JP2913747B2 - Wafer inspection equipment - Google Patents

Wafer inspection equipment

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JP2913747B2
JP2913747B2 JP10093190A JP10093190A JP2913747B2 JP 2913747 B2 JP2913747 B2 JP 2913747B2 JP 10093190 A JP10093190 A JP 10093190A JP 10093190 A JP10093190 A JP 10093190A JP 2913747 B2 JP2913747 B2 JP 2913747B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 同一の半導体チップパターンが整列して形成されてい
るウェーハの検査装置に関し、 検査精密を上げて生産性の向上を図ることを目的と
し、 少なくともX,Yの二次元方向に移動できるウェーハ載
置用のテーブルと、該テーブルの上記移動を制御する機
構制御部、および該テーブル上のウェーハの露出するチ
ップパターンを観察しまたは測定できるように該テーブ
ルの上方所定位置に固定して配設された測定観察系と該
測定観察系に繋がる測定制御部とで構成されるウェーハ
検査装置であって、乱数信号発生機能を持つ演算部に接
続された前記機能制御部を、該演算部で発生するランダ
ムの乱数信号によって前記テーブルの一つの移動方向と
該移動方向における移動量とが制御できるように構成す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] The present invention relates to an inspection apparatus for a wafer on which the same semiconductor chip patterns are formed in an aligned manner, with the aim of improving inspection precision and improving productivity. A wafer mounting table that can be moved in a two-dimensional direction, a mechanism control unit that controls the movement of the table, and a predetermined upper part of the table so as to observe or measure the exposed chip pattern of the wafer on the table A wafer inspection apparatus including a measurement observation system fixed to a position and a measurement control unit connected to the measurement observation system, wherein the function control unit is connected to an arithmetic unit having a random number signal generation function. Is configured such that the moving direction of one of the tables and the moving amount in the moving direction can be controlled by a random number signal generated by the arithmetic unit.

〔産業上の利用分野〕[Industrial applications]

本発明は同一の半導体チップパターンが整列して形成
されているウェーハの検査工程に係り、特に検査対象と
なるチップパターン領域の抽出をランダム化することで
検査精度を上げる生産性の向上を図ったウェーハ検査装
置に関する。
The present invention relates to an inspection process for a wafer in which the same semiconductor chip patterns are formed in an aligned manner, and in particular, to improve productivity by increasing the inspection accuracy by randomizing extraction of a chip pattern region to be inspected. The present invention relates to a wafer inspection device.

半導体装置の製造分野では、通常複数のチップパター
ンが整列したマトリックス状に形成されているウェーハ
を該チップパターン毎に切断してベースとなる半導体チ
ップ基板を得ているが、パターン上の異物やパターン自
体の異常は半導体装置としての特性を大きく左右するこ
とからウェーハの時点で該ウェーハを目視や計測器等で
検査するようにしている。
In the semiconductor device manufacturing field, a semiconductor chip substrate serving as a base is usually obtained by cutting a wafer formed in a matrix in which a plurality of chip patterns are aligned, and obtaining a base semiconductor chip substrate. Since the abnormality of the device itself greatly affects the characteristics of the semiconductor device, the wafer is inspected visually or by a measuring instrument at the time of the wafer.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第2図は従来のウェーハ検査装置を示す構成概念図で
あり、(1)は全体構成図,(2)は測定状態を説明す
る図である。
FIG. 2 is a conceptual diagram showing the configuration of a conventional wafer inspection apparatus, in which (1) is an overall configuration diagram and (2) is a diagram for explaining a measurement state.

また第3図は問題点を説明する図である。 FIG. 3 is a diagram for explaining a problem.

第2図(1)で、機構制御部1からの信号によって基
台2に対して図示X,Y方向に所定ピッチで間欠的に移動
するX−Yテーブル3上には、該テーブル3のX方向に
固定されたバー3aにオリエンテーション・フラット面
(以下単にオリフラ面とする)4aを接触させることで位
置決めされたウェーハ4が載置されているが、該ウェー
ハ4の表面には上記オリフラ面4aを一方向とするグリッ
ド状に整列した状態で複数のチップパターン4bが形成さ
れている。
In FIG. 2 (1), on the XY table 3 which moves intermittently at a predetermined pitch in the X and Y directions shown in FIG. A wafer 4 positioned by bringing an orientation flat surface (hereinafter simply referred to as an orientation flat surface) 4a into contact with a bar 3a fixed in the direction is placed, and the surface of the wafer 4 has the orientation flat surface 4a. A plurality of chip patterns 4b are formed in a state of being arranged in a grid shape having one direction.

一方、該X−Yテーブル3の上方で該テーブル3と対
応する位置には、ステイ5で固定された測定観察系6が
配設されており、該観察系6に付随する接眼部6aからは
該観察系6の光軸a上に位置する1個の上記チップパタ
ーン4b′を観察することができると共に、該チップパタ
ーン4bの各パターン寸法や形状等は該測定観察系6に繋
がる測定制御部7で測定したり記録できるようになって
いる。
On the other hand, a measurement observation system 6 fixed with a stay 5 is provided above the XY table 3 at a position corresponding to the table 3, and an eyepiece 6 a attached to the observation system 6 is provided. Can observe one of the chip patterns 4b 'located on the optical axis a of the observation system 6, and measure and control each pattern size, shape, etc. of the chip pattern 4b. The measurement and recording can be performed by the unit 7.

そこで上記機能制御部1からの指示で、チップパター
ン4b1個分ずつのピッチX,Y方向に間欠的に移動するウェ
ーハ4を上述した測定観察系6で観察したり測定するこ
とで該ウェーハ4の全部のチップパターン4bを検査する
ことができる。
Therefore, according to an instruction from the function control unit 1, the wafer 4 that moves intermittently in the pitch X and Y directions for each one chip pattern 4b is observed and measured by the above-described measurement observation system 6 so that the wafer 4 All chip patterns 4b can be inspected.

この場合、製造ロットを形成するウェーハ全数につい
て,それぞれチップパターン4bの総てを検査するには多
くの工数を必要とする。
In this case, it takes a lot of man-hours to inspect all the chip patterns 4b for all the wafers forming the manufacturing lot.

そこで生産性を向上させるために通常は、例えばウェ
ーハとしての製造ロットを抜き取り対象ロットとして正
規の抜き取りレベルで検査対象数を抽出すると共に、抜
き取られた各ウェーハの観察,測定するチップパターン
領域を限定するようにしている。
Therefore, in order to improve productivity, usually, for example, a production lot as a wafer is extracted as a lot to be extracted, and the number of inspection targets is extracted at a regular sampling level, and a chip pattern area for observing and measuring each extracted wafer is limited. I am trying to do it.

測定状態を示す(2)で、X−Yテーブル3の片側サ
イドには、複数の被検ウェーハ4′がチップパターン形
成面が上面になるようにほぼ水平な平行に収容されてい
るキャリア8が配置されており、該キャリア8から図示
されないアームで1個ずつ押し出されるウェーハ4′は
矢印bのように上記X−Yテーブル3に載置されて
(1)で示したウェーハ4となる。
In (2) showing the measurement state, a carrier 8 in which a plurality of wafers 4 'to be tested are accommodated in a substantially horizontal and parallel manner so that the chip pattern forming surface is on the upper side on one side of the XY table 3. The wafers 4 'which are arranged and pushed out one by one from the carrier 8 by an arm (not shown) are placed on the XY table 3 as shown by the arrow b to become the wafer 4 shown in (1).

なお3aは(1)で説明したバーを示し、また3bはキャ
リア8から押し出されるウェーハ4′の位置決め用のス
トッパである。
3a indicates the bar described in (1), and 3b indicates a stopper for positioning the wafer 4 'pushed out of the carrier 8.

従って、上記キャリア8から押し出されるウェーハ
4′は図示ウェーハ4のようにX−Yテーブル3上の所
定位置に載置されることになる。
Therefore, the wafer 4 ′ extruded from the carrier 8 is placed at a predetermined position on the XY table 3 like the illustrated wafer 4.

そこで機構制御部1からの指示で上記X−Yテーブル
3ひいてはウェーハ4を基台2に対してY方向に間欠移
動させ、固定された測定観察系6で概ウェーハ4上のY
方向に整列したチップパターン4bを観察,測定するよう
にしている。
Then, the XY table 3 and thus the wafer 4 are intermittently moved in the Y direction with respect to the base 2 in accordance with an instruction from the mechanism control unit 1, and the Y on the wafer 4 is roughly
The chip patterns 4b aligned in the directions are observed and measured.

特にこの場合のX−Yテーブル3は一方向(Y方向)
のみの移動であるため、キャリア8からの押し出し動作
と該X−Yテーブル3の上記移動を同期させることで複
数のウェーハを効率よく連続して検査することが可能と
なり、生産性の高い検査作業を実現することができる。
In particular, the XY table 3 in this case has one direction (Y direction).
Since only the movement is performed, by synchronizing the pushing operation from the carrier 8 and the movement of the XY table 3, a plurality of wafers can be efficiently and continuously inspected, and the inspection work with high productivity can be performed. Can be realized.

