JP2901407B2 - Mask resistance direction recognition method - Google Patents

Mask resistance direction recognition method

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JP2901407B2
JP2901407B2 JP4029826A JP2982692A JP2901407B2 JP 2901407 B2 JP2901407 B2 JP 2901407B2 JP 4029826 A JP4029826 A JP 4029826A JP 2982692 A JP2982692 A JP 2982692A JP 2901407 B2 JP2901407 B2 JP 2901407B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マスク抵抗の方向認識
方法に関し、特に同一方向の配置を必要とするマスク抵
抗の方向認識方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of recognizing a direction of a mask resistor, and more particularly to a method of recognizing a direction of a mask resistor requiring arrangement in the same direction.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のマスク抵抗の方向認識方法につい
て、以下に図5乃至図8を参照して説明する。
2. Description of the Related Art A conventional method of recognizing the direction of a mask resistor will be described below with reference to FIGS.

【0003】図5は従来の一例を説明するためのマスク
抵抗の方向認識フロー図である。図5に示すように、従
来のマスク抵抗の方向を認識にあたっては、先ず、ステ
ップ501でマスク抵抗用データベース21より任意の
抵抗路の両端のコンタクトアルミの付属情報を読み出
し、所定のメモリに格納する。次に、ステップ502で
所定のメモリに格納されたコンタクトアルミの付属情報
から座標を抽出し、ステップ503で抽出した座標から
線分ベクトルを演算で求める。次に、ステップ504で
上記線分ベクトルのX成分が0が否かを判定し、X成分
が0の場合にはステップ511で抵抗の方向を垂直方向
と認識して終了する。一方、X成分が0でない場合はス
テップ505で上記線分ベクトルのY成分が0か否かを
判定し、Y成分が0の場合にはステップ510で抵抗の
方向を水平方向と認識して終了する。逆に、Y成分が0
でない場合はステップ506で上記線分ベクトルから傾
きを算出し、その傾きが正の場合はステップ509で抵
抗の方向を右斜め向きと認識して終了し、傾きが負の場
合はステップ508で抵抗の方向を左斜め向きと認識し
て終了する。
FIG. 5 is a flowchart for explaining the direction of a mask resistor for explaining an example of the related art. As shown in FIG. 5, in recognizing the direction of a conventional mask resistor, first, in step 501, information attached to contact aluminum at both ends of an arbitrary resistance path is read from the mask resistor database 21 and stored in a predetermined memory. . Next, in step 502, coordinates are extracted from the accessory information of the contact aluminum stored in a predetermined memory, and a line segment vector is obtained by calculation from the coordinates extracted in step 503. Next, in step 504, it is determined whether or not the X component of the line segment vector is 0. If the X component is 0, the direction of the resistance is recognized as the vertical direction in step 511, and the process ends. On the other hand, if the X component is not 0, it is determined in step 505 whether or not the Y component of the line segment vector is 0. If the Y component is 0, the direction of the resistance is recognized as the horizontal direction in step 510 and the processing is terminated. I do. Conversely, if the Y component is 0
If not, the gradient is calculated from the line segment vector in step 506. If the gradient is positive, the flow proceeds to step 509 to recognize the direction of the resistance as diagonally right. Is recognized as the diagonally left direction, and the processing ends.

【0004】図6は図5における方向認識フローに基ず
くマスク抵抗の概念図である。図6に示すように、この
マスク抵抗は抵抗路65の両端に配置したコンタクトア
ルミ64および66の付属情報としてのコンタクトアル
ミ座標61と63を線分で結ぶことにより線分ベクトル
62を発生する。
FIG. 6 is a conceptual diagram of a mask resistor based on the direction recognition flow in FIG. As shown in FIG. 6, the mask resistor generates a line segment vector 62 by connecting the contact aluminum coordinates 61 and 63 as accessory information of the contact aluminum 64 and 66 disposed at both ends of the resistance path 65 with a line segment.

