JP2874714B2 - Semiconductor analysis / processing equipment - Google Patents

Semiconductor analysis / processing equipment

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JP2874714B2
JP2874714B2 JP8221392A JP22139296A JP2874714B2 JP 2874714 B2 JP2874714 B2 JP 2874714B2 JP 8221392 A JP8221392 A JP 8221392A JP 22139296 A JP22139296 A JP 22139296A JP 2874714 B2 JP2874714 B2 JP 2874714B2
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雅春 水野
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体解析/加工
装置に関し、更に詳しくは、半導体解析/加工装置の解
析/加工部を、半導体集積回路の目標箇所へ相対的に移
動させるための手段に特徴を有する半導体解析/加工装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor analysis / processing apparatus, and more particularly, to means for relatively moving an analysis / processing section of a semiconductor analysis / processing apparatus to a target portion of a semiconductor integrated circuit. The present invention relates to a semiconductor analysis / processing apparatus having features.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、EB(エレクトロンビーム)テス
タ、エキシマレーザ、FIB(フォーカスイオンビー
ム)等の半導体解析/加工装置では、解析/加工時にお
いて、そのEBガン、レンズ等の解析/加工部を、ステ
ージ(置き台)上に置かれた半導体集積回路に対して相
対的に移動させ、半導体集積回路の目標位置に対して解
析/加工部のレンズポイントを合わせ、解析/加工を行
うように成っている。EBテスタの場合、サンプルステ
ージは固定され、レンズ(ガン)が移動し、エキシマレ
ーザやFIBでは、レンズ(ガン)が固定され、サンプ
ルステージが移動するように成っている。従って、従来
の半導体解析/加工装置は、半導体集積回路の目標位置
を自動的に検索し、レンズポイントを半導体集積回路の
目標位置へ相対的に移動させるための自動検索移動シス
テムを有している。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor analyzing / processing apparatus such as an EB (electron beam) tester, an excimer laser, and an FIB (focus ion beam), an analyzing / processing unit such as an EB gun and a lens is used at the time of analysis / processing. And moving relative to a semiconductor integrated circuit placed on a stage (table), aligning a lens point of an analysis / processing unit with a target position of the semiconductor integrated circuit, and performing analysis / processing. ing. In the case of the EB tester, the sample stage is fixed and the lens (gun) moves. In the case of excimer laser and FIB, the lens (gun) is fixed and the sample stage moves. Therefore, the conventional semiconductor analysis / processing apparatus has an automatic search and movement system for automatically searching for the target position of the semiconductor integrated circuit and relatively moving the lens point to the target position of the semiconductor integrated circuit. .

【0003】従来のこの種の自動検索移動システムにお
いてLSIの不良解析等を行う際のLSIチップ上の目
標箇所への検索及び移動は以下のように行われる。
In this type of conventional automatic search and move system, search and move to a target location on an LSI chip when performing LSI failure analysis and the like are performed as follows.

【0004】先ず、半導体集積回路のレイアウトデータ
と寸法、最小グリッド間隔、層間接続情報等をCADツ
ールに入力して前処理をし、実チップとレイアウト情報
とをリンクさせ、レイアウトデータ上の目標箇所を指定
すると、自動検索移動システムは、半導体集積回路の目
標箇所を自動的に検索し、LSIチップ上の同一箇所に
レンズポイントを移動させるように成っている。
First, layout data and dimensions of a semiconductor integrated circuit, a minimum grid interval, interlayer connection information, and the like are input to a CAD tool to perform preprocessing, link an actual chip with layout information, and link a target location on the layout data. Is designated, the automatic search and movement system automatically searches for a target location of the semiconductor integrated circuit and moves the lens point to the same location on the LSI chip.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来技術の第1の問題
点は、前処理時間も含め、目標箇所の検索に掛かる時間
の短縮が困難であるということである。
A first problem of the prior art is that it is difficult to reduce the time required for searching for a target portion, including the preprocessing time.

