparatus for growing a single crystal of the single crystal material that houses moved in a crucible inside the tube, along the inner wall of the furnace core tube
What is intended to characterized in that it comprises a plurality of reflectors, although the single-crystal manufacturing method is characterized in that for growing a single crystal by using the single crystal growing apparatus, in which According to this, the single crystal growing apparatus has the advantage of being able to easily and efficiently produce various single crystals because the distribution of heat is optimized as a Bridgman furnace.
【0010】本発明の単結晶育成装置は例えば図1に示
したものとされる。図1は本発明の単結晶育成装置の縦
断面図を示したものであり、このものは炉芯管1の外側
にヒーター3を設けると共に、この炉芯管1の中にルツ
ボ4とルツボ台5を設け、さらにこの炉芯管1の内壁に
沿って複数枚のリフレクター6を設け、さらにこの炉芯
管1の上に蓋7を設けてなるものである。The single crystal growing apparatus of the present invention is, for example, as shown in FIG. FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a single crystal growing apparatus according to the present invention, in which a heater 3 is provided outside a furnace core tube 1 and a crucible 4 and a crucible base are provided in the furnace core tube 1. 5 on the inner wall of the furnace core tube 1
A plurality of reflectors 6 are provided along the furnace core 1, and a lid 7 is provided on the furnace core tube 1.
【0011】この装置における炉芯管1は熱伝導性のよ
い材料からなるものとすることが好ましいということか
ら、例えば高純度アルミナ、窒化けい素、白金を内張し
た高純度アルミナからなるものとされるが、この下方は
石英製の炉芯管2からなるものとされる。このヒーター
3は炉芯管の長さ方向を複数の独立した加熱区域に分割
して各加熱区域を独立に温度制御するために複数のヒー
ター3−1、3−2、3−3からなるようにしたものと
することがよい。また、このルツボ4は一般的には白
金、白金−ロジウム、イリジウムなどの金属材料で作っ
たものとすればよいが、このルツボ台5は輻射熱を下方
に逃がし易いものとするということから透明石英製のも
のとすることがよい。Since the furnace core tube 1 in this apparatus is preferably made of a material having good heat conductivity, for example, one made of high-purity alumina, silicon nitride, or high-purity alumina lined with platinum is used. The lower part is made of a furnace core tube 2 made of quartz. The heater 3 includes a plurality of heaters 3-1, 3-2, and 3-3 for dividing the length direction of the furnace core tube into a plurality of independent heating sections and independently controlling the temperature of each heating section. It is good to have made it. In addition, the crucible 4 may be generally made of a metal material such as platinum, platinum-rhodium, iridium, etc., but the crucible base 5 is made of transparent quartz because it easily releases radiant heat downward. It is good to be made from.
【0012】また、この装置は炉芯管の内壁に沿って複
数のリフレクター6を設けてなるものであるが、このリ
フレクターは輻射熱を反射させる能力があるものであれ
ばどんな材料で作られたものであってもよく、一般的に
は白金、白金−ロジウム、イリジウム、ニッケルなどで
作られたものとすればよいが、これは複数枚とすること
が必要で、これは枚数の多いほど効果は大きいけれど
も、材料費、設置する手間を考慮すれば3〜6枚程度と
すればよい。This apparatus is provided with a plurality of reflectors 6 along the inner wall of the furnace core tube. This reflector may be made of any material as long as it is capable of reflecting radiant heat. May be used, and generally, platinum, platinum-rhodium, iridium, nickel, etc. may be used. Although the effect increases as the number of sheets increases, the number of sheets may be set to about 3 to 6 in consideration of material costs and labor for installation.
