JP2855330B2 - Organic film fabrication method - Google Patents

Organic film fabrication method

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JP2855330B2
JP2855330B2 JP63119301A JP11930188A JP2855330B2 JP 2855330 B2 JP2855330 B2 JP 2855330B2 JP 63119301 A JP63119301 A JP 63119301A JP 11930188 A JP11930188 A JP 11930188A JP 2855330 B2 JP2855330 B2 JP 2855330B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 例えば有機非線形光学膜等を初めとする各種有機膜の
作製に使用可能な有機膜の作製方法に関し、 膜構造を極めて精密に制御することができ、しかも欠
陥の少ない良質な有機膜をドライプロセスで得ることが
できるようにすることを目的とし、 電子供与性、電子受容性の基を有する有機分子を真空
チャンバ内でガス化して基板に交互に到達させ、互いに
隣接する電子供与性と電子受容性の基の間の吸着力によ
り前記基板上に前記有機分子からなる単分子層を交互に
を堆積させるように構成する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] The present invention relates to a method for producing an organic film that can be used for producing various organic films such as an organic nonlinear optical film and the like. With the aim of obtaining a good quality organic film with less dry process, organic molecules having electron donating and electron accepting groups are gasified in a vacuum chamber and alternately reach the substrate, Monolayers composed of the organic molecules are alternately deposited on the substrate by the adsorptive force between adjacent electron donating and electron accepting groups.

〔産業上の利用分野〕[Industrial applications]

本発明は、例えば有機非線形光学膜等を初めとする各
種有機膜の作製に使用可能な有機膜の作製方法に関す
る。
The present invention relates to a method for producing an organic film that can be used for producing various organic films such as an organic nonlinear optical film.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、有機膜を作製する方法としては、溶媒蒸発法、
溶融固化法、スピンコート法、LB法(Langmuir−Blodge
tt's technique)、及び蒸着法等が知られている。
Conventionally, methods for producing an organic film include a solvent evaporation method,
Melt solidification method, spin coating method, LB method (Langmuir-Blodge
tt's technique), a vapor deposition method, and the like.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

上述した従来の有機膜の作製方法のうち、溶媒蒸発
法、溶融固化法及びピンコート法は、簡便ではあるが、
超格子構造や分子配向制御等の入口的な膜設計を行うこ
とができない。
Among the above-described conventional methods for producing an organic film, the solvent evaporation method, the melt solidification method, and the pin coating method are simple,
Introductory film design such as superlattice structure and molecular orientation control cannot be performed.

また、LB法は、人口的な膜設計は可能であるが、ウェ
ットな方法であり、これによって作製された有機膜は欠
陥が多いため、このような有機膜を用いてデバイスを製
造することは困難である。
In addition, although the LB method can be used for artificial film design, it is a wet method, and the organic film produced by this method has many defects. Therefore, it is not possible to manufacture a device using such an organic film. Have difficulty.

更に、蒸着法は、上述した溶媒蒸発法、溶融固化法及
びスピンコート法に比べれば膜設計の自由度は大きい
が、超格子構造や分子配向制御等に必要とされる程度の
精密な制御を行うことはできない。
Furthermore, the vapor deposition method has a greater degree of freedom in film design than the solvent evaporation method, the melt solidification method, and the spin coating method described above, but requires a precise control required for controlling the superlattice structure and molecular orientation. I can't do that.

本発明は、以上問題点に鑑み、膜構造を極めて精密に
制御することができ、しかも欠陥の少ない良質な有機膜
をドライプロセスで得ることができるようにすることを
目的とする。
In view of the above problems, an object of the present invention is to make it possible to control a film structure extremely precisely and to obtain a high-quality organic film with few defects by a dry process.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

まず電子供与性の基を2つ以上有する第1の有機分子
と、電子受容性の基を2つ以上有する第2の有機分子と
を真空チャンバ内でガス化して、交互に基板に到達させ
る。そして、互いに隣接する電子供与性と電子受容性の
基の間の吸着力により、基板上に上記第1の有機分子か
らなる単分子層と上記第2の有機分子からなる単分子層
とを交互に堆積させる。
First, a first organic molecule having two or more electron-donating groups and a second organic molecule having two or more electron-accepting groups are gasified in a vacuum chamber to reach the substrate alternately. Then, the monomolecular layer composed of the first organic molecule and the monomolecular layer composed of the second organic molecule are alternately formed on the substrate by the adsorption force between the electron donating and electron accepting groups adjacent to each other. To be deposited.

又は、まず電子供与性の基と電子受容性の基の双方を
いずれも1つ以上有する有機分子を真空チャンバ内でガ
ス化して、基板に到達させる。そして、前述した吸着力
により、基板上に分子配向方位が揃った上記有機分子か
らなる単分子層を順次結合堆積させる。
Alternatively, first, an organic molecule having at least one of both an electron donating group and an electron accepting group is gasified in a vacuum chamber to reach the substrate. Then, monolayers composed of the organic molecules having the aligned molecular orientations are sequentially bonded and deposited on the substrate by the above-described adsorption force.

又は、まず第1の反応性の基を2以上有する第1の有
機分子と、第2の反応性の基を2以上有する第2の有機
分子とを真空チャンバ内でガス化して、交互に基板に到
達させる。そして、互いに隣接する第1の反応性の基と
第2の反応性の基の間の化学反応により、基板上に上記
第1の有機分子からなる単分子層と上記第2の有機分子
からなる単分子層とを交互に結合堆積させる。
Alternatively, first, a first organic molecule having two or more first reactive groups and a second organic molecule having two or more second reactive groups are gasified in a vacuum chamber, and the substrates are alternately formed. To reach. Then, a monomolecular layer composed of the first organic molecule and the second organic molecule are formed on the substrate by a chemical reaction between the first reactive group and the second reactive group adjacent to each other. Monolayers are alternately bonded and deposited.

