JP2940893B2 - 引上装置 - Google Patents
引上装置Info
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- JP2940893B2 JP2940893B2 JP26293892A JP26293892A JP2940893B2 JP 2940893 B2 JP2940893 B2 JP 2940893B2 JP 26293892 A JP26293892 A JP 26293892A JP 26293892 A JP26293892 A JP 26293892A JP 2940893 B2 JP2940893 B2 JP 2940893B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、引上中の結晶棒の温度
分布を制御する引上装置に関するものである。
分布を制御する引上装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の引上装置の一例として、特開昭
６１−６８３８９号公報において提案されたシリコン単
結晶引上装置を図８に示す。チャンバ１内には、シリコ
ン融液Ｙを保持する石英るつぼ２が、黒鉛サセプタ３を
介して、るつぼ軸４の上端に固定されている。この石英
るつぼ２の周囲には、ヒータ５および保温筒６が配置さ
れている。石英るつぼ２の上方には引上機構（図外）が
設けられ、この引上機構の引上ワイヤ７により、種子結
晶８を固定したシードチャック９が昇降および回転操作
される。また、引き上げられるシリコン単結晶棒Ｔの周
囲には間隙をあけて同心にＳＵＳ製の冷却筒１０が配置
されている。この冷却筒１０はチャンバ１の上壁を垂直
に貫通して固定されている。この冷却筒１０は円筒であ
って、その壁内部には冷却水等を通す冷媒路が形成され
ている。この冷却筒１０は、引上中のシリコン単結晶棒
Ｔからの放射熱を吸収するとともに、このシリコン単結
晶棒Ｔを冷却し、シード移動速度を高めていた。また、
特開平２−９７４７９号公報にて開示されたシリコン単
結晶引上装置は、上記冷却筒の内面に凹凸部を形成し
て、その冷却筒の内面積を増化させている。その結果、
冷却筒の熱吸収が高められていた。
６１−６８３８９号公報において提案されたシリコン単
結晶引上装置を図８に示す。チャンバ１内には、シリコ
ン融液Ｙを保持する石英るつぼ２が、黒鉛サセプタ３を
介して、るつぼ軸４の上端に固定されている。この石英
るつぼ２の周囲には、ヒータ５および保温筒６が配置さ
れている。石英るつぼ２の上方には引上機構（図外）が
設けられ、この引上機構の引上ワイヤ７により、種子結
晶８を固定したシードチャック９が昇降および回転操作
される。また、引き上げられるシリコン単結晶棒Ｔの周
囲には間隙をあけて同心にＳＵＳ製の冷却筒１０が配置
されている。この冷却筒１０はチャンバ１の上壁を垂直
に貫通して固定されている。この冷却筒１０は円筒であ
って、その壁内部には冷却水等を通す冷媒路が形成され
ている。この冷却筒１０は、引上中のシリコン単結晶棒
Ｔからの放射熱を吸収するとともに、このシリコン単結
晶棒Ｔを冷却し、シード移動速度を高めていた。また、
特開平２−９７４７９号公報にて開示されたシリコン単
結晶引上装置は、上記冷却筒の内面に凹凸部を形成し
て、その冷却筒の内面積を増化させている。その結果、
冷却筒の熱吸収が高められていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のシリコン単結晶引上装置にあっては、冷却筒
の内面を定まった形状にしているので、引上中のシリコ
ン単結晶棒の温度分布を固定し、その結晶のスペックに
対応した温度分布に変更できないという課題があった。
うな従来のシリコン単結晶引上装置にあっては、冷却筒
の内面を定まった形状にしているので、引上中のシリコ
ン単結晶棒の温度分布を固定し、その結晶のスペックに
対応した温度分布に変更できないという課題があった。
【０００４】そこで、本発明は、引上中の結晶棒の温度
分布を任意に変更できる引上装置を提供することを、そ
の目的としている。
分布を任意に変更できる引上装置を提供することを、そ
の目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、結晶融液を保持するるつぼと、この結晶融液から結
