JP2911882B1 - Cup type plating equipment - Google Patents

Cup type plating equipment

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JP2911882B1
JP2911882B1 JP17636098A JP17636098A JP2911882B1 JP 2911882 B1 JP2911882 B1 JP 2911882B1 JP 17636098 A JP17636098 A JP 17636098A JP 17636098 A JP17636098 A JP 17636098A JP 2911882 B1 JP2911882 B1 JP 2911882B1
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Abstract

【要約】 【課題】 予めめっき対象面にシード金属が施され
たウェーハを、カップ式めっき装置により順次取り替え
てめっき処理する場合でも良好なめっきを施すことが可
能となる技術の提供を目的としている。 【解決手段】 めっき槽1の開口部2に沿ってカソード
電極付きシールパッキン3を配置すると共にトップリン
グ4を取り付けることによりシールパッキン3の内周縁
で一定幅を露出させて形成したウエーハ支持部5にウェ
ーハ6の周縁部を載置してめっきを施すものであるカッ
プ式めっき装置について、ウエーハ支持部5に付着した
めっき液を吸引して除去できるようにした。
An object of the present invention is to provide a technique capable of performing good plating even when a wafer in which a seed metal is previously applied to a surface to be plated is sequentially replaced by a cup-type plating apparatus and plating is performed. . SOLUTION: A seal support 3 with a cathode electrode is arranged along an opening 2 of a plating tank 1 and a top ring 4 is attached to expose a fixed width at an inner peripheral edge of the seal packing 3 to form a wafer support 5. The plating solution attached to the wafer supporting portion 5 can be removed by suction in a cup-type plating apparatus in which the peripheral portion of the wafer 6 is placed on the substrate and plating is performed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体用のウェーハ
にめっきを施す装置に関し、特にカップ式めっき装置に
関するものである。
The present invention relates to an apparatus for plating a semiconductor wafer, and more particularly to a cup-type plating apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体用のウェーハにめっきを施
す装置の一つとして、カップ式めっき装置が知られてい
る。このカップ式めっき装置は、めっき槽開口部に沿っ
てカソード電極が組み合わされたシールパッキンを配置
し、トップリングをその上方から取り付けてシールパッ
キンの内周縁で一定幅を露出させてウエーハ支持部を形
成してある。そして、そのウェーハ支持部にウエーハ周
縁部を載置して、めっき槽の下方からめっき液を上昇さ
せて供給し、ウェーハのめっき対象面にめっき液を接触
させながらめっき処理を行うようになっている。このカ
ップ式めっき装置は、ウェーハ支持部に載置するウェー
ハを順次取り換えることで同一のめっき処理を連続的に
施すことができ、めっき処理工程を自動化する場合や小
ロットの生産をする場合に好適なものとして広く用いら
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a cup-type plating apparatus is known as one of apparatuses for plating a semiconductor wafer. In this cup type plating apparatus, a seal packing combined with a cathode electrode is arranged along an opening of a plating tank, a top ring is attached from above, and a constant width is exposed at an inner peripheral edge of the seal packing to form a wafer support. It is formed. Then, the periphery of the wafer is placed on the wafer support portion, and the plating solution is lifted and supplied from below the plating tank, and plating is performed while the plating solution is in contact with the plating target surface of the wafer. I have. This cup-type plating apparatus can continuously perform the same plating process by sequentially changing the wafers placed on the wafer support unit, and is suitable when automating the plating process or when producing small lots. Is widely used as

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このカ
ップ式めっき装置において順次ウェーハを取り替えて連
続的にめっき処理する際、めっき処理されたウェーハを
取り外すとウエーハ支持部にめっき液が付着してしまう
ことが多い。そのため、次に新たなウェーハを載置する
とその新たなウェーハの周縁部はウエーハ支持部に付着
しためっき液と接することになる。
However, in this cup-type plating apparatus, when the wafers are sequentially replaced and the plating is continuously performed, the plating solution adheres to the wafer support when the plated wafer is removed. There are many. Therefore, when a new wafer is placed next, the peripheral portion of the new wafer comes into contact with the plating solution attached to the wafer support.

