JP2900521B2 - Reference voltage generation circuit - Google Patents

Reference voltage generation circuit

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JP2900521B2
JP2900521B2 JP14192690A JP14192690A JP2900521B2 JP 2900521 B2 JP2900521 B2 JP 2900521B2 JP 14192690 A JP14192690 A JP 14192690A JP 14192690 A JP14192690 A JP 14192690A JP 2900521 B2 JP2900521 B2 JP 2900521B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は基準電圧発生回路に関し、特に、バンドギャ
ップリファレンス型の基準電圧発生回路に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reference voltage generation circuit, and more particularly, to a bandgap reference type reference voltage generation circuit.

[従来の技術] 第5図は従来の基準電圧発生回路を示す回路図であ
る。
[Prior Art] FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional reference voltage generating circuit.

第5図に示すように、同一サイズの1対のp型MOSト
ランジスタMP1,MP2は、そのゲートが相互に接続され、
そのソースが電源VDDに接続されている。一方、エミッ
タ面積が相互に異なるpnpトランジスタQP1,QP2(エミッ
タ面積;QP1>QP2)は、そのベースがバイアス電源VB
共通接続され、そのコレクタが接地GNDに接続されてい
る。そして、pnpトランジスタQP1,QP2のエミッタは、夫
々抵抗R1,R2及び抵抗R3を介してp型MOSトランジスタMP
1,MP2のドレインに接続されている。オペアンプA1は電
源VDDと接地GNDとの間に設けられていて、その負入力が
抵抗R3とトランジスタMP2のドレインとの間に接続さ
れ、その正入力が抵抗R1と抵抗R2との間に接続され、そ
の出力がトランジスタMP1,MP2の共通ゲートに帰還され
ている。出力端子OUTは抵抗R2とトランジスタMP1のドレ
インとの間に接続されている。
As shown in FIG. 5, a pair of p-type MOS transistors MP 1 and MP 2 of the same size have their gates connected to each other.
Its source is connected to the power supply V DD . On the other hand, pnp transistors QP 1, QP 2 the emitter area are different from each other (the emitter area; QP 1> QP 2) has a base connected in common to a bias power supply V B, the collector connected to ground GND. The emitters of the pnp transistors QP 1 and QP 2 are connected to the p-type MOS transistor MP via resistors R 1 , R 2 and R 3 , respectively.
It is connected to the drain of the 1, MP 2. Operational amplifier A 1 is provided between the power supply V DD and the ground GND, its negative input is connected between the drain of the resistor R 3 and a transistor MP 2, the positive input resistors R 1 and R 2 And its output is fed back to the common gate of the transistors MP 1 and MP 2 . The output terminal OUT is connected between the drain of the resistor R 2 and the transistor MP 1.

このように構成される基準電圧発生回路においては、
オペアンプA1の出力をトランジスタMP1,MP2のゲートに
帰還することにより、安定状態においてバイアス電源VB
と出力端子OUTとの間の基準電圧VREFが温度及び電源電
圧の変化に対して略一定に保たれるという特性を示す。
このような特性は、トランジスタQP1,QP2に等しい電流
を流したときに、トランジスタQP1のエミッタ・ベース
間電圧VBE1とトランジスタQP2のエミッタ・ベース間電
圧VBE2との関係がVBE1>VBE2となることにより安定す
る。しかしながら、この場合、電源投入時にはトランジ
スタQP1,QP2に等しい電流が流れにくい。これにより、
トランジスタQP2の電流が小さくなり、オペアンプA1
負入力が正入力に対して低い電圧になって正帰還がかか
ると、トランジスタQP2は電流が増々流れにくくなる。
そうすると、出力端子OUTにおける出力電圧がある特定
の電圧に固定され、基準電圧発生回路としての機能を果
たさなくなってしまう。そこで、このような欠点を改善
した基準電圧発生回路が提案されている。
In the reference voltage generation circuit configured as described above,
By feeding the output of the operational amplifier A 1 to the gate of the transistor MP 1, MP 2, the bias power source V B at stable state
It shows a characteristic that the reference voltage V REF between the output terminal OUT and the reference voltage V OUT is kept substantially constant with changes in temperature and power supply voltage.
Such characteristics, when a current of equal current to the transistor QP 1, QP 2, the relationship between the emitter-base voltage V BE2 of the transistor QP 1 emitter-base voltage V BE1 and the transistor QP 2 is V BE1 > V BE2 stabilizes. However, in this case, it is difficult for a current equal to the transistors QP 1 and QP 2 to flow when the power is turned on. This allows
Current of the transistor QP 2 is reduced, the positive feedback is applied the negative input of the operational amplifier A 1 becomes a lower voltage with respect to the positive input, the transistor QP 2 is hardly current increasingly flows.
Then, the output voltage at the output terminal OUT is fixed at a specific voltage, and the function as the reference voltage generation circuit is not fulfilled. Therefore, a reference voltage generation circuit that has improved such a defect has been proposed.