【0006】これは回路が大規模、高集積になるに従っ
て、レイアウトデータや回路図とのリンクシステムでは
取り扱うデータ量が膨大になり、場合によっては前処理
時間に一日以上要することもあり、またマシン環境等に
よっては処理出来ないこともあるためである。
[0006] As a circuit becomes large-scale and highly integrated, the amount of data handled in a link system with layout data and a circuit diagram becomes enormous, and in some cases, a pre-processing time may take one day or more. This is because processing may not be possible depending on the machine environment or the like.

【0007】前処理に必要なメモリ容量やディスク容量
も、例えば数百キロゲートのゲートアレイで数百〜1G
バイト必要である。
The memory capacity and disk capacity required for pre-processing are, for example, several hundreds to 1 G with a gate array of several hundred kilogates.
Requires bytes.

【0008】それ故に、本発明の目的は、前処理時間も
含め、LSIチップ上の目標箇所の検索及び移動を高速
化することを可能にした半導体解析/加工装置を提供す
ることにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor analysis / processing apparatus which can speed up the search and movement of a target portion on an LSI chip, including the preprocessing time.

【0009】本発明の他の目的は、LSIチップ上の目
標箇所検索時に取り扱うデータ量を大幅に削減すること
を可能にした半導体解析/加工装置を提供することにあ
る。
Another object of the present invention is to provide a semiconductor analysis / processing apparatus capable of greatly reducing the amount of data handled when searching for a target portion on an LSI chip.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明によ
れば、位置情報としてのマーキングを形成してある半導
体集積回路を解析/加工する半導体解析/加工装置であ
って、前記半導体集積回路を保持するテーブルと、該テ
ーブル上の前記半導体集積回路を解析/加工する解析/
加工手段と、レイアウト図面等上における目標箇所付近
の位置情報を読み取る読取手段と、該位置情報により前
記半導体集積回路の目標箇所付近に形成されたマーキン
グを自動的に検索して、前記解析/加工手段を前記マー
キングの所へ相対的に移動させる検索/移動手段と有す
ることを特徴とする半導体解析/加工装置が得られる。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor analyzing / processing apparatus for analyzing / processing a semiconductor integrated circuit on which a marking as position information is formed, wherein the semiconductor integrated circuit includes: , And an analysis / processing for analyzing / processing the semiconductor integrated circuit on the table.
Processing means, reading means for reading position information near a target location on a layout drawing or the like, and automatically searching for a marking formed near the target location on the semiconductor integrated circuit based on the position information, and performing the analysis / processing. A semiconductor analyzing / processing apparatus characterized by having a search / moving means for relatively moving means to the marking.

【0011】請求項2記載の発明によれば、前記レイア
ウト図面等上における目標箇所付近の位置情報と前記半
導体集積回路上の実際の位置情報とを対比させるための
ライブラリを具備したことを特徴とする請求項1記載の
半導体解析/加工装置が得られる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a library for comparing position information near a target location on the layout drawing or the like with actual position information on the semiconductor integrated circuit. A semiconductor analysis / processing apparatus according to claim 1 is obtained.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.

【0013】先ず、図1乃至図3に示す本発明の実施の
形態による半導体解析/加工装置によって解析/加工さ
れる半導体集積回路について説明する。
First, a semiconductor integrated circuit analyzed / processed by the semiconductor analyzing / processing apparatus according to the embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 to 3 will be described.

【0014】図4は本発明の半導体解析/加工装置によ
って解析/加工される半導体集積回路の第1の例の要部
の平面図、図5は図4のA部の拡大図、図6は図5のA
−A′線での断面図である。
FIG. 4 is a plan view of a main part of a first example of a semiconductor integrated circuit analyzed / processed by the semiconductor analyzing / processing apparatus of the present invention, FIG. 5 is an enlarged view of a portion A in FIG. 4, and FIG. A in FIG.
It is sectional drawing in the -A 'line.