又はまず第1の反応性の基と第2の反応性の基の双方
をいずれも1つ以上有する有機分子を真空チャンバ内で
ガス化して、基板に到達させる。そして、前述した化学
反応により、基板上に分子配向方位が揃った上記有機分
子からなる単分子層を順次結合堆積させる。
Alternatively, first, an organic molecule having at least one of both the first reactive group and the second reactive group is gasified in a vacuum chamber to reach the substrate. Then, by the above-described chemical reaction, monolayers of the organic molecules having the aligned molecular orientations are sequentially bonded and deposited on the substrate.

〔作用〕[Action]

電子供与性基と電子受容性基との間には、クーロン力
に基づく吸着力が生じる。すると、この吸着力により、
電子供与性基を持つ有機分子と電子受容性基を持つ有機
分子とは互いに吸着しあう(2種類の基を共に持つ有機
分子では、同一種類の分子同士が吸着しあう)。
An adsorption force based on Coulomb force is generated between the electron donating group and the electron accepting group. Then, by this adsorption power,
An organic molecule having an electron donating group and an organic molecule having an electron accepting group adsorb to each other (in the case of an organic molecule having both types of groups, the same type of molecules adsorb to each other).

よって、基板として例えば電子受容性のものを用いた
場合、電子供与性基を持つ有機分子がガス化されて上記
基板上に到達すると、上述した吸着力により基板に堆積
され、基板上には電子供与性基を持つ有機分子からなる
単分子層が形成される。続いて、電子受容性基を持つ有
機分子がガス化されて基板上に到達すると、上記の層に
より吸着力を受けて、その上に電子受容性基を持つ有機
分子からなる単分子層が形成される。このようにして、
例えば電子供与性基と電子受容性基をそれぞれ有する複
数種類の有機分子を選択的に交互に堆積させていけば、
いわゆる超格子構造を持つ有機膜が容易に得られる。
Therefore, for example, when an electron-accepting substance is used as a substrate, when an organic molecule having an electron-donating group is gasified and reaches the substrate, the organic molecule is deposited on the substrate by the above-described adsorption force, and electrons are deposited on the substrate. A monolayer of organic molecules having a donor group is formed. Subsequently, when the organic molecule having an electron accepting group is gasified and reaches the substrate, the above layer receives the adsorbing force, and a monomolecular layer composed of the organic molecule having the electron accepting group is formed thereon. Is done. In this way,
For example, if multiple types of organic molecules each having an electron donating group and an electron accepting group are selectively and alternately deposited,
An organic film having a so-called superlattice structure can be easily obtained.

また、例えば電子供与性基及び電子受容性基を共に有
する同一種類の有機分子からなる単分子層を順次堆積さ
せていけば、分子配向性の強い有機膜が容易に得られ
る。
Further, for example, by sequentially depositing monomolecular layers made of the same kind of organic molecules having both an electron donating group and an electron accepting group, an organic film having strong molecular orientation can be easily obtained.

また、電子受容性の基と電子供与性の基との吸着力を
利用する代わりに、反応性の基同士の間の化学反応を利
用しても、同様な作用が得られる。
A similar effect can be obtained by using a chemical reaction between reactive groups instead of using the adsorbing force between the electron-accepting group and the electron-donating group.

更に、本発明は真空中でのドライプロセスであること
から、LB法と比較して欠陥の少ない良質な膜が得られ
る。
Further, since the present invention is a dry process in a vacuum, a high quality film with less defects can be obtained as compared with the LB method.

また、基板上に堆積された有機膜をポリマー化させれ
ば、機械的強度に優れた有機膜が得られる。
Further, by polymerizing the organic film deposited on the substrate, an organic film having excellent mechanical strength can be obtained.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら
説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、後述する本発明の各実施例で使用される製
膜装置の概略構成図であり、この装置は従来の有機MBE
(Molecular Beam Epitaxy)装置を利用したものであ
る。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus used in each embodiment of the present invention to be described later. This apparatus is a conventional organic MBE.
(Molecular Beam Epitaxy) device.

同図において、装置本体1は真空ポンプによって高真
空が得られる真空チャンバ2を備え、その内部の一方の
側には、製膜用の基板3を固定支持可能な基板ホルダ4
が設けられている。この基板ホルダ4は、ヒータ4a及び
冷却器4bにより温度制御が可能であり、基板3を所望の
温度に設定できるようになっている。なお、上記冷却器
4bは、この中を水、液体窒素もしくは液体ヘリウム等が
流れることによって、冷却が行われる。
In FIG. 1, an apparatus main body 1 includes a vacuum chamber 2 in which a high vacuum can be obtained by a vacuum pump, and a substrate holder 4 capable of fixing and supporting a film forming substrate 3 is provided on one side inside.
Is provided. The temperature of the substrate holder 4 can be controlled by a heater 4a and a cooler 4b, so that the substrate 3 can be set at a desired temperature. The above cooler
4b is cooled by flowing water, liquid nitrogen or liquid helium therein.

