JP2931336B2 - 光メモリ素子 - Google Patents
光メモリ素子Info
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- JP2931336B2 JP2931336B2 JP1265989A JP26598989A JP2931336B2 JP 2931336 B2 JP2931336 B2 JP 2931336B2 JP 1265989 A JP1265989 A JP 1265989A JP 26598989 A JP26598989 A JP 26598989A JP 2931336 B2 JP2931336 B2 JP 2931336B2
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- Japan
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- light
- recording
- optical memory
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- recording layer
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光により情報信号の記録、再生、および消
去を行う光メモリ素子に関するものである。
去を行う光メモリ素子に関するものである。
近年、光により情報信号の記録、再生および消去を行
う光メモリ素子は、高密度大容量メモリ素子として年々
その必要性が高まっている。そこで、例えば特開昭62−
165751号公報には、第４図に示すように、互いに異なる
波長λ１〜λｎ記録可能な記録層Q1〜Qnが基板31に積層
して形成された光メモリ素子が開示されている。
う光メモリ素子は、高密度大容量メモリ素子として年々
その必要性が高まっている。そこで、例えば特開昭62−
165751号公報には、第４図に示すように、互いに異なる
波長λ１〜λｎ記録可能な記録層Q1〜Qnが基板31に積層
して形成された光メモリ素子が開示されている。
これにより、光メモリ素子は、情報信号を記録する場
合、各記録層Q1〜Qnに対応した波長λ１〜λｎの光を照
射することでｎ層の多重記録ができるようになってい
る。
合、各記録層Q1〜Qnに対応した波長λ１〜λｎの光を照
射することでｎ層の多重記録ができるようになってい
る。
しかしながら、上記従来の光メモリ素子では、各記録
層Q1〜Qnに光スポットを形成する対物レンズの位置制御
が困難になっている。
層Q1〜Qnに光スポットを形成する対物レンズの位置制御
が困難になっている。
即ち、光メモリ素子に情報信号を記録する場合には、
一般に対物レンズと記録層Q1〜Qnとの距離を一定に保つ
ため、対物レンズにフォーカスサーボをかけることが必
要になっている。この際、上記のフォーカスサーボは、
記録層Q1〜Qnからの反射光をサーボ用誤差信号に利用す
ることで行われている。ところが、上記の記録層Q1〜Qn
では、入射される光の大半が透過してしまい、殆ど反射
光を得ることができない。従って、従来の光メモリ素子
は、サーボ用誤差信号が不十分なため、対物レンズと記
録層Q1〜Qnとの距離を一定に維持することが困難なもの
になっている。
一般に対物レンズと記録層Q1〜Qnとの距離を一定に保つ
ため、対物レンズにフォーカスサーボをかけることが必
要になっている。この際、上記のフォーカスサーボは、
記録層Q1〜Qnからの反射光をサーボ用誤差信号に利用す
ることで行われている。ところが、上記の記録層Q1〜Qn
では、入射される光の大半が透過してしまい、殆ど反射
光を得ることができない。従って、従来の光メモリ素子
は、サーボ用誤差信号が不十分なため、対物レンズと記
録層Q1〜Qnとの距離を一定に維持することが困難なもの
になっている。
このように、光メモリ素子は、複数の記録層Q1〜Qnを
有することで多重記録が可能になっているが、各記録層
Q1〜Qnからの反射光が不十分なため、フォーカスサーボ
による対物レンズの位置制御が困難なものになってい
る。従って、本発明においては、充分な反射光が得られ
るようにすることで、フォーカスサーボによる対物レン
ズの位置制御を良好なものにすることができる光メモリ
素子を提供することを目的としている。
有することで多重記録が可能になっているが、各記録層
Q1〜Qnからの反射光が不十分なため、フォーカスサーボ
による対物レンズの位置制御が困難なものになってい
る。従って、本発明においては、充分な反射光が得られ