第6図は従来の基準電圧発生回路(破線にて示す基準
電圧発生部11)にスタートアップ回路2を付加したもの
である。
FIG. 6 shows a conventional reference voltage generator (reference voltage generator 11 shown by a broken line) to which a start-up circuit 2 is added.

スタートアップ回路2は、以下のように構成されてい
る。p型MOSトランジスタMP3,MP4は、そのソースがトラ
ンジスタMP1,MP2のソースに共通接続され、そのドレイ
ンが夫々トランジスタQP1,QP2のエミッタに接続されて
いる。そして、トランジスタMP3,MP4のゲートは、バイ
アス電源VSTに共通接続され、一定のバイアス電圧が印
加されている。
The start-up circuit 2 is configured as follows. The sources of the p-type MOS transistors MP 3 and MP 4 are commonly connected to the sources of the transistors MP 1 and MP 2 , and the drains are connected to the emitters of the transistors QP 1 and QP 2 , respectively. The gates of the transistors MP 3 and MP 4 are commonly connected to a bias power supply VST , and a constant bias voltage is applied.

なお、基準電圧発生部11は、抵抗R1乃至R3の配置が第
5図とは異なる。
The reference voltage generator 11, the arrangement of the resistors R 1 to R 3 is different from FIG. 5.

このように構成される基準電圧発生回路においては、
電圧投入時にオペアンプA1の帰還がかかる前に、スター
トアップ回路2からトランジスタQP1,QP2に略等しい定
電流を供給することにより、VBE1>VBE2となるようにし
てある。そして、スタートアップ回路2から供給される
定電流をある程度小さくすることにより、電源投入時の
基準電圧VREFの安定性が良く、且つ温度及び電源電圧の
変動に対する基準電圧VREFの安定性が優れた基準電圧発
生回路を構成している。
In the reference voltage generation circuit configured as described above,
Before the feedback of the operational amplifier A 1 is applied when a voltage is turned on, by supplying substantially equal constant current from the start-up circuit 2 to the transistor QP 1, QP 2, are set to be V BE1> V BE2. By reducing the constant current supplied from the start-up circuit 2 to a certain extent, the stability of the reference voltage V REF at the time of turning on the power is good, and the stability of the reference voltage V REF with respect to changes in temperature and power supply voltage is excellent. A reference voltage generation circuit is configured.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上述した従来の基準電圧発生回路で
は、電源投入時の安定性を高めるために付加したスター
トアップ回路2が、安定状態になった後においても、常
時、電流を流し続けているため、消費電力が増大してし
まうという問題点がある。また、スタートアップ回路2
を構成するトランジスタMP3,MP4の素子のバラツキが出
力端子OUTにおける基準電圧VREFの電圧値のバラツキに
直接影響を与えるという問題点がある。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the above-described conventional reference voltage generating circuit, the startup circuit 2 added to enhance the stability at the time of turning on the power supply always keeps the current flowing even after the stable state. , There is a problem that power consumption increases. Startup circuit 2
However, there is a problem that the variation of the elements of the transistors MP 3 and MP 4 constituting the device directly affects the variation of the voltage value of the reference voltage V REF at the output terminal OUT.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであっ
て、電源投入時における基準電圧の安定性を向上させる
ことができると共に、消費電力を低減することができ、
基準電圧のバラツキを低減することができる基準電圧発
生回路を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such a problem, and can improve the stability of a reference voltage at the time of power-on, and can reduce power consumption.
It is an object of the present invention to provide a reference voltage generation circuit that can reduce variations in reference voltage.

