JP2870935B2 - Semiconductor laser pumped solid state laser - Google Patents
Semiconductor laser pumped solid state laserInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、固体レーザに関し、特に半導体レーザ励起
固体レーザに関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state laser, and more particularly, to a semiconductor laser-pumped solid-state laser.
従来の半導体レーザ励起固体レーザについて図面を参
照して説明する。第３図は半導体レーザ励起固体レーザ
の一実施例を示す概略構成図である。１が半導体レーザ
で固体レーザ励起用光源である。半導体レーザ集光部２
で半導体レーザ光の拡がり角を補正後、円柱形の固体レ
ーザ媒質３の内部に半導体レーザ光を集光する。固体レ
ーザ媒質３の端面は、半導体レーザ光の透過率を向上さ
せるため、半導体レーザ波長に対する無反射コーティン
グ４が施され同時に固体レーザ波長に対する全反射コー
ティング５により全反射ミラーの機能を果たす。対向す
る端面には、固体レーザ波長に対する無反射コーティン
グ６を施し、固体レーザ波長の光の透過率を向上させて
いる。固体レーザ媒質３内部に集光された半導体レーザ
光により励起された部分は、固体レーザ波長に対する利
得媒質となり、半透過ミラー８と全反射ミラーの機能を
果たす端面とで構成されるレーザ共振器により固体レー
ザが発振する。A conventional semiconductor laser pumped solid-state laser will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of a semiconductor laser pumped solid-state laser. Reference numeral 1 denotes a semiconductor laser, which is a light source for exciting a solid-state laser. Semiconductor laser focusing part 2
After correcting the spread angle of the semiconductor laser light, the semiconductor laser light is condensed inside the cylindrical solid laser medium 3. In order to improve the transmittance of the semiconductor laser light, the end face of the solid-state laser medium 3 is provided with a non-reflection coating 4 for the semiconductor laser wavelength, and at the same time, functions as a total reflection mirror by a total reflection coating 5 for the solid-state laser wavelength. An antireflection coating 6 for the solid-state laser wavelength is applied to the facing end faces to improve the transmittance of light at the solid-state laser wavelength. The portion excited by the semiconductor laser light condensed inside the solid-state laser medium 3 becomes a gain medium for the solid-state laser wavelength, and is formed by a laser resonator composed of a semi-transmissive mirror 8 and an end face that functions as a total reflection mirror. The solid state laser oscillates.
上述した従来の半導体レーザ励起固体レーザは固体レ
ーザ媒質が端面が平坦な円柱状となっているので、固体
レーザ媒質内部に集光された部分で吸収されなかった半
導体レーザ光はその殆んどが固体レーザ媒質外部へ透過
してしまうという欠点がある。さらに、半透過ミラー及
び固体レーザ媒質の全反射ミラーの機能を果たす端面が
独立に構成されているので、これらの傾きを微調整でき
る機構部を必要とする欠点がある。In the above-mentioned conventional solid-state laser pumped solid-state laser, the solid-state laser medium has a cylindrical shape with a flat end face, so that most of the semiconductor laser light not absorbed by the portion focused inside the solid-state laser medium is emitted. There is a disadvantage that the light is transmitted outside the solid-state laser medium. Furthermore, since the end faces that function as the semi-transmissive mirror and the total reflection mirror of the solid-state laser medium are formed independently, there is a drawback that a mechanism for finely adjusting the inclination of these is required.
本発明の半導体レーザ励起固体レーザは、半導体レー
ザと、固体レーザ媒質と、半導体レーザ光を前記固体レ
ーザ媒質の中心に集光する集光部とを少なくとも備え、
前記固体レーザ媒質の少なくとも半導体レーザ光入射面
及びこの入射面に対向する固体レーザ光出射面が、固体
レーザ媒質外部に凸の面で成り、半導体レーザ光に対す
る無反射コーティングと固体レーザ光に対する全反射コ
ーティングが前記半導体レーザ光入射面に施され、半導
体レーザ光に対する全反射コーティングと固体レーザ光
に対する半透過コーティングが前記固体レーザ光出射面
に施されている構成になっている。The semiconductor laser-excited solid-state laser of the present invention includes a semiconductor laser, a solid-state laser medium, and a condensing unit that condenses the semiconductor laser light at the center of the solid-state laser medium,
At least the semiconductor laser light incident surface of the solid-state laser medium and the solid-state laser light emitting surface facing the incident surface are formed of a surface convex outside the solid-state laser medium, and have a non-reflective coating for the semiconductor laser light and a total reflection for the solid-state laser light. A coating is applied to the semiconductor laser light incident surface, and a total reflection coating for the semiconductor laser light and a semi-transmissive coating for the solid laser light are applied to the solid laser light emitting surface.
