JP2962418B2 - Microwave switch - Google Patents

Microwave switch

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JP2962418B2
JP2962418B2 JP63060115A JP6011588A JP2962418B2 JP 2962418 B2 JP2962418 B2 JP 2962418B2 JP 63060115 A JP63060115 A JP 63060115A JP 6011588 A JP6011588 A JP 6011588A JP 2962418 B2 JP2962418 B2 JP 2962418B2
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parallel
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勉 鶴岡
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TOKI METSUKU KK
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、マイクロストリップ線路にダイオードをパ
ラレルにまたはシリーズ・パラレルに接続する形式のマ
イクロ波スイッチ、特に、無反射型としたマイクロ波ス
イッチ、および、このような無反射型マイクロ波スイッ
チの終端回路を構成するに適したマイクロストリップ線
路に関する。
The present invention relates to a microwave switch in which a diode is connected in parallel or series / parallel to a microstrip line, and in particular, a non-reflection type microwave switch, Further, the present invention relates to a microstrip line suitable for forming a termination circuit of such a non-reflection type microwave switch.

[従来の技術] 従来、マイクロ波スイッチとしては、大別して、第8
図(a)〜(c)に示すように、マイクロストリップ
線路にダイオードを直列に接続した形式のシリーズ型マ
イクロ波スイッチ(同図(a))と、マイクロストリ
ップ線路にダイオードをパラレルに接続する形式のパラ
レル型マイクロ波スイッチ(同図(b))と、マイク
ロストリップ線路にダイオードをシリーズ・パラレルに
接続する形式のシリーズ・パラレル型マイクロ波スイッ
チ(同図(c))とがある。
[Prior Art] Conventionally, microwave switches can be roughly classified into eight types.
As shown in FIGS. 1A to 1C, a series type microwave switch in which a diode is connected in series to a microstrip line (FIG. 1A), and a type in which a diode is connected in parallel to a microstrip line. And a series-parallel type microwave switch in which a diode is connected in series / parallel to a microstrip line (FIG. (C)).

上記のシリーズ型マイクロ波スイッチは、製作が容
易であるが、挿入損失が大きく、また、アイソレーショ
ンが50dB程度で、スイッチとしての特性が好ましくない
という欠点がある。これに対して、のパラレル型マイ
クロ波スイッチおよびのシリーズ・パラレル型マイク
ロ波スイッチは、挿入損失が小さく、しかも、シリーズ
・パラレル型の場合、アイソレーションを60dB以上とす
ることもできる。
Although the above-mentioned series type microwave switch is easy to manufacture, it has a drawback that the insertion loss is large, the isolation is about 50 dB, and the characteristics as a switch are not preferable. On the other hand, the parallel-type microwave switch and the series-parallel type microwave switch have a small insertion loss, and in the case of the series-parallel type, the isolation can be made 60 dB or more.

これらを比較すれば、マイクロ波スイッチとしては、
後者のおよびのマイクロ波スイッチ、特に、シリー
ズ・パラレル型のマイクロ波スイッチが好ましい特性を
有することが分かる。
By comparing these, as a microwave switch,
It can be seen that the latter and the microwave switches, especially the series-parallel type of microwave switch, have favorable characteristics.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記したパラレル型マイクロ波スイッ
チおよびシリーズ・パラレル型マイクロ波スイッチは、
次のような問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the parallel type microwave switch and the series parallel type microwave switch described above
There were the following problems.

すなわち、マイクロ波スイッチの性能として、無反射
型であることが必要な場合がある。従来、上記のシリ
ーズ型マイクロ波スイッチには、無反射型のものが製作
され、この要求を満たすことができる。ところが、の
パラレル型マイクロ波スイッチおよびのシリーズ・パ
ラレル型のマイクロ波スイッチには、無反射型のものが
製作されていない。
That is, the performance of the microwave switch may need to be a non-reflection type. Conventionally, a non-reflection type switch is manufactured as the series-type microwave switch, which can satisfy this requirement. However, a non-reflection type microwave switch has not been manufactured for the parallel type microwave switch and the series / parallel type microwave switch.

そのため、マイクロ波スイッチを無反射型とするに
は、シリーズ型とせざるを得ず、挿入損失およびアイソ
レーションが悪くなり、一方、挿入損失およびアイソレ
ーションの優れたスイッチとすると、無反射型にできな
いという問題があった。
Therefore, in order to make the microwave switch a non-reflection type, it must be a series type, and the insertion loss and isolation deteriorate. On the other hand, if the switch has excellent insertion loss and isolation, it cannot be made a non-reflection type. There was a problem.

従来、パラレル型マイクロ波スイッチとシリーズ・パ
ラレル型マイクロ波スイッチとを無反射型とすることが
できなかった理由は、高周波域での終端抵抗の原理が十
分に解明されておらず、好ましい特性を維持するに必要
な条件が不明確であったことによると考えられる。
Conventionally, the reason why parallel-type microwave switches and series-parallel-type microwave switches could not be made non-reflective was that the principle of the terminating resistor in the high-frequency range was not fully understood, and the desirable characteristics It is probable that the conditions required for maintenance were unclear.

すなわち、マイクロ波の場合、終端抵抗の物理的大き
さ、配置等が特性に大きく影響するため、好ましい態様
を設定することが容易でないことによる。シリーズ型の
マイクロ波スイッチの場合には、マイクロストリップ線
路から分岐する形式で、終端抵抗を接続することができ
るので、この問題を一応解決することができる。ところ
が、パラレル型マイクロ波スイッチおよびシリーズ・パ
ラレル型マイクロ波スイッチの場合には、終端抵抗をマ
イクロストリップ線路から分岐する形式で接続すること
ができないため、好ましい特性を維持して、最適な終端
回路を形成することは容易でない。
That is, in the case of microwaves, the physical size and arrangement of the terminating resistors greatly affect the characteristics, so that it is not easy to set a preferable mode. In the case of a series-type microwave switch, the terminating resistor can be connected in a form branched from the microstrip line, so that this problem can be solved temporarily. However, in the case of the parallel-type microwave switch and the series-parallel-type microwave switch, it is not possible to connect the terminating resistor in the form of branching off the microstrip line. It is not easy to form.

