JP2943528B2 - Patterned substrate and method of making the same - Google Patents

Patterned substrate and method of making the same

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電子装置等に用いられ
る、精密な位置合わせマークを要するパターン付き基板
及びその作成方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate having a pattern which requires a precise alignment mark and is used for an electronic device and the like, and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、平面上に寸法、形状、位置精度を
もってパターンを形成するためには、フォトマスクを使
用し、フォトマスクの寸法、形状、位置精度をそのまま
焼き付ける写真法あるいはフォトリソグラフィ法、スク
リーン版や凸版、凹版、平版を原版とした印刷法、流体
を噴出させる機構をもった描画点の位置移動により形成
するインクジェット、バブルジェット、吐出式描画法な
どがあり、それぞれの必要に応じた寸法、形状、位置精
度、コスト、作業効率等により使い分けされてきた。
2. Description of the Related Art Conventionally, in order to form a pattern on a plane with a size, shape, and position accuracy, a photomask or a photolithography method in which the size, shape, and position accuracy of the photomask are directly printed, There are printing methods using screen, letterpress, intaglio, and lithographic printing plates as original plates, ink jet, bubble jet, and discharge drawing methods that form by moving the position of drawing points with a mechanism to eject fluid, depending on the needs of each. They have been properly used depending on dimensions, shapes, positional accuracy, cost, work efficiency, and the like.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】前記した各法のうち、
写真法あるいはフォトリソグラフィ法によると、解像性
は1〜10ミクロン程度が得られ、また距離精度は15
0ミリメートル程度の距離で5〜10ミクロン程度が得
られる。これらの方法を用いると、寸法精度の高い機能
パターンや充分に精密な位置合わせマークを作れるもの
の、塗布、プリベーク、露光、現像、リンス、アフター
ベークと工程が多く、処理時間がかかるなどのほか、材
料の有効利用がしにくいなどコスト面で過大となりがち
であった。このため、工業生産上特に必要とされる精度
の要求に対応する場合に用いられることが多かった。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the above-mentioned methods,
According to the photographic method or the photolithography method, a resolution of about 1 to 10 microns can be obtained, and a distance accuracy of 15
About 5 to 10 microns can be obtained at a distance of about 0 mm. By using these methods, it is possible to make functional patterns with high dimensional accuracy and sufficiently precise alignment marks, but there are many steps such as coating, pre-baking, exposure, development, rinsing, after-baking, and processing time is long, Costs tended to be excessive, such as the difficulty in effectively utilizing materials. For this reason, it has often been used to meet the requirements of precision particularly required in industrial production.

【0004】印刷法は、コスト面では材料費、設備費、
生産工数等が小さく安価にすることが可能である。ま
た、機能パターンの寸法精度の面でも、凹版オフセット
法によれば15〜20ミクロン程度の細線が作成可能で
あり、高精細も限定的には可能である。しかし、位置合
わせマークの様に、離して作られた2点のマーク間の距
離精度は、原版の伸び等が累積されるために、150ミ
リメートル程度の距離で数十ミクロンとなり、位置合わ
せマークの位置が基板により異なるため、位置合わせが
できなかったり、位置合わせはできても、機能パターン
と位置合わせマークの相対位置がずれているために、目
的である機能パターンの位置合わせができない、などの
支障を生じていた。これを、(図5)で説明する。
[0004] In the printing method, material cost, equipment cost,
The production man-hours are small and the cost can be reduced. Also, in terms of the dimensional accuracy of the functional pattern, a fine line of about 15 to 20 microns can be created by the intaglio offset method, and high definition can be limited. However, like a positioning mark, the distance accuracy between two marks formed apart from each other is several tens of microns at a distance of about 150 mm due to accumulation of elongation of the original, and the like. Since the position differs depending on the substrate, alignment cannot be performed, or even if alignment can be performed, the relative position between the function pattern and the alignment mark cannot be adjusted, and the target function pattern cannot be aligned. It was causing trouble. This will be described with reference to FIG.