また、真空チャンバ2内において、上記基板ホルダ4
と対向する側に複数個(第2図では3個)のK(knudse
n)セル5,6,7が設けられると共に、これらの上部壁に開
けられた孔部5a,6a,7aとの近接位置にそれぞれシャッタ
8,9,10が配置されている。上記3つのKセル5〜7のう
ち、2つのKセル5,6は各実施例に係る別々の有機分子
からなる固体ソース11,12を入れるためのものであり、
残りのKセル7は上記2つのKセル5,6を使用する代わ
りに外部のガスボンベもしくはアンプル等(不図示)か
ら気体ソース13を導入するためのものである。上記固体
ソース11,12は、それぞれKセル5,6を加熱することによ
りガス化され、孔部5a,6aを介してガス分子として噴出
される。Kセル7中の気体ソース13は、そのままガス分
子として孔部7aを介し噴出される。Kセル5,6,7からそ
れぞれのガス分子の噴出量は、各シャッタ8,9,10の開閉
制御によって調整可能となっている。
In the vacuum chamber 2, the substrate holder 4
A plurality (three in FIG. 2) of K (knudse
n) Cells 5, 6, and 7 are provided, and shutters are respectively provided at positions close to holes 5a, 6a, and 7a formed in these upper walls.
8,9,10 are arranged. Of the three K cells 5 to 7, two K cells 5, 6 are for containing solid sources 11, 12 made of different organic molecules according to each embodiment,
The remaining K cell 7 is for introducing the gas source 13 from an external gas cylinder or ampule (not shown) instead of using the two K cells 5 and 6 described above. The solid sources 11 and 12 are gasified by heating the K cells 5 and 6, respectively, and are ejected as gas molecules through the holes 5a and 6a. The gas source 13 in the K cell 7 is jetted as it is via the hole 7a as gas molecules. The ejection amount of each gas molecule from the K cells 5, 6, and 7 can be adjusted by controlling the opening and closing of each of the shutters 8, 9, and 10.

更に、真空チャンバ2の側部には、基板3上に紫外線
等の光を照射するための光照射窓14が設けられている。
Further, a light irradiation window 14 for irradiating the substrate 3 with light such as ultraviolet light is provided on a side portion of the vacuum chamber 2.

次に、本発明の第1の実施例について、第2図を用い
て説明する。ここでは、ジアセチレン分子(一般構造式
R−C=C−C=C−R′)を用いたポリジアセチレン
膜の作製方法を例にとって述べる。
Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, a method for manufacturing a polydiacetylene film using diacetylene molecules (general structural formula RC = CC = CR ′) will be described as an example.

まず、電子供与性の基 を2つ持つジアセチレン分子(以下、分子Aとする)
と、電子受容性の基 を2つ持つジアセチレン分子(以下、分子Bとする)を
用意し、これらをそれぞれ第1図中の固体ソース11,12
としてKセル5,6内に入れる。そして、真空チャンバ2
内を高真空に保ったまま、上記固体ソース11,12をKセ
ル5,6内でガス化させる。
First, the electron donating group Diacetylene molecule having two (hereinafter referred to as molecule A)
And an electron-accepting group Diacetylene molecules (hereinafter, referred to as molecule B) having two of the following two solid sources 11 and 12 in FIG.
Into the K cells 5, 6. And vacuum chamber 2
The solid sources 11 and 12 are gasified in the K cells 5 and 6 while keeping the inside at a high vacuum.

続いて、基板3としてガラス(SiO2)等の電子受容性
物質からなる基板を使用し、まずKセル5上のシャッタ
8を開いて、ガス化された分子Aを基板3に到達させ
る。すると、分子Aの分子供与性基と電子受容性の基板
3との間に吸着力が働くため、第2図(a)に示すよう
に、基板3上には分子Aがその電子供与性基を基板3側
に向けて配列されながら堆積していく。この際、ヒータ
4a及び冷却器4bを適宜調整して、基板3の温度を、基板
3と分子Aとの吸着は起こるが分子A同士の吸着が起こ
りにくい温度に設定しておく。このような温度にすれ
ば、分子Aが基板3上に一通り吸着した後は分子Aの堆
積が殆ど起こらず、よって基板3上には分子Aの単分子
層21が形成される。単分子層21の形成が終了したら、シ
ャッタ8を閉じ、真空チャンバ2内に残った分子Aを真
空ポンプで排気する。
Subsequently, a substrate made of an electron-accepting substance such as glass (SiO 2 ) is used as the substrate 3. First, the shutter 8 on the K cell 5 is opened to allow the gasified molecules A to reach the substrate 3. Then, an adsorbing force acts between the molecule-donating group of the molecule A and the electron-accepting substrate 3, and as shown in FIG. The substrates are deposited while being arranged toward the substrate 3 side. At this time, the heater
By appropriately adjusting the temperature of the substrate 4 and the cooler 4b, the temperature of the substrate 3 is set to a temperature at which adsorption between the substrate 3 and the molecules A occurs but adsorption between the molecules A does not easily occur. At such a temperature, deposition of the molecule A hardly occurs after the molecule A is completely adsorbed on the substrate 3, so that a monomolecular layer 21 of the molecule A is formed on the substrate 3. When the formation of the monomolecular layer 21 is completed, the shutter 8 is closed, and the molecules A remaining in the vacuum chamber 2 are exhausted by a vacuum pump.

