JP2910045B2 - CVD method - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described in the following order.
A.産業上の利用分野 B.発明の概要 C.従来技術 D.発明が解決しようとする問題点 E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例［第１図乃至第４図］ H.発明の効果 （A.産業上の利用分野） 本発明はCVD装置、特に設備費の増大、スループット
の低下を伴うことなくCVD膜の膜質を向上させることが
できる新規なCVD装置に関する。A. Industrial application fields B. Summary of the invention C. Prior art D. Problems to be solved by the invention E. Means to solve the problems F. Function G. Embodiment [FIGS. 1 to 4 Figure] H. Effects of the Invention (A. Industrial Application Field) The present invention relates to a CVD apparatus, and in particular, to a novel CVD apparatus capable of improving the quality of a CVD film without increasing equipment cost and decreasing throughput. .
（B.発明の概要） 本発明は、CVD装置において、 設備費の増大、スループットの低下を伴うことなくCV
D膜の膜質を向上させるために、 反応室の内部に、基体を反転可能に保持する保持手段
を設け、反応室の外部に、上記保持手段により保持され
た上記基体を反応室外部から加熱するエネルギー照射手
段を設けてなる、 或いは、 反応室と、アニール室と、該反応室・アニール室間を
基板を搬送可能に連通するゲートバルブとを設け、更
に、上記反応室、アニール室内に保持される基板を加熱
する一つのエネルギー照射手段を、反応室内の基板を加
熱する位置と上記アニール室内の基板を加熱する位置と
の間において移動可能なるように設けてなるものであ
る。(B. Summary of the Invention) The present invention relates to a CVD apparatus for CV without increasing equipment costs and decreasing throughput.
In order to improve the film quality of the D film, a holding means for holding the substrate reversibly is provided inside the reaction chamber, and the substrate held by the holding means is heated outside the reaction chamber from outside the reaction chamber. An energy irradiation means is provided, or a reaction chamber, an annealing chamber, and a gate valve communicating the substrate between the reaction chamber and the annealing chamber so that the substrate can be transported are further provided. One energy irradiation means for heating the substrate to be heated is provided so as to be movable between a position for heating the substrate in the reaction chamber and a position for heating the substrate in the annealing chamber.
（C.従来技術） LSI、VLSIの高集積化による半導体素子の微細化によ
ってコンタクトホールやスルーホールへのスパッタによ
るアルミニウム等での埋込みが難しくなりつつある。そ
こで、近年CVD、特に選択的CVDによる微細ホールの埋め
込み技術が注目され、今後の素子の微細化に必須の技術
となると予想される。(C. Prior Art) Due to miniaturization of semiconductor elements due to high integration of LSIs and VLSIs, it is becoming difficult to embed aluminum or the like into contact holes and through holes by sputtering. Therefore, in recent years, a technique of filling fine holes by CVD, particularly selective CVD, has been attracting attention, and is expected to be an essential technique for miniaturization of elements in the future.
ところで、例えばタングステンＷをシリコン半導体が
露出するコンタクトホールあるいはスルーホールで埋め
る選択的CVDを行った場合、CVD膜の形成後ランプアニー
ルを行った方がコンタクト抵抗が小さくなるなどCVD膜
の膜質が良くなることが明らかにされている。By the way, for example, when performing selective CVD in which tungsten W is filled with a contact hole or a through hole in which a silicon semiconductor is exposed, lamp annealing after forming a CVD film has a better film quality such as a lower contact resistance. It is clear that it will be.
そのため、従来においてはCVD膜の形成後CVD装置から
出し、アニール装置でアニールしていた。Therefore, conventionally, after the CVD film is formed, the film is taken out of the CVD apparatus and annealed by an annealing apparatus.
