JP2907250B2 - External synchronous signal control type input / output circuit - Google Patents

External synchronous signal control type input / output circuit

Info

Publication number
JP2907250B2
JP2907250B2 JP4206708A JP20670892A JP2907250B2 JP 2907250 B2 JP2907250 B2 JP 2907250B2 JP 4206708 A JP4206708 A JP 4206708A JP 20670892 A JP20670892 A JP 20670892A JP 2907250 B2 JP2907250 B2 JP 2907250B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
input
signal
external
noise
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP4206708A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0660670A (en
Inventor
伸吾 相崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP4206708A priority Critical patent/JP2907250B2/en
Publication of JPH0660670A publication Critical patent/JPH0660670A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2907250B2 publication Critical patent/JP2907250B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、メモリ回路にデータを
伝達するための入出力回路、特に、アドレスデータをス
タチックメモリ回路に伝達すべきか否かを外部端子から
入力される外部同期信号で制御される外部同期信号制御
型入出力回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an input / output circuit for transmitting data to a memory circuit, and more particularly, to an external synchronization signal input from an external terminal to determine whether or not address data should be transmitted to a static memory circuit. The present invention relates to an external synchronous signal control type input / output circuit to be controlled.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、スタチックメモリ回路は、その高
速アクセスの特徴を生かすためにプロセッサーのキャッ
シュメモリとしての応用分野が広がっている。この種の
システムでは、より高速のサイクルタイムを実現するた
めに、外部端子から入力される外部同期信号で入出力回
路を制御する外部同期信号制御型入出力回路を有したス
タチックメモリ回路が求められ、実用化されている。
2. Description of the Related Art In recent years, the application field of a static memory circuit as a cache memory of a processor has been expanded in order to take advantage of its high-speed access characteristic. In this type of system, in order to realize a faster cycle time, a static memory circuit having an external synchronization signal control type input / output circuit that controls an input / output circuit with an external synchronization signal input from an external terminal is required. Has been put to practical use.

【0003】図5の外部同期信号制御型入出力回路の従
来例を参照して、ADD,ADD′は外部アドレス信号
とその内部信号、CLK,CLK′は外部同期信号とそ
の内部信号、a1〜a12はインバータ回路、b1はP
チャネルMOSトランジスタ、c1はNチャネルMOS
トランジスタである。
Referring to a conventional example of an external synchronous signal control type input / output circuit shown in FIG. 5, ADD and ADD 'are external address signals and their internal signals, CLK and CLK' are external synchronous signals and their internal signals, and al to al. a12 is an inverter circuit, b1 is P
Channel MOS transistor, c1 is an N-channel MOS
It is a transistor.

【0004】インバータ回路a4〜a6は、スタチック
メモリ回路の記憶素子10を構成する。コンプリメンタ
リ素子のPチャネルMOSトランジスタb1及びNチャ
ネルMOSトランジスタc1とインバータ回路a3とは
トランスファーゲート素子11を構成し、その導通、非
導通は内部同期信号CLK′で制御される。トランスフ
ァーゲート素子10及び記憶素子11は直列接続されて
いる。インバータ回路a1,a2は、入力バッファ回路
12を構成し、インバータ回路a7〜a12は、内部同
期信号バッファ回路13を構成する。
[0004] Inverter circuits a4 to a6 constitute a storage element 10 of a static memory circuit. The P-channel MOS transistor b1 and the N-channel MOS transistor c1, which are complementary elements, and the inverter circuit a3 form a transfer gate element 11, whose conduction and non-conduction are controlled by an internal synchronization signal CLK '. The transfer gate element 10 and the storage element 11 are connected in series. The inverter circuits a1 and a2 constitute an input buffer circuit 12, and the inverter circuits a7 to a12 constitute an internal synchronization signal buffer circuit 13.

