JP2914841B2 - Electromagnetic safety valve maintenance system - Google Patents

Electromagnetic safety valve maintenance system

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JP2914841B2
JP2914841B2 JP5046448A JP4644893A JP2914841B2 JP 2914841 B2 JP2914841 B2 JP 2914841B2 JP 5046448 A JP5046448 A JP 5046448A JP 4644893 A JP4644893 A JP 4644893A JP 2914841 B2 JP2914841 B2 JP 2914841B2
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valve
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秀一 高田
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電磁安全弁を駆動する
半導体スイッチ素子の機能確認ができる電磁安全弁の保
全システムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electromagnetic safety valve maintenance system capable of confirming the function of a semiconductor switch element for driving the electromagnetic safety valve.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、コレクタを電源のプラス側に接
続したトランジスタと、一端を前記トランジスタのエミ
ッタに接続し、他端を電源のマイナス側に接続した電磁
安全弁と、上記トランジスタのベースにハイレベル信号
を供給して電磁安全弁を開弁状態にする制御器とを有す
る電磁安全弁の駆動回路が知られている。
2. Description of the Related Art For example, a transistor having a collector connected to the positive side of a power supply, an electromagnetic safety valve having one end connected to the emitter of the transistor and the other end connected to the negative side of the power supply, and a high level 2. Description of the Related Art A drive circuit for an electromagnetic safety valve including a controller that supplies a signal to open the electromagnetic safety valve is known.

【0003】この電磁安全弁の駆動回路では、トランジ
スタが故障すると、制御器による電磁安全弁の制御が不
能になる。電磁安全弁は、異常時に閉弁させてガス器具
等の燃焼を停止させる安全機能を備えている為、制御が
不能になると危険である。そこで、トランジスタを、例
えば二個直列に接続し、一方が故障しても正常な他方の
トランジスタにより電磁安全弁を閉弁状態にして燃焼停
止を行なう駆動回路を設けて信頼性を向上させる事が考
えられる。
In this electromagnetic safety valve drive circuit, if a transistor fails, the controller cannot control the electromagnetic safety valve. Since the electromagnetic safety valve has a safety function of closing the valve when an abnormality occurs and stopping the combustion of gas appliances and the like, it is dangerous if control becomes impossible. Therefore, it is conceivable to improve the reliability by connecting, for example, two transistors in series, and providing a drive circuit for closing the electromagnetic safety valve and stopping combustion by the other transistor which is normal even if one of the transistors fails. Can be

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記二連トランジスタ
を備える電磁安全弁の駆動回路において、一方のトラン
ジスタが故障し、常時、導通状態となっても他方のトラ
ンジスタでオン・オフ制御が可能であるため、ガス機器
の実使用上は差し支え無く、従って、一方のトランジス
タの故障が発見されないまま継続使用されてしまう。し
かし、残りのトランジスタも故障すると電磁弁の制御が
不能になり危険である。
SUMMARY OF THE INVENTION In a drive circuit for an electromagnetic safety valve provided with the above-mentioned dual transistor, one of the transistors fails and the on / off control can be performed by the other transistor even if the transistor is always in a conductive state. However, there is no problem in actual use of gas equipment, and therefore, the transistor is continuously used without detecting a failure of one transistor. However, if the remaining transistors fail, control of the solenoid valve becomes impossible, which is dangerous.

【0005】本発明の目的は、信頼性を向上させる為に
複数の半導体スイッチを備えて電磁安全弁を駆動させる
ものにおいて、全ての半導体スイッチ素子の機能が検査
できる電磁安全弁の保全システムの提供にある。
An object of the present invention is to provide a maintenance system for an electromagnetic safety valve in which a plurality of semiconductor switches are provided to drive an electromagnetic safety valve in order to improve reliability, and in which the functions of all the semiconductor switch elements can be inspected. .

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為、
本発明は、以下の構成を採用した。 (1)通電により開弁する電磁安全弁と、複数の半導体
スイッチ素子とを直列に作動用電源の両極間に接続し、
レベルを検出するレベル検出手段、及び前記半導体スイ
ッチ素子に作動信号を送出する信号送出手段を有するマ
イクロコンピュータを備え、一つの半導体スイッチ素子
を除き他の全ての半導体スイッチ素子に対して作動信号
を送出した時、前記レベル検出手段により、前記作動用
電源の両極間の内の所定位置の電圧が前記電磁安全弁の
閉弁状態に相当する所定電圧である事が確認でき、且
つ、同様の作業を他の半導体スイッチの各々に対して行
なった結果、前記所定位置において全て前記所定電圧で
ある事が確認できた場合、前記マイクロコンピュータ
は、全ての半導体スイッチ素子の機能が正常であると判
定する。
In order to solve the above-mentioned problems,
The present invention employs the following configuration. (1) An electromagnetic safety valve that opens when energized and a plurality of semiconductor switch elements are connected in series between both poles of an operating power supply,
A microcomputer having a level detecting means for detecting a level and a signal transmitting means for transmitting an operation signal to the semiconductor switch element, and transmitting an operation signal to all other semiconductor switch elements except one semiconductor switch element Then, the level detecting means can confirm that the voltage at the predetermined position between the two poles of the operating power supply is the predetermined voltage corresponding to the closed state of the electromagnetic safety valve, and perform the same operation as above. When it is confirmed that all of the semiconductor switches have the predetermined voltage at the predetermined position, the microcomputer determines that the functions of all the semiconductor switch elements are normal.

