JP2961368B1 - Semiconductor device test equipment - Google Patents

Semiconductor device test equipment

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JP2961368B1
JP2961368B1 JP10236514A JP23651498A JP2961368B1 JP 2961368 B1 JP2961368 B1 JP 2961368B1 JP 10236514 A JP10236514 A JP 10236514A JP 23651498 A JP23651498 A JP 23651498A JP 2961368 B1 JP2961368 B1 JP 2961368B1
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Abstract

【要約】 【課題】 半導体素子の出力信号のレベルを短時間で所
定レベルに設定する。 【解決手段】 試験対象の半導体素子1の利得制御電圧
を掃引電源21によって掃引し、半導体素子1の出力信
号のレベルをレベル検出器23によって検出し、このレ
ベル検出器23の出力電圧と予め設定された基準電圧V
rとを電圧比較器24で比較し、両者が等しくなったと
きに掃引電源21にストップ信号を出力して掃引を停止
させ、この出力電圧を保持することにより半導体素子1
の出力信号のレベルを所定レベルに固定する。
A level of an output signal of a semiconductor element is set to a predetermined level in a short time. SOLUTION: A gain control voltage of a semiconductor element 1 to be tested is swept by a sweep power supply 21, a level of an output signal of the semiconductor element 1 is detected by a level detector 23, and an output voltage of the level detector 23 is preset. Reference voltage V
r is compared by a voltage comparator 24, and when the two become equal, a stop signal is output to the sweep power supply 21 to stop the sweep, and the output voltage is held, whereby the semiconductor device 1
Is fixed at a predetermined level.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば移動体通信
システム等で用いられる高周波増幅器等の半導体素子を
試験するための半導体素子試験装置(以下単に試験装置
と記す)において、その試験効率を向上させるための技
術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device test apparatus (hereinafter simply referred to as a test apparatus) for testing a semiconductor element such as a high-frequency amplifier used in a mobile communication system or the like. Related to technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子の製造ラインでは、製造され
た半導体素子を試験装置によって試験して、良品の選別
を行っている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing line, manufactured semiconductor devices are tested by a test apparatus to select non-defective products.

【0003】図4は、このような製造ラインに設置され
る従来の試験装置10の構成を示している。この試験装
置10には、自動装填装置11が設けられている。自動
装填装置11は、試験対象の一つの半導体素子をマウン
ト12に装填し、この半導体素子の試験が終了すると、
その試験済みの半導体素子をマウント12から外して、
次の試験対象の半導体素子を装填するという動作を繰り
返す。
FIG. 4 shows a configuration of a conventional test apparatus 10 installed in such a production line. The test apparatus 10 is provided with an automatic loading device 11. The automatic loading device 11 loads one semiconductor element to be tested into the mount 12, and when the test of this semiconductor element is completed,
Remove the tested semiconductor device from the mount 12,
The operation of loading the next semiconductor element to be tested is repeated.

【0004】マウント12には、半導体素子1の信号入
力ピン1a、信号出力ピン1b、利得制御ピン1cおよ
び電源ピン1d、1eにそれぞれ接続可能な信号出力端
子12a、信号入力端子12b、制御電圧出力端子12
cおよび電源端子12d、12eが設けられている。
The mount 12 has a signal output terminal 12a, a signal input terminal 12b, and a control voltage output which can be connected to a signal input pin 1a, a signal output pin 1b, a gain control pin 1c, and power supply pins 1d and 1e of the semiconductor device 1, respectively. Terminal 12
c and power supply terminals 12d and 12e.

【0005】マウント12の信号出力端子12aは信号
発生器13に接続されており、信号発生器13から出力
された信号が半導体素子1に入力される。また、信号入
力端子12bには、半導体素子1の出力信号の特性値、
例えば電力、スペクトラム等を測定するための測定器と
してパワー計15やスペクトラムアナライザ16等が信
号分配器14を介して接続されている。
A signal output terminal 12 a of the mount 12 is connected to a signal generator 13, and a signal output from the signal generator 13 is input to the semiconductor device 1. The signal input terminal 12b has a characteristic value of an output signal of the semiconductor element 1,
For example, a power meter 15 and a spectrum analyzer 16 are connected via a signal distributor 14 as measuring devices for measuring electric power, spectrum, and the like.

【0006】マウント12の制御電圧出力端子12cに
は、半導体素子1の利得(バイアス電圧)を設定するた
めの可変電源17が接続され、マウント12の電源端子
12d、12eには、半導体素子1に電源を供給する素
子電源18が接続されている。
A variable power supply 17 for setting the gain (bias voltage) of the semiconductor device 1 is connected to the control voltage output terminal 12 c of the mount 12, and the power supply terminals 12 d and 12 e of the mount 12 are connected to the semiconductor device 1. An element power supply 18 for supplying power is connected.

