JP2959177B2 - Optical semiconductor device - Google Patents

Optical semiconductor device

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JP2959177B2
JP2959177B2 JP11804591A JP11804591A JP2959177B2 JP 2959177 B2 JP2959177 B2 JP 2959177B2 JP 11804591 A JP11804591 A JP 11804591A JP 11804591 A JP11804591 A JP 11804591A JP 2959177 B2 JP2959177 B2 JP 2959177B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レ−ザ素子を搭
載した光ファイバピグテ−ル付の光半導体装置に関し、
特に、デュアルインライン型(以下、DIP型と略記す
る。)パッケ−ジに冷却用ペルチェ素子を搭載した構造
の光半導体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor device with an optical fiber pigtail having a semiconductor laser element mounted thereon.
In particular, the present invention relates to an optical semiconductor device having a structure in which a cooling Peltier element is mounted on a dual in-line type (hereinafter abbreviated as DIP type) package.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種光半導体装置を図3に基づ
いて説明する。図3は、従来の光半導体装置の縦断面図
であり、この装置は、概略すると、半導体レ−ザ素子
1、マイクロレンズ2、光ファイバピグテ−ル3、冷却
用ペルチェ素子34、レンズホルダ35、DIP型パッ
ケ−ジ38、放熱フランジ39、銅台座40より構成さ
れている。
2. Description of the Related Art A conventional optical semiconductor device of this type will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a conventional optical semiconductor device. This device is briefly described below. A semiconductor laser element 1, a micro lens 2, an optical fiber pigtail 3, a cooling Peltier element 34, a lens holder 35, It comprises a DIP type package 38, a heat radiation flange 39, and a copper pedestal 40.

【0003】そして、従来のこの種光半導体装置(光モ
ジュ−ル)は、通常、図3に示すように、DIP型パッ
ケ−ジ38の底面に向けて冷却用ペルチェ素子34を固
定し、この冷却用ペルチェ素子34上に光学系(半導体
レ−ザ素子1、マイクロレンズ2及び光ファイバピグテ
−ル3よりなる光学系)を配置する構造からなる。な
お、上記光学系は、半導体レ−ザ素子1をマイクロレン
ズ2で光ファイバピグテ−ル3に結合した構成からなる
ものである。
In a conventional optical semiconductor device (optical module) of this type, as shown in FIG. 3, a cooling Peltier element 34 is fixed toward a bottom surface of a DIP type package 38, as shown in FIG. An optical system (an optical system including a semiconductor laser element 1, a micro lens 2, and an optical fiber pigtail 3) is arranged on the cooling Peltier element 34. The optical system has a configuration in which a semiconductor laser element 1 is coupled to an optical fiber pigtail 3 by a microlens 2.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種光半
導体装置(光モジュ−ル)において、冷却用ペルチェ素
子による冷却能力の良否がこの光モジュ−ル性能の重要
なポイントである。しかしながら、従来のDIP型形状
の装置は、図3に示すように、通常、放熱フランジ39
が光ファイバピグテ−ル3の反対側側面に配置されてお
り、そのため、冷却用ペルチェ素子34の放熱経路が長
いという欠点(不利)を有する。
In this type of optical semiconductor device (optical module), the quality of the cooling capability of the cooling Peltier element is an important point of the optical module performance. However, as shown in FIG.
Are disposed on the opposite side surface of the optical fiber pigtail 3, and thus have a disadvantage (disadvantage) that the heat radiation path of the cooling Peltier element 34 is long.

【0005】これを図4で説明すると、図4は、放熱フ
ランジ39が光ファイバピグテ−ル3の反対側側面に配
置した光半導体装置における冷却用ペルチェ素子34の
放熱経路を説明するための図であり、冷却用ペルチェ素
子34からの放熱経路は、図中の破線に示すように、D
IP型パッケ−ジ38を経由して、光ファイバピグテ−
ル3の反対側側面に配置されている放熱フランジ39に
達するものであり、この経路が長いという不利がある。
しかも、DIP型パッケ−ジ38は、温度変化による形
状歪を抑制するため、その材料として、例えばコバ−等
の熱伝導のあまりよくないものが用いられており、より
一層冷却用ペルチェ素子34による冷却能力が不利にな
る。なお、図4において、周囲からの熱の回り込み経路
は、同図中の破線に示すとおりである。
FIG. 4 is a view for explaining a heat radiation path of the cooling Peltier element 34 in the optical semiconductor device in which the heat radiation flange 39 is disposed on the side opposite to the optical fiber pigtail 3. There is a heat radiation path from the cooling Peltier element 34 as shown by the broken line in the figure.
Via the IP type package 38, the optical fiber pigtail
This leads to the heat dissipating flange 39 disposed on the opposite side surface of the shell 3 and has a disadvantage that this path is long.
In addition, the DIP type package 38 is made of a material having poor heat conduction, such as a cover, for example, in order to suppress shape distortion due to temperature change. The cooling capacity becomes disadvantageous. In FIG. 4, the route of heat from the surroundings is as shown by the broken line in FIG.

【0006】そこで、前述した従来の光半導体装置(光
モジュ−ル)においては、図3に示すように、熱伝導が
良好な銅の台座40を使用し、これによって、有効な放
熱経路を確保する工夫がなされている。
Therefore, in the above-mentioned conventional optical semiconductor device (optical module), as shown in FIG. 3, a copper pedestal 40 having good heat conduction is used, thereby securing an effective heat radiation path. It is devised to do so.

【0007】これを図5で説明すると、図5は、銅台座
40を配設した図3の従来の光半導体装置における冷却
用ペルチェ素子34の放熱経路を説明するための図であ
り、冷却用ペルチェ素子34からの放熱経路は、図中の
破線に示すように、銅台座40を経由して、放熱フラン
ジ39に達するものであり、その経路が長いとしても、
熱伝導のあまりよくないDIP型パッケ−ジ38を経由
せず、熱伝導が良好な銅台座40を経由するものである
ので、冷却能力が改善される。しかしながら、この種の
光半導体装置(光モジュ−ル)は、部品点数が多く、複
雑な構成となり、小型化がしにくい等の欠点を有する。
なお、図5において、周囲からの熱の回り込み経路は、
同図中の破線に示すとおりである。
Referring to FIG. 5, FIG. 5 is a view for explaining a heat radiation path of the cooling Peltier element 34 in the conventional optical semiconductor device of FIG. The heat radiating path from the Peltier element 34 reaches the heat radiating flange 39 via the copper pedestal 40 as shown by a broken line in the figure, and even if the path is long,
The cooling capacity is improved because the heat does not pass through the DIP type package 38, which has poor heat conduction, but passes through the copper pedestal 40 having good heat conduction. However, this type of optical semiconductor device (optical module) has disadvantages such as a large number of components, a complicated configuration, and difficulty in downsizing.
In FIG. 5, the route of heat from the surroundings is
This is as shown by the broken line in FIG.

【0008】原理的には、冷却用ペルチェ素子の放熱経
路を最小にするため、図6(冷却用ペルチェ素子からの
放熱経路を短縮した光半導体装置におけるその放熱経路
を説明するための図)に示すように、放熱フランジ39
が配置されている側面に冷却用ペルチェ素子34を固定
するのが最も効率的な放熱が期待できる。しかしなが
ら、この装置の欠点としては、光学系を底面から支える
構造物からペルチェ素子34での吸熱側である光学系自
身に、図6中の太点線に示すように、熱がまわり込む点
にあり、結局、冷却能力が向上しないことになる。
In principle, in order to minimize the heat radiation path of the cooling Peltier element, FIG. 6 (a diagram for explaining the heat radiation path in the optical semiconductor device in which the heat radiation path from the cooling Peltier element is shortened) is shown in FIG. As shown, the heat dissipating flange 39
The most efficient heat radiation can be expected by fixing the cooling Peltier element 34 to the side surface where the is disposed. However, a drawback of this device is that heat flows from the structure supporting the optical system from the bottom to the optical system itself, which is the heat absorbing side of the Peltier element 34, as shown by the thick dotted line in FIG. After all, the cooling capacity does not improve.