【0005】基板C9に凹版オフセット印刷法により作
成機能パターンC10を形成する。このとき基板C9の
位置合わせマーク11a,11b,11c,11dも同
時に、基板内の4ケ所に形成する。この場合、印刷方向
に対する伸縮が生じるため、基板Cの位置合わせマーク
11a,11bは本来あるべき点12a,12bからl
だけずれて形成される。図では特に示してはないが、1
1c,11dについても同様の事態が発生する。この2
点間の距離精度が数十ミクロンにおよぶので、この方式
で作った基板では、複数枚の重ね合わせ等をする場合の
位置合わせマークとしては機能しないものとなった。
A function pattern C10 is formed on a substrate C9 by intaglio offset printing. At this time, the alignment marks 11a, 11b, 11c and 11d of the substrate C9 are also formed at four places in the substrate at the same time. In this case, since the expansion and contraction occurs in the printing direction, the alignment marks 11a and 11b of the substrate C are shifted from the points 12a and 12b which should be originally.
It is formed with a shift. Although not specifically shown in the figure, 1
A similar situation occurs for 1c and 11d. This 2
Since the accuracy of the distance between points reaches several tens of microns, a substrate made by this method does not function as an alignment mark when a plurality of sheets are overlapped.

【0006】また、流体を噴出させる機構をもった描画
点の位置移動によってのみ作成する方式は、解像性が1
5〜20ミクロンであり、離れた2点間の距離精度も、
5〜10ミクロンと比較的良好である。しかし、描画点
が移動してパターン形成をする「一筆書き」のため、基
板寸法やパターンによっては一枚の基板を作成する時間
が多大になるなど、生産性は劣るものがあり工業的には
余り使用されなかった。
[0006] In addition, a method of creating only by moving the position of a drawing point having a mechanism for ejecting a fluid has a resolution of 1
5-20 microns, the distance accuracy between two distant points
It is relatively good at 5 to 10 microns. However, because the drawing point moves and forms a pattern, "one-stroke writing" requires a large amount of time to create a single substrate depending on the substrate size and pattern. Not used much.

【0007】以上のように、寸法、形状、位置精度、の
再現性が高くてかつ生産性が高く、コストが低い最良の
方法はなかった。材料費、設備費や工程が少なく、かつ
処理時間が短いなど工業生産性に富み、解像性がよく、
また位置精度が優れた方法が待望されていた。
As described above, there has been no best method with high reproducibility of dimensions, shapes, positional accuracy, high productivity, and low cost. Rich in industrial productivity with low material costs, equipment costs and processes, and short processing time, good resolution,
In addition, a method with an excellent position accuracy has been desired.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】オフセット印刷により主
たる機能パターンを形成し、同時に形成したオフセット
印刷による第一の位置合わせマークを起点に、流体を噴
出させる機構をもった描画点の位置移動方式により、第
二の位置合わせマークを形成して基板を作成する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of forming a main function pattern by offset printing, and moving a drawing point with a mechanism for ejecting a fluid from a first alignment mark formed by offset printing. And forming a second alignment mark to form a substrate.

【0009】[0009]

【作用】オフセット印刷により主たる機能パターンを形
成し、同時に形成したオフセット印刷による第一の位置
合わせマークを起点に、流体を噴出させる機構をもった
描画点の位置移動方式により、第二の位置合わせマーク
を形成する。この方法によれば、主な機能パターンの形
成は印刷に依るため、材料費、設備費、生産工程数が少
ない等、工業的にも生産性があり、コスト的にも有利で
ある。
According to the present invention, a main function pattern is formed by offset printing, and a second positioning is performed by a drawing point position moving method having a mechanism for ejecting a fluid from a first positioning mark formed by offset printing formed at the same time as a starting point. Form a mark. According to this method, since the formation of the main functional pattern depends on printing, it has industrial productivity and is advantageous in terms of cost, such as low material costs, equipment costs, and a small number of production steps.

【0010】また、位置合わせマークを描画点位置移動
により作成するが、作成箇所が基板一枚当りで少なく、
小形状でもあるので時間的にも不経済はない。
[0010] In addition, an alignment mark is created by moving the drawing point, but the number of created locations is small per substrate, and
Since it is a small shape, there is no waste in time.

【0011】解像性は15〜20ミクロン程度であり、
また離れた2点間の距離精度は5〜15ミクロン程度と
比較的形状、寸法、位置精度の高いパターンが得られ
る。
The resolution is about 15 to 20 microns,
Further, the distance accuracy between two distant points is about 5 to 15 microns, and a pattern having a relatively high shape, size and position accuracy can be obtained.