【0007】自動装填装置11、信号発生器13および
パワー計15、スペクトラムアナライザ16等の測定器
および可変電源17はGPIBのインタフェースを有し
ており、その制御バスを介してコンピュータからなる試
験制御装置19に接続されている。
A measuring instrument such as an automatic loading device 11, a signal generator 13, a power meter 15, a spectrum analyzer 16, and a variable power supply 17 have a GPIB interface, and a test control device comprising a computer via a control bus thereof. 19 is connected.

【0008】試験制御装置19は、自動装填装置11に
よってマウント12に装填された半導体素子1に対し
て、信号発生器13の出力信号の周波数やレベルあるい
は可変電源17の出力電圧Vaを可変制御して予め決め
られた複数項目の測定を行い、その良否を判定する。
The test controller 19 variably controls the frequency and level of the output signal of the signal generator 13 or the output voltage Va of the variable power supply 17 for the semiconductor element 1 loaded on the mount 12 by the automatic loading device 11. The measurement of a plurality of items determined in advance is performed, and the quality is determined.

【0009】これらの測定項目中には、半導体素子の出
力信号のレベルを所定レベルに固定して測定する項目が
ある。
[0009] Among these measurement items, there are items to be measured while fixing the level of the output signal of the semiconductor element to a predetermined level.

【0010】このように半導体素子の出力信号のレベル
を所定レベルに固定する方法として、前記したように利
得制御ピン1cを有する半導体素子1では、半導体素子
1の入力信号レベルを可変して出力を所定レベルに合わ
せる方法の他に、半導体素子1の利得制御ピン1cに加
える電圧を可変する、即ち、半導体素子の利得を可変し
て出力を所定レベルに合わせる方法もとられる。
As described above, as a method of fixing the level of the output signal of the semiconductor element to a predetermined level, in the semiconductor element 1 having the gain control pin 1c as described above, the output is changed by varying the input signal level of the semiconductor element 1. In addition to the method of adjusting the output to a predetermined level, the voltage applied to the gain control pin 1c of the semiconductor element 1 is varied, that is, the gain of the semiconductor element is adjusted to adjust the output to a predetermined level.

【0011】図5は、半導体素子の利得を可変して出力
信号のレベルを所定レベルに合わせる場合の試験制御装
置19の処理手順を示している。
FIG. 5 shows a processing procedure of the test control device 19 when the gain of the semiconductor element is varied to adjust the level of the output signal to a predetermined level.

【0012】図5に示しているように、試験制御装置1
9は、GPIBの制御バスを介して可変電源17の出力
電圧Vaを初期電圧Vsに設定し(S1)、次に、パワ
ー計15に読取りを指示し(S2)、パワー計15から
送られてくる読取値を受信して(S3)、その読取値が
固定したい所定レベルから信号分配器14の損失を減じ
たレベルに等しいかを判断し(S4)、等しくない場合
には可変電源17の出力電圧Vaを可変する(S5)と
いう処理を繰り返し行って、半導体素子1の出力信号の
レベルを所定レベルに追い込んでからスペクトラム測定
(S6)を行っている。
As shown in FIG. 5, the test control device 1
9 sets the output voltage Va of the variable power supply 17 to the initial voltage Vs via the GPIB control bus (S1), and then instructs the power meter 15 to read (S2), which is sent from the power meter 15. An incoming read value is received (S3), and it is determined whether the read value is equal to a level obtained by subtracting the loss of the signal distributor 14 from a predetermined level to be fixed (S4). The process of varying the voltage Va (S5) is repeated to bring the level of the output signal of the semiconductor element 1 to a predetermined level, and then perform the spectrum measurement (S6).

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ように、試験制御装置19が、GPIBの制御バスを介
してパワー計15の読取値をモニタしながら可変電源1
7の出力電圧を可変して、半導体素子1の出力信号のレ
ベルを所定レベルに追い込む従来の試験装置では、この
追い込みのために非常に長い時間(1秒以上)がかかっ
てしまい、試験効率が低く、ライン全体の効率の低下を
招くという問題があった。
However, as described above, the test control device 19 monitors the read value of the power meter 15 via the control bus of the GPIB while controlling the variable power supply 1.
In the conventional test apparatus which changes the output voltage of the semiconductor element 1 to a predetermined level by changing the output voltage of the semiconductor device 7, a very long time (1 second or more) is required for this change, and the test efficiency is reduced. And the efficiency of the entire line is reduced.