【0004】この現象は、カップ式めっき装置でめっき
処理を行う際に不均一なめっき性状とする要因の一つと
なっている。このことは、最近、多く使用され始めてい
るシード金属付きウェーハ、即ちウェーハのめっき対象
面に予めCu等の金属を被覆したウェーハをめっき処理
する場合において、特に問題となっている。それは、ウ
ェーハ支持部にめっき液が付着した状態であると、新た
なシード金属付きウェーハを載置してからめっき処理を
開始するまでに、ウェーハの周縁部においてそのシード
金属がめっき液によって溶かされてしまうのである。こ
のシード金属が溶けると、ウェーハ支持部のカソード電
極よりシード金属を介してウエーハのめっき対象面に供
給するめっき電流が不均一となり、良好なめっき処理が
行えない状態が生じる。
[0004] This phenomenon is one of the causes of nonuniform plating properties when plating is performed with a cup-type plating apparatus. This is a particular problem in the case of plating a wafer with a seed metal, which has recently started to be widely used, that is, a wafer in which a plating target surface of the wafer is previously coated with a metal such as Cu. When the plating solution is attached to the wafer support, the seed metal is melted by the plating solution at the peripheral portion of the wafer from the time the new seeded metal wafer is placed to the time the plating process is started. It will be. When the seed metal is melted, the plating current supplied from the cathode electrode of the wafer support portion to the surface to be plated of the wafer via the seed metal becomes non-uniform, and a state occurs in which a good plating process cannot be performed.

【0005】そこで、本発明は、上記するようなシード
金属付きウェーハをカップ式めっき装置を用いて順次め
っき処理する場合でも良好なめっきを施すことが可能と
なる技術の提供を目的としている。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a technique that enables good plating to be performed even when the above-described wafer with a seed metal is sequentially plated using a cup-type plating apparatus.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに本発明では、めっき槽開口部に沿ってカソード電極
付きシールパッキンを配置すると共にトップリングを取
り付けることにより前記シールパッキンの内周縁で一定
幅を露出させて形成したウエーハ支持部にウェーハの周
縁部を載置してめっきを施すものであるカップ式めっき
装置において、ウエーハ支持部に付着しためっき液を吸
引して除去できるものとした。この本発明におけるウェ
ーハ支持部に付着するめっき液を吸引して除去すること
は、カップ式めっき装置自体にその機能を備えることで
あり、めっき装置とは別個に設けられた吸引手段等によ
って外部からウェーハ支持部に付着しためっき液を除去
することは含まれない。このような本発明のカップ式め
っき装置であれば、ウェーハを交換しながら連続的にめ
っき処理する場合でも、新たなウェーハに交換する際に
ウェーハ支持部に付着しためっき液が除去されているの
で、例えシード金属付きウェーハであっても、ウェーハ
の周縁部におけるシード金属は溶解することなく、めっ
き電流の均一な供給が可能となる。また、腐食性の強い
めっき液を使用する場合でも、めっき液がウェーハ支持
部に付着する時間を短縮することになるため、ウェーハ
支持部の腐食等によるめっき装置の早期劣化も防止する
ことができる。
According to the present invention, a seal packing with a cathode electrode is disposed along an opening of a plating tank and a top ring is attached to the seal packing so that the inner circumference of the seal packing is fixed. In a cup-type plating apparatus in which a peripheral portion of a wafer is placed on a wafer supporting portion formed by exposing the width to perform plating, a plating solution attached to the wafer supporting portion can be removed by suction. To remove the plating solution adhering to the wafer supporting portion by suction in the present invention is to provide the cup-type plating apparatus itself with its function, and externally by a suction means or the like provided separately from the plating apparatus. It does not include removing the plating solution attached to the wafer support. With such a cup-type plating apparatus of the present invention, even when performing continuous plating while exchanging wafers, the plating solution attached to the wafer support is removed when exchanging for a new wafer. Even if the wafer has a seed metal, the seed metal at the peripheral portion of the wafer is not dissolved, and the plating current can be supplied uniformly. In addition, even when a highly corrosive plating solution is used, the time required for the plating solution to adhere to the wafer support is shortened, so that early deterioration of the plating apparatus due to corrosion of the wafer support can be prevented. .