【0007】(2)負荷側半導体スイッチ素子と、通電
により開弁する電磁安全弁とを直列接続し、一方回路端
を作動用電源の一方極側に接続した弁駆動回路を所定数
並列接続してなる弁駆動回路群と、作動用電源の他方極
側に一端を接続し、他端を前記弁駆動回路群の他方回路
端に接続した電源側半導体スイッチ素子と、前記電源側
半導体スイッチ素子や所定数の負荷側半導体スイッチ素
子に作動信号を送出する信号送出手段と、前記弁駆動回
路の所定位置のレベルを検出するレベル検出手段とを有
するマイクロコンピュータとを備え、前記電源側半導体
スイッチ素子に対してのみ、作動信号を送出した時に、
前記レベル検出手段により前記弁駆動回路の所定位置の
電圧が前記電磁安全弁の閉弁状態に相当する所定電圧で
ある事が確認でき、且つ、所定数の負荷側半導体スイッ
チ素子に対してのみ、作動信号を送出した時に、前記所
定位置の電圧が前記所定電圧である事が確認できた場
合、前記マイクロコンピュータは、全ての半導体スイッ
チ素子の機能が正常であるとする。
(2) A load-side semiconductor switch element is connected in series with an electromagnetic safety valve which is opened by energization, and a predetermined number of valve drive circuits having one circuit end connected to one pole of an operating power supply are connected in parallel. A power-supply-side semiconductor switch element having one end connected to the other pole side of the actuation power supply and the other end connected to the other circuit end of the valve drive circuit group; A signal transmission means for transmitting an operation signal to a number of load-side semiconductor switch elements, and a microcomputer having level detection means for detecting a level at a predetermined position of the valve drive circuit, Only when the activation signal is sent,
The level detecting means can confirm that the voltage at a predetermined position of the valve drive circuit is a predetermined voltage corresponding to the valve closing state of the electromagnetic safety valve, and operates only for a predetermined number of load-side semiconductor switch elements. When it is confirmed that the voltage at the predetermined position is the predetermined voltage when the signal is transmitted, the microcomputer determines that all the semiconductor switch elements have normal functions.

【0008】[0008]

【作用】[Action]

〔請求項1について〕マイクロコンピュータが、一つの
半導体スイッチ素子を除き他の全ての半導体スイッチ素
子に対して作動信号を送出した時、上記他の全ての半導
体スイッチ素子が導通状態になり、上記一つの半導体ス
イッチ素子の機能が正常であれば(導通状態で故障して
いなければ)、作動用電源の両極間の内の所定位置の電
圧は、電磁安全弁の閉弁状態に相当する所定電圧とな
る。同様の作業を他の半導体スイッチの各々に対して行
なった結果、上記所定位置において全て上記所定電圧で
ある事が確認できた場合、マイクロコンピュータは、全
ての半導体スイッチ素子の機能が正常であると判定す
る。
[Claim 1] When a microcomputer sends an operation signal to all the other semiconductor switch elements except for one semiconductor switch element, all the other semiconductor switch elements become conductive and the one semiconductor switch element becomes conductive. If the functions of the two semiconductor switch elements are normal (unless they are conductive and have not failed), the voltage at a predetermined position between the two poles of the operating power supply becomes a predetermined voltage corresponding to the closed state of the electromagnetic safety valve. . As a result of performing the same operation for each of the other semiconductor switches, if it is confirmed that the voltages are all at the predetermined voltage at the predetermined positions, the microcomputer determines that all the semiconductor switch elements have normal functions. judge.

【0009】〔請求項2について〕マイクロコンピュー
タが信号送出手段から、電源側半導体スイッチ素子に対
してのみ作動信号を送出した時に、弁駆動回路の所定位
置のレベルが電磁安全弁の閉弁状態に相当する所定電圧
である事が確認でき、且つ、所定数の負荷側半導体スイ
ッチ素子に対してのみ作動信号を送出した時に、前記所
定位置のレベルが前記所定電圧である事が確認できた場
合、全ての半導体スイッチ素子の機能が正常であるとす
る。
When the microcomputer sends an operation signal from the signal sending means only to the power supply side semiconductor switch element, the level of the predetermined position of the valve drive circuit corresponds to the closed state of the electromagnetic safety valve. It is possible to confirm that the level at the predetermined position is the predetermined voltage when the operation signal is transmitted only to a predetermined number of load-side semiconductor switch elements. It is assumed that the function of the semiconductor switch element is normal.

【0010】[0010]

【発明の効果】【The invention's effect】

〔請求項1について〕直列に接続した全ての半導体スイ
ッチ素子の個々の機能確認を行ない、一つでも半導体ス
イッチ素子が故障していると電磁安全弁が開弁状態にな
らないので、半導体スイッチ素子の故障が発見されない
まま継続使用されるという不具合が防止でき安全性に優
れる。尚、使用中にどれかの半導体スイッチ素子が故障
して短絡状態になっても、他の正常な半導体スイッチ素
子により電磁安全弁を閉弁状態にする事ができる。
[Claim 1] The function of each semiconductor switch element connected in series is checked individually. If at least one of the semiconductor switch elements has failed, the electromagnetic safety valve does not open, so that the semiconductor switch element fails. It is possible to prevent a problem that the device is continuously used without being found, and it is excellent in safety. Even if one of the semiconductor switch elements breaks down during use and is short-circuited, the electromagnetic safety valve can be closed by another normal semiconductor switch element.