【0014】本発明は、この問題を解決し、半導体素子
の出力信号のレベルを短時間で所定レベルに設定するこ
とができる半導体素子試験装置を提供することを目的と
している。
An object of the present invention is to provide a semiconductor device test apparatus which solves this problem and can set the output signal level of a semiconductor device to a predetermined level in a short time.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の半導体素子試験装置は、信号入力端子(1
2a)、信号出力端子(12b)、制御電圧入力端子
(12c)および電源端子(12e、12f)を有し、
試験対象の半導体素子の信号入力ピン、信号出力ピン、
利得制御ピンおよび電源ピンを前記信号入力端子、信号
出力端子、制御電圧入力端子および電源端子にそれぞれ
接続させるマウント(12)と、前記マウントの信号入
力端子を介して試験対象の半導体素子に信号を入力する
信号発生器(13)と、スタート信号を受けると出力電
圧を予め設定された初期電圧から掃引し、ストップ信号
を受けると出力電圧の掃引を停止してそのときの出力電
圧を保持するように構成され、該出力電圧を前記マウン
トの制御電圧入力端子を介して試験対象の半導体素子の
利得制御ピンに入力する掃引電源(21)と、前記マウ
ントの信号出力端子を介して試験対象の半導体素子の出
力信号を受けて複数経路に分配出力する信号分配器(2
2)と、前記信号分配器から出力された信号の特性値を
測定する測定器(15、16)と、前記信号分配器から
前記測定器と異なる経路に出力された信号のレベルを検
出するレベル検出器(23)と、前記信号分配器に所定
レベルの信号が入力されたときに前記レベル検出器から
出力される電圧と等しい基準電圧を発生する基準電圧発
生器(25)と、前記レベル検出器の出力電圧と前記基
準電圧とを比較する電圧比較器(24)と、前記電圧比
較器の出力信号を受け、前記レベル検出器の出力電圧が
前記基準電圧に等しくなったときに前記掃引電源にスト
ップ信号を出力するストップ信号発生器(26)と、試
験対象の半導体素子の出力信号レベルが前記所定レベル
に固定されていることが必要な試験を行うときに、前記
掃引電源にスタート信号を出力し、該スタート信号の出
力後に前記ストップ信号発生器からストップ信号が出力
されたことを確認してから前記試験を開始する試験制御
装置(30)とを備えている。
In order to achieve the above object, a semiconductor device test apparatus according to the present invention comprises a signal input terminal (1).
2a), a signal output terminal (12b), a control voltage input terminal (12c), and a power supply terminal (12e, 12f),
The signal input pin, signal output pin,
A mount (12) for connecting a gain control pin and a power supply pin to the signal input terminal, the signal output terminal, the control voltage input terminal and the power supply terminal, respectively, and applying a signal to the semiconductor device under test via the signal input terminal of the mount; An input signal generator (13) sweeps an output voltage from a preset initial voltage when a start signal is received, stops an output voltage when a stop signal is received, and holds the output voltage at that time. A sweep power supply (21) for inputting the output voltage to a gain control pin of a semiconductor device to be tested via a control voltage input terminal of the mount, and a semiconductor to be tested via a signal output terminal of the mount. A signal distributor (2) that receives an output signal of an element and distributes and outputs the signal to a plurality of paths.
2), a measuring device (15, 16) for measuring a characteristic value of a signal output from the signal distributor, and a level for detecting a level of a signal output from the signal distributor to a different path from the measuring device. A detector (23); a reference voltage generator (25) for generating a reference voltage equal to a voltage output from the level detector when a signal of a predetermined level is input to the signal distributor; A voltage comparator (24) for comparing the output voltage of the voltage detector with the reference voltage, and receiving the output signal of the voltage comparator, and when the output voltage of the level detector becomes equal to the reference voltage, A stop signal generator (26) for outputting a stop signal to the sweep power supply when performing a test that requires that the output signal level of the semiconductor element to be tested be fixed at the predetermined level. Outputs a signal, and a testing control apparatus (30) to start the test from the check that the stop signal is output from the stop signal generator after the output of the start signal.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施形態を説明する。図1は、本発明の実施形態の半導体
素子試験装置20の構成を示している。なお、図1にお
いて、自動装填装置11、マウント12、信号発生器1
3、信号分配器14、パワー計15、スペクトラムアナ
ライザ16および素子電源18は、前記図4で説明した
試験装置のものと同等なので、同一符号を付して説明を
省略する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a configuration of a semiconductor device test apparatus 20 according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, an automatic loading device 11, a mount 12, a signal generator 1
3, the signal distributor 14, the power meter 15, the spectrum analyzer 16 and the element power supply 18 are the same as those of the test apparatus described in FIG.

【0017】この試験装置20のマウント12の制御電
圧入力端子12cには、掃引電源21が接続されてい
る。
A sweep power supply 21 is connected to a control voltage input terminal 12c of the mount 12 of the test apparatus 20.

【0018】掃引電源21は、後述する試験制御装置3
0からのスタート信号を受けると出力電圧Vaを予め設
定された初期電圧Vsから例えば電圧が高くなる方向に
高速に掃引し、後述するストップ信号発生器25からの
ストップ信号を受けると出力電圧Vaの掃引を停止して
そのときの出力電圧を保持するように構成されており、
その出力電圧Vaを制御電圧入力端子12cを介して試
験対象の半導体素子1の利得制御ピン1cに入力する。
この掃引電源21の掃引速度は、例えば数ボルトの範囲
を数10mSで掃引する。ここで、半導体素子1の利得
はその利得制御ピン1cの電圧が高い程大きくなるもの
とする。
The sweep power supply 21 is connected to a test control device 3 described later.
When a start signal from 0 is received, the output voltage Va is rapidly swept from a preset initial voltage Vs, for example, in a direction to increase the voltage, and when a stop signal from a stop signal generator 25 described later is received, the output voltage Va is reduced. It is configured to stop the sweep and maintain the output voltage at that time,
The output voltage Va is input to the gain control pin 1c of the semiconductor device 1 under test via the control voltage input terminal 12c.
The sweep speed of the sweep power supply 21 sweeps, for example, a range of several volts at several tens of milliseconds. Here, it is assumed that the gain of the semiconductor element 1 increases as the voltage of the gain control pin 1c increases.