【0005】図7は図6における線分ベクトルを表現し
たマスク抵抗の概念図である。図7に示すように、上述
した線分ベクトル62はコンタクトアルミ座標61を座
標71のA(X1,Y1)として表現し、コントクトア
ルミ座標63を座標73のB(X2,Y2)として表現
すると、線分ベクトル62は線分72を表わす(1)式
FIG. 7 is a conceptual diagram of a mask resistor expressing the line vector in FIG. As shown in FIG. 7, the above-described line segment vector 62 is expressed by expressing the contact aluminum coordinates 61 as A (X1, Y1) of coordinates 71 and expressing the contact aluminum coordinates 63 as B (X2, Y2) of coordinates 73. , The line segment vector 62 represents the line segment 72 (1)

【0006】 [0006]

【0007】として演算で求める。このマスク抵抗の配
置が水平方向であることは垂直方向の移動量が0となる
ことを利用して次の(2)式で認識し、
[0007] The fact that the arrangement of the mask resistor is in the horizontal direction is recognized by the following equation (2) using the fact that the amount of movement in the vertical direction is 0,

【0008】 [0008]

【0009】マスク抵抗の配置が垂直方向であることは
水平方向の移動量が0となることを利用して次の(3)
式で認識している。
The fact that the arrangement of the mask resistor is in the vertical direction is based on the fact that the amount of movement in the horizontal direction is 0, and the following (3)
Recognize by expression.

【0010】 [0010]

【0011】図8は図7と同様に折り曲げたマスク抵抗
の線分ベクトルを表現した概念図である。図8に示すよ
うに、折り曲げた形状のマスク抵抗の場合は、コンタク
トアルミ座標81と83によって決まる線分ベストルか
ら82から、傾きが正となることで認識し、一方左斜め
方向であることを傾きが負となることで認識している。
FIG. 8 is a conceptual diagram expressing a line vector of a bent mask resistor similarly to FIG. As shown in FIG. 8, in the case of a mask resistor having a bent shape, it is recognized from a line segment vestle 82 determined by the contact aluminum coordinates 81 and 83 that the inclination is positive, and it is recognized that the inclination is in the left diagonal direction. We recognize that the slope is negative.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマスク
抵抗の方向認識方法は、マスク抵抗が水平方向であるか
垂直方向であるかの認識をするために、コンタクトアル
ミ座標から線分ベクトルを求める演算を行なう必要があ
り、演算のためのコンピュータ処理時間を必要としてい
る。また、マスク抵抗を折り曲げた形状で作成した場合
は、線分ベクトルが斜めになり、方向の成分である直線
の傾きを、傾き=(Y2−Y1)/(X2−X2)とし
て演算する必要もある。
In the above-described conventional method of recognizing the direction of a mask resistor, a line segment vector is obtained from contact aluminum coordinates in order to recognize whether the mask resistor is in a horizontal direction or a vertical direction. An operation must be performed, and a computer processing time for the operation is required. Further, when the mask resistor is formed in a bent shape, the line segment vector becomes oblique, and it is necessary to calculate the inclination of a straight line which is a component of the direction as inclination = (Y2-Y1) / (X2-X2). is there.