[課題を解決するための手段] 本発明に係る基準電圧発生回路は、エミッタ面積が相
互に異なる1対のバイポーラトランジスタと、この各バ
イポーラトランジスタのエミッタ電流を電圧に変換する
抵抗と、この電圧を相互に比較するオペアンプと、その
ゲートに前記オペアンプの出力を帰還して前記各バイポ
ーラトランジスタに定電流を供給する1対のMOSトラン
ジスタとを有する基準電圧発生回路において、電源投入
時にパルス信号を出力するパワーオンリセット回路と、
このパワーオンリセット回路の前記パルス信号に応じて
前記各バイポーラトランジスタのエミッタに定電流を供
給するスタートアップ回路とを具備することを特徴とす
る。
[Means for Solving the Problems] A reference voltage generating circuit according to the present invention comprises a pair of bipolar transistors having different emitter areas, a resistor for converting the emitter current of each bipolar transistor into a voltage, and a resistor for converting the voltage. A pulse signal is output at power-on in a reference voltage generating circuit having an operational amplifier for comparison with each other and a pair of MOS transistors for feeding back the output of the operational amplifier to its gate and supplying a constant current to each of the bipolar transistors. A power-on reset circuit,
A start-up circuit for supplying a constant current to an emitter of each of the bipolar transistors in response to the pulse signal of the power-on reset circuit.

[作用] 本発明においては、エミッタ面積が相互に異なる1対
のバイポーラトランジスタに等しい電流を流し、これら
のバイポーラトランジスタに定電流を供給する1対のMO
Sトランジスタのゲートにオペアンプの出力を帰還する
ことにより、前記バイポーラトランジスタのバイアス電
源と前記MOSトランジスタのドレインとの間に発生する
基準電圧が、温度及び電源電圧の変化による影響を受け
ず、略一定に保たれる。この場合、電源投入時において
オペアンプの出力が帰還されないため、前記1対のバイ
ポーラトランジスタには等しい電流が流れにくい。而し
て、スタートアップ回路は、電源投入時にパワーオンリ
セット回路から出力されるパルス信号に応じて、前記1
対のバイポーラトランジスタに定電流を供給する。これ
により、電源投入時における基準電圧の安定性を向上さ
せることができる。
[Operation] In the present invention, a current equal to a pair of bipolar transistors having mutually different emitter areas flows, and a pair of MOs supplying a constant current to these bipolar transistors is provided.
By feeding back the output of the operational amplifier to the gate of the S transistor, the reference voltage generated between the bias power supply of the bipolar transistor and the drain of the MOS transistor is substantially unaffected by changes in temperature and power supply voltage. Is kept. In this case, since the output of the operational amplifier is not fed back when the power is turned on, the same current hardly flows through the pair of bipolar transistors. The start-up circuit responds to the pulse signal output from the power-on reset circuit when the power is turned on.
A constant current is supplied to a pair of bipolar transistors. As a result, the stability of the reference voltage when the power is turned on can be improved.

本発明によれば、電源投入時にのみパワーオンリセッ
ト回路から供給されるパルス信号によりスタートアップ
回路が動作するため、それ以降の安定状態においては、
前記パワーオンリセット回路及び前記スタートアップ回
路をOFF状態にすることができる。従って、消費電力を
著しく低減することができる。また、パワーオンリセッ
ト回路及びスタートアップ回路を構成するトランジスタ
の素子にバラツキがあっても、安定状態においては、こ
のバラツキが基準電圧に直接影響を与えることはない。
According to the present invention, the start-up circuit operates by the pulse signal supplied from the power-on reset circuit only when the power is turned on.
The power-on reset circuit and the start-up circuit can be turned off. Therefore, power consumption can be significantly reduced. Further, even if there are variations in the elements of the transistors constituting the power-on reset circuit and the startup circuit, the variations do not directly affect the reference voltage in a stable state.