このように、従来、パラレル型マイクロ波スイッチお
よびシリーズ・パラレル型マイクロ波スイッチにおいて
は、最適な終端回路の形成がその解決すべき課題となっ
ている。
As described above, in the conventional parallel-type microwave switch and series-parallel-type microwave switch, formation of an optimal termination circuit has been a problem to be solved.

本発明は、上記課題を解決すべくなされたもので、そ
の目的は、好ましい特性を維持して、最適な終端回路を
構成できて、無反射型とすることができるパラレル型お
よびシリーズ・パラレル型のマイクロ波スイッチを提供
することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to maintain a preferable characteristic, configure an optimal termination circuit, and obtain a non-reflection type parallel type and a series parallel type. To provide a microwave switch.

また、本発明は、上記好ましい特性を維持して、最適
な終端回路を構成できて、特に、無反射型のパラレル型
またはシリーズ・パラレル型のマイクロ波スイッチ実現
に好適なマイクロストリップ線路を提供することにあ
る。
Further, the present invention provides a microstrip line which can form an optimal termination circuit while maintaining the above preferable characteristics and is particularly suitable for realizing a non-reflection type parallel type or series parallel type microwave switch. It is in.

[課題を解決するための手段] 本発明は、上記課題を解決する手段として、マイクロ
ストリップ線路にパラレルに接続されたダイオードを有
するマイクロ波スイッチにおいて、 上記マイクロストリップ線路の、上記パラレルダイオ
ードに近接した位置に、該線路に直列に終端抵抗を挿入
接続すると共に、該終端抵抗にバイパス用ダイオードを
並列接続して構成した終端回路を備えることを特徴とす
る。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides, as a means for solving the above problems, a microwave switch having a diode connected in parallel to a microstrip line; At a position, a terminating circuit configured by inserting and connecting a terminating resistor in series with the line and connecting a bypass diode to the terminating resistor in parallel is provided.

また、本発明は、切替ないし選択スイッチとして適し
た多極のマイクロ波スイッチをも提供する。
The present invention also provides a multi-pole microwave switch suitable as a changeover or selection switch.

すなわち、本発明は、上記課題を解決する手段とし
て、1本の共通ポートと、複数本の選択ポートとを有
し、シリーズ・パラレル型にダイオードを接続してなる
スイッチング素子により共通ポートと選択ポートとを選
択的に接続するマイクロ波スイッチにおいて、 上記各選択ポートを構成するマイクロストリップ線路
の、上記スイッチング素子のパラレルダイオードに近接
した位置に、該線路に直列に終端抵抗を挿入接続すると
共に、該終端抵抗にバイパス用ダイオードを並列接続し
て構成した終端回路を備えることを特徴とする。
That is, as a means for solving the above-mentioned problems, the present invention has one common port and a plurality of selection ports, and the common port and the selection port are connected by a switching element in which a series-parallel type diode is connected. And a microwave switch that selectively connects the switching ports, wherein a terminating resistor is inserted and connected in series with the microstrip line forming each of the selection ports at a position close to the parallel diode of the switching element, and It is characterized by including a termination circuit configured by connecting a bypass diode in parallel to a termination resistor.

上記終端抵抗とバイパス用ダイオードとを並列接続し
た回路は、上記マイクロストリップ線路のストリップ導
体に不連続部を設けると共に、該不連続部にて露出する
誘電体に凹部を設け、かつ、上記不連続部の凹部に、バ
イパス用ダイオードの本体を位置させる状態で架橋する
ように接続し、その上に、終端抵抗としてチップ抵抗を
積層して接続することにより構成する。
In the circuit in which the terminating resistor and the bypass diode are connected in parallel, a discontinuous portion is provided in the strip conductor of the microstrip line, a concave portion is provided in a dielectric exposed at the discontinuous portion, and the discontinuous portion is provided. The main body of the bypass diode is connected so as to be bridged in the concave portion of the portion, and a chip resistor is stacked and connected as a terminating resistor thereon.

このような回路を構成するマイクロストリップ線路と
しては、マイクロストリップ線路のストリップ導体に不
連続部を設けると共に、該不連続部にて露出する誘電体
に凹部を設け、かつ、上記不連続部の凹部に、バイパス
用ダイオードの本体を位置させる状態で架橋するように
接続し、その上に、終端抵抗としてチップ抵抗を積層し
て接続し、抵抗とバイパス用ダイオードとを並列接続し
たものを、マイクロストリップ線路中に直列に挿入接続
して構成するものが好ましい。
As a microstrip line constituting such a circuit, a discontinuous portion is provided in a strip conductor of the microstrip line, a concave portion is provided in a dielectric exposed at the discontinuous portion, and a concave portion of the discontinuous portion is provided. In the state where the main body of the bypass diode is positioned, it is connected so as to be bridged, and a chip resistor is laminated and connected as a terminating resistor thereon, and the resistor and the bypass diode are connected in parallel to form a microstrip. It is preferable to insert and connect in series in a line.

また、上記抵抗とバイパス用ダイオードとを並列接続
したものとしては、ダイオードとチップ抵抗とを順次積
層接続するものに限らず、これらを予め一体的に形成し
たものを、上記ストリップ導体の不連続部に挿入接続す
るようにしたものでもよい。
Further, the parallel connection of the resistor and the bypass diode is not limited to the diode and the chip resistor sequentially stacked and connected. May be inserted and connected.