【0015】図4乃至図6を参照して、1−1,1−
2,1−3は、それぞれ第1配線層を示し、2−1,2
−2,2−3,2−4は、それぞれ第1スルーホールを
示し、3−1は第2配線層(電源線)を示し、3−2,
3−3,3−4は、それぞれ第2配線層(信号線)を示
し、4−1は第3配線層(電源線)を示し、4−2は第
3配線層(信号線)を示し、5は目標箇所(不具合箇
所)を示し、6−1は格子状に配置された電源線の格子
点上に反射防止膜によって形成されたバーコードパタン
を示す。このバーコードパタンは、位置情報(例えば、
実寸座標、或いはX−Y座標等)を保有している。
Referring to FIGS. 4 to 6, 1-1,1-
Reference numerals 2 and 1-3 indicate first wiring layers, respectively.
-2, 2-3, and 2-4 indicate first through holes, respectively, and 3-1 indicates a second wiring layer (power supply line).
3-3 and 3-4 respectively indicate a second wiring layer (signal line), 4-1 indicates a third wiring layer (power supply line), and 4-2 indicates a third wiring layer (signal line). Reference numeral 5 denotes a target portion (failure portion), and 6-1 denotes a bar code pattern formed by an antireflection film on grid points of power supply lines arranged in a grid. This barcode pattern contains location information (for example,
Actual size coordinates or XY coordinates).

【0016】図6から明らかなように、8は第2配線層
3と第3配線層4の間に形成された絶縁層間膜、7は第
3配線層4を覆うカバー膜を示す。
As is apparent from FIG. 6, reference numeral 8 denotes an insulating interlayer film formed between the second wiring layer 3 and the third wiring layer 4, and reference numeral 7 denotes a cover film covering the third wiring layer 4.

【0017】図7(a)〜(e)は図4乃至図6に示す
半導体集積回路のバーコードを形成するための各工程に
おける断面図である。
FIGS. 7A to 7E are cross-sectional views showing respective steps for forming a barcode of the semiconductor integrated circuit shown in FIGS.

【0018】先ず、図7(a)は第3配線層を形成した
直後の断面図であり、6−2はパタンニングされる前の
反射防止膜を示す。
First, FIG. 7A is a cross-sectional view immediately after the third wiring layer is formed, and 6-2 shows an antireflection film before patterning.

【0019】図7(b)は反射防止膜6−2の上にバー
コード化された反射防止膜6−1を形成するためのフォ
トレジスト9をマスクとして形成した状態を示す。
FIG. 7B shows a state in which a photoresist 9 for forming a bar-coded anti-reflection film 6-1 is formed on the anti-reflection film 6-2 as a mask.

【0020】図7(c)はフォトレジスト9をマスクと
して反射防止膜6−2をエッチングし、バーコード化さ
れた反射防止膜6−1を形成したところを示す。
FIG. 7C shows that the anti-reflection film 6-2 is etched using the photoresist 9 as a mask to form a bar-coded anti-reflection film 6-1.

【0021】図7(d)はフォトレジスト9を除去した
ところを示す。
FIG. 7D shows the photoresist 9 removed.

【0022】図7(e)はバーコード化された反射防止
膜6−1上にカバー膜7を形成したところを示す。
FIG. 7E shows that the cover film 7 is formed on the bar-coded antireflection film 6-1.

【0023】かくして図4乃至図6に示す半導体集積回
路が得られる。
Thus, the semiconductor integrated circuit shown in FIGS. 4 to 6 is obtained.

【0024】次に、本発明の半導体解析/加工装置によ
って解析/加工される半導体集積回路の第2の例につい
て図面を参照して詳細に説明する。
Next, a second example of a semiconductor integrated circuit analyzed / processed by the semiconductor analysis / processing apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0025】図8は本発明の半導体解析/加工装置によ
って解析/加工される半導体集積回路の第2の例の断面
図であり、図6と同じ部位での断面図である。
FIG. 8 is a sectional view of a second example of a semiconductor integrated circuit analyzed / processed by the semiconductor analyzing / processing apparatus of the present invention, and is a cross-sectional view at the same portion as FIG.

