JP2902703B2 - Dimmable strobe control circuit - Google Patents

Dimmable strobe control circuit

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JP2902703B2
JP2902703B2 JP2000090A JP2000090A JP2902703B2 JP 2902703 B2 JP2902703 B2 JP 2902703B2 JP 2000090 A JP2000090 A JP 2000090A JP 2000090 A JP2000090 A JP 2000090A JP 2902703 B2 JP2902703 B2 JP 2902703B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、調光式ストロボの制御回路、詳しくは写
真撮影等に使用する調光式ストロボ装置における発光用
放電管の発光および発光停止を効率良く行う制御回路に
関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a control circuit for a dimmable strobe, more specifically, a method of controlling the emission and stop of a light emission discharge tube in a dimmable strobe device used for photographing and the like. The present invention relates to a control circuit that performs the processing efficiently.

[従来の技術] 周知のように、調光式ストロボ装置を用いた閃光発光
撮影は被写体に向けて発光用放電管を発光させ、最適露
光値に達した時点で上記発光を停止させるものである。
また、上記ストロボ装置の発光用放電管の発光を制御す
るには、従来、発光用放電管に半導体スイッチング素子
としてサイリスタを直列に接続し、同サイリスタの導通
をオン,オフ制御することによって行うのが一般的であ
った。
[Prior Art] As is well known, flashlight photography using a dimmable strobe device causes a light-emitting discharge tube to emit light toward a subject, and stops the light emission when an optimum exposure value is reached. .
Further, in order to control the light emission of the light emitting discharge tube of the above-mentioned strobe device, conventionally, a thyristor is connected in series as a semiconductor switching element to the light emitting discharge tube, and the conduction of the thyristor is controlled on and off. Was common.

しかし、この従来のサイリスタ制御式ストロボ回路
は、サイリスタをオンさせるための点弧回路およびサイ
リスタをオフさせるための消弧用転流回路がそれぞれ必
要となり回路が複雑で高価になという欠点があった。
However, this conventional thyristor-controlled strobe circuit has a drawback that a firing circuit for turning on the thyristor and a commutation circuit for extinguishing the thyristor are required, and the circuit is complicated and expensive. .

そこで、この欠点を除去するためにサイリスタに替え
て、近年実用化されたゲート絶縁型バイポーラトランジ
スタ(Insulated Gate Bipolar Transistor)(以下、I
GBTという)、等のゲート制御型スイッチング素子を用
いたストロボ用制御回路(特開昭64−17033号公報参
照)が提供されている。
Therefore, in order to eliminate this drawback, a thyristor is replaced with an insulated gate bipolar transistor (hereinafter referred to as I) which has been put into practical use in recent years.
A flash control circuit using a gate-controlled switching element such as GBT (see Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 64-17033) is provided.

このゲート制御型スイッチング素子を用いたストロボ
制御回路は、従来のサイリスタを用いたストロボ制御回
路に比べると、素子そのものゝ機能である自己消弧型素
子を用いているため、転流回路が不要であるという特徴
を有している。しかしながら、このIGBT等の制御素子を
充分に導通状態に制御するためには、そのゲートにサイ
リスタよりは高い数10Vという電圧を印加する必要があ
る。
The strobe control circuit using the gate control type switching element does not require a commutation circuit because it uses a self-extinguishing element, which is a function of itself, compared to a conventional strobe control circuit using a thyristor. There is a feature that there is. However, in order to control the control element such as the IGBT to a sufficiently conductive state, it is necessary to apply a voltage of several tens of volts higher than that of the thyristor to its gate.

この数10Vという高いゲート電圧を得る手段として
は、従来、特開昭64−17033号公報に開示されている、I
GBTを使用したストロボ制御回路に示されている手段が
ある。この制御回路は、第5図に示すように、メインコ
ンデンサCを高圧充電するためのバッテリ電源昇圧回路
100に昇圧用コイルSを付設し、このコイルSによって
誘起された交流電圧を、トランジスタQ1,ツェナーダイ
オードZD,大容量の平滑用コンデンサC1からなる定電圧
回路101で直流の定電圧に変換し、数10Vのゲート印加用
電圧を作り、これをスイッチング用トランジスタQ2を介
してIGBTのゲートに印加するようにしている。上記トラ
ンジスタQ2は制御信号発生回路102から発せられる発光
開始信号によりオンするトランジスタQ3によりオン動作
をするようになっており、また上記信号発生回路102か
ら発光停止信号が発せられたときには、トランジスタQ4
およびQ5がオンし、上記トランジスタQ2,Q3がオフする
ことによりIGBTへのゲート電圧の印加を除去するように
している。
Means for obtaining a gate voltage as high as several tens of volts have been disclosed in JP-A-64-17033.
There is a means shown in the strobe control circuit using GBT. As shown in FIG. 5, the control circuit includes a battery power booster for charging the main capacitor C at a high voltage.
And attaching a boosting coil S 100, converts the induced AC voltage by the coil S, the transistor Q 1, the Zener diode ZD, the constant voltage of direct current constant voltage circuit 101 and a smoothing capacitor C 1 of the large and, making the gate application voltage of several 10V, so that applied to the gate of the IGBT which via the switching transistor Q 2. Above when the transistor Q 2 is adapted to the on-operation by the transistor Q 3 to turn on the light emission start signal generated from the control signal generating circuit 102, also the emission stop signal from the signal generating circuit 102 is issued, the transistor Q 4
And Q 5 is turned on, the transistor Q 2, Q 3 is followed by removal of gate voltage is applied to IGBT by off.

また、このストロボ制御回路においては、発光用放電
管Xeに直列に接続されたIGBTのコレクタに、上記放電管
Xeのトリガ電極に高圧のトリガ電圧を印加するためのト
リガトランスTが接続されていて、IGBTの導通時にトリ
ガコンデンサC2に充電されトリガトランスTに高圧が誘
起されてトリガ電極にこれが印加されるようになってい
る。
In this strobe control circuit, the discharge tube Xe is connected to the collector of the IGBT connected in series to the discharge tube Xe for light emission.
Xe high pressure trigger voltage to the trigger electrode to trigger the transformer T is plugged for application of this is applied to the trigger electrode pressure is induced in the trigger transformer T is charged in the trigger capacitor C 2 during conduction of the IGBT It has become.

一方、ゲート制御型スイッチング素子として周知のFE
T(電界効果型トランジスタ)を用いたストロボ制御回
路も特開昭61−50126号公報によって開示されている
が、この制御回路においても発光用放電管に直列に接続
されたFETのゲート電圧は、上記IGBTのゲート電圧を得
る手段と全く同様の手段が採用されている。
On the other hand, FE, which is well known as a gate control switching element,
A flash control circuit using a T (field-effect transistor) is also disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 61-50126. In this control circuit, however, the gate voltage of a FET connected in series to a discharge tube for light emission is as follows. The same means as that for obtaining the gate voltage of the IGBT is employed.