その後、Kセル6上のシャッタ9を開いて、ガス化さ
れた分子Bを基板3に到達させる。すると、基板3上の
単分子層21を構成する分子Aの持っている電子供与性基
と、分子Bの持っている電子受容性基との間に吸着力が
働くため、第2図(b)に示すように、分子Aの単分子
層21上には分子Bがその電子受容性基を単分子層21側に
向けて配列されながら堆積していく。この際、基板3の
温度を、分子Aと分子Bの吸着が起こるが分子B同士の
吸着は起こりにくい温度に設定しておけば、前工程と同
様に分子Aの単分子層21上には分子Bの単分子層22が形
成される。単分子層22の形成が終了したら、シャッタ9
を閉じ、真空チャンバ2内に残った分子Bを真空ポンプ
で排気する。
Thereafter, the shutter 9 on the K cell 6 is opened to allow the gasified molecules B to reach the substrate 3. Then, an adsorbing force acts between the electron-donating group of the molecule A and the electron-accepting group of the molecule B, which constitute the monolayer 21 on the substrate 3, and as shown in FIG. As shown in (1), the molecule B is deposited on the monolayer 21 of the molecule A while the electron-accepting groups are arranged toward the monolayer 21. At this time, if the temperature of the substrate 3 is set to a temperature at which the molecules A and B are adsorbed but the molecules B are hardly adsorbed to each other, the monomolecular layer 21 of the molecule A is placed on the monolayer 21 as in the previous step. A monolayer 22 of molecule B is formed. When the formation of the monomolecular layer 22 is completed, the shutter 9
Is closed, and the molecules B remaining in the vacuum chamber 2 are exhausted by a vacuum pump.

続いて、Kセル5上のシャッタ8を開いて、ガス化さ
れた分子Aを基板3に到達させ、その際の基板3の温度
を適宜設定することにより、第2図(c)に示すよう
に、上述したと同様にして分子Bの単分子層22上に分子
Aの単分子層23を形成する。
Subsequently, by opening the shutter 8 on the K cell 5 to allow the gasified molecules A to reach the substrate 3 and appropriately setting the temperature of the substrate 3 at that time, as shown in FIG. Then, a monolayer 23 of the molecule A is formed on the monolayer 22 of the molecule B in the same manner as described above.

以後、上述した単分子層22及び23の各形成工程を交互
に繰返すことにより、分子Aの単分子層と分子Bの単分
子層が交互に積層された構造のジアセレン多層膜を得る
ことができる。
Thereafter, by repeating the above-described steps of forming the monomolecular layers 22 and 23 alternately, a diacelenium multilayer film having a structure in which monomolecular layers of the molecule A and monolayers of the molecule B are alternately laminated can be obtained. .

その後更に、第1図に示した光照射窓14を介して、上
記ジアセチレン多層膜に紫外線等の光照射を施す。これ
により、上記多層膜がポリマー化されて、第2図(d)
に示すようなポリジアセチレン膜24が得られる。第2図
は膜中の分子吸着状態を模式的に示したものであり、実
際この通りの形状で堆積するとは限らずいろいろな吸
着、堆積形態がありうる。
Thereafter, the diacetylene multilayer film is irradiated with light such as ultraviolet rays through the light irradiation window 14 shown in FIG. As a result, the multilayer film is polymerized, and FIG. 2 (d)
A polydiacetylene film 24 as shown in FIG. FIG. 2 schematically shows the state of adsorbing molecules in the film, and the deposition is not necessarily in this shape, and various adsorption and deposition forms are possible.

本実施例によれば、上述したように、互いに異なる分
子A,Bが膜厚方向に沿って周期的に分布された構造、即
ち精密制御された超格子構造を持つポリジアセチレン膜
を容易に得ることができる。更に、本実施例は真空中で
のドライプロセスであるため、LB法に比較して欠陥の少
ない良質な膜を得ることができる。
According to this embodiment, as described above, a structure in which different molecules A and B are periodically distributed along the film thickness direction, that is, a polydiacetylene film having a precisely controlled superlattice structure is easily obtained. be able to. Further, since this embodiment is a dry process in a vacuum, a high-quality film with less defects can be obtained as compared with the LB method.

第3図は、本発明の第2実施例の製膜工程図である。 FIG. 3 is a film forming process diagram of a second embodiment of the present invention.

本実施例は、前述した第1の実施例において、最後に
光照射を行う代わりに、光照射を行いながら各単分子層
を堆積させるようにしたものである。即ち、まず第3図
(a)に示すように、前記第1の実施例と同様にして基
板3上に分子Aの単分子層21を堆積させる。続いて、第
2図(b)に示したと同様に単分子層21上に分子Bの単
分子層22を堆積させると共に、これら単分子層21及び22
を光照射によりポリマー化し、第3図(b)に示すよう
なポリジアセチレン膜31を形成する。その後、同様に光
照射しながら分子Aと分子Bを交互に堆積させていく。
これにより、第3図(c)に示すように、第2図(d)
と同様な超格子構造の良質なポリジアセチレン膜32が得
られる。第3図は膜中の分子吸着状態を模式的に示した
ものであり、実際この通りの形状で堆積するとは限らず
いろいろな吸着、堆積形態がありうる。
This embodiment is different from the first embodiment in that each monomolecular layer is deposited while performing light irradiation instead of performing light irradiation last. That is, first, as shown in FIG. 3A, a monomolecular layer 21 of the molecule A is deposited on the substrate 3 in the same manner as in the first embodiment. Subsequently, a monolayer 22 of molecule B is deposited on the monolayer 21 in the same manner as shown in FIG.
Is polymerized by light irradiation to form a polydiacetylene film 31 as shown in FIG. 3 (b). After that, molecules A and B are alternately deposited while similarly irradiating light.
Thereby, as shown in FIG. 3 (c), FIG.
A high-quality polydiacetylene film 32 having a superlattice structure similar to that described above is obtained. FIG. 3 schematically shows the state of adsorbing molecules in the film. Actually, the deposition is not necessarily performed in such a shape, and various adsorption and deposition forms may be present.