【0019】また、掃引電源21は、前記したように出
力電圧を掃引出力する機能の他に、試験制御装置30に
よって指定された電圧を出力する機能も有している。
The sweep power supply 21 has a function of outputting the voltage specified by the test control device 30 in addition to the function of sweeping the output voltage as described above.

【0020】一方、マウント12の信号出力端子12b
と信号分配器14の間には信号分配器22が設けられて
いる。この信号分配器22は、信号出力端子12bから
出力される信号を測定器側とレベル検出器23に分配す
る。
On the other hand, the signal output terminal 12b of the mount 12
A signal distributor 22 is provided between the signal distributor 14. The signal distributor 22 distributes the signal output from the signal output terminal 12b to the measuring device side and the level detector 23.

【0021】レベル検出器23は、信号分配器22から
出力された信号のレベルを検出して、電圧比較器24に
入力する。
The level detector 23 detects the level of the signal output from the signal distributor 22 and inputs it to the voltage comparator 24.

【0022】電圧比較器24は、レベル検出器23の出
力電圧Vdと基準電圧発生器25から出力される基準電
圧Vrとの大小を比較し、その比較結果に応じた2値信
号を出力する。ここで、電圧比較器24は、例えばレベ
ル検出器23の出力電圧Vdが基準電圧Vrより小さい
ときローレベル、出力電圧Vdが基準電圧Vrより大き
いときにハイレベルの信号を出力するものとする。
The voltage comparator 24 compares the output voltage Vd of the level detector 23 with the reference voltage Vr output from the reference voltage generator 25, and outputs a binary signal according to the comparison result. Here, the voltage comparator 24 outputs a low-level signal when the output voltage Vd of the level detector 23 is lower than the reference voltage Vr, and outputs a high-level signal when the output voltage Vd is higher than the reference voltage Vr.

【0023】また、基準電圧Vrは、スペクトラム測定
等の際の半導体素子1の出力信号のレベルとして規定さ
れている所定レベルの信号が信号分配器22に入力され
たときのレベル検出器23の出力電圧と等しくなるよう
に予め設定されている。
The reference voltage Vr is the output of the level detector 23 when a signal of a predetermined level defined as the level of the output signal of the semiconductor element 1 at the time of spectrum measurement or the like is input to the signal distributor 22. It is set in advance to be equal to the voltage.

【0024】電圧比較器24の出力はストップ信号発生
器26に入力されている。ストップ信号発生器26は、
電圧比較器24の出力がローレベルからハイレベルに反
転したタイミングに掃引電源21に対してストップ信号
を出力する。
The output of the voltage comparator 24 is input to a stop signal generator 26. The stop signal generator 26
A stop signal is output to the sweep power supply 21 at the timing when the output of the voltage comparator 24 is inverted from the low level to the high level.

【0025】自動装填装置11、信号発生器13、パワ
ー計15、スペクトラムアナライザ16、掃引電源21
および基準電圧発生器25は、GPIBの制御バスを介
して試験制御装置30に接続されている。
Automatic loading device 11, signal generator 13, power meter 15, spectrum analyzer 16, sweep power supply 21
The reference voltage generator 25 is connected to the test control device 30 via a GPIB control bus.

【0026】試験制御装置30は、自動装填装置11に
よってマウント12に試験対象の半導体素子1がマウン
トされる毎に、その半導体素子1に対する各種の測定
(例えば入出力特性,利得の周波数特性、スペクトラム
特性等)を行って、その半導体素子の良否を判定する。
Each time the semiconductor device 1 to be tested is mounted on the mount 12 by the automatic loading device 11, the test control device 30 performs various measurements on the semiconductor device 1 (for example, input / output characteristics, gain frequency characteristics, spectrum, etc.). Characteristics, etc.) to determine the quality of the semiconductor element.

【0027】試験制御装置30は、前記したように、装
填された半導体素子1に対して種々の自動測定を行う
が、半導体素子1の出力信号レベルが所定レベルに固定
されている必要のない測定を行う場合には、その測定に
必要な利得制御用の電圧を掃引電源21が出力するよう
に指定する。
As described above, the test control device 30 performs various automatic measurements on the loaded semiconductor element 1, but it is not necessary that the output signal level of the semiconductor element 1 be fixed at a predetermined level. Is performed, it is specified that the sweep power supply 21 outputs a voltage for gain control necessary for the measurement.