【0011】〔請求項2について〕所定数の電磁安全弁
の開閉を個別に制御する各弁駆動回路に使用する所定数
の負荷側半導体スイッチ素子と、これら負荷側半導体ス
イッチ素子が短絡故障していると弁駆動回路群への通電
を停止して安全を確保する電源側半導体スイッチ素子と
の機能をチェックする事ができ、各半導体スイッチ素子
の故障が発見されないまま継続使用されるという不具合
が防止でき安全性に優れる。
[Claim 2] A predetermined number of load-side semiconductor switch elements used in each valve drive circuit for individually controlling the opening and closing of a predetermined number of electromagnetic safety valves, and these load-side semiconductor switch elements are short-circuited. The function of the power supply side semiconductor switch element to secure the safety by stopping the power supply to the valve drive circuit group can be checked, and the problem that each semiconductor switch element is used continuously without being found out of failure can be prevented. Excellent safety.

【0012】[0012]

【実施例】本発明の第1実施例(請求項1に対応)を図
1〜図3に基づいて説明する。図2に示す様に、セーフ
ティバルブ駆動回路の保全システムAは、半導体スイッ
チ素子に相当するトランジスタ1、2と、電磁安全弁に
相当するセーフティバルブ3と、マイクロコンピュータ
4とで構成され、図1に示すガステーブルBに採用され
ている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment (corresponding to claim 1) of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 2, the maintenance system A of the safety valve drive circuit includes transistors 1 and 2 corresponding to semiconductor switch elements, a safety valve 3 corresponding to an electromagnetic safety valve, and a microcomputer 4, and FIG. The gas table B shown in FIG.

【0013】トランジスタ1は、電源回路(図示せず)
のプラス極側51に抵抗52を介して接続されるコレク
タ11、エミッタ12、及び後述する端子44に接続さ
れるベース13を有する。
The transistor 1 has a power supply circuit (not shown)
Has a collector 11, an emitter 12, and a base 13 connected to a terminal 44 described later.

【0014】トランジスタ2は、トランジスタ1のエミ
ッタ12に接続されるコレクタ21、エミッタ22、及
び後述する端子45に接続されるベース23を有する。
The transistor 2 has a collector 21 connected to the emitter 12 of the transistor 1, an emitter 22, and a base 23 connected to a terminal 45 described later.

【0015】セーフティバルブ3は、トランジスタ2の
エミッタ22及び電源回路のマイナス極側53に接続さ
れている。
The safety valve 3 is connected to the emitter 22 of the transistor 2 and the negative pole 53 of the power supply circuit.

【0016】マイクロコンピュータ4は、抵抗52とト
ランジスタ1のコレクタ11との結線点に接続されてコ
レクタ11の電位が入力される端子41と、ベース13
にハイレベル信号を供給する為の端子44と、ベース2
3にハイレベル信号を供給する為の端子45とを有す
る。
The microcomputer 4 includes a terminal 41 connected to a connection point between the resistor 52 and the collector 11 of the transistor 1 and to which a potential of the collector 11 is input, and a base 13.
Terminal 44 for supplying a high-level signal to the
3 has a terminal 45 for supplying a high-level signal.

【0017】ガステーブルBにおいて、6は右こんろ、
61は4100kcal/hのガス消費量を有するHバ
ーナ、62はHバーナ61のガス噴出炎口に臨んで配さ
れ点火放電を行う点火電極、63はHバーナ61のガス
噴出炎口に臨んで配され燃焼炎64により起電力を発生
するサーモカップル、65はセーフティバルブ3の下流
側のガス管路66中に配され点・消火ボタン(図示せ
ず)の押圧により連動して開弁するメイン弁である。更
に、71はセーフティバルブ駆動回路の保全システムA
を組み込んだ制御ユニット、72は2300kcal/
hのガス消費量を有するMバーナを有する左こんろ、7
3は1950kcal/hのガス消費量を有するグリル
バーナを有するグリルであリ、左こんろ72、グリル7
3のセーフティバルブ721、731もセーフティバル
ブ駆動回路の保全システムAと同様の保全システムによ
り安全が保たれている。
In the gas table B, 6 is a right stove,
Reference numeral 61 denotes an H burner having a gas consumption of 4100 kcal / h, 62 denotes an ignition electrode which faces the gas ejection flame of the H burner 61 and performs ignition discharge, and 63 denotes an ignition electrode which faces the gas ejection flame of the H burner 61. A thermocouple 65, which generates an electromotive force by a combustion flame 64, is disposed in a gas line 66 downstream of the safety valve 3 and is a main valve which opens in conjunction with the pressing of a point / fire button (not shown). It is. Further, 71 is a safety valve driving circuit maintenance system A.
Is a control unit that incorporates 2300 kcal /
h stove with M burner with gas consumption h
Reference numeral 3 denotes a grill having a grill burner having a gas consumption of 1950 kcal / h, a left cooking stove 72, and a grill 7
The safety of the third safety valves 721 and 731 is also maintained by the same maintenance system as the maintenance system A of the safety valve drive circuit.