〔実施例１〕 次に本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例を示す概略構成図である。１が半導
体レーザで固体レーザ励起用光源である。半導体レーザ
集光部２で半導体レーザ光の拡がり角を補正後焦点距離
が、Ｒ＋ｄに等しい焦点距離を持つ集光レンズで球形の
固体レーザ媒質３の中心に半導体レーザ光を集光する。
半導体レーザ光導入側の半球面は半導体レーザ波長に対
する無反射コーティング４が施され、半導体レーザ光の
透過率を向上させている。球形の固体レーザ媒質３の中
心に集光された部分で吸収されなかった半導体レーザ光
は対向する半球面に至り、半導体レーザ波長に対する全
反射コーティング６により同方向に反射され、再度、集
光される。また半導体レーザ光導入側の半球面は、固体
レーザ波長に対する全反射コーティング５により、全反
射ミラーの機能を果たす。これに対向する半球面は固体
レーザ波長に対する半透過コーティング７により半透過
ミラーの機能を果たす。これらの半球面はレーザ共振器
（共心）を構成し固体レーザが発振する。Embodiment 1 Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of the present invention. Reference numeral 1 denotes a semiconductor laser, which is a light source for exciting a solid-state laser. After correcting the divergence angle of the semiconductor laser light by the semiconductor laser condensing unit 2, the condensing lens having a focal length equal to R + d focuses the semiconductor laser light on the center of the spherical solid laser medium 3.
The semi-spherical surface on the semiconductor laser light introduction side is provided with an anti-reflection coating 4 for the semiconductor laser wavelength to improve the transmittance of the semiconductor laser light. The semiconductor laser light that has not been absorbed in the portion focused at the center of the spherical solid laser medium 3 reaches the opposing hemisphere, is reflected in the same direction by the total reflection coating 6 for the semiconductor laser wavelength, and is collected again. You. The semi-spherical surface on the semiconductor laser light introduction side functions as a total reflection mirror by the total reflection coating 5 for the solid-state laser wavelength. The opposing hemispherical surface functions as a transflective mirror by the transflective coating 7 for the solid-state laser wavelength. These hemispheres constitute a laser resonator (concentric), and a solid-state laser oscillates.
〔実施例２〕 第２図は本発明の第２の実施例を示す概略構成図であ
る。１が半導体レーザで固体レーザ励起用光源である。
半導体レーザ集光部２で半導体レーザ光の拡がり角を補
正後焦点距離がＲ＋ｄに等しい焦点距離を持つ集光レン
ズで、端面が球面に研磨された円柱状の固体レーザ媒質
３の中心に半導体レーザ光を集光する。半導体レーザ光
導入側の半球面は半導体レーザ波長に対する無反射コー
ティング４が施され、半導体レーザ光の透過率を向上さ
せている。円柱状の固体レーザ媒質３の中心に集光され
た部分で吸収されなかった半導体レーザ光は対向する半
球面に至り、半導体レーザ波長に対する全反射コーティ
ング６により同方向に反射され、再度、集光される。ま
た半導体レーザ光導入側の半球面は、固体レーザ波長に
対する全反射コーティング５により、全反射ミラーの機
能を果たす。これに対向する半球面は固体レーザ波長に
対する半透過コーティング７により半透過ミラーの機能
を果たす。これらの半球面はレーザ共振器（共心）を構
成し固体レーザが発振する。Embodiment 2 FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of the present invention. Reference numeral 1 denotes a semiconductor laser, which is a light source for exciting a solid-state laser.
A condensing lens having a focal length equal to R + d after correcting the divergence angle of the semiconductor laser light in the semiconductor laser condensing unit 2, and the semiconductor laser is disposed at the center of a cylindrical solid laser medium 3 whose end surface is polished to a spherical surface. Collect light. The semi-spherical surface on the semiconductor laser light introduction side is provided with an anti-reflection coating 4 for the semiconductor laser wavelength to improve the transmittance of the semiconductor laser light. The semiconductor laser light that has not been absorbed by the portion focused on the center of the columnar solid-state laser medium 3 reaches the opposing hemisphere, is reflected in the same direction by the total reflection coating 6 for the semiconductor laser wavelength, and is again focused. Is done. The semi-spherical surface on the semiconductor laser light introduction side functions as a total reflection mirror by the total reflection coating 5 for the solid-state laser wavelength. The opposing hemispherical surface functions as a transflective mirror by the transflective coating 7 for the solid-state laser wavelength. These hemispheres constitute a laser resonator (concentric), and a solid-state laser oscillates.