【0007】上記のようにウェーハ支持部に付着しため
っき液を吸引して除去するために、本発明ではトップリ
ングの内周に吸引孔を設けるものとした。カップ式めっ
き装置では、トップリングの内周より内側にウェーハ支
持部が形成されるので、トップリングの内周に吸引孔を
設けることでウェーハ支持部に付着しためっき液を吸引
除去することができる。このトップリングに設けられる
吸引孔は、ウエーハ支持部の全周に渡って付着しためっ
き液を満遍なく吸引除去できるように、トップリングの
内周全域に渡って複数設けることが好ましい。或いは、
スッリト状の吸引孔をトップリングの内周の全域に設け
てもよいものである。この場合において、トップリング
の内周に設けられた吸引孔は、トップリングに接続され
る吸引手段に繋がるようにし、めっき液を吸引除去でき
ようにすればよい。このようにトップリングへ吸引孔を
設けること比較的容易な改造で済むため、従来より使用
しているカップ式めっき装置でも容易に本発明のカップ
式めっき装置にできるという利点がある。
In order to remove the plating solution adhering to the wafer supporting portion by suction as described above, a suction hole is provided in the inner periphery of the top ring in the present invention. In the cup-type plating apparatus, since the wafer support is formed inside the inner circumference of the top ring, the plating solution attached to the wafer support can be suctioned and removed by providing the suction hole in the inner circumference of the top ring. . It is preferable to provide a plurality of suction holes provided in the top ring over the entire inner periphery of the top ring so that the plating solution adhered over the entire periphery of the wafer support portion can be suctioned and removed uniformly. Or,
Slit-shaped suction holes may be provided on the entire inner periphery of the top ring. In this case, the suction hole provided on the inner periphery of the top ring may be connected to a suction unit connected to the top ring so that the plating solution can be removed by suction. As described above, since it is relatively easy to remodel the top ring by providing the suction hole, there is an advantage that the cup-type plating apparatus of the present invention can be easily applied to the cup-type plating apparatus conventionally used.

【0008】また、ウェーハ支持部に付着しためっき液
を吸引して除去するには、ウェーハ支持部に吸引孔を穿
設し、該吸引孔に続くようにめっき槽開口部に吸引路を
設けることによっても行うことができる。この場合にお
いて、ウェーハ支持部に吸引孔を穿設することとは、め
っき槽開口部に沿って配置されるシールパッキンの内周
縁で一定幅を露出した部分に吸引孔を穿設することであ
り、穿設する吸引孔はウエーハ支持部の全周で付着した
めっき液を満遍なく吸引除去できるように複数設けるこ
とが好ましい。そして、めっき槽開口部にはシールパッ
キンに穿設された吸引孔に対応する位置へ吸引路を設
け、その吸引路の末端に吸引手段を接続するものであ
る。このようにすれば、ウェーハ支持部に付着しためっ
き液を吸引して除去でき、そのうえ、載置したウェーハ
自体も吸引できるので、ウェーハ支持部へ確実にウェー
ハを固定することも可能となるものである。
In order to remove the plating solution adhering to the wafer support by suction, a suction hole is formed in the wafer support, and a suction path is provided in the opening of the plating tank following the suction hole. Can also be done. In this case, perforating a suction hole in the wafer support means to perforate a suction hole in a portion of the inner peripheral edge of the seal packing arranged along the opening of the plating tank, where the predetermined width is exposed. It is preferable to provide a plurality of suction holes so as to uniformly remove the plating solution attached on the entire periphery of the wafer supporting portion. Then, a suction path is provided at a position corresponding to the suction hole formed in the seal packing at the opening of the plating tank, and a suction means is connected to an end of the suction path. In this way, the plating solution adhering to the wafer support can be removed by suction, and the mounted wafer itself can be suctioned, so that the wafer can be securely fixed to the wafer support. is there.