第3図で、(i)はX−Yテーブル上のウェーハを平
面的に示した図であり、(ii)は観察,測定されるチッ
プパターン領域を示す図である。
In FIG. 3, (i) is a plan view showing a wafer on an XY table, and (ii) is a view showing a chip pattern region to be observed and measured.

(i)で3がX−Yテーブル,3aが位置決め用のバー,
3bが位置決め用のストッパを示し、また4がウェーハ,4
aがオリフラ面,4bがチップパターンをそれぞれ表わして
いることは第2図と同様である。
In (i), 3 is an XY table, 3a is a positioning bar,
3b indicates a stopper for positioning, and 4 indicates a wafer, 4
As in FIG. 2, a represents an orientation flat surface and 4b represents a chip pattern.

そこで第2図(2)で説明したように該ウェーハ4を
Y方向に間欠移動させて該ウェーハ4上のY方向に整列
したチップパターン4bを観察,測定するが、この場合に
検査されるチップパターン領域は(ii)で示す斜線領域
Aのようになると共に該領域Aは被検ウェーハ総てに共
通した同一領域となる。
Therefore, as described with reference to FIG. 2B, the wafer 4 is intermittently moved in the Y direction to observe and measure the chip patterns 4b aligned on the wafer 4 in the Y direction. The pattern area becomes a shaded area A shown in (ii), and the area A is the same area common to all the test wafers.

従って、例えばウェーハ4-1,4-3のように該領域Aか
ら外れたB1,B2領域にパターン不良があったり、ウェー
ハ4-2,4-4のように領域Aから外れたP1点,P2点に異物が
存在するようなときには、これらのパターン不良や異物
を発見することができる結果的にウェーハのロット検査
としては不適当となる。
Accordingly, for example, there is a pattern defect in the B 1 and B 2 areas deviating from the area A as in the wafers 4 -1 and 4 -3 , or the P out of the area A as in the wafers 4-2 and 4 -4. 1 point, such as when there is a foreign object in two points P becomes unsuitable as lot inspection results to the wafer can be found these pattern failure and foreign matter.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

従来のウェーハ検査装置では、検査領域から外れた領
域に位置するパターン不良や異物等を発見することがで
きる検査精度のアップによる生産性の向上が期待できな
いと言う問題があった。
The conventional wafer inspection apparatus has a problem that it is not possible to expect an improvement in productivity due to an increase in inspection accuracy for detecting a pattern defect or a foreign substance located in a region outside the inspection region.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記問題点は、少なくともX,Yの二次元方向に移動で
きるウェーハ載置用のテーブルと、該テーブルの上記移
動を制御する機構制御部、および該テーブル上のウェー
ハの露出するチップパターンを観察しまたは測定できる
ように該テーブルの上方所定位置に固定して配設された
測定観察系と該測定観察系に繋がる測定制御部とで構成
されるウェーハ検査装置であって、乱数信号発生機能を
持つ演算部に接続された前記機構制御部が、該演算部で
発生するランダムの乱数信号によって前記テーブルの一
つの移動方向と該移動方向における移動量とが制御でき
るように構成されているウェーハ検査装置によって解決
される。
The above problems are observed at least in the X and Y two-dimensional directions, a wafer mounting table, a mechanism control unit for controlling the movement of the table, and an exposed chip pattern of the wafer on the table. Or a wafer inspection apparatus comprising a measurement observation system fixedly arranged at a predetermined position above the table so as to be able to perform measurement and a measurement control unit connected to the measurement observation system, and having a random number signal generation function. A wafer inspection apparatus configured such that the mechanism control unit connected to the arithmetic unit can control one moving direction of the table and an amount of movement in the moving direction by a random number signal generated by the arithmetic unit; Solved by

〔作 用〕(Operation)

製造ロット内のウェーハ毎の検査領域をランダムに変
えると、少なくとも該ロット内に検査精度を向上させる
ことができる。
By randomly changing the inspection area for each wafer in the production lot, the inspection accuracy can be improved at least within the lot.

本発明では、X−Yテーブルに繋がる機構制御部に乱
数発生機能を具えた演算部を接続することで、少なくと
も製造ロット内に各ウェーハ毎に従来のY方向の検査領
域をX方向にランダムにシフトさせるようにしている。
In the present invention, by connecting an operation unit having a random number generation function to a mechanism control unit connected to the XY table, a conventional inspection area in the Y direction is randomly generated in the X direction for each wafer at least in a manufacturing lot. I try to shift.

