JP2955617B2 - Reflective liquid crystal electro-optical device - Google Patents

Reflective liquid crystal electro-optical device

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JP2955617B2 JP28840389A JP28840389A JP2955617B2 JP 2955617 B2 JP2955617 B2 JP 2955617B2 JP 28840389 A JP28840389 A JP 28840389A JP 28840389 A JP28840389 A JP 28840389A JP 2955617 B2 JP2955617 B2 JP 2955617B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はスイッチング素子アレイを配された反射型液
晶電気光学装置に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a reflection type liquid crystal electro-optical device provided with a switching element array.

[従来の技術] 従来のスイッチング素子アレイを配された反射型液晶
電気光学装置は日経エレクトロニクス1981.2/16号P.164
に記載のように対向電極には透明基板、スイッチング素
子アレイ基板は反射電極を設置された基板を用いるもの
であった。
[Prior Art] A conventional reflection type liquid crystal electro-optical device provided with a switching element array is described in Nikkei Electronics No. 1981.2 / 16, p.
As described above, a transparent substrate is used for the counter electrode, and a substrate provided with a reflective electrode is used for the switching element array substrate.

[発明が解決しようとする課題] しかし従来の反射型液晶電気光学装置には、スイッチ
ング素子アレイを配された基板の画素部分を反射体とす
る必要があり、製作工数の増加や、透明電極で確立され
た工程の変更を必要とした。さらに、対向基板上の画素
周辺を覆う遮光マスクと、スイッチング素子アレイの位
置合わせを行なわなければならない課題があった。そこ
で本発明では、従来のスイッチング素子アレイをそのま
まで用いることができ、さらに遮光マスクとの位置合わ
せが要らない反射型電気光学装置を提供することを目的
とするものである。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional reflective liquid crystal electro-optical device, it is necessary to use a pixel portion of a substrate on which a switching element array is disposed as a reflector, which increases the number of manufacturing steps and increases the number of transparent electrodes. Established process changes required. Further, there is a problem that the position of the switching element array must be aligned with the light shielding mask covering the periphery of the pixel on the counter substrate. Therefore, an object of the present invention is to provide a reflection-type electro-optical device that can use a conventional switching element array as it is and does not require alignment with a light-shielding mask.

[課題を解決するための手段] 本発明は、一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、
前記一対の基板内の画素部分に反射体を有する反射型液
晶電気光学装置において、前記一対の基板の一方の基板
にマトリックス状に配置された画素電極と、前記画素電
極に接続されたスイッチング素子とを有し、前記反射体
は絶縁性を有するとともに前記一方の基板上の液晶層側
の内面に前記画素電極に重なるように形成されてなるこ
とを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] According to the present invention, a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates,
In a reflective liquid crystal electro-optical device having a reflector at a pixel portion in the pair of substrates, a pixel electrode disposed in a matrix on one of the pair of substrates, and a switching element connected to the pixel electrode. Wherein the reflector has an insulating property and is formed on the inner surface of the one substrate on the liquid crystal layer side so as to overlap the pixel electrode.

本発明は、前記反射体が誘電体多層膜からなることを
特徴とする。
The present invention is characterized in that the reflector comprises a dielectric multilayer film.

本発明は、一対の基板間に液晶が挟持されてなり、前
記一対の基板の一方の基板にマトリックス状に配置され
た画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング
素子とが形成されてなる反射型液晶電気光学装置におい
て、前記一方の基板上の液晶層側の内面には絶縁性の反
射体が形成されてなり、前記液晶層の入射面の分子軸に
対し平行又は垂直に前記一方の直線偏光の入射光を入射
させる手段を有してなり、前記液晶層を透過後の反射面
ではほぼ円偏光となり、前記反射面で反射後前記液晶層
を透過した出射面では、前記入射光とほぼ90度その偏光
面が回転した直線偏光となるように前記液晶層が設定さ
れてなることを特徴とする。
According to the present invention, a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and a pixel electrode arranged in a matrix on one of the pair of substrates and a switching element connected to the pixel electrode are formed. In the reflection type liquid crystal electro-optical device, an insulating reflector is formed on the inner surface of the one substrate on the liquid crystal layer side, and the one of the one substrate is parallel or perpendicular to the molecular axis of the incident surface of the liquid crystal layer. Means for allowing incident light of linearly polarized light to be incident, the light becomes substantially circularly polarized on the reflection surface after passing through the liquid crystal layer, and on the emission surface which has passed through the liquid crystal layer after reflection on the reflection surface, the incident light and The liquid crystal layer is characterized in that the liquid crystal layer is set so that the plane of polarization of the liquid crystal is rotated by about 90 degrees and becomes linearly polarized light.