晶棒を引き上げる引上機構と、この結晶棒からの放射熱
を反射する反射機構と、を備えた引上装置において、上
記放射熱の反射の方向を変化させる可変機構を備えた引
上装置である。
は、結晶融液を保持するるつぼと、この結晶融液から結
晶棒を引き上げる引上機構と、この結晶棒からの放射熱
を反射する反射機構と、を備えた引上装置において、上
記放射熱の反射の方向を変化させる可変機構を備えた引
上装置である。
【０００６】また、請求項２に記載の発明は、結晶融液
を保持するるつぼと、この結晶融液から結晶棒を引き上
げる引上機構と、この結晶棒からの放射熱を反射する反
射機構と、を備えた引上装置において、上記反射機構
は、複数の反射部を有する引上装置である。
を保持するるつぼと、この結晶融液から結晶棒を引き上
げる引上機構と、この結晶棒からの放射熱を反射する反
射機構と、を備えた引上装置において、上記反射機構
は、複数の反射部を有する引上装置である。
【０００７】
【作用】請求項１に記載の発明によれば、引上中の結晶
棒からの放射熱を反射機構が反射する。この放射熱の反
射の方向は可変機構により変化させられる。この可変機
構は、放射熱の反射による熱を集中、または、分散させ
ることができる。結晶棒に向かって反射熱を集中させれ
ば、その熱集中の箇所で結晶棒は加熱される。一方、結
晶棒に向かって反射熱を伝播させないように、反射熱を
分散させれば、結晶棒は加熱されず、自然冷却される。
この結果、引上中の結晶棒の温度分布を任意に変更する
ことができる。
棒からの放射熱を反射機構が反射する。この放射熱の反
射の方向は可変機構により変化させられる。この可変機
構は、放射熱の反射による熱を集中、または、分散させ
ることができる。結晶棒に向かって反射熱を集中させれ
ば、その熱集中の箇所で結晶棒は加熱される。一方、結
晶棒に向かって反射熱を伝播させないように、反射熱を
分散させれば、結晶棒は加熱されず、自然冷却される。
この結果、引上中の結晶棒の温度分布を任意に変更する
ことができる。
【０００８】また、請求項２に記載の発明によれば、引
上中の結晶棒の周囲に反射機構の複数の反射部がそれぞ
れ設けられる。これらの反射部は、複数のホットゾーン
を形成するものである。この複数のホットゾーンは、結
晶棒の複数箇所の加熱を施すものである。
上中の結晶棒の周囲に反射機構の複数の反射部がそれぞ
れ設けられる。これらの反射部は、複数のホットゾーン
を形成するものである。この複数のホットゾーンは、結
晶棒の複数箇所の加熱を施すものである。
【０００９】
【実施例】図１〜図７は、本発明に係る引上装置の一実
施例を示している。１１は水冷式の２段式円筒チャンバ
であって、上部より下部が大きいものである。すなわ
ち、上部の円筒チャンバ１１と下部の円筒チャンバ１１
とは、一体であり、同軸の中空構造にそれぞれ形成され
ている。この円筒チャンバ１１の内壁には黒色の塗料が
塗布されている。下部の円筒チャンバ１１内には、シリ
コン融液Ｙを保持する石英るつぼ１２が設けられてい
る。この石英るつぼ１２は、黒鉛サセプタ１３を介し
て、るつぼ軸１４の上端に固定されている。また、石英
るつぼ１２の周囲には、ヒータ１５および保温筒１６が
配置されている。石英るつぼ１２の上方には、図示しな
い引上機構が設けられており、この引上機構の引上ワイ
ヤ７により、シリコン単結晶の種子結晶を固定したシー
ドチャック（図示略）が昇降、回転操作されるように構
成されている。
施例を示している。１１は水冷式の２段式円筒チャンバ
であって、上部より下部が大きいものである。すなわ
ち、上部の円筒チャンバ１１と下部の円筒チャンバ１１
とは、一体であり、同軸の中空構造にそれぞれ形成され
ている。この円筒チャンバ１１の内壁には黒色の塗料が
塗布されている。下部の円筒チャンバ１１内には、シリ
コン融液Ｙを保持する石英るつぼ１２が設けられてい
る。この石英るつぼ１２は、黒鉛サセプタ１３を介し
て、るつぼ軸１４の上端に固定されている。また、石英
るつぼ１２の周囲には、ヒータ１５および保温筒１６が
配置されている。石英るつぼ１２の上方には、図示しな
い引上機構が設けられており、この引上機構の引上ワイ
ヤ７により、シリコン単結晶の種子結晶を固定したシー
ドチャック（図示略）が昇降、回転操作されるように構
成されている。