このことは、ウェーハの製造ロットを対象としたとき
には従来の場合よりも検査領域が拡大されることになる
ため、例えばマスクに起因するパターン不良等の発見さ
れる確率が向上することを意味する。
This means that the inspection area is enlarged when manufacturing lots of wafers are used as compared with the conventional case, so that, for example, the probability of finding a pattern defect or the like due to a mask is improved.

従って、検査精度の向上により生産性の向上を実現す
ることができる。
Therefore, productivity can be improved by improving inspection accuracy.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明になるウェーハ検査装置の構成例を示
す図であり、第2図で説明した機構制御部1と同様の機
構制御部11にX−Yテーブル3をランダムのピッチ数だ
けX軸方向にシフトさせるための乱数発生機能を有する
演算部12を接続したものであるが、該機構制御部11と演
算部12以外の構成は第2図と全く同様である。
FIG. 1 is a view showing an example of the configuration of a wafer inspection apparatus according to the present invention. The XY table 3 is stored in a mechanism controller 11 similar to the mechanism controller 1 described in FIG. Although an arithmetic unit 12 having a random number generating function for shifting in the axial direction is connected, the configuration other than the mechanism control unit 11 and the arithmetic unit 12 is exactly the same as that of FIG.

特にこの場合には、X−Yテーブル3のX方向ほぼ中
心を通るY方向の線cと第3図で説明した測定観察系6
の光軸aとが合致した時の該X−Yテーブル3の位置を
該テーブル3の基準位置として設定すると共に、演算部
12から発生する乱数信号を該テーブル3に繋がる機構制
御部11のX方向のシフトをコントロールする回路に接続
することで、該演算部12から発生する乱数に対応するピ
ッチ分だけ該X−Yテーブル3をX方向にシフトするよ
うに構成している。
In particular, in this case, a line c in the Y direction passing substantially through the center of the XY table 3 in the X direction and the measurement observation system 6 described in FIG.
The position of the XY table 3 when the optical axis a of the XY table 3 coincides with the optical axis a is set as a reference position of the table 3.
By connecting the random number signal generated from 12 to a circuit for controlling the shift in the X direction of the mechanism control unit 11 connected to the table 3, the XY table is shifted by a pitch corresponding to the random number generated from the arithmetic unit 12. 3 is shifted in the X direction.

ここでチップパターン4bがオリフラ面4aに沿った方向
に10数個程度形成されているウェーハ4の場合を例とし
て詳細に説明する。
Here, the case of a wafer 4 in which about ten or more chip patterns 4b are formed in a direction along the orientation flat surface 4a will be described in detail as an example.

例えば該演算部12から発生する乱数を01〜19に設定
し、更に該乱数信号によってX方向に動作する機構制御
部11を、01〜09の乱数が伝達されたときにはX−Yテー
ブル3を上記基準位置から「−」側に各数字分だけシフ
トするように構成し,また11〜19までの乱数が伝達され
たときには該テーブル3を上記基準位置から「+」側に
1位の数字分だけシフトするように構成する。
For example, the random number generated from the arithmetic unit 12 is set to 01 to 19, and the mechanism control unit 11 that operates in the X direction by the random number signal is set to the XY table 3 when the random numbers 01 to 09 are transmitted. The table 3 is shifted from the reference position to the "-" side by each digit, and when random numbers 11 to 19 are transmitted, the table 3 is shifted from the reference position to the "+" side by the first digit. It is configured to shift.

かかる構成になるウェーハ検査装置では、例えば該演
算部12から発生する乱数が“07"の場合には、該乱数信
号07を受けた機構制御部11がX−Yテーブル3ひいては
ウェーハ4を基準位置からX軸に沿う「−」側すなわち
図では左側に7ピッチだけシフトさせた後第3図で説明
したように該ウェーハ4をY方向に移動させるため、基
準位置から右側に7ピッチだけ離れ領域に位置するチッ
プパターンを観察,測定することができる。
In the wafer inspection apparatus having such a configuration, for example, when the random number generated from the arithmetic unit 12 is “07”, the mechanism control unit 11 having received the random number signal 07 moves the XY table 3 and thus the wafer 4 to the reference position. In order to move the wafer 4 in the Y direction as described in FIG. 3 after shifting the wafer 4 in the Y direction as described with reference to FIG. Can be observed and measured.