【0009】そこで、本発明は、前記した欠点等を解消
することを技術的課題とするものであり、詳細には、D
IP型半導体レ−ザモジュ−ルの内蔵ペルチェ素子によ
る冷却能力を改善し、かつ、従来のこの種モジュ−ルに
おいて、実現することができなかった効率的であって簡
便な、しかも、小型化も可能な光半導体装置を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks and the like, and has as its technical object.
The cooling capability of the built-in Peltier element of the IP type semiconductor laser module is improved, and an efficient, simple, and miniaturized, which could not be realized in a conventional module of this type. It is an object to provide a possible optical semiconductor device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】そして、本発明は、上記
目的を達成するため、DIP型パッケ−ジの側壁に又は
この側壁の貫通孔を通して冷却用ペルチェ素子の放熱側
を固定し、その吸熱側を光学系に固定する点、この光学
系が円筒形の外周部を有する点、並びに、上記パッケ−
ジの底面又は上面に、熱伝導不良材料製円柱を固定し、
このガラス円柱との接点で上記光学系円筒形外周部を支
持する点に特徴を有するものである。
According to the present invention, in order to achieve the above object, the heat radiation side of a cooling Peltier element is fixed to the side wall of a DIP type package or through a through hole in this side wall, and the heat absorption thereof is performed. The optical system has a cylindrical outer peripheral portion;
Fix a cylinder made of poor heat conduction material on the bottom or top of the
It is characterized in that the optical system cylindrical outer peripheral portion is supported by the contact point with the glass cylinder.

【0011】即ち、半導体レ−ザ素子と光ファイバピグ
テ−ルとをレンズで結合した光学系をデュアルインライ
ン型パッケ−ジに搭載してなる光半導体装置において、
該パッケ−ジの側壁に又はこの側壁の貫通孔を通して冷
却用ペルチェ素子の放熱側を固定し、その吸熱側を光学
系に固定し、この光学系が円筒形の外周部を有する構造
とし、かつ、上記パッケ−ジの底面又は上面に熱伝導不
良材料製円柱を固定し、この円柱と上記光学系とを、そ
の円筒形外周部の接点で支持してなることを特徴とする
光半導体装置である。
That is, in an optical semiconductor device in which an optical system in which a semiconductor laser element and an optical fiber pigtail are coupled by a lens is mounted on a dual in-line type package,
A radiation side of the cooling Peltier element is fixed to a side wall of the package or through a through hole in the side wall, and a heat absorption side is fixed to an optical system, and the optical system has a structure having a cylindrical outer peripheral portion, and An optical semiconductor device characterized in that a cylinder made of a material having poor heat conduction is fixed to the bottom or top surface of the package, and the cylinder and the optical system are supported by a contact point on the cylindrical outer peripheral portion. is there.

【0012】本発明は、冷却用ペルチェ素子の放熱経路
を最小にするため、このペルチェ素子を放熱フランジに
できるだけ近接させるように配置するものであり、この
ため、放熱フランジが配設されているDIP型パッケ−
ジの側壁に、冷却用ペルチェ素子の放熱側を固定する構
造とする。また、冷却用ペルチェ素子の放熱効率をさら
に向上させるために、上記パッケ−ジの側壁に孔を開
け、この貫通孔を通して、直接、放熱フランジに冷却用
ペルチェ素子の放熱側を固定することもできる。
According to the present invention, in order to minimize the heat dissipation path of the cooling Peltier element, the Peltier element is arranged so as to be as close as possible to the heat dissipation flange. For this reason, the DIP provided with the heat dissipation flange is provided. Mold package
The structure is such that the heat radiation side of the cooling Peltier element is fixed to the side wall of the die. In order to further improve the heat dissipation efficiency of the cooling Peltier element, a hole may be formed in the side wall of the package, and the heat dissipation side of the cooling Peltier element may be directly fixed to the heat dissipation flange through this through hole. .