【0013】本発明の単結晶育成装置はこのように炉芯
管の内壁に沿って複数枚のリフレクターを設けたことを
特徴とするものであるが、このようにリフレクターを複
数枚設けると、これらのリフレクターは当然リフレクタ
ーとして機能するが、これが複数枚とされていることか
らリフレクター上部の高温部では保温性がよくなり、リ
フレクターによりこのブリッジマン炉の温度勾配が顕著
に変化して最適な温度分布が可能となるし、この場合炉
芯管として高純度アルミナを使用すれば熱伝導がよいの
で原料の過昇温が防止され、さらにルツボ台として石英
材を配置すれば、輻射熱が効果的に逃げるので温度勾配
をさらに大きく取れる。これによればSi、Geなどの
半導体、GaAs、InPなどのIII-V族化合物半導
体、GdTe、ZnSeなどの II-IV族化合物半導体、
BGO、LBOなどの酸化物の単結晶を容易に、かつ効
率よく製造することができるという有利性が与えられ
る。The apparatus for growing a single crystal according to the present invention is characterized in that a plurality of reflectors are provided along the inner wall of the furnace core tube. Naturally, the reflector functions as a reflector.However, since it is composed of a plurality of reflectors, the heat retention is improved in the high temperature part above the reflector, and the temperature gradient of this Bridgman furnace changes remarkably by the reflector, and the optimal temperature distribution In this case, if high-purity alumina is used as the furnace core tube, the heat conduction is good, so that excessive heating of the raw material is prevented, and if a quartz material is arranged as a crucible base , radiant heat is effectively escaped. Therefore, a larger temperature gradient can be obtained. According to this, semiconductors such as Si and Ge, III-V compound semiconductors such as GaAs and InP, II-IV compound semiconductors such as GdTe and ZnSe,
This provides an advantage that single crystals of oxides such as BGO and LBO can be easily and efficiently manufactured.
【0014】[0014]
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例 図1に示したような高純度アルミナ製の内径が 140mmの
中空円筒状の炉芯管1とその下方に石英製炉芯管2を鉛
直方向に立設し、SiC製の棒状発熱体からなるヒータ
ー3−1、ヒーター3−2、ヒーター3−3を炉芯管の
長手方向に分割して配置し、この炉芯管1の中に直径が
90mmの白金ルツボ4を透明石英製のルツボ台5の上に載
置すると共に、この炉芯管1の中の単結晶育成点付近に
炉芯管の内壁に沿って白金製のリフレクター6を5枚装
着し、この炉芯管1の上に蓋7を設けた。Next, examples of the present invention and comparative examples will be described. Embodiment A hollow cylindrical furnace core tube 1 made of high-purity alumina having an inner diameter of 140 mm as shown in FIG. 1 and a quartz furnace core tube 2 provided vertically below the furnace core tube 1 are provided vertically. 3-1, heater 3-2, and heater 3-3 are divided and arranged in the longitudinal direction of the furnace core tube.
A 90 mm platinum crucible 4 is placed on a crucible table 5 made of transparent quartz, and is placed near a single crystal growing point in the furnace core tube 1.
Five reflectors 6 made of platinum were mounted along the inner wall of the furnace core tube, and a lid 7 was provided on the furnace core tube 1.
【0015】ついで、このルツボの中に Bi4Ge3O12(以
下BGOと略記する)の多結晶4,500gを挿入し、ヒータ
ー3で炉芯管内を約 1,100℃に加熱し、ルツボを炉芯管
内に下降させてBGOの単結晶を 1.0mm/時までの育成
速度で育成したところ、炉芯管内の長手方向の単結晶育
成点付近の温度勾配が23℃/cmとなったので、BGO単
結晶を気泡状の介在物といった結晶欠陥のない良好な単
結晶として3,800g得ることができたが、この結晶の上部
約20mmには気泡状介在物が入っていた。Then, 4,500 g of Bi 4 Ge 3 O 12 (hereinafter abbreviated as BGO) polycrystal is inserted into the crucible, and the furnace core tube is heated to about 1,100 ° C. by the heater 3, and the crucible is heated. When the BGO single crystal was grown at a growth rate of up to 1.0 mm / hour by lowering into the tube, the temperature gradient near the single crystal growth point in the longitudinal direction in the furnace core tube became 23 ° C./cm. 3,800 g of the crystal was obtained as a good single crystal having no crystal defects such as cellular inclusions, but the cellular inclusions were contained in the upper part of about 20 mm of the crystal.
【0016】比較例 実施例1の単結晶育成装置において複数枚のリフレクタ
ーを設けないほかは実施例1と同様の公知の図2に示し
た単結晶育成装置を用いてBGOの単結晶育成を行なっ
たが、この場合には炉芯管内の長手方向の単結晶育成点
付近の温度勾配が複数枚のリフレクターがないために8
℃/cmとなり、したがって 0.5mm/時の育成速度で育成
したのに得られた単結晶の中には気泡状の介在物といっ
た結晶欠陥が多数発生していた。また、これについては
炉芯管とルツボ台を高純度アルミナから石英製のものに
替えて温度勾配を測定したところ、育成位置が炉の上方
に50mm移動しただけで温度勾配は9℃/cmとなって顕著
な変化はみられず、また石英製であることで透明性がよ
いため炉温を均熱化することができず、炉のピークの温
度は50℃上昇し、この場合には気泡状の介在物に加えて
結晶全体が赤みがかったものとなった。Comparative Example A BGO single crystal was grown using the known single crystal growing apparatus shown in FIG. 2 similar to that of Example 1 except that a plurality of reflectors were not provided in the single crystal growing apparatus of Example 1. However, in this case, the temperature gradient near the growth point of the single crystal in the longitudinal direction in the furnace core tube was 8% because there were no plural reflectors.