また演算部12から発生する乱数が例えば“10"の場合
には、X−Yテーブル3ひいてはウェーハ4をX方向に
シフトさせることなくそのまま基準線c上をY方向に移
動させるので、基準となる中心領域に位置するチップパ
ターンをそのまま観察,測定することができる。
If the random number generated from the arithmetic unit 12 is, for example, "10", the XY table 3 and thus the wafer 4 are moved in the Y direction on the reference line c without being shifted in the X direction. The chip pattern located in the central region can be observed and measured as it is.

更に演算部12から機構制御部11に伝達される乱数が例
えば“14"の場合には、X−Yテーブル3ひいてはウェ
ーハ4が基準位置からX軸に沿う「+」側すなわち右側
に4ピッチだけシフトした後Y方向に移動するため、基
準となる中心領域から左側に4ピッチだけ離れた領域に
位置するチップパターンを観察,測定することができ
る。
Further, when the random number transmitted from the arithmetic unit 12 to the mechanism control unit 11 is, for example, "14", the XY table 3 and, consequently, the wafer 4 are shifted by four pitches from the reference position to the "+" side along the X axis, ie, to the right After the shift, the chip pattern moves in the Y direction, so that it is possible to observe and measure a chip pattern located in an area four pitches to the left of the reference central area.

このことは、製造ロットから抽出される被ウェーハの
数が少なくとも20個以上の場合には、該ウェーハに形成
されている総てのチップパターンが観察,測定されるこ
とを意味する。
This means that when the number of wafers to be extracted from the manufacturing lot is at least 20 or more, all chip patterns formed on the wafer are observed and measured.

他方、マスクに起因する不良はほぼ総てのウェーハの
同一箇所またはその近傍に発生する。
On the other hand, the defect caused by the mask occurs at the same location on almost all wafers or in the vicinity thereof.

従ってかかる不良が発見される確率を従来に比べて大
幅に大きくすることができる。
Therefore, the probability that such a defect is found can be greatly increased as compared with the related art.

ここで理解し易くするために第3図で説明した発見さ
れない異物やパターン不良等が発見される過程を説明す
る。
In order to make it easier to understand, a process of discovering undiscovered foreign matters, pattern defects, and the like described with reference to FIG. 3 will be described.

なお、第3図におけるチップパターン領域AをX−Y
テーブル3の基準位置と対応するチップパターン領域と
する。
Note that the chip pattern area A in FIG.
A chip pattern area corresponding to the reference position of the table 3 is set.

例えば、ウェーハ4-1のパターン不良が位置するB1
域は基準となるA領域の左側2ピッチ目にある。
For example, B 1 regions wafer 4 -1 pattern defect is located in the left two pitches on the A region serving as a reference.

従って該ウェーハ4-1の場合には、該ウェーハ4-1ひい
てはX−Yテーブル3をX軸に沿って右側すなわち
「+」方向に2ピッチシフトさせることで該領域B1を基
準となる領域Aの位置に移動させることができる。
In the case of the wafer 4 -1 Therefore, the region as a reference a region B 1 by causing two pitches shifted right or "+" in the direction of the wafer 4 -1 turn X-Y table 3 along the X-axis It can be moved to the position of A.

そこで、該ウェーハ4-1ひいてはX−Yテーブル3を
「+」方向に2ピッチシフトさせた後に第3図で説明し
たように該ウェーハ4-1すなわちX−Yテーブル3をY
方向に移動させることで該パターン不良を発見すること
ができる。
Therefore, the wafer 4 -1 i.e. X-Y table 3 as described in Figure 3 the wafer 4 -1 turn X-Y table 3 After two pitches shifted to "+" direction Y
By moving the pattern in the direction, the pattern defect can be found.

このことは逆に、演算部12から“12"の乱数が発生し
たときに該パターン不良が発見できることを意味してい
る。
Conversely, this means that the pattern defect can be found when the random number “12” is generated from the arithmetic unit 12.

またウェーハ4-2の場合には、異物P1が位置する領域
は基準となるA領域の右側1ピッチ目にあるため、該ウ
ェーハ4-2ひいてはX−Yテーブル3をX軸に沿って左
側すなわち「−」方向に1ピッチシフトさせるだけで異
物P1が位置する領域を領域Aの位置に合わせることがで
きる。
Left in the case of the wafer 4 -2, since the region the foreign matter P 1 is located in the right side by one pitch on the A region serving as a reference, the wafer 4 -2 hence X-Y table 3 along the X-axis or "-" the area of foreign matter P 1 is positioned only by 1 pitch shift direction can be adjusted to the position of the region a.