【0005】この図5に示した外部同期信号制御型入出
力回路の動作を図6に示した内部動作波形図を参照して
説明する。図6において、外部同期信号CLKは、シス
テムのサイクルタイムに同期した一定周期の信号であ
る。これに伴い、内部同期信号CLK′も、一定周期で
動作する。
The operation of the external synchronizing signal control type input / output circuit shown in FIG. 5 will be described with reference to an internal operation waveform diagram shown in FIG. In FIG. 6, the external synchronization signal CLK is a signal having a constant cycle synchronized with the cycle time of the system. Accordingly, the internal synchronization signal CLK 'also operates at a constant cycle.

【0006】内部同期信号CLK′がロウレベルからハ
イレベルに変化すると、トランスファーゲート素子11
は、非導通状態になる。よって外部アドレス信号ADD
に入力されたn番地の情報は、記憶素子10に保持さ
れ、内部アドレス信号ADD′に伝えられる。
When the internal synchronization signal CLK 'changes from low level to high level, the transfer gate element 11
Becomes non-conductive. Therefore, the external address signal ADD
Is stored in the storage element 10 and transmitted to the internal address signal ADD '.

【0007】次に、内部同期信号CLK′がハイレベル
からロウレベルに変化すると、トランスファーゲート素
子11は、導通状態になる。よって外部アドレス信号A
DDに入力された任意のm番地の情報は、記憶素子10
を介して、内部アドレス信号ADD′に伝達される。
Next, when the internal synchronization signal CLK 'changes from the high level to the low level, the transfer gate element 11 becomes conductive. Therefore, the external address signal A
The information of an arbitrary address m input to the DD is stored in the storage element 10.
Through the internal address signal ADD '.

【0008】従来例による回路構成によれば、外部アド
レス信号ADDに与えるべき正規情報(n番地)は、外
部同期信号CLKが、ロウレベルからハイレベルに変化
する期間のみ必要であり、外部同期信号CLKがハイレ
ベルの期間であれば、他の期間は任意の情報を与えて
も、内部アドレス信号ADD′は、正規情報を保持す
る。したがって、外部アドレス信号ADDに与えるべき
正規情報(n番地)の時間的制限が緩和され、サイクル
タイムの高速化を実現できる。
According to the conventional circuit configuration, the normal information (address n) to be given to the external address signal ADD is required only during the period when the external synchronization signal CLK changes from a low level to a high level. Is a high level period, the internal address signal ADD 'holds regular information even if arbitrary information is given in other periods. Therefore, the time limit of the regular information (address n) to be given to the external address signal ADD is relaxed, and the cycle time can be shortened.

【0009】ところで、一般に、スタチックメモリ回路
に適用される外部同期信号制御型入出力回路は、多くの
半導体回路を搭載するために、その動作により、電源配
線にノイズが発生するばかりか、スタチックメモリ回路
自体の動作からも、同様に電源配線にノイズが発生す
る。
In general, an external synchronous signal control type input / output circuit applied to a static memory circuit has a large number of semiconductor circuits mounted thereon. Noise also occurs in the power supply wiring from the operation of the tick memory circuit itself.

【0010】このようなノイズが発生した場合の従来例
のアドレス入出力回路の動作を図7を参照して説明す
る。
The operation of the conventional address input / output circuit when such noise occurs will be described with reference to FIG.