【0013】更に、本発明は、図6に示した前記光学系
構造物に対する熱の還流を最小限に抑制するため、光学
系を円筒形の外周部を有する構造とする。そして、この
円筒形の光学系を支持する手段として、熱伝導の悪い材
料、例えばガラス製の円柱をDIP型パッケ−ジの底面
又は上面に固定し、この円柱と上記円筒形の外周部とを
接点で支持するように構成するものであり、これによっ
て、点接触となり、熱のまわり込みを最小限に抑えるこ
とができる。
Further, in the present invention, the optical system has a cylindrical outer peripheral portion in order to minimize the reflux of heat to the optical system structure shown in FIG. As a means for supporting the cylindrical optical system, a column made of a material having poor heat conductivity, for example, a glass column, is fixed to the bottom or top surface of the DIP package, and the column and the outer peripheral portion of the cylinder are fixed. It is configured so as to be supported by a contact point, whereby a point contact is made, and heat flow can be minimized.

【0014】本発明の光半導体装置は、以上の構成から
なるものであるから、DIP型半導体レ−ザモジュ−ル
の内蔵ペルチェ素子による冷却能力が向上し、かつ、従
来のこの種モジュ−ルにおいて、実現することができな
かった効率的であって簡便な、しかも、小型化も可能な
光半導体装置を提供することができる。
Since the optical semiconductor device of the present invention has the above-described structure, the cooling capability of the built-in Peltier element of the DIP type semiconductor laser module is improved, and the conventional semiconductor module of this type has the following advantages. It is possible to provide an efficient and simple optical semiconductor device which could not be realized and which can be downsized.

【0015】[0015]

【実施例】次に、図1及び図2に基づいて本発明を詳細
に説明する。図1は、本発明の第1の実施例である光半
導体装置の縦断面図であり、図2は、同じく本発明の第
2の実施例である光半導体装置の縦断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an optical semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view of an optical semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【0016】(実施例1)図1に示す光半導体装置にお
いて、光学系は、半導体レ−ザ素子1、マイクロレンズ
2及び光ファイバピグテ−ル3からなる構成を有し、従
来と同一であるが、本発明は、この光学系を配置するレ
ンズホルダ−5として、円筒形状(φ3.2mm)と
し、この円筒形ホルダ−を配設する点に特徴がある。そ
して、半導体レ−ザ素子1のサブキャリア6は、このレ
ンズホルダ−5とYAGレ−ザ溶接し、このサブキャリ
ア6の裏面は、冷却用ペルチェ素子4の片側(周囲高温
時の吸熱側)基板にPbSn共晶半田で固定する。
(Embodiment 1) In the optical semiconductor device shown in FIG. 1, the optical system has the same structure as that of the conventional one, having a semiconductor laser element 1, a micro lens 2, and an optical fiber pigtail 3. The present invention is characterized in that the lens holder 5 for disposing the optical system has a cylindrical shape (φ3.2 mm), and the cylindrical holder is disposed. The subcarrier 6 of the semiconductor laser element 1 is welded to the lens holder 5 with a YAG laser, and the back surface of the subcarrier 6 is on one side of the cooling Peltier element 4 (heat absorbing side at high ambient temperature). The substrate is fixed with PbSn eutectic solder.

【0017】一方、ペルチェ素子4の反対側(放熱側)
基板は、DIP型パッケ−ジ18の側壁に固定する。そ
して、このDIP型パッケ−ジ18の側壁は、厚み方向
の熱伝導を良好にするため、銅−タングステン材を用い
る。また、放熱フランジ19は、銅板を使用する。
On the other hand, the other side (radiation side) of the Peltier element 4
The substrate is fixed to the side wall of the DIP package 18. The sidewall of the DIP package 18 is made of a copper-tungsten material in order to improve the heat conduction in the thickness direction. Further, the heat dissipation flange 19 uses a copper plate.

