JP2858352B2 - Thin film thermistor - Google Patents

Thin film thermistor

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JP2858352B2
JP2858352B2 JP12714290A JP12714290A JP2858352B2 JP 2858352 B2 JP2858352 B2 JP 2858352B2 JP 12714290 A JP12714290 A JP 12714290A JP 12714290 A JP12714290 A JP 12714290A JP 2858352 B2 JP2858352 B2 JP 2858352B2
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thin
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電気オーブン・ガスオーブンなどの調理器
具、石油ファンヒータなどの燃焼器具等の温度センサと
して用いられる耐熱性の薄膜サーミスタに関するもので
ある。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a heat-resistant thin-film thermistor used as a temperature sensor for cooking appliances such as electric ovens and gas ovens, and combustion appliances such as oil fan heaters.

従来の技術 薄膜サーミスタは、アルミナ基板上に一対の厚膜電極
膜と、感温抵抗体を形成したサーミスタ素子を使用環境
から保護するために、種々の実装構造が考えられてい
る。
2. Description of the Related Art Various mounting structures of a thin-film thermistor have been considered in order to protect a thermistor element having a pair of thick-film electrode films and a temperature-sensitive resistor formed on an alumina substrate from a use environment.

例えば、長井、他、エレクトロニクス・セラミック
ス、'85、5月号、薄膜電子材料特集、第16頁による
と、第5図に示すように薄膜サーミスタは、サーミスタ
素子4をガラス管15内部に気密封入し、サーミスタ素子
4からのPt内部リード線7をコバール線(外部リード
線)5に溶接してガラス管15外に取り出している。そし
て、保持ベース16、保護カバー17を取り付けて完成とし
ている。
For example, according to Nagai et al., Electronics and Ceramics, May '85, May, Special Issue on Thin Film Electronic Materials, page 16, as shown in FIG. 5, the thin film thermistor hermetically seals the thermistor element 4 inside the glass tube 15. Then, the Pt internal lead wire 7 from the thermistor element 4 is welded to the Kovar wire (external lead wire) 5 and taken out of the glass tube 15. Then, the holding base 16 and the protective cover 17 are attached to complete the process.

発明が解決しようとする課題 上記の従来の薄膜サーミスタは、その使用可能温度は
350℃までであり、それ以上の高温になると下記の課題
のため特性が外部環境により大きな影響を受け、使用で
きない。
Problems to be Solved by the Invention The above-mentioned conventional thin film thermistor has a usable temperature of
The temperature is up to 350 ° C. If the temperature is higher than 350 ° C, the characteristics are greatly affected by the external environment due to the following problems, and it cannot be used.

第1の課題は、調理器庫内や燃焼器等で多量に発生し
ている水蒸気が、外部環境下にむきだしになっている。
外部リード線やサーミスタ素子・保持ベース等に付着し
易く、この水蒸気付着のため電気導通が生じ、電気的絶
縁性が低下しやすくなることである。この対策のため、
例えば四フッ化エチレン系樹脂を被覆し、はっ水性を利
用して結露防止を従来の薄膜サーミスタは実施している
が、この樹脂の耐熱性は350℃であり、それ以上の高温
になると樹脂が劣化してはっ水効果が低下し、それに伴
い電気的絶縁性が低下して温度が正しく測定できなくな
る。
A first problem is that a large amount of water vapor generated in a cooking cabinet, a combustor, or the like is exposed to an external environment.
It easily adheres to an external lead wire, a thermistor element, a holding base, and the like, and the adhesion of water vapor causes electrical conduction, which tends to reduce electrical insulation. For this measure,
For example, a conventional thin-film thermistor that coats a polytetrafluoroethylene resin and prevents dew condensation by using water repellency is used.However, the heat resistance of this resin is 350 ° C. Is deteriorated, the water repellency is reduced, and accordingly, the electrical insulation is reduced, and the temperature cannot be measured correctly.