【0026】図8を参照して、4−3は第3配線層4−
1に形成されたバーコードパタンを示す。先に述べた半
導体集積回路の第1の例では、第3配線層の配線をパタ
ンニングした後、反射防止膜を再度パタンニングするこ
とで、バーコードパタンを形成していたが、本実施形態
では第3配線層の配線をパタンニングする際、同時に第
3配線層にバーコードパタン4−3を形成するものであ
る。
Referring to FIG. 8, reference numeral 4-3 denotes a third wiring layer 4--3.
1 shows a barcode pattern formed. In the first example of the semiconductor integrated circuit described above, the bar code pattern is formed by patterning the wiring of the third wiring layer and then patterning the antireflection film again. In this example, when patterning the wiring of the third wiring layer, a bar code pattern 4-3 is formed on the third wiring layer at the same time.

【0027】この例の半導体集積回路は、第1の例の半
導体集積回路に比べて、製造工程を短縮出来るという効
果を有する。
The semiconductor integrated circuit of this embodiment has an effect that the manufacturing process can be shortened as compared with the semiconductor integrated circuit of the first embodiment.

【0028】図1は本発明の第1の実施形態によるEB
テスタの自動検索移動システムにおいて、上述の第1又
は第2の例の半導体集積回路を用いて自動的に目標箇所
へ検索移動する際のフロー図である。
FIG. 1 shows an EB according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a flow chart when the automatic search and move system of the tester automatically searches and moves to a target location using the semiconductor integrated circuit of the first or second example.

【0029】本実施形態では、先ず、解析/加工作業者
が、レーザスキャナ等(図示せず)を用いて、レイアウ
ト図面等上における目標箇所近辺のバーコードパタンを
EBテスタに読み取らせる。そうすると、自動検索移動
システムは、それと同一なバーコードパタンを実チップ
上で検索し、自動的に移動するように成っている。
In the present embodiment, first, the analysis / processing operator causes the EB tester to read a bar code pattern near a target location on a layout drawing or the like using a laser scanner or the like (not shown). Then, the automatic search and movement system searches for the same bar code pattern on the actual chip and automatically moves.

【0030】図2は本発明の第2の実施形態によるEB
テスタの自動検索移動システムにおいて、上述の第1又
は第2の例の半導体集積回路を用いて自動的に目標箇所
へ検索移動する際のフロー図である。
FIG. 2 shows an EB according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a flow chart when the automatic search and move system of the tester automatically searches and moves to a target location using the semiconductor integrated circuit of the first or second example.

【0031】本実施形態では、先ず、図1に示す実施形
態と同様に、レーザスキャナ等を用いて、レイアウト図
面等の目標箇所近辺のバーコードパタンをEBテスタに
読み取らせる。そして、予め用意しておいたバーコード
パタンの保有する位置情報(座標情報)と実チップ上の
位置情報(座標情報)とを対比させるライブラリを参照
し、チップ上の原点位置等から自動的に移動するように
成っている。
In the present embodiment, first, as in the embodiment shown in FIG. 1, the EB tester reads a bar code pattern near a target location such as a layout drawing using a laser scanner or the like. Then, the library refers to a library that compares the position information (coordinate information) held by the barcode pattern prepared in advance with the position information (coordinate information) on the actual chip, and automatically determines the origin position on the chip. It is made to move.

【0032】図3は本発明の第3の実施形態によるEB
テスタの自動検索移動システムにおいて、上述の第1又
は第2の例の半導体集積回路を用いて自動的に目標箇所
へ検索移動する際のフロー図である。
FIG. 3 shows an EB according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a flow chart when the automatic search and move system of the tester automatically searches and moves to a target location using the semiconductor integrated circuit of the first or second example.

【0033】本実施形態では、先ず、図1、図2に示す
実施形態と同様に、レーザスキャナ等を用いて、レイア
ウト図面等の目標箇所近辺のバーコードパタンをEBテ
スタに読み取らせる。そうすると、自動検索移動システ
ムは、実チップ上の現在地近辺のバーコードを読み取
り、座標情報ライブラリを参照し、両者の相対的位置関
係を計算し、自動的に目標移動するように成っている。
座標情報ライブラリは、各バーコードパタンとチップの
実寸座標或いは電源線の格子点座標をX−Yテーブル座
標情報として持つものである。
In the present embodiment, first, as in the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the EB tester reads a barcode pattern near a target location such as a layout drawing using a laser scanner or the like. Then, the automatic search and movement system reads the barcode near the current position on the actual chip, refers to the coordinate information library, calculates the relative positional relationship between the two, and automatically moves to the target.
The coordinate information library has, as XY table coordinate information, bar code patterns and actual size coordinates of chips or grid point coordinates of power supply lines.