[実施例] 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して
説明する。
Example Next, an example of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

第1図は本発明の第1の実施例に係る基準電圧発生回
路を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a reference voltage generating circuit according to a first embodiment of the present invention.

基準電圧発生部10は、以下のように構成されている。
エミッタ面積が相互に異なるnpnトランジスタQN1,QN
2(エミッタ面積;QN1>QN2)は、そのベースがバイアス
電源VBに共通接続され、そのコレクタが電源VDDに接続
されている。一方、1対のn型MOSトランジスタMN1,MN2
は、そのゲートが相互に接続され、そのソースが接地GN
Dに接続されている。そして、n型MOSトランジスタMN1,
MN2のドレインは、夫々抵抗R1,R2及び抵抗R3を介してnp
nトランジスタQN1,QN2のエミッタに接続されている。オ
ペアンプA1は電源VDDと接地GNDとの間に設けられてい
て、その負入力が抵抗R1と抵抗R2との間に接続され、そ
の正入力が抵抗R3とトランジスタQN2のエミッタとの間
に接続され、その出力がトランジスタMN1,MN2の共通ゲ
ートに帰還されている。出力端子OUTは抵抗R1とトラン
ジスタMN1のドレインとの間に接続されている。このよ
うにして、トランジスタMN1,MN2の共通ゲートに負帰還
をかけることにより、トランジスタMN1(又はMN2)のド
レインに接続される出力端子OUTから取り出す電圧値
が、トランジスタQN1,QN2のベース印加電圧に対して一
定となるように構成されている。
The reference voltage generator 10 is configured as follows.
Npn transistors QN 1 and QN with different emitter areas
2 (emitter area; QN 1> QN 2) has a base connected in common to a bias power supply V B, its collector connected to the power supply V DD. On the other hand, a pair of n-type MOS transistors MN 1 and MN 2
Has its gate connected to each other and its source grounded GN
Connected to D. Then, the n-type MOS transistors MN 1 ,
The drain of MN 2 is connected to np via resistors R 1 , R 2 and resistor R 3 respectively.
It is connected to the emitters of n transistors QN 1 and QN 2 . Operational amplifier A 1 is provided between the power supply V DD and the ground GND, its negative input is connected between the resistors R 1 and R 2, the emitter its positive input of the resistor R 3 and the transistor QN 2 And its output is fed back to the common gate of the transistors MN 1 and MN 2 . The output terminal OUT is connected between the drain of the resistor R 1 and the transistor MN 1. In this way, by applying a negative feedback to the common gate of the transistors MN 1, MN 2, a voltage value taken out from an output terminal OUT connected to the drain of the transistor MN 1 (or MN 2) is, the transistor QN 1, QN It is configured to be constant with respect to the base applied voltage of 2 .

スタートアップ回路2は、パワーオンリセット回路1
の出力により制御され、その2つの出力端が夫々トラン
ジスタQN1,QN2のエミッタに接続されている。パワーオ
ンリセット回路1は電源投入後にのみ1発のパルス信号
を発生させ、電源投入時においてはスタンバイ状態を保
持するようになっている。スタートアップ回路2は、電
源投入時にパワーオンリセット回路1から入力されるパ
ルス信号により動作し、トランジスタQN1,QN2に略等し
い電流を供給する。このため、基準電圧発生部10は、ス
タートアップ回路2から供給される定電流により動作し
始め、安定状態に到達する。
The start-up circuit 2 is a power-on reset circuit 1
And its two output terminals are respectively connected to the emitters of the transistors QN 1 and QN 2 . The power-on reset circuit 1 generates one pulse signal only after the power is turned on, and holds the standby state when the power is turned on. The start-up circuit 2 operates according to a pulse signal input from the power-on reset circuit 1 when the power is turned on, and supplies a current substantially equal to the transistors QN 1 and QN 2 . Therefore, the reference voltage generator 10 starts operating with the constant current supplied from the start-up circuit 2, and reaches a stable state.