第2の課題は、薄膜サーミスタ素子を外部環境から保
護しているガラス管が、コバール製外部リード線と界面
の化学的結合層を通して封着されているため、350℃以
上になると両者の材料の熱膨張特性の違いから、大きな
温度差が発生すると大きなひずみが発生してガラス管が
損壊劣化することである。このことは、従来の薄膜サー
ミスタが、コバール製外部リード線と近接したガラス熱
膨張係数を有するガラス材料として、種々の化学組成の
材料を検討した結果、ほうけい酸系、ガラスを選定し、
350℃までの使用温度までなら実用上支障ないことを確
認していることに起因する。したがって大きな温度差の
生じやすい350℃以上では使用できない課題があった。
The second problem is that the glass tube that protects the thin-film thermistor element from the external environment is sealed with a Kovar external lead wire through a chemical bonding layer at the interface. Due to the difference in thermal expansion characteristics, when a large temperature difference is generated, a large strain is generated and the glass tube is damaged and deteriorated. This means that as a result of studying materials of various chemical compositions as a glass material having a glass thermal expansion coefficient close to the Kovar external lead wire, a conventional thin film thermistor selected borosilicate and glass,
This is because it has been confirmed that there is no practical problem if the operating temperature is up to 350 ° C. Therefore, there has been a problem that it cannot be used at 350 ° C. or higher where a large temperature difference easily occurs.

課題を解決するための手段 上記課題を解決するため、本発明は、薄膜サーミスタ
素子本体を硝子被覆膜を介して固定する素子支持体と、
前記薄膜サーミスタ素子本体と内部リード線を介して電
気的導通を行うとともに前記素子支持体を固定する一対
の外部リード線と、前記素子支持体を収納する保護容器
と、前記外部リード線を絶縁して固定する一対の貫通穴
を有し前記保護容器と固定される分離体とを有してお
り、前記素子支持体に設けた凹状窪みに前記薄膜サーミ
スタ素子本体を格納して固定するとともに、前記外部リ
ード線を前記素子支持体に設けた貫通穴に挿入して折り
まげ他位置に設けた貫通部でお互いに固定した構成の薄
膜サーミスタとした。
Means for Solving the Problems To solve the above problems, the present invention provides an element support for fixing a thin film thermistor element main body via a glass coating film,
The thin-film thermistor element and a pair of external leads for fixing the element support while providing electrical continuity through the internal leads, a protective container for accommodating the element support, and insulating the external leads. Having a pair of through-holes for fixing the protective container and a separator fixed thereto, and storing and fixing the thin-film thermistor element body in a concave recess provided in the element support, An external lead wire was inserted into a through-hole provided in the element support, folded, and fixed to each other at a through-hole provided at another position to form a thin-film thermistor.

作用 上記の構成により、本発明の薄膜サーミスタは、薄膜
サーミスタ素子本体および内部リード線・外部リード線
が保護容器内に収納されて外部環境から遮断され、か
つ、薄膜サーミスタ素子本体が素子支持体・外部リード
線・保護容器でお互いに固定される。そのため、水蒸気
付着による電気的絶縁性の低下がなく、水蒸気が多く結
露しやすい雰囲気下でも温度を精度よく測定できる。ま
た、保護容器は、熱膨張係数の異なる材料の封着がない
ので熱衝撃に伴う歪発生が無く、高温から室温まで急激
に温度降下させても保護容器の損壊劣化がない。よっ
て、薄膜サーミスタ素子本体やリード線を長期間外部環
境から遮断し、高温下で精度良く長期間温度測定ができ
る。
With the above-described configuration, the thin-film thermistor of the present invention is configured such that the thin-film thermistor element main body and the inner lead wire and the outer lead wire are housed in a protective container to be shielded from the external environment, and the thin-film thermistor element main body is connected to the element support member. Secured to each other with external lead wires and protective container. Therefore, there is no decrease in electrical insulation due to the adhesion of water vapor, and the temperature can be accurately measured even in an atmosphere in which a large amount of water vapor is easily condensed. Further, since the protective container has no sealing with materials having different thermal expansion coefficients, there is no generation of distortion due to thermal shock, and there is no damage of the protective container even when the temperature is rapidly dropped from high temperature to room temperature. Therefore, the thin-film thermistor element body and the lead wires are shielded from the external environment for a long time, and the temperature can be accurately measured at a high temperature for a long time.

実施例 以下、本発明の実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

第1図は、本発明の薄膜サーミスタ素子本体の外観図
である。サラミック基板1に一対の厚膜電極膜2と感温
抵抗体3が形成されている。セラミック基板1は、実用
性を考慮してアルミナ基板を用い、その表面粗さを2〜
3μmとした。
FIG. 1 is an external view of a thin film thermistor element body of the present invention. A pair of thick electrode films 2 and a temperature-sensitive resistor 3 are formed on a salamic substrate 1. The ceramic substrate 1 uses an alumina substrate in consideration of practicality, and has a surface roughness of 2 to 2.
It was 3 μm.

一方、感温抵抗体3は、金属酸化物や炭化ケイ素(以
下SiCと記す)等があるが、感度が大きい・広い温度範
囲まで測定できる等の理由よりSiCを用い、スパッタ方
法にて櫛型の厚膜電極膜の上にその薄膜(厚み約6μ
m)を形成した。
On the other hand, the temperature-sensitive resistor 3 includes metal oxide, silicon carbide (hereinafter referred to as SiC), etc., but it has a high sensitivity and can be measured over a wide temperature range. Thin film (thickness of about 6μ)
m) was formed.

厚膜電極膜2は、Au−Pt膜、Pt膜、Au膜等であるが、
信頼性の高いAu−Pt膜を用い、アルミナ基板1上にペー
ストを印刷・乾燥・焼成することにより得た、 第2図は、本発明の一実施例である薄膜サーミスタの
外観図である。
The thick-film electrode film 2 is an Au-Pt film, a Pt film, an Au film, or the like.
FIG. 2 is an external view of a thin film thermistor according to one embodiment of the present invention, obtained by printing, drying, and firing a paste on an alumina substrate 1 using a highly reliable Au-Pt film.

薄膜サーミスタ素子本体4を、一対の耐熱金属製外部
リード線5を固定したセラミック製素子支持体6の上に
固定し、前記一対の厚膜電極膜2と前記一対の外部リー
ド線5とを耐熱金属製内部リード線7で電気的に各々接
続している。その後、耐熱金属製保護容器8内に前記素
子支持体6を収納し、前記保護容器8と治具18を用いて
嵌合するセラミック製分離体9の貫通孔10部分で前記一
対の外部リード線5を絶縁して固定し、少なくとも一方
を前記保護容器9から分離している。
The thin-film thermistor element body 4 is fixed on a ceramic element support 6 to which a pair of heat-resistant metal external leads 5 are fixed, and the pair of thick-film electrode films 2 and the pair of external leads 5 are heat-resistant. Each is electrically connected by a metal internal lead wire 7. Thereafter, the element support 6 is housed in a heat-resistant metal protective container 8, and the pair of external lead wires is inserted through the through-hole 10 of the ceramic separator 9 fitted with the protective container 8 using a jig 18. 5 is insulated and fixed, and at least one is separated from the protective container 9.

耐熱金属製外部リード線5および、耐熱金属製保護容
器8の材質は、SUS304、SUS430等のステンレス、銅であ
る。
The material of the heat-resistant metal external lead wire 5 and the heat-resistant metal protection container 8 is stainless steel such as SUS304 or SUS430, or copper.

セラミック製素子支持体6および、セラミック製分離
体10の材質は、アルミナ、酸化カルシウム、酸化ケイ
素、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン
等の群より選択した1種以上である。
The material of the ceramic element support 6 and the ceramic separator 10 is at least one selected from the group consisting of alumina, calcium oxide, silicon oxide, magnesium oxide, zirconium oxide, and titanium oxide.

耐熱金属性内部リード線7は、白金線、ニッケル線、
コバール線等である。
The heat-resistant metal inner lead wire 7 is a platinum wire, a nickel wire,
Kovar line or the like.

第3図は、本発明の一実施例である薄膜サーミスタに
おける素子支持体の外観図である。
FIG. 3 is an external view of an element support in the thin film thermistor according to one embodiment of the present invention.