【0034】座標情報ライブラリの大きさは電源の本数
に依存するが、レイアウトデータ等に比べ、極めて小さ
く大幅なデータ量削減になる。
Although the size of the coordinate information library depends on the number of power supplies, the size of the coordinate information library is extremely small as compared with layout data and the like, and the amount of data is greatly reduced.

【0035】尚、第1乃至第3の実施形態は、EBテス
タの自動検索移動システムであるが、勿論、本発明はこ
れに限定されず、エキシマレーザー、FIB等の他の半
導体解析/加工装置の自動検索移動システムにも適用可
能である。
Although the first to third embodiments are directed to an automatic search / movement system of an EB tester, the present invention is not limited to this. Of course, the present invention is not limited to this. It is also applicable to the automatic search and movement system.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体解
析/加工装置によれば、半導体集積回路の所定位置(マ
ーキング箇所)に対する検索及び移動するために必要な
情報を大幅に削減することができる。
As described above, according to the semiconductor analyzing / processing apparatus of the present invention, it is possible to greatly reduce information necessary for searching and moving a predetermined position (marking position) of a semiconductor integrated circuit. it can.

【0037】従って本発明の半導体解析/加工装置によ
れば、半導体集積回路の目標箇所への検索及び移動を従
来よりも大幅に速くかつ正確に行うことができる。
Therefore, according to the semiconductor analyzing / processing apparatus of the present invention, the search and movement of the semiconductor integrated circuit to the target location can be performed much faster and more accurately than in the past.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態によるEBテスタの自
動検索移動システムにおいて、図4乃至6又は図8に示
す半導体集積回路を用いて自動的に目標箇所へ検索移動
する際のフロー図である。
FIG. 1 is a flowchart for automatically searching and moving to a target location using the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4 to FIG. 6 or FIG. 8 in the EB tester automatic search and movement system according to the first embodiment of the present invention; It is.

【図2】本発明の第2の実施形態によるEBテスタの自
動検索移動システムにおいて、図4乃至6又は図8に示
す半導体集積回路を用いて自動的に目標箇所へ検索移動
する際のフロー図である。
FIG. 2 is a flowchart for automatically searching and moving to a target location using the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4 to FIG. 6 or FIG. 8 in the EB tester automatic search and movement system according to the second embodiment of the present invention; It is.

【図3】本発明の第3の実施形態によるEBテスタの自
動検索移動システムにおいて、図4乃至6又は図8に示
す半導体集積回路を用いて自動的に目標箇所へ検索移動
する際のフロー図である。
FIG. 3 is a flowchart for automatically searching and moving to a target location using the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4 to FIG. 6 or FIG. 8 in the EB tester automatic search and movement system according to the third embodiment of the present invention; It is.

【図4】本発明の半導体解析/加工装置によって解析/
加工される半導体集積回路の第1の例の要部の平面図で
ある。
FIG. 4 shows the analysis / processing performed by the semiconductor analysis / processing apparatus of the present invention.
FIG. 3 is a plan view of a main part of a first example of a semiconductor integrated circuit to be processed.

【図5】図4のA部の拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view of a portion A in FIG. 4;

【図6】図5のA−A′線での断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. 5;

【図7】(a)〜(e)は図4乃至図6に示す半導体集
積回路のバーコードを形成するための各工程における断
面図である。
7 (a) to 7 (e) are cross-sectional views in respective steps for forming a bar code of the semiconductor integrated circuit shown in FIGS. 4 to 6. FIG.