【0012】[0012]

【実施例】本発明の実施例を(図1)により説明する。An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0013】厚さ1.1ミリでたてよこ300×300
ミリのガラスを材料とする、基板A1上に凹版オフセッ
ト方式で、端面より各々50ミリ内側の範囲内に、必要
な作成機能パターンA3をもち、かつその一辺の外側よ
り10ミリ離れた二点に第1の位置合わせマーク5a,
5bを形成する。この状態を、本発明の実施例の工程進
行状況を説明する(図2)(a)に示す。
[0013] Vertically 300 mm x 300 mm thick
In the intaglio offset method, on the substrate A1 made of millimeter glass, the necessary creation function pattern A3 is provided within the range of 50 mm inside from the end face, and at two points 10 mm away from the outside of one side. The first alignment mark 5a,
5b is formed. This state is shown in FIG. 2 (a) for explaining the process progress of the embodiment of the present invention.

【0014】次に(図2)(b)のように、第1の位置
合わせマーク5aの位置をCCD等で検知して原点と
し、ここから縦方向(y方向)に70ミリ離れた点に、
第2の位置合わせマーク6aを、また第1の位置合わせ
マーク5bを原点として70ミリ離れた点に第2の位置
合わせマーク6bを、流体を噴出させる機構をもった描
画点の位置移動方式のひとつであるインクジェットを用
いて形成した。次いで第1の位置合わせマーク5aを原
点として縦方向(y方向)に90ミリ離れた点に、第2
の位置合わせマーク6cを、また第1の位置合わせマー
ク5bを原点として90ミリ離れた点に、第2の位置合
わせマーク6dを形成した。
Next, as shown in FIG. 2 (b), the position of the first alignment mark 5a is detected by a CCD or the like and is set as the origin, and is set to a point 70 mm in the vertical direction (y direction) therefrom. ,
The second alignment mark 6a and the second alignment mark 6b at a point 70 mm away from the first alignment mark 5b as the origin are provided. It was formed using one type of ink jet. Next, at a point 90 mm apart in the vertical direction (y-direction) with the first alignment mark 5a as the origin, the second
The second alignment mark 6d was formed at a position 90 mm away from the first alignment mark 5c and the first alignment mark 5b.

【0015】以上のようにして、(図1)に示す第1の
位置合わせマーク5a,5bと第2の位置合わせマーク
6a,6b,6c,6dを持った基板Aが形成される。
As described above, the substrate A having the first alignment marks 5a and 5b and the second alignment marks 6a, 6b, 6c and 6d shown in FIG. 1 is formed.

【0016】この基板A1と組合せ使用する基板B2に
ついては、(図2)に示す。厚さ1.1ミリで縦横25
0×250ミリのガラスを材料とする基板B2上にオフ
セット印刷により、必要な作成機能パターンB4および
第1の位置合わせマーク7a,7bのを形成する。次に
第1の位置合わせマーク7aの位置を原点とし、縦方向
(y方向)に70ミリ離れた点に、第2の位置合わせマ
ーク8aを、また第1の位置合わせマーク7bを原点と
して70ミリ離れた点に、第2の位置合わせマーク8b
を形成した。次いで第1の位置合わせマーク7aを原点
として縦方向(y方向)に90ミリ離れた点に第2の位
置合わせマーク8cを、また第1の位置合わせマーク7
bを原点として90ミリ離れた点に8dを形成した。
A board B2 used in combination with the board A1 is shown in FIG. 1.1 mm thick and 25 widths
A necessary creation function pattern B4 and first alignment marks 7a and 7b are formed by offset printing on a substrate B2 made of glass of 0 × 250 mm. Next, the position of the first alignment mark 7a is set as the origin, and at a point 70 mm apart in the vertical direction (y direction), the second alignment mark 8a and the first alignment mark 7b are set as the origin. The second alignment mark 8b is located at a point separated by millimeters.
Was formed. Next, the second alignment mark 8c and the first alignment mark 7 are placed at a point 90 mm apart in the vertical direction (y direction) from the first alignment mark 7a as the origin.
8d was formed at a point 90 mm away from b as the origin.