【0011】図7に示しているように、GND配線に上
向きノイズが発生した場合である。このような場合に
は、たとえば外部同期信号CLKが十分なハイレベルで
あっても、実効的な入力電圧は、外部同期信号CLKの
ハイレベル電位とGND配線の電位の差電圧で決まる。
したがって、GNDに対して上向きノイズが発生する
と、アドレス入力回路は、一瞬ロウレベルを感知する。
この場合、内部同期信号CLK′には下向きノイズが加
わったようになる。
FIG. 7 shows a case where upward noise is generated in the GND wiring. In such a case, for example, even when the external synchronization signal CLK is at a sufficiently high level, the effective input voltage is determined by the difference voltage between the high level potential of the external synchronization signal CLK and the potential of the GND wiring.
Therefore, when upward noise is generated with respect to GND, the address input circuit senses the low level for a moment.
In this case, downward noise is added to the internal synchronization signal CLK '.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、内部同
期信号CLK′の変化は、外部同期信号制御型入出力回
路に重大な悪影響を与える。即ち、この変化により、ト
ランスファーゲート素子は、非導通状態から一瞬導通状
態に移行してしまう。よって、この時、外部アドレス信
号ADDに与えられている任意のm番地の情報は、記憶
素子に伝えられるとともに、再びトランスファーゲート
素子が非導通状態に戻るから、そのm番地の情報が保持
される。結果的に内部アドレス信号ADD′に伝えられ
る情報は正規のn番地からm番地に変化し誤動作にな
る。したがって、外部同期信号CLKのハイレベルスレ
ッショルド電圧が著しく悪化する。
However, the change of the internal synchronization signal CLK 'has a serious adverse effect on the external synchronization signal control type input / output circuit. That is, due to this change, the transfer gate element shifts from the non-conductive state to the conductive state for a moment. Therefore, at this time, the information of the arbitrary address given to the external address signal ADD is transmitted to the storage element, and the transfer gate element returns to the non-conductive state again, so that the information of the address m is held. . As a result, the information transmitted to the internal address signal ADD 'changes from the normal address n to the address m, causing a malfunction. Therefore, the high-level threshold voltage of external synchronization signal CLK is significantly deteriorated.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、記憶素
子と該記憶素子への伝達をつかさどるトランスファーゲ
ート素子を接続して情報記憶回路を構成し、該トランス
ファーゲート素子の入力信号を、外部端子から入力され
る外部同期信号に基づいた制御信号によってデータの入
出力の伝達を制御する外部同期信号制御型入出力回路に
おいて、前記外部同期信号にノイズが畳重され、該畳重
されたノイズによって前記情報記憶回路で論理変化を起
こす期間には該論理変化を打ち消すための内部パルス信
号を生成する内部パルス生成回路と、前記ノイズが畳重
された外部同期信号と前記内部パルス信号とを受け、前
記ノイズの畳重が打ち消された外部同期信号を前記制御
信号として出力するノイズ論理変化取消回路とを有する
ことを特徴とする外部同期信号制御型入出力回路が得ら
れる。
According to the present invention, an information storage circuit is formed by connecting a storage element and a transfer gate element which controls transmission to the storage element, and an input signal of the transfer gate element is supplied to an external device. In an external synchronization signal control type input / output circuit for controlling transmission and reception of data by a control signal based on an external synchronization signal input from a terminal, noise is superimposed on the external synchronization signal, and the superposed noise is Receiving an internal pulse signal for generating an internal pulse signal for canceling the logical change during a period in which a logical change occurs in the information storage circuit; and an external synchronizing signal and the internal pulse signal in which the noise is superimposed. A noise logic change canceling circuit for outputting, as the control signal, an external synchronizing signal from which the noise multiplication has been cancelled. Part synchronous signal controlled output circuit is obtained.

【0014】[0014]

【作用】ノイズが発生すると、内部パルス生成回路は、
内部パルス信号を生成する。ノイズ変化打消回路ではこ
の内部パルス信号に応じてノイズによる論理変化が打ち
消される。
[Operation] When noise is generated, the internal pulse generation circuit
Generate an internal pulse signal. In the noise change canceling circuit, a logical change due to noise is canceled according to the internal pulse signal.

【0015】[0015]

【実施例】本発明の一実施例による外部同期信号制御型
入出力回路を図面を用いて説明する。図1には本発明の
一実施例による外部同期信号制御型入出力回路を従来例
同様アドレス入力回路に適用した場合が示され、図2に
はその内部動作波形が示されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An external synchronization signal control type input / output circuit according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a case where an external synchronizing signal control type input / output circuit according to an embodiment of the present invention is applied to an address input circuit as in the conventional example, and FIG. 2 shows an internal operation waveform thereof.

【0016】本実施例の外部同期信号制御型入出力回路
は、スタチックメモリ回路の記憶素子20,22とトラ
ンスファーゲート素子21とを備え、図5の従来例と異
なる点は、内部パルス生成回路23とノイズ論理変化取
消回路24とを有することである。ノイズ論理変化取消
回路24は、各種のゲート回路(インバータ回路a1
4,a15,a16,a17、2入力NOR回路d2、
2入力NAND回路e1,e2)で構成され、インバー
タ回路a14,a15とによる遅延回路を含む。
The external synchronizing signal control type input / output circuit of this embodiment includes storage elements 20 and 22 of a static memory circuit and a transfer gate element 21. The difference from the conventional example of FIG. 23 and a noise logic change canceling circuit 24. The noise logic change canceling circuit 24 includes various gate circuits (inverter circuit a1).
4, a15, a16, a17, a two-input NOR circuit d2,
It is composed of two-input NAND circuits e1 and e2) and includes a delay circuit formed by inverter circuits a14 and a15.

【0017】図1及び図3を参照して、内部パルス生成
回路23は、内部同期信号CLK′を生成する従来例と
同一の内部同期信号バッファ回路13を含む。CLK端
子にノイズが発生した場合、この内部同期信号ハッファ
回路13からの内部同期信号CLK′に下向きのVの字
で図示されたローレベルの論理変化を生じさせてしま
う。この論理変化の信号を打ち消すように上記遅延回路
によってt0 の期間だけハイレベルの内部パルス信号O
Sを生成する。これにより、ノイズの論理変化を取消す
ことができ、節点n1では全くノイズの影響を受けな
い。
Referring to FIGS. 1 and 3, internal pulse generating circuit 23 includes an internal synchronizing signal buffer circuit 13 for generating internal synchronizing signal CLK 'which is the same as the conventional example. When noise occurs at the CLK terminal, the internal synchronization signal CLK 'from the internal synchronization signal huffer circuit 13 causes a low-level logic change shown by a downward V-shaped character. Internal pulse signal O only period t 0 by the delay circuit so as to cancel a signal of the logic change the high level
Generate S. Thereby, the logical change of the noise can be canceled, and the node n1 is not affected by the noise at all.

【0018】即ち、GND配線に上向きノイズが発生し
た場合、従来例と同様に内部同期信号CLK′には、下
向きノイズが加わったようになる。しかしながら、同時
にハイレベルの内部パルス信号OSにより、節点n1は
ハイレベルの状態を保持し続ける。よって、トランスフ
ァーゲート素子21は非導通状態を保持し、スタチック
メモリ回路の記憶素子201から記憶素子22に対して
非導通である。結果的に内部アドレス信号ADD′に伝
えられた正規のn番地情報は変化しない。
That is, when upward noise is generated in the GND wiring, downward noise is added to the internal synchronization signal CLK 'as in the conventional example. However, at the same time, the node n1 keeps the high level state due to the high level internal pulse signal OS. Therefore, the transfer gate element 21 maintains the non-conductive state, and is non-conductive from the storage element 201 to the storage element 22 of the static memory circuit. As a result, the normal address information transmitted to the internal address signal ADD 'does not change.

【0019】次に、図4を参照して、本発明の外部同期
信号制御型入出力回路をその入力をセンスアンプ出力S
AOUT、その出力をスタチックメモリ回路の出力DO
UTに変えても、図1同様、電源のノイズに対し、正し
い動作をすることは言うまでもない。
Next, referring to FIG. 4, the input / output circuit of the external synchronization signal control type of the present invention is connected to a sense amplifier output S.
AOUT, the output of which is the output DO of the static memory circuit
Needless to say, even if the UT is changed to the UT, as in FIG.