【0009】さらに、本発明のカップ式めっき装置で
は、ウェーハ支持部に洗浄液を供給する洗浄液供給手段
を備えることがより好ましい。付着するめっき液は液温
度低下等により結晶化し易くなるものであるが、ウェー
ハ支持部に洗浄水、例えば純水等を供給しながらめっき
液を吸引して除去すればめっき液の結晶化を防止でき、
吸引孔の目図まり防止や清浄なウェーハ支持部を常に維
持することが可能となる。
Further, the cup-type plating apparatus of the present invention more preferably includes a cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid to the wafer support. The attached plating solution is likely to crystallize due to a decrease in the solution temperature, etc. However, if the plating solution is suctioned and removed while supplying cleaning water, for example, pure water, to the wafer support portion, the crystallization of the plating solution is prevented. Can,
This makes it possible to prevent the drawing of the suction hole and to always maintain a clean wafer supporting portion.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を説明
する。図1は本実施形態によるカップ式めっき装置の断
面概略図を示している。図1に示すように本実施形態の
カップ式めっき装置は、めっき槽1の上方開口部2に沿
ってカソード電極付きシールパッキン3が配置され、そ
の上方からトップリング4を取り付けることによりシー
ルパッキン3の内周縁に一定幅を露出させてウエーハ支
持部5が形成されている。そして、ウェーハ支持部5に
ウェーハ6の周縁を載置して、めっき槽1下方に設けら
れためっき液供給部7からめっき液を上昇させて供給す
るとともに載置されたウェーハ6のめっき対象面8にめ
っき液を接触させながらめっきを施すようになってい
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. FIG. 1 is a schematic sectional view of a cup-type plating apparatus according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the cup-type plating apparatus according to the present embodiment has a seal packing 3 with a cathode electrode disposed along an upper opening 2 of a plating tank 1, and a top ring 4 is attached from above the seal packing 3. The wafer support portion 5 is formed so as to expose a predetermined width to the inner peripheral edge of the wafer support portion 5. Then, the periphery of the wafer 6 is placed on the wafer support portion 5, and the plating solution is supplied from the plating solution supply portion 7 provided below the plating tank 1 while being raised, and the plating target surface of the placed wafer 6 is placed. The plating is performed while the plating solution is in contact with the plating solution 8.

【0011】本実施形態のカップ式めっき装置では、ト
ップリング4の内周にスリット状の吸引孔9が設けられ
ている。図2には本実施形態におけるカップ式めっき装
置用トップリングの平面概略図を示しているが、これを
見ると判るように、スリット状の吸引孔9はウェーハ支
持部5の全周に渡って付着しためっき液を吸引除去でき
るように全周に設けてあり、トップリング4の内部を貫
通して、トップリング4の外周側の3箇所に設けた排出
部10にまで続いている。排出部10には図示せぬ吸引
機が接続してある。
In the cup-type plating apparatus of the present embodiment, a slit-shaped suction hole 9 is provided on the inner periphery of the top ring 4. FIG. 2 is a schematic plan view of the top ring for the cup-type plating apparatus according to the present embodiment. As can be seen from the figure, the slit-shaped suction holes 9 are provided over the entire periphery of the wafer support 5. The plating solution is provided on the entire circumference so that the adhered plating solution can be removed by suction. A suction unit (not shown) is connected to the discharge unit 10.

【0012】図3には、図1に示すウェーハ支持部5の
断面を拡大したものを示している。シールパッキン3は
シリコン樹脂製で成形されており、位置合わせ用ノッチ
11と先端部にRの付いたシールディップ12が形成さ
れいる。そして、位置合わせ用ノッチ11によりめっき
槽1の開口部2に沿ってシールパッキン3が配置され
る。シールパッキン3の上面にはカソード電極13が取
り付けられており、シールパッキン3の内周縁の一定幅
が露出した状態の時に、カソード電極13も一定幅を露
出して、載置されるウエーハに接触するようにしてあ
る。このように形成されているウェーハ支持部5に付着
するめっき液は、図示せぬ吸引機を稼働することにより
トップリング4の内周に設けられたスリット状の吸引孔
9より吸引除去される。
FIG. 3 shows an enlarged cross section of the wafer support 5 shown in FIG. The seal packing 3 is formed of a silicone resin, and has a positioning notch 11 and a seal dip 12 with an R at the tip. Then, the seal packing 3 is arranged along the opening 2 of the plating tank 1 by the positioning notch 11. The cathode electrode 13 is attached to the upper surface of the seal packing 3, and when the inner peripheral edge of the seal packing 3 has a constant width exposed, the cathode electrode 13 also exposes a constant width to contact the wafer to be mounted. I have to do it. The plating solution adhering to the wafer supporting portion 5 thus formed is sucked and removed from a slit-shaped suction hole 9 provided on the inner periphery of the top ring 4 by operating a suction device (not shown).

