JP2868034B2 - 気相式はんだ付け装置 - Google Patents
気相式はんだ付け装置Info
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- JP2868034B2 JP2868034B2 JP372692A JP372692A JP2868034B2 JP 2868034 B2 JP2868034 B2 JP 2868034B2 JP 372692 A JP372692 A JP 372692A JP 372692 A JP372692 A JP 372692A JP 2868034 B2 JP2868034 B2 JP 2868034B2
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- vapor
- soldering
- soldered
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- phase soldering
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、飽和蒸気の凝縮潜熱
によってはんだ付けを行う気相式はんだ付け装置に関す
るものである。
によってはんだ付けを行う気相式はんだ付け装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は例えば特公昭53-40934号公報に示
された従来の気相式はんだ付け装置の概略構成を示す図
である。図において、１ははんだ付け槽、２はこのはん
だ付け槽１の下部に貯溜される液、３はこの液２内に配
設され液２を加熱する加熱ヒータ、４はこの加熱ヒータ
３によって液２が加熱されて発生する蒸気の飽和蒸気層
で、冷却コイル５によって冷却されその上限４ａが設定
されている。６は飽和蒸気層４内に治具７によって吊持
される被はんだ付け部材としての回路基板である。
された従来の気相式はんだ付け装置の概略構成を示す図
である。図において、１ははんだ付け槽、２はこのはん
だ付け槽１の下部に貯溜される液、３はこの液２内に配
設され液２を加熱する加熱ヒータ、４はこの加熱ヒータ
３によって液２が加熱されて発生する蒸気の飽和蒸気層
で、冷却コイル５によって冷却されその上限４ａが設定
されている。６は飽和蒸気層４内に治具７によって吊持
される被はんだ付け部材としての回路基板である。
【０００３】従来の気相式はんだ付け装置は上記のよう
に構成され、はんだ付け槽１の底部に貯溜された液は、
加熱ヒータ３によってその沸点まで加熱され、沸騰蒸発
して上限４ａの位置まではんだ付け槽１内に充満し飽和
蒸気層４を形成する。そして、この充満された飽和蒸気
槽４内に、治具７によって回路基板６を所定時間吊持す
ると、飽和蒸気の凝縮潜熱によって回路基板６上のはん
だが溶融し、回路基板６上の部品がはんだ付けされる。
に構成され、はんだ付け槽１の底部に貯溜された液は、
加熱ヒータ３によってその沸点まで加熱され、沸騰蒸発
して上限４ａの位置まではんだ付け槽１内に充満し飽和
蒸気層４を形成する。そして、この充満された飽和蒸気
槽４内に、治具７によって回路基板６を所定時間吊持す
ると、飽和蒸気の凝縮潜熱によって回路基板６上のはん
だが溶融し、回路基板６上の部品がはんだ付けされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の気相式はんだ付
け装置は以上のように構成されているので、飽和蒸気槽
４内に回路基板６を挿入した場合、熱容量の小さい部品
の方が回路基板６より先に昇温するので、部品のリード
に回路基板６上のはんだが吸い寄せられてはんだ付け不
良が発生しやすく、又、回路基板６上に耐熱性の低い半
導体部品が搭載されていると、部品が飽和蒸気温度に長
時間保持されることに耐えられず熱的損傷を受けるた
め、他の部品と一括にはんだ付けができない等という問
題点があった。
け装置は以上のように構成されているので、飽和蒸気槽
４内に回路基板６を挿入した場合、熱容量の小さい部品
の方が回路基板６より先に昇温するので、部品のリード
に回路基板６上のはんだが吸い寄せられてはんだ付け不
良が発生しやすく、又、回路基板６上に耐熱性の低い半
導体部品が搭載されていると、部品が飽和蒸気温度に長
時間保持されることに耐えられず熱的損傷を受けるた
め、他の部品と一括にはんだ付けができない等という問
題点があった。
【０００５】更に、近年高価な液２の損失を極力抑える
技術が種々開発されており、例えば図５に示す特開平1-
122663号公報による気相式はんだ付け装置によれば、冷