また、最近CVD方法としてECRCVD法、特にバイアスECR
CVD法も注目されている。というのは、低温、低圧で高
速にCVDを行うことができ、特にバイアスECRCVDによれ
ば平坦化絶縁膜を形成することができるからである。そ
して、ECRCVDにおいてもCVD膜に対してアニールを行っ
た方が良い場合が多い。CVDを行ったままではBHFに対す
るエッチングレートが大きいが、アニールによってエッ
チングレートを小さくすることができるからである。ま
た、SiNをバイアスECRCVDにより形成する場合にはCVD膜
形成後は圧縮応力を持つので引張応力側へ応力を変化さ
せるためにアニールが必要とされる。In recent years, ECR CVD method, especially bias ECR
The CVD method is also attracting attention. This is because CVD can be performed at a high temperature at a low temperature and a low pressure at a high speed, and in particular, a bias ECRCVD can form a planarizing insulating film. Also, it is often better to anneal the CVD film also in ECRCVD. This is because the etching rate for BHF is large when CVD is performed, but the etching rate can be reduced by annealing. Also, when forming SiN by bias ECRCVD, annealing is required to change the stress to the tensile stress side since it has a compressive stress after the CVD film is formed.
そのため、ECRCVD法においてもアニールを必要とされ
る場合にはCVD膜の形成後プラズマCVD装置から出し、ア
ニール装置でアニールしていた。Therefore, in the case where annealing is also required in the ECRCVD method, the film is taken out of the plasma CVD apparatus after the formation of the CVD film and is annealed by the annealing apparatus.
（D.発明が解決しようとする問題点） ところで、従来においてアニールは、CVD装置で薄膜
を形成した後CVD装置から半導体ウエハを出してアニー
ル装置において行っていたので、CVD装置のほかにアニ
ール装置が必要であり、設備費の節減が難しかった。(D. Problems to be Solved by the Invention) By the way, in the past, annealing was performed by forming a thin film with a CVD device and then removing the semiconductor wafer from the CVD device in the annealing device. And it was difficult to reduce equipment costs.
また、CVD装置から出してアニール装置へ入れるとス
ループットの低下を招くという問題もある。In addition, there is a problem that the throughput is lowered when the film is taken out of the CVD device and put into the annealing device.
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもの
であり、設備費の増大、スループットの低下を伴うこと
なくCVD膜の膜質を向上させることを目的とする。The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to improve the quality of a CVD film without increasing equipment costs and decreasing throughput.
（E.問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決するため、本発明CVD装置の第１の
ものは、反応室の内部に、基体を反転可能に保持する保
持手段を設け、反応室の外部に、上記保持手段により保
持された上記基体を加熱するエネルギー照射手段を設け
てなることを特徴とする。(E. Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the first type of the CVD apparatus of the present invention is provided with holding means for holding a substrate in a reversible manner inside a reaction chamber, An energy irradiation unit for heating the substrate held by the holding unit is provided outside the chamber.
本発明CVD装置の第２のものは、反応室と、アニール
室と、該反応室・アニール室間を基板を搬送可能に連通
するゲートバルブとを設け、更に、上記反応室、アニー
ル室内に保持される基板を加熱する一つのエネルギー照
射手段を、反応室の基板を加熱する位置と上記アニール
室内の基板を加熱する位置との間において移動可能なる
ように設けてなることを特徴とする。A second embodiment of the CVD apparatus of the present invention is provided with a reaction chamber, an annealing chamber, and a gate valve for communicating the substrate between the reaction chamber and the annealing chamber so that the substrate can be transported. One energy irradiation means for heating the substrate to be heated is provided so as to be movable between a position for heating the substrate in the reaction chamber and a position for heating the substrate in the annealing chamber.
（F.作用） 本発明CVD装置の第１のものによれば、保持手段に保
持された基体のエネルギー照射手段と反対側の面に薄膜
を気相成長させ、その後、該基体を反転して該基体の薄
膜形成面を上記エネルギー照射手段側に向け、その状態
でエネルギーを照射してアニールを行うことにより、CV
D装置内においてCVD膜形成後それに引き続いて連続的に
アニールを行うことが可能になり、延いては、CVD装置
と別体のアニール装置を必要とせず設備費の増大を回避
することができ、また、スループットの向上を図ること
ができる。(F. Function) According to the first aspect of the CVD apparatus of the present invention, a thin film is vapor-phase grown on the surface of the substrate held by the holding means on the side opposite to the energy irradiation means. By directing the thin film forming surface of the substrate toward the energy irradiating means and irradiating energy in that state to perform annealing, the CV
After the CVD film is formed in the D apparatus, it is possible to continuously perform the subsequent annealing, and thus, it is possible to avoid an increase in equipment costs without requiring a separate annealing apparatus from the CVD apparatus, Further, the throughput can be improved.