第4図は、本発明の第3の実施例の製膜工程図であ
る。ここでも、ジアセチレン分子を用いたポリジアセチ
レン膜の作製方法を例にとって述べる。
FIG. 4 is a film forming process chart of the third embodiment of the present invention. Here, a method for manufacturing a polydiacetylene film using diacetylene molecules will be described as an example.

本実施例では、まず、電子供与性の基 と電子受容性の基 を共に持つジアセチレン分子(以下、分子Cとする)を
用意し、これを第1図中の固体ソース11としてKセル5
内に入れる。そして、真空チャンバ2内を高真空に保っ
たまま、上記固体ソース11をKセル5内でガス化させ
る。
In this example, first, an electron-donating group was used. And electron accepting groups A diacetylene molecule (hereinafter, referred to as molecule C) having both of the following is prepared and used as a solid source 11 in FIG.
Put in. Then, the solid source 11 is gasified in the K cell 5 while keeping the vacuum chamber 2 at a high vacuum.

続いて、Kセル5上のシャッタ8を開いて、ガス化さ
れた分子Cを受容性の基板3に到達させる。すると、分
子Cの電子供与性基の電子受容性の基板3との間に吸着
力が働くため、第4図(a)に示すように、基板3上に
は、分子Cがその電子供与性基を基板3側に電子受容性
基を基板3とは反対側に向けた状態で配列されながら、
堆積していく。
Subsequently, the shutter 8 on the K cell 5 is opened to allow the gasified molecules C to reach the receptive substrate 3. Then, since the adsorbing force acts between the electron-donating group of the molecule C and the electron-accepting substrate 3, as shown in FIG. While the groups are arranged on the substrate 3 side with the electron-accepting group facing the opposite side to the substrate 3,
It accumulates.

更に、ガス化された分子Cを次々に基板3に到達させ
る。すると、先に基板3上に堆積された分子Cの電子受
容性基と、後に基板3に到達した分子Cの電子供与性基
との間に吸着力が働くため、基板3の温度を適宜設定す
ることにより、第4図(b)のように基板3上には分子
Cが一定の向きで配列されながら、順次堆積していく。
この工程を継続することにより、第4図(c)に示すよ
うな分子配向性の強いジアセチレン膜41を得ることがで
きる。
Further, the gasified molecules C reach the substrate 3 one after another. Then, an adsorption force acts between the electron-accepting group of the molecule C previously deposited on the substrate 3 and the electron-donating group of the molecule C that has reached the substrate 3 later, so that the temperature of the substrate 3 is appropriately set. By doing so, the molecules C are sequentially deposited on the substrate 3 while being arranged in a certain direction as shown in FIG. 4 (b).
By continuing this step, a diacetylene film 41 having strong molecular orientation as shown in FIG. 4 (c) can be obtained.

その後更に、光照射膜14を介して、上記ジアセチレン
膜に紫外線等の光照射を施す。これにより、ジアセチレ
ン膜がポリマー化されて、第4図(d)に示すようなポ
リジアセチレン膜42が得られる。第4図は膜中の分子吸
着状態を模式的に示したものであり、実際この通りの形
状で堆積するとは限らずいろいろな吸着、堆積形態があ
りうる。
Thereafter, the diacetylene film is further irradiated with light such as ultraviolet rays through the light irradiation film 14. Thus, the diacetylene film is polymerized, and a polydiacetylene film 42 as shown in FIG. 4 (d) is obtained. FIG. 4 schematically shows the state of adsorbing molecules in the film. Actually, the deposition is not necessarily performed in such a shape, and various adsorption and deposition forms may be present.

本実施例によれば、上述したように分子配向の精密に
制御された構造を持つポリジアセチレン膜を容易に得る
ことができる。更に、本実施例は前述した第1及び第2
の実施例と同様に真空中のドライプロセスであることか
ら、LB法に比較して欠陥の少ない良質な膜を得ることが
できる。
According to this embodiment, a polydiacetylene film having a structure in which the molecular orientation is precisely controlled as described above can be easily obtained. Further, this embodiment is different from the first and second embodiments described above.
Since the process is a dry process in a vacuum as in the case of the first embodiment, a high-quality film with less defects can be obtained as compared with the LB method.

第5図は、本発明の第4の実施例の製膜工程図であ
る。
FIG. 5 is a film forming process chart of a fourth embodiment of the present invention.

本実施例は、前述した第3の実施例において、最後に
光照射を行う代わりに、光照射を行いながら分子Cを順
次堆積させるようにしたものである。即ち、まず第5図
(a)に示すように、前記第3の実施例と同様にして基
板3上に分子Cを堆積させる。続いて、第4図(b),
(c)に示したと同様に分子Cを次々と堆積させると共
に、これらの分子を第5図(b),(c)に示すように
光照射により次々とポリマー化していく。これにより、
第4図(d)と同様に分子配向の制御された構造を持つ
良質なポリジアセチレン膜51が得られる。第5図は膜中
の分子吸着状態を模式的に示したものであり、実際この
通りの形状で堆積するとは限らずいろいろな吸着、堆積
形態がありうる。
In this embodiment, the molecules C are sequentially deposited while performing light irradiation instead of performing light irradiation last in the third embodiment described above. That is, first, as shown in FIG. 5 (a), molecules C are deposited on the substrate 3 in the same manner as in the third embodiment. Subsequently, FIG. 4 (b),
As shown in (c), molecules C are successively deposited, and these molecules are polymerized one after another by light irradiation as shown in FIGS. 5 (b) and (c). This allows
As in FIG. 4D, a high-quality polydiacetylene film 51 having a structure with controlled molecular orientation is obtained. FIG. 5 schematically shows the state of adsorbing molecules in the film. Actually, the deposition is not necessarily performed in such a shape, and various adsorption and deposition forms may be present.