却コイル５の位置を図中矢印方向に移動させて変えるこ
とにより、飽和蒸気層４の高さを制御して必要最小限の
高さではんだ付けを行うこと等が示されているが、はん
だ付け槽１の上部が開放されており大気との接触面積が
大きいために、依然損失を十分に防止することは困難で
あるという問題点があった。
技術が種々開発されており、例えば図５に示す特開平1-
122663号公報による気相式はんだ付け装置によれば、冷
却コイル５の位置を図中矢印方向に移動させて変えるこ
とにより、飽和蒸気層４の高さを制御して必要最小限の
高さではんだ付けを行うこと等が示されているが、はん
だ付け槽１の上部が開放されており大気との接触面積が
大きいために、依然損失を十分に防止することは困難で
あるという問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような各問題点を解消す
るためになされたもので、耐熱温度の低い半導体部品が
搭載されている基板でも一括はんだ付けができ、又、高
価な液の損失を極力抑えることができる気相式はんだ付
け装置を提供することを目的とするものである。
るためになされたもので、耐熱温度の低い半導体部品が
搭載されている基板でも一括はんだ付けができ、又、高
価な液の損失を極力抑えることができる気相式はんだ付
け装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の気相式はんだ付け装置は、飽和蒸気層を覆い且つはん
だ付け槽内を上下に移動可能に設けられ、被はんだ付け
部材が挿通される開口を有する蒸気シールド板を備えた
ものであり、又、請求項２の気相式はんだ付け装置は、
請求項１において、被はんだ付け部材を蒸気シールド板
の開口を覆うような状態ではんだ付けを行うものであ
り、さらに、請求項３の気相式はんだ付け装置は、請求
項１において、被はんだ付け部材のはんだ溶融後蒸気シ
ールド板を被はんだ付け部材より下方に移動させ溶融は
んだを凝固させるようにしたものである。
の気相式はんだ付け装置は、飽和蒸気層を覆い且つはん
だ付け槽内を上下に移動可能に設けられ、被はんだ付け
部材が挿通される開口を有する蒸気シールド板を備えた
ものであり、又、請求項２の気相式はんだ付け装置は、
請求項１において、被はんだ付け部材を蒸気シールド板
の開口を覆うような状態ではんだ付けを行うものであ
り、さらに、請求項３の気相式はんだ付け装置は、請求
項１において、被はんだ付け部材のはんだ溶融後蒸気シ
ールド板を被はんだ付け部材より下方に移動させ溶融は
んだを凝固させるようにしたものである。
【０００８】
【作用】この発明における気相式はんだ付け装置の蒸気
シールド板は、飽和蒸気層と大気間を遮ることにより液
の損失を極力抑制し、又、被はんだ付け部材と協仂して
飽和蒸気を被はんだ付け部材の下部に封止することによ
り、例えば半導体部品等のように耐熱性の低い部品を保
護しながらはんだ付けを行う。
シールド板は、飽和蒸気層と大気間を遮ることにより液
の損失を極力抑制し、又、被はんだ付け部材と協仂して
飽和蒸気を被はんだ付け部材の下部に封止することによ
り、例えば半導体部品等のように耐熱性の低い部品を保
護しながらはんだ付けを行う。
【０００９】
実施例１．以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の実施例１における気相式はんだ付
け装置の概略構成を示す図である。図において、はんだ
付け槽１、液２、加熱ヒータ３、飽和蒸気層４、上限４
ａ、冷却コイル５、回路基板６および治具７は図４に示
す従来装置のものと同様である。８はほぼ中央に回路基
板６が挿通可能な開口８ａを有し、飽和蒸気層４と大気
間を遮るように且つ上下に移動可能に配設される蒸気シ
ールド板である。
る。図１はこの発明の実施例１における気相式はんだ付
け装置の概略構成を示す図である。図において、はんだ
付け槽１、液２、加熱ヒータ３、飽和蒸気層４、上限４
ａ、冷却コイル５、回路基板６および治具７は図４に示
す従来装置のものと同様である。８はほぼ中央に回路基
板６が挿通可能な開口８ａを有し、飽和蒸気層４と大気
間を遮るように且つ上下に移動可能に配設される蒸気シ
ールド板である。
【００１０】上記のように構成された実施例１において
は、まず、回路基板６がはんだ付け槽１内に搬入される
と、これを吊持する治具７と蒸気シールド板８とは連動
して下降し、回路基板６が蒸気シールド板８の開口を覆
った状態で保持されるので、飽和蒸気は回路基板６およ
び蒸気シールド板８の下部に封止され、回路基板６の上
部に搭載されている半導体部品等は、温度上昇を抑制さ