【0013】本発明の目的は、かかる演算のためのコン
ピュータ処理時間を短縮するとともに、斜め方向の認識
も容易にするマスク抵抗の方向認識方法を提供すること
にある。
It is an object of the present invention to provide a method of recognizing a direction of a mask resistor, which can shorten a computer processing time for such an operation and facilitate recognition of an oblique direction.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明のマスク抵抗の方
向認識方法は、レイアウト上の抵抗データを抵抗毎に格
納しているマスク抵抗用データベースからマスク抵抗の
方向を認識する方法において、前記マスク抵抗用データ
ベースから任意の抵抗の抵抗路の両端に配置された2つ
のコンタンクトアルミの付属情報を読み出して所定のメ
モリに格納する第1のステップと、前記第1のステップ
で所定のメモリに格納した前記コンタンクトアルミの付
属情報である矩形の4辺に上下左右を意味する認識文字
を付加する第2のステップと、前記メモリに格納されて
いる前記コンタクトアルミの付属情報である矩形の4辺
に前記第2のステップで付加した上下左右を意味する認
識文字の中から、前記抵抗路の両端に接する辺に付加さ
れた認識文字を抽出する第3のステップと、前記第3の
ステップで抽出した認識文字を結合して文字列を作成す
る第4のステップと、前記第4のステップで作成した文
字列を前記任意の抵抗の方向として認識する第5のステ
ップとを含んで構成される。
According to the present invention, there is provided a method for recognizing a direction of a mask resistor, comprising recognizing a direction of the mask resistor from a mask resistor database storing resistance data on a layout for each resistor. a first step of storing in a predetermined memory reads accessory information of the two con Tankuto aluminum arranged at both ends of the resistance track of any resistance from the resistance database, the first step
A second step of adding recognition characters meaning up, down, left, and right to four sides of a rectangle, which is auxiliary information of the contact aluminum stored in a predetermined memory, and
4 sides of the rectangle which is the attached information of the contact aluminum
To the top, bottom, left and right added in the second step
Of the literary characters , added to the sides in contact with both ends of the resistance path
A third step of extracting the recognized recognition character ;
Create a character string by combining the recognized characters extracted in the step
And a sentence created in the fourth step.
A fifth step of recognizing a character string as the direction of the arbitrary resistance.
Tsu configured to include a flop.

【0015】[0015]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は、本発明の一実施例を説明するため
のマスク抵抗の方向認識フロー図である。図1に示すよ
うに、本実施例はマスク抵抗の方向を認識するにあた
り、ステップ101で先ず、マスク抵抗用データベース
11より任意の抵抗の両端のコンタクトアルミの付属情
報を読み出し、それを所定のメモリに格納する。次に、
ステップ102で所定のメモリに格納されたコンタクト
アルミの辺の付属情報に上下左右を意味する任意の記号
を付加する。次いで、ステップ103で所定のメモリに
格納されたコンタクトアルミの辺の付属情報をもとに抵
抗路に接する辺に付加された任意の記号を抽出する。さ
らに、ステップ104で抽出した抵抗路の両端の2辺の
記号を結合し、しかる後ステップ105で結合した記号
が表わす文字列をマスク抵抗の向きとして認識すること
により方向認識を終了する。尚、本実施例では文字列と
して英字を用いているが、英数字および他の記号でも同
様にマスク抵抗の方向を認識することができる。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a flowchart for recognizing the direction of a mask resistor for explaining an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, in the present embodiment, in recognizing the direction of the mask resistor, first, in step 101, the accessory information of the contact aluminum at both ends of an arbitrary resistor is read from the mask resistor database 11 and stored in a predetermined memory. To be stored. next,
In step 102, any symbol meaning up, down, left, or right is added to the accessory information of the side of the contact aluminum stored in the predetermined memory. Next, in step 103, an arbitrary symbol added to the side that is in contact with the resistance path is extracted based on the attached information of the side of the contact aluminum stored in a predetermined memory. Further, the symbols on the two sides at both ends of the resistance path extracted in step 104 are combined, and thereafter, in step 105, the character string represented by the combined symbol is recognized as the direction of the mask resistor, thereby terminating the direction recognition. In this embodiment, alphabetic characters are used as character strings. However, alphanumeric characters and other symbols can similarly recognize the direction of the mask resistor.