【0018】また、本発明は、上記円筒形のレンズホル
ダ−5を支持する点に特徴がある。即ち、この円筒形の
レンズホルダ5の支持構造物として、面取りを施したガ
ラス円柱7(φ1.5mm)をDIP型パッケ−ジ18
の底面に2本配置する。これにより、レンズホルダ−5
とガラス円柱7とは、点接触となり、熱のまわり込み
は、最小限に抑えられる。
Further, the present invention is characterized in that the cylindrical lens holder 5 is supported. That is, as a supporting structure for the cylindrical lens holder 5, a chamfered glass cylinder 7 (1.5 mm in diameter) is packaged in a DIP type package 18.
Are arranged on the bottom surface of. Thereby, the lens holder-5
And the glass cylinder 7 are in point contact with each other, and the heat flow is minimized.

【0019】この構造により、周囲温度と半導体レ−ザ
素子1のマウント部との温度差△Tは、前記した従来構
造(図3及び図5参照)並の45℃を達成しており、同
時に、従来の図3に示す光半導体装置対して、銅台座
(図3の40)及び冷却用ペルチェ素子(図3の34)
を側壁に配置した分だけ薄くなっており、コンパクトに
構成することができる。ちなみに、図3に示す従来の光
半導体装置におけるパッケ−ジ高さは、12mmである
ところ、この図1に示す実施例1の光半導体装置では、
7.5mmである。また、△Tに関して言えば、前記し
た図4の光半導体装置におけるDIP型パッケ−ジ38
のパッケ−ジ材料がコバ−の場合、あるいは、前記した
図6に示すように、冷却用ペルチェ素子34を放熱フラ
ンジ39の側面に固定した構造の光半導体装置におい
て、DIP型パッケ−ジ38の底面から熱のまわり込み
がある場合、35℃程度しか得られず、高温環境での半
導体レ−ザモジュ−ル長寿命動作が難しくなる。
With this structure, the temperature difference ΔT between the ambient temperature and the mounting portion of the semiconductor laser element 1 achieves the same 45 ° C. as the conventional structure described above (see FIGS. 3 and 5), and at the same time, In contrast to the conventional optical semiconductor device shown in FIG. 3, a copper pedestal (40 in FIG. 3) and a Peltier element for cooling (34 in FIG. 3).
Is thinner by the amount arranged on the side wall, and can be made compact. Incidentally, the package height of the conventional optical semiconductor device shown in FIG. 3 is 12 mm, but in the optical semiconductor device of Example 1 shown in FIG.
7.5 mm. As for ΔT, the DIP package 38 in the optical semiconductor device of FIG.
When the package material is a cover, or as shown in FIG. 6, in an optical semiconductor device having a structure in which the cooling Peltier element 34 is fixed to the side surface of the heat radiation flange 39, the DIP type package 38 is used. In the case where heat flows from the bottom surface, only about 35 ° C. is obtained, and it becomes difficult to operate the semiconductor laser module for a long time in a high temperature environment.

【0020】(実施例2)図2は、本発明の第二の実施
例を示す光半導体装置の縦断面図であり、この装置は、
基本的な構成は、実施例1と同一であるが、放熱効率を
さらに向上させるために、DIP型パッケ−ジ28の側
壁に孔を開け、このパッケ−ジ28の側壁を介さない
で、直接放熱フランジ29に冷却用ペルチェ素子4の放
熱側基板を固定する構造のものである。これにより、△
Tは、50℃まで改善される。
(Embodiment 2) FIG. 2 is a longitudinal sectional view of an optical semiconductor device showing a second embodiment of the present invention.
The basic configuration is the same as that of the first embodiment. However, in order to further improve the heat radiation efficiency, a hole is made in the side wall of the DIP type package 28, and the hole is directly formed without passing through the side wall of the package 28. The heat radiation flange 29 has a structure in which the heat radiation side substrate of the cooling Peltier element 4 is fixed. With this,
T is improved up to 50 ° C.