【００１０】そして、石英るつぼ１２の上方において、
引き上げられるシリコン単結晶棒Ｔの周囲には、間隙を
あけて反射機構２０が配設されている。この反射機構２
０を構成する支持部２０Ａは、上部の円筒チャンバ１１
の内壁にネジ２１によって螺着されている。反射機構２
０は、引上中のシリコン単結晶棒Ｔの周囲に、ホットゾ
ーンを画成するものである。図６、図７に拡大して示す
ように、この反射機構２０は、支持部２０Ａと、連結部
２０Ｂと、方向可変部２０Ｃと、反射部２０Ｄと、で構
成されている。
引き上げられるシリコン単結晶棒Ｔの周囲には、間隙を
あけて反射機構２０が配設されている。この反射機構２
０を構成する支持部２０Ａは、上部の円筒チャンバ１１
の内壁にネジ２１によって螺着されている。反射機構２
０は、引上中のシリコン単結晶棒Ｔの周囲に、ホットゾ
ーンを画成するものである。図６、図７に拡大して示す
ように、この反射機構２０は、支持部２０Ａと、連結部
２０Ｂと、方向可変部２０Ｃと、反射部２０Ｄと、で構
成されている。
【００１１】くわしくは、反射機構２０の支持部２０Ａ
は、ＳＵＳ製であり、下部の円筒チャンバ１１内から上
部の円筒チャンバ１１内へ、鉛直方向に所定長さで延設
されている。この支持部２０Ａの両側面に一対の連結部
２０Ｂの基端がそれぞれ螺着されている。すなわち、支
持部２０Ａから一対の連結部２０Ｂが上部の円筒チャン
バ１１の中心方向に所定長さそれぞれ突出している。こ
れらの連結部２０Ｂの先端にＳＵＳ製の方向可変部２０
Ｃが軸支されている。この方向可変部２０Ｃは、連結部
２０Ｂの先端の水平な軸を中心にして、この水平軸線回
りに回転自在である（図４参照）。なお、方向可変部２
０Ｃは鉛直軸線回りに回転自在に構成してもよい。さら
に、方向可変部２０Ｃは水平軸線または鉛直軸線に対し
て傾斜した軸線回りに、回転自在でもよい。
は、ＳＵＳ製であり、下部の円筒チャンバ１１内から上
部の円筒チャンバ１１内へ、鉛直方向に所定長さで延設
されている。この支持部２０Ａの両側面に一対の連結部
２０Ｂの基端がそれぞれ螺着されている。すなわち、支
持部２０Ａから一対の連結部２０Ｂが上部の円筒チャン
バ１１の中心方向に所定長さそれぞれ突出している。こ
れらの連結部２０Ｂの先端にＳＵＳ製の方向可変部２０
Ｃが軸支されている。この方向可変部２０Ｃは、連結部
２０Ｂの先端の水平な軸を中心にして、この水平軸線回
りに回転自在である（図４参照）。なお、方向可変部２
０Ｃは鉛直軸線回りに回転自在に構成してもよい。さら
に、方向可変部２０Ｃは水平軸線または鉛直軸線に対し
て傾斜した軸線回りに、回転自在でもよい。
【００１２】そして、反射部２０Ｄは、Ｍｏ製であり、
この方向可変部２０Ｃに固着されている。すなわち、反
射部２０Ｄは引き上げられるシリコン単結晶棒Ｔの結晶
面に対向して設けられている。このシリコン単結晶棒Ｔ
からの放射熱を反射部２０Ｄが所定方向に反射するもの
である。この反射部２０Ｄのシリコン単結晶棒Ｔとの対
向面は、鏡面加工され、反射部２０Ｄの有効反射率が
０．７〜１．０程度である。なお、本実施例の反射部２
０Ｄの反射面は、平面であるが、凹面でも、凸面でもよ
い。さらに、この反射面に、突条、溝等の凹凸部が形成
されてもよい。
この方向可変部２０Ｃに固着されている。すなわち、反
射部２０Ｄは引き上げられるシリコン単結晶棒Ｔの結晶
面に対向して設けられている。このシリコン単結晶棒Ｔ
からの放射熱を反射部２０Ｄが所定方向に反射するもの
である。この反射部２０Ｄのシリコン単結晶棒Ｔとの対
向面は、鏡面加工され、反射部２０Ｄの有効反射率が
０．７〜１．０程度である。なお、本実施例の反射部２
０Ｄの反射面は、平面であるが、凹面でも、凸面でもよ
い。さらに、この反射面に、突条、溝等の凹凸部が形成
されてもよい。
【００１３】上記連結部２０Ｂ、方向可変部２０Ｃおよ
び反射部２０Ｄを１セットとして、支持部２０Ａの鉛直
方向に８セットがそれぞれ固設されている（図３参
照）。各反射部２０Ｄ同士は間隔を空けているものであ
る。これを、１ユニットとして、８ユニットが上部の円
筒チャンバ１１の内壁の周方向に等間隔にそれぞれ設け
られ、反射機構２０は構成されている（図５参照）。こ
の８ユニットで構成される反射機構２０は、所定の高さ
の略八角柱状に形成されている。その中心軸が上記シリ
コン単結晶棒Ｔの軸線と一致するように配設されてい
