JP2961421B2 - Image forming apparatus and driving method thereof - Google Patents

Image forming apparatus and driving method thereof

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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30Cold cathodes
    • H01J2201/316Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
    • H01J2201/3165Surface conduction emission type cathodes

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、複数の電子放出素子と、グリッド電極と、
複数の画素とを備える画像形成装置及び該画像形成装置
の駆動方法に関する。
The present invention relates to a plurality of electron-emitting devices, a grid electrode,
The present invention relates to an image forming apparatus including a plurality of pixels and a driving method of the image forming apparatus.

[従来の技術] 従来、面状に展開した複数の電子源と、この電子源か
らの電子ビームの照射を各々受ける蛍光体ターゲットと
を、各々相対向させた薄形の画像表示装置が、特開昭56
−28445号で提案されている。この方式によれば、電子
ビームを偏向させる必要がないため、一般のCRTに比べ
て、奥ゆきの非常に小さな画像表示装置の実現が期待で
きる。しかし、残念なことに、電子源としてコイル状ヒ
ータ型式の熱カソードを用いているため、電子放出効率
が低く、しかも構造が複雑化してしまい、装置の消費電
力や製造コストが莫大なものとなることから、実用化さ
れるまでには至っていない。
[Prior Art] Conventionally, a thin image display device in which a plurality of electron sources spread in a plane and phosphor targets each receiving irradiation of an electron beam from the electron source are opposed to each other is known. Kaisho 56
-28445. According to this method, since it is not necessary to deflect the electron beam, it is expected that an image display device having a very small depth compared to a general CRT can be realized. Unfortunately, however, the use of a coil-type heater type cathode as the electron source results in low electron emission efficiency and a complicated structure, resulting in enormous power consumption and manufacturing cost of the device. Therefore, it has not been put to practical use.

そこで、上記コイル状ヒータ形式の熱カソードに代え
て、電子源として一般に表面伝導形放出素子と呼ばれる
電子源を用いることにより、電子放出効率の向上並びに
構造の簡略化を図り、奥行の非常に小さな画像表示装置
の実用化が考えられている。
Therefore, by using an electron source generally called a surface conduction electron-emitting device as an electron source instead of the coil-type heater-type heat cathode, the electron emission efficiency is improved and the structure is simplified, and the depth is extremely small. Practical use of the image display device has been considered.

従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子とし
て、例えば、エム・アイ・エリンソン(M.I.Elinson)
等によって発表された冷陰極素子が知られている[ラジ
オ・エンジニアリング・エレクトロン・フィジィッス
(Radio Eng.Electron.Phys.)第10巻,1290〜1296頁,19
65年]。
Conventionally, devices that can emit electrons with a simple structure include, for example, MIElinson
Are known [Radio Engineering Electron Phys., Vol. 10, 1290-1296, 19
65 years].

これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に
平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を
利用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼ばれ
ている。
This utilizes a phenomenon in which electrons are emitted when a current flows in a small-area thin film formed on a substrate in parallel with the film surface, and is generally called a surface conduction electron-emitting device.

この表面伝導形放出素子としては、前記エリンソン等
により開発されたSnO2(Sb)薄膜を用いたものの他、Au
薄膜によるもの[ジー・ディトマー:“スイン・ソリド
・フィルムス”(G.dittmer:“Thin Solid Films"),9
巻,317頁,(1972年)]、ITO薄膜によるもの[エム・
ハートウェル・アンド・シー・ジ・フォンスタッド:
“アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・ディー・
コンフ”(M.Hartwell and C.G.Fonstad:“IEEE Trans.
ED Conf.")519頁,1975年)]、カーボン薄膜によるも
の[荒木久他:“真空",第26巻,第1号,22頁,(1983
年)]等が報告されている。
As the surface conduction electron-emitting device, a device using a SnO 2 (Sb) thin film developed by Elinson et al.
By thin film [G. dittmer: "Thin Solid Films", 9
Vol.317, (1972)], using ITO thin film [M.
Hartwell and C the Fonstad:
“I e e e e trans e de
Conf. ”(M. Hartwell and CGFonstad:“ IEEE Trans.
ED Conf. ") P. 519, 1975)], using a carbon thin film [Hisashi Araki et al .:" Vacuum ", Vol. 26, No. 1, p. 22, (1983)
Year)].