【0016】図2は図1における方向認識フローに基ず
くマスク抵抗の概念図である。図2に示すように、マス
ク抵抗路22の形状を折り曲げた形で構成し、コンタク
トアルミ21,23を形成する4角形の4辺に付加する
記号に英文字A〜Dを用いた例である。かかるマスク抵
抗の任意に付加した記号25〜29,210〜212に
おいて、25と29はそれぞれコンタクトアルミ21,
23の上辺を示す記号Aであり、26と210はそれぞ
れコンタクトアルミ21,23の左辺を示す記号Bであ
る。同様に、27と211はそれぞれコンタクトアルミ
21,23の下辺を示す記号Cであり、28と212は
それぞれコンタクトアルミ21,23の右辺を示す記号
Dである。ここで、コンタクトアルミ21の右辺を示す
記号である28のDと、コンタクトアルミ23の下辺を
示す記号である211のCとを結合すると、マスク抵抗
22の方向を示す記号である213のDCを発生するこ
とができる。このとき、マスク上の全コンタクトアルミ
の上辺,左辺,下辺,右辺を同一方向に付加するための
基準およびコンタクトアルミ21と23のどちらを始点
として記号を結合するかの基準に、マスクの原点座標2
4を利用している。
FIG. 2 is a conceptual diagram of a mask resistor based on the direction recognition flow in FIG. As shown in FIG. 2, this is an example in which the mask resistor path 22 is formed in a bent shape, and English characters A to D are used as symbols added to the four sides of the square forming the contact aluminum 21 and 23. . In the symbols 25 to 29 and 210 to 212 arbitrarily added to the mask resistors, 25 and 29 represent contact aluminum 21,
23 is a symbol A indicating the upper side, and 26 and 210 are symbols B indicating the left sides of the contact aluminum 21 and 23, respectively. Similarly, 27 and 211 are symbols C indicating the lower sides of the contact aluminum 21 and 23, respectively, and 28 and 212 are symbols D indicating the right side of the contact aluminum 21 and 23, respectively. Here, when D of 28 indicating the right side of the contact aluminum 21 and C of 211 indicating the lower side of the contact aluminum 23 are combined, the DC of 213 indicating the direction of the mask resistor 22 is changed. Can occur. At this time, the origin coordinates of the mask are determined based on a reference for adding the upper side, left side, lower side, and right side of all contact aluminum on the mask in the same direction and a reference for determining which one of the contact aluminum 21 and 23 is used as a starting point for combining symbols. 2
4 is used.

【0017】図3は本発明の他の実施例を説明するため
のマスク抵抗の方向認識フロー図である。図3に示すよ
うに、本実施例は先ずステップ301でマスク抵抗用デ
ータベース31より任意の抵抗の両端のコンタクトアル
ミの付属情報を読み出し、所定のメモリに格納する。次
に、ステップ302で所定のメモリに格納されたコンタ
クトアルミの辺の付属情報に上下左右を意味する任意の
記号を付加する。次いで、ステップ303で所定のメモ
リに格納されたコンタクトアルミの抵抗路と接する辺が
2つ以上あるか否かを判定し、もし2つ以上の場合には
ステップ304でコンタクトアルミの太らせを行なって
抵抗路と接する辺を決定する。次に、ステップ303お
よびステップ304の完了により、ステップ305で抵
抗路と接する辺に付加された任意の記号を抽出する。さ
らに、ステップ306で抽出した抵抗路の両端の2辺の
記号を結合し、しかる後ステップ307で結合した記号
が表わす文字列をマスク抵抗の向きとして認識すること
により方向認識を終了する。
FIG. 3 is a flow chart for recognizing the direction of a mask resistor for explaining another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, in this embodiment, first, in step 301, information attached to contact aluminum at both ends of an arbitrary resistor is read from the mask resistor database 31 and stored in a predetermined memory. Next, in step 302, an arbitrary symbol meaning up, down, left, or right is added to the accessory information of the side of the contact aluminum stored in the predetermined memory. Next, in step 303, it is determined whether or not there are two or more sides in contact with the resistance path of the contact aluminum stored in the predetermined memory. If there are two or more sides, in step 304, the contact aluminum is thickened. To determine the side that contacts the resistance path. Next, upon completion of steps 303 and 304, an arbitrary symbol added to the side in contact with the resistance path in step 305 is extracted. Further, the symbols on the two sides at both ends of the resistance path extracted in step 306 are combined, and thereafter, in step 307, the character string represented by the combined symbol is recognized as the direction of the mask resistor, thereby terminating the direction recognition.