薄膜サーミスタ素子本体4は、硝子被覆層11を介して
素子支持体6に固定されている。また、外部リード線5
は、素子支持体6に設けられた貫通孔12に挿入されて折
りまげられ、さらに他位置に設けられた貫通部13で溶接
によりお互いに固定されている。そして、薄膜サーミス
タ素子本体4の膜厚電極膜2から引き出された内部リー
ド線7が、外部リード線5と電気的に導通されている。
The thin film thermistor element main body 4 is fixed to the element support 6 via a glass coating layer 11. In addition, external lead wire 5
Are inserted into a through-hole 12 provided in the element support 6 and folded, and are fixed to each other by welding at a through-hole 13 provided at another position. The internal lead wires 7 drawn out from the film thickness electrode film 2 of the thin film thermistor element main body 4 are electrically connected to the external lead wires 5.

第4図は、第3図の素子支持体におけるAA′線断面図
である。
FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA 'of the element support shown in FIG.

薄膜サーミスタ素子本体4は、素子支持体6に設けら
れた凹状窪み14に格納された後、硝子被覆膜11を介して
固定されている。この構成にすることで、素子支持体6
に薄膜サーミスタ素子本体4を硝子被覆層11を介して固
定することが、位置ずれをおこすことなく短時間におこ
なえる。また、凹状窪み14には、貫通穴15が設けられて
おり硝子被覆膜11の加熱形成時の気泡発生を防止する効
果がある。
The thin film thermistor element main body 4 is stored in a concave recess 14 provided in the element support 6 and is fixed via a glass coating film 11. With this configuration, the element support 6
Fixing the thin film thermistor element body 4 via the glass coating layer 11 can be performed in a short time without causing displacement. Further, the concave recess 14 is provided with a through hole 15 and has an effect of preventing the generation of bubbles when the glass coating film 11 is formed by heating.

本発明の効果を第1図〜第4図の実施例にもとづいて
判定した。まず、製造方法を記す。
The effect of the present invention was determined based on the embodiment shown in FIGS. First, the manufacturing method will be described.

Au:Pt=3:7の厚膜電極膜(膜厚約12μm)を、アルミ
ナ基板(1.8mm×6.5mm×0.5mm)上に、くし形状に形成
し、ついで高周波スパッタリング蒸着法により、SiC抵
抗体膜を約6μmの厚みで形成して薄膜サーミスタ素子
とした。
Au: Pt = 3: 7 thick electrode film (thickness: about 12μm) is formed in a comb shape on an alumina substrate (1.8mm x 6.5mm x 0.5mm). A body film was formed with a thickness of about 6 μm to obtain a thin film thermistor element.

この薄膜サーミスタ素子は、一対の厚膜電極膜に白金
製の内部リード線を溶接法を用いて電気的に接続した
後、アルミナ製素子支持体の上にガラスを用いて固定さ
れている。
The thin-film thermistor element is fixed to a pair of thick-film electrode films by electrically connecting an internal lead wire made of platinum using a welding method, and then using glass on an alumina-made element support.

ガラスは、SiO2・BaO・CaOを主成分としたものであ
り、薄膜サーミスタ素子のアルミナ基板や素子支持体の
アルミナ基板と概略同等の熱膨張係数を有する。なお、
薄膜サーミスタ素子は、素子支持体に設けた凹状窪みに
格納した後ガラス被覆した。
The glass is mainly composed of SiO 2 , BaO, and CaO, and has a thermal expansion coefficient substantially equal to that of the alumina substrate of the thin-film thermistor element and the alumina substrate of the element support. In addition,
The thin film thermistor element was housed in a concave recess provided on the element support, and then covered with glass.

つぎに、SUS430製外部リード線(1.2Wmm×100Lmm×1.
3tmm)をアルミナ製素子支持体に設けた貫通穴に挿入し
て折りまげ、他位置に設けた貫通部で溶接法によりお互
いを固定した。このことで、素子支持体と外部リード線
の固定を行った。
Next, SUS430 external lead wire (1.2Wmm × 100Lmm × 1.
3tmm) was inserted into a through-hole provided in the alumina element support, folded, and fixed to each other by a welding method at a through-hole provided at another position. Thus, the element support and the external lead wires were fixed.