これらの表面伝導形放出素子は、 1) 高い電子放出効率が得られる、 2) 構造が簡単であるため、製造が容易である、 3) 同一基板上に多数の素子を配列形成できる、 4) 応答速度が速い、 等の利点があり、今後広く応用される可能性をもってい
る。
These surface conduction electron-emitting devices are: 1) obtain a high electron emission efficiency; 2) are easy to manufacture because of their simple structure; 3) can form and form a large number of devices on the same substrate; 4). It has advantages such as fast response speed, and has the potential to be widely applied in the future.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記従来例では表面伝導形放出素子か
ら放出される電子線は、三日月状の広がり特性を持って
いるため、次のような欠点を有していた。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above conventional example, the electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device has a crescent-shaped spreading characteristic, and thus has the following disadvantages.

(1)表面伝導形放出素子から放出された電子線を任意
の形状、大きさに集束させるためには、非常に複雑な電
子光学系を必要とする。
(1) In order to focus an electron beam emitted from a surface conduction electron-emitting device to an arbitrary shape and size, a very complicated electron optical system is required.

(2)素子特有の広がり特性のために、同一基板上に高
密度に配列された画像形成装置を実現することは困難で
ある。
(2) It is difficult to realize an image forming apparatus arranged at high density on the same substrate because of the spread characteristic peculiar to the element.

また、多数の電子源をマルチ配列した画像形成装置で
は、一個の素子が特性劣化あるいは故障した際に、そこ
に対応した発光部もまた発光特性の劣化あるいは発光の
消滅を生じる。高密度に集積、配列された画像形成装置
では、一画面中の1点の非発光化は極めて顕著であり、
高精細画像の表示に対しては望ましくない。
Further, in an image forming apparatus in which a large number of electron sources are arranged in a multi-array, when one element is deteriorated in characteristics or fails, the light emitting unit corresponding thereto also causes deterioration of light emission characteristics or disappearance of light emission. In a high-density integrated and arranged image forming apparatus, non-emission of one point on one screen is extremely remarkable,
This is not desirable for displaying high-definition images.

さらに、マルチ電子源を用いた画像形成装置では、電
子放出部を数百万ケ所と極めて多数、高密度に配列させ
るため、装置完成後の故障修理、補正は事実上不可能で
ある。
Furthermore, in an image forming apparatus using a multi-electron source, since a large number of electron emitting portions are arranged at several million locations at high density, it is practically impossible to repair or correct a failure after the device is completed.

以上のような問題点があるため、かかる表面伝導形放
出素子が産業上積極的に応用されるには至らず、さらに
極めて薄形化が可能なマルチ電子源を用いた画像形成装
置も実現には至っていない。
Due to the above-mentioned problems, such surface conduction electron-emitting devices have not been actively applied in industry, and an image forming apparatus using a multi-electron source that can be made extremely thin has also been realized. Has not been reached.

本発明は、上記従来例の欠点を除去することを目的と
してなされたものである。
The present invention has been made for the purpose of eliminating the above-mentioned drawbacks of the conventional example.

[課題を解決するための手段] 即ち、本発明は、少なくとも複数の電子放出素子と、
グリッド電極と、複数の画素とを備える画像形成装置に
おいて、1つの電子放出素子からの電子線を同時に複数
の画素に照射できる範囲に拡散させる電極を有し、しか
も1つの電子放出素子から電子線を同時に照射できる画
素数が可変であることを特徴とする画像形成装置を提供
するものである。
[Means for Solving the Problems] That is, the present invention provides at least a plurality of electron-emitting devices,
An image forming apparatus having a grid electrode and a plurality of pixels has an electrode for diffusing an electron beam from one electron-emitting device to a range where the plurality of pixels can be irradiated simultaneously, and furthermore, an electron beam from one electron-emitting device. The image forming apparatus is characterized in that the number of pixels that can simultaneously irradiate is variable.