る。
び反射部２０Ｄを１セットとして、支持部２０Ａの鉛直
方向に８セットがそれぞれ固設されている（図３参
照）。各反射部２０Ｄ同士は間隔を空けているものであ
る。これを、１ユニットとして、８ユニットが上部の円
筒チャンバ１１の内壁の周方向に等間隔にそれぞれ設け
られ、反射機構２０は構成されている（図５参照）。こ
の８ユニットで構成される反射機構２０は、所定の高さ
の略八角柱状に形成されている。その中心軸が上記シリ
コン単結晶棒Ｔの軸線と一致するように配設されてい
る。
【００１４】上記構成からなる引上装置において、図３
に一部しか示していないが、反射機構２０のシリコン単
結晶棒Ｔとの対向面は、６４個の反射部２０Ｄに分割さ
れている。引上中のシリコン単結晶棒Ｔの周囲には、反
射機構２０による６４個のホットゾーンがそれぞれ画成
されるものである。このため、シリコン単結晶棒Ｔから
の放射熱は、反射機構２０によって６４箇所の結晶面へ
反射する。この結果、シリコン単結晶棒Ｔに、水平方向
および鉛直方向に対して６４箇所の加熱を施すことがそ
れぞれ可能である。
に一部しか示していないが、反射機構２０のシリコン単
結晶棒Ｔとの対向面は、６４個の反射部２０Ｄに分割さ
れている。引上中のシリコン単結晶棒Ｔの周囲には、反
射機構２０による６４個のホットゾーンがそれぞれ画成
されるものである。このため、シリコン単結晶棒Ｔから
の放射熱は、反射機構２０によって６４箇所の結晶面へ
反射する。この結果、シリコン単結晶棒Ｔに、水平方向
および鉛直方向に対して６４箇所の加熱を施すことがそ
れぞれ可能である。
【００１５】さらに、引上中のシリコン単結晶棒Ｔの周
囲には、反射機構２０によらない（各反射部２０Ｄ同士
の間隔のため放射熱が反射されない）格子状のホットゾ
ーンが形成される。このため、シリコン単結晶棒Ｔから
の放射熱は、反射することなく円筒チャンバ１の内壁に
伝播し吸収される。すなわち、シリコン単結晶棒Ｔから
の放射熱からの反射熱が伝播しない結晶面を形成でき
る。この結果、シリコン単結晶棒Ｔの結晶面を、格子状
に自然冷却することが可能である。
囲には、反射機構２０によらない（各反射部２０Ｄ同士
の間隔のため放射熱が反射されない）格子状のホットゾ
ーンが形成される。このため、シリコン単結晶棒Ｔから
の放射熱は、反射することなく円筒チャンバ１の内壁に
伝播し吸収される。すなわち、シリコン単結晶棒Ｔから
の放射熱からの反射熱が伝播しない結晶面を形成でき
る。この結果、シリコン単結晶棒Ｔの結晶面を、格子状
に自然冷却することが可能である。
【００１６】さらに、図４に示すように、引上前に、水
平軸回りに所定角度で傾いた各反射部２０Ｄが、それぞ
れ配置されている。このため、引き上げるシリコン単結
晶棒Ｔからの放射熱は、反射機構２０によって、所定の
方向にそれぞれ反射される。結晶のスペック、例えば、
積層欠陥の場合、結晶が８５０〜１０５０℃の領域を、
短時間で通過すると、その発生を減らすことができるの
で、この反射熱を、シリコン単結晶棒Ｔの結晶面に反射
させないで、その上方もしくは下方に逃がして熱分散さ
せ、欠陥を減らすことができる。または、シリコン単結
晶棒Ｔの所定の結晶面に集中して反射させることもでき
る。すなわち、シリコン単結晶棒Ｔの軸方向（長手方
向）の一定ゾーンを自然冷却または加熱することがそれ
ぞれ可能である。
平軸回りに所定角度で傾いた各反射部２０Ｄが、それぞ
れ配置されている。このため、引き上げるシリコン単結
晶棒Ｔからの放射熱は、反射機構２０によって、所定の
方向にそれぞれ反射される。結晶のスペック、例えば、
積層欠陥の場合、結晶が８５０〜１０５０℃の領域を、
短時間で通過すると、その発生を減らすことができるの
で、この反射熱を、シリコン単結晶棒Ｔの結晶面に反射
させないで、その上方もしくは下方に逃がして熱分散さ
せ、欠陥を減らすことができる。または、シリコン単結
晶棒Ｔの所定の結晶面に集中して反射させることもでき
る。すなわち、シリコン単結晶棒Ｔの軸方向（長手方
向）の一定ゾーンを自然冷却または加熱することがそれ
ぞれ可能である。
【００１７】したがって、引上中のシリコン単結晶棒Ｔ
からの放射熱の反射方向を所定範囲に設定することによ
り、シリコン単結晶棒Ｔの熱履歴（温度勾配）を任意に
変更することができる。分割された複数の反射部２０Ｄ
は、複数のホットゾーンを画成することにより、シリコ
ン単結晶棒Ｔの複数箇所に加熱を施し、さらに精密にシ
リコン単結晶棒Ｔの温度分布を制御することができる。
からの放射熱の反射方向を所定範囲に設定することによ
り、シリコン単結晶棒Ｔの熱履歴（温度勾配）を任意に
変更することができる。分割された複数の反射部２０Ｄ
は、複数のホットゾーンを画成することにより、シリコ
ン単結晶棒Ｔの複数箇所に加熱を施し、さらに精密にシ
リコン単結晶棒Ｔの温度分布を制御することができる。
【００１８】なお、図示していないが、引上中のシリコ
ン単結晶棒Ｔの温度を検出しながら、反射機構２０の方
向可変部２０Ｃを連続可変して、シリコン単結晶棒Ｔの
温度を所定の値に制御することもできる。たとえば、シ
リコン単結晶棒Ｔの８５０〜１０５０℃での滞留時間が
１４０分以下に短縮するものである。この結果、半導体
デバイス工程における高温処理後も、積層欠陥が発生し
にくい優れたシリコン単結晶棒Ｔを引き上げることが確
実にできる。
ン単結晶棒Ｔの温度を検出しながら、反射機構２０の方
向可変部２０Ｃを連続可変して、シリコン単結晶棒Ｔの
温度を所定の値に制御することもできる。たとえば、シ
リコン単結晶棒Ｔの８５０〜１０５０℃での滞留時間が
１４０分以下に短縮するものである。この結果、半導体
デバイス工程における高温処理後も、積層欠陥が発生し
にくい優れたシリコン単結晶棒Ｔを引き上げることが確
実にできる。
【００１９】
【発明の効果】本発明に係る引上装置は、引上中の結晶
棒からの放射熱の反射方向を所定範囲に設定することに
より、その結晶棒の温度分布を任意に変更できる。ま
た、複数の反射部は、複数のホットゾーンを画成するこ
とにより、結晶棒の複数箇所に加熱を施すものである。
さらに精密に結晶棒の温度分布を制御することができ
る。
棒からの放射熱の反射方向を所定範囲に設定することに
より、その結晶棒の温度分布を任意に変更できる。ま
た、複数の反射部は、複数のホットゾーンを画成するこ
とにより、結晶棒の複数箇所に加熱を施すものである。
さらに精密に結晶棒の温度分布を制御することができ
る。
【図１】本発明の一実施例に係るシリコン単結晶引上装
置の縦断面図である。
置の縦断面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線による拡大断面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る単結晶引上装置の反射
機構を示す側面図である。
機構を示す側面図である。
【図４】本発明の一実施例に係る単結晶引上装置の反射
機構を示す側面図である。
機構を示す側面図である。
【図５】図２のＶ−Ｖ線による反射機構を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】図３の円ＶＩによる反射機構の１セットを示す
側面図である。
側面図である。
【図７】本発明の反射機構の１セットを示す平面図であ
る。
る。
【図８】従来例に係るシリコン単結晶引上装置の縦断面
図である。
図である。
Ｙ シリコン融液 Ｔ シリコン単結晶棒 １２ 石英ルツボ ２０ 反射機構 ２０Ｃ 方向可変部（可変機構） ２０Ｄ 反射部（反射面）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新井 義明 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三 菱マテリアル株式会社 中央研究所内 (72)発明者 小野 直樹 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三 菱マテリアル株式会社 中央研究所内 (72)発明者 佐平 健彰 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三 菱マテリアル株式会社 中央研究所内 (56)参考文献 特開 平５−238874（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−9291（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−208888（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00
Claims (2)
- 【請求項１】 結晶融液を保持するるつぼと、この結晶
融液から結晶棒を引き上げる引上機構と、この結晶棒か
らの放射熱を反射する反射機構と、を備えた引上装置に
おいて、 上記放射熱の反射の方向を変化させる可変機構を備えた
ことを特徴とする引上装置。 - 【請求項２】 結晶融液を保持するるつぼと、この結晶
融液から結晶棒を引き上げる引上機構と、この結晶棒か
らの放射熱を反射する反射機構と、を備えた引上装置に
おいて、 上記反射機構は、複数の反射部を有することを特徴とす
る引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26293892A JP2940893B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26293892A JP2940893B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0687686A JPH0687686A (ja) | 1994-03-29 |
| JP2940893B2 true JP2940893B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=17382660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26293892A Expired - Fee Related JP2940893B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2940893B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002519283A (ja) * | 1998-06-26 | 2002-07-02 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 低欠陥、自己侵入型優勢シリコンの成長用結晶引き上げ装置 |
| WO2000000676A1 (en) | 1998-06-26 | 2000-01-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Electrical resistance heater for crystal growing apparatus and its method of use |
| US6285011B1 (en) | 1999-10-12 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Electrical resistance heater for crystal growing apparatus |
| US6663709B2 (en) | 2001-06-26 | 2003-12-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Crystal puller and method for growing monocrystalline silicon ingots |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP26293892A patent/JP2940893B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0687686A (ja) | 1994-03-29 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990601 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090618 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100618 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110618 Year of fee payment: 12 |
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