るようにすることで、フォーカスサーボによる対物レン
ズの位置制御を良好なものにすることができる光メモリ
素子を提供することを目的としている。
本発明に係る光メモリ素子は、上記課題を解決するた
めに、波長を異ならせた複数の光がフォーカスサーボに
より位置規制された対物レンズを介して照射されること
で、複数の情報信号が多重に記録される光メモリ素子に
おいて、透明基板と、上記透明基板上に形成され、フォ
ーカスサーボ用の光に大きな反射率となり、記録再生用
の光が透過する反射層と、上記反射層上に形成され、上
記相互に異なる複数の各波長の記録用の光でそれぞれ記
録される複数の記録層とを含むことを特徴としている。
めに、波長を異ならせた複数の光がフォーカスサーボに
より位置規制された対物レンズを介して照射されること
で、複数の情報信号が多重に記録される光メモリ素子に
おいて、透明基板と、上記透明基板上に形成され、フォ
ーカスサーボ用の光に大きな反射率となり、記録再生用
の光が透過する反射層と、上記反射層上に形成され、上
記相互に異なる複数の各波長の記録用の光でそれぞれ記
録される複数の記録層とを含むことを特徴としている。
上記の構成によれば、情報信号は、光が対物レンズを
介して照射されることで、その光の波長に対応した記録
層に記録される。上記の対物レンズは、フォーカスサー
ボにより位置制御されており、このフォーカスサーボ
は、光メモリ素子に照射されたフォーカスサーボ用の光
の反射光を利用してサーボ用誤差信号とすることで行わ
れている。
介して照射されることで、その光の波長に対応した記録
層に記録される。上記の対物レンズは、フォーカスサー
ボにより位置制御されており、このフォーカスサーボ
は、光メモリ素子に照射されたフォーカスサーボ用の光
の反射光を利用してサーボ用誤差信号とすることで行わ
れている。
上記のフォーカスサーボ用の光は、反射層で大きな反
射率となる波長に選ばれている。従って、サーボ用誤差
信号は、上記の反射光により充分に安定したものにな
る。これにより、光メモリ素子は、上記の反射光を対物
レンズのフォーカスサーボに用いることで、対物レンズ
の位置制御を良好に行うことが可能になる。
射率となる波長に選ばれている。従って、サーボ用誤差
信号は、上記の反射光により充分に安定したものにな
る。これにより、光メモリ素子は、上記の反射光を対物
レンズのフォーカスサーボに用いることで、対物レンズ
の位置制御を良好に行うことが可能になる。
本発明の基礎となる構成を第１図および第２図に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。
いて説明すれば、以下の通りである。
本構成に係る光メモリ素子は、第１図に示すように、
基板１と、この基板１の面上に形成された反射層２と、
この反射層２の面上に積層して形成された記録層R1〜R3
とからなっている。尚、記録層R3の面上には、保護層が
形成されていても良い。
基板１と、この基板１の面上に形成された反射層２と、
この反射層２の面上に積層して形成された記録層R1〜R3
とからなっている。尚、記録層R3の面上には、保護層が
形成されていても良い。
上記の基板１は、例えばガラス、プラスチック、また
はアルミニウム等で形成されており、反射層２および記
録層R1〜R3を支持するようになっている。また、基板１
の面上に形成された反射層２は、例えばアルミニウム、
金、銀、またはタンタル等で反射率が大きくなるように
形成されており、Ａ方向から入射された光をＢ方向へ反
射するようになっている。さらに、上記の反射層２の面
上に形成された記録層R1〜R3は、光反応により着色状態
が変化するフォトクロミック材料からなる光感応性記録
膜であり、各記録層R1〜R3は、フォトクロミック材料を
異ならせることで、それぞれの波長λ１〜λ３を有する
光で記録されるようになっている。
はアルミニウム等で形成されており、反射層２および記
録層R1〜R3を支持するようになっている。また、基板１
の面上に形成された反射層２は、例えばアルミニウム、
金、銀、またはタンタル等で反射率が大きくなるように
形成されており、Ａ方向から入射された光をＢ方向へ反
射するようになっている。さらに、上記の反射層２の面
上に形成された記録層R1〜R3は、光反応により着色状態
が変化するフォトクロミック材料からなる光感応性記録
膜であり、各記録層R1〜R3は、フォトクロミック材料を
異ならせることで、それぞれの波長λ１〜λ３を有する
光で記録されるようになっている。
上記のフォトクロミック材料には、例えば下記の式で