【図8】本発明の半導体解析/加工装置によって解析/
加工される半導体集積回路の第2の例の断面図であり、
図6と同じ部位での断面図である。
FIG. 8 shows the analysis / processing performed by the semiconductor analysis / processing apparatus of the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view of a second example of a semiconductor integrated circuit to be processed;
FIG. 7 is a cross-sectional view of the same part as in FIG. 6.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1−1 第1配線層 1−2 第1配線層 1−3 第1配線層 2−1 第1スルーホール 2−2 第1スルーホール 2−3 第1スルーホール 2−4 第1スルーホール 3−1 第2配線層(電源線) 3−2 第2配線層(信号線) 3−3 第2配線層(信号線) 3−4 第2配線層(信号線) 4−1 第3配線層(電源線) 4−2 第3配線層(信号線) 4−3 第3配線層に形成したバーコードパタン 5 目標箇所(不具合箇所) 6−1 反射防止膜に形成したバーコードパタン 6−2 反射防止膜(パタンニング前) 7 カバー膜 8 絶縁層間膜 9 フォトレジスト 1-1 First Wiring Layer 1-2 First Wiring Layer 1-3 First Wiring Layer 2-1 First Through Hole 2-2 First Through Hole 2-3 First Through Hole 2-4 First Through Hole 3 -1 2nd wiring layer (power supply line) 3-2 2nd wiring layer (signal line) 3-3 2nd wiring layer (signal line) 3-4 2nd wiring layer (signal line) 4-1 3rd wiring layer (Power supply line) 4-2 Third wiring layer (signal line) 4-3 Barcode pattern formed on third wiring layer 5 Target location (defect location) 6-1 Barcode pattern formed on antireflection film 6-2 Anti-reflection film (before patterning) 7 Cover film 8 Insulating interlayer film 9 Photoresist

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭5−315207(JP,A) 特開 昭5−175093(JP,A) 特開 昭4−288811(JP,A) 特開 昭4−171709(JP,A) 特開 昭4−334010(JP,A) 特開 昭4−340214(JP,A) 特開 昭6−204101(JP,A) 特開 昭5−313350(JP,A) 特開 昭5−109591(JP,A) 実開 平3−95628(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/02 H01L 21/3205 H01L 21/66 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-5-315207 (JP, A) JP-A-5-175093 (JP, A) JP-A-4-288811 (JP, A) 171709 (JP, A) JP-A-4-334010 (JP, A) JP-A-4-340214 (JP, A) JP-A-6-204101 (JP, A) JP-A-5-313350 (JP, A) JP-A-5-109591 (JP, A) JP-A-3-95628 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 位置情報としてのマーキングを形成して
ある半導体集積回路を解析/加工する半導体解析/加工
装置であって、前記半導体集積回路を保持するテーブル
と、該テーブル上の前記半導体集積回路を解析/加工す
る解析/加工手段と、レイアウト図面等上における目標
箇所付近の位置情報を読み取る読取手段と、該位置情報
により前記半導体集積回路の目標箇所付近に形成された
マーキングを自動的に検索して、前記解析/加工手段を
前記マーキングの所へ相対的に移動させる検索/移動手
段と有することを特徴とする半導体解析/加工装置。
1. A semiconductor analysis / processing apparatus for analyzing / processing a semiconductor integrated circuit on which marking as position information is formed, comprising: a table for holding the semiconductor integrated circuit; and the semiconductor integrated circuit on the table. And reading means for reading position information near a target location on a layout drawing or the like, and automatically searching for a marking formed near the target location on the semiconductor integrated circuit based on the position information. And a searching / moving means for relatively moving the analyzing / processing means to the marking.
【請求項2】 前記レイアウト図面等上における目標箇
所付近の位置情報と前記半導体集積回路上の実際の位置
情報とを対比させるためのライブラリを具備したことを
特徴とする請求項1記載の半導体解析/加工装置。
2. The semiconductor analysis device according to claim 1, further comprising a library for comparing position information near a target point on the layout drawing or the like with actual position information on the semiconductor integrated circuit. / Processing equipment.
JP8221392A 1996-08-22 1996-08-22 Semiconductor analysis / processing equipment Expired - Lifetime JP2874714B2 (en)

Priority Applications (1)

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