終端抵抗とパラレルダイオードとの間隔は、それらの
電気的接続に要する接続距離をできる限り小さくするた
め、狭くすることがよい。この接続距離が長くなると、
インダクタンス成分が増加して、特性が悪くなる。すな
わち、反射損失が増えることとなる。従って、終端抵抗
とパラレルダイオードとの接続距離は、好ましくは、0.
5mm以下とする。
The distance between the terminating resistor and the parallel diode is preferably reduced in order to minimize the connection distance required for their electrical connection. As this connection distance increases,
The inductance component increases and the characteristics deteriorate. That is, the reflection loss increases. Therefore, the connection distance between the terminating resistor and the parallel diode is preferably 0.
5 mm or less.

[作用] 本発明は、上記マイクロストリップ線路の、上記パラ
レルダイオードに近接した位置に、該線路に直列に終端
抵抗を挿入接続する構成となっているので、終端抵抗と
パラレルダイオードとの電気的接続に要する接続距離が
小さくなり、インダクタンス成分の発生を抑えることが
できる。
[Operation] The present invention has a configuration in which a terminating resistor is inserted and connected in series with the microstrip line at a position close to the parallel diode, so that an electrical connection between the terminating resistor and the parallel diode is provided. Is reduced, and the generation of an inductance component can be suppressed.

この接続距離とインダクタンスとの関係は、距離が狭
くなるほど生ずるインダクタンスが小さくなる傾向があ
る。第7図に終端抵抗と接地点との距離と反射特性との
関係を示す。
The relationship between the connection distance and the inductance tends to decrease as the distance decreases. FIG. 7 shows the relationship between the distance between the terminating resistor and the ground point and the reflection characteristics.

第7図のグラフは、横軸に周波数(GHz)、縦軸に反
射損失(dB)をとり、50Ωの抵抗を30μφのリード線
(金線)により接地する場合のリード線の長さl(mm)
をパラメータとして、終端抵抗と接地点との距離と反射
特性との関係を示す。同図に示すように、各周波数にお
ける反射損失は、lが0.2mmから0.9mmまで長くなるに従
って大きくなっている。各長さのリードのインダクタン
スは、これに対応して、0.15nH〜0.7nHの値となる。
The graph of FIG. 7 shows the frequency (GHz) on the horizontal axis and the reflection loss (dB) on the vertical axis, and the length l (when a 50 Ω resistor is grounded by a 30 μφ lead (gold wire)). mm)
The relationship between the distance between the terminating resistor and the ground point and the reflection characteristics is shown using As shown in the figure, the reflection loss at each frequency increases as l increases from 0.2 mm to 0.9 mm. The inductance of the leads of each length is correspondingly between 0.15 nH and 0.7 nH.

同図から、実用域における反射損失を、例えば、18GH
Zにおいて11dBを超えない範囲とすれば、l≦0.5mmとな
る。従って、上記したように、本発明では、終端抵抗と
パラレルダイオードとの接続距離を、できるかぎり小さ
くし、好ましくは0.5mm以下とすることにより、無反射
型とするための終端抵抗の実装による反射損失を、実用
上差し支えない程度に抑えている。
From the figure, the return loss in the practical range is, for example, 18GH.
If Z does not exceed 11 dB, l ≦ 0.5 mm. Therefore, as described above, in the present invention, by setting the connection distance between the terminating resistor and the parallel diode as short as possible, preferably 0.5 mm or less, the reflection by mounting the terminating resistor to make it a non-reflective type. Losses are kept to a practically acceptable level.

なお、リード線を2本並列に使用することにより、l
≦0.6mmでも反射損失が13dBを超えないようにすること
ができて、さらに、反射損失を小さくすることができ
る。
Note that by using two lead wires in parallel, l
Even if ≦ 0.6 mm, the reflection loss can be prevented from exceeding 13 dB, and the reflection loss can be further reduced.

また、本発明は、マイクロストリップ線路上に終端抵
抗を配置しているが、該終端抵抗にバイパス用ダイオー
ドを並列接続して、伝送すべきマイクロ波の減衰を防い
でいる。
Further, in the present invention, a terminating resistor is arranged on the microstrip line, but a bypass diode is connected in parallel to the terminating resistor to prevent attenuation of a microwave to be transmitted.

さらに、本発明は、マイクロストリップ線路上に終端
抵抗を配置することにより、寄生容量や、インダクタン
スの発生を少なくして、高周波域での使用を可能として
いる。この作用は、マイクロストリップ線路のストリッ
プ導体に不連続部を設けると共に、該不連続部にて露出
する誘電体に凹部を設け、かつ、上記不連続部の凹部
に、バイパス用ダイオードの本体を位置させる状態で架
橋するように接続し、その上に、終端抵抗としてチップ
抵抗を積層して接続し、抵抗とバイパス用ダイオードと
を並列接続したものを、マイクロストリップ線路中に直
列に挿入接続して構成することにより、さらに効果的と
なる。
Further, according to the present invention, by arranging a terminating resistor on the microstrip line, it is possible to reduce the occurrence of parasitic capacitance and inductance and to use it in a high frequency range. This effect is achieved by providing a discontinuous portion in the strip conductor of the microstrip line, providing a concave portion in the dielectric exposed at the discontinuous portion, and positioning the main body of the bypass diode in the concave portion of the discontinuous portion. It is connected so as to be bridged in a state where it is connected, and a chip resistor is stacked and connected as a terminating resistor thereon, and a resistor and a bypass diode connected in parallel are inserted and connected in series in a microstrip line. The configuration is more effective.