示すヘテロ型フルギドがある。尚、Meは、メチル基であ
る。
示すヘテロ型フルギドがある。尚、Meは、メチル基であ
る。
そして、記録層R1には、下記の式で示すオキサゾール
型をヘテロ型フルギドのＸ位置に配置したフォトクロミ
ック材料が用いられている。これにより、記録層R1は、
光が462nmの波長λ１を有するときに記録が行えるよう
になっている。尚、Phは、フェニル基である。
型をヘテロ型フルギドのＸ位置に配置したフォトクロミ
ック材料が用いられている。これにより、記録層R1は、
光が462nmの波長λ１を有するときに記録が行えるよう
になっている。尚、Phは、フェニル基である。
また、記録層R2には、下記の式で示すチオフェン型を
ヘテロ型フルギドのＸ位置に配置したフォトクロミック
材料が用いられている。これにより、記録層R2は、光が
523nmの波長λ２を有するときに記録が行えるようにな
っている。
ヘテロ型フルギドのＸ位置に配置したフォトクロミック
材料が用いられている。これにより、記録層R2は、光が
523nmの波長λ２を有するときに記録が行えるようにな
っている。
さらに、記録層R3には、下記の式で示すピロール型を
ヘテロ型フルギドのＸ位置に配置したフォトクロミック
材料が用いられている。これにより、記録層R3は、光が
614nmの波長λ３を有するときに記録が行えるようにな
っている。
ヘテロ型フルギドのＸ位置に配置したフォトクロミック
材料が用いられている。これにより、記録層R3は、光が
614nmの波長λ３を有するときに記録が行えるようにな
っている。
尚、上記の光メモリ素子は、３層の記録層R1・R2・R3
を有しているがこれに限定されることはない。即ち、光
メモリ素子は、第２図に示すように、フォトクロミック
材料を異ならせることで、３層以上の多数層に積層され
た記録層R1〜Rnを有していても良い。また、フォトクロ
ミック材料は、上記のヘテロ型フルギドに限定されるこ
とはなく、他種類のフォトクロミック材料であっても良
い。さらに、記録層R1〜Rnは、異なる波長の光を吸収す
る色素材料を混入させた少なくとも２種類以上のフォト
クロミック材料で形成されていても良い。
を有しているがこれに限定されることはない。即ち、光
メモリ素子は、第２図に示すように、フォトクロミック
材料を異ならせることで、３層以上の多数層に積層され
た記録層R1〜Rnを有していても良い。また、フォトクロ
ミック材料は、上記のヘテロ型フルギドに限定されるこ
とはなく、他種類のフォトクロミック材料であっても良
い。さらに、記録層R1〜Rnは、異なる波長の光を吸収す
る色素材料を混入させた少なくとも２種類以上のフォト
クロミック材料で形成されていても良い。
上記の構成において、光メモリ素子に情報信号を記録
する場合には、第１図に示すように、先ず一定の波長を
有した光が例えば半導体レーザ光源から光メモリ素子へ
Ａ方向に照射される。そして、上記の光が462nmの波長
λ１を有していた場合には、記録層R1のフォトクロミッ
ク材料の着色状態が光化学反応により変化する。また、
上記の光が523nmの波長λ２の場合には、記録層R2のフ
ォトクロミック材料の着色材料が光化学反応により変化
し、614nmの波長λ３の場合には、記録層R3のフォトク
ロミック材料の着色状態が光化学反応により変化するこ
とになる。これにより、上記記録層R1・R2・R3には、各
波長λ１・λ２・λ３の光により、それぞれ別個の情報
信号が記録されることになる。
する場合には、第１図に示すように、先ず一定の波長を
有した光が例えば半導体レーザ光源から光メモリ素子へ
Ａ方向に照射される。そして、上記の光が462nmの波長
λ１を有していた場合には、記録層R1のフォトクロミッ
ク材料の着色状態が光化学反応により変化する。また、
上記の光が523nmの波長λ２の場合には、記録層R2のフ
ォトクロミック材料の着色材料が光化学反応により変化
し、614nmの波長λ３の場合には、記録層R3のフォトク
ロミック材料の着色状態が光化学反応により変化するこ
とになる。これにより、上記記録層R1・R2・R3には、各
波長λ１・λ２・λ３の光により、それぞれ別個の情報
信号が記録されることになる。
この際、上記の各波長λ１・λ２・λ３を有する光
は、大半が記録層R1・R2・R3を透過するが、大きな反射
率を有する反射層２でＢ方向に反射される。このＢ方向
に反射された反射光は、反射層２で効率良く反射されて
いるため、充分に安定したサーボ用誤差信号として使用
することが可能になる。従って、対物レンズは、反射層
２により安定したフォーカスサーボをかけることが可能