【0013】図4は、洗浄液をウエーハ支持部5に供給
できるようにした別の実施形態におけるウェーハ支持部
5の断面を拡大したものを示している。この場合のトッ
プリング4には、スリット状の吸引孔9と洗浄液を供給
する洗浄液供給孔14とが設けられている。ウェーハ支
持部5に付着しためっき液は、吸引孔9により吸引して
除去されるが、このときに洗浄液供給孔14から少量の
純水を供給することでウェーハ支持部5を洗浄しながら
行う。供給される純水は、吸引孔9によってめっき液と
共に吸引除去されるものである。このような洗浄液の供
給を行えば、めっき液の結晶化による吸引孔9の目図ま
りを防止し、ウェーハ支持部5を清浄な状態にすること
ができる。
FIG. 4 shows an enlarged cross section of a wafer supporting portion 5 in another embodiment in which a cleaning liquid can be supplied to the wafer supporting portion 5. In this case, the top ring 4 is provided with a slit-shaped suction hole 9 and a cleaning liquid supply hole 14 for supplying a cleaning liquid. The plating solution adhering to the wafer support 5 is removed by suction through the suction holes 9, and at this time, a small amount of pure water is supplied from the cleaning solution supply hole 14 to clean the wafer support 5. The supplied pure water is suction-removed together with the plating solution through the suction holes 9. By supplying such a cleaning liquid, it is possible to prevent the drawing of the suction hole 9 due to crystallization of the plating liquid, and to keep the wafer support 5 in a clean state.

【0014】図5には、ウェーハ支持部5に吸引孔15
を設けた場合の実施形態について、そのウェーハ支持部
5の断面を拡大したものを示している。ウェーハ支持部
5に吸引孔15を設ける場合は、シールパッキン3の内
周縁で一定幅を露出した部分に、適当な径の孔を設ける
と共に該孔に続くようにめっき槽1の開口部2に吸引路
16を設けている。吸引孔15はウェーハ支持部5の全
周に渡って複数設けられており、開口部2に設けられた
吸引路16はめっき槽外周側にまで貫通し、めっき槽外
周側において図示せぬ吸引機と接続されている。これに
より、ウェーハ支持部5に付着しためっき液が吸引除去
することができ、また、ウェーハ支持部5にウェーハを
載置した場合には、吸引孔15によりウェーハ6を吸引
することでウェーハ支持部5に固定することも可能であ
る。
FIG. 5 shows that a suction hole 15 is formed in the wafer support 5.
In the embodiment in which is provided, the cross section of the wafer support portion 5 is enlarged. When the suction hole 15 is provided in the wafer support portion 5, a hole having an appropriate diameter is provided in a portion of the inner peripheral edge of the seal packing 3 where a certain width is exposed, and the opening 2 of the plating tank 1 is provided to follow the hole. A suction path 16 is provided. A plurality of suction holes 15 are provided over the entire circumference of the wafer support portion 5, and a suction passage 16 provided in the opening 2 penetrates to the outer periphery of the plating tank, and a suction device (not shown) is provided on the outer periphery of the plating tank. Is connected to Thereby, the plating solution adhering to the wafer support 5 can be removed by suction, and when a wafer is placed on the wafer support 5, the wafer 6 is suctioned by the suction holes 15 to thereby remove the wafer support. It is also possible to fix to 5.