以上説明したように本発明は、半球面に半導体レーザ
波長に対する無反射コーティングと固体レーザ波長に対
する全反射コーティングを施し、対向する半球面に半導
体レーザ波長に対する全反射コーティングと固体レーザ
波長に対する半透過コーティングを施した固体レーザ媒
質及び、固体レーザ媒質の中心に半導体レーザ光を集光
する焦点距離を持つ半導体レーザ集光部を用いることに
より、従来技術では固体レーザの励起に寄与しなかった
半導体レーザ光を再度利用し励起効率を向上させること
ができ、また共振器を構成する光学部品を排除し共振器
の微調整を省けるので装置の簡略化ができる効果があ
る。さらにこれらの効果は、半導体レーザ励起固体レー
ザの小型化に役立つ。As described above, the present invention provides an anti-reflection coating for a semiconductor laser wavelength and a total reflection coating for a solid-state laser wavelength on a hemisphere, and a total reflection coating for a semiconductor laser wavelength and a semi-transmission coating for a solid-state laser wavelength on opposite hemispheres. Using a solid-state laser medium that has been subjected to laser irradiation and a semiconductor laser condensing unit having a focal length for condensing the semiconductor laser light at the center of the solid-state laser medium, the semiconductor laser light that did not contribute to the excitation of the solid-state laser in the conventional technology. Can be used again to improve the pumping efficiency, and the optical components constituting the resonator can be eliminated and the fine adjustment of the resonator can be omitted, so that the device can be simplified. Further, these effects contribute to miniaturization of the semiconductor laser pumped solid-state laser.
第１図及び第２図は本発明の一実施例の概略構成図であ
る。第３図は従来の半導体レーザ励起固体レーザの概略
構成図である。 １……半導体レーザ、２……半導体レーザ集光部、３…
…固体レーザ媒質、４……無反射コーティング（半導体
レーザ）、５……全反射コーティング（固体レーザ）、
６……全反射コーティング（半導体レーザ）、７……半
透過コーティング（固体レーザ）。FIG. 1 and FIG. 2 are schematic structural views of one embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a conventional semiconductor laser pumped solid-state laser. 1 ... Semiconductor laser, 2 ... Semiconductor laser condensing part, 3 ...
… Solid laser medium, 4… non-reflective coating (semiconductor laser), 5… total reflection coating (solid laser),
6: Total reflection coating (semiconductor laser), 7: Translucent coating (solid-state laser).
Claims (1)
体レーザ光を前記固体レーザ媒質の中心に集光する集光
部とを少なくとも備え、前記固体レーザ媒質の少なくと
も半導体レーザ光入射面及びこの入射面に対向する固体
レーザ光出射面が、固体レーザ媒質外部に凸の曲面で成
り、半導体レーザ光に対する無反射コーティングと固体
レーザ光に対する全反射コーティングが前記半導体レー
ザ光入射面に施され、半導体レーザ光に対する全反射コ
ーティングと固体レーザ光に対する半透過コーティング
が前記固体レーザ光出射面に施されていることを特徴と
する半導体レーザ励起固体レーザ。1. A solid-state laser medium comprising: a solid-state laser medium; and a condensing portion for condensing the semiconductor laser light at the center of the solid-state laser medium. The solid-state laser light emitting surface facing the surface is formed of a curved surface convex outside the solid-state laser medium, and the semiconductor laser light incident surface is provided with a non-reflective coating for the semiconductor laser light and a total reflection coating for the solid-state laser light. A solid-state laser pumped solid-state laser, wherein a solid-state laser light emitting surface is provided with a total reflection coating for light and a semi-transmissive coating for solid-state laser light.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4313090A JP2870935B2 (en) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | Semiconductor laser pumped solid state laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4313090A JP2870935B2 (en) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | Semiconductor laser pumped solid state laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03245582A JPH03245582A (en) | 1991-11-01 |
| JP2870935B2 true JP2870935B2 (en) | 1999-03-17 |
Family
ID=12655265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4313090A Expired - Lifetime JP2870935B2 (en) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | Semiconductor laser pumped solid state laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2870935B2 (en) |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP4313090A patent/JP2870935B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03245582A (en) | 1991-11-01 |
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