[発明が解決しようとする課題] ところが、上記IGBTやFET等ノゲート制御型素子を用
いたストロボ制御回路においては、上述のように、ゲー
ト電極印加用の電圧をストロボ電源昇圧回路100を利用
して得ているため、 昇圧用トランスの巻線に昇圧用コイルSを付設するた
めの中間タップを設けなければならない。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in a strobe control circuit using a non-gate control type element such as the IGBT or FET, as described above, a voltage for applying a gate electrode is applied by using a strobe power supply boosting circuit 100. Therefore, an intermediate tap for attaching the step-up coil S to the winding of the step-up transformer must be provided.

昇圧用コイルSに誘起された交流電圧を、安定した数
10Vのゲート印加用電圧にするために、トランジスタ
Q1,ツェナーダイオードZD,大容量の平滑用コンデンサC
1からなる定電圧回路101を設けなければならない。
The AC voltage induced in the step-up coil S is
Transistor to make 10V gate application voltage
Q 1 , Zener diode ZD, large-capacity smoothing capacitor C
A constant voltage circuit 101 consisting of 1 must be provided.

ゲート電極への電圧を持続するために複数のスイッチ
ング用トランジスタQ2,Q3,Q4,Q5からなるゲート回路
103が必要になる。
A gate circuit consisting of a plurality of switching transistors Q 2 , Q 3 , Q 4 , Q 5 to maintain the voltage to the gate electrode
103 is required.

という回路を複雑化し、部品点数を多くしコスト高に
するという欠点がある。
However, there is a disadvantage that the circuit becomes complicated, the number of parts is increased, and the cost is increased.

IGBTのゲート分布容量は一般に大きいから、ゲートバ
イアス抵抗値が大きい場合には発光信号に同期してIGBT
をオンさせようとしても、ゲートバイアス抵抗値とこの
分布容量とによって立ち上がり遅れが発生して、スイッ
チングが遅れ、飽和電圧が十分に下がらず、素子が破壊
に至るおそれがある。
Since the gate distribution capacitance of an IGBT is generally large, when the gate bias resistance is large, the IGBT is synchronized with the light emission signal.
Is turned on, a rise delay occurs due to the gate bias resistance value and the distributed capacitance, switching is delayed, the saturation voltage is not sufficiently reduced, and the element may be destroyed.

本発明の目的は、IGT等のゲート制御型のスイッチン
グ素子を使用したストロボ制御回路における上記従来の
欠点を除去し、複雑なゲート駆動電源用回路を必要とせ
ず、部品点数も少なく極めてシンプルな構成であって、
しかも上記スイッチング素子が破壊に至るおそれを無く
した調光式ストロボの制御回路を提供するにある。
An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned conventional disadvantages in a strobe control circuit using a gate control type switching element such as an IGT, eliminate the need for a complicated gate drive power supply circuit, and reduce the number of components and make the configuration extremely simple. And
Another object of the present invention is to provide a dimmable strobe control circuit which eliminates the possibility that the switching element is destroyed.