なお、上述した各実施例で使用したジアセチレン分子
A,B,Cは、一般にジアセチレン分子(R−C=C−C−
R′)の側鎖R,R′に電子供与性もしくは電子受容性の
基を付加することによって得られる。電子供与性の基と
しては、例えばNH2,N(CH32,N(C2H52や、第6図
(a)に示すよな電子供与性等がある。電子受容性の基
としては、例えばNO2,CN,I,OH,O,Br,Clや、第6図
(b)に示すような電子受容体等がある。
The diacetylene molecule used in each of the above-described examples was used.
A, B and C are generally diacetylene molecules (RC = CC-
It can be obtained by adding an electron donating or electron accepting group to the side chains R and R 'of R'). Examples of the electron donating group include NH 2 , N (CH 3 ) 2 , N (C 2 H 5 ) 2, and electron donating groups as shown in FIG. Examples of the electron accepting group include NO 2 , CN, I, OH, O, Br, Cl, and an electron acceptor as shown in FIG. 6 (b).

また、上述した各実施例によって得られたポリジアセ
チレン膜は鎖状の共役ポリマーであり、良好な量子線
(Quntum Wire)となっているので、分子A,B,Cの主要部
分を構成するジアセチレンを適宜選択することにより、
特性の良好な非線形光学膜を得ることができる。特に、
第2図(d)や第3図(c)に示したように、異なる分
子A,B,がポリマー鎖の方向に沿って交互に配置された周
期分布構造を持つものでは、更に良好な非線形光学特性
が得られる。このような非線形光学材料に適したジアセ
チレン(ジアセチレン径化合物)分子の一例を第7図
(a)及び(b)に示す。もちろん、本発明はジアセチ
レン系化合物に限らず、各種の有機材料を使用できる。
その中で、非線形光学材料に適した共役ポリマーの構成
分子の一例を第8図に示す。
In addition, the polydiacetylene film obtained in each of the above-described examples is a chain conjugated polymer and has a good quantum wire, so that the di-acetylene film constituting the main part of the molecules A, B, and C can be used. By appropriately selecting acetylene,
A non-linear optical film having good characteristics can be obtained. In particular,
As shown in FIG. 2 (d) and FIG. 3 (c), in the case where the different molecules A, B, have a periodic distribution structure alternately arranged along the direction of the polymer chain, a more favorable nonlinearity is obtained. Optical properties are obtained. An example of a diacetylene (diacetylene diameter compound) molecule suitable for such a nonlinear optical material is shown in FIGS. 7 (a) and 7 (b). Of course, the present invention is not limited to diacetylene-based compounds, and various organic materials can be used.
Among them, FIG. 8 shows an example of constituent molecules of a conjugated polymer suitable for a nonlinear optical material.

また、上述した実施例では基板3として電子受容性の
ものを用いたが、電子供与性のものを用いるようにして
もよい。この場合、第2図及び第3図では分子A,Bの基
板3への到達順序を切換えるだけでよく、また、第4図
及び第5図では分子Cの向きが逆になるだけであり、い
ずれも最終的に得られる膜に特性上の違いはない。電子
受容性もしくは電子供与性の基板としては、P型もしく
はN型の半導体基板を用いてもよく、あるいは通常の基
板の表面に予め電子受容性もしくは電子供与性の層を形
成したものであってもよい。また、基板表面に予め液晶
配向膜やLB膜を形成し、あるいは有機結晶を基板として
用い、これらを下地として製膜してもよい。また、製膜
前に、基板に対しリアクティブエッチング、スパッタエ
ッチング、熱クリーニング等の処理を施してもよく、こ
れにより基板と分子の間の吸着力を一層増大させること
ができいる。
Further, in the above-described embodiment, an electron-accepting substrate is used as the substrate 3, but an electron-donating substrate may be used. In this case, in FIGS. 2 and 3, it is only necessary to switch the order in which the molecules A and B reach the substrate 3, and in FIGS. 4 and 5, only the direction of the molecule C is reversed. In any case, there is no difference in characteristics between the films finally obtained. As the electron-accepting or electron-donating substrate, a P-type or N-type semiconductor substrate may be used, or an electron-accepting or electron-donating layer may be formed on a normal substrate surface in advance. Is also good. Alternatively, a liquid crystal alignment film or an LB film may be formed on the surface of the substrate in advance, or an organic crystal may be used as the substrate, and the film may be formed using these as a base. Before the film formation, the substrate may be subjected to processes such as reactive etching, sputter etching, and thermal cleaning, so that the adsorbing force between the substrate and the molecules can be further increased.