° C / cm, and thus a single crystal obtained at a growth rate of 0.5 mm / hour had many crystal defects such as cellular inclusions. Also, as will those of the crucible base and the furnace core tube of high purity alumina made quartz
When the temperature gradient was measured instead, the temperature gradient was 9 ° C./cm and no remarkable change was seen only when the growing position was moved 50 mm above the furnace, and the transparency was good because it was made of quartz. As a result, the furnace temperature could not be soaked, and the peak temperature of the furnace increased by 50 ° C. In this case, the entire crystal became reddish in addition to the cellular inclusions.
【0017】[0017]
【発明の効果】上記構成からなる単結晶育成装置を使用
することにより、リフレクター上部の高温部での保温性
がよくなり、リフレクターによって炉芯管内の長手方向
の単結晶育成点付近の温度勾配を大きくすることがで
き、ブリッジマン炉として最適な温度分布が得られ、さ
らに、リフレクターを複数枚設けることでリフレクター
の内径を大きくすることができ、各種の大型単結晶を容
易に、かつ効率よく、結晶欠陥のない単結晶を得ること
ができる。また、育成装置の下方部の炉芯管やルツボ台
あるいはルツボ台支持管の材質を輻射熱を通し易い透明
石英とすることで単結晶育成点付近の温度勾配をより大
きくすることができる。 According to the present invention, a single crystal growing apparatus having the above structure is used.
By doing so , the heat retention in the high temperature area above the reflector is improved, and the reflector can increase the temperature gradient near the single crystal growth point in the longitudinal direction in the furnace core tube.
The optimum temperature distribution is obtained for the Bridgman furnace.
Luo, reflector and can be increased inside diameter of the reflector in providing plural, easily various large single crystal, and efficiently, it is possible to obtain a crystal defect single crystal. In addition, the furnace core tube and crucible stand below the growing device
Or make the material of the crucible support tube transparent so that radiant heat can easily pass through
Greater temperature gradient near single crystal growth point by using quartz
Can be heard.
【図1】本発明の単結晶育成装置の縦断面図を示したも
のである。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a single crystal growing apparatus of the present invention.
【図2】公知の単結晶育成装置の縦断面図を示したもの
である。FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a known single crystal growing apparatus.
1…アルミナ炉芯管、 2…石英炉芯管、 3…ヒーター、 4…ルツボ、 5…ルツボ台、 6…リフレクター、 7…蓋。 1 ... Alumina furnace core tube, 2 ... Quartz furnace core tube, 3 ... Heater, 4 ... Crucible, 5 ... Crucible stand, 6 ... Reflector, 7 ... Lid.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 流王 俊彦 群馬県安中市磯部2丁目13番1号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (56)参考文献 特公 昭37−17102(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C30B 1/00 - 35/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Toshihiko Nagao 2-1-1 Isobe, Annaka-shi, Gunma Prefecture Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Precision Functional Materials Research Laboratories (56) References JP-B 37-17102 ( JP, B1) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) C30B 1/00-35/00
Claims (3)
た加熱手段を有し、ルツボをこの炉芯管の内部に移動さ
せてルツボ内に収納した単結晶材料を単結晶に育成させ
る装置において、炉芯管の内壁に沿って複数枚のリフレ
クターを設けてなることを特徴とする単結晶育成装置。1. A single crystal material comprising a cylindrical furnace core tube and a heating means provided outside the furnace core tube, wherein the crucible is moved into the furnace core tube and the single crystal material stored in the crucible is converted into a single crystal. An apparatus for growing a single crystal, comprising a plurality of reflectors provided along an inner wall of a furnace core tube .
はルツボ台あるいはルツボ台支持管の材質を輻射熱を通
し易い透明石英のものとしてなる請求項1に記載した単
結晶育成装置。2. The single crystal growing apparatus according to claim 1, wherein a material of a furnace core tube, a crucible base, or a crucible base supporting pipe at a lower portion of the crystal growing apparatus is made of transparent quartz that easily transmits radiant heat.
いて単結晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方
法。3. A method for producing a single crystal, comprising growing a single crystal using the apparatus for growing a single crystal according to claim 1.
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JPH06234589A JPH06234589A (en) | 1994-08-23 |
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