本発明CVD装置の第２のものによれば、反応室内にて
基板を保持し、ゲートバルブを閉じ、エネルギー照射手
段により反応室内の基板を加熱して基板の表面に薄膜を
気相成長させ、その後、上記ゲートバルブを開いてその
基板を該ゲートバルブを通して上記アニール室に移動し
該ゲートバルブを閉じると共に、上記エネルギー照射手
段を該アニール室の基板を加熱できる位置まで移動さ
せ、該エネルギー照射手段により該アニール室内の基板
を加熱してアニールを行うことができ、従って、CVD装
置内においてCVD膜形成後それに引き続いて連続的にア
ニールを行うことが可能になり、延いては、CVD装置と
別体のアニール装置を必要とせず設備費の増大を回避す
ることができ、また、スループットの向上を図ることが
できる。According to the second CVD apparatus of the present invention, the substrate is held in the reaction chamber, the gate valve is closed, the substrate in the reaction chamber is heated by energy irradiation means, and a thin film is vapor-grown on the surface of the substrate, Thereafter, the gate valve is opened, the substrate is moved to the annealing chamber through the gate valve, the gate valve is closed, and the energy irradiation means is moved to a position where the substrate in the annealing chamber can be heated, and the energy irradiation means is moved. Thus, annealing can be performed by heating the substrate in the annealing chamber, so that it is possible to continuously perform annealing after the formation of the CVD film in the CVD apparatus. This eliminates the need for a body annealing apparatus, thereby avoiding an increase in equipment costs and improving throughput.
（G.実施例）［第１図乃至第４図］ 以下、本発明CVD装置を図示実施例に従って詳細に説
明する。(G. Embodiment) [FIGS. 1 to 4] Hereinafter, the CVD apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments.
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明CVD装置の第１の実施
例を示す断面図である。1 (A) and 1 (B) are sectional views showing a first embodiment of the CVD apparatus of the present invention.
図面において、１はCVD装置の反応室、２は半導体ウ
エハ３をこれの周縁にて保持する保持具で、半導体ウエ
ハ３を裏返しにする反転機構を有している。４は反応室
１へその底部側から反応ガスを供給するガス管、５は半
導体ウエハ３の上側にあたる部分に設けられた透明窓、
６は反応室１の透明窓５の上側に配置された加熱ランプ
である。In the drawings, reference numeral 1 denotes a reaction chamber of a CVD apparatus, and reference numeral 2 denotes a holder for holding the semiconductor wafer 3 at the periphery thereof, and has a reversing mechanism for turning the semiconductor wafer 3 upside down. 4 is a gas pipe for supplying a reaction gas to the reaction chamber 1 from the bottom side, 5 is a transparent window provided at a portion corresponding to the upper side of the semiconductor wafer 3,
Reference numeral 6 denotes a heating lamp arranged above the transparent window 5 of the reaction chamber 1.
（Ａ）先ず、第１図（Ａ）に示すように上記ガス管４か
ら反応室１内にガス（例えばWF6＋SiH4）を供給して薄
膜（例えばタングステン膜）3aを半導体ウエハ３の表面
に形成する。このCVD装置はウエハ３の下側の面に膜が
形成されているので、ウエハ３は当初表面を下向きに保
持する。そして、薄膜3aの形成は加熱ランプ６により半
導体ウエハ３をその裏面側から加熱しながら行う。加熱
温度は例えば250〜300℃程度である。(A) First, as shown in FIG. 1A, a gas (for example, WF 6 + SiH 4 ) is supplied from the gas pipe 4 into the reaction chamber 1 to form a thin film (for example, a tungsten film) 3 a on the surface of the semiconductor wafer 3. Formed. In this CVD apparatus, since a film is formed on the lower surface of the wafer 3, the wafer 3 initially holds the surface downward. The formation of the thin film 3a is performed while the semiconductor wafer 3 is heated from the back side by the heating lamp 6. The heating temperature is, for example, about 250 to 300 ° C.