更に、第2図及び第3図に示した実施例において、分
子A及びBがそれぞれ同種の基を3つ以上有してもよ
く、あるいは2種類以上の分子A,Bのみならず、例えば
分子A,A′及び分子B,B′のように多種類の分子を交互に
積層するようにしてもよい。同様に、第3図及び第4図
に示した実施例において、分子Cが互いに異種の基を2
つ以上有してもよく、あるいは1種類の分子Cのみなら
ず、例えばC,C′のように多種類の分子を順次堆積させ
るようにしてもよい。このようにすれば、更に自由度の
大きい膜形成が可能となる。
Further, in the embodiment shown in FIGS. 2 and 3, the molecules A and B may each have three or more groups of the same type, or not only two or more types of molecules A and B, but also Many types of molecules such as A, A 'and molecules B, B' may be alternately stacked. Similarly, in the embodiment shown in FIGS. 3 and 4, the molecule C has two different groups.
One or more molecules may be provided, or not only one type of molecule C but also various types of molecules such as C and C 'may be sequentially deposited. This makes it possible to form a film having a higher degree of freedom.

また、複数種類の分子を使用する場合、これらを同時
に基板に到達させて、複数分子の混合層としてもよい。
これにより、例えば少なくとも1種類の分子を第7図に
示したような非線形光学分子とし、その他の少なくとも
1種類の分子をMMA,HEMA、ジアセチレン等の機械強度の
強いポリマーを形成するモノマーとしておけば、非線形
光学特性を有する強い膜が得られる。
In the case where a plurality of types of molecules are used, they may simultaneously reach the substrate to form a mixed layer of a plurality of molecules.
As a result, for example, at least one kind of molecule is set as a nonlinear optical molecule as shown in FIG. 7, and at least one other kind of molecule is set as a monomer for forming a polymer having strong mechanical strength such as MMA, HEMA, and diacetylene. For example, a strong film having nonlinear optical characteristics can be obtained.

なお、前述した実施例では有機分子の固体ソースをK
セルでガス化するようにしたが、このようにする代わり
に、外部のガスボンベやアンプル等からのガス導入系に
よりガス分子を真空チャンバ内に導入するようにしても
よい。また、本発明で使用する製膜装置としては、第1
図に示したものに限定されず、通常の蒸着装置、イオン
プレーティング装置、スパッタリング装置、ICB装置等
を用いることもできる。
In the above-described embodiment, the solid source of the organic molecule is K
Although gasification is performed in the cell, gas molecules may be introduced into the vacuum chamber by a gas introduction system from an external gas cylinder or ampule instead of this. The film forming apparatus used in the present invention includes the first
The invention is not limited to those shown in the figures, and ordinary vapor deposition equipment, ion plating equipment, sputtering equipment, ICB equipment and the like can also be used.

また、前述した実施例ではポリマー化を光照射により
行ったが、加熱することにより行ってもよく、あるいは
用途によってポリマー化せずにモノマーの有機膜のまま
であってもよいことは勿論である。
Further, in the above-described embodiment, the polymerization was performed by light irradiation. However, it is needless to say that the polymerization may be performed by heating, or the organic film of the monomer may not be polymerized depending on the application. .

更に、以上では電子受容性の基と電子供与性の基との
吸着力を利用して分子を堆積させたが、基と基の間での
化学結合力を利用することもできる。すなわち、反応性
の基(例えばOH基とCOCl基)を有する有機分子を真空チ
ャンバ内でガス化して基板に到達させ、隣接分子間の基
同志の化学反応により各分子を結合堆積させる(特願昭
63−3895号,特開平1−180531号参照)。そしてさら
に、光照射もしくは加熱によりポリマー化させる。この
場合、反応性の基を2つ以上付加した分子と、この分子
とは異なる基を2つ以上付加した分子を、交互に基板に
到達させるようにしてもよい。このように基同志の化学
結合力を利用することによっても、膜構造の精密に制御
された良質な有機膜を得ることができる。
Further, in the above description, molecules are deposited by using the adsorbing force between the electron-accepting group and the electron-donating group, but the chemical bonding force between the groups may be used. That is, organic molecules having reactive groups (for example, OH group and COCl group) are gasified in a vacuum chamber to reach a substrate, and each molecule is bonded and deposited by a chemical reaction between groups of adjacent molecules (Japanese Patent Application Akira
63-3895, JP-A-1-180531). Then, it is further polymerized by light irradiation or heating. In this case, a molecule to which two or more reactive groups are added and a molecule to which two or more groups different from this molecule are added may be made to reach the substrate alternately. Thus, a high quality organic film with a precisely controlled film structure can be obtained by utilizing the chemical bonding force between the groups.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明によれば、有機超格子膜
や分子配向性の強い有機膜等のように、極めて精密に制
御された膜構造を持つ有機膜を容易に得ることができ
る。しかも、本発明は真空中でのドライプロセスである
ため、欠陥の非常に少ない良質な膜を得ることができ
る。さらに、基板上に堆積された有機膜をポリマー化さ
せることにより、機械的強度を増大させることができ
る。
As described above, according to the present invention, an organic film having an extremely precisely controlled film structure, such as an organic superlattice film or an organic film having a strong molecular orientation, can be easily obtained. Moreover, since the present invention is a dry process in a vacuum, a high-quality film with very few defects can be obtained. Further, the mechanical strength can be increased by polymerizing the organic film deposited on the substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の各実施例で使用される製膜装置の概略
構成図、 第2図(a)〜(d)は本発明の第1の実施例の製膜工
程図、 第3図(a)〜(c)は本発明の第2の実施例の製膜工
程図、 第4図(a)〜(d)は本発明の第3の実施例の製膜工
程図、 第5図(a)〜(c)は本発明の第4の実施例の製膜工
程図、 第6図(a)及び(c)は上記各実施例で使用可能な電
子供与体及び電子受容体の一例を示す図、 第7図(a)及び(b)は上記各実施例で使用可能なジ
アセチレン系化合物の一例を示す図、 第8図は本発明において有機非線形光学膜を作製するの
に使用可能な、ジアセチレン系化合物以外の有機材料の
一例を示す図である。 2……真空チャンバ、3……基板、5,6,7……Kセル、
8,9,10……シャッタ、14……光照射窓、21,22,23……単
分子層、24……ポリジアセチレン膜、31,32……ポリジ
アセチレン膜、41……ジアセチレン膜、42……ポリジア
セチレン膜、51……ポリジアセチレン膜.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus used in each embodiment of the present invention, FIGS. 2 (a) to 2 (d) are film forming process diagrams of the first embodiment of the present invention, FIG. (A) to (c) are film forming process diagrams of the second embodiment of the present invention, FIGS. 4 (a) to (d) are film forming process diagrams of the third embodiment of the present invention, FIG. (A) to (c) are film forming process diagrams of the fourth embodiment of the present invention, and FIGS. 6 (a) and (c) are examples of electron donors and electron acceptors usable in each of the above embodiments. FIGS. 7 (a) and 7 (b) are views showing an example of a diacetylene-based compound that can be used in each of the above Examples, and FIG. 8 is used for producing an organic nonlinear optical film in the present invention. It is a figure which shows an example of a possible organic material other than a diacetylene type compound. 2 ... Vacuum chamber, 3 ... Substrate, 5,6,7 ... K cell,
8, 9, 10 Shutter, 14 Light irradiation window, 21, 22, 23 Monolayer, 24 Polydiacetylene film 31, 32 Polydiacetylene film, 41 Diacetylene film 42: Polydiacetylene film, 51: Polydiacetylene film.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 51/00 H01L 29/28 (56)参考文献 特開 昭61−202420(JP,A) 特開 昭61−124122(JP,A) 「真空」第30巻,第11号,(1987−11 −20),pp.853−864 「化学と工業」第40巻,第10号, (1987−10−1),pp.826−895 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/203 H01L 21/363 H01L 51/00 C30B 29/54 C23C 14/12Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 identification code FI H01L 51/00 H01L 29/28 (56) References JP-A-61-202420 (JP, A) JP-A-61-124122 (JP, A) "Vacuum," Vol. 30, No. 11, (1987-11-20), pp. 146-64. 853-864, "Chemistry and Industry", Vol. 40, No. 10, (1987-10-1), pp. 157-864. 826-895 (58) Fields investigated (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/203 H01L 21/363 H01L 51/00 C30B 29/54 C23C 14/12