【0028】また、半導体素子1の出力信号レベルを所
定レベルに固定する必要のある測定、例えばスペクトラ
ムアナライザ16によって半導体素子1の出力信号のス
ペクトラム特性を測定する場合には、試験制御装置30
は、図2のフローチャートにしたがって処理を行う。
In the case where the output signal level of the semiconductor device 1 needs to be fixed at a predetermined level, for example, when the spectrum characteristic of the output signal of the semiconductor device 1 is measured by the spectrum analyzer 16, the test control device 30
Performs processing according to the flowchart of FIG.

【0029】なお、ここで、予め信号発生器13の出力
信号のレベルはある一定のレベルに設定され、掃引電源
21の初期電圧Vsは、半導体素子1の利得を、半導体
素子1の入力信号のレベルに対する前記所定レベルの倍
率より小さく且つ大きく掛け離れていない利得に対応し
た電圧に設定されているものとする。
Here, the level of the output signal of the signal generator 13 is set in advance to a certain level, and the initial voltage Vs of the sweep power supply 21 determines the gain of the semiconductor element 1 and the input signal of the semiconductor element 1. It is assumed that the voltage is set to a voltage corresponding to a gain which is smaller than the magnification of the predetermined level with respect to the level and which is not largely different.

【0030】図2に示しているように、試験制御装置3
0は、始めにスタート信号を掃引電源21に出力し(S
1)、一定時間T待つ(S2)。この時間Tは、掃引電
源21の出力電圧Vaが、初期電圧Vsから正常な半導
体素子の出力信号のレベルを所定レベル以上にする電圧
まで変化するのに必要十分な時間(例えば50mS)に
設定されている。
As shown in FIG. 2, the test control device 3
0 first outputs a start signal to the sweep power supply 21 (S
1) Wait for a predetermined time T (S2). The time T is set to a time (for example, 50 mS) necessary and sufficient for the output voltage Va of the sweep power supply 21 to change from the initial voltage Vs to a voltage that makes the level of the output signal of the normal semiconductor element equal to or higher than a predetermined level. ing.

【0031】スタート信号を受けた掃引電源21は、半
導体素子1の利得制御ピン1cに入力する出力電圧Va
を図3の(a)に示すように、時刻t0 に初期電圧Vs
に設定し、電圧が高くなる方向に掃引を開始する。
Upon receiving the start signal, the sweep power supply 21 outputs the output voltage Va input to the gain control pin 1c of the semiconductor device 1.
At the time t 0 as shown in FIG.
To start sweeping in the direction of higher voltage.

【0032】掃引電源21の出力電圧Vaが初期電圧V
sに設定されたとき、レベル検出器23の出力電圧Vd
は図3の(b)のように基準電圧Vrより低いので、電
圧比較器24からは図3の(c)に示すようにローレベ
ルの信号が出力される。
The output voltage Va of the sweep power supply 21 is equal to the initial voltage V
s, the output voltage Vd of the level detector 23
3 is lower than the reference voltage Vr as shown in FIG. 3B, the voltage comparator 24 outputs a low-level signal as shown in FIG. 3C.

【0033】そして、掃引電源21の出力電圧Vaが上
昇し、レベル検出器23の出力電圧Vdが基準電圧Vr
に近づいて、時刻t1 にレベル検出器23の出力電圧V
dが基準電圧Vrを僅かに越えると、電圧比較器24の
出力はローレベルからハイレベルに反転する。
Then, the output voltage Va of the sweep power supply 21 increases, and the output voltage Vd of the level detector 23 changes to the reference voltage Vr.
At time t 1 , the output voltage V of the level detector 23 approaches
When d slightly exceeds the reference voltage Vr, the output of the voltage comparator 24 is inverted from a low level to a high level.

【0034】このため、ストップ信号発生器26から
は、例えば図3の(d)に示すようなパルス状のストッ
プ信号が時刻t1 に掃引電源21へ出力され、掃引電源
21の出力電圧Vaは時刻t1 の電圧に保持される。
For this reason, the stop signal generator 26 outputs, for example, a pulse-like stop signal as shown in FIG. 3D to the sweep power supply 21 at time t 1, and the output voltage Va of the sweep power supply 21 becomes It is held at a voltage at time t 1.

【0035】なお、前記したように、掃引電源21の掃
引速度は高速なので、レベル検出器23の出力電圧Vd
が第1の基準電圧Vrにほぼ等しくなるまでに要する時
間は数10mS程度(長くても数100mS)で済み、
GPIBの制御バスを介してコマンドのやり取りによっ
てレベルを設定するのに比べて格段に短い。
As described above, since the sweep speed of the sweep power supply 21 is high, the output voltage Vd of the level detector 23 is high.
Takes about several tens of milliseconds (several hundreds of milliseconds at most) until the voltage becomes substantially equal to the first reference voltage Vr.
It is much shorter than setting the level by exchanging commands via the GPIB control bus.