本実施例によれば、電源投入時にのみパワーオンリセ
ット回路1から供給されるパルス信号によりスタートア
ップ回路2が動作するため、電源投入後の安定状態にお
いては、パワーオンリセット回路1及びスタートアップ
回路2をスタンバイ状態にすることができる。従って、
消費電力を著しく低減することができ、特に、CMOS回路
により構成される場合、その消費電流をリーク電流と同
程度にまで削減することができる。また、パワーオンリ
セット回路1及びスタートアップ回路2を構成するトラ
ンジスタの素子にバラツキがあっても、安定状態におい
ては、このバラツキが出力端子OUTにおける基準電圧V
REFに直接影響を与えることはない。
According to this embodiment, the start-up circuit 2 operates by the pulse signal supplied from the power-on reset circuit 1 only when the power is turned on. Therefore, in a stable state after the power is turned on, the power-on reset circuit 1 and the start-up circuit 2 are operated. Can be in standby state. Therefore,
Power consumption can be remarkably reduced, and in particular, when a CMOS circuit is used, the current consumption can be reduced to about the same level as the leak current. In addition, even if there are variations in the elements of the transistors constituting the power-on reset circuit 1 and the startup circuit 2, in a stable state, the variations do not affect the reference voltage V at the output terminal OUT.
It does not directly affect REF .

第2図は本発明の第2の実施例に係る基準電圧発生回
路を示す回路図である。本実施例は第6図に示す従来例
回路にパワーオンリセット回路を付加し、このパワーオ
ンリセット回路によりスタートアップ回路を制御するも
のであるため、同一物には同一符号を付してその部分の
詳細な説明は省略する。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a reference voltage generating circuit according to a second embodiment of the present invention. In the present embodiment, a power-on reset circuit is added to the conventional circuit shown in FIG. 6, and the start-up circuit is controlled by the power-on reset circuit. Detailed description is omitted.

本実施例は、第1の実施例におけるnpnトランジスタQ
N1,QN2及びn型MOSトランジスタMN1,MN2の替わりに夫々
pnpトランジスタQP1,QP2及びp型MOSトランジスタMP1,M
P2を使用し、電源VDDと接地GNDとの関係を入れ替えるこ
とにより基準電圧発生部11を構成している。このため、
出力端子OUTの極性を第1の実施例とは逆にすることが
できる。なお、この場合、パワーオンリセット回路1及
びスタートアップ回路2の極性も第1の実施例の逆にす
ることにより、第1の実施例と同様の効果が得られる。
This embodiment is different from the first embodiment in that the npn transistor Q
Instead of N 1 , QN 2 and n-type MOS transistors MN 1 , MN 2
pnp transistors QP 1 and QP 2 and p-type MOS transistors MP 1 and M
Using the P 2, it constitutes a reference voltage generating unit 11 by replacing the relationship between the power supply V DD and the ground GND. For this reason,
The polarity of the output terminal OUT can be reversed from that of the first embodiment. In this case, the same effects as in the first embodiment can be obtained by reversing the polarities of the power-on reset circuit 1 and the start-up circuit 2 in the first embodiment.

第3図は本発明の第3の実施例に係る基準電圧発生回
路を示す回路図である。本実施例は第2図に示す第2の
実施例を更に具体化して示したものである。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a reference voltage generating circuit according to a third embodiment of the present invention. This embodiment is a further embodiment of the second embodiment shown in FIG.