れながら基板を介した熱伝導による熱によってはんだ付
けされる。そのため、半導体部品等が回路基板６より先
に昇温されることが原因で生じ、半導体部品等のリード
に回路基板６上のはんだが吸い寄せられる不良が発生す
るのを防止することができる。
は、まず、回路基板６がはんだ付け槽１内に搬入される
と、これを吊持する治具７と蒸気シールド板８とは連動
して下降し、回路基板６が蒸気シールド板８の開口を覆
った状態で保持されるので、飽和蒸気は回路基板６およ
び蒸気シールド板８の下部に封止され、回路基板６の上
部に搭載されている半導体部品等は、温度上昇を抑制さ
れながら基板を介した熱伝導による熱によってはんだ付
けされる。そのため、半導体部品等が回路基板６より先
に昇温されることが原因で生じ、半導体部品等のリード
に回路基板６上のはんだが吸い寄せられる不良が発生す
るのを防止することができる。
【００１１】図６および図７は上記実施例１および従来
装置における基板（図中実線で示す）および搭載部品
（図中破線で示す）の温度変化を時間経過とともに示し
たものである。両図を比較すれば明らかなように、実施
例１によれば搭載部品の温度は常に基板より低く保持さ
れており、半導体部品等のように耐熱性の低いものでも
熱的損傷を受けることがないので、一括はんだ付けが可
能となり作業性が向上するとともに、回路基板６および
蒸気シールド板８によって飽和蒸気層４と大気との間を
遮っているので液４の損失も極力抑制される。
装置における基板（図中実線で示す）および搭載部品
（図中破線で示す）の温度変化を時間経過とともに示し
たものである。両図を比較すれば明らかなように、実施
例１によれば搭載部品の温度は常に基板より低く保持さ
れており、半導体部品等のように耐熱性の低いものでも
熱的損傷を受けることがないので、一括はんだ付けが可
能となり作業性が向上するとともに、回路基板６および
蒸気シールド板８によって飽和蒸気層４と大気との間を
遮っているので液４の損失も極力抑制される。
【００１２】実施例２．図２はこの発明の実施例２にお
ける気相式はんだ付け装置の概略構成を示す図である。
図からも明らかなように、実施例１におけるものと構成
部品は全て同様なので、同一符号を付して説明を省略す
る。本実施例によれば、実施例１によるはんだ付け終了
後に、蒸気シールド板８を回路基板６より下方に降下さ
せることにより、飽和蒸気層４の上限４ａを回路基板６
の下部に抑え込み、回路基板６の温度をはんだの融点温
度以下にして、はんだが凝固してからはんだ付け槽１外
に搬出するようにしているので、はんだ溶融状態での基
板移動による振動で搭載部品の位置がずれるということ
もなくなる。
ける気相式はんだ付け装置の概略構成を示す図である。
図からも明らかなように、実施例１におけるものと構成
部品は全て同様なので、同一符号を付して説明を省略す
る。本実施例によれば、実施例１によるはんだ付け終了
後に、蒸気シールド板８を回路基板６より下方に降下さ
せることにより、飽和蒸気層４の上限４ａを回路基板６
の下部に抑え込み、回路基板６の温度をはんだの融点温
度以下にして、はんだが凝固してからはんだ付け槽１外
に搬出するようにしているので、はんだ溶融状態での基
板移動による振動で搭載部品の位置がずれるということ
もなくなる。
【００１３】実施例３． 図３はこの発明の実施例３における気相式はんだ付け装
置の概略構成を示す図である。本実施例も上記実施例２
と同様に、実施例１におけるものと構成部品は全て同様
なので、同一符号を付して説明を省略する。本実施例は
比較的耐熱性の高い部品が搭載されている場合に適用さ
れるもので、はんだ溶融後に、蒸気シールド板８を回路
基板６より上方に上昇させ、飽和蒸気を回路基板６の上
部に充満させることにより、はんだ付け時間の短縮が図
れる。
置の概略構成を示す図である。本実施例も上記実施例２
と同様に、実施例１におけるものと構成部品は全て同様
なので、同一符号を付して説明を省略する。本実施例は
比較的耐熱性の高い部品が搭載されている場合に適用さ
れるもので、はんだ溶融後に、蒸気シールド板８を回路
基板６より上方に上昇させ、飽和蒸気を回路基板６の上
部に充満させることにより、はんだ付け時間の短縮が図
れる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば飽和蒸
気層を覆い且つはんだ付け槽内を上下に移動可能に設け
られ、被はんだ付け部材が挿通される開口を有する蒸気
シールド板を備えたので、耐熱性の低い部品が搭載され
ている基板でも一括はんだ付けができ、又、高価な液の
損失を極力抑えることが可能な気相式はんだ付け装置を
提供することができる。