この外部リード線をセラミック製分離体の貫通穴に各
々挿入し、両端部をひねることで固定を行った。
The external leads were inserted into through holes of the ceramic separator, and fixed by twisting both ends.

その後、この素子支持体を内径6.7mm、外径7.2mmのス
テンレス製保護容器(片端を閉じたパイプ構造体)の中
に収納し、この保護容器と前述の分離体を治具を用いて
嵌合することで固定し完成品とした。
Thereafter, the element support is housed in a stainless steel protective container (pipe structure closed at one end) having an inner diameter of 6.7 mm and an outer diameter of 7.2 mm, and the protective container and the above-described separator are fitted using a jig. It was fixed by joining to make a finished product.

なお、外部リード線は、保護容器と少なくとも一方を
分離している。
In addition, the external lead wire separates at least one from the protective container.

各種信頼性の結果を次に記す。 The various reliability results are described below.

この薄膜サーミスタに、DC1000Vを負荷してその絶縁
性を確認したところ1000MΩ以上の抵抗を示し、実用上
問題ない電気絶縁性を示した。
A load of 1000 V DC was applied to this thin-film thermistor to check its insulation. As a result, it showed a resistance of 1000 MΩ or more, and showed electrical insulation that was not problematic in practical use.

また、この薄膜サーミスタを200℃に保持した炉に放
置し、室温雰囲気下に取り出した際に、両者の温度差の
63%の温度に相当する抵抗値に到達するまでの時間(以
下、この時間を熱時定数と称す)を測定したところ、80
秒であった。なお、参考のため、他構造品での熱時定数
を測定したところ、保護容器の無い場合は50秒、従来例
(第5図)の構造品は75秒であり、本発明は従来品とほ
ぼ同等の熱時定数を有し、応答性は実用上問題なかっ
た。
When the thin film thermistor was left in a furnace maintained at 200 ° C. and taken out in an atmosphere at room temperature, the temperature difference between the two was determined.
When the time required to reach a resistance value corresponding to a temperature of 63% (hereinafter, this time is referred to as a thermal time constant) was measured,
Seconds. For reference, when the thermal time constant of another structure was measured, it was 50 seconds without the protective container and 75 seconds for the structure of the conventional example (Fig. 5). It had almost the same thermal time constant, and there was no practical problem in response.

薄膜サーミスタを高温雰囲気(500℃)に1000時間放
置したとき、あるいは(室温空気中15分間放置→500℃
空気中15分間放置→室温空気中15分間放置)を1サイク
ルとして、この熱衝撃を2000回繰り返した時、抵抗値変
化率は、いずれも±3%以下であった。
When the thin-film thermistor is left in a high-temperature atmosphere (500 ° C) for 1000 hours, or (Leave in air at room temperature for 15 minutes → 500 ° C
When this thermal shock was repeated 2,000 times with one cycle of “leave in air for 15 minutes → leave in room temperature air for 15 minutes”, the resistance value change rate was ± 3% or less in each case.

さらに、高湿度雰囲気(温度70℃、相対湿度95%以
上)に1000時間放置したとき、また沸騰水中に8時間放
置したときも、抵抗値変化率はいずれも±3%以内であ
った。
Furthermore, the resistance value change rate was within ± 3% when both were left for 1000 hours in a high-humidity atmosphere (temperature 70 ° C., relative humidity 95% or more) or when they were left in boiling water for 8 hours.

薄膜サーミスタは正弦波に近い振動(振動数300〜360
0Hz、振幅0.2〜3.2mm、加速度1〜3G)をX、Y、Z方
向に各2時間印加する振動試験を実施したが、温度一抵
抗特性の変化はみられず、機械的振動に強いことも確認
できた。
The thin film thermistor has a vibration close to a sine wave (frequency 300 to 360
0Hz, amplitude 0.2 ~ 3.2mm, acceleration 1 ~ 3G) were applied in X, Y, Z directions for 2 hours each, but there was no change in temperature-resistance characteristics and it was strong against mechanical vibration. Was also confirmed.