上記画像形成装置は、電子放出素子とは別に電位を制
御できる電極を設け、この電極に印加する直流電圧によ
って、電子放出素子から放出される電子線の照射領域を
積極的に広げることができるようにし、もって1つの電
子放出素子から放出される電子線で同時に複数の画素を
照射できるようにすると共に、この1つの電子放出素子
から放出される電子線を同時に照射できる画素数を可変
にしているものである。
The image forming apparatus is provided with an electrode capable of controlling the potential separately from the electron-emitting device, and a direct-current voltage applied to the electrode can positively expand the irradiation area of the electron beam emitted from the electron-emitting device. Thus, a plurality of pixels can be irradiated simultaneously with an electron beam emitted from one electron-emitting device, and the number of pixels that can be simultaneously irradiated with an electron beam emitted from this one electron-emitting device is made variable. Things.

また、本発明は、上記画像形成装置の駆動方法におい
て、一部の電子放出素子の故障時に、他の電子放出素子
の電子線を、該故障した電子放出素子からの電子線が照
射されるべき画素へ照射できる範囲に拡散することを特
徴とする画像形成装置の駆動方法を提供するものでもあ
る。
Further, according to the present invention, in the driving method of the image forming apparatus, when some of the electron-emitting devices fail, the electron beams of the other electron-emitting devices should be irradiated with the electron beam from the failed electron-emitting device. Another object of the present invention is to provide a method of driving an image forming apparatus, which is characterized in that the light is diffused in a range where the pixels can be irradiated.

上記画像形成装置の駆動方法によれば、一部の電子放
出素子が故障して電子線の放出が停止しても、他の電子
放出素子から放出される電子線を用いることで、極端な
画像の低下を防止することができる。
According to the driving method of the image forming apparatus, even if some of the electron-emitting devices fail and the emission of the electron beam is stopped, an extreme image is generated by using the electron beams emitted from the other electron-emitting devices. Can be prevented from decreasing.

[実施例] 以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明す
る。
[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

実施例1 第1図は、本発明による画像形成装置の一実施例を示
す部分断面図である。同図において、1はガラス基板、
2は1つのライン状に並列接続された表面伝導形電子放
出素子,3は各放出部近傍に設けた集束拡散用電極、4は
グリッド電極、5は蛍光体、6は蛍光体を塗布したフェ
ースプレートである。
Embodiment 1 FIG. 1 is a partial sectional view showing an embodiment of an image forming apparatus according to the present invention. In the figure, 1 is a glass substrate,
2 is a surface conduction electron-emitting device connected in parallel in one line, 3 is a focused diffusion electrode provided in the vicinity of each emission portion, 4 is a grid electrode, 5 is a phosphor, and 6 is a face coated with a phosphor. It is a plate.

上記構成は、まずガラス基板1を充分有機洗浄した
後、通常のフォトリソグラフィ技術等を用いて、集束拡
散用電極3を形成する。このとき、集束拡散用電極が電
子放出部に直接影響を与えないように放出素子の配線方
向とは直交する方向に集束拡散用電極を配置する。
In the above configuration, first, the glass substrate 1 is sufficiently organically washed, and then the focused diffusion electrode 3 is formed by using a normal photolithography technique or the like. At this time, the focusing and diffusion electrode is arranged in a direction orthogonal to the wiring direction of the emission element so that the focusing and diffusion electrode does not directly affect the electron emitting portion.

次に、電子放出部を形成する数百Åから数十μmの微
小間隔を有する一対の電極を上記基板1上にフォトリソ
グラフィ技術を用いて形成する。このとき、前記集束拡
散用電極と交差する部分には予め1μmのSiO2をスパッ
タにより形成して両電極の絶縁性を確保した。こうして
得られた放出部を形成する電極の幅は、200μmであ
り、素子ピッチは1mmである。
Next, a pair of electrodes having a minute interval of several hundreds to several tens of μm for forming an electron emitting portion are formed on the substrate 1 by using a photolithography technique. At this time, 1 μm of SiO 2 was formed in advance in a portion intersecting with the focusing and diffusion electrode by sputtering to secure the insulating properties of both electrodes. The width of the electrode forming the emission section thus obtained is 200 μm, and the element pitch is 1 mm.