【0017】これらの作成法により得られた基板Aと基
板Bとの組合せ状態を、(図4)に示す。1例として示
した第2の位置合わせマーク8a−8bと6a−6b
は、後述するように距離精度が高いので、位置合わせ作
業は容易に行われる。
FIG. 4 shows the combination of the substrates A and B obtained by these methods. Second alignment marks 8a-8b and 6a-6b shown as an example
Since the distance accuracy is high as described later, the positioning operation is easily performed.

【0018】本発明による方法で作成した基板Aの第2
の位置合わせマークの間の距離を測定した値を(表1)
に示す。
Second substrate A prepared by the method of the present invention
Table 1 shows the measured values of the distance between the alignment marks.
Shown in

【0019】[0019]

【表1】 [Table 1]

【0020】また、基板A1と同様に作成し、基板A1
と組み合わせて用いる基板Bの第2の位置合わせマーク
の間の距離を測定した値を(表2)に示す。
The substrate A1 is prepared in the same manner as the substrate A1.
Table 2 shows the measured values of the distance between the second alignment marks of the substrate B used in combination with the above.

【0021】[0021]

【表2】 [Table 2]

【0022】以上のように、基板A1、基板B2におい
て、160ミリメートル離れた2つの位置合わせマーク
の間の距離精度は、5〜15ミクロン程度になる。この
ように第2の位置合わせマークは、作成機能パターンの
形成時に、同時に形成された第1の位置合わせパターン
を原点としているので、第2の位置合わせマークと作成
機能パターンとの相対位置は正確であり、基板の組合せ
作業に支障はない。
As described above, in the substrate A1 and the substrate B2, the distance accuracy between two alignment marks 160 mm apart is about 5 to 15 microns. As described above, since the origin of the second alignment mark is the first alignment pattern formed at the time of forming the creation function pattern, the relative position between the second alignment mark and the creation function pattern is accurate. This does not hinder the work of assembling the substrates.

【0023】本発明による方法は、これら位置、距離精
度が高いという特長のほか、塗布、プリベーク、露光、
現像、リンス、アフターベークなどの複雑な工程がな
く、処理時間が少なく、材料の有効利用が可能であるな
どコスト面でも有利である。
The method according to the present invention has the advantages of high position and distance accuracy, as well as coating, pre-baking, exposure,
There are no complicated steps such as development, rinsing, and after-baking, so that the processing time is short and the material can be effectively used.

【0024】また主要工程は印刷法であり、コスト面で
は材料費、設備費、生産工数等が小さく安価にすること
がが可能である。また、機能パターンの寸法精度の面で
も、凹版オフセット法によれば15〜20ミクロン程度
の細線が作成可能であり、高精細も実現できる。
The main process is a printing method, and in terms of cost, material costs, equipment costs, production man-hours, etc. are small and it is possible to reduce the cost. Also, in terms of the dimensional accuracy of the functional pattern, a fine line of about 15 to 20 microns can be created by the intaglio offset method, and high definition can be realized.

【0025】位置合わせマークの形成は、流体を噴出さ
せる機構をもった描画点の位置移動方式という、位置精
度は高いものの「一筆書き」であり、作成に時間を要す
る手段を用いている。しかし、小さな形状を数カ所作成
するのに留まるため作業時間が多大になるには至らな
い。
The formation of the alignment mark uses a method of moving the drawing point with a mechanism for ejecting the fluid, which is a "one-stroke writing" with high positional accuracy and requires a long time to make. However, since only a few small shapes are created, the working time is not increased.

【0026】以上のように、本方法によれば寸法、形
状、位置精度、の再現性が高くてかつ生産性が高く、コ
ストが低い最良の精密パターン基板が得られる。
As described above, according to the present method, the best precision pattern substrate having high reproducibility of size, shape, positional accuracy, high productivity and low cost can be obtained.

【0027】また、材料費、設備費や工程が少なく、か
つ処理時間が短いなど工業生産性に富み、解像性がよ
く、また位置精度が優れているなど利点が多い。
Further, there are many advantages such as low industrial costs such as low material costs, equipment costs and steps, and short processing time, good resolution, and excellent positional accuracy.