基準電圧発生部12は、第2図における基準電圧発生部
11に加えてp型MOSトランジスタMP5,MP6及びダイオード
QP3,QP4が使用されている。トランジスタMP5,MP6は、そ
のゲートが相互に接続され、そのソースが電源VDDに接
続され、そのドレインが夫々ダイオードQP3,QP4を介し
て接地GNDに接続されている。また、トランジスタMP1,M
P2と同様にして、トランジスタMP5,MP6の共通ゲートに
はオペアンプA1の出力が帰還されている。そして、トラ
ンジスタQP1,QP2のベースは相互に分離されていて、夫
々ダイオードQP3,QP4のアノード側に接続されている。
このようにトランジスタQP1,QP2のバイアス電圧はオペ
アンプA1の帰還出力に応じて電源VDDから供給されるた
め、出力端子OUTにおける基準電圧VREFは接地GNDに対し
て所定の電圧値を発生することができると共に、オペア
ンプA1の正負入力の電圧値を大きくすることによりオペ
アンプA1の安定動作を保持することができる。
The reference voltage generator 12 is a reference voltage generator in FIG.
In addition to 11, p-type MOS transistors MP 5 and MP 6 and diode
QP 3 and QP 4 are used. The transistors MP 5 and MP 6 have their gates connected to each other, their sources connected to the power supply V DD , and their drains connected to the ground GND via the diodes QP 3 and QP 4 , respectively. Also, the transistors MP 1 and M
In the same manner as P 2, the output of the operational amplifier A 1 to the common gate of the transistor MP 5, MP 6 is is fed back. The bases of the transistors QP 1 and QP 2 are separated from each other, and are connected to the anodes of the diodes QP 3 and QP 4 respectively.
As described above, since the bias voltages of the transistors QP 1 and QP 2 are supplied from the power supply V DD according to the feedback output of the operational amplifier A 1 , the reference voltage V REF at the output terminal OUT has a predetermined voltage value with respect to the ground GND. it is possible to occur, it is possible to maintain a stable operation of the operational amplifier a 1 by increasing the voltage value of the positive and negative inputs of the operational amplifier a 1.

一方、スタートアップ回路2は、以下のように構成さ
れている。p型MOSトランジスタMP3,MP4は、そのゲート
が相互に接続され、そのソースが電源VDDに接続され、
そのドレインが夫々トランジスタQP1,QP2のエミッタに
接続されている。p型MOSトランジスタMP7,MP8は、その
ゲートが相互に接続され、そのソースが電源VDDに接続
され、そのドレインが夫々ダイオードQP3,QP4のアノー
ドに接続されている。また、トランジスタMP3,MP4,MP7,
MP8は、そのゲートに夫々パワーオンリセット回路1の
出力信号が供給されていて、この信号のON又はOFFによ
り制御されるようになっている。
On the other hand, the startup circuit 2 is configured as follows. The gates of the p-type MOS transistors MP 3 and MP 4 are connected to each other, and the sources are connected to the power supply V DD .
The drains are connected to the emitters of the transistors QP 1 and QP 2 respectively. The p-type MOS transistors MP 7 and MP 8 have their gates connected to each other, their sources connected to the power supply VDD , and their drains connected to the anodes of the diodes QP 3 and QP 4 , respectively. Also, transistors MP 3 , MP 4 , MP 7 ,
The output signal of the power-on reset circuit 1 is supplied to the gate of each of the MPs 8 , and the MP 8 is controlled by turning on or off this signal.

パワーオンリセット回路1は、以下のように構成され
ている。電源VDDによりプルアップされた2種類のn型M
OSトランジスタMN5,MN4は、接地GNDに順次縦続接続され
ている。トランジスタMN4,MN5のドレイン間と接地GNDと
の間には容量C2が接続されている。また、トランジスタ
MN4のソースと電源VDDとの間には容量C1が接続されてい
る。n型MOSトランジスタMN3及びp型MOSトランジスタM
P9は電源VDDと接地GNDとの間に相補対接続されており、
インバータ回路を構成する。このトランジスタMN3,MP9
は、そのゲートがトランジスタMN4のソースに共通接続
され、双方のドレイン間からスタートアップ回路2に出
力信号を供給する。
The power-on reset circuit 1 is configured as follows. Two types of n-type M pulled up by power supply V DD
The OS transistors MN 5 and MN 4 are sequentially cascaded to the ground GND. Capacitance C 2 is connected between the transistor MN 4, MN 5 of drain and the ground GND. Also transistors
Capacitance C 1 is connected between the source and the power supply V DD of MN 4. n-type MOS transistor MN 3 and p-type MOS transistor M
P 9 is a complementary pair connection between the power supply V DD and the ground GND,
Construct an inverter circuit. This transistor MN 3 , MP 9
, Its gate is commonly connected to the source of the transistor MN 4, and supplies an output signal to the start-up circuit 2 from between both drain.