[実施例] 実施例1. 第1図は本発明の反射型電気光学装置の断面図であ
る。スイッチング素子アレイ基板103上に絶縁製反射体1
01が設置され、対向基板102との間に液晶104がはさまれ
た基本構造をとっている。ここでは液晶層にツイストし
たネマチック液晶(以下TNと称する)を用いた。105は
画素電極、106は偏光板、107はスイッチング素子であ
る。電界印加のためのもう一方の電極108は、透明電極
で形成されている。さらに入出射面、透明電極面には減
反射コーティングが施され、不要な光線反射を抑制して
いる。
EXAMPLES Example 1 FIG. 1 is a sectional view of a reflection type electro-optical device according to the present invention. Insulating reflector 1 on switching element array substrate 103
01 is provided, and has a basic structure in which a liquid crystal 104 is interposed between the liquid crystal 104 and the counter substrate 102. Here, a nematic liquid crystal (hereinafter referred to as TN) twisted in the liquid crystal layer was used. 105 is a pixel electrode, 106 is a polarizing plate, and 107 is a switching element. The other electrode 108 for applying an electric field is formed of a transparent electrode. Further, an anti-reflection coating is applied to the entrance / exit surface and the transparent electrode surface to suppress unnecessary light reflection.

次に本実施例で用いた反射型の液晶表示モードについ
て説明する。一般的な電界効果複屈折型の表示モード
(以下ECBと称する)の使用は可能であるが本実施例で
はツイストしたネマチック液晶を用いたECBモードを用
いた。
Next, the reflection type liquid crystal display mode used in this embodiment will be described. Although a general field-effect birefringence display mode (hereinafter referred to as ECB) can be used, in this embodiment, an ECB mode using a twisted nematic liquid crystal is used.

本実施例ではスイッチング素子基板に第1表に示すTF
Tアクティブマトリックス方式、液晶層に上述したTN−E
CBモードを用いている。詳細な駆動法及び構成は、日経
エレクトロニクスNo.351(1981)p.211,SID'83 DIGEST
p.156(1983)、SID'85DIGEST p.278(1985)、Japa
n Display'89 p.192に記載のものに準じている。 第1表 駆動方法 TFTアクティブマトリクス 画素数 480×440 表示有効面積 96×88 mm 表示モード TN−ECB(電界効果複屈折) 液晶層厚 2.4μm Δnd 0.2 ツイスト角 63゜ 反射体 Si−SiO2誘電膜多層ミラー (スイッチング素子基板上) 第2図は第1図の装置のビデオ印加電圧と反射率(55
0nm)の特性である。初めに電圧が零の時を説明する。
直線偏光302が入射すると、第3図に示すように楕円偏
光の軌跡が回転する。反射体面ではほぼ円偏光301とな
り、位相が180度回転し反射される。再び液晶層を透過
し、出射面ではほぼ90度偏光面が回転した直線偏光303
となり出射する。このため偏光素子で阻止され、反射率
が低下する(オフ状態)。次に電圧が印加された場合を
説明する。液晶分子は誘電率の異方性のために、電界方
向に再配列する。これにより入射光に対する複屈折の異
方性が消失し、入射した直線偏光がそのまま維持されて
反射し、出射する。従って反射率の低下はない(オン状
態)。
In this embodiment, the switching element substrate is provided with the TF shown in Table 1.
T active matrix method, TN-E described above for the liquid crystal layer
CB mode is used. Detailed driving method and configuration are described in Nikkei Electronics No.351 (1981) p.211, SID'83 DIGEST
p.156 (1983), SID'85DIGEST p.278 (1985), Japa
n According to those described in Display'89 p.192. Table 1 Driving method TFT active matrix Number of pixels 480 × 440 Effective display area 96 × 88 mm Display mode TN-ECB (Field effect birefringence) Liquid crystal layer thickness 2.4 μm Δnd 0.2 Twist angle 63 ° Reflector Si-SiO 2 dielectric film FIG. 2 shows a multi-layer mirror (on the switching element substrate) .
0 nm). First, the case where the voltage is zero will be described.
When the linearly polarized light 302 enters, the trajectory of the elliptically polarized light rotates as shown in FIG. At the reflector surface, the light becomes substantially circularly polarized light 301, and the phase is rotated by 180 degrees and reflected. The linearly polarized light 303 is transmitted through the liquid crystal layer again, and the plane of polarization is rotated by almost 90 degrees on the exit surface.
And emitted. Therefore, the light is blocked by the polarizing element, and the reflectance is reduced (OFF state). Next, a case where a voltage is applied will be described. The liquid crystal molecules rearrange in the direction of the electric field due to the anisotropy of the dielectric constant. As a result, the anisotropy of birefringence with respect to the incident light is eliminated, and the incident linearly polarized light is maintained, reflected, and emitted. Therefore, there is no decrease in reflectance (ON state).