（Ｂ）所定の膜厚の薄膜3aが形成されると同図（Ｂ）に
示すように反応ガスの供給を停止すると共に半導体ウエ
ハ３を上記反転機構によって裏返しにすることにより上
記加熱ランプ６により半導体ウエハ３の薄膜3aをアニー
ルする。アニールする温度はCVD時の加熱温度よりも相
当に高い例えば700℃程度が好ましく、従って、加熱ラ
ンプ６のパワーを切換えるようにすると良い。(B) When the thin film 3a having a predetermined thickness is formed, the supply of the reaction gas is stopped and the semiconductor wafer 3 is turned over by the reversing mechanism as shown in FIG. The thin film 3a of the semiconductor wafer 3 is annealed. The annealing temperature is preferably, for example, about 700 ° C., which is considerably higher than the heating temperature at the time of CVD. Therefore, it is preferable to switch the power of the heating lamp 6.
このように、本実施例においては反応室１内において
CVDとアニールとを引き続いて連続的に行うので、スル
ープットを向上させることができる。また、CVD装置を
アニール装置としても用いるので設備費の節減を図るこ
とができる。Thus, in the present embodiment, in the reaction chamber 1
Since the CVD and the annealing are continuously performed continuously, the throughput can be improved. Further, since the CVD apparatus is also used as an annealing apparatus, equipment costs can be reduced.
第２図は本発明CVD装置の第２の実施例を示す断面図
である。FIG. 2 is a sectional view showing a second embodiment of the CVD apparatus of the present invention.
本実施例は反応室１とゲートバルブ７を介して連通す
るアニール室８を有し、CVD及びアニールを互いに別室
で行うようにしたものである。This embodiment has an annealing chamber 8 which communicates with the reaction chamber 1 via a gate valve 7, and performs CVD and annealing in separate chambers.
先ず、ゲートバルブ７を閉じ、反応室１内でCVDのみ
を行う。具体的には半導体ウエハ３を表面が下向きにな
るように保持しガス管４から反応ガスを供給し加熱ラン
プ６で半導体ウエハ３を裏面側から加熱することにより
CVDを行う。薄膜3aの形成が終ると半導体ウエハ３を裏
返しにしアニール室８側に移動しゲートバルブ７を開い
て更にアニール室８内の所定位置まで移動する。そし
て、ゲートバルブ７を閉じ、その一方で加熱ランプ６を
アニール室８の透明窓５の上側にあたる位置まで水平方
向に移動させる。そして、移動した加熱ランプ６によっ
て半導体ウエハ３表面の薄膜3aをアニールする。First, the gate valve 7 is closed, and only CVD is performed in the reaction chamber 1. Specifically, by holding the semiconductor wafer 3 with the front surface facing downward, supplying a reaction gas from the gas pipe 4, and heating the semiconductor wafer 3 from the back surface side with the heating lamp 6,
Perform CVD. When the formation of the thin film 3a is completed, the semiconductor wafer 3 is turned over and moved to the annealing chamber 8 side, the gate valve 7 is opened, and further moved to a predetermined position in the annealing chamber 8. Then, the gate valve 7 is closed, while the heating lamp 6 is moved in the horizontal direction to a position above the transparent window 5 of the annealing chamber 8. Then, the thin film 3a on the surface of the semiconductor wafer 3 is annealed by the moved heating lamp 6.
本実施例においては反応室１内においてCVDを行い、
それに引き続いて連続的にアニール室８内においてアニ
ールを行うのでやはりスループットの向上を図ることが
できる。そして、CVD装置としてアニール室を備えたも
のを用いるのでCVD装置と別にそれと全く独立したアニ
ール装置を用意する必要はなく、アニール室を備えたCV
D装置の価格はアニール室のないCVD装置とアニール装置
の価格の総和よりも低いので、設備費の節減を図ること
ができる。特に、同じランプ６をCVD時における基体加
熱とアニール用の加熱に兼用できるので、設備費節減効
果は大きい。In the present embodiment, CVD is performed in the reaction chamber 1,
Subsequently, annealing is continuously performed in the annealing chamber 8, so that the throughput can be improved. Since a CVD device with an annealing chamber is used, there is no need to prepare a separate annealing device separate from the CVD device.