次に、200μm幅の電極間に有機パラジウム化合物を
含む有機溶媒(奥野製薬工業製キャタペースト−CCP)
を塗布した後、空気中で250℃、10分間の焼成を行いパ
ラジウムを微粒子化して島構造を有する不連続状態膜と
した(図示せず)。こうして、200μm幅の放出部とそ
の両側に偏向用電極を有するマルチ電子源を得た。
Next, an organic solvent containing an organic palladium compound between electrodes having a width of 200 μm (Catapaste-CCP manufactured by Okuno Pharmaceutical)
Then, the resultant was baked at 250 ° C. for 10 minutes in the air to make palladium fine particles to form a discontinuous film having an island structure (not shown). Thus, a multi-electron source having a 200 μm-wide emitting portion and deflection electrodes on both sides thereof was obtained.

次に、第1図に示したように、ガラス基板1から1mm
の間隔をあけてグリッド電極4を設けた。このとき、1
ケ所の放出部から放出された電子線で2ケ所の発光を得
るため、2つのグリッド孔が1つの放出部から等間隔に
なるような配置とした。グリッド孔の直径は、400μ
m、孔のピッチは500μmである。さらに、グリッド電
極から5mmの位置に蛍光体を塗布したフェースプレート
6を設けて装置を完成した。
Next, as shown in FIG.
The grid electrodes 4 were provided at intervals. At this time, 1
In order to obtain light emission at two locations with electron beams emitted from the emission portions, two grid holes are arranged at equal intervals from one emission portion. Grid hole diameter is 400μ
m, the pitch of the holes is 500 μm. Further, a face plate 6 coated with a phosphor was provided at a position 5 mm from the grid electrode to complete the apparatus.

こうして得られた装置の内部を1×10-6Torr程度の真
空に維持して、電子放出素子に直流電圧14Vを印加しグ
リッドに1KV、フェースプレートに5KVを印加し、集束拡
散用電極をアース電位としたところグリッド孔の位置に
対応した蛍光体上に微小な発光が観察された。
The interior of the device thus obtained is maintained at a vacuum of about 1 × 10 −6 Torr, a DC voltage of 14 V is applied to the electron-emitting device, 1 KV is applied to the grid, 5 KV is applied to the face plate, and the focusing and diffusion electrode is grounded. When the potential was set, a minute light emission was observed on the phosphor corresponding to the position of the grid hole.

次に、並列に接続されている放出素子のうち、1ケ所
の放出部を切り離し、非放出化して再度同様の実験を行
ったところ、非放出化した部分に対応した位置の蛍光体
2ケ所が発光しなくなり、1ケ所の放出部で2ケ所の蛍
光体に電子線を照射していることが確認された。
Next, of the emission elements connected in parallel, one emission part was cut off, non-emission was performed, and the same experiment was performed again. As a result, two phosphors at positions corresponding to the non-emission part were found. Light emission stopped, and it was confirmed that two phosphors were irradiated with an electron beam at one emission part.

さらに、同装置で素子印加電圧を14V、グリッド電圧
を1KV、フェースプレート電圧を5KVとして、集束拡散用
電極3に直流電圧を徐々に印加したところ20V程度から
前記非放出化によって発光しなくなった位置に再度輝点
が観察された。この輝点の明るさは他の明るさに比べや
や暗いものの必要とする発光強度は得られた。このとき
の電子の飛翔の様子を第2図に模式的に示す。
Further, when the device applied voltage was 14 V, the grid voltage was 1 KV, and the face plate voltage was 5 KV, a DC voltage was gradually applied to the focusing and diffusion electrode 3. A bright spot was observed again. Although the brightness of this luminescent spot was slightly darker than other brightnesses, the required emission intensity was obtained. FIG. 2 schematically shows how the electrons fly at this time.

第2図において、非放出化された放出部7から電子の
供給を受けるべきグリッド孔8,9は、集束拡散用電極3
によって広げられた放出部2から放出された電子の一部
を供給されて8,9に対応した位置の蛍光体を発光させて
いる。
In FIG. 2, grid holes 8 and 9 to be supplied with electrons from the non-emission emitting part 7 are provided with the focusing and diffusion electrodes 3.
A part of the electrons emitted from the emission part 2 expanded by the above is supplied, and the phosphors at the positions corresponding to 8 and 9 emit light.