[課題を解決するための手段] 本発明による第1の調光式ストロボの制御回路は、電
源を含む昇圧回路と、該昇圧回路によって充電されるメ
インコンデンサと、発光用放電管と、上記メインコンデ
ンサの発光用放電管を含む放電経路中に直列接続された
ゲート制御型の第1のスイッチング素子を有するストロ
ボ装置において、発光開始信号に応答し、上記放電管の
トリガ電極に対して起動電圧を印加し、放電管を導通状
態に励起するトリガ手段と、 上記発光開始信号が発生する前に上記ゲート制御型スイ
ッチング素子のゲート電極に電圧を印加し、該スイッチ
ング素子を導通状態に転じさせるゲート電極制御手段と
を具備し、上記ゲート電極制御手段により該スイッチン
グ素子が導通状態に転じた後に発光開始信号を発生させ
ており、 第2の調光式ストロボの制御回路は、上記ゲート電極
制御手段が、上記第1のスイッチング素子のゲート端子
とエミッタ端子間に接続され、上記第1のスイッチング
素子をターンオフさせる第2のスイッチング素子を含
み、 第3の調光式ストロボ回路は、電源を含む昇圧回路
と、該昇圧回路によって充電されるメインコンデンサ
と、発光用放電管と、発光開始信号に応答して上記発光
用放電管のトリガ電極に対して起動電圧を印加し、放電
管を導通状態に励起するトリガ手段と、上記メインコン
デンサの上記発光用放電管を含む放電経路中に直列接続
されたゲート制御型のスイッチング素子と、上記メイン
コンデンサに接続された抵抗を有し、分圧点が上記ゲー
ト制御型のスイッチング素子のゲート端子に接続される
分圧回路とを具備し、上記発光開始信号が発生する前に
上記ゲート制御型スイッチング素子のゲート電極に電圧
を印加し、該スイッチング素子を導通状態に転じさせて
おり、 第4の調光式ストロボの制御回路は、電源を含み、出
力端に第1のダイオードが接続された昇圧回路と、該昇
圧回路によって充電されるメインコンデンサと、発光用
放電管と、上記メインコンデンサの上記発光用放電管を
含む放電経路中に直列接続されたゲート制御型のスイッ
チング素子と、上記メインコンデンサ充電用の上記昇圧
回路の両端に並列接続され、分圧点が上記ゲート制御型
のスイッチング素子のゲート端子に接続される分圧回路
とを具備し、上記メインコンデンサと上記第1のダイオ
ードの間に、上記分圧回路を介して上記メインコンデン
サの放電を防止する第2のダイオードを介挿しており、 第5の調光式ストロボの制御回路は、第4の調光式ス
トロボの制御回路において、上記分割回路と並列にバイ
アス電源用コンデンサを接続しており、 第6の調光式ストロボの制御回路は、第4の調光式ス
トロボの制御回路において、上記分圧回路は抵抗と定電
圧素子から構成され、上記ゲート制御端子には、上記定
電圧素子によって発生する定電圧を印加し、 第7の調光式ストロボの制御回路は、電源を含む昇圧
回路と、該昇圧回路によって充電されるメインコンデン
サと、発光用放電管と、上記メインコンデンサの発光用
放電管を含む放電経路中に直列接続された倍電圧回路
と、発光開始信号に応答し、上記放電管のトリガ電極に
対して起動電圧を印加し、放電管を導通状態に励起する
トリガ手段と、上記発光開始信号が発生する前に上記ゲ
ート制御型スイッチング素子のゲート電極に電圧を印加
し、該スイッチング素子を導通状態に転じさせるゲート
電極制御手段とを具備し、上記ゲート電極制御手段によ
り該スイッチング素子が導通状態に転じた後に発光開始
信号を発生させており、 第8の調光式ストロボ回路は、電源を含む昇圧回路
と、該昇圧回路によって充電されるメインコンデンサ
と、発光用放電管と、上記メインコンデンサの発光用放
電管を含む放電経路中に直列接続されたゲート制御型の
スイッチング素子と、上記発光用放電管と上記ゲート制
御型のスイッチング素子の間に介挿されたダイオード
と、発光開始信号に応答し、上記放電管のトリガ電極に
対して起動電圧を印加し、放電管を導通状態に励起する
トリガ手段と、上記発光開始信号が発生する前に上記ゲ
ート制御型スイッチング素子のゲート電極に電圧を印加
し、該スイッチング素子を導通状態に転じさせるゲート
電極制御手段とを具備し、上記ゲート電極制御手段によ
り該スイッチング素子が導通状態に転じた後に発光開始
信号を発生させることを特徴とするものである。
[Means for Solving the Problems] A first dimmable strobe control circuit according to the present invention includes a booster circuit including a power supply, a main capacitor charged by the booster circuit, a discharge tube for light emission, In a strobe device having a gate-controlled first switching element connected in series in a discharge path including a discharge tube for light emission of a capacitor, a start voltage is applied to a trigger electrode of the discharge tube in response to a light emission start signal. A trigger means for applying and exciting the discharge tube to a conductive state; and a gate electrode for applying a voltage to the gate electrode of the gate-controlled switching element before the emission start signal is generated, thereby turning the switching element into a conductive state. Control means for generating a light emission start signal after the switching element is turned on by the gate electrode control means. The control circuit of the dimming strobe includes a second switching element in which the gate electrode control means is connected between a gate terminal and an emitter terminal of the first switching element, and turns off the first switching element. The third dimmable strobe circuit includes a booster circuit including a power supply, a main capacitor charged by the booster circuit, a discharge tube for light emission, and a trigger electrode of the discharge tube for light emission in response to a light emission start signal. Triggering means for applying a start-up voltage thereto to excite the discharge tube into a conductive state, a gate-controlled switching element connected in series in a discharge path including the light-emitting discharge tube of the main capacitor, and the main capacitor And a voltage dividing circuit having a voltage dividing point connected to a gate terminal of the gate-controlled switching element. Before the start signal is generated, a voltage is applied to the gate electrode of the gate-controlled switching element to turn the switching element into a conductive state.The control circuit of the fourth dimmable strobe includes a power supply, A booster circuit having a first diode connected to the output terminal, a main capacitor charged by the booster circuit, a discharge tube for light emission, and a series connection in a discharge path including the discharge tube for light emission of the main capacitor. A gate-controlled switching element, and a voltage-dividing circuit connected in parallel to both ends of the booster circuit for charging the main capacitor and having a voltage dividing point connected to a gate terminal of the gate-controlled switching element. A second diode between the main capacitor and the first diode for preventing discharge of the main capacitor via the voltage dividing circuit. The fifth dimmable strobe control circuit includes a bias power supply capacitor connected in parallel with the division circuit in the fourth dimmable strobe control circuit. The strobe control circuit is a fourth dimmable strobe control circuit, wherein the voltage dividing circuit is composed of a resistor and a constant voltage element, and a constant voltage generated by the constant voltage element is applied to the gate control terminal. The control circuit of the seventh dimmable strobe includes a booster circuit including a power supply, a main capacitor charged by the booster circuit, a light emitting discharge tube, and a discharge path including the light emitting discharge tube of the main capacitor. A voltage doubler circuit connected in series, a triggering means for applying a starting voltage to a trigger electrode of the discharge tube in response to a light emission start signal, and exciting the discharge tube to a conductive state; Departure And a gate electrode control means for applying a voltage to the gate electrode of the gate control type switching element before turning on the switching element, and turning on the switching element by the gate electrode control means. After that, a light emission start signal is generated. The eighth dimming type flash circuit includes a booster circuit including a power supply, a main capacitor charged by the booster circuit, a discharge tube for light emission, and light emission of the main capacitor. A gate-controlled switching element connected in series in a discharge path including a discharge tube, a diode interposed between the light-emitting discharge tube and the gate-controlled switching element, and a light-emitting start signal. A trigger means for applying a starting voltage to a trigger electrode of the discharge tube to excite the discharge tube into a conductive state; and generating the light emission start signal. And a gate electrode control means for applying a voltage to the gate electrode of the gate control type switching element before turning on the switching element, and causing the switching element to turn on by the gate electrode control means. After that, a light emission start signal is generated.

[作用] 先ず、昇圧回路が昇圧動作を行うと、メインコンデン
サまたはゲート電極用コンデンサに電荷がチャージさ
れ、その電圧がIGBTのゲートに印加され、IGBTはオン状
態になる。次に発光開始に当っては発光開始信号に応答
してトリガ手段を働かせ、発光用放電管を励起してこれ
を導通状態にする。すると、IGBTは既にゲートにバイア
ス電圧を加えられてオン状態となっているから、放電管
を通じた放電々流はこの第1のスイッチング素子を通じ
て流れ、放電発光が行われる。
[Operation] First, when the boosting circuit performs the boosting operation, the main capacitor or the capacitor for the gate electrode is charged with electric charge, the voltage is applied to the gate of the IGBT, and the IGBT is turned on. Next, at the start of light emission, the trigger means is operated in response to the light emission start signal to excite the discharge tube for light emission to make it conductive. Then, since the IGBT has already been turned on with the bias voltage applied to the gate, the discharge current flowing through the discharge tube flows through the first switching element, and discharge light emission is performed.

そして、発光停止時には、発光停止信号に応答して該
ゲート電極へのバイアス回路からのバイアス電圧の印加
が停止され、自己消弧型の上記第1のスイッチング素子
はターンオフして放電管への電流が断たれて発光が停止
される。
When the light emission is stopped, the application of the bias voltage from the bias circuit to the gate electrode is stopped in response to the light emission stop signal, and the first switching element of the self-extinguishing type is turned off to supply the current to the discharge tube. Is cut off and light emission is stopped.

[実施例] 以下、図示の実施例により本発明を説明する。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described with reference to the illustrated examples.

第1図は、本発明の第1実施例を示す調光式ストロボ
の制御回路であって、発光用放電管1の放電に必要な高
電圧を供給するための電源昇圧回路2の両端には、同昇
圧回路2から供給された電荷を蓄えるメインコンデンサ
3と、抵抗4,サイリスタ5の直列回路と、上記発光用放
電管1,ゲート制御型の第1のスイッチング素子8の直列
回路とがそれぞれ接続されている。
FIG. 1 shows a control circuit of a dimming strobe according to a first embodiment of the present invention, in which a power supply boosting circuit 2 for supplying a high voltage required for discharging a discharge tube 1 for light emission is provided at both ends. A main capacitor 3 for storing the electric charge supplied from the booster circuit 2, a series circuit of the resistor 4, the thyristor 5, and a series circuit of the discharge tube 1 for light emission and the first switching element 8 of the gate control type. It is connected.

上記サイリスタ5は、そのゲートに入力端子9から発
光開始信号が印加されたときオンして、トリガ手段を働
かせるためのものであって、トリガ手段は、上記抵抗4
とサイリスタ5の接続点に一端が接続され他端がトリガ
トランス7の一次巻線に接続されたトリガコンデンサ6
と、二次巻線が上記放電管1のトリガ電極1tに接続され
ていて同電極1tへの励起用高電圧パルスを発生するため
のトリガトランス7と、オンしたときに上記コンデンサ
6に蓄積された充電々荷を上記トリガトランス7の一次
巻線を介して放電させる上記サイリスタ5とで構成され
ている。
The thyristor 5 is turned on when a light emission start signal is applied to the gate of the thyristor 5 from the input terminal 9 to activate the trigger means.
A trigger capacitor 6 having one end connected to the connection point of the trigger transformer 7 and the other end connected to the primary winding of the trigger transformer 7
And a trigger transformer 7 whose secondary winding is connected to the trigger electrode 1t of the discharge tube 1 to generate a high-voltage pulse for excitation to the same electrode 1t, and which is stored in the capacitor 6 when turned on. And the thyristor 5 for discharging the charged charge through the primary winding of the trigger transformer 7.

上記ゲート制御型の第1スイッチング素子8は、その
ゲート電極8gにバイアス電圧が印加されることにより、
コレクタ8cとエミッタ8e間が導通し、ゲート電極8gへの
電圧印加が断たれることによって非導通となる自己消弧
型のゲート制御型のスイッチング素子であり、具体的に
はIGBTまたは電力用FETである。
The gate-controlled first switching element 8 is configured such that a bias voltage is applied to its gate electrode 8g,
A self-extinguishing gate-controlled switching element that conducts between the collector 8c and the emitter 8e and becomes non-conductive when the voltage application to the gate electrode 8g is cut off, specifically, an IGBT or power FET It is.

一方、メインコンデンサ3の正極にはバイアス用抵抗
12の一端が接続され、抵抗12の他端は上記第1のスイッ
チング素子8のゲート電極8gに接続されており、第1の
スイッチング素子8のゲート電極8gとエミッタ電極8e間
にはツェナーダイオード13が並列に接続され、ツェナー
ダイオード13には更に第2のスイッチング素子14である
トランジスタが並列に接続されている。
On the other hand, the positive electrode of the main capacitor 3 has a bias resistor
One end of the resistor 12 is connected to the other end of the resistor 12, and the other end of the resistor 12 is connected to the gate electrode 8g of the first switching element 8. A Zener diode 13 is connected between the gate electrode 8g and the emitter electrode 8e of the first switching element 8. Are connected in parallel, and a transistor as a second switching element 14 is further connected to the Zener diode 13 in parallel.

上記バイアス用抵抗12はゲート電極8gにバイアス電圧
が印加するバイアス回路を構成している。また、上記ツ
ェナーダイオード13はスイッチング素子8のゲート電極
8gに対して、導通のために充分で、かつゲート電極8gが
電圧破壊しない電圧を得るためのものである。
The bias resistor 12 forms a bias circuit for applying a bias voltage to the gate electrode 8g. The Zener diode 13 is a gate electrode of the switching element 8.
This is for obtaining a voltage that is sufficient for conduction with respect to 8 g and does not cause voltage breakdown of the gate electrode 8 g.

他方、上記第2のスイッチング素子14は、発光停止時
に、そのベース電極に入力端子15から発光停止信号が印
加せられてオンするようになっていて、第1のスイッチ
ング素子8のゲート電極8gを同素子8が非導通となる電
圧以下に保持するためのスイッチング素子である。
On the other hand, when the light emission is stopped, the second switching element 14 is turned on by applying a light emission stop signal to the base electrode from the input terminal 15, and connects the gate electrode 8 g of the first switching element 8. This is a switching element for maintaining the element 8 at a voltage or less at which the element 8 becomes non-conductive.

次に、このように構成された第1実施例の制御回路の
動作を、第2図に示すタイムチャートと共に説明する。
先ず、電源スイッチ19のオンにより、メインコンデンサ
3に電源昇圧回路2から発光用放電管1が放電発光をす
るに充分な電圧が充電される。このメインコンデンサ3
の両端の電圧が上昇すると、バイアス用抵抗12を通じて
第1のスイッチング素子8のゲート電極8gには、ゲート
バイアス電圧が印加され第1のスイッチング素子8は導
通状態となる。また、この状態においてはトリガコンデ
ンサ6へも、抵抗4,トリガトランス7の一次巻線を通じ
て同じ電圧が充電される。
Next, the operation of the control circuit of the first embodiment thus configured will be described with reference to the time chart shown in FIG.
First, when the power switch 19 is turned on, the main capacitor 3 is charged from the power booster circuit 2 with a voltage sufficient for the light emitting discharge tube 1 to discharge and emit light. This main capacitor 3
When the voltage at both ends increases, a gate bias voltage is applied to the gate electrode 8g of the first switching element 8 through the biasing resistor 12, and the first switching element 8 is turned on. In this state, the trigger capacitor 6 is charged with the same voltage through the resistor 4 and the primary winding of the trigger transformer 7.

この状態でストロボの発光開始に当って、入力端子9
にサイリスタ5をターンオンするに必要な電圧を有する
発光開始信号Vaが印加されると、サイリスタ5はオンし
トリガコンデンサ6の充電々荷はトリガトランス7の一
次巻線を通じて放電する。すると、トリガトランス7の
二次巻線には、高圧のトリガパルス電圧Vtが発生し、こ
れが放電管1のトリガ電極1tに印加される。放電管1は
トリガ電極1tに高電圧パルスが加わることにより励起さ
れ導通する。このとき、第1のスイッチング素子8は前
述の如く、既に導通状態となっているから、放電管1の
放電々流はスイッチング素子8のコレクタ8cからエミッ
タ8eへと流れ、放電管1の放電発光Vpが行われる。
In this state, at the start of flash emission, the input terminal 9
When a light emission start signal Va having a voltage required to turn on the thyristor 5 is applied to the thyristor 5, the thyristor 5 is turned on and the charge of the trigger capacitor 6 is discharged through the primary winding of the trigger transformer 7. Then, a high trigger pulse voltage Vt is generated in the secondary winding of the trigger transformer 7 and applied to the trigger electrode 1t of the discharge tube 1. The discharge tube 1 is excited by the application of a high voltage pulse to the trigger electrode 1t, and becomes conductive. At this time, since the first switching element 8 is already in the conducting state as described above, the discharge current of the discharge tube 1 flows from the collector 8c to the emitter 8e of the switching element 8, and the discharge light emission of the discharge tube 1 occurs. Vp is performed.

次に、ストロボの発光停止に当っては、他方の入力端
子15に第2のスイッチング素子14をオンさせる発光停止
信号Vbが加えられる。すると、同スイッチング素子14が
オンし、第1のスイッチング素子8のゲート電極8g,エ
ミッタ8e間の電位を下げる。第1のスイッチング素子8
はゲート電位が低下すると、コレクタ8c〜エミッタ8e間
の導通が絶たれる、所謂自己消弧型のスイッチング素子
であるから第2スイッチング素子14のオンで第1スイッ
チング素子8のコレクタ8c〜エミッタ8e間は非導通とな
る。よって放電管1の放電々流は遮断され、放電発光は
停止される。第2スイッチング素子14への発光停止信号
Vbの印加は放電管1の消弧後、除去される。
Next, when the light emission of the strobe is stopped, a light emission stop signal Vb for turning on the second switching element 14 is applied to the other input terminal 15. Then, the switching element 14 is turned on, and the potential between the gate electrode 8g and the emitter 8e of the first switching element 8 is lowered. First switching element 8
Is a so-called self-extinguishing type switching element in which the conduction between the collector 8c and the emitter 8e is cut off when the gate potential is lowered, so that when the second switching element 14 is turned on, the collector 8c to the emitter 8e of the first switching element 8 Becomes non-conductive. Therefore, the discharge current of the discharge tube 1 is cut off, and the discharge light emission is stopped. Light emission stop signal to the second switching element 14
The application of Vb is removed after the discharge tube 1 is extinguished.

なお、ツェナーダイオード13は第1スイッチング素子
8のエミッタ8e〜ゲート電極8g間の電圧をクランプし、
ゲート電極8gが破壊しないようにする役目をするもので
あるが、第1スイッチング素子8のゲート電極8gの破壊
電圧がメインコンデンサ3の充電々圧以上であれば必要
ない。
The Zener diode 13 clamps the voltage between the emitter 8e and the gate electrode 8g of the first switching element 8,
This serves to prevent the gate electrode 8g from being destroyed, but is not necessary if the breakdown voltage of the gate electrode 8g of the first switching element 8 is equal to or higher than the charging voltage of the main capacitor 3.

このような電力用ゲート絶縁型スイッチング素子にあ
っては、ゲート電極に電圧が印加されるだけで、バイポ
ーラトランジスタのように電流が流れなくともオンする
が、一方オン時の飽和電圧を下げるため、素子面積が大
きくゲートの分布容量も一般的に数千pFと大きい。
In such a power gate insulated switching device, only a voltage is applied to the gate electrode and the transistor is turned on without a current as in a bipolar transistor. The element area is large, and the distributed capacitance of the gate is generally as large as several thousand pF.

従って、抵抗を介してゲート電極にバイアス電圧を加
える場合、ゲートには電流が流れないためバイアス用抵
抗の抵抗値を大きくしても構わないが、従来例のように
発光開始に同期して第1のスイッチング素子をオンさせ
る方式では、ゲートの分布容量のため、抵抗値を大きく
すると、ゲートバイアス電圧の立上がりが遅れ、トリガ
回路のトリガ動作がうまく行われなかったり、第1のス
イッチング素子の飽和電圧が充分下がらないためにスイ
ッチング素子が破壊してしまうという問題があった。
Therefore, when a bias voltage is applied to the gate electrode via the resistor, the current does not flow through the gate, so that the resistance value of the bias resistor may be increased. In the method of turning on the first switching element, if the resistance value is increased due to the distributed capacitance of the gate, the rise of the gate bias voltage is delayed, so that the trigger operation of the trigger circuit is not performed properly or the first switching element is saturated. There is a problem that the switching element is destroyed because the voltage does not drop sufficiently.

しかし、本発明では、発光開始に先立って、メインコ
ンデンサ3の充電と共にゲート電極に電圧を印加してい
るので、バイアス用抵抗の抵抗値を大きくしても、こう
した問題がなく、トランジスタを用いた複雑なゲート制
御回路や大容量のゲートバイアス用電源回路を使わなく
て良い。
However, in the present invention, since the voltage is applied to the gate electrode together with the charging of the main capacitor 3 before the start of light emission, even if the resistance value of the bias resistor is increased, such a problem does not occur, and the transistor is used. There is no need to use a complicated gate control circuit or a large-capacity gate bias power supply circuit.

第3図は、本発明の第2実施例を示す調光式ストロボ
の制御回路である。この第2実施例の制御回路は、上記
第1実施例の制御回路に、倍電圧回路を付加すると共
に、ゲートバイアス用電源コンデンサ11をメインコンデ
ンサ3とは別に設けたものであって、その他の構成は上
記第1実施例の回路と全く同様に構成されている。従っ
て同一の構成部品には同一の符号を付し、その説明は省
略する。
FIG. 3 is a control circuit of a dimming strobe according to a second embodiment of the present invention. The control circuit of the second embodiment differs from the control circuit of the first embodiment in that a voltage doubler circuit is added and a power supply capacitor 11 for gate bias is provided separately from the main capacitor 3. The configuration is exactly the same as the circuit of the first embodiment. Therefore, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

即ち、上記倍電圧回路は上記抵抗4とサイリスタ5の
接続点に一端が接続され、他端が発光用放電管1の陰極
1kに接続された倍電圧用コンデンサ16と、陰極1kとアー
ス間に接続された抵抗17とで構成されている。
That is, the voltage doubler circuit has one end connected to the connection point between the resistor 4 and the thyristor 5 and the other end connected to the cathode of the discharge tube 1 for light emission.
It comprises a voltage doubler capacitor 16 connected to 1k, and a resistor 17 connected between the cathode 1k and the ground.

一方、ゲートバイアス用電源回路は、昇圧回路2の出
力端にアノードを接続した整流用ダイオード20のカソー
ド側に一端を、他端をアースに接続したゲート電源用コ
ンデンサ11と、ダイオード20のカソードとコンデンサ11
の接続点にカソードを、アノードを第1のスイッチング
素子8のコレクタ8cに接続したダイオード10からなって
いる。
On the other hand, the gate bias power supply circuit includes a gate power supply capacitor 11 having one end connected to the cathode side of the rectifier diode 20 having an anode connected to the output terminal of the booster circuit 2 and the other end connected to ground, and a cathode of the diode 20. Capacitor 11
And a diode 10 whose anode is connected to the collector 8c of the first switching element 8.

上記倍電圧用コンデンサ16は、サイリスタ5がオンし
たときに、放電管1の両端にメインコンデンサ3の充電
々圧の略2倍の電圧を印加して、メインコンデンサ3の
充電々圧が低くても放電し易くするためのものである。
When the thyristor 5 is turned on, the voltage doubler capacitor 16 applies a voltage approximately twice as high as the charged voltage of the main capacitor 3 to both ends of the discharge tube 1 so that the charged voltage of the main capacitor 3 is low. Is also for facilitating discharge.