このような偏光の変化を生ずるのは限られた条件のも
とであり、この条件を鋭意検討した結果本発明にいたっ
た。液晶層に求められる光学的な特性は、直線偏光の入
射に対し透過後円偏光となること、反射層で位相が180
度シフトし、液晶層を逆に透過したときに90度偏光面が
回転していることのふたつである。
Such a change in polarization occurs under limited conditions, and as a result of intensive studies on these conditions, the present invention has been achieved. The optical characteristics required of the liquid crystal layer are that, for linearly polarized light, it becomes circularly polarized after transmission, and that the phase is 180
The polarization plane is rotated by 90 degrees when transmitted through the liquid crystal layer.

第4図(a)、(b)はΔndとオフ時の反射率を示す
グラフである。なおパラメーターに液晶層のツイスト角
をとり、入射光の偏光面は入射面の液晶分子のダイレク
ターに合わせた。オン時の反射率は、偏光素子の透過率
によって決まり、ほぼ一定である。これによると、約60
度のツイスト角、Δnd=0.2の時に反射率がほぼ零とな
ることが分かった。更に詳細に調べた結果、63度のツイ
スト角が最適であることが分かった。この時の楕円偏光
の軌跡をみると、第3図に示すように、反射面では偏光
となり、出射面では入射時と90度回転した直線偏光とな
る。これを1/4λ板の場合と比べると、液晶のダイレク
ターに沿って偏光が入射するため、複屈折を感受しにく
く、同じ位相の変化を受けるためには大きなΔndを必要
とすること、Δndに対する周期性が少ないことが特徴で
ある。これは液晶層の厚みを比較的大きく設定でき、製
造におけるマージンを確保するものである。
4 (a) and 4 (b) are graphs showing Δnd and off-state reflectance. The twist angle of the liquid crystal layer was taken as a parameter, and the plane of polarization of the incident light was adjusted to the director of the liquid crystal molecules on the plane of incidence. The reflectance at the time of ON is determined by the transmittance of the polarizing element and is almost constant. According to this, about 60
It was found that the reflectivity was almost zero when the twist angle in degrees, Δnd = 0.2. Further examination revealed that a twist angle of 63 degrees was optimal. Looking at the trajectory of the elliptically polarized light at this time, as shown in FIG. 3, it becomes polarized light on the reflecting surface, and becomes linear polarized light rotated 90 degrees from the incident surface on the emitting surface. Compared to the case of a 1 / 4λ plate, since polarized light is incident along the director of the liquid crystal, birefringence is hardly perceived, and a large Δnd is required to receive the same phase change, Δnd Is characterized by a low periodicity with respect to. This allows the thickness of the liquid crystal layer to be set relatively large, and secures a margin in manufacturing.

また、Δn効果は液晶のダイレクターに対し直線偏光
が垂直に入射した場合も全く同様に働く。これはΔnに
は正負が無いためである。
The Δn effect works exactly the same when linearly polarized light is perpendicularly incident on the director of the liquid crystal. This is because Δn has no sign.