従って、本実施例で作製した装置では、集束拡散用電
極に印加する電圧を適当に選ぶことによって隣接する画
素にまで電子線を供給することが可能であった。
Therefore, in the device manufactured in this example, it was possible to supply an electron beam to an adjacent pixel by appropriately selecting a voltage to be applied to the focusing and diffusion electrode.

実施例2 次に画像形成装置として、予め集束拡散用電極によっ
て放出電子線を集束させておき、必要時に電子線の拡散
を行う装置を作製した。第3図に示すように実施例1と
同様に、まずガラス基板1を十分有機洗浄した後、通常
のフォトリソグラフィ技術等を用いて、集束拡散用電極
3を形成する。このとき、集束拡散用電極が電子放出部
に直接影響を与えないように、放出素子の配線方向とは
直交する方向に集束拡散用電極を配置する。
Example 2 Next, as an image forming apparatus, an apparatus was prepared in which an emitted electron beam was focused beforehand by a focusing and diffusion electrode, and the electron beam was diffused when necessary. As shown in FIG. 3, similarly to the first embodiment, first, the glass substrate 1 is sufficiently organically washed, and then the focused diffusion electrode 3 is formed by using a usual photolithography technique or the like. At this time, the focusing and diffusion electrodes are arranged in a direction perpendicular to the wiring direction of the emission elements so that the focusing and diffusion electrodes do not directly affect the electron emitting portion.

次に放出部及び集束拡散用電極を設けた基板1上の電
極配線部に2mm厚のスペーサを置き、そのスペーサを介
して、実施例1同様にグリッド電極4とフェースプレー
ト6を設けた。基板1とグリッド電極4の距離は2mm、
グリッド電極とフェースプレートの距離は4mmである。
Next, a 2 mm-thick spacer was placed on the electrode wiring portion on the substrate 1 provided with the emission portion and the focus diffusion electrode, and the grid electrode 4 and the face plate 6 were provided through the spacer in the same manner as in Example 1. The distance between the substrate 1 and the grid electrode 4 is 2 mm,
The distance between the grid electrode and the face plate is 4 mm.

こうして得られた装置を1×10-6Torr程度の真空に保
ち、素子印加電圧を14V、グリッド印加電圧を500V、フ
ェースプレート印加電圧を5KV、集束拡散電極印加電圧
を0Vとしたとき、1ケ所の電子放出部2から放出される
電子線は、グリッド孔10,11,12,13の4ケ所を通過して
蛍光体5の4ケ所に微小な発光輝点を形成した。
When the device obtained in this way is kept at a vacuum of about 1 × 10 −6 Torr, the voltage applied to the element is 14 V, the voltage applied to the grid is 500 V, the voltage applied to the face plate is 5 KV, and the voltage applied to the focusing diffusion electrode is 0 V. The electron beam emitted from the electron emitting portion 2 of the above-mentioned electron beam passed through four places of the grid holes 10, 11, 12, and 13, and formed fine emission luminescent spots at four places of the phosphor 5.

そこで、電子放出部2から放出された電子線をグリッ
ド孔11,12にのみ集束させるため、集束拡散用電極3に
種々の電圧を印加したところ、−15V程度のときほぼ11,
12の2ケ所に対応した輝点のみが観察され、実施例1と
同様に集束拡散用電極の効果が確認された。また、集束
拡散用電極に印加する電圧によって電子線の集束、拡散
が可能なため、並列接続された放出部に機能劣化等が生
じた場合、隣接する放出部の電子線を一部利用すること
で画像形成装置として致命的なダメージを避けることが
可能であった。
In order to focus the electron beam emitted from the electron emitting portion 2 only on the grid holes 11 and 12, various voltages were applied to the focusing and diffusion electrode 3.
Only the bright spots corresponding to the two locations of 12 were observed, confirming the effect of the focused diffusion electrode as in Example 1. In addition, since the electron beam can be focused and diffused by the voltage applied to the focusing / diffusion electrode, if the emission portions connected in parallel deteriorate in function or the like, part of the electron beams of the adjacent emission portions should be used. Thus, it was possible to avoid fatal damage as an image forming apparatus.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば (1)放出部近傍の同一基板上に集束拡散電極を設ける
ことができるため、放出電子線の集束、拡散が容易であ
る。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, (1) since the focused diffusion electrode can be provided on the same substrate in the vicinity of the emission portion, the emission electron beam can be easily focused and diffused.