【0036】試験制御装置30は、スタート信号を出力
してから一定時間内にストップ信号発生器26からスト
ップ信号が出力されたことを確認する(S3)と、パワ
ー計15に対して読取りを指示し(S4)、読取値を受
信して(S5)、その読取値が固定したい所定レベルか
ら2つの信号分配器14、22の分配損失を減じたレベ
ルと等しくなっていることを確認して(S6)、スペク
トラム測定を行う(S7)。
The test controller 30 confirms that the stop signal has been output from the stop signal generator 26 within a predetermined time after outputting the start signal (S3), and instructs the power meter 15 to read. (S4), the read value is received (S5), and it is confirmed that the read value is equal to a level obtained by subtracting the distribution loss of the two signal distributors 14 and 22 from a predetermined level to be fixed (S4). S6), spectrum measurement is performed (S7).

【0037】また、処理S6において、パワー計15の
読取値が所定レベルから2つの信号分配器14、22の
分配損失を減じたレベルと等しくなっていない場合に
は、測定系に異常があるものとしてアラームを発生す
る。
If it is determined in step S6 that the value read by the power meter 15 is not equal to the level obtained by subtracting the distribution loss of the two signal distributors 14 and 22 from the predetermined level, it is determined that there is an abnormality in the measurement system. As an alarm.

【0038】また、処理S3において、一定時間内にス
トップ信号が出力されなかった場合には、掃引電源21
に対して掃引の停止を指示し(S8)、前記同様にパワ
ー計15に対して読取りを指示し(S9)、読取値を受
信して(S10)、その読取値が所定レベルから2つの
信号分配器14、22の分配損失を減じたレベルより小
さいか否かを判定し(S11)、小さい場合には半導体
素子自体に問題があるとして、素子不良処理(S12)
を行い、大きい場合には測定系に異常があるものとして
アラームを発生する。
In step S3, if the stop signal is not output within a predetermined time, the sweep power supply 21
Instructs to stop the sweep (S8), instructs the power meter 15 to read in the same manner as described above (S9), receives the read value (S10), and reads the two signals from the predetermined level. It is determined whether or not the level is smaller than the level obtained by reducing the distribution loss of the distributors 14 and 22 (S11). If the level is smaller, it is determined that there is a problem in the semiconductor element itself, and the element is defective (S12).
And if it is large, an alarm is generated assuming that there is an abnormality in the measurement system.

【0039】次に、この半導体素子試験装置の掃引電源
21の初期電圧Vsおよび基準電圧Vrの決定方法につ
いて説明する。
Next, a method of determining the initial voltage Vs and the reference voltage Vr of the sweep power supply 21 of the semiconductor device test apparatus will be described.

【0040】例えば新しい半導体素子の試験のために、
初期電圧Vs、基準電圧Vrを決定する場合、試験制御
装置30は、掃引電源21をGPIBの制御モードにし
て、半導体素子のサンプルをマウント12に装填し、パ
ワー計15をモニタしながら、掃引電源21の出力電圧
Vaを例えば0Vから徐々に上昇させて、パワー計15
の読取値が固定したい所定レベルから2つの信号分配器
14、22の分配損失を減じたレベルより例えば10d
B程度低いときの出力電圧Vaをこの半導体素子に対す
る初期電圧Vsと決定し、これを試験制御装置30内の
メモリに記憶する。
For example, for testing a new semiconductor device,
When determining the initial voltage Vs and the reference voltage Vr, the test controller 30 sets the sweep power supply 21 to the GPIB control mode, loads the sample of the semiconductor device into the mount 12, and monitors the power meter 15 while monitoring the power meter 15. 21 is gradually increased from, for example, 0 V, and the power meter 15
10d from the level obtained by subtracting the distribution loss of the two signal distributors 14 and 22 from the predetermined level at which the read value of
The output voltage Va when the voltage is about B lower is determined as the initial voltage Vs for this semiconductor device, and this is stored in the memory in the test control device 30.

【0041】そして、さらに出力電圧Vaを上昇させ
て、パワー計15の読取値が固定したい所定レベルから
2つの信号分配器14、22の分配損失を減じたレベル
と等しくなるようにする。
Then, the output voltage Va is further increased so that the read value of the power meter 15 becomes equal to a level obtained by subtracting the distribution loss of the two signal distributors 14 and 22 from a predetermined level to be fixed.

【0042】この状態で、ストップ信号発生器26の出
力を監視しながら、基準電圧発生器25の出力電圧を、
ストップ信号発生器26からストップ信号が出力される
まで、最大値から徐々に低く変化させ、ストップ信号が
出力されたときの電圧をこの半導体素子に対する基準電
圧Vrと決定し、このときの基準電圧発生器25の設定
値を試験制御装置30内のメモリに記憶しておき、実際
の測定の際に基準電圧発生器25に設定する。
In this state, while monitoring the output of the stop signal generator 26, the output voltage of the reference voltage generator 25 is
Until the stop signal is output from the stop signal generator 26, the voltage is gradually decreased from the maximum value, and the voltage at which the stop signal is output is determined as the reference voltage Vr for this semiconductor device. The set value of the device 25 is stored in a memory in the test control device 30 and set in the reference voltage generator 25 at the time of actual measurement.

【0043】このように、新たな半導体素子に対する初
期電圧および基準電圧を決定して、これを測定時に掃引
電源21および基準電圧発生器25に設定しておけば、
前記したように、半導体素子の出力信号のレベルを所定
レベルに固定した測定を行う場合にスタート信号を出力
するだけで半導体素子の出力信号のレベルを所定レベル
に固定することができる。
As described above, if the initial voltage and the reference voltage for a new semiconductor element are determined and set in the sweep power supply 21 and the reference voltage generator 25 at the time of measurement,
As described above, the output signal level of the semiconductor element can be fixed at a predetermined level only by outputting a start signal when performing measurement with the level of the output signal of the semiconductor element fixed at a predetermined level.

【0044】以上のように、実施形態の半導体素子試験
装置は、試験対象の半導体素子の利得制御電圧を掃引
し、半導体素子の出力信号のレベルをレベル検出器23
によって検出し、このレベル検出器23の出力電圧が予
め設定された基準電圧と等しくなったときに、掃引電源
21の掃引を停止してこの出力電圧を保持することによ
り、試験対象の半導体素子の出力信号のレベルを所定レ
ベルに固定している。
As described above, the semiconductor device test apparatus according to the embodiment sweeps the gain control voltage of the semiconductor device under test and detects the level of the output signal of the semiconductor device by the level detector 23.
When the output voltage of the level detector 23 becomes equal to a preset reference voltage, the sweeping of the sweep power supply 21 is stopped and the output voltage is held, whereby The level of the output signal is fixed at a predetermined level.

【0045】このため、基準電圧の校正を半導体素子の
種類について予め行っておけば、実際の試験時にはスタ
ート信号を掃引電源に出力するだけで、半導体素子の出
力信号のレベルを所定レベルに短時間に固定することが
でき、GPIBの制御バスを介してコマンドのやり取り
によってレベルを追い込む方法に比べて試験効率が大幅
に向上する。
For this reason, if the reference voltage is calibrated in advance for the type of the semiconductor element, the output signal of the semiconductor element can be reduced to a predetermined level for a short time only by outputting a start signal to the sweep power supply during an actual test. , And the test efficiency is greatly improved as compared with a method in which the level is driven by exchanging commands via the GPIB control bus.

【0046】また、前記実施形態では、半導体素子の出
力レベルを固定して行う測定が一つの場合について説明
したが、半導体素子の出力信号のレベルを固定して行う
測定が複数項目あり且つその固定するレベルが異なって
いる場合には、各測定項目毎に初期電圧、基準電圧を予
め求めておいて、各測定項目の測定を実行するときにこ
れらの電圧を切り換えるようにすればよい。
In the above-described embodiment, the case where one measurement is performed with the output level of the semiconductor device fixed is described. However, there are a plurality of items of measurement performed with the output signal level of the semiconductor device fixed, and the fixed measurement is performed. If the levels to be measured are different, the initial voltage and the reference voltage may be obtained in advance for each measurement item, and these voltages may be switched when the measurement of each measurement item is performed.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体素
子試験装置は、スタート信号を受けて試験対象の半導体
素子の利得制御電圧を掃引させる掃引電源と、試験対象
の半導体素子の出力信号のレベルを検出するレベル検出
器と、レベル検出器の出力電圧と基準電圧とを比較する
電圧比較器と、レベル検出器の出力電圧が基準電圧に等
しくなったときに、掃引電源にストップ信号を出力して
利得制御電圧の掃引を停止させるストップ信号発生器と
を有し、試験対象の半導体素子の出力信号のレベルを所
定レベルに固定する必要のある測定を行う場合に掃引電
源に対してスタート信号を出力するようにしている。
As described above, the semiconductor device test apparatus of the present invention comprises a sweep power supply for receiving a start signal to sweep a gain control voltage of a semiconductor device under test, and a sweep power supply for outputting a signal output from the semiconductor device under test. A level detector that detects the level, a voltage comparator that compares the output voltage of the level detector with a reference voltage, and outputs a stop signal to the sweep power supply when the output voltage of the level detector becomes equal to the reference voltage A stop signal generator for stopping the sweep of the gain control voltage to perform a measurement that needs to fix the level of the output signal of the semiconductor device under test to a predetermined level. Is output.

【0048】このため、試験対象の半導体素子1個1個
に対して試験制御装置による追い込み制御を行う必要が
なく、スタート信号の出力のみで半導体素子の出力信号
のレベルを所定レベルに短時間で固定することができ、
試験効率が大幅に向上する。
For this reason, it is not necessary to perform the run-in control by the test controller for each semiconductor element to be tested, and the output signal level of the semiconductor element can be brought to a predetermined level in a short time only by outputting the start signal. Can be fixed,
Test efficiency is greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態の構成を示すブロック図FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention.

【図2】実施形態の要部の処理手順を示すフローチャー
FIG. 2 is a flowchart showing a processing procedure of a main part of the embodiment.

【図3】実施形態の動作を説明するための信号図FIG. 3 is a signal diagram for explaining the operation of the embodiment;

【図4】従来装置の構成を示すブロック図FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a conventional device.

【図5】従来装置の要部の処理手順を示すフローチャー
FIG. 5 is a flowchart showing a processing procedure of a main part of the conventional apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体素子 11 自動装填装置 12 マウント 13 信号発生器 14 信号分配器 15 パワー計 16 スペクトラムアナライザ 20 半導体素子試験装置 21 掃引電源 22 信号分配器 23 レベル検出器 24 電圧比較器 25 基準電圧発生器 26 ストップ信号発生器 30 試験制御装置 REFERENCE SIGNS LIST 1 semiconductor device 11 automatic loading device 12 mount 13 signal generator 14 signal distributor 15 power meter 16 spectrum analyzer 20 semiconductor device test device 21 sweep power supply 22 signal distributor 23 level detector 24 voltage comparator 25 reference voltage generator 26 stop Signal generator 30 Test control device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01R 31/26 G01R 31/28 H01L 21/66 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) G01R 31/26 G01R 31/28 H01L 21/66

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】信号入力端子(12a)、信号出力端子
(12b)、制御電圧入力端子(12c)および電源端
子(12e、12f)を有し、試験対象の半導体素子の
信号入力ピン、信号出力ピン、利得制御ピンおよび電源
ピンを前記信号入力端子、信号出力端子、制御電圧入力
端子および電源端子にそれぞれ接続させるマウント(1
2)と、 前記マウントの信号入力端子を介して試験対象の半導体
素子に信号を入力する信号発生器(13)と、 スタート信号を受けると出力電圧を予め設定された初期
電圧から掃引し、ストップ信号を受けると出力電圧の掃
引を停止してそのときの出力電圧を保持するように構成
され、該出力電圧を前記マウントの制御電圧入力端子を
介して試験対象の半導体素子の利得制御ピンに入力する
掃引電源(21)と、 前記マウントの信号出力端子を介して試験対象の半導体
素子の出力信号を受けて複数経路に分配出力する信号分
配器(22)と、 前記信号分配器から出力された信号の特性値を測定する
測定器(15、16)と、 前記信号分配器から前記測定器と異なる経路に出力され
た信号のレベルを検出するレベル検出器(23)と、 前記信号分配器に所定レベルの信号が入力されたときに
前記レベル検出器から出力される電圧と等しい基準電圧
を発生する基準電圧発生器(25)と、 前記レベル検出器の出力電圧と前記基準電圧とを比較す
る電圧比較器(24)と、 前記電圧比較器の出力信号を受け、前記レベル検出器の
出力電圧が前記基準電圧に等しくなったときに前記掃引
電源にストップ信号を出力するストップ信号発生器(2
6)と、 試験対象の半導体素子の出力信号レベルが前記所定レベ
ルに固定されていることが必要な試験を行うときに、前
記掃引電源にスタート信号を出力し、該スタート信号の
出力後に前記ストップ信号発生器からストップ信号が出
力されたことを確認してから前記試験を開始する試験制
御装置(30)とを備えた半導体素子試験装置。
A signal input terminal (12a), a signal output terminal (12b), a control voltage input terminal (12c), and a power supply terminal (12e, 12f). Pin, a gain control pin and a power supply pin are connected to the signal input terminal, the signal output terminal, the control voltage input terminal and the power supply terminal, respectively.
2), a signal generator (13) for inputting a signal to a semiconductor device to be tested through a signal input terminal of the mount, and receiving a start signal, sweeping an output voltage from a preset initial voltage, and stopping. When a signal is received, the sweep of the output voltage is stopped and the output voltage at that time is held, and the output voltage is input to the gain control pin of the semiconductor device under test via the control voltage input terminal of the mount. A power supply (21), a signal distributor (22) for receiving an output signal of the semiconductor device under test via a signal output terminal of the mount, distributing the signal to a plurality of paths, and outputting the signal from the signal distributor. A measuring device (15, 16) for measuring a characteristic value of a signal; a level detector (23) for detecting a level of a signal output from the signal distributor to a path different from the measuring device; A reference voltage generator (25) for generating a reference voltage equal to a voltage output from the level detector when a signal of a predetermined level is input to the signal divider; an output voltage of the level detector and the reference voltage And a stop signal that receives an output signal of the voltage comparator and outputs a stop signal to the sweep power supply when an output voltage of the level detector becomes equal to the reference voltage. Generator (2
6) and when performing a test that requires that the output signal level of the semiconductor element to be tested be fixed at the predetermined level, output a start signal to the sweep power supply and stop the stop after outputting the start signal. A test control device (30) for starting the test after confirming that a stop signal has been output from a signal generator.
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