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明は、以上詳記したように、冷却用
ペルチェ素子の放熱経路を最小にするため、このペルチ
ェ素子を放熱フランジにできるだけ近接するよう配置
し、かつ、ペルチェ素子の冷却側に配置した光学系構造
物に対する熱の還流を最小限に抑制するため、熱伝導の
悪いガラスの円柱と点接触により光学系を支持するもの
であり、これによって、半導体レ−ザモジュ−ルの冷却
性能が向上し、かつ、小型化、簡素化が実現できるとい
う顕著な効果が生ずる。
According to the present invention, as described in detail above, in order to minimize the heat radiation path of the cooling Peltier element, the Peltier element is arranged as close as possible to the heat radiation flange, and the cooling side of the Peltier element is cooled. The optical system is supported by a point contact with a glass column having poor heat conduction in order to minimize the heat return to the optical system structure disposed in the optical system, thereby cooling the semiconductor laser module. The remarkable effect that performance is improved and miniaturization and simplification can be realized is produced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例である光半導体装置の縦
断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an optical semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例である光半導体装置の縦
断面図である。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of an optical semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図3】従来の光半導体装置の縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a conventional optical semiconductor device.

【図4】放熱フランジが光ファイバピグテ−ルの反対側
側面に配置した光半導体装置における冷却用ペルチェ素
子の放熱経路を説明するための図である。
FIG. 4 is a view for explaining a heat radiating path of a cooling Peltier element in an optical semiconductor device in which a heat radiating flange is disposed on a side opposite to an optical fiber pigtail.

【図5】銅台座を配設した図3の従来の光半導体装置に
おける冷却用ペルチェ素子の放熱経路を説明するための
図である。
5 is a view for explaining a heat radiation path of a cooling Peltier element in the conventional optical semiconductor device of FIG. 3 provided with a copper pedestal.

【図6】冷却用ペルチェ素子からの放熱経路を短縮した
光半導体装置におけるその放熱経路を説明するための図
である。
FIG. 6 is a view for explaining a heat radiation path in the optical semiconductor device in which the heat radiation path from the cooling Peltier element is shortened.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レ−ザ素子 2 マイクロレンズ 3 光ファイバピグテ−ル 4 冷却用ペルチェ素子 5 レンズホルダ 6 半導体レ−ザ素子用サブマウント 7 ガラス円柱 18 DIP型パッケ−ジ 19、放熱フランジ 28 DIP型パッケ−ジ 29 放熱フランジ 34 冷却用ペルチェ素子 35 レンズホルダ 38 DIP型パッケ−ジ 39 放熱フランジ 40 銅台座 REFERENCE SIGNS LIST 1 semiconductor laser element 2 microlens 3 optical fiber pigtail 4 cooling Peltier element 5 lens holder 6 semiconductor laser element submount 7 glass cylinder 18 DIP type package 19, heat radiation flange 28 DIP type package 29 Heat radiation flange 34 Peltier element for cooling 35 Lens holder 38 DIP type package 39 Heat radiation flange 40 Copper pedestal

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体レ−ザ素子と光ファイバピグテ−
ルとをレンズで結合した光学系をデュアルインライン型
パッケ−ジに搭載してなる光半導体装置において、該パ
ッケ−ジの側壁に又はこの側壁の貫通孔を通して冷却用
ペルチェ素子の放熱側を固定し、その吸熱側を光学系に
固定し、この光学系が円筒形の外周部を有する構造と
し、かつ、上記パッケ−ジの底面又は上面に熱伝導不良
材料製円柱を固定し、この円柱と上記光学系とを、その
円筒形外周部の接点で支持してなることを特徴とする光
半導体装置。
1. A semiconductor laser device and an optical fiber piggy.
In an optical semiconductor device in which an optical system in which a lens and a lens are coupled by a lens is mounted on a dual in-line type package, the heat radiation side of the cooling Peltier element is fixed to the side wall of the package or through a through hole in the side wall. The heat absorption side is fixed to an optical system, the optical system has a cylindrical outer peripheral portion, and a column made of a material having poor heat conduction is fixed to the bottom or top surface of the package. An optical semiconductor device, wherein an optical system is supported by a contact at a cylindrical outer peripheral portion.
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JP4895197B2 (en) * 2007-01-19 2012-03-14 日立金属株式会社 Optical device

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