Since the price of the D apparatus is lower than the sum of the prices of the CVD apparatus without the annealing chamber and the annealing apparatus, the facility cost can be reduced. In particular, since the same lamp 6 can be used both for heating the substrate during CVD and heating for annealing, the effect of reducing equipment costs is large.
第３図（Ａ）、（Ｂ）は本発明CVD装置の第３の実施
例を示す断面図である。FIGS. 3A and 3B are sectional views showing a third embodiment of the CVD apparatus of the present invention.
図面において、９はプラズマCVD装置のプラズマ生成
室、10は励磁コイル、11はプラズマ生成室９の下側に設
けられた反応室11で、該反応室11内に半導体ウエハ３が
置かれる。12はプラズマ生成室９内で生産されたプラズ
マを反応室11へ取り出すプラズマ取り出し窓である。本
プラズマCVD装置は半導体ウエハ３をランプ６によって
下から加熱するようにされている。In the drawing, 9 is a plasma generation chamber of a plasma CVD apparatus, 10 is an exciting coil, 11 is a reaction chamber 11 provided below the plasma generation chamber 9, and the semiconductor wafer 3 is placed in the reaction chamber 11. Reference numeral 12 denotes a plasma extraction window for extracting plasma generated in the plasma generation chamber 9 to the reaction chamber 11. In the present plasma CVD apparatus, the semiconductor wafer 3 is heated from below by the lamp 6.
（Ａ）先ず、第３図（Ａ）に示すように半導体ウエハ３
を表面が上を向く向きにしてプラズマ流を半導体ウエハ
３にあてながら反応ガスを反応室11内へ供給し、ランプ
６によって半導体ウエハ３を裏側から加熱することによ
りCVDを行う。(A) First, as shown in FIG.
The reaction gas is supplied into the reaction chamber 11 while the plasma flow is directed to the semiconductor wafer 3 with the surface facing upward, and the semiconductor wafer 3 is heated from the back side by the lamp 6 to perform CVD.
（Ｂ）所定の膜厚薄膜（例えばSiO2）3aが形成されると
同図（Ｂ）に示すように反応ガスの供給を停止し、プラ
ズマの生成を停止するとともに半導体ウエハ３を上記反
転機構によって裏返しにすることにより上記加熱ランプ
６により半導体ウエハ３の薄膜3aをアニールする。(B) When a thin film having a predetermined thickness (for example, SiO 2 ) 3a is formed, the supply of the reaction gas is stopped to stop the generation of plasma as shown in FIG. Then, the thin film 3 a of the semiconductor wafer 3 is annealed by the heating lamp 6.
本実施例によれば反応室11内においてCVDとアニール
とを連続的に行うので、スループットを向上させること
ができ、また設備費の節減を図ることができる。According to the present embodiment, since CVD and annealing are performed continuously in the reaction chamber 11, the throughput can be improved and the equipment cost can be reduced.
第４図は本発明CVD装置の第４の実施例を示す断面図
である。FIG. 4 is a sectional view showing a fourth embodiment of the CVD apparatus of the present invention.
本実施例はプラズマCVD装置として反応室11とゲート
バルブ13を介して連通するアニール室８を有したものを
用いてプラズマCVD及びアニールを行うのもである。In the present embodiment, plasma CVD and annealing are performed by using a plasma CVD apparatus having an annealing chamber 8 communicating with a reaction chamber 11 via a gate valve 13.