本実施例によれば、パワーオンリセット回路1におい
て、電源投入時に容量C1に瞬時に充電された電荷がトラ
ンジスタMN4,MN5及び容量C2により徐々に放電される。
先ず、充填時には、トランジスタMN3,MP9からなるイン
バータ回路はそのゲート入力がスレッショルド電圧を超
えるため、その出力信号をロウレベルに引き下げる。こ
のため、トランジスタMP3,MP4,MP7,MP8は、そのドレイ
ン電流が流れ始め、基準電圧発生部12に定電流を供給す
る。次いで、放電時には、トランジスタMN3,MP9からな
るインバータ回路はそのゲート入力がスレッショルド電
圧を再び横切るため、その出力信号をハイレベルに引き
上げる。このため、トランジスタMP3,MP4,MP7,MP8は、O
FF状態になり、基準電圧発生部12への定電流の供給を中
止する。このようにして、電源投入時においては、パワ
ーオンリセット回路1により制御されるスタートアップ
回路2から基準電圧発生部12へ定電流が供給される。ま
た、それ以降の安定状態においては、パワーオンリセッ
ト回路1及びスタートアップ回路2はスタンバイ状態に
なる。
According to this embodiment, in the power-on reset circuit 1, the electric charge charged in the instant capacity C 1 when the power is turned on is gradually discharged by the transistor MN 4, MN 5 and the capacitor C 2.
First, at the time of charging, the inverter circuit composed of the transistors MN 3 and MP 9 lowers its output signal to a low level because its gate input exceeds the threshold voltage. Therefore, the drain current of the transistors MP 3 , MP 4 , MP 7 , and MP 8 starts to flow, and supplies a constant current to the reference voltage generator 12. Next, at the time of discharging, the inverter circuit composed of the transistors MN 3 and MP 9 raises its output signal to a high level because its gate input crosses the threshold voltage again. For this reason, the transistors MP 3 , MP 4 , MP 7 , and MP 8
The state becomes the FF state, and the supply of the constant current to the reference voltage generator 12 is stopped. In this way, when the power is turned on, a constant current is supplied from the startup circuit 2 controlled by the power-on reset circuit 1 to the reference voltage generator 12. In a stable state thereafter, the power-on reset circuit 1 and the start-up circuit 2 enter a standby state.

第4図は第3図に示す基準電圧発生回路の信号波形図
である。なお、a点及びb点は夫々インバータ回路(ト
ランジスタMN3,MP9)の入力端及び出力端の任意点を示
す。
FIG. 4 is a signal waveform diagram of the reference voltage generating circuit shown in FIG. Note that points a and b indicate arbitrary points at the input terminal and output terminal of the inverter circuit (transistors MN 3 and MP 9 ), respectively.

この第4図に示すように、電源(VDD)を投入する
と、a点は容量C1のチャージによりハイレベルに達した
後に、ディスチャージされて徐々にロウレベルに下が
る。このとき、b点(パワーオンリセット回路1の出力
点)はインバータ回路のスレッショルド電圧に応じてロ
ウレベルになる。従って、この期間、トランジスタMP3,
MP4,MP7,MP8のドレイン電流が流れ、基準電圧発生部12
におけるオペアンプA1による帰還が負帰還となるため、
出力端子OUTの出力波形は基準電圧VREFにて安定しやす
くなる。
As shown in Figure 4, when turning on the power (V DD), a point after reaching a high level by the charge of the capacitor C 1, gradually decreases to the low level is discharged. At this time, the point b (the output point of the power-on reset circuit 1) becomes a low level according to the threshold voltage of the inverter circuit. Therefore, during this period, the transistors MP 3 ,
MP 4 , MP 7 , MP 8 drain current flows, and the reference voltage generator 12
Since the feedback operational amplifier A 1 in is negative feedback,
The output waveform of the output terminal OUT is easily stabilized at the reference voltage VREF .