【0028】これらに対して、(図5)に示す、位置合
わせマーク、作成機能パターンともに印刷法で形成する
従来例を用いた場合の、位置合わせマークの間の距離を
測定した値を(表3)に示す。
On the other hand, the measured values of the distance between the alignment marks in the case where the conventional example shown in FIG. It is shown in 3).

【0029】[0029]

【表3】 [Table 3]

【0030】位置合わせマークの間の距離精度は、16
0ミリメートルの距離で50〜90ミクロン程度にもな
り、位置合わせマークと作成機能パターンとの相対位置
も不正確であり、基板の組合せ作業にも支障が生ずる。
The distance accuracy between the alignment marks is 16
At a distance of 0 mm, the distance becomes about 50 to 90 microns, the relative position between the alignment mark and the created function pattern is also inaccurate, and the work of assembling the substrates is hindered.

【0031】[0031]

【発明の効果】本発明によれば、材料費、設備費や工程
が少なく、かつ処理時間が短いなど工業生産性に富み、
解像性がよく、また位置精度が優れたパターン付基板及
びその作成方法が提供できる。
According to the present invention, material productivity, equipment costs and steps are small, and the processing time is short.
A substrate with a pattern having good resolution and excellent positional accuracy and a method for producing the same can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例のパターン付き基板Aの平面図FIG. 1 is a plan view of a substrate A with a pattern according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例の工程進行状況を示す平面図 (a)は機能パターンおよび第1の位置合わせマークを作
成した状態 (b)は第2の位置合わせマークを2箇所作成した状態
FIGS. 2A and 2B are plan views showing the process progress of an embodiment of the present invention. FIG. 2A shows a state in which a functional pattern and a first alignment mark are created. FIG. 2B shows a state in which two second alignment marks are created.

【図3】本発明の実施例の、基板Aと組み合わされる基
板Bの平面図
FIG. 3 is a plan view of a substrate B combined with a substrate A according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施例の、基板Aと基板Bの組み合わ
せ状態を示す側面図
FIG. 4 is a side view showing a combined state of a substrate A and a substrate B according to the embodiment of the present invention.

【図5】パターン付き基板の従来例を示す平面図FIG. 5 is a plan view showing a conventional example of a substrate with a pattern.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板A 2 基板B 3 作成機能パターンA 4 作成機能パターンB 5a,5b 第1の位置合わせマーク 6a〜6d 第2の位置合わせマーク 7a,7b 第1の位置合わせマーク 8a〜8d 第2の位置合わせマーク 9 基板C 10 作成機能パターンC 11a〜11d 基板Cの位置合わせマーク 12a,12b 本来位置合わせマーク11a,11b
のあるべき点
Reference Signs List 1 substrate A 2 substrate B 3 creation function pattern A 4 creation function pattern B 5a, 5b first alignment mark 6a-6d second alignment mark 7a, 7b first alignment mark 8a-8d second position Alignment mark 9 Substrate C 10 Creation function pattern C 11a to 11d Alignment mark 12a, 12b of substrate C Original alignment mark 11a, 11b
What should be

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板上にオフセット印刷で機能パターンお
よび第一の位置合わせマークを作成し、組立作業を行う
ことを目的とした第二の位置合わせマークを、この第一
の位置合わせマークを起点として形成したパターン付基
板の作成方法。
1. A function pattern and a first alignment mark are formed on a substrate by offset printing, and a second alignment mark for the purpose of performing an assembling operation is defined by using the first alignment mark as a starting point. Method of making a substrate with a pattern formed as a substrate.
【請求項2】請求項1記載の第二の位置合わせマークの
位置を、第1の位置合わせマークの両側に配置したパタ
ーン付き基板の作成方法。
2. A method according to claim 1, wherein the position of the second alignment mark is arranged on both sides of the first alignment mark.
【請求項3】請求項1記載の第二の位置合わせマークの
形成方法を流体噴出法としたパターン付き基板の作成方
法。
3. A method for producing a patterned substrate, wherein the method for forming the second alignment mark according to claim 1 is a fluid ejection method.
【請求項4】請求項1または2記載のパターン付き基板
の作成方法により得られた位置合わせマークをもったパ
ターン付基板。
4. A patterned substrate having an alignment mark obtained by the method for producing a patterned substrate according to claim 1.
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