【0018】つぎに、セーフティバルブ駆動回路の保全
システムAの作動を図3のフローチャートに基づいて説
明する。点・消火ボタンが押圧されてスイッチ74が閉
成するとプラス極側51- マイナス極側53に直流電圧
が印加される。ステップS1でマイクロコンピュータ4
は、端子45からトランジスタ2にハイレベル信号を送
出し、ステップS2に進む。ステップS2でマイクロコ
ンピュータ4は、コレクタ11側がハイレベルになって
いる為、端子41がハイレベルになっているか否か判断
し、端子41がハイレベルになっている場合(Yes)
はステップS3に進み、なっていない場合(No)はス
テップS8に進む。尚、トランジスタ2が導通状態にあ
り、且つ、トランジスタ1のコレクタ11- エミッタ1
2間が短絡(常時オン故障)していない場合、コレクタ
11側はハイレベルになり、端子41はハイレベルにな
る。ステップS3でマイクロコンピュータ4は、トラン
ジスタ2へのハイレベル信号の送出を停止し、ステップ
S4に進む。ステップS4でマイクロコンピュータ4
は、端子44からトランジスタ1にハイレベル信号を送
出し、ステップS5に進む。ステップS5でマイクロコ
ンピュータ4は、コレクタ21側がハイレベルになって
いる為、端子41がハイレベルになっているか否か判断
し、ハイレベルになっている場合(Yes)はステップ
S6に進み、なっていない場合(No)はステップS8
に進む。尚、トランジスタ1が導通状態にあり、且つ、
トランジスタ2のコレクタ21- エミッタ22間が短絡
(常時オン故障)していない場合、コレクタ21側はハ
イレベルになり、端子41はハイレベルになる。以上に
より、トランジスタ1、2の機能は正常であると判断
し、ステップS6でマイクロコンピュータ4は、端子4
5によりトランジスタ2にもハイレベル信号を送出し、
ステップS7でセーフティバルブ3に通電を行なって開
弁状態にして(トランジスタ1、2が共に導通状態にな
る為)、Hバーナ61の点火動作が行われる。ステップ
S8では、トランジスタ1又は2が短絡(常時オン状
態)していると判断してブザー等による異常報知を行な
う。尚、セーフティバルブ3に通電を行なって開弁状態
を保持して燃焼を継続するガステーブルBの使用中にお
いて、マイクロコンピュータ4は、トランジスタ1、及
び2にハイレベル信号を送出しながら端子41の電位が
ローレベルを維持しているかを監視し、ハイレベルを検
出した場合、どちらかのトランジスタが故障した(オン
にならない常時オフ故障)と判断して、ブザーを鳴動さ
せるとともに運転を停止する。
Next, the operation of the safety valve driving circuit maintenance system A will be described with reference to the flowchart of FIG. When the point / fire button is pressed and the switch 74 is closed, a DC voltage is applied to the plus side 51-the minus side 53. In step S1, the microcomputer 4
Sends a high level signal from the terminal 45 to the transistor 2, and proceeds to step S2. In step S2, the microcomputer 4 determines whether the terminal 41 is at the high level because the collector 11 side is at the high level, and when the terminal 41 is at the high level (Yes).
Proceeds to step S3, and if not (No), proceeds to step S8. The transistor 2 is in a conductive state, and the collector 11 of the transistor 1 is connected to the emitter 1
If the two are not short-circuited (always on failure), the collector 11 side becomes high level, and the terminal 41 becomes high level. In step S3, the microcomputer 4 stops sending the high-level signal to the transistor 2, and proceeds to step S4. In step S4, the microcomputer 4
Sends a high-level signal from the terminal 44 to the transistor 1, and proceeds to step S5. In step S5, since the collector 21 is at the high level, the microcomputer 4 determines whether the terminal 41 is at the high level. If the terminal 41 is at the high level (Yes), the microcomputer 4 proceeds to step S6. If not (No), step S8
Proceed to. Note that the transistor 1 is in a conductive state, and
When the collector 21 and the emitter 22 of the transistor 2 are not short-circuited (always on failure), the collector 21 is at a high level, and the terminal 41 is at a high level. Thus, it is determined that the functions of the transistors 1 and 2 are normal.
5 also sends a high level signal to transistor 2
In step S7, the safety valve 3 is energized to open the valve (because both the transistors 1 and 2 become conductive), and the ignition operation of the H burner 61 is performed. In step S8, it is determined that the transistor 1 or 2 is short-circuited (always on), and an abnormality is notified by a buzzer or the like. During the use of the gas table B in which the safety valve 3 is energized to keep the valve open and continue the combustion, the microcomputer 4 sends the high level signal to the transistors 1 and 2 while the It monitors whether the potential is maintained at a low level, and if a high level is detected, it is determined that one of the transistors has failed (always-off failure that does not turn on), and the buzzer sounds and the operation is stopped.