【0018】図4は図3における方向認識フローに基ず
くマスク抵抗の概念図である。図4に示すように、この
マスク抵抗は抵抗路42の形状をずんどうの形で構成
し、コンタクトアルミ41,43を形成する4角形の4
辺に任意に付加する記号に英文字A〜Dを用いた1例で
ある。かかるマスク抵抗の任意に付加した記号45〜4
9,410〜412において、45と49はそれぞれコ
ンタクトアルミの上辺を示す記号Aであり、46と41
0はそれぞれコンタクトアルミ41,43の左辺を示す
記号Bである。同様に、47と411はそれぞれコンタ
クトアルミ41,43の下辺を示す記号Cであり、48
と412はそれぞれコンタクトアルミ41,43の右辺
を示す記号Dである。ここで、コンタクトアルミ41,
43の4辺全部が抵抗の外枠に包含されているので、コ
ンタクトアルミ41を点線枠414までの太らせを行な
い、コンタクトアルミ43を点線枠415までの太らせ
を行なうことにより、抵抗42と接する辺を決定し、し
かる後コンタクトアルミ41の右辺を示す記号である4
8のDとコンタクトアルミ43の左辺を示す記号である
410のBとを結合すると、マスク抵抗42の方向を示
す記号である413のDBを発生することができる。こ
のとき、マスク上の全コンタクトアルミの上辺,左辺,
下辺,右辺を同一方向に付加するための基準およびコン
タクトアルミ41と43のどちらを始点として記号を結
合するかの基準に、マスクの原点座標44を利用してい
る。
FIG. 4 is a conceptual diagram of a mask resistor based on the direction recognition flow in FIG. As shown in FIG. 4, this mask resistor is formed by forming the shape of the resistance path 42 in a solid shape, and forming a square four-sided contact aluminum 41, 43.
This is an example in which English characters A to D are used as symbols arbitrarily added to sides. Symbols 45 to 4 arbitrarily added to such mask resistors
In 9, 410 to 412, 45 and 49 are symbols A indicating the upper side of the contact aluminum, respectively, and 46 and 41.
0 is a symbol B indicating the left side of the contact aluminum 41, 43, respectively. Similarly, 47 and 411 are symbols C indicating the lower sides of the contact aluminum 41 and 43, respectively.
And 412 are symbols D indicating the right side of the contact aluminum 41 and 43, respectively. Here, contact aluminum 41,
Since all four sides of 43 are included in the outer frame of the resistor, the contact aluminum 41 is thickened up to the dotted frame 414 and the contact aluminum 43 is thickened up to the dotted frame 415, so that the resistor 42 The side to be in contact with is determined.
By combining D of 8 and B of 410, which is a symbol indicating the left side of the contact aluminum 43, DB of 413, which is a symbol indicating the direction of the mask resistor 42, can be generated. At this time, the top and left sides of all contact aluminum on the mask
The origin coordinate 44 of the mask is used as a reference for adding the lower side and the right side in the same direction and for determining which of the contact aluminum 41 and 43 is used as a starting point for combining symbols.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のマスク抵
抗の方向認識方法は、演算を行なう必要がないため、コ
ンピュータ処理時間を短縮させることができるという効
果がある。また、折り曲げた形状のマスク抵抗に対する
斜め方向の認識にあたり、16通り(4辺×4辺)の認
識が可能になる。
As described above, the method of recognizing the direction of the mask resistor according to the present invention does not require any operation, and thus has the effect of reducing the computer processing time. Also, in the oblique direction recognition of the mask resistor having the bent shape, 16 types (4 sides × 4 sides) can be recognized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例を説明するためのマスク抵抗
の方向認識フロー図である。
FIG. 1 is a flowchart for recognizing a direction of a mask resistor for explaining an embodiment of the present invention.

【図2】図1における方向認識フローに基ずくマスク抵
抗の概念図である。
FIG. 2 is a conceptual diagram of a mask resistance based on a direction recognition flow in FIG.

【図3】本発明の他の実施例を説明するためのマスク抵
抗の方向認識フロー図である。
FIG. 3 is a flowchart for recognizing a direction of a mask resistor for explaining another embodiment of the present invention.

【図4】図3における方向認識フローに基ずくマスク抵
抗の概念図である。
FIG. 4 is a conceptual diagram of a mask resistor based on the direction recognition flow in FIG.

【図5】従来の一例を説明するためのマスク抵抗の方向
認識フロー図である。
FIG. 5 is a flowchart for recognizing a direction of a mask resistor for explaining an example of the related art.

【図6】図5における方向認識フローに基ずくマスク抵
抗の概念図である。
6 is a conceptual diagram of a mask resistor based on the direction recognition flow in FIG.

【図7】図6における線分ベクトルを表現したマスク抵
抗の概念図である。
FIG. 7 is a conceptual diagram of a mask resistor expressing a line segment vector in FIG. 6;

【図8】図7と同様に折り曲げたマスク抵抗の線分ベク
トルを表現した概念図である。
FIG. 8 is a conceptual diagram expressing a line vector of a mask resistor bent as in FIG. 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,41,51 マスク抵抗データベース 21,23,41,43 コンタクトアルミ 22,42 抵抗路 24,44 マスクの原点座標 25〜29,210〜212,45〜49,410〜4
12 コンタクトアムリの辺に付加した任意の記号
11, 41, 51 Mask resistance database 21, 23, 41, 43 Contact aluminum 22, 42 Resistance path 24, 44 Coordinate of origin of mask 25-29, 210-212, 45-49, 410-4
12 Arbitrary symbols added to the side of Contact Amuri

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 レイアウト上の抵抗データを抵抗毎に格
納しているマスク抵抗用データベースからマスク抵抗の
方向を認識する方法において、前記マスク抵抗用データ
ベースから任意の抵抗の抵抗路の両端に配置された2つ
のコンタンクトアルミの付属情報を読み出して所定のメ
モリに格納する第1のステップと、前記第1のステップ
で所定のメモリに格納した前記コンタンクトアルミの付
属情報である矩形の4辺に上下左右を意味する認識文字
を付加する第2のステップと、前記メモリに格納されて
いる前記コンタクトアルミの付属情報である矩形の4辺
に前記第2のステップで付加した上下左右を意味する認
識文字の中から、前記抵抗路の両端に接する辺に付加さ
れた認識文字を抽出する第3のステップと、前記第3の
ステップで抽出した認識文字を結合して文字列を作成す
る第4のステップと、前記第4のステップで作成した文
字列を前記任意の抵抗の方向として認識する第5のステ
ップとを含むことを特徴とするマスク抵抗の方向認識方
法。
1. A method of recognizing a direction of a mask resistor from a mask resistor database storing resistance data on a layout for each resistor, wherein the mask resistor database is arranged at both ends of a resistance path of an arbitrary resistor from the mask resistor database. a first step of storing in a predetermined memory reads two of the additional information con Tankuto aluminum was, the first step
A second step of adding recognition characters meaning up, down, left, and right to four sides of a rectangle, which is auxiliary information of the contact aluminum stored in a predetermined memory, and
4 sides of the rectangle which is the attached information of the contact aluminum
To the top, bottom, left and right added in the second step
Of the literary characters , added to the sides in contact with both ends of the resistance path
A third step of extracting the recognized recognition character ;
Create a character string by combining the recognized characters extracted in the step
And a sentence created in the fourth step.
A fifth step of recognizing a character string as the direction of the arbitrary resistance.
Direction recognition method of the mask resistance, characterized in that it comprises a-up.
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