第5図(a),(b)はパラメーターに偏光素子の液
晶のダイレクターに対する配置角をとり、Δndと反射率
の関係を示すものである。これによると偏光素子の方向
が+30度の時にも反射率が零の条件がある。この場合の
楕円偏光の軌跡を見ると第4図と同じように反射面で円
偏光になっている。
FIGS. 5 (a) and 5 (b) show the relationship between the Δnd and the reflectance by taking the arrangement angle of the polarizing element with respect to the director of the liquid crystal as a parameter. According to this, there is a condition that the reflectance is zero even when the direction of the polarizing element is +30 degrees. The locus of the elliptically polarized light in this case is circularly polarized on the reflection surface as in FIG.

パラメーターを振ることによってこの様な条件を他に
も見つけることができる。しかし、波長による反射率変
動を低く抑えるためには最小のΔndに設定する必要があ
り、さらに極端に小さなΔndでは液晶厚が小さくなりす
ぎるため、この間で選択する必要がある。光学長が2倍
になる反射型では、透過型の液晶素子では許容される液
晶厚が製作上の問題となる。そこでΔndが少しでも大き
いことが求められる。これは素子製作のマージンを大き
くするためである。前述のΔnd=0.2の条件でみると、
Δnが小さな液晶の典型的な値、Δn=0.08では、dが
2.5μmとなる。これに対し、従来例で述べた45度ツイ
ストしたタイプでは、最適な液晶厚が2μmを下まわ
り、素子の均一性や歩留まりを低下させる要因になって
いる。
You can find other such conditions by shaking the parameters. However, it is necessary to set the minimum Δnd in order to suppress the variation in the reflectance due to the wavelength. If the Δnd is extremely small, the liquid crystal thickness becomes too small. In the reflection type in which the optical length is doubled, the allowable liquid crystal thickness in the transmission type liquid crystal element poses a problem in manufacturing. Therefore, it is required that Δnd is as large as possible. This is to increase the margin for manufacturing the element. Looking at the above condition of Δnd = 0.2,
When Δn is a typical value of a small liquid crystal and Δn = 0.08, d is
2.5 μm. On the other hand, in the case of the type twisted by 45 degrees described in the conventional example, the optimum liquid crystal thickness is less than 2 μm, which is a factor of reducing the uniformity and the yield of the device.

また、このような液晶モードは無電界時に非透過状態
(黒)と設定できることから、画素電極のない部分の遮
光マスクが不要となる。
In addition, since such a liquid crystal mode can be set to a non-transmissive state (black) when there is no electric field, a light-shielding mask in a portion where no pixel electrode is provided becomes unnecessary.

実施例2 第6図は偏光素子に偏光ビームスプリッター(以下、
PBSと称する)を用いた反射型液晶電気光学装置の構成
図である。
Example 2 FIG. 6 shows that a polarizing beam splitter (hereinafter, referred to as a polarizing beam splitter)
FIG. 3 is a configuration diagram of a reflection type liquid crystal electro-optical device using PBS (referred to as PBS).

601がPBSであり、光源光603を直線偏光し液晶パネル6
02に入射させる。液晶パネルの構成、出射までのプロセ
スは実施例1と同様である。出射光を検光する手段がPB
Sでは入射時と90度ずれている。このため反射出力光604
は無電界時に小さくなり、印加電圧と反射率の特性は、
実施例1の第3図と縦軸に対し対称なものとなる。
601 is a PBS which linearly polarizes the light source light 603 and
02 incident. The configuration of the liquid crystal panel and the process up to emission are the same as in the first embodiment. The means to detect the emitted light is PB
In S, it is shifted by 90 degrees from that at the time of incidence. Therefore, the reflected output light 604
Becomes smaller when there is no electric field, and the characteristics of applied voltage and reflectance are
This is symmetrical with respect to FIG. 3 of the first embodiment and the vertical axis.

実施例3. 本発明はここでダイオード等をアレイ化したアクティ
ブマトリクスにも適用することができる。
Embodiment 3 The present invention can be applied to an active matrix in which diodes and the like are arrayed here.