この他、本発明では、終端抵抗とシャント用のパラレ
ルダイオードとを、ストリップ線路上で接続できるの
で、製造工程が簡単となる。この作用は、マイクロ波ス
イッチおよびマイクロストリップ線路を構成するに際
し、抵抗とバイパス用ダイオードとを並列接続したもの
は、ダイオードとチップ抵抗を順次積層接続する場合に
限らず、これらを予め一体的に形成したものを、上記ス
トリップ導体の不連続部に挿入接続することにより、さ
らに効果的である。
In addition, according to the present invention, since the terminating resistor and the parallel diode for shunt can be connected on the strip line, the manufacturing process is simplified. This function is not limited to the case where the resistor and the bypass diode are connected in parallel when forming the microwave switch and the microstrip line, not only when the diode and the chip resistor are sequentially stacked and connected, but they are integrally formed in advance. This is further effective by inserting and connecting the strip conductor to the discontinuous portion of the strip conductor.

また、マイクロストリップ線路上に終端抵抗を配置で
きるため、終端回路の配置に要する面積が少なくて済
み、小型化が容易となる。特に、この作用は、多数の選
択ポートを有する多極のマイクロ波スイッチでは、設け
るべき終端回路数が多くなるので、効果的である。
Further, since the terminating resistor can be arranged on the microstrip line, the area required for arranging the terminating circuit can be reduced, and the size can be easily reduced. In particular, this effect is effective in a multi-pole microwave switch having a large number of selection ports, because the number of termination circuits to be provided increases.

[実施例] 本発明の実施例について図面を参照して説明する。Example An example of the present invention will be described with reference to the drawings.

<第1実施例の構成> 第1図に本発明マイクロ波スイッチの第1実施例を示
す。
<Configuration of First Embodiment> FIG. 1 shows a first embodiment of the microwave switch of the present invention.

本実施例は、1〜18GHzの範囲で無反射型スイッチと
して使用することができる例である。
This embodiment is an example that can be used as a non-reflective switch in the range of 1 to 18 GHz.

同図に示すマイクロ波スイッチは、シングルスロー型
のスイッチであって、入力端子および出力端子の部分に
設けられた直流遮断用コンデンサC1およびC3と、バイア
ス用コイルL1およびコンデンサC2と、大振幅信号が入力
した場合の対策として設けられる逆バイアス用抵抗R
1と、整合回路1と、スイッチング素子として機能する
シリーズ・パラレルに接続したシリーズダイオードD1
パラレルダイオードD2およびD3と、終端抵抗R2および該
終端抵抗をバイパスするバイパス用ダイオードD4からな
る終端抵抗回路2と、バイアス用コイルL2およびコンデ
ンサC4とを備えて構成される。
Microwave switch shown in the figure, a switch of a single throw type, and a coupling capacitor C 1 and C 3 provided on portions of the input and output terminals, a bias coil L 1 and capacitor C 2 , A reverse bias resistor R provided as a countermeasure when a large amplitude signal is input
1 , a matching circuit 1, and a series-parallel connected series diode D 1 serving as a switching element,
A parallel diode D 2 and D 3, configured to include a termination resistor circuit 2 consisting of the bypass diode D 4 for bypassing the terminating resistor R 2 and the termination resistor, and a bias coil L 2 and capacitor C 4.

上記シリーズダイオードD1としては、接合容量が小さ
いPINダイオードを使用する。本実施例では、ビームリ
ード型ダイオードを使用し、マイクロストリップ線路に
挿入接続する。
As the series diodes D 1, using the junction capacitance is small PIN diode. In this embodiment, a beam lead type diode is used and inserted and connected to a microstrip line.

パラレルダイオードD2およびD3は、線路上では、ほぼ
1/4波長離して配置されることが望ましい。本実施例で
は、素子としてPINダイオードチップ12を使用してい
る。このダイオードチップ12は、第2図に示すように、
マイクロストリップ線路3のストリップ導体不連続部の
誘電体に設けられた接地面8まで通じる孔に挿入して、
接地面8と接続し、上部電極をリード線13にてストリッ
プ導体6に接続することにより実装する。
The parallel diodes D 2 and D 3 are almost
It is desirable that they are arranged at a distance of 1/4 wavelength. In this embodiment, a PIN diode chip 12 is used as an element. This diode chip 12, as shown in FIG.
Inserted into a hole leading to the ground plane 8 provided in the dielectric of the strip conductor discontinuous portion of the microstrip line 3,
It is mounted by connecting to the ground plane 8 and connecting the upper electrode to the strip conductor 6 with the lead wire 13.

上記終端抵抗回路2に構成する終端抵抗R2は、50Ωの
抵抗値を有し、上記パラレルダイオードD3の後方に近接
して、線路に直列に接続され、該ダイオードD3を介して
接地されて終端回路を構成する。上記パラレルダイオー
ドD3との接続距離は、上記したように、0.5mm以下とす
る。
The terminating resistor R 2 included in the terminating resistor circuit 2 has a resistance value of 50Ω, is connected in series to a line near the rear of the parallel diode D 3 , and is grounded via the diode D 3. To form a termination circuit. Connection distance between the parallel diode D 3, as described above, and 0.5mm or less.

また、この終端抵抗R2には、並列にバイパス用ダイオ
ードD4が接続される。その接続方向は、入力信号を終端
抵抗R2を経ることなく出力側に伝送できるように設定さ
れる。この終端抵抗R2とバイパス用ダイオードD4の実装
については後述する。
Further, this terminating resistor R 2, the bypass diode D 4 is connected in parallel. The connection direction is set to the input signal so that it can be transmitted to the output side without a termination resistor R 2. It will be described later implementation of the terminating resistor R 2 and the bypass diode D 4.

上記バイアス用コイルL2およびコンデンサC4とは、直
列に接続され、コンデンサC4の一端が接地される。両者
の接続点は、このスイッチのスイッチング素子、すなわ
ち、シリーズダイオードD1、パラレルダイオードD2およ
にバイアス電流を供給してスイッチのオンオフを行
なうドライバ回路(図示せず)に接続される。このドラ
イバ回路は、定電流供給回路を有しており、スイッチの
オンオフに対応して出力の極性を代える構成となってい
る。
The above bias coil L 2 and capacitor C 4, are connected in series, one end of the capacitor C 4 is grounded. A connection point between the two is connected to a driver circuit (not shown) for supplying a bias current to the switching element of the switch, that is, the series diode D 1 and the parallel diodes D 2 and 3 to turn on and off the switch. This driver circuit has a constant current supply circuit, and is configured to change the polarity of the output in accordance with the on / off state of the switch.