発明の効果 以上の様に、本発明の薄膜サーミスタは、薄膜サーミ
スタ素子本体および内部リード線・外部リード線を耐熱
金属製保護容器内に収納し、かつ、薄膜サーミスタ素子
本体を素子支持体・外部リード線・分離体・保護容器を
用いて固定した構造体であるので、 (1) 薄膜サーミスタ素子が外部環境から遮断される
ので、有機物や水分・腐食性ガスなどの有害環境因子に
よる素子の化学的劣化を防止でき、高い信頼性を長期間
維持できる。
Effect of the Invention As described above, the thin film thermistor of the present invention has a thin film thermistor element main body and an internal lead wire and an external lead wire housed in a heat-resistant metal protective container, and the thin film thermistor element main body is connected to the element support body and the outside. (1) Since the thin-film thermistor element is shielded from the external environment, chemical chemistry of the element due to harmful environmental factors such as organic substances, moisture, corrosive gas, etc. Deterioration can be prevented, and high reliability can be maintained for a long time.

(2) 薄膜サーミスタ素子のみならず内部リード線・
外部リード線も外部環境から遮断されるので、水蒸気付
着による電気的絶縁性の低下がない。そのため、水蒸気
の多く結露しやすい雰囲気下でも温度を精度よく測定で
きる。
(2) Not only thin-film thermistor elements but also internal lead wires
Since the external lead wires are also shielded from the external environment, there is no decrease in electrical insulation due to adhesion of water vapor. Therefore, the temperature can be measured accurately even in an atmosphere where a large amount of water vapor is likely to be condensed.

(3) 薄膜サーミスタ素子を外部環境から遮断する保
護容器は、熱膨張係数の異なる材料の封着がないので、
熱衝撃に伴う歪発生が無い。そのため、高温から室温ま
で急激に温度降下させても保護容器の損壊劣化がなく、
薄膜サーミスタ素子を長期間外部環境から遮断し、高温
下で精度良く長期間温度測定できる。
(3) Since the protective container that shields the thin-film thermistor element from the external environment has no sealing with materials having different coefficients of thermal expansion,
No distortion due to thermal shock. Therefore, even if the temperature drops rapidly from high temperature to room temperature, there is no damage of the protective container,
The thin-film thermistor element is shielded from the external environment for a long time, and the temperature can be accurately measured at a high temperature for a long time.

一方、薄膜サーミスタ素子本体は、素子支持体に設け
た凹状窪みに格納された後硝子で被覆され、さらに、素
子支持体が貫通孔および貫通部で外部リード線と固定さ
れるため、強固な固定構造となり機械的振動にも強い。
On the other hand, the thin-film thermistor element body is covered with glass after being stored in the concave recess provided in the element support, and furthermore, the element support is fixed to the external lead wire through the through-hole and the through-hole, so that it is firmly fixed. Structure and resistant to mechanical vibration.

(4) 素子支持体に設けた凹状窪みに薄膜サーミスタ
素子本体を格納した構造なので、素子支持体の全体積が
凹状窪みによって減少し、そのぶん素子支持体の熱容量
が小さくなり、応答性が早くなる。
(4) Since the main body of the thin film thermistor element is housed in the concave recess provided in the element support, the total volume of the element support is reduced by the concave recess, and the heat capacity of the element support is reduced accordingly, resulting in quick response. Become.

また、薄膜サーミスタ素子本体を素子支持体に硝子を
用いて固定する際に、その固定位置決めが凹状窪みによ
り正確となり短時間に作業が終了する。さらに、凹状窪
みに貫通穴を設けると、硝子被覆にともなう焼成時に発
生する気泡が、貫通穴よりうまく抜け、気泡の少ない硝
子被覆膜が得られる。したがって、その分、強固で非多
孔質な硝子被覆膜となり、信頼性の一層優れた薄膜サー
ミスタとなる。
Further, when fixing the thin film thermistor element body to the element support using glass, the fixing positioning is accurate due to the concave depression, and the operation is completed in a short time. Further, when a through-hole is provided in the concave depression, bubbles generated during firing accompanying the glass coating can be removed more efficiently than the through-hole, and a glass coating film with few bubbles can be obtained. Therefore, a correspondingly strong and non-porous glass coating film is obtained, and a thin film thermistor with even higher reliability is obtained.