第7図はダイオード素子に金属−絶縁体−金属素子
(以下MIMと称する)を用いたMIM液晶電気光学装置の断
面図である。基本構造は絶縁性反射体701が設置されたM
IM基板702と対向基板703の間に液晶704がはさまれたも
のである。705は電界を液晶層に印加するための対向基
板上の透明電極であり、画素サイズに対応したストライ
プ電極である。本実施例では絶縁性反射体として誘電体
多層膜によるミラーを用いた。この誘電体多層膜による
ミラーはMIM素子の上下を問わず設置が可能である。基
板706上にライン状の信号伝送配線707、その一部に作ら
れた薄い絶縁体からなるMIM素子708、それに電気的に接
続された画素電極712からなっている。なお画素電極はM
IMを構成するもう一方の金属薄膜と電気光学素子の反射
性膜を兼ねている。710は減反射コーティング、711は偏
光素子である。
FIG. 7 is a sectional view of a MIM liquid crystal electro-optical device using a metal-insulator-metal element (hereinafter referred to as MIM) as a diode element. Basic structure is M with insulating reflector 701 installed
The liquid crystal 704 is sandwiched between the IM substrate 702 and the counter substrate 703. Reference numeral 705 denotes a transparent electrode on the opposite substrate for applying an electric field to the liquid crystal layer, and is a stripe electrode corresponding to the pixel size. In this embodiment, a mirror made of a dielectric multilayer film is used as the insulating reflector. The mirror made of the dielectric multilayer film can be set up or down the MIM element. It comprises a line-shaped signal transmission wiring 707 on a substrate 706, a MIM element 708 made of a thin insulator formed on a part thereof, and a pixel electrode 712 electrically connected thereto. The pixel electrode is M
The other metal thin film that constitutes the IM also serves as the reflective film of the electro-optical element. 710 is an anti-reflection coating, and 711 is a polarizing element.

より具体的な構成を第2表に示す。 第2表 画素数 220×320 画素ピッチ 80×90μm MIM基板 MIM素子 Ta−Ta2O5−Cr Ta2O5 500Å 酸化方法 湿式陽極酸化 信号伝送配線 Ta 画素電極 Cr反射膜 反射体 誘電体多層膜 表示モード TN−ECB(電界効果複屈折) 液晶層厚 2.4μm Δnd 0.2 ツイスト角 63゜ 以上実施例を述べたが、本発明は以上の実施例のみな
らず、広く反射型の光制御装置に応用が可能である。
Table 2 shows a more specific configuration. Table 2 Number of pixels 220 × 320 Pixel pitch 80 × 90 μm MIM substrate MIM element Ta−Ta 2 O 5 −Cr Ta 2 O 5 500Å Oxidation method Wet anodic oxidation Signal transmission wiring Ta Pixel electrode Cr reflective film Reflector Dielectric multilayer film Display Mode TN-ECB (Field Effect Birefringence) Liquid Crystal Layer Thickness 2.4 μm Δnd 0.2 Twist Angle 63 ° Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, but is widely applied to a reflection type light control device. Is possible.

[発明の効果] 以上述べたように、本発明によれば以下のような効果
を奏することができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.

(a)反射体が一方の基板の液晶層側の内面に形成され
ているため、反射体と液晶層との距離による視差が生ず
ることがない。従って、二重画像や影を防ぐことができ
る。
(A) Since the reflector is formed on the inner surface of one of the substrates on the liquid crystal layer side, no parallax occurs due to the distance between the reflector and the liquid crystal layer. Therefore, double images and shadows can be prevented.