【0020】尚、本発明は、上記した実施例に限定され
ず、本発明の構成を含む全ての実施例に効果があるの
は、言うまでもない。
It is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but is effective for all embodiments including the configuration of the present invention.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
内部パルス生成回路とノイズ論理変化取消回路とを有す
るので、ノイズによる誤動作を防止することができると
いう効果がある。
As described above, according to the present invention,
Since the internal pulse generating circuit and the noise logic change canceling circuit are provided, there is an effect that malfunction due to noise can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例による外部同期信号制御
型入出力回路である。
FIG. 1 is an external synchronization signal control type input / output circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の動作波形図である。FIG. 2 is an operation waveform diagram of FIG.

【図3】図1の電源配線にノイズが発生した場合の動作
波形図である。
FIG. 3 is an operation waveform diagram when noise occurs in the power supply wiring of FIG. 1;

【図4】本発明の第2の実施例による外部同期信号制御
型入出力回路である。
FIG. 4 is an external synchronization signal control type input / output circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図5】外部同期信号制御型入出力回路の従来例であ
る。
FIG. 5 is a conventional example of an external synchronization signal control type input / output circuit.

【図6】図5の動作波形図である。6 is an operation waveform diagram of FIG.

【図7】電源配線にノイズが発生した場合の図5の動作
波形図である。
FIG. 7 is an operation waveform diagram of FIG. 5 when noise occurs in a power supply wiring.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

13 遅延回路 20,22 記憶素子 21 トランスファーゲート素子 23 内部パルス生成回路 24 ノイズ変化打消回路 ADD 外部アドレス信号 ADD′ 内部アドレシス信号 CLK 外部同期信号 CLK′ 内部同期信号 a1〜a17 インバータ回路 b1 PチャネルMOSトランジスタ c1 MチャネルMOSトランジスタ n1 節点 d1,d2 NOR回路 e1,e2 NAND回路 SAOUT センスアンプ出力 DOUT 出力 OS 内部パルス信号 Reference Signs List 13 delay circuit 20, 22 storage element 21 transfer gate element 23 internal pulse generation circuit 24 noise change canceling circuit ADD external address signal ADD 'internal address signal CLK external synchronization signal CLK' internal synchronization signal a1 to a17 inverter circuit b1 P-channel MOS transistor c1 M-channel MOS transistor n1 Node d1, d2 NOR circuit e1, e2 NAND circuit SAOUT Sense amplifier output DOUT output OS Internal pulse signal

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11C 11/413 H03K 19/003 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G11C 11/413 H03K 19/003