先ず、ゲートバルブ13を閉じ、反応室11内でプラズマ
CVDを行う。プラズマCVDの具体的な方法は第３の実施例
におけるプラズマCVDと異なるところはない。プラズマC
VDが終ると、半導体ウエハ３を反転し、アニール室14側
へ移動を開始し、ゲートバルブ13を開いて反応室11内の
所定位置に置き、ゲートバルブ13を閉じる。一方、ラン
プ６も移動してアニール室14の下側に位置させる。そし
てランプ６によって下側から透明窓15越しに半導体ウエ
ハ３を加熱する。First, the gate valve 13 is closed, and the plasma is
Perform CVD. The specific method of the plasma CVD is not different from the plasma CVD in the third embodiment. Plasma C
When the VD is completed, the semiconductor wafer 3 is turned over, starts moving toward the annealing chamber 14, the gate valve 13 is opened, the gate valve 13 is placed at a predetermined position in the reaction chamber 11, and the gate valve 13 is closed. On the other hand, the lamp 6 also moves and is positioned below the annealing chamber 14. Then, the semiconductor wafer 3 is heated from below through the transparent window 15 by the lamp 6.
本実施例によってもスループットの向上、設備費の節
減を図ることができること第２の実施例の場合と同様で
ある。According to the present embodiment, the throughput can be improved and the equipment cost can be reduced as in the case of the second embodiment.
（H.発明の効果） 本発明CVD装置の第１のものによれば、保持手段に保
持された基体のエネルギー照射手段と反対側の面に薄膜
を気相成長させ、その後、該基体を反転して該基体の薄
膜形成面を上記エネルギー照射手段側に向け、その状態
でエネルギーを照射してアニールを行うことにより、CV
D装置内においてCVD膜形成後それに引き続いて連続的に
アニールを行うことが可能になり、延いては、CVD装置
と別体のアニール装置を必要とせず設備費の増大を回避
することができ、また、スループットの向上を図ること
ができる。(H. Effects of the Invention) According to the first aspect of the CVD apparatus of the present invention, a thin film is vapor-phase grown on the surface of the substrate held by the holding means on the side opposite to the energy irradiation means, and then the substrate is inverted. By directing the thin film forming surface of the substrate toward the energy irradiating means and irradiating energy in that state to perform annealing, the CV
After the CVD film is formed in the D apparatus, it is possible to continuously perform the subsequent annealing, and thus, it is possible to avoid an increase in equipment costs without requiring a separate annealing apparatus from the CVD apparatus, Further, the throughput can be improved.
本発明CVD装置の第２のものによれば、反応室内にて
基板を保持し、ゲートバルブを閉じ、エネルギー照射手
段により反応室内の基板を加熱させて基板の表面に薄膜
を気相成長させ、その後、上記ゲートバルブを開いてそ
の基板を該ゲートバルブを通して上記アニール室内に移
動し該ゲートバルブを閉じると共に、上記エネルギー照
射手段を該アニール室内の基板を加熱できる位置まで移
動させ、該エネルギー照射手段により該アニール室内の
基板を加熱してアニールを行うことができ、従って、CV
D装置内においてCVD膜形成後それに引き続いて連続的に
アニールを行うことが可能になり、延いては、CVD装置
と別体のアニール装置を必要とせず設備費の増大を回避
することができ、また、スループットの向上を図ること
ができる。According to the second CVD apparatus of the present invention, the substrate is held in the reaction chamber, the gate valve is closed, the substrate in the reaction chamber is heated by energy irradiation means, and a thin film is vapor-grown on the surface of the substrate. Thereafter, the gate valve is opened, the substrate is moved into the annealing chamber through the gate valve, the gate valve is closed, and the energy irradiation means is moved to a position where the substrate in the annealing chamber can be heated, and the energy irradiation means is moved. By heating the substrate in the annealing chamber, annealing can be performed,
After the CVD film is formed in the D apparatus, it is possible to continuously perform the subsequent annealing, and thus, it is possible to avoid an increase in equipment costs without requiring a separate annealing apparatus from the CVD apparatus, Further, the throughput can be improved.