(b)反射体が絶縁性であるため、反射体によりスイッ
チング素子あるいはスイッチング素子を接続する配線等
への影響がないため、クロストークを防ぐことができ
る。
(B) Since the reflector is insulative, the reflector does not affect the switching element or the wiring connecting the switching element, so that crosstalk can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の反射型電気光学装置の断面図である。 第2図は第1図の装置の印加電圧と反射率(550nm)の
特性図である。 第3図は第2図の楕円偏光の軌道を示す図である。 第4図(a),(b)はΔndと反射率の関係を示すグラ
フである。 第5図(a),(b)はパラメーターに偏光素子の液晶
のダイレクターに対する配置角をとり、Δndと反射率の
関係を示すものである 第6図は偏光素子にPBSを用いた反射型液晶電気光学装
置の構成図である。 第7図はMIMダイオードによってアドレスされた反射型
電気光学装置の断面図である。 101……絶縁性反射体 102……対向基板 103……スイッチング素子アレイ基板 104……液晶層 301……反射面での円偏光 601……PBS 701……絶縁性反射体 702……MIM基板 703……対向基板 704……液晶 705……対向電極 706……基板 707……信号伝送配線 708……MIM素子
FIG. 1 is a sectional view of a reflective electro-optical device according to the present invention. FIG. 2 is a characteristic diagram of the applied voltage and the reflectance (550 nm) of the apparatus of FIG. FIG. 3 is a diagram showing the trajectory of the elliptically polarized light in FIG. FIGS. 4A and 4B are graphs showing the relationship between Δnd and reflectance. FIGS. 5 (a) and 5 (b) show the relationship between the Δnd and the reflectance by taking the arrangement angle of the polarizing element with respect to the director as a parameter, and FIG. 6 shows the reflection type using PBS for the polarizing element. FIG. 2 is a configuration diagram of a liquid crystal electro-optical device. FIG. 7 is a sectional view of a reflective electro-optical device addressed by a MIM diode. 101: insulating reflector 102: opposing substrate 103: switching element array substrate 104: liquid crystal layer 301: circularly polarized light at the reflecting surface 601: PBS 701: insulating reflector 702: MIM substrate 703 …… Counter substrate 704 …… Liquid crystal 705 …… Counter electrode 706 …… Substrate 707 …… Signal transmission wiring 708 …… MIM element

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、
前記一対の基板内の画素部分に反射体を有する反射型液
晶電気光学装置において、前記一対の基板の一方の基板
にマトリックス状に配置された画素電極と、前記画素電
極に接続されたスイッチング素子とを有し、前記反射体
は絶縁性を有するとともに前記一方の基板上の液晶層側
の内面に前記画素電極に重なるように形成されてなるこ
とを特徴とする反射型液晶電気光学装置。
A liquid crystal layer sandwiched between a pair of substrates;
In a reflective liquid crystal electro-optical device having a reflector at a pixel portion in the pair of substrates, a pixel electrode disposed in a matrix on one of the pair of substrates, and a switching element connected to the pixel electrode. Wherein the reflector has insulating properties and is formed on the inner surface of the one substrate on the liquid crystal layer side so as to overlap the pixel electrode.
【請求項2】前記反射体が誘電体多層膜からなることを
特徴とする請求項1に記載の反射型液晶電気光学装置。
2. The reflection type liquid crystal electro-optical device according to claim 1, wherein said reflector comprises a dielectric multilayer film.
【請求項3】一対の基板間に液晶が挟持されてなり、前
記一対の基板の一方の基板にマトリックス状に配置され
た画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング
素子とが形成されてなる反射型液晶電気光学装置におい
て、 前記一方の基板上の液晶層側の内面には絶縁性の反射体
が形成されてなり、前記液晶層の入射面の分子軸に対し
平行又は垂直に前記一方の直線偏光の入射光を入射させ
る手段を有してなり、前記液晶層を透過後の反射面では
ほぼ円偏光となり、前記反射面で反射後前記液晶層を透
過した出射面では、前記入射光とほぼ90度その偏光面が
回転した直線偏光となるように前記液晶層が設定されて
なることを特徴とする反射型液晶電気光学装置。
3. A liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and a pixel electrode arranged in a matrix on one of the pair of substrates and a switching element connected to the pixel electrode are formed. In the reflection type liquid crystal electro-optical device, an insulating reflector is formed on the inner surface of the one substrate on the liquid crystal layer side, and the one of the one substrate is parallel or perpendicular to a molecular axis of an incident surface of the liquid crystal layer. Means for making incident light of linearly polarized light incident thereon, the light becomes substantially circularly polarized on the reflection surface after passing through the liquid crystal layer, and the incident light is transmitted through the liquid crystal layer after reflection on the reflection surface. A reflective liquid crystal electro-optical device, wherein the liquid crystal layer is set so that the polarization plane of the liquid crystal is rotated by approximately 90 degrees.
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