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 記憶素子と該記憶素子への伝達をつかさ
どるトランスファーゲート素子を接続して情報記憶回路
を構成し、該トランスファーゲート素子の入力信号を、
外部端子から入力される外部同期信号に基づいた制御信
号によってデータの入出力の伝達を制御する外部同期信
号制御型入出力回路において、前記外部同期信号にノイ
ズが畳重され、該畳重されたノイズによって前記情報記
憶回路で論理変化を起こす期間には該論理変化を打ち消
すための内部パルス信号を生成する内部パルス生成回路
と、前記ノイズが畳重された外部同期信号と前記内部パ
ルス信号とを受け、前記ノイズの畳重が打ち消された外
部同期信号を前記制御信号として出力するノイズ論理変
化取消回路とを有することを特徴とする外部同期信号制
御型入出力回路。
An information storage circuit is formed by connecting a storage element and a transfer gate element that controls transmission to the storage element, and an input signal of the transfer gate element is
In an external synchronization signal control type input / output circuit that controls transmission and reception of data by a control signal based on an external synchronization signal input from an external terminal, noise is superimposed on the external synchronization signal, and the superimposition is performed. An internal pulse generation circuit for generating an internal pulse signal for canceling the logical change during a period in which a logical change is caused in the information storage circuit by noise, and an external synchronizing signal and the internal pulse signal in which the noise is superimposed. A noise logic change canceling circuit for receiving, as the control signal, an external synchronizing signal from which the superposition of the noise has been canceled.
【請求項2】 請求項1に記載の外部同期信号制御型入
出力回路において、前記内部パルス生成回路は、2入力
論理和回路、2入力論理積否定回路、2入力論理積回
路、及び遅延回路とを備え、前記2入力論理和回路、2
入力論理積否定回路、及び遅延回路は前記ノイズが畳重
された外部同期信号をそれぞれ受け、該遅延回路は遅延
信号を前記2入力論理和回路と前記2入力論理積否定回
路とのそれぞれの入力として出力し、該2入力論理和回
路からの論理和出力と前記2入力論理積否定回路からの
論理積否定出力とを前記2入力論理積回路の入力として
出力し、該2入力論理積回路は前記内部パルス信号を出
力することを特徴とする外部同期信号制御型入出力回
路。
2. The external synchronous signal control type input / output circuit according to claim 1, wherein said internal pulse generation circuit is a two-input logical sum circuit, a two-input logical product negation circuit, a two-input logical product circuit, and a delay circuit. The two-input OR circuit;
An input NAND circuit and a delay circuit each receive an external synchronizing signal on which the noise is superimposed, and the delay circuit outputs a delayed signal to each of the two-input OR circuit and the two-input AND circuit. And outputs the logical sum output from the two-input logical sum circuit and the logical negation output from the two-input logical negation circuit as inputs to the two-input logical product circuit. An external synchronization signal control type input / output circuit, which outputs the internal pulse signal.
JP4206708A 1992-08-03 1992-08-03 External synchronous signal control type input / output circuit Expired - Lifetime JP2907250B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4206708A JP2907250B2 (en) 1992-08-03 1992-08-03 External synchronous signal control type input / output circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4206708A JP2907250B2 (en) 1992-08-03 1992-08-03 External synchronous signal control type input / output circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0660670A JPH0660670A (en) 1994-03-04
JP2907250B2 true JP2907250B2 (en) 1999-06-21

Family

ID=16527804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4206708A Expired - Lifetime JP2907250B2 (en) 1992-08-03 1992-08-03 External synchronous signal control type input / output circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2907250B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0660670A (en) 1994-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100239099B1 (en) Electronic flip-flop circuit
US20060044925A1 (en) Limited output address register technique providing selectively variable write latency in DDR2 (double data rate two) integrated circuit memory devices
JP3252678B2 (en) Synchronous semiconductor memory
JPH07202686A (en) Pulse generator
US6122220A (en) Circuits and methods for generating internal signals for integrated circuits by dynamic inversion and resetting
KR20000065711A (en) Internal clock signal generating circuit having pulse generator
US5493530A (en) Ram with pre-input register logic
US6154415A (en) Internal clock generation circuit of semiconductor device and method for generating internal clock
JP4575300B2 (en) Master latch circuit with dynamic flip-flop signal level substitution
US20050134347A1 (en) Soft-error rate hardened pulsed latch
US5146111A (en) Glitch-proof powered-down on chip receiver with non-overlapping outputs
JP2907250B2 (en) External synchronous signal control type input / output circuit
US6346823B1 (en) Pulse generator for providing pulse signal with constant pulse width
US5606526A (en) Glitch-free dual clok read circuit
JPH0197014A (en) Semiconductor integrated circuit
US5978310A (en) Input buffer for a semiconductor memory device
JP3016757B2 (en) Address transition detection circuit
US6172527B1 (en) Output circuit capable of reducing feedthrough current
JP3270411B2 (en) Address decoding device
KR960011208B1 (en) Semiconductor memory device
US6140855A (en) Dynamic-latch-receiver with self-reset pointer
JP3109986B2 (en) Signal transition detection circuit
JP3044634B2 (en) Semiconductor storage device
US5940345A (en) Combinational logic feedback circuit to ensure correct power-on-reset of a four-bit synchronous shift register
US6285216B1 (en) High speed output enable path and method for an integrated circuit device

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990303