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明CVD装置の第１の実施例
を示す断面図、第２図は本発明CVD装置の第２の実施例
を示す断面図、第３図（Ａ）（Ｂ）は本発明CVD装置の
第３の実施例を示す断面図、第４図は発明CVD装置の第
４の実施例を示す断面図である。 符号の説明 １……反応室、２……保持手段、３……基体（半導体ウ
ェハ）、 3a……薄膜、６……エネルギー照射手段、７……ゲート
バルブ、 ８……アニール室、13……ゲートバルブ、14……アニー
ル室。1A and 1B are cross-sectional views showing a first embodiment of the CVD apparatus of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the CVD apparatus of the present invention, and FIG. (B) is a sectional view showing a third embodiment of the CVD apparatus of the present invention, and FIG. 4 is a sectional view showing a fourth embodiment of the CVD apparatus of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... reaction chamber, 2 ... holding means, 3 ... substrate (semiconductor wafer), 3a ... thin film, 6 ... energy irradiation means, 7 ... gate valve, 8 ... annealing chamber, 13 ... ... gate valve, 14 ... annealing chamber.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｂ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205,21/31,21/365 H01L 21/469,21/86 H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/43 H01L 29/47,29/872 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 identification code FI H01L 21/31 H01L 21/31 B (58) Fields surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) C23C 16/00-16 / 56 H01L 21 / 205,21 / 31,21 / 365 H01L 21 / 469,21 / 86 H01L 21/28-21/288 H01L 21/44-21/445 H01L 29/40-29/43 H01L 29/47, 29/872
Claims (2)
る保持手段を有し、 反応室の外部に、上記保持手段により保持された上記基
体を加熱するエネルギー照射手段を有し、 保持手段に保持された基体のエネルギー照射手段と反対
側の面に薄膜を気相成長させ、その後、該基体を反転し
て該基体の薄膜形成面を上記エネルギー照射手段側に向
け、その状態でエネルギーを照射して上記薄膜のアニー
ルを行うようにしてなる ことを特徴とするCVD装置。1. A reaction chamber having holding means for reversibly holding a substrate inside the reaction chamber, and an energy irradiation means for heating the substrate held by the holding means outside the reaction chamber. A thin film is vapor-phase grown on the surface of the substrate held by the device on the side opposite to the energy irradiation device, and then the substrate is inverted and the thin film forming surface of the substrate is turned to the energy irradiation device side. Irradiating the thin film to anneal the thin film.
ール室間を基板を搬送可能に連通するゲートバルブとを
有し、 更に、上記反応室、アニール室内に保持される基板を外
部から加熱する一つのエネルギー照射手段を、反応室内
の基板を加熱する位置と上記アニール室内の基板を加熱
する位置との間において移動可能なるように設け、 上記反応室内にて基板を保持し、上記ゲートバルブを閉
じ、上記エネルギー照射手段により反応室内の基板を加
熱して基板の表面に薄膜を気相成長させ、その後、上記
ゲートバルブを開いてその基板を該ゲートバルブを通し
て上記アニール室に移動し該ゲートバルブを閉じると共
に、上記エネルギー照射手段を該アニール室の基板を加
熱できる位置まで移動させ、該エネルギー照射手段によ
り該アニール室内の基板を加熱してアニールを行うよう
にしてなる ことを特徴とするCVD装置。2. A reaction chamber, an annealing chamber, and a gate valve for communicating a substrate between the reaction chamber and the annealing chamber so that the substrate can be transported. One energy irradiation means for heating the substrate from the position for heating the substrate in the reaction chamber and the position for heating the substrate in the annealing chamber, and holding the substrate in the reaction chamber; The gate valve is closed, the substrate in the reaction chamber is heated by the energy irradiation means to vapor-grow a thin film on the surface of the substrate, and then the gate valve is opened and the substrate is moved to the annealing chamber through the gate valve. With the gate valve closed, the energy irradiating means is moved to a position where the substrate in the annealing chamber can be heated. CVD apparatus characterized by heating the substrate Inner as annealing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6816489A JP2910045B2 (en) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | CVD method |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP6816489A JP2910045B2 (en) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | CVD method |
Publications (2)
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| JPH02247384A JPH02247384A (en) | 1990-10-03 |
| JP2910045B2 true JP2910045B2 (en) | 1999-06-23 |
Family
ID=13365850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6816489A Expired - Lifetime JP2910045B2 (en) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | CVD method |
Country Status (1)
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|---|---|
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 1989-03-20 JP JP6816489A patent/JP2910045B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JPH02247384A (en) | 1990-10-03 |
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