(5) 外部リード線を素子支持体に設けた貫通穴に挿
入して折り曲げ、さらに他位置に設けた貫通部でお互い
に固定した構造なので、強固な固定となる。また、素子
支持体は貫通穴および貫通部を各々一対づつ有するの
で、その全体積が一層減少し、その分、熱容量が小さく
なり応答性が早くなる。
(5) The structure is such that the external lead wires are inserted into the through-holes provided in the element support, bent, and fixed to each other by the through-holes provided at other positions, so that they are firmly fixed. Further, since the element support has a pair of through-holes and through-holes, the total volume thereof is further reduced, and the heat capacity is correspondingly reduced and the response is quickened.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例である薄膜サーミスタ素子の
外観斜視図、第2図は同薄膜サーミスタの一部切欠斜視
図、第3図は同薄膜サーミスタにおける素子支持体の正
面図、第4図は第3図AA′線断面図、第5図は従来の薄
膜サーミスタ素子の一部切欠斜視図である。 1……セラミック基板、2……厚膜電極膜、3……感温
抵抗体、4……薄膜サーミスタ素子、5……外部リード
線、6……素子支持体、7……内部リード線、8……保
護容器、9……分離体、10……分離体の貫通穴、11……
硝子被覆膜、12……素子支持体の貫通穴、13……素子支
持体の貫通部、14……素子支持体の凹状窪み。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an external perspective view of a thin film thermistor element according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of the thin film thermistor, and FIG. FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA 'of FIG. 3, and FIG. 5 is a partially cutaway perspective view of a conventional thin film thermistor element. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ceramic substrate, 2 ... Thick film electrode film, 3 ... Temperature sensitive resistor, 4 ... Thin film thermistor element, 5 ... External lead wire, 6 ... Element support, 7 ... Internal lead wire, 8: Protective container, 9: Separator, 10: Through hole of separator, 11:
Glass coating film, 12: through-hole of element support, 13: through-hole of element support, 14: concave recess of element support.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 修治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−41002(JP,A) 特開 平1−270202(JP,A) 特開 昭59−218928(JP,A) 特開 昭55−166902(JP,A) 特開 平2−275602(JP,A) 特開 平2−305406(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01C 7/02 - 7/22────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shuji Ito 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) References JP-A-63-41002 (JP, A) JP-A-1- 270202 (JP, A) JP-A-59-218928 (JP, A) JP-A-55-166902 (JP, A) JP-A-2-275602 (JP, A) JP-A-2-305406 (JP, A) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01C 7/02-7/22

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】薄膜サーミスタ素子本体を硝子被覆膜を介
して固定する素子支持体と、前記薄膜サーミスタ素子本
体と内部リード線を介して電気的導通を行うとともに前
記素子支持体を固定する一対の外部リード線と、前記素
子支持体を収納する保護容器と、前記外部リード線を絶
縁して固定する一対の貫通穴を有し前記保護容器に固定
される分離体とを有し、前記素子支持体に設けた凹状窪
みに前記薄膜サーミスタ素子本体を格納して固定すると
ともに、前記外部リード線を前記素子支持体に設けた貫
通穴に挿入して折りまげ他位置に設けた貫通部でお互い
に固定した薄膜サーミスタ。
An element support for fixing a thin-film thermistor element body via a glass coating film, and a pair of elements for electrically connecting the thin-film thermistor element body and internal leads via internal leads and fixing the element support. An external lead wire, a protective container for accommodating the element support, and a separator fixed to the protective container having a pair of through holes for insulating and fixing the external lead wire. The thin film thermistor element main body is stored and fixed in a concave recess provided in the support, and the external lead wires are inserted into through holes provided in the element support and folded, so that the external lead wires are provided at other positions. Thin film thermistor fixed to.
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