【0015】上記したようにウェーハ支持部5に吸引孔
15を設けた場合においても、トップリング4に洗浄液
供給孔14を設けて、ウェーハ支持部5に純水を供給し
ながらめっき液を吸引除去すれば、めっき液の結晶化に
よる吸引孔15の目図まりが防止でき、ウェーハ支持部
5を清浄な状態にすることができる。
Even when the suction hole 15 is provided in the wafer support 5 as described above, the cleaning solution supply hole 14 is provided in the top ring 4 so that the plating solution is removed by suction while supplying pure water to the wafer support 5. By doing so, it is possible to prevent the drawing of the suction hole 15 due to the crystallization of the plating solution, and to keep the wafer support 5 in a clean state.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、カ
ップ式めっき装置を用いて順次シード金属付きウェーハ
をめっき処理する場合においても、良好なめっきを施す
ことが可能となる。
As described above, according to the present invention, good plating can be performed even when a wafer with a seed metal is sequentially plated using a cup-type plating apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】一実施形態によるカップ式めっき装置の断面概
略図。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a cup-type plating apparatus according to one embodiment.

【図2】一実施形態によるカップ式めっき装置用トップ
リングの平面概略図。
FIG. 2 is a schematic plan view of a top ring for a cup-type plating apparatus according to an embodiment.

【図3】図1に示すウェーハ支持部断面の拡大図。FIG. 3 is an enlarged view of a cross section of the wafer supporting unit shown in FIG. 1;

【図4】洗浄液を供給できる別の実施形態におけるウェ
ーハ支持部の断面拡大図。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a wafer support in another embodiment that can supply a cleaning liquid.

【図5】ウェーハ支持部に吸引孔を設けた場合の実施形
態おけるウェーハ支持部の断面拡大図。
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of the wafer support in the embodiment in which suction holes are provided in the wafer support;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 めっき槽 2 開口部 3 シールパッキン 4 トップリング 5 ウェーハ支持部 6 ウェーハ 7 めっき液供給部 8 めっき対象面 9 吸引孔 10 排出部 11 位置合わせ用ノッチ 12 シールディップ 13 カソード電極 14 洗浄液供給孔 15 吸引孔 16 吸引路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plating tank 2 Opening 3 Seal packing 4 Top ring 5 Wafer support part 6 Wafer 7 Plating solution supply part 8 Plating object surface 9 Suction hole 10 Discharge part 11 Alignment notch 12 Seal dip 13 Cathode electrode 14 Cleaning solution supply hole 15 Suction Hole 16 suction path

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 めっき槽開口部に沿ってカソード電極付
きシールパッキンを配置すると共にトップリングを取り
付けることにより前記シールパッキンの内周縁で一定幅
を露出させて形成したウエーハ支持部にウェーハの周縁
部を載置してめっきを施すものであるカップ式めっき装
置において、 ウエーハ支持部に付着しためっき液を吸引して除去でき
るようにしたことを特徴とするカップ式めっき装置。
1. A wafer supporting portion formed by arranging a seal packing with a cathode electrode along an opening of a plating tank and attaching a top ring to expose a fixed width at an inner peripheral edge of the seal packing. A cup-type plating apparatus in which a plating solution is mounted on a wafer and a plating solution attached to the wafer support is removed by suction.
【請求項2】 めっき液を吸引して除去できる吸引孔が
トップリングの内周に設けられたものである請求項1に
記載のカップ式めっき装置。
2. The cup-type plating apparatus according to claim 1, wherein a suction hole capable of sucking and removing the plating solution is provided on an inner periphery of the top ring.
【請求項3】 めっき液を吸引して除去できる吸引孔が
ウエーハ支持部に穿設されると共に該吸引孔に続くよう
にめっき槽開口部に吸引路が設けられたものである請求
項1に記載のカップ式めっき装置。
3. The method according to claim 1, wherein a suction hole capable of sucking and removing the plating solution is formed in the wafer support portion, and a suction passage is provided in the opening of the plating tank so as to follow the suction hole. The cup-type plating apparatus as described in the above.
【請求項4】 ウェーハ支持部に洗浄液を供給する洗浄
液供給手段を備えたものである請求項1乃至請求項3い
ずれか1項に記載のカップ式めっき装置。
4. The cup-type plating apparatus according to claim 1, further comprising a cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid to the wafer support.
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