上記終端抵抗R2とバイパス用ダイオードD4とからなる
終端抵抗回路2は、第2図に示すように、マイクロスト
リップ線路3上に配置される。この終端抵抗回路2は、
第3図および第4図に示すように、チップ抵抗4とPIN
ダイオード5とからなり、チップ抵抗4の電極4aおよび
4bにPINダイオード5が接続される。
Termination resistor circuit 2 consisting of the terminating resistor R 2 and the bypass diode D 4 Prefecture, as shown in Figure 2, is placed on the microstrip line 3. This termination resistance circuit 2
As shown in FIGS. 3 and 4, the chip resistor 4 and the PIN
A diode 5; an electrode 4a of the chip resistor 4;
The PIN diode 5 is connected to 4b.

また、この終端抵抗R2を構成するチップ抵抗4は、パ
ラレルダイオードD3を構成する上記ダイオードチップ12
に近接して配置されている。終端抵抗R2とダイオードチ
ップ12とは、金線からなるリード線13にて接続される。
本実施例では、インダクタンスを小さくするため、リー
ド線13を2本並列に使用している。このリード線13の長
さが、0.5mm以下となるように、終端抵抗R2とダイオー
ドチップ12との配置間隔が設定してある。
The chip resistor 4 forming the terminating resistor R 2 is connected to the diode chip 12 forming the parallel diode D 3.
It is arranged close to. The terminating resistor R 2 and the diode chip 12 is connected by a lead wire 13 made of gold.
In this embodiment, two lead wires 13 are used in parallel to reduce the inductance. The length of the lead wire 13, so that a 0.5mm or less, is set the arrangement interval between the termination resistor R 2 and the diode chip 12.

これらを実装するマイクロストリップ線路3は、一般
に、第4図に示すように、接地面8上に誘電体7の層を
設け、この誘電体7上に、金属からなるストリップ導体
6を設けて構成される。本実施例では、マイクロストリ
ップ線路3の終端抵抗回路2を実装する部分には、その
部分のストリップ導体6を除去して不連続部6aを設ける
と共に、該不連続部6aにて露出する誘電体7に凹部7aを
設けてある。この凹部7aは、終端抵抗回路2を実装する
際、PINダイオード5をその内面に接触しないように収
容できる大きさに形成する。
The microstrip line 3 on which these are mounted is generally constructed by providing a layer of a dielectric 7 on a ground plane 8 and providing a strip conductor 6 made of metal on the dielectric 7 as shown in FIG. Is done. In the present embodiment, a discontinuous portion 6a is provided in a portion of the microstrip line 3 where the terminating resistor circuit 2 is mounted by removing the strip conductor 6 therefrom, and a dielectric material exposed at the discontinuous portion 6a is provided. 7 has a recess 7a. The concave portion 7a is formed in a size that can accommodate the PIN diode 5 so as not to contact the inner surface thereof when the terminal resistor circuit 2 is mounted.

終端抵抗回路2の実装は、第4図に示すように、PIN
ダイオード5を下側にして、該PINダイオード5をその
内面に接触しないように凹部7aに挿入すると共に、チッ
プ抵抗4の電極4aおよび4bをストリップ導体6上に載
せ、かつ、両者間を導電性の接着剤9にて電気的に接続
すると共に固着することにより行なう。
As shown in FIG. 4, the termination resistor circuit 2 is mounted using a PIN
With the diode 5 facing down, the PIN diode 5 is inserted into the concave portion 7a so as not to contact the inner surface thereof, and the electrodes 4a and 4b of the chip resistor 4 are placed on the strip conductor 6 and a conductive material is provided between the two. This is done by electrically connecting and fixing with an adhesive 9 of the above.

上記整合回路1は、上記スイッチング素子であるシリ
ーズダイオードD1の有する接合容量の影響を補正する回
路であって、インダクタンスとキャパシタンスとを直列
接続して構成する。具体的には、ストリップ線路上に、
インダクタンス領域とキャパシタンス領域とを形成す
る。
The matching circuit 1 is a circuit for correcting the influence of the junction capacitance of the series diodes D 1 is the switching element, constituting the inductance and capacitance connected in series. Specifically, on a stripline,
An inductance region and a capacitance region are formed.

<第1実施例の作用> 次に、上記のように構成される本実施例の作用につい
て説明する。
<Operation of First Embodiment> Next, the operation of the present embodiment configured as described above will be described.

上記のように構成した本実施例のマイクロ波スイッチ
は、図示しないドライバ回路が接地電位より低い電位で
定電流を供給するように機能すると、シリーズダイオー
ドD1が順方向にバイアスされ、パラレルダイオードD2
よびD3が逆バイアス状態となるため、スイッチがオン状
態となる。その結果、入力するマイクロ波電流は、コン
デンサC1、整合回路1、シリーズダイオードD1、ダイオ
ードD4およびコンデンサC3を経て出力側に流れる。この
場合、終端抵抗R2は、ダイオードD4でバイパスされるた
め、これによる損失はない。
Microwave switch according to the present embodiment constructed as described above, when the not shown driver circuit functions to supply a constant current lower than the ground potential voltage, series diode D 1 is forward biased, parallel diode D for 2 and D 3 is a reverse bias state, the switch is turned on. As a result, the microwave current input, the capacitor C 1, the matching circuit 1, series diodes D 1, through the diode D 4 and the capacitor C 3 through the output side. In this case, the terminating resistor R 2 is to be bypassed by the diode D 4, no loss due to this.

次に、上記したドライバ回路の極性が反転すると、シ
リーズダイオードD1は逆方向にバイアスされ、スイッチ
がオフ状態となる。その結果、入力するマイクロ波電流
は、シリーズダイオードD1に阻止され、導通しない。こ
の場合、出力側は、終端抵抗R2とパラレルダイオードD2
およびD3とにより終端回路が構成されるため、出力側か
らのインピーダンスが整合した状態となり、出力側から
入力するマイクロ波の反射が阻止される。
Then, when the polarity of the driver circuit described above is reversed, series diode D 1 is reverse biased, the switch is turned off. As a result, the microwave current input is blocked in series diode D 1, and does not conduct. In this case, the output side is the termination resistor R 2 and the parallel diode D 2
And since the termination circuit is constituted by a D 3, a state in which the impedance of the output side is matched, the reflection of the microwave is prevented from entering from the output side.

<第2実施例の構成> 第5図に本発明マイクロ波スイッチの第2実施例を示
す。
<Configuration of Second Embodiment> FIG. 5 shows a second embodiment of the microwave switch of the present invention.

本実施例は、1本の共通ポートPcと、複数本の選択ポ
ートPs1〜Psnとを有し、該共通ポートPcと選択ポートPs
1〜Psnとを、バイアスによりオンオフ状態が変化するス
イッチング素子を介して接続し、該スイッチング素子を
選択的にオンオフさせて、選択ポートPs1〜Psnのいずれ
かを選択的に共通ポートPcに接続するマイクロ波スイッ
チに適用した例である。
The present embodiment has one common port Pc and a plurality of selection ports Ps 1 to Ps n, and the common port Pc and the selection port Ps
1 to Ps n are connected via a switching element whose on / off state changes by a bias, and the switching element is selectively turned on and off, and any one of the selected ports Ps 1 to Ps n is selectively connected to the common port Pc. This is an example in which the present invention is applied to a microwave switch that is connected to a microcomputer.

本実施例において、共通ポートPcは、入力端子の部分
に設けられた直流遮断用コンデンサC1と、バイアス用コ
イルL1およびコンデンサC2と、大振幅信号が入力した場
合の対策として設けられる逆バイアス用抵抗R1と、整合
回路1とを備えて構成される。
In the present embodiment, the common port Pc is opposite to a DC blocking capacitor C 1 that is provided in a portion of the input terminal, a bias coil L 1 and capacitor C 2, is provided as a countermeasure when a large amplitude signal inputted The circuit includes a bias resistor R 1 and a matching circuit 1.

一方、選択ポートPs1〜Psnは、いずれも同一の構成で
あって、スイッチング素子として機能するシリーズダイ
オードD1、パラレルダイオードD2およびD3と、終端抵抗
R2および該終端抵抗をバイパスするバイパス用ダイオー
ドD4からなる終端抵抗回路2と、バイアス用コイルL2
よびコンデンサC4と、出力端子の部分に設けられた直流
遮断用コンデンサC3とを備えて構成される。
On the other hand, the selection ports Ps 1 to Ps n have the same configuration, and include a series diode D 1 , parallel diodes D 2 and D 3 functioning as switching elements, and a termination resistor.
Includes a termination resistor circuit 2 consisting of the bypass diode D 4 to bypass the R 2 and the termination resistor, the bias coil L 2 and capacitor C 4, a DC blocking capacitor C 3 which is provided in a portion of the output terminal It is composed.

これらの構成要素に各々は、上記した第1実施例のも
のと同じであるので、説明を繰り返さない。
These components are the same as those of the first embodiment described above, and thus the description will not be repeated.

<第2実施例の作用> 本実施例は、個々の共通ポートPcと選択ポートPs1〜P
snとを、各選択ポートPs1〜Psnのスイッチング素子(シ
リーズダイオードD1、パラレルダイオードD2およびD3
のオンオフにより接続する。これらのシリーズダイオー
ドD1、パラレルダイオードD2およびD3のオンオフは、図
示しないドライバ回路により制御される。
<Operation of the Second Embodiment> In the present embodiment, each common port Pc and selected ports Ps 1 to Ps 1 to P
s n and the switching elements of each selected port Ps 1 to Ps n (series diode D 1 , parallel diode D 2 and D 3 )
Connect by turning on and off. ON / OFF of the series diode D 1 and the parallel diodes D 2 and D 3 is controlled by a driver circuit (not shown).

共通ポートと接続された選択ポートにおける終端回路
は、第1実施例におけるスイッチオンの場合と同様に作
用する。一方、共通ポートと接続されていない選択ポー
トにおける終端回路は、第1実施例におけるスイッチオ
フの場合と同様に作用する。
The termination circuit at the selected port connected to the common port operates in the same manner as in the case of switch-on in the first embodiment. On the other hand, the termination circuit at the selected port not connected to the common port operates in the same manner as in the case of the switch-off in the first embodiment.

<他の実施例> 上記各実施例では、シリーズ・パラレル型のマイクロ
波スイッチの例を示したが、本発明は、パラレル型のマ
イクロ波スイッチにも適用することができる。なお、パ
ラレル型のマイクロ波スイッチの場合には、終端抵抗を
入力側に設けてもよい。
<Other Embodiments> In each of the above embodiments, an example of a series / parallel type microwave switch has been described. However, the present invention can be applied to a parallel type microwave switch. In the case of a parallel type microwave switch, a terminating resistor may be provided on the input side.

さらに、本発明は、終端抵抗回路2として、上記実施
例とは異なる実装構造のものを使用することもできる。
第6図にその一例を示す。
Further, according to the present invention, as the terminating resistor circuit 2, one having a mounting structure different from that of the above embodiment can be used.
FIG. 6 shows an example.

同図に示す終端抵抗回路2は、マイクロストリップ線
路3に、不連続部3a設け、この不連続部3aに、該終端抵
抗回路2を構成する上記終端抵抗R2とバイパス用ダイオ
ードD4とを挿入して構成される。
Termination resistor circuit 2 shown in the figure, the microstrip line 3, provided discontinuity 3a, this discontinuity 3a, and the terminating resistor R 2 and the bypass diode D 4 which constitute the the termination resistor circuit 2 It is configured by inserting.

この終端抵抗回路2は、第6図に示すように、チップ
抵抗4とPINダイオード5とからなり、チップ抵抗4の
電極4aおよび4bにPINダイオード5が接続される。
As shown in FIG. 6, the terminating resistor circuit 2 includes a chip resistor 4 and a PIN diode 5, and the PIN diode 5 is connected to the electrodes 4a and 4b of the chip resistor 4.

これらを実装するマイクロストリップ線路3は、接地
面8に誘電体7とストリップ導体6とを積層して設けて
構成され、不連続部3aは、誘電体7とストリップ導体6
とを除去して設けられる。この不連続部3aは、終端抵抗
回路2を実装する際、チップ抵抗4が挿入できる大きさ
に形成する。
The microstrip line 3 on which these are mounted is formed by laminating a dielectric 7 and a strip conductor 6 on a ground plane 8, and the discontinuous portion 3 a is composed of the dielectric 7 and the strip conductor 6.
And is removed. The discontinuous portion 3a is formed to have a size into which the chip resistor 4 can be inserted when the termination resistor circuit 2 is mounted.

終端抵抗回路2の実装は、第6図に示すように、PIN
ダイオード5を上側にして、チップ抵抗4を不連続部3a
に挿入すると共に、チップ抵抗4の電極4aおよび4bをス
トリップ導体6とリード線11により接続することにより
行なう。
As shown in FIG. 6, the termination resistor circuit 2 is mounted using a PIN
The chip resistor 4 is connected to the discontinuous portion 3a with the diode 5 facing upward.
And the electrodes 4a and 4b of the chip resistor 4 are connected to the strip conductor 6 and the lead wire 11.

第6図では、この終端抵抗回路2を通常のマイクロス
トリップ線路に挿入接続する態様を示しているが、終端
回路とするには、上記した第2図に示すように、パラレ
ルダイオードと近接して配置し、リード線11の長さを、
例えば、0.5mm以下となるようにする。
FIG. 6 shows a mode in which the terminating resistor circuit 2 is inserted and connected to a normal microstrip line. However, in order to form a terminating circuit, as shown in FIG. Place and adjust the length of the lead wire 11,
For example, it is set to 0.5 mm or less.

なお、上記各実施例において使用される終端抵抗回路
2を構成するマイクロストリップ線路は、上記各実施例
におけるスイッチに限らず、他の形態のマイクロ波スイ
ッチにも適用することができ、また、スイッチに限ら
ず、他のマイクロ波回路にも適用することができる。
The microstrip line constituting the terminating resistance circuit 2 used in each of the above embodiments is not limited to the switch in each of the above embodiments, but can be applied to other types of microwave switches. The present invention is not limited to this, and can be applied to other microwave circuits.

[発明の効果] 以上説明したように本発明は、好ましい特性を維持し
て、最適な終端回路を構成できて、無反射型とすること
ができるパラレル型およびシリーズ・パラレル型のマイ
クロ波スイッチを実現することができる。
[Effects of the Invention] As described above, the present invention provides a parallel type and a series / parallel type microwave switch which can form an optimal termination circuit while maintaining preferable characteristics and can be of a non-reflection type. Can be realized.

また、本発明は、上記好ましい特性を維持して、最適
な終端回路を構成できて、特に、無反射型のパラレル型
またはシリーズ・パラレル型のマイクロ波スイッチ実現
に好適なマイクロストリップ線路を提供することができ
る。
Further, the present invention provides a microstrip line which can form an optimal termination circuit while maintaining the above preferable characteristics and is particularly suitable for realizing a non-reflection type parallel type or series parallel type microwave switch. be able to.

さらに、本発明によれば、寄生容量や、インダクタン
スの発生を少なくして、高周波域での使用を可能とし、
また、製造工程が簡単で、かつ、終端回路の配置に要す
る面積が少なくて済み、小型化が容易なマイクロ波スイ
ッチを実現できる効果がある。
Further, according to the present invention, the occurrence of parasitic capacitance and inductance is reduced, enabling use in a high frequency range.
Also, there is an effect that a microwave switch which is simple in manufacturing process, requires a small area for disposing a termination circuit, and can be easily miniaturized.

また、本発明によれば、このような終端回路を有する
マイクロ波スイッチの構成に適したマイクロストリップ
線路が得られる。
Further, according to the present invention, a microstrip line suitable for a configuration of a microwave switch having such a termination circuit can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明マイクロ波スイッチの第1実施例を示す
等価回路図、第2図は終端抵抗回路を挿入接続したマイ
クロストリップ線路を示す要部平面図、第3図は終端抵
抗回路の一例の構成を示す平面図、第4図は終端抵抗回
路のマイクロストリップ線路への実装構造を示す要部断
面図、第5図は本発明マイクロ波スイッチの第2実施例
を示す回路図、第6図は本発明に使用することができる
終端抵抗回路の他の例を示すとともに、そのマイクロス
トリップ線路への実装構造を示す要部断面図、第7図は
本発明における終端抵抗から接地点までの接続距離と反
射特性の関係を示すグラフ、第8図(a)〜(c)は各
種マイクロ波スイッチの基本的構成を示す等価回路図で
ある。 C1〜C3……コンデンサ L1、L2……コイル D1〜D4……ダイオード R1、R2……抵抗 1……整合回路 2……終端抵抗回路 3……マイクロストリップ線路 3a……不連続部 4……チップ抵抗 4a、4b……電極 5……PINダイオード 6……ストリップ導体 7……誘電体 7a……凹部 8……接地面 9……接着剤 11、13……リード線 12……ダイオードチップ
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing a first embodiment of the microwave switch of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a main part showing a microstrip line in which a termination resistor circuit is inserted and connected, and FIG. 3 is an example of a termination resistor circuit. FIG. 4 is a sectional view of a main part showing a mounting structure of a termination resistor circuit on a microstrip line, FIG. 5 is a circuit diagram showing a second embodiment of the microwave switch of the present invention, and FIG. FIG. 7 shows another example of a termination resistor circuit that can be used in the present invention, and is a cross-sectional view of a main part showing a mounting structure of the termination resistor circuit on a microstrip line. FIG. FIGS. 8A to 8C are graphs showing the relationship between the connection distance and the reflection characteristics, and FIGS. 8A to 8C are equivalent circuit diagrams showing the basic configuration of various microwave switches. C 1 -C 3 ...... capacitor L 1, L 2 ...... coils D 1 to D 4 ...... diodes R 1, R 2 ...... resistor 1 ...... matching circuit 2 ...... terminating resistor circuit 3 ...... microstrip line 3a … Discontinuous part 4… chip resistance 4a, 4b… electrode 5… PIN diode 6… strip conductor 7… dielectric 7a… recess 8… ground plane 9… adhesive 11, 13… Lead wire 12 …… Diode chip

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−112401(JP,A) 特開 昭60−206202(JP,A) 実開 昭62−64001(JP,U) 実開 昭58−85375(JP,U) 実開 昭60−114402(JP,U) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-62-112401 (JP, A) JP-A-60-206202 (JP, A) Fully open Showa 62-64001 (JP, U) Really open Showa 58- 85375 (JP, U) Real opening 60-114402 (JP, U)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】マイクロストリップ線路にパラレルに接続
されたダイオードを有するマイクロ波スイッチにおい
て、 上記マイクロストリップ線路の、上記パラレルダイオー
ドに近接した位置に、該線路に直列に終端抵抗を挿入接
続すると共に、該終端抵抗にバイパス用ダイオードを並
列接続して構成した終端回路と、 該バイパス用ダイオードの出力端側に接続され上記終端
回路にバイアス電流を流す、直列接続されたバイアス用
コイルおよびコンデンサとを備え、 該直列接続されたバイアス用コイルおよびコンデンサの
接続点から上記終端回路に流すバイアス電流の極性を変
えることによりスイッチングを行うことを特徴とするマ
イクロ波スイッチ。
1. A microwave switch having a diode connected in parallel to a microstrip line, wherein a terminating resistor is inserted and connected in series with the microstrip line at a position close to the parallel diode on the microstrip line. A terminating circuit configured by connecting a bypass diode to the terminating resistor in parallel; and a bias coil and a capacitor connected in series and connected to an output terminal of the bypass diode and configured to flow a bias current through the terminating circuit. A microwave switch, wherein switching is performed by changing the polarity of a bias current flowing from the connection point of the series-connected bias coil and capacitor to the termination circuit.
【請求項2】1本の共通ポートと、複数本の選択ポート
とを有し、シリーズ・パラレル型にダイオードを接続し
てなる厩イッチング素子により共通ポートと選択ポート
とを選択的に接続するマイクロ波スイッチにおいて、 上記各選択ポートを構成するマイクロストリップ線路
の、上記スイッチング素子のパラレルダイオードに近接
した位置に、該線路に直列に終端抵抗を挿入接続すると
共に、該終端抵抗にバイパス用ダイオードを並列接続し
て構成した終端回路と、該バイパス用ダイオードの出力
端側に接続され上記終端回路にバイアス電流を流す、直
列接続されたバイアス用コイルおよびコンデンサとを備
え、 各々の直列接続されたバイアス用コイルおよびコンデン
サの接続点から上記終端回路に流すバイアス電流の極性
を変えることによりスイッチングを行うことを特徴とす
るマイクロ波スイッチ。
2. A micro-switch having one common port and a plurality of selection ports, and selectively connecting the common port and the selection port by a stable switching element having a series-parallel type diode connected thereto. In the wave switch, a terminating resistor is inserted and connected in series with the microstrip line constituting each of the selection ports at a position close to the parallel diode of the switching element, and a bypass diode is connected in parallel with the terminating resistor. And a series-connected bias coil and a capacitor connected to the output terminal side of the bypass diode and supplying a bias current to the terminal circuit. Changing the polarity of the bias current flowing from the connection point of the coil and capacitor to the above termination circuit Ri microwave switch and performs switching.
【請求項3】上記マイクロストリップ線路のストリップ
導体に不連続部を設けると共に、該不連続部にて露出す
る誘電体に凹部を設け、 かつ、上記不連続部の凹部に、バイパス用ダイオードの
本体を位置させる状態で架橋するように接続し、その上
に、終端抵抗としてチップ抵抗を積層して接続し、 この抵抗とバイパス用ダイオードとを並列接続したもの
を、マイクロストリップ線路中に直列に挿入接続した請
求項1または2記載のマイクロ波スイッチ。
3. A discontinuous portion is provided in a strip conductor of the microstrip line, a concave portion is provided in a dielectric exposed at the discontinuous portion, and a main body of a bypass diode is provided in the concave portion of the discontinuous portion. Are connected so as to be bridged in a state where they are positioned, and a chip resistor is laminated and connected as a terminating resistor thereon, and this resistor and a bypass diode are connected in parallel and inserted in series into a microstrip line. The microwave switch according to claim 1 or 2, wherein the microwave switch is connected.
【請求項4】ダイオードとチップ抵抗を予め積層して並
列接続したものを、上記不連続部にダイオードの本体を
位置させる状態で、架橋するように接続した請求項3記
載のマイクロ波スイッチ。
4. The microwave switch according to claim 3, wherein a diode and a chip resistor which are stacked in advance and connected in parallel are connected so as to be bridged in a state where the body of the diode is located at the discontinuous portion.
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