(2)1ケ所の放出部から放出される電子線によって任
意の輝点を形成できるため、一部の素子劣化の影響を受
けにくく、画質低下の少ない画像形成装置を提供でき
る。
(2) Since an arbitrary luminescent spot can be formed by an electron beam emitted from one emission portion, it is possible to provide an image forming apparatus which is hardly affected by a part of element deterioration and has little deterioration in image quality.

(3)集束拡散用電極の電圧を任意に設定できるため、
装置の各電極の電圧、位置関係に対する自由度が大き
い。
(3) Since the voltage of the focusing and diffusion electrode can be arbitrarily set,
The degree of freedom for the voltage and positional relationship of each electrode of the device is large.

以上のような効果がある。The above effects are obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、本発明の特徴をあらわす一実施形態の部分断
面図、第2図は実施例1で作製した装置の部分断面図、
第3図は実施例2で作製した装置の部分断面図を表わ
す。 1……ガラス基板 2……電子放出部 3……集束拡散用電極 4……グリッド電極 5……蛍光体 6……フェースプレート 7……非放出化された放出部 8,9,10,11,12,13……グリッド電極の孔 14……電子線
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of one embodiment showing features of the present invention, FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the device manufactured in Example 1,
FIG. 3 is a partial sectional view of the device manufactured in the second embodiment. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate 2 ... Electron emission part 3 ... Focusing diffusion electrode 4 ... Grid electrode 5 ... Phosphor 6 ... Face plate 7 ... Non-emission emission part 8,9,10,11 , 12,13 …… Hole of grid electrode 14 …… Electron beam

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂野 嘉和 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 小野 治人 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 金子 哲也 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−237340(JP,A) 特開 昭63−150837(JP,A) 特開 昭59−73837(JP,A) 特開 昭63−13246(JP,A) 特許2727225(JP,B2) 特許2727223(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01J 1/30 H01J 31/08 - 31/18 G09G 3/00 - 3/38 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoshikazu Sakano 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Haruhito Ono 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Within Canon Inc. (72) Inventor Tetsuya Kaneko 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (56) References JP-A-63-237340 (JP, A) JP-A-63-150837 ( JP, A) JP-A-59-73837 (JP, A) JP-A-63-13246 (JP, A) Patent 2727225 (JP, B2) Patent 2727223 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int. . 6, DB name) H01J 1/30 H01J 31/08 - 31/18 G09G 3/00 - 3/38

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】少なくとも複数の電子放出素子と、グリッ
ド電極と、複数の画素とを備える画像形成装置におい
て、1つの電子放出素子からの電子線を同時に複数の画
素に照射できる範囲に拡散させる電極を有し、しかも1
つの電子放出素子から電子線を同時に照射できる画素数
が可変であることを特徴とする画像形成装置。
1. An image forming apparatus comprising at least a plurality of electron-emitting devices, a grid electrode, and a plurality of pixels, an electrode for diffusing an electron beam from one electron-emitting device into a range where the plurality of pixels can be simultaneously irradiated. And 1
An image forming apparatus, wherein the number of pixels that can simultaneously irradiate an electron beam from one electron-emitting device is variable.
【請求項2】請求項1に記載の画像形成装置の駆動方法
において、一部の電子放出素子の故障時に、他の電子放
出素子の電子線を、該故障した電子放出素子からの電子
線が照射されるべき画素へ照射できる範囲に拡散するこ
とを特徴とする画像形成装置の駆動方法。
2. A driving method of an image forming apparatus according to claim 1, wherein when one of the electron-emitting devices fails, the electron beam from another electron-emitting device is replaced by the electron beam from the failed electron-emitting device. A method for driving an image forming apparatus, comprising: diffusing light to a range in which pixels to be irradiated can be irradiated.
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