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、電源投入時にパ
ワーオンリセット回路からパルス信号を出力し、このパ
ルス信号に応じてスタートアップ回路を動作させなが
ら、電源投入時における基準電圧の安定性を向上させる
ことができる。また、電源投入後の安定状態において
は、前記パワーオンリセット回路及び前記スタートアッ
プ回路はOFF状態になるから、消費電力を著しく低減す
ることができると共に、パワーオンリセット回路及びス
タートアップ回路の素子のバラツキが基準電圧に影響を
与えることがなく、基準電圧のバラツキを低減すること
ができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, a pulse signal is output from a power-on reset circuit at the time of power-on, and a start-up circuit is operated in accordance with the pulse signal while the reference voltage at the time of power-on is changed. Stability can be improved. In a stable state after power is turned on, the power-on reset circuit and the start-up circuit are turned off, so that power consumption can be significantly reduced and variations in elements of the power-on reset circuit and the start-up circuit are reduced. The variation in the reference voltage can be reduced without affecting the reference voltage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の第1の実施例に係る基準電圧発生回路
を示す回路図、第2図は本発明の第2の実施例に係る基
準電圧発生回路を示す回路図、第3図は本発明の第3の
実施例に係る基準電圧発生回路を示す回路図、第4図は
その信号波形図、第5図は従来の基準電圧発生回路を示
す回路図、第6図は従来のその他の基準電圧発生回路を
示す回路図である。 A1;オペアンプ、MN1〜MN5;n型MOSトランジスタ、MP1〜M
P9;p型MOSトランジスタ,QN1,QN2;npnトランジスタ、Q
P1,QP2;pnpトランジスタ、R1,R2,R3;抵抗、C1,C2;容
量、QP3,QP4;ダイオード、VDD;電源、VB,VST;バイアス
電源、GND;接地、OUT;出力端子、1;パワーオンリセット
回路、2;スタートアップ回路、10,11,12;基準電圧発生
FIG. 1 is a circuit diagram showing a reference voltage generating circuit according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a reference voltage generating circuit according to a second embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a circuit diagram showing a reference voltage generating circuit according to a third embodiment of the present invention, FIG. 4 is a signal waveform diagram thereof, FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional reference voltage generating circuit, and FIG. FIG. 3 is a circuit diagram showing a reference voltage generation circuit of FIG. A 1 : operational amplifier, MN 1 to MN 5 ; n-type MOS transistor, MP 1 to M
P 9 ; p-type MOS transistor, QN 1 , QN 2 ; npn transistor, Q
P 1, QP 2; pnp transistors, R 1, R 2, R 3; resistance, C 1, C 2; capacity, QP 3, QP 4; diode, V DD; supply, V B, V ST; bias power supply, GND; ground, OUT; output terminal, 1; power-on reset circuit, 2: start-up circuit, 10, 11, 12; reference voltage generator

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】エミッタ面積が相互に異なる1対のバイポ
ーラトランジスタと、この各バイポーラトランジスタの
エミッタ電流を電圧に変換する抵抗と、この電圧を相互
に比較するオペアンプと、そのゲートに前記オペアンプ
の出力を帰還して前記各バイポーラトランジスタに定電
流を供給する1対のMOSトランジスタとを有する基準電
圧発生回路において、電源投入時にパルス信号を出力す
るパワーオンリセット回路と、このパワーオンリセット
回路の前記パルス信号に応じて前記各バイポーラトラン
ジスタのエミッタに定電流を供給するスタートアップ回
路とを具備することを特徴とする基準電圧発生回路。
1. A pair of bipolar transistors having mutually different emitter areas, a resistor for converting the emitter current of each bipolar transistor into a voltage, an operational amplifier for comparing the voltages with each other, and an output of the operational amplifier at its gate. A power-on reset circuit for outputting a pulse signal when power is turned on, and a power-on reset circuit for outputting a pulse signal when power is turned on. A start-up circuit for supplying a constant current to the emitter of each of the bipolar transistors in response to a signal.
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