気層を覆い且つはんだ付け槽内を上下に移動可能に設け
られ、被はんだ付け部材が挿通される開口を有する蒸気
シールド板を備えたので、耐熱性の低い部品が搭載され
ている基板でも一括はんだ付けができ、又、高価な液の
損失を極力抑えることが可能な気相式はんだ付け装置を
提供することができる。
【図１】この発明の実施例１における気相式はんだ付け
装置の概略構成を示す図である。
装置の概略構成を示す図である。
【図２】この発明の実施例２における気相式はんだ付け
装置の概略構成を示す図である。
装置の概略構成を示す図である。
【図３】この発明の実施例３における気相式はんだ付け
装置の概略構成を示す図である。
装置の概略構成を示す図である。
【図４】従来の気相式はんだ付け装置の概略構成を示す
図である。
図である。
【図５】図４における気相式はんだ付け装置とは異なる
従来の気相式はんだ付け装置の概略構成を示す図であ
る。
従来の気相式はんだ付け装置の概略構成を示す図であ
る。
【図６】この発明の各実施例に示す気相式はんだ付け装
置における基板および搭載部品の温度変化を時間経過と
ともに示した特性曲線図である。
置における基板および搭載部品の温度変化を時間経過と
ともに示した特性曲線図である。
【図７】従来の気相式はんだ付け装置における基板およ
び搭載部品の温度変化を時間経過とともに示した特性曲
線図である。
び搭載部品の温度変化を時間経過とともに示した特性曲
線図である。
１ はんだ付け槽 ２ 液 ３ 加熱ヒータ ４ 飽和蒸気層 4a 上限 ５ 冷却コイル ６ 回路基板 ７ 治具 ８ 蒸気シールド板 8a 開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B23K 1/015 H05K 3/34 507
Claims (3)
- 【請求項１】 はんだ付け槽の下部に貯溜された液を加
熱蒸発させて上記液の上方に飽和蒸気層を形成し、被は
んだ付け部材を上記飽和蒸気層中に保持し飽和蒸気の凝
縮潜熱によってはんだ付けを行う気相式はんだ付け装置
において、上記飽和蒸気層を覆い且つ上記はんだ付け槽
内を上下に移動可能に設けられ上記被はんだ付け部材が
挿通される開口を有する蒸気シールド板を備えたことを
特徴とする気相式はんだ付け装置。 - 【請求項２】 被はんだ付け部材を蒸気シールド板の開
口を覆うように保持した状態ではんだ付けを行うことを
特徴とする請求項１記載の気相式はんだ付け装置。 - 【請求項３】 被はんだ付け部材のはんだ溶融後蒸気シ
ールド板を上記被はんだ付け部材より下方に移動させ溶
融はんだを凝固させるようにしたことを特徴とする請求
項１記載の気相式はんだ付け装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP372692A JP2868034B2 (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 気相式はんだ付け装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP372692A JP2868034B2 (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 気相式はんだ付け装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05208262A JPH05208262A (ja) | 1993-08-20 |
| JP2868034B2 true JP2868034B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=11565287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP372692A Expired - Fee Related JP2868034B2 (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 気相式はんだ付け装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2868034B2 (ja) |
-
1992
- 1992-01-13 JP JP372692A patent/JP2868034B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05208262A (ja) | 1993-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |