JP2859338B2 - High frequency heating equipment - Google Patents
High frequency heating equipmentInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は核融合装置等に用いられる高周波加熱装置に
関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to a high-frequency heating device used for a nuclear fusion device or the like.
（従来の技術） 一般に核融合炉または核融合実験装置等で発生したプ
ラズマに高周波電力を入射してプラズマを加熱する高周
波加熱装置は、例えば第３図に示すように源発振器１、
励振増幅系２、大電力増幅系３、インピーダンス整合器
４、高周波加熱アンテナ５から構成され、源発振器１で
発生した高周波電力は励振増幅系２で適当な出力レベル
まで増幅されると共にプラズマを加熱するのに必要なパ
ルス波形とパルス幅に調整される。そして、励振増幅系
２で増幅及び波形調整された高周波電力は大電力増幅系
３でプラズマ加熱に必要なMW級の大電力まで増幅され、
インピーダンス整合器４を介して高周波加熱アンテナ５
からプラズマ中に入射される。(Prior Art) In general, a high-frequency heating apparatus for heating plasma by applying high-frequency power to plasma generated in a nuclear fusion reactor or a nuclear fusion experimental apparatus, for example, as shown in FIG.
It comprises an excitation amplification system 2, a large power amplification system 3, an impedance matching device 4, and a high-frequency heating antenna 5, and the high-frequency power generated by the source oscillator 1 is amplified to an appropriate output level by the excitation amplification system 2 and heats the plasma. It is adjusted to the pulse waveform and pulse width necessary for the operation. Then, the high-frequency power amplified and waveform-adjusted by the excitation amplification system 2 is amplified by the high-power amplification system 3 to the MW-class high power required for plasma heating.
High frequency heating antenna 5 via impedance matching unit 4
Incident on the plasma.
このように構成される高周波加熱装置は、プラズマで
反射されて高周波加熱アンテナ５に戻ってきた反射電力
が大電力増幅系３から出力される高周波電力と重なり合
うことによって大電力増幅系３と高周波加熱アンテナ５
との間に定在波が発生し、この定在波によって大電力増
幅系３と高周波加熱アンテナ５との間に大きな電力が蓄
積される。そして、この蓄積電力が大電力増幅系３に対
し大きな負荷となり、反射電力の大きさによっては大電
力増幅系３の破損に至る可能性があるため、反射電力か
ら大電力増幅系３を保護するために大電力増幅系３とイ
ンピーダンス整合器４およびインピーダンス整合器４と
高周波加熱アンテナ５との間に方向性結合器6,7を設置
し、これらの方向性結合器6,7により大電力増幅系３か
ら高周波加熱アンテナ５に送出される高周波電力とプラ
ズマから高周波加熱アンテナ５に戻ってきた反射電力を
測定するようにしている。The high-frequency heating apparatus thus configured is configured such that the reflected power reflected by the plasma and returned to the high-frequency heating antenna 5 overlaps with the high-frequency power output from the high-power amplification system 3 so that the high-frequency amplification system 3 Antenna 5
, A standing wave is generated, and a large power is accumulated between the large power amplification system 3 and the high frequency heating antenna 5 by the standing wave. Then, the accumulated power becomes a large load on the large power amplification system 3 and may possibly damage the large power amplification system 3 depending on the magnitude of the reflected power. Therefore, the large power amplification system 3 is protected from the reflected power. For this purpose, the directional couplers 6 and 7 are installed between the high-power amplification system 3 and the impedance matching unit 4 and between the impedance matching unit 4 and the high-frequency heating antenna 5, and the directional couplers 6 and 7 provide high-power amplification. The high-frequency power transmitted from the system 3 to the high-frequency heating antenna 5 and the reflected power returned to the high-frequency heating antenna 5 from the plasma are measured.
すなわち、上記方向性結合器6,7はそれぞれ反射電力
検出器８および定在波検出器９と接続しており、これら
の検出器8,9によって大電力増幅系３と高周波加熱アン
テナ５との間に蓄積された反射電力と定在波を検出して
いる。また、上記反射電力検出器８および定在波検出器
９から出力された反射電力と定在波の検出信号はレベル
制御器10に入力され、このレベル制御器10であらかじめ
設定された反射電力設定値PUおよび定在波設定値SUと比
較される。そして、反射電力検出器８および定在波検出
器９で検出された値が上記設定値PU,SUより高い場合に
はレベル制御器10から制御信号が出力され、第４図また
は第５図に示すように励振増幅系２の出力レベルをゼロ
または大きく下げることによって大電力増幅系３を反射
電力から保護している。That is, the directional couplers 6 and 7 are connected to the reflected power detector 8 and the standing wave detector 9, respectively, and the detectors 8 and 9 connect the large power amplification system 3 and the high-frequency heating antenna 5 to each other. The reflected power and standing wave accumulated between them are detected. The reflected power and the standing wave detection signal output from the reflected power detector 8 and the standing wave detector 9 are input to a level controller 10, and the reflected power setting set in advance by the level controller 10 is performed. It is compared to the value P U and standing waves set value S U. When the values detected by the reflected power detector 8 and the standing wave detector 9 are higher than the set values P U and S U , a control signal is output from the level controller 10 and FIG. As shown in the figure, the high power amplification system 3 is protected from the reflected power by reducing the output level of the excitation amplification system 2 to zero or greatly.
（発明が解決しようとする課題） ところで、このような高周波加熱装置では大電力の高
周波をプラズマへ安定して入射させるために、大電力増
幅系３を構成する大電力増幅管（図示せず）とインピー
ダンス整合器４よりアンテナ側の結合系と呼ばれる部分
の枯化（エージング）作業をプラズマへ高周波電力を入
射する前に完了させておく必要がある。このエージング
作業はいわゆるならし運転の意味を持ち、高周波加熱ア
ンテナ５からプラズマに入射された高周波電力が高周波
加熱アンテナ５に戻ってこないようにインピーダンス整
合器４を調整し、常に最良の整合状態を保ちながら大電
力増幅系３の出力を徐々に上げていくものである。(Problems to be Solved by the Invention) Incidentally, in such a high-frequency heating device, a high-power amplifier tube (not shown) constituting the high-power amplifier system 3 in order to stably input high-power high-frequency waves into plasma. It is necessary to complete the aging operation of the part called the coupling system on the antenna side from the impedance matching device 4 before the high frequency power is applied to the plasma. This aging operation has the meaning of so-called running-in operation, and adjusts the impedance matching device 4 so that the high-frequency power incident on the plasma from the high-frequency heating antenna 5 does not return to the high-frequency heating antenna 5, and always maintains the best matching state. The output of the large power amplification system 3 is gradually increased while maintaining the same.
しかしながら、上述した従来装置によるとエージング
作業中に何等かの理由で整合状態が崩れ、高周波加熱ア
ンテナ５からの反射電力が大きくなった場合、前述した
如く励振増幅系２の出力をゼロまたは大きく下げる信号
がレベル制御器10から出力されるため、エージング作業
に要する時間が長くなり、励振増幅系の出力レベルをプ
ラズマ加熱に必要な出力レベルに到達させるのに時間が
かかるという問題があった。However, according to the above-described conventional apparatus, when the matching state is broken for some reason during the aging operation and the reflected power from the high-frequency heating antenna 5 increases, the output of the excitation amplification system 2 is reduced to zero or greatly as described above. Since the signal is output from the level controller 10, the time required for the aging operation is increased, and there is a problem that it takes time to reach the output level of the excitation amplification system to the output level required for plasma heating.
また、枯化作業終了後の実際にプラズマを加熱するた
めに高周波を入射する場合についても同様な問題があっ
た。In addition, there is a similar problem when a high frequency is applied to actually heat the plasma after the termination of the withering operation.
すなわち、プラズマ加熱時には前述のようにアンテナ
５よりMW級の高周波を長時間プラズマへ入射する必要が
ある。しかしながら、プラズマは必ずしも安定なもので
はなく、インピーダンス整合器４で入射直前に最良の整
合状態に調整してあるにもかかわらず入射中に整合状態
がずれることがあり、その場合も前述の如く高周波電力
を減ずる若しくはゼロにする必要があり、実験効率がは
なはだ悪いという問題もあった。That is, at the time of plasma heating, as described above, it is necessary to input MW class high frequency from the antenna 5 to the plasma for a long time. However, the plasma is not always stable, and the matching state may deviate during the injection even though the impedance matching unit 4 has adjusted to the best matching state immediately before the injection. It was necessary to reduce or reduce the power, and there was also the problem that the experimental efficiency was extremely poor.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、高
周波加熱アンテナからの反射電力が大きくなっても励振
増幅系の出力をゼロまたは大きく下げることなくエージ
ング作業を行なうことができ、励振増幅系の出力レベル
をプラズマ加熱に必要な出力レベルに短時間で到達させ
ることができ、かつプラズマ入射実験時においても入射
電力を減ずる若しくはゼロにする必要がなく、常にプラ
ズマに対して高周波が入射可能な高周波加熱装置を提供
することを目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and even when the reflected power from the high-frequency heating antenna increases, the aging operation can be performed without reducing or greatly reducing the output of the excitation amplification system. Can reach the output level required for plasma heating in a short time, and it is not necessary to reduce or set the incident power to zero even during plasma injection experiments. An object is to provide a high-frequency heating device.
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために本発明は、源発振器と、こ
の源発振器から発振した高周波電力を励振増幅する励振
増幅系と、この励振増幅系で増幅された高周波電力をプ
ラズマ加熱に必要な大電力まで増幅する大電力増幅系
と、この大電力増幅系で増幅された高周波電力をインピ
ーダンス整合器を介してプラズマへ入射する高周波加熱
アンテナと、前記大電力増幅系と前記高周波加熱アンテ
ナとの間に設けられた方向性結合器と、この方向性結合
器を介して前記高周波加熱アンテナからの反射電力を検
出する反射電力検出器と、この反射電力検出器で検出さ
れた反射電力があらかじめ定められた上限レベルより高
い場合に前記励振増幅系の出力を下げる信号を出力し前
記反射電力があらかじめ定められた下限レベルより低い
場合には前記励振増幅系の出力を上げる信号を出力する
レベル制御器とを具備したものである。[Means for Solving the Problems] To achieve the above object, the present invention provides a source oscillator, an excitation amplification system for exciting and amplifying high-frequency power oscillated from the source oscillator, and an excitation amplification system A high-power amplification system that amplifies the high-frequency power amplified by the above to the large power required for plasma heating, and a high-frequency heating antenna that applies the high-frequency power amplified by the high-power amplification system to the plasma via an impedance matching device, A directional coupler provided between the high-power amplification system and the high-frequency heating antenna; a reflected power detector that detects reflected power from the high-frequency heating antenna via the directional coupler; When the reflected power detected by the power detector is higher than a predetermined upper limit level, a signal for lowering the output of the excitation amplification system is output, and the reflected power is determined in advance. The If less than the lower limit level is obtained by including a level controller for outputting a signal to raise the output of the excitation amplifier system.
（作 用） すなわち、本発明は高周波加熱アンテナからの反射電
力があらかじめ定められた上限レベルより高い場合には
励振増幅系の出力を下げる信号が出力され、また反射電
力があらかじめ定められた下限レベルより低い場合には
励振増幅系の出力を上げる信号が出力されるので、高周
波加熱アンテナからの反射電力が大きくなっても励振増
幅系の出力をゼロまたは大きく下げることなくエージン
グ作業を行なうことができ、励振増幅系の出力レベルを
プラズマ加熱に必要な出力レベルに短時間で到達させる
ことができ、かつプラズマ入射実験時においても入射電
力を減ずる若しくはゼロにする必要がなく、常にプラズ
マに対して高周波が入射可能になる。(Operation) That is, according to the present invention, when the reflected power from the high-frequency heating antenna is higher than a predetermined upper limit level, a signal for lowering the output of the excitation amplification system is output, and when the reflected power is lower than the predetermined lower limit level. If the power is lower, a signal that raises the output of the excitation amplification system is output, so even if the reflected power from the high-frequency heating antenna increases, the aging operation can be performed without reducing the output of the excitation amplification system to zero or significantly. In addition, the output level of the excitation amplification system can reach the output level required for plasma heating in a short time, and it is not necessary to reduce or reduce the incident power even during the plasma injection experiment. Can be incident.
（実施例） 以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention is described with reference to drawings.
第１図は本発明による高周波加熱装置の一実施例を示
すブロック構成図で、この高周波加熱装置は第３図に示
した従来装置と同様に源発振器１、励振増幅系２、大電
力増幅系３、インピーダンス整合器４および高周波加熱
アンテナ５から構成され、源発振器１で発生した高周波
電力は励振増幅系２で適当な出力レベルまで増幅される
と共にプラズマを加熱するのに必要な波形とパルス幅に
調整される。そして、励振増幅系２で増幅及び波形調整
された高周波電力は大電力増幅系３でプラズマ加熱に必
要なMW級の大電力まで増幅された後、インピーダンス整
合器４を介して高周波加熱アンテナ５からプラズマ中に
入射されるようになっている。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a high-frequency heating apparatus according to the present invention. This high-frequency heating apparatus is similar to the conventional apparatus shown in FIG. 3, an impedance matching unit 4 and a high-frequency heating antenna 5, the high-frequency power generated by the source oscillator 1 is amplified to an appropriate output level by an excitation amplification system 2 and a waveform and a pulse width necessary for heating the plasma. It is adjusted to. The high-frequency power amplified and waveform-adjusted by the excitation amplification system 2 is amplified by the high-power amplification system 3 to a large power of MW class required for plasma heating, and then transmitted from the high-frequency heating antenna 5 via the impedance matching device 4. It is designed to be incident on the plasma.
また、上記大電力増幅系３とインピーダンス整合器４
およびインピーダンス整合器４と高周波加熱アンテナ５
との間には方向性結合器6,7が設置されている。これら
の方向性結合器6,7はそれぞれ反射電力検出器８および
定在波検出器９と接続しており、これらの反射電力検出
器８および定在波検出器９により高周波加熱アンテナ５
からの反射電力と定在波を検出している。また、上記反
射電力検出器８および定在波検出器９で検出された反射
電力と定在波の検出信号はレベル制御器10に入力され、
このレベル制御器10であらかじめ設定された反射電力上
限レベル設定値PU、反射電力下限レベル設定値PLおよび
定在波設定値SUと比較される。そして、反射電力検出器
８で検出された反射電力が反射電力上限レベル設定値PU
より高い場合には励振増幅系２の出力を下げる信号が、
また反射電力が反射電力下限レベル設定値PLより低い場
合には励振増幅系２の出力を上げる信号がレベル制御器
10から出力されるようになっている。Further, the high power amplification system 3 and the impedance matching unit 4
And impedance matching device 4 and high-frequency heating antenna 5
Directional couplers 6 and 7 are provided between and. These directional couplers 6 and 7 are connected to a reflected power detector 8 and a standing wave detector 9, respectively.
And the standing power are detected. The reflected power and the standing wave detection signals detected by the reflected power detector 8 and the standing wave detector 9 are input to a level controller 10,
Preset reflected power upper level setting value P U This level controller 10 is compared with reflected power limit level setting value P L and standing waves set value S U. Then, the reflected power detected by the reflected power detector 8 reflected power limit level setting value P U
If it is higher, a signal that lowers the output of the excitation amplification system 2
When the reflected power is lower than the reflected power lower limit level set value P L , a signal for increasing the output of the excitation amplification system 2 is output from the level controller.
It is output from 10.
第２図はプラズマ側から高周波加熱アンテナ５に戻っ
てきた反射電力と励振増幅系２から出力される高周波電
力との関係を示したもので、同図に示すように時刻t1に
おいて反射電力が反射電力上限レベル設定値PUに達する
と励振増幅系２の出力レベルがP1からP2に低下し、さら
に時刻t1から所定時間経過後の時刻t2において反射電力
が再び反射電力上限レベル設定値PUに達すると励振増幅
系２の出力レベルがP2からP3にさらに低下する。また、
時刻t2から所定時間経過後の時刻t3において反射電力が
反射電力下限レベル設定値PLに達すると励振増幅系２の
出力レベルがP3からP2に上昇する。そして、時刻t3から
所定時間経過後の時刻t4において反射電力が反射電力上
限レベル設定値PUに達すると励振増幅系２の出力レベル
がP2からP3に再び低下する。But FIG. 2 shows the relationship between the RF power output and reflected power has returned to the high-frequency heating antenna 5 from the excitation amplifier system 2 from the plasma side, the reflected power at time t 1 as shown in FIG. reflected power limit level setting value and the output level of the excitation amplification system 2 P U to reach is decreased from P 1 to P 2, the reflected power again at time t 2 after a predetermined time further from time t 1 the reflected power limit level output level setting P U to reach the excitation amplification system 2 further decreases from P 2 to P 3. Also,
The output level of the excitation amplification system 2 reflected power reaches the reflected power limit level setting value P L increases from P 3 to P 2 at time t 2 time t 3 after a predetermined time has elapsed from. The reflected power at time t 4 after a predetermined time from the time t 3 the output level of the reflected power limit level setting value P U to reach the excitation amplification system 2 again decreases from P 2 to P 3.
このように本実施例では高周波加熱アンテナ５からの
反射電力が反射電力上限レベル設定値PUより高い場合に
は励振増幅系２の出力を下げる信号が出力され、反射電
力が反射電力下限レベル設定値PLより低い場合には励振
増幅系２の出力を上げる信号が出力されるので、高周波
加熱アンテナ５からの反射電力をあらかじめ定められた
許容範囲内に制御することができる。したがって、高周
波加熱アンテナ５からの反射電力が大きくなっても励振
増幅系２から出力される高周波電力の出力レベルをゼロ
または大きく下げることなくエージング作業およびプラ
ズマ入射実験を行なうことができる。したがって、エー
ジング作業の時間を短縮することができ、励振増幅系の
出力レベルをプラズマ加熱に必要な出力レベルに短時間
で到達させることができ、かつプラズマ入射実験時にお
いても常にプラズマに対して高周波の入射が可能とな
り、実験の効率が上がる。Thus, in this embodiment when the reflected power from the high frequency heating antenna 5 higher than the reflected power limit level setting value P U are outputs a signal to lower the output of the excitation amplifier system 2, set the reflected power is the reflected power limit level since the signal to raise the output of the excitation amplifier system 2 is output is lower than the value P L, it can be controlled within the allowable range of the reflected power predetermined from the high-frequency heating antenna 5. Therefore, even if the reflected power from the high-frequency heating antenna 5 increases, the aging operation and the plasma injection experiment can be performed without reducing the output level of the high-frequency power output from the excitation amplification system 2 to zero or significantly. Therefore, the time required for the aging operation can be reduced, the output level of the excitation amplification system can reach the output level required for plasma heating in a short time, and the plasma is always subjected to high frequency even during the plasma injection experiment. And the efficiency of the experiment increases.
なお、上記実施例では大電力増幅系３とインピーダン
ス整合器４との間に方向性結合器６を設置して高周波加
熱アンテナ５からの反射電力を測定するようにしたが、
インピーダンス整合器４と高周波加熱アンテナ５との間
に設置された方向性結合器７を反射電力検出器８に接続
して高周波加熱アンテナ５からの反射電力を測定するよ
うにしてもよい。In the above embodiment, the directional coupler 6 is provided between the high power amplification system 3 and the impedance matching device 4 to measure the reflected power from the high-frequency heating antenna 5.
The directional coupler 7 provided between the impedance matching device 4 and the high-frequency heating antenna 5 may be connected to the reflected power detector 8 to measure the reflected power from the high-frequency heating antenna 5.
［発明の効果］ 以上説明したように本発明は、源発振器と、この源発
振器から発振した高周波電力を励振増幅する励振増幅系
と、この励振増幅系で増幅された高周波電力をプラズマ
加熱に必要な大電力まで増幅する大電力増幅系と、この
大電力増幅系で増幅された高周波電力をインピーダンス
整合器を介してプラズマへ入射する高周波加熱アンテナ
と、前記大電力増幅系と前記高周波加熱アンテナとの間
に設けられた方向性結合器と、この方向性結合器を介し
て前記高周波加熱アンテナからの反射電力を検出する反
射電力検出器と、この反射電力検出器で検出された反射
電力があらかじめ定められた上限レベルより高い場合に
前記励振増幅系の出力を下げる信号を出力し前記反射電
力があらかじめ定められた下限レベルより低い場合には
前記励振増幅系の出力を上げる信号を出力するレベル制
御器とを具備したものである。[Effects of the Invention] As described above, the present invention requires a source oscillator, an excitation amplification system that excites and amplifies high-frequency power oscillated from the source oscillator, and a high-frequency power amplified by the excitation amplification system for plasma heating. A high-power amplification system that amplifies to a large power, a high-frequency heating antenna that applies high-frequency power amplified by the high-power amplification system to plasma through an impedance matching device, and the high-power amplification system and the high-frequency heating antenna. A directional coupler provided between the directional coupler, a reflected power detector that detects reflected power from the high-frequency heating antenna via the directional coupler, and a reflected power detected by the reflected power detector. When the reflected power is lower than a predetermined lower limit level, a signal for lowering the output of the excitation amplification system is output when the output power is higher than a predetermined upper limit level. A level controller for outputting a signal for increasing the output of the excitation amplification system.
したがって、高周波加熱アンテナからの反射電力があ
らかじめ定められた上限レベルより高い場合には励振増
幅系の出力を下げる信号が、また反射電力があらかじめ
定められた下限レベルより低い場合には励振増幅系の出
力を上げる信号が出力されるので、高周波加熱アンテナ
からの反射電力が大きくなっても励振増幅系から出力さ
れる高周波電力の出力レベルをゼロまたは大きく下げる
ことなくエージング作業を行なうことができ、励振増幅
系の出力レベルをプラズマ加熱に必要な出力レベルに短
時間で到達させることができ、かつプラズマ入射実験時
において、プラズマが不安定でアンテナとプラズマ間の
整合がずれてしまってもプラズマへ入射する高周波電力
を大きく減ずる若しくはゼロにする必要がなく、常にあ
るレベル以上の高周波がプラズマへ入射できるため、プ
ラズマ入射実験において効率の良い高周波加熱装置を提
供できる。Therefore, when the reflected power from the high-frequency heating antenna is higher than a predetermined upper limit level, a signal for lowering the output of the excitation amplification system is output, and when the reflected power is lower than the predetermined lower limit level, the excitation amplification system is output. Since the signal to increase the output is output, even if the reflected power from the high-frequency heating antenna increases, the aging operation can be performed without reducing or greatly reducing the output level of the high-frequency power output from the excitation amplification system. The output level of the amplification system can reach the output level required for plasma heating in a short time, and it is incident on the plasma even if the plasma is unstable and the antenna and the plasma are misaligned during the plasma injection experiment. It is not necessary to greatly reduce or eliminate high-frequency power, and high frequency always exceeds a certain level. There since it enters the plasma, can provide an efficient high frequency heating apparatus in the plasma incident experiments.
第１図は本発明による高周波加熱装置の一実施例を示す
ブロック構成図、第２図は同実施例の作用説明図、第３
図は従来の高周波加熱装置のブロック構成図、第４図お
よび第５図は従来の高周波加熱装置の作用説明図であ
る。 １……源発振器、２……励振増幅系、３……大電力増幅
系、４……インピーダンス整合器、５……高周波加熱ア
ンテナ、6,7……方向性結合器、８……反射電力検出
器、９……定在波検出器、10……レベル制御器。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a high-frequency heating apparatus according to the present invention, FIG.
FIG. 1 is a block diagram of a conventional high-frequency heating device, and FIGS. 4 and 5 are explanatory diagrams of the operation of the conventional high-frequency heating device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Source oscillator, 2 ... Excitation amplification system, 3 ... High power amplification system, 4 ... Impedance matching device, 5 ... High frequency heating antenna, 6, 7 ... Directional coupler, 8 ... Reflected power Detector, 9: Standing wave detector, 10: Level controller.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 齊藤 靖 東京都港区芝浦１丁目１番１号 株式会 社東芝本社事務所内 (72)発明者 小林 則幸 東京都港区芝浦１丁目１番１号 株式会 社東芝本社事務所内 (56)参考文献 特開 昭57−194500（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G21B 1/00 H05H 1/18──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yasushi Saito 1-1-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo Inside the Toshiba head office (72) Inventor Noriyuki Kobayashi 1-1-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo (56) References JP-A-57-194500 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) G21B 1/00 H05H 1/18
Claims (1)
周波電力を励振増幅する励振増幅系と、この励振増幅系
で増幅された高周波電力をプラズマ加熱に必要な大電力
まで増幅する大電力増幅系と、この大電力増幅系で増幅
された高周波電力をインピーダンス整合器を介してプラ
ズマへ入射する高周波加熱アンテナと、前記大電力増幅
系と前記高周波加熱アンテナとの間に設けられた方向性
結合器と、この方向性結合器を介して前記高周波加熱ア
ンテナからの反射電力を検出する反射電力検出器と、こ
の反射電力検出器で検出された反射電力があらかじめ定
められた上限レベルより高い場合に前記励振増幅系の出
力を下げる信号を出力し前記反射電力があらかじめ定め
られた下限レベルより低い場合には前記励振増幅系の出
力を上げる信号を出力するレベル制御器とを具備したこ
とを特徴とする高周波加熱装置。1. A source oscillator, an excitation amplification system for exciting and amplifying high frequency power oscillated from the source oscillator, and a high power amplifier for amplifying the high frequency power amplified by the excitation amplification system to a large power required for plasma heating. A high-frequency heating antenna for injecting high-frequency power amplified by the high-power amplification system into plasma via an impedance matching device; and a directional coupling provided between the high-power amplification system and the high-frequency heating antenna. Detector, a reflected power detector for detecting the reflected power from the high-frequency heating antenna via the directional coupler, and when the reflected power detected by the reflected power detector is higher than a predetermined upper limit level When the reflected power is lower than a predetermined lower limit level, a signal for increasing the output of the excitation amplification system is output. High-frequency heating apparatus being characterized in that comprises a level controller for force.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1338237A JP2859338B2 (en) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | High frequency heating equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1338237A JP2859338B2 (en) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | High frequency heating equipment |
Publications (2)
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| JPH03201400A JPH03201400A (en) | 1991-09-03 |
| JP2859338B2 true JP2859338B2 (en) | 1999-02-17 |
Family
ID=18316219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1338237A Expired - Lifetime JP2859338B2 (en) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | High frequency heating equipment |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2859338B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5427645A (en) * | 1991-12-09 | 1995-06-27 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Apparatus and method for radio frequency sealing thermoplastic films together |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1338237A patent/JP2859338B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03201400A (en) | 1991-09-03 |
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