【0019】以下、本実施例の利点を述べる。セーフテ
ィバルブ3への通電を制御するトランジスタ1、2を図
2の様に接続して1個づつ機能チェックを行い、両方
共、機能が正常であると確認した後、セーフティバルブ
3に通電を行っている。この為、セーフティバルブ3に
通電して開弁し、燃焼が開始した時には、必ず、トラン
ジスタ1、2は、正常に機能する為、燃焼中に一方のト
ランジスタが故障しても、他方のトランジスタで異常時
制御を行なって燃焼を停止させる事ができ、常に安全性
に優れ、信頼性の高い状態にする事ができる。
Hereinafter, advantages of this embodiment will be described. The transistors 1 and 2 that control the energization of the safety valve 3 are connected as shown in FIG. 2 and a function check is performed one by one. After confirming that both functions are normal, the energization of the safety valve 3 is performed. ing. Therefore, when the safety valve 3 is energized and opened to start combustion, the transistors 1 and 2 always function normally. Therefore, even if one transistor fails during combustion, the other transistor is used. Abnormality control can be performed to stop combustion, and safety can always be improved and a highly reliable state can be achieved.

【0020】つぎに、本発明の第2実施例(請求項2に
対応)を図1、図4、図5に基づいて説明する。図4に
示す様に、セーフティバルブ駆動回路の保全システムC
は、電源側半導体スイッチ素子に相当するpnpタイプ
のトランジスタ8と、負荷側半導体スイッチ素子に相当
するpnpタイプのトランジスタ91、92、93、電
磁安全弁に相当するセーフティバルブ911、921、
931、及び抵抗912、922、932を有する弁駆
動回路群90と、信号送出ポート461、462、46
3、464、及びトランジスタ91、92、93のコレ
クタと抵抗912、922、932との接続点に接続さ
れるアンサ入力ポート471、472、473(レベル
入力ポートに相当)を有するマイクロコンピュータ4と
で構成され、図1に示すガステーブルDに採用されてい
る。
Next, a second embodiment of the present invention (corresponding to claim 2) will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 4, the safety valve drive circuit maintenance system C
Are pnp-type transistors 8 corresponding to power supply-side semiconductor switch elements, pnp-type transistors 91, 92, 93 corresponding to load-side semiconductor switch elements, safety valves 911, 921 corresponding to electromagnetic safety valves,
931 and a valve drive circuit group 90 having resistors 912, 922, 932, and signal transmission ports 461, 462, 46
3, 464, and the microcomputer 4 having answer input ports 471, 472, 473 (corresponding to level input ports) connected to the connection points between the collectors of the transistors 91, 92, 93 and the resistors 912, 922, 932. The gas table D shown in FIG.

【0021】トランジスタ8は、直流電源ライン(作動
用電源)のプラス極側51(他方極側)にエミッタ81
(一端)を接続し、コレクタ82(他端)を弁駆動回路
群90の他方回路端901に接続している。そして、信
号送出ポート461からローレベル信号{アースに対し
て0Vの電圧}がベース83に入力されるとエミッタ8
1- コレクタ82間が導通状態になり、ハイレベル信号
{アースに対して+5Vの電圧}が入力されるとエミッ
タ81- コレクタ82間が不導通状態になる。
The transistor 8 has an emitter 81 on the positive pole side 51 (the other pole side) of the DC power supply line (operating power supply).
(One end) and the collector 82 (the other end) is connected to the other circuit end 901 of the valve drive circuit group 90. When a low-level signal {0 V with respect to the ground} is input to the base 83 from the signal transmission port 461, the emitter 8
When the high level signal {voltage of +5 V with respect to the ground} is input, the connection between the emitter 81 and the collector 82 becomes non-conductive.

【0022】弁駆動回路910、920、930は、信
号送出ポート462、463、464からローレベル信
号{アースに対して0Vの電圧}がベース91a、92
a、93aに入力されるとエミッタ- コレクタ間が導通
状態となり、ハイレベル信号{アースに対して+5Vの
電圧}が入力されるとエミッタ- コレクタ間が不導通状
態となるトランジスタ91、92、93と、抵抗91
2、922、932と、通電により開弁するセーフティ
バルブ911、921、931とを図示の様に直列接続
してなり、各弁側回路端及び各エミッタ側回路端は夫々
結線されて弁駆動回路群90の一方回路端902及び他
方回路端901となり、直流電源ラインのマイナス極側
(他方極側)、及びコレクタ82に接続される。
The valve drive circuits 910, 920, and 930 apply low-level signals {0 V with respect to ground} from the signal transmission ports 462, 463, and 464 to the bases 91a and 92.
a, 93a, the emitters and collectors become conductive, and when a high-level signal {voltage of +5 V with respect to the ground} is input, the transistors 91, 92, 93 become nonconductive between the emitters and collectors. And the resistor 91
2, 922, 932 and safety valves 911, 921, 931 which are opened by energization are connected in series as shown in the figure, and each valve side circuit end and each emitter side circuit end are respectively connected to form a valve drive circuit. One end 902 and the other end 901 of the group 90 are connected to the negative pole side (the other pole side) of the DC power supply line and the collector 82.

【0023】マイクロコンピュータ4は、トランジスタ
の機能チェックの際、信号送出ポート461からトラン
ジスタ8のベース83へハイレベル信号{アースに対し
て+5Vの電圧}を送出するとともに、トランジスタ9
1、92、93のベース91a、92a、93aにロー
レベル信号{アースに対して0Vの電圧}を送出して、
アンサ入力ポート471、472、473の入力レベル
を検出し、且つ、トランジスタ91、92、93のベー
ス91a、92a、93aにハイレベル信号{アースに
対して+5Vの電圧}を送出するとともに、トランジス
タ8のベース83にローレベル信号{アースに対して0
Vの電圧}を送出して、アンサ入力ポート471、47
2、473の入力レベルを検出する。そして、何方の場
合もアンサ入力ポート471、472、473の入力レ
ベルがローレベルの時、全てのトランジスタが正常であ
ると判定する。
When checking the function of the transistor, the microcomputer 4 sends a high-level signal {+5 V with respect to the ground} from the signal sending port 461 to the base 83 of the transistor 8, and the transistor 9
A low-level signal {0 V voltage with respect to the ground} is sent to the bases 91a, 92a, 93a of 1, 92, 93,
The input levels of the answer input ports 471, 472, and 473 are detected, and a high-level signal (a voltage of +5 V with respect to the ground) is sent to the bases 91a, 92a, and 93a of the transistors 91, 92, and 93. A low level signal at the base 83
V is sent out, and the answer input ports 471, 47
2, 473 input levels are detected. In any case, when the input levels of the answer input ports 471, 472, and 473 are low, it is determined that all the transistors are normal.

【0024】つぎに、セーフティバルブ駆動回路の保全
システムCの作動を図5のフローチャートに基づいて説
明する。ステップs1で、電源スイッチ(図示せず)を
オンするとプラス極側51- マイナス極側に直流電圧が
印加され、トランジスタのチェックモードに入る。ステ
ップs2で、マイクロコンピュータ4は、信号送出ポー
ト461からトランジスタ8のベース83にハイレベル
信号{アースに対して+5Vの電圧}を送出し、信号送
出ポート462、463、464からトランジスタ9
1、92、93のベース91a、92a、93aにロー
レベル信号{アースに対して0Vの電圧}を送出する。
ステップs3で、マイクロコンピュータ4は、アンサ入
力ポート471、472、473が全てローレベルであ
るか判定し、全てローレベル(Yes)の場合、ステッ
プs4に進み、ハイレベルの場合、トランジスタ8が異
常であると判定する。ステップs4で、マイクロコンピ
ュータ4は、トランジスタ91、92、93のベース9
1a、92a、93aにハイレベル信号を送出する。
尚、トランジスタ8のベース83へのハイレベル信号の
送出は継続する。ステップs5で、マイクロコンピュー
タ4は、トランジスタ91、92、93のベース91
a、92a、93aにハイレベル信号を送出し、トラン
ジスタ8のベース83へローレベル信号を送出する。ス
テップs6で、マイクロコンピュータ4は、アンサ入力
ポート471、472、473が全てローレベルである
か判定し、全てローレベル(Yes)の場合、全てのト
ランジスタが正常であると判定し、ステップs7に進
み、一つでもハイレベルの場合、トランジスタ91、9
2、93の少なくとも一つに異常があると判定する。ス
テップs7で、マイクロコンピュータ4は、トランジス
タ8、91、92、93のベース83、91a、92
a、93aにハイレベル信号を送出し、トランジスタの
チェックモードを抜ける。
Next, the operation of the safety valve driving circuit maintenance system C will be described with reference to the flowchart of FIG. In step s1, when a power switch (not shown) is turned on, a DC voltage is applied to the plus side 51-the minus side, and the transistor enters a check mode. In step s2, the microcomputer 4 sends a high-level signal {voltage of +5 V with respect to the ground} from the signal sending port 461 to the base 83 of the transistor 8, and outputs the transistor 9 from the signal sending ports 462, 463, and 464.
A low-level signal {0 V voltage with respect to the ground} is sent to the bases 91a, 92a, 93a of 1, 92, 93.
In step s3, the microcomputer 4 determines whether all of the answer input ports 471, 472, and 473 are at a low level. If all are at a low level (Yes), the microcomputer 4 proceeds to step s4. Is determined. In step s4, the microcomputer 4 sets the base 9 of the transistors 91, 92, 93
High level signals are sent to 1a, 92a and 93a.
The transmission of the high-level signal to the base 83 of the transistor 8 continues. In step s5, the microcomputer 4 sets the bases 91 of the transistors 91, 92, 93
A high level signal is transmitted to a, 92a and 93a, and a low level signal is transmitted to the base 83 of the transistor 8. In step s6, the microcomputer 4 determines whether all of the answer input ports 471, 472, and 473 are at a low level, and if all are at a low level (Yes), determines that all transistors are normal, and proceeds to step s7. If at least one is at a high level, the transistors 91 and 9
It is determined that at least one of 2, 93 has an abnormality. In step s7, the microcomputer 4 determines the bases 83, 91a, 92 of the transistors 8, 91, 92, 93.
A high level signal is sent out to a and 93a to exit the transistor check mode.

【0025】以下、本実施例の利点を述べる。セーフテ
ィバルブ911、921、931の開閉を個別に制御す
る弁駆動回路910、920、930に使用するトラン
ジスタ91、92、93と、これらトランジスタ91、
92、93が短絡故障していると弁駆動回路群90への
通電を停止して安全を確保するトランジスタ8との機能
を電源スイッチの投入時にチェックする事ができ、各ト
ランジスタの故障が発見されないまま継続使用されると
いう不具合が防止でき安全性に優れる。
Hereinafter, advantages of this embodiment will be described. Transistors 91, 92, and 93 used for valve drive circuits 910, 920, and 930 that individually control opening and closing of the safety valves 911, 921, and 931;
If short-circuits occur in 92 and 93, the function of the transistor 8 for stopping the energization of the valve drive circuit group 90 and ensuring safety can be checked when the power switch is turned on, and no failure of each transistor is found. It is possible to prevent the trouble of continuous use as it is, and it is excellent in safety.

【0026】トランジスタ8のコレクタ82側に、弁駆
動回路910、920、930を並列接続する構成であ
るので、信号送出ポートを四個、アンサ入力ポートを三
個占有するだけであり、マイクロコンピュータ4のポー
ト使用効率に優れる。
Since the valve drive circuits 910, 920, and 930 are connected in parallel to the collector 82 of the transistor 8, only four signal transmission ports and three answer input ports are required, and the microcomputer 4 Excellent port usage efficiency.

【0027】本発明は、上記実施例以外に、つぎの実施
態様を含む。 a.(電源側、負荷側)半導体スイッチ素子は、トラン
ジスタの他、MOS・FET等でも良い。 b.(電源側、負荷側)半導体スイッチ素子の機能チェ
ックは、何方を先に行っても良い。 c.上記第1実施例では、トランジスタを二個使用して
いるが、三個以上使用しても良い。 d.上記第1実施例では、レベル検出手段たる端子41
を、最も高電位側の半導体スイッチ素子のコレクタ11
に接続してハイレベル信号の検出の有無を判定したが、
端子41を最も低電位側の半導体スイッチ素子のエミッ
タ22に接続してローレベル信号の検出の有無を判定し
ても良い。 e.上記第1実施例において、電磁安全弁たるセーフテ
ィバルブ3は、作動用電源の両極間に直列に位置するな
らば、どの位置に接続されていても良い。即ち、各半導
体スイッチ素子の高電位側、低電位側の何方側に配設さ
れていても良い。 f.作動用電源は、乾電池であっても良い。
The present invention includes the following embodiments in addition to the above embodiment. a. (Power supply side, load side) The semiconductor switch element may be a MOS / FET or the like in addition to the transistor. b. (Power supply side, load side) The function check of the semiconductor switch element may be performed first. c. In the first embodiment, two transistors are used, but three or more transistors may be used. d. In the first embodiment, the terminal 41 serving as a level detecting means is used.
To the collector 11 of the highest potential side semiconductor switch element.
To determine whether a high-level signal has been detected.
The terminal 41 may be connected to the emitter 22 of the semiconductor switching element on the lowest potential side to determine whether a low level signal has been detected. e. In the first embodiment, the safety valve 3, which is an electromagnetic safety valve, may be connected to any position as long as it is located in series between the two poles of the operating power supply. That is, it may be arranged on any of the high potential side and the low potential side of each semiconductor switch element. f. The operating power supply may be a dry cell.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1、第2実施例に係るセーフティバ
ルブ駆動回路の保全システムA、Cを採用したガステー
ブルB、Dの構造図である。
FIG. 1 is a structural diagram of gas tables B and D employing safety valve driving circuit maintenance systems A and C according to first and second embodiments of the present invention.

【図2】セーフティバルブ駆動回路の保全システムAの
原理説明図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating the principle of a maintenance system A for a safety valve drive circuit.

【図3】セーフティバルブ駆動回路の保全システムAの
作動を示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing the operation of the safety valve driving circuit maintenance system A;

【図4】セーフティバルブ駆動回路の保全システムCの
原理説明図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating the principle of a maintenance system C for a safety valve drive circuit.

【図5】セーフティバルブ駆動回路の保全システムCの
作動を示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing an operation of the maintenance system C of the safety valve drive circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 トランジスタ(半導体スイッチ素子) 2 トランジスタ(半導体スイッチ素子) 3 セーフティバルブ(電磁安全弁) 4 マイクロコンピュータ 8 トランジスタ(電源側半導体スイッチ素子) 41 端子(レベル検出手段) 44、45 端子(信号送出手段) 51 プラス極側(他方極側) 81 エミッタ(一端) 82 コレクタ(他端) 90 弁駆動回路群 91、92、93 トランジスタ(負荷側半導体スイッ
チ素子) 461、462、463、464 信号送出ポート(信
号送出手段) 471、472、473 アンサ入力ポート(レベル検
出手段) 901 他方回路端 902 一方回路端 910、920、930 弁駆動回路 911、921、931 セーフティバルブ(電磁安全
弁) A、C セーフティバルブ駆動回路の保全システム(電
磁安全弁の保全システム)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transistor (semiconductor switch element) 2 Transistor (semiconductor switch element) 3 Safety valve (electromagnetic safety valve) 4 Microcomputer 8 Transistor (power supply side semiconductor switch element) 41 Terminals (level detection means) 44, 45 Terminals (signal transmission means) 51 Positive pole side (other pole side) 81 Emitter (one end) 82 Collector (other end) 90 Valve drive circuit group 91, 92, 93 Transistor (load side semiconductor switch element) 461, 462, 463, 464 Signal transmission port (signal transmission Means) 471, 472, 473 Answer input port (level detection means) 901 Other circuit end 902 One circuit end 910, 920, 930 Valve drive circuit 911, 921, 931 Safety valve (electromagnetic safety valve) A, C Safety valve drive circuit Maintenance system (electronic Magnetic safety valve maintenance system)

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−190620(JP,A) 特開 昭58−190621(JP,A) 特開 昭60−101374(JP,A) 特開 昭60−109677(JP,A) 特開 昭61−105378(JP,A) 特開 平2−116556(JP,A) 特開 平3−164912(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) F16K 31/06 380 F16K 31/06 320 Continuation of the front page (56) References JP-A-58-190620 (JP, A) JP-A-58-190621 (JP, A) JP-A-60-101374 (JP, A) JP-A-60-109677 (JP) JP-A-61-105378 (JP, A) JP-A-2-116556 (JP, A) JP-A-3-164912 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB Name) F16K 31/06 380 F16K 31/06 320

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 通電により開弁する電磁安全弁と、複数
の半導体スイッチ素子とを直列に作動用電源の両極間に
接続し、 レベルを検出するレベル検出手段、及び前記半導体スイ
ッチ素子に作動信号を送出する信号送出手段を有するマ
イクロコンピュータを備え、 一つの半導体スイッチ素子を除き他の全ての半導体スイ
ッチ素子に対して作動信号を送出した時、前記レベル検
出手段により、前記作動用電源の両極間の内の所定位置
の電圧が前記電磁安全弁の閉弁状態に相当する所定電圧
である事が確認でき、且つ、同様の作業を他の半導体ス
イッチの各々に対して行なった結果、前記所定位置にお
いて全て前記所定電圧である事が確認できた場合、前記
マイクロコンピュータは、全ての半導体スイッチ素子の
機能が正常であると判定する電磁安全弁の保全システ
ム。
An electromagnetic safety valve, which is opened by energization, and a plurality of semiconductor switch elements are connected in series between both poles of an operating power supply, and level detecting means for detecting a level, and an operation signal is supplied to the semiconductor switch elements. A microcomputer having signal transmitting means for transmitting, when an operation signal is transmitted to all the semiconductor switch elements except for one semiconductor switch element, the level detecting means detects a voltage between both poles of the operating power supply; Can be confirmed to be a predetermined voltage corresponding to the closed state of the electromagnetic safety valve, and as a result of performing the same operation for each of the other semiconductor switches, If it can be confirmed that the voltage is the predetermined voltage, the microcomputer determines that the functions of all the semiconductor switch elements are normal. Conservation system of the valve.
【請求項2】 負荷側半導体スイッチ素子と、通電によ
り開弁する電磁安全弁とを直列接続し、一方回路端を作
動用電源の一方極側に接続した弁駆動回路を所定数並列
接続してなる弁駆動回路群と、 作動用電源の他方極側に一端を接続し、他端を前記弁駆
動回路群の他方回路端に接続した電源側半導体スイッチ
素子と、 前記電源側半導体スイッチ素子や所定数の負荷側半導体
スイッチ素子に作動信号を送出する信号送出手段と、前
記弁駆動回路の所定位置のレベルを検出するレベル検出
手段とを有するマイクロコンピュータとを備え、 前記電源側半導体スイッチ素子に対してのみ、作動信号
を送出した時に、前記レベル検出手段により前記弁駆動
回路の所定位置の電圧が前記電磁安全弁の閉弁状態に相
当する所定電圧である事が確認でき、且つ、所定数の負
荷側半導体スイッチ素子に対してのみ、作動信号を送出
した時に、前記所定位置の電圧が前記所定電圧である事
が確認できた場合、前記マイクロコンピュータは、全て
の半導体スイッチ素子の機能が正常であるとする電磁安
全弁の保全システム。
2. A predetermined number of valve drive circuits having a load-side semiconductor switch element and an electromagnetic safety valve which is opened by energization connected in series and one circuit end of which is connected to one pole of an operating power supply. A valve drive circuit group, a power supply-side semiconductor switch element having one end connected to the other pole side of the operating power supply and the other end connected to the other circuit end of the valve drive circuit group; A signal transmission means for transmitting an operation signal to the load-side semiconductor switch element; and a microcomputer having a level detection means for detecting a level at a predetermined position of the valve drive circuit. Only when the operation signal is transmitted, the level detecting means can confirm that the voltage at the predetermined position of the valve drive circuit is the predetermined voltage corresponding to the closed state of the electromagnetic safety valve, and On the other hand, when it is confirmed that the voltage at the predetermined position is the predetermined voltage when an operation signal is transmitted to only a predetermined number of load-side semiconductor switch elements, the microcomputer switches all the semiconductor switch elements. The safety system of the electromagnetic safety valve which assumes that the function is normal.
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