このことは演算部12から“01"の乱数が発生すると該
異物が発見できることを表わしている。
This means that when the random number “01” is generated from the arithmetic unit 12, the foreign matter can be found.

同様にウェーハ4-3と4-4では、演算部12から“02"の
乱数が発生したときにウェーハ4-3ではB2領域にあるパ
ターン不良が,またウェーハ4-4では異物P2が発見でき
ることになる。
In the wafer 4 -3 and 4-4 as well, it is in the wafer 4, -3 B 2 region when random numbers "02" from the arithmetic unit 12 is generated pattern defects, also wafers 4-4 In the foreign matter P 2 is Will be discoverable.

従って、ランダムに発生する乱数によってウェーハ毎
に異なる領域の観察や測定を行うことができるため、製
造ロットとしてのウェーハの検査精度を向上させること
ができる。
Therefore, different regions can be observed and measured for each wafer by randomly generated random numbers, so that the inspection accuracy of a wafer as a production lot can be improved.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

上述の如く本発明により、検査対象となるチップパタ
ーン領域の抽出をランダム化することで検査精度を上げ
生産性の向上を図ったウェーハ検査装置を提供すること
ができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a wafer inspection apparatus in which inspection accuracy is improved and productivity is improved by randomizing extraction of a chip pattern region to be inspected.

なお、本発明の説明では二次元方向に移動するX−Y
テーブルを使用した場合について行っているが、被検ウ
ェーハが同一面内で軸回転できる回転機能を具えたX−
Yテーブルを使用した場合では演算部からの乱数信号を
回転角度に対応させた状態で該テーブルに繋がる機構制
御部の回転角度をコントロールする回路に接続しても同
等の効果を得ることができる。
In the description of the present invention, XY moving in a two-dimensional direction is used.
The test is performed when a table is used, but the test wafer is provided with a rotation function that can rotate the axis in the same plane.
In the case where a Y table is used, the same effect can be obtained by connecting the random number signal from the arithmetic unit to the circuit for controlling the rotation angle of the mechanism control unit connected to the table in a state corresponding to the rotation angle.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明になるウェーハ検査装置の構成例を示す
図、 第2図は従来のウェーハ検査装置を示す構成概念図、 第3図は問題点を説明する図、 である。 図において、 3はテーブル(X−Yテーブル)、 4はウェーハ、 4aはオリエンテーション・フラット面、 4bはチップパターン、 6は測定観察系、7は測定制御部、 11は機構制御部、12は演算部、 をそれぞれ表わす。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a wafer inspection device according to the present invention, FIG. 2 is a conceptual diagram showing a configuration of a conventional wafer inspection device, and FIG. 3 is a diagram for explaining a problem. In the figure, 3 is a table (XY table), 4 is a wafer, 4a is an orientation flat surface, 4b is a chip pattern, 6 is a measurement observation system, 7 is a measurement control unit, 11 is a mechanism control unit, and 12 is a calculation. , And, respectively.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】少なくともX,Yの二次元方向に移動できる
ウェーハ載置用のテーブル(3)と、該テーブル(3)
の上記移動を制御する機構制御部(11)、および該テー
ブル上のウェーハ(4)の露出するチップパターン(4
b)を観察しまたは測定できるように該テーブル(3)
の上方所定位置に固定して配設された測定観察系(6)
と該測定観察系(6)に繋がる測定制御部(7)とで構
成されるウェーハ検査装置であって、 乱数信号発生機能を持つ演算部(12)に接続された前記
機能制御部(11)が、該演算部(12)で発生するランダ
ムの乱数信号によって前記テーブル(3)の一つの移動
方向と該移動方向における移動量とが制御できるように
構成されていることを特徴としたウェーハ検査装置。
1. A table (3) for mounting a wafer movable in at least two dimensions X and Y, and the table (3)
Mechanism control unit (11) for controlling the movement of the wafer, and the exposed chip pattern (4) of the wafer (4) on the table.
b) the table (3) so that it can be observed or measured
Measurement observation system (6) fixedly arranged at a predetermined position above the camera
And a measurement control unit (7) connected to the measurement observation system (6), wherein the function control unit (11) is connected to an operation unit (12) having a random number signal generation function. Is configured such that a moving direction of the table (3) and a moving amount in the moving direction can be controlled by a random number signal generated by the arithmetic section (12). apparatus.
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