この第2実施例の回路においては、メインコンデンサ
3への充電と共にバイアス電源用コンデンサ11へも充電
が行われ、抵抗12を介して第1のスイッチング素子8の
ゲートにバイアス電圧が印加され、発光動作に先立っ
て、第1のスイッチング素子8はオン状態になる。
In the circuit of the second embodiment, the charging of the bias power supply capacitor 11 is performed simultaneously with the charging of the main capacitor 3, and a bias voltage is applied to the gate of the first switching element 8 via the resistor 12 to emit light. Prior to the operation, the first switching element 8 is turned on.

ダイオード21は昇圧回路2が停止した場合、メインコ
ンデンサ3の充電電荷をゲートバイアス用抵抗12を介し
て放電するのを防ぐためのものである。
The diode 21 prevents the charge of the main capacitor 3 from being discharged via the gate bias resistor 12 when the booster circuit 2 is stopped.

サイリスタ5のオフ時、トリガコンデンサ6と倍電圧
用コンデンサ16にはメインコンデンサ3の充電々圧と等
しい電圧がそれぞれ充電されている。
When the thyristor 5 is turned off, the trigger capacitor 6 and the doubler capacitor 16 are charged with the same voltage as the charged voltage of the main capacitor 3, respectively.

この状態で入力端子9に発光開始信号が印加される
と、サイリスタ5がオンして放電管1のトリガ電極1tに
励起用高電圧パルスを印加すると共に、放電管1の陰極
1kをマイナス電位に引き下げる。このようにして放電管
1が励起されると、放電管1の陽極1a〜陰極1k間は導通
状態となる。そして、放電管1が導通すると、既に第1
のスイッチング素子8はオンしているのでメインコンデ
ンサ3からの放電々流が放電管1,ダイオード18,第1の
スイッチング素子8を通じて流れる。この後、第1のス
イッチング素子8のターンオンからターンオフまでの動
作は、上記第1実施例の回路で説明した通りである。
When a light emission start signal is applied to the input terminal 9 in this state, the thyristor 5 is turned on, and a high-voltage pulse for excitation is applied to the trigger electrode 1t of the discharge tube 1 and the cathode of the discharge tube 1
Reduce 1k to minus potential. When the discharge tube 1 is excited in this way, a conduction state is established between the anode 1a and the cathode 1k of the discharge tube 1. When the discharge tube 1 becomes conductive, the first
Since the switching element 8 is turned on, the discharge current from the main capacitor 3 flows through the discharge tube 1, the diode 18, and the first switching element 8. Thereafter, the operation from turning on to turning off of the first switching element 8 is as described in the circuit of the first embodiment.

また、この第2実施例の回路においては、放電管1の
陰極1kと第1スイッチング素子8のコレクタ8cとの間に
ダイオード18が接続されているが、これはサイリスタ5
がオンしたときに倍電圧用コンデンサ16の充電々圧によ
り、放電管1の陰極1kがマイナス電位に引かれたときに
スイッチング素子8がコレクタ8cが同じ電位になって、
同素子8が破壊されるのを防ぐために入れられたもので
あるが、素子8のコレクタ8cの破壊電圧が充分大きけれ
ば必要ない。
In the circuit of the second embodiment, a diode 18 is connected between the cathode 1k of the discharge tube 1 and the collector 8c of the first switching element 8.
Is turned on, the switching element 8 has the collector 8c at the same potential when the cathode 1k of the discharge tube 1 is pulled to a minus potential by the charged voltage of the capacitor for voltage doubling 16;
This element is inserted to prevent the element 8 from being destroyed, but is not necessary if the breakdown voltage of the collector 8c of the element 8 is sufficiently large.

第4図は、上記第3図の第2実施例の制御回路におい
て、入力端子9と15に繰り返しパルス信号を加え、赤目
防止等のために比較的短い周期による繰返し発光を行わ
せる場合のタイミングチャートを示したものである。
FIG. 4 is a timing chart of the control circuit according to the second embodiment shown in FIG. 3 in the case where a pulse signal is repeatedly applied to the input terminals 9 and 15 to cause repetitive light emission at a relatively short cycle to prevent red-eye and the like. It is a chart.

これは発光開始時に、一方の入力端子9に発光開始信
号Vaが加えられて放電管1の発光が開始される動作は、
前述の通りである。また、発光を中断する場合に入力端
子15に発光停止信号Vbの電流を加え、第2のスイッチン
グ素子14をオンさせて第1のスイッチング素子8のゲー
ト電位を下げ、素子8をオフさせ放電を中断する。しか
し、第1のスイッチング素子8のオフによって同素子8
のコレクタ電位Vcは上昇し、これによりゲートバイアス
電源用コンデンサ11が再びダイオード18,10を通じてチ
ャージされる。放電管1は電流を断たれても活性状態に
あるので、この活性状態にある間は端子15に“H"のレベ
ル電圧を加えておき、不活性になった時点で“L"のレベ
ル電圧に戻すと第2のスイッチング素子14がオフし、再
び第1のスイッチング素子8のゲート8gにバイアス電圧
が加わり、スイッチング素子8が再びオンする。する
と、第1のスイッチング素子8のゲート電位Vgは再び、
ゲートバイアス電源用コンデンサ11のチャージ電圧で上
昇し、スイッチング素子8がターンオンする。そして、
次の発光タイミングで端子9に再び信号“H"を与える
と、再び放電管1にトリガ信号が加わり、放電管1が励
起されて放電発光が行われる。以後、放電停止動作につ
いては、第1回目の動作と同じに行われる。
This is because, at the start of light emission, an operation in which a light emission start signal Va is applied to one input terminal 9 and light emission of the discharge tube 1 is started,
As described above. Further, when the light emission is interrupted, the current of the light emission stop signal Vb is applied to the input terminal 15 to turn on the second switching element 14 to lower the gate potential of the first switching element 8, turn off the element 8, and discharge. Interrupt. However, when the first switching element 8 is turned off,
, The gate bias power supply capacitor 11 is charged through the diodes 18 and 10 again. Since the discharge tube 1 is in an active state even when the current is cut off, an "H" level voltage is applied to the terminal 15 during this active state, and when it becomes inactive, the "L" level voltage is applied. Then, the second switching element 14 is turned off, a bias voltage is again applied to the gate 8g of the first switching element 8, and the switching element 8 is turned on again. Then, the gate potential Vg of the first switching element 8 again becomes
The voltage rises with the charge voltage of the gate bias power supply capacitor 11, and the switching element 8 is turned on. And
When the signal "H" is supplied again to the terminal 9 at the next light emission timing, a trigger signal is again applied to the discharge tube 1, and the discharge tube 1 is excited to perform discharge light emission. Thereafter, the discharge stop operation is performed in the same manner as the first operation.

また、一般的には、ストロボは充電動作を行う場合、
大きな電源電流を消費するため、レリーズボタンが押さ
れて撮影動作が開始されると、ストロボの電源スイッチ
19はオフされる。すると、ゲートバイアス電源用コンデ
ンサ11の電荷はバイアス抵抗12を介して放電するが、連
続で繰返して発光する場合、放電停止のたびにコンデン
サ11が充電されるので、コンデンサ11の容量を小さくで
きる。
Also, in general, when the flash performs a charging operation,
When the release button is pressed and the shooting operation is started, the power switch of the strobe is
19 is turned off. Then, the charge of the gate bias power supply capacitor 11 is discharged via the bias resistor 12, but when the light is emitted continuously and repeatedly, the capacitor 11 is charged every time the discharge is stopped, so that the capacitance of the capacitor 11 can be reduced.

また、以上説明した実施例の制御回路においては、説
明を簡単にするために、電流制限用抵抗,サイリスタの
カソード〜ゲート間のシャント抵抗,コンデンサおよび
トランジスタのエミッタ〜ベース間のシャント抵抗等は
省略してある。
In the control circuit of the embodiment described above, the current limiting resistor, the shunt resistor between the cathode and the gate of the thyristor, the shunt resistor between the emitter and the base of the capacitor and the transistor, and the like are omitted for the sake of simplicity. I have.

上記各実施例によれば、IGBT等の自己消弧型のゲート
制御型スイッチング素子を使用したストロボ制御回路に
おいて、高圧回路から抵抗を介して上記スイッチング素
子のバイアス電圧を得るようにしたので、明細書冒頭に
述べた、この種従来の制御回路のように、上記スイッチ
ング素子のゲート電極をバイアスするための電源を、昇
圧回路から別電圧として独立に設ける必要がなく、また
バイアス用電源のための平滑用の大容量コンデンサ,定
電圧素子等も不要となり、更に放電発光前からバイアス
電圧がゲート電極に加わるようにしたゝめ、従来のよう
にバイアス電源からゲート電極に対して電圧を印加する
ための、複数のトランジスタからなるゲート回路も不要
になる。
According to the above embodiments, in a strobe control circuit using a self-extinguishing type gate control switching element such as an IGBT, a bias voltage of the switching element is obtained from a high voltage circuit via a resistor. It is not necessary to provide a power supply for biasing the gate electrode of the switching element as a separate voltage from the booster circuit, unlike the conventional control circuit of this type, which is described at the beginning of the book. A large-capacity capacitor for smoothing, a constant-voltage element, etc. are no longer required, and a bias voltage is applied to the gate electrode before discharge emission, so that a voltage is applied to the gate electrode from a bias power supply as in the past. However, a gate circuit including a plurality of transistors is not required.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上述べたように本発明によれば、トリガ手段による
励起動作以前にゲート制御型スイッチング素子を導通状
態にさせ、または、スイッチング素子のゲート端子にメ
インコンデンサ若しくは昇圧回路からの電圧を分圧して
印加するようにしたので、複雑なゲート駆動用電源回路
を必要とせず、部品点数も極めて少ないシンプルな構成
であって、しかも上記スイッチング素子が破壊に至るお
それを無くした調光式ストロボの制御回路を提供するこ
とができる。
As described above, according to the present invention, the gate control type switching element is made conductive before the excitation operation by the trigger means, or the voltage from the main capacitor or the booster circuit is divided and applied to the gate terminal of the switching element. Therefore, there is no need for a complicated gate drive power supply circuit, a simple configuration with a very small number of components, and a control circuit for a dimming type strobe that eliminates the risk of destruction of the switching element. Can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、本発明の第1実施例を示す調光式ストロボの
制御回路の電気回路図、 第2図は、上記第1実施例の制御回路のタイムチャー
ト、 第3図は、本発明の第2実施例を示す調光式ストロボの
制御回路の電気回路図、 第4図は、上記第2実施例の制御回路におけるストロボ
連続発光時のタイムチャート、 第5図は、従来の調光式ストロボの制御回路の一例を示
す電気回路図である。 1……発光用放電管 1t……トリガ電極 2……電源昇圧回路 3……メインコンデンサ 5……サイリスタ(トリガ手段) 6……トリガコンデンサ(トリガ手段) 7……トリガトランス(トリガ手段) 8……ゲート制御型の第1スイッチング素子 8g……ゲート電極 11……ゲートバイアス電源用コンデンサ 14……第2のスイッチング素子
FIG. 1 is an electric circuit diagram of a control circuit of a dimmable strobe showing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a time chart of the control circuit of the first embodiment, and FIG. FIG. 4 is an electric circuit diagram of a control circuit of a dimmable strobe showing a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a time chart at the time of continuous stroboscopic light emission in the control circuit of the second embodiment. FIG. FIG. 2 is an electric circuit diagram illustrating an example of a control circuit of the strobe light. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Discharge tube for light emission 1t ... Trigger electrode 2 ... Power supply booster circuit 3 ... Main capacitor 5 ... Thyristor (trigger means) 6 ... Trigger capacitor (trigger means) 7 ... Trigger transformer (trigger means) 8 ... First gate control type switching element 8g Gate electrode 11 Capacitor for gate bias power supply 14 Second switching element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−282529(JP,A) 特開 平1−265237(JP,A) 特開 平1−254820(JP,A) 特開 昭64−17033(JP,A) 実開 平2−80997(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03B 15/05 H05B 41/30 - 43/02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-1-282529 (JP, A) JP-A-1-265237 (JP, A) JP-A-1-254820 (JP, A) JP-A 64-64 17033 (JP, A) Japanese Utility Model Hei 2-80997 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) G03B 15/05 H05B 41/30-43/02

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】電源を含む昇圧回路と、該昇圧回路によっ
て充電されるメインコンデンサと、発光用放電管と、上
記メインコンデンサの発光用放電管を含む放電経路中に
直列接続されたゲート制御型の第1のスイッチング素子
を有するストロボ装置において、 発光開始信号に応答し、上記放電管のトリガ電極に対し
て起動電圧を印加し、放電管を導通状態に励起するトリ
ガ手段と、 上記発光開始信号が発生する前に上記ゲート制御型スイ
ッチング素子のゲート電極に電圧を印加し、該スイッチ
ング素子を導通状態に転じさせるゲート電極制御手段
と、 を具備し、 上記ゲート電極制御手段により該スイッチング素子が導
通状態に転じた後に発光開始信号を発生させることを特
徴とする調光式ストロボの制御回路。
1. A booster circuit including a power supply, a main capacitor charged by the booster circuit, a discharge tube for light emission, and a gate control type connected in series in a discharge path including the discharge tube for light emission of the main capacitor. A trigger device for applying a starting voltage to a trigger electrode of the discharge tube in response to a light emission start signal to excite the discharge tube to a conductive state; and the light emission start signal. And a gate electrode control means for applying a voltage to the gate electrode of the gate-controlled switching element before the occurrence of the switching element to turn the switching element into a conductive state, wherein the switching element is turned on by the gate electrode control means. A control circuit for a dimmable strobe, wherein a light emission start signal is generated after the state is changed to a state.
【請求項2】上記ゲート電極制御手段は、上記第1のス
イッチング素子のゲート端子とエミッタ端子間に接続さ
れ、上記第1のスイッチング素子をターンオフさせる第
2のスイッチング素子を含むことを特徴とする請求項1
に記載の調光式ストロボの制御回路。
2. The gate electrode control means includes a second switching element connected between a gate terminal and an emitter terminal of the first switching element and turning off the first switching element. Claim 1
3. A control circuit for a light control type flash according to claim 1.
【請求項3】電源を含む昇圧回路と、 該昇圧回路によって充電されるメインコンデンサと、 発光用放電管と、 発光開始信号に応答して上記発光用放電管のトリガ電極
に対して起動電圧を印加し、放電管を導通状態に励起す
るトリガ手段と、 上記メインコンデンサの上記発光用放電管を含む放電経
路中に直列接続されたゲート制御型のスイッチング素子
と、 上記メインコンデンサに接続された抵抗を有し、分圧点
が上記ゲート制御型のスイッチング素子のゲート端子に
接続される分圧回路と、 を具備し、 上記発光開始信号が発生する前に上記ゲート制御型スイ
ッチング素子のゲート電極に電圧を印加し、該スイッチ
ング素子を導通状態に転じさせることを特徴とする調光
式ストロボの制御回路。
3. A booster circuit including a power supply, a main capacitor charged by the booster circuit, a discharge tube for light emission, and a starting voltage for a trigger electrode of the discharge tube for light emission in response to a light emission start signal. Trigger means for applying and exciting the discharge tube to a conductive state; a gate-controlled switching element connected in series in a discharge path including the light emitting discharge tube of the main capacitor; and a resistor connected to the main capacitor. A voltage dividing circuit having a voltage dividing point connected to a gate terminal of the gate-controlled switching element, wherein the voltage-dividing point is connected to the gate electrode of the gate-controlled switching element before the emission start signal is generated. A control circuit for a dimming type strobe, wherein a voltage is applied to turn on the switching element.
【請求項4】電源を含み、出力端に第1のダイオードが
接続された昇圧回路と、 該昇圧回路によって充電されるメインコンデンサと、 発光用放電管と、 上記メインコンデンサの上記発光用放電管を含む放電経
路中に直列接続されたゲート制御型のスイッチング素子
と、 上記メインコンデンサ充電用の上記昇圧回路の両端に並
列接続され、分圧点が上記ゲート制御型のスイッチング
素子のゲート端子に接続される分圧回路と、 を具備し、 上記メインコンデンサと上記第1のダイオードの間に、
上記分圧回路を介して上記メインコンデンサの放電を防
止する第2のダイオードを介挿したことを特徴とする調
光式ストロボの制御回路。
4. A booster circuit including a power supply and having a first diode connected to an output terminal, a main capacitor charged by the booster circuit, a light emitting discharge tube, and the light emitting discharge tube of the main capacitor. A gate-controlled switching element connected in series in a discharge path including: a booster circuit for charging the main capacitor, connected in parallel to both ends of the booster circuit, and a voltage dividing point connected to a gate terminal of the gate-controlled switching element. And a voltage dividing circuit, wherein: a voltage dividing circuit is provided between the main capacitor and the first diode.
A control circuit for a dimmable strobe, wherein a second diode for preventing discharge of the main capacitor is inserted through the voltage dividing circuit.
【請求項5】上記分圧回路と並列にバイアス電源用コン
デンサを接続したことを特徴とする請求項4に記載の調
光式ストロボの制御回路。
5. The control circuit according to claim 4, wherein a bias power supply capacitor is connected in parallel with said voltage dividing circuit.
【請求項6】上記分圧回路は抵抗と定電圧素子から構成
され、上記ゲート制御端子には、上記定電圧素子によっ
て発生する定電圧が印加されることを特徴とする請求項
3乃至5に記載の調光式ストロボの制御回路。
6. The voltage dividing circuit according to claim 3, wherein the voltage dividing circuit comprises a resistor and a constant voltage element, and a constant voltage generated by the constant voltage element is applied to the gate control terminal. A control circuit for the dimmable strobe described.
【請求項7】電源を含む昇圧回路と、 該昇圧回路によって充電されるメインコンデンサと、 発光用放電管と、 上記メインコンデンサの発光用放電管を含む放電経路中
に直列接続された倍電圧回路と、 発光開始信号に応答し、上記放電管のトリガ電極に対し
て起動電圧を印加し、放電管を導通状態に励起するトリ
ガ手段と、 上記発光開始信号が発生する前に上記ゲート制御型スイ
ッチング素子のゲート電極に電圧を印加し、該スイッチ
ング素子を導通状態に転じさせるゲート電極制御手段
と、 を具備し、 上記ゲート電極制御手段により該スイッチング素子が導
通状態に転じた後に発光開始信号を発生させることを特
徴とする調光式ストロボの制御回路。
7. A booster circuit including a power supply, a main capacitor charged by the booster circuit, a light emitting discharge tube, and a voltage doubler circuit connected in series in a discharge path including the light emitting discharge tube of the main capacitor. And trigger means for applying a starting voltage to a trigger electrode of the discharge tube in response to a light emission start signal to excite the discharge tube into a conductive state; and the gate control type switching before the light emission start signal is generated. Gate electrode control means for applying a voltage to the gate electrode of the element to switch the switching element into a conductive state, and generating a light emission start signal after the switching element is switched to a conductive state by the gate electrode control means A control circuit for a dimmable strobe light.
【請求項8】電源を含む昇圧回路と、 該昇圧回路によって充電されるメインコンデンサと、 発光用放電管と、 上記メインコンデンサの発光用放電管を含む放電経路中
に直列接続されたゲート制御型のスイッチング素子と、 上記発光用放電管と上記ゲート制御型のスイッチング素
子の間に介挿されたダイオードと、 発光開始信号に応答し、上記放電管のトリガ電極に対し
て起動電圧を印加し、放電管を導通状態に励起するトリ
ガ手段と、 上記発光開始信号が発生する前に上記ゲート制御型スイ
ッチング素子のゲート電極に電圧を印加し、該スイッチ
ング素子を導通状態に転じさせるゲート電極制御手段
と、 を具備し、 上記ゲート電極制御手段により該スイッチング素子が導
通状態に転じた後に発光開始信号を発生させることを特
徴とする調光式ストロボの制御回路。
8. A booster circuit including a power supply, a main capacitor charged by the booster circuit, a discharge tube for light emission, and a gate control type connected in series in a discharge path including the discharge tube for light emission of the main capacitor. A switching element, a diode inserted between the discharge tube for light emission and the switching element of the gate control type, and applying a starting voltage to a trigger electrode of the discharge tube in response to a light emission start signal; Trigger means for exciting the discharge tube to a conductive state, and gate electrode control means for applying a voltage to the gate electrode of the gate-controlled switching element before the light emission start signal is generated, and turning the switching element into a conductive state. Wherein a light emission start signal is generated after the switching element is turned on by the gate electrode control means. Control circuit of the optical type flash.
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