になり、位置制御が容易になる。
は、大半が記録層R1・R2・R3を透過するが、大きな反射
率を有する反射層２でＢ方向に反射される。このＢ方向
に反射された反射光は、反射層２で効率良く反射されて
いるため、充分に安定したサーボ用誤差信号として使用
することが可能になる。従って、対物レンズは、反射層
２により安定したフォーカスサーボをかけることが可能
になり、位置制御が容易になる。
本発明の一実施例を第３図に基づいて説明すれば、以
下の通りである。
下の通りである。
本実施例に係る光メモリ素子は、第３図に示すよう
に、例えばガラスやアクリルまたはポリカーボネート等
のプラスチックからなる基板７を有しており、この基板
７は、記録する光を充分に透過するようになっている。
また、基板７の面上には、反射層８・９と記録層S1・S2
とがこの順に形成されている。
に、例えばガラスやアクリルまたはポリカーボネート等
のプラスチックからなる基板７を有しており、この基板
７は、記録する光を充分に透過するようになっている。
また、基板７の面上には、反射層８・９と記録層S1・S2
とがこの順に形成されている。
上記の反射層８・９は、高屈折率層３・５と低屈折率
層４・６とからなっており、高屈折率層３・５は、ZnS
が約160nmの膜厚で形成されたものである。また、低屈
折率層４・６は、MgF2が約280nmの膜厚で形成されたも
のである。そして、反射率８・９は、上記の高屈折率層
３・５と低屈折層４・６とを組み合わせることで、520n
m付近の波長を有する光を効率良く反射するようになっ
ている。
層４・６とからなっており、高屈折率層３・５は、ZnS
が約160nmの膜厚で形成されたものである。また、低屈
折率層４・６は、MgF2が約280nmの膜厚で形成されたも
のである。そして、反射率８・９は、上記の高屈折率層
３・５と低屈折層４・６とを組み合わせることで、520n
m付近の波長を有する光を効率良く反射するようになっ
ている。
また、上記の反射層９の面上に形成された記録層S1・
S2は、下記の式で示す化合物を有している。
S2は、下記の式で示す化合物を有している。
記録層S1は、CH2OCOC21H43およびNO2を上記の化合物
のＸ位置およびＹ位置にそれぞれ配置したものであり、
約10nmの膜厚に形成されている。これにより、記録層S1
は、618nmの波長λ４を有する光で記録されるようにな
っている。また、記録層S2は、OCH3およびNO2を上記の
化合物のＸ位置およびＹ位置にそれぞれ配置したもので
あり、約10nmの膜圧に形成されている。これにより、記
録層S2は、600nmの波長λ５を有する光で記録されるよ
うになっている。
のＸ位置およびＹ位置にそれぞれ配置したものであり、
約10nmの膜厚に形成されている。これにより、記録層S1
は、618nmの波長λ４を有する光で記録されるようにな
っている。また、記録層S2は、OCH3およびNO2を上記の
化合物のＸ位置およびＹ位置にそれぞれ配置したもので
あり、約10nmの膜圧に形成されている。これにより、記
録層S2は、600nmの波長λ５を有する光で記録されるよ
うになっている。
上記の構成において、光メモリ素子に情報信号を記録
する場合には、先ず一定の波長を有した光が例えば半導
体レーザ光源から光メモリ素子へ照射される。この際、
上記の光は、基板７が充分に透明であるため、記録層S1
・S2側または基板７側の何れの側から照射されても良
い。但し、光が基板７側であるＣ方向から照射される場
合には、基板７が0.5〜2.0mm程度の厚みであることが望
ましい。
する場合には、先ず一定の波長を有した光が例えば半導
体レーザ光源から光メモリ素子へ照射される。この際、
上記の光は、基板７が充分に透明であるため、記録層S1
・S2側または基板７側の何れの側から照射されても良
い。但し、光が基板７側であるＣ方向から照射される場
合には、基板７が0.5〜2.0mm程度の厚みであることが望
ましい。
そして、上記の光が618nmの波長λ４を有していた場
合には、記録層S1に情報信号が記録され、600nmの波長
λ５の場合には、記録層S2に情報信号が記録される。上
記の各波長λ４・λ５を有する光は、大半が光メモリ素
子を通過するが、520nmの波長λ６を有する光が照射さ
れた場合には、約60％が反射層８・９で反射される。従
って、上記の波長λ６を有する光は、サーボ用誤差信号
として充分に利用できる反射光になる。
合には、記録層S1に情報信号が記録され、600nmの波長
λ５の場合には、記録層S2に情報信号が記録される。上
記の各波長λ４・λ５を有する光は、大半が光メモリ素
子を通過するが、520nmの波長λ６を有する光が照射さ
れた場合には、約60％が反射層８・９で反射される。従
って、上記の波長λ６を有する光は、サーボ用誤差信号
として充分に利用できる反射光になる。
このように、本実施例に係る光メモリ素子は、記録用
以外にサーボ用誤差信号用の光を照射することで、対物
レンズに対して安定してフォーカスサーボをかけること
が可能になり、対物レンズの位置制御が容易になる。
以外にサーボ用誤差信号用の光を照射することで、対物
レンズに対して安定してフォーカスサーボをかけること
が可能になり、対物レンズの位置制御が容易になる。
尚、上記の光メモリ素子は、２層の反射層８・９を有
しているが、これに限定されることはなく１層であって
も良い。これは、一層の反射率であっても、反射光がサ
ーボ用誤差信号として充分に使用できるためである。ま
た、反射層８・９の高屈折率層３・５および低屈折率層
４・６は、ZnSおよびMgF2に限定されることはない。即
ち、反射層８・９は、屈折率の大きな材料と屈折率の小
さな材料とを組み合わせることで、特定の波長の光に対
して大きな反射率を有するものであれば良い。
しているが、これに限定されることはなく１層であって
も良い。これは、一層の反射率であっても、反射光がサ
ーボ用誤差信号として充分に使用できるためである。ま
た、反射層８・９の高屈折率層３・５および低屈折率層
４・６は、ZnSおよびMgF2に限定されることはない。即
ち、反射層８・９は、屈折率の大きな材料と屈折率の小
さな材料とを組み合わせることで、特定の波長の光に対
して大きな反射率を有するものであれば良い。
さらに、上記の反射層８・９が窒化アルミニウムや窒
化シリコン等の熱良導体で形成された場合には、記録時
における記録層S1・S2の温度上昇を防止することが可能
になり、ひいては記録層S1・S2の過熱による破壊を防止
することが可能になる。また、記録層S1・S2は、層状に
形成されている必要はなく、異なる波長の光に感光する
材料が混合して形成されたものであっても良い。
化シリコン等の熱良導体で形成された場合には、記録時
における記録層S1・S2の温度上昇を防止することが可能
になり、ひいては記録層S1・S2の過熱による破壊を防止
することが可能になる。また、記録層S1・S2は、層状に
形成されている必要はなく、異なる波長の光に感光する
材料が混合して形成されたものであっても良い。
本発明に係る光メモリ素子は、以上のように、波長を
異ならせた複数の光がフォーカスサーボにより位置制御
された対物レンズを介して照射されることで、複数の情
報信号が多重に記録される光メモリ素子において、透明
基板上に、フォーカスサーボ用の光に大きな反射率とな
り、記録再生用の光が透過する反射層と、相互に異なる
複数の各波長の記録用の光でそれぞれ記録される複数の
記録層とがこの順で形成されている構成である。
異ならせた複数の光がフォーカスサーボにより位置制御
された対物レンズを介して照射されることで、複数の情
報信号が多重に記録される光メモリ素子において、透明
基板上に、フォーカスサーボ用の光に大きな反射率とな
り、記録再生用の光が透過する反射層と、相互に異なる
複数の各波長の記録用の光でそれぞれ記録される複数の
記録層とがこの順で形成されている構成である。
これにより、大きな反射率となる反射層により効率良
く反射光を得ることができることで、フォーカスサーボ
による対物レンズの位置制御を良好なものにすることが
可能になるという効果を奏する。
く反射光を得ることができることで、フォーカスサーボ
による対物レンズの位置制御を良好なものにすることが
可能になるという効果を奏する。
また、上記構成により、フォーカスサーボに利用する
光以外は記録層を１回通過するだけであり、記録層に不
要な光吸収がなくなり、記録層の熱劣化を抑制でき、さ
らに、光は透明基板側からでも、記録層側からでも、ど
ちら側からでもでも入射できるものであり、記録装置に
自由度を持たせられる、等の利点があるものであり有利
である。
光以外は記録層を１回通過するだけであり、記録層に不
要な光吸収がなくなり、記録層の熱劣化を抑制でき、さ
らに、光は透明基板側からでも、記録層側からでも、ど
ちら側からでもでも入射できるものであり、記録装置に
自由度を持たせられる、等の利点があるものであり有利
である。
第１図および第２図は、本発明の基礎となる構成を示す
ものである。 第１図は、３層の記録層を有する光メモリ素子の縦断面
図である。 第２図は、多数層の記録層を有する光メモリ素子の縦断
面図である。 第３図は、本発明の一実施例を示すものであり、光メモ
リ素子の縦断面図である。 第４図は、従来例を示すものであり、光メモリ素子の縦
断面図である。 １・７は基板、２・８・９は反射層、３・５は高屈折率
層、４・６は低屈折率層である。
ものである。 第１図は、３層の記録層を有する光メモリ素子の縦断面
図である。 第２図は、多数層の記録層を有する光メモリ素子の縦断
面図である。 第３図は、本発明の一実施例を示すものであり、光メモ
リ素子の縦断面図である。 第４図は、従来例を示すものであり、光メモリ素子の縦
断面図である。 １・７は基板、２・８・９は反射層、３・５は高屈折率
層、４・６は低屈折率層である。
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 秀朗 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 伴 和夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−146244（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−119036（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−226446（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−125552（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−163891（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】波長を異ならせた複数の光がフォーカスサ
ーボにより位置制御された対物レンズを介して照射され
ることで、複数の情報信号が多重に記録される光メモリ
素子において、 透明基板と、 上記透明基板上に形成され、フォーカスサーボ用の光に
大きな反射率となり、記録再生用の光が透過する反射層
と、 上記反射層上に形成され、上記相互に異なる複数の各波
長の記録用の光でそれぞれ記録される複数の記録層とを
含むことを特徴とする光メモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265989A JP2931336B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 光メモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265989A JP2931336B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 光メモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03125348A JPH03125348A (ja) | 1991-05-28 |
| JP2931336B2 true JP2931336B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=17424821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1265989A Expired - Fee Related JP2931336B2 (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 光メモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2931336B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63146244A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-18 | Hitachi Ltd | 波長多重光記録装置 |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP1265989A patent/JP2931336B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03125348A (ja) | 1991-05-28 |
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