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】電子供与性の基を2つ以上有する第1の有
機分子と、電子受容性の基を2つ以上有する第2の有機
分子とを真空チャンバ内でガス化して交互に基板に到達
させ、互いに隣接する電子供与性と電子受容性の基の間
の吸着力により前記基板上に前記第1の有機分子からな
る単分子層と前記第2の有機分子からなる単分子層とを
交互に堆積させることを特徴とする有機膜の作製方法。
A first organic molecule having two or more electron donating groups and a second organic molecule having two or more electron accepting groups are gasified in a vacuum chamber and alternately formed on a substrate. The monolayer made of the first organic molecule and the monolayer made of the second organic molecule on the substrate by the attraction force between the electron donating and electron accepting groups adjacent to each other. A method for producing an organic film, wherein the organic film is alternately deposited.
【請求項2】電子供与性の基と電子受容性の基の双方を
いずれも1つ以上有する有機分子を真空チャンバ内でガ
ス化して基板に到達させ、互いに隣接する電子供与性と
電子受容性の基の間の吸着力により前記基板上に分子配
向方位が揃った前記有機分子からなる単分子層を順次堆
積させることを特徴とする有機膜の作製方法。
2. An organic molecule having at least one of both an electron-donating group and an electron-accepting group is gasified in a vacuum chamber to reach a substrate, and an electron-donating property and an electron-accepting property adjacent to each other are obtained. A monomolecular layer made of the organic molecules having a uniform molecular orientation on the substrate by an adsorbing force between the groups.
【請求項3】第1の反応性の基を2以上有する第1の有
機分子と、第2の反応性の基を2以上有する第2の有機
分子とを真空チャンバ内でガス化して交互に基板に到達
させ、互いに隣接する第1の反応性の基と第2の反応性
の基の間の化学反応により前記基板上に前記第1の有機
分子からなる単分子層と前記第2の有機分子からなる単
分子層とを交互に結合堆積させることを特徴とする有機
膜の作製方法。
3. A first organic molecule having two or more first reactive groups and a second organic molecule having two or more second reactive groups are gasified and alternately formed in a vacuum chamber. A monomolecular layer of the first organic molecule and the second organic layer on the substrate by chemical reaction between the first reactive group and the second reactive group adjacent to each other; A method for producing an organic film, comprising alternately bonding and depositing monomolecular layers composed of molecules.
【請求項4】第1の反応性の基と第2の反応性の基の双
方をいずれも1つ以上有する有機分子を真空チャンバ内
でガス化して基板に到達させ、互いに隣接する第1の反
応性の基と第2の反応性の基の間の化学反応により前記
基板上に分子配向方位が揃った前記有機分子からなる単
分子層を順次結合堆積させることを特徴とする有機膜の
作製方法。
4. An organic molecule having at least one of both a first reactive group and a second reactive group is gasified in a vacuum chamber to reach the substrate, and the first molecules adjacent to each other are gasified. Forming a monolayer of the organic molecules having a uniform molecular orientation on the substrate by a chemical reaction between the reactive group and the second reactive group; Method.
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