JP2850627B2 - Alkali-soluble nitrone compound and photobleachable material - Google Patents

Alkali-soluble nitrone compound and photobleachable material

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JP2850627B2
JP2850627B2 JP4042492A JP4042492A JP2850627B2 JP 2850627 B2 JP2850627 B2 JP 2850627B2 JP 4042492 A JP4042492 A JP 4042492A JP 4042492 A JP4042492 A JP 4042492A JP 2850627 B2 JP2850627 B2 JP 2850627B2
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photobleachable
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回路
の製造における写真食刻工程用のマスクのように被写体
の像のコントラストを増強させるための光脱色性材料の
主成分として好適な新規なニトロン化合物及び該ニトロ
ン化合物を含有する光脱色性材料に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel photobleaching material suitable as a main component of a photobleachable material for enhancing the contrast of an image of a subject, such as a photolithography process mask in the manufacture of semiconductor integrated circuits. The present invention relates to a nitrone compound and a photobleachable material containing the nitrone compound.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】リソグ
ラフィー技術において、ホトレジストを所望のパターン
形状に露光し、現像してできるレジスト像は、露光像の
コントラストが大きいほど垂直に近い壁をもつ形状にな
るものであるが、非常に高い解像度の露光を行なう場
合、露光像のコントラストが低下し、鮮明なレジスト像
を得ることができなくなるという問題がある。
2. Description of the Related Art In a lithography technique, a photoresist image formed by exposing and developing a photoresist to a desired pattern shape has a shape having walls that are closer to vertical as the contrast of the exposed image is larger. However, when performing exposure with a very high resolution, there is a problem that the contrast of the exposed image is reduced and a clear resist image cannot be obtained.

【0003】そこで、解像度及びパターン形状の解像を
図る方法として、波長300〜450nmの光に対して
吸収極大をもつコントラスト増強用の光脱色性層(特公
昭62−40697号公報、特開昭62−234148
号公報参照)を用いたレジストパターン形成方法等が提
案されており、その光脱色性材料の主成分であるニトロ
ン化合物は、下記のような構造を有する。
Therefore, as a method for achieving resolution and resolution of a pattern shape, a photobleachable layer for enhancing contrast having a maximum absorption for light having a wavelength of 300 to 450 nm (Japanese Patent Publication No. 62-40697, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-234148
A resist pattern forming method using the above method has been proposed, and a nitrone compound which is a main component of the photobleachable material has the following structure.

【0004】[0004]

【化2】 Embedded image

【0005】しかしながら、上記ニトロン化合物は非水
溶性であり、有機溶剤にしか溶解しないことから、上記
ニトロン化合物を主成分とした光脱色性材料は水溶性と
なり得ない。このため、ホトレジストの現像工程前に有
機溶剤による光脱色性層の除去工程が必要になり、ある
いは介在層を用いた場合には、介在層と光脱色性層を純
水を用いてはじきとばす工程が必要になる。前者の有機
溶剤による除去工程は、現行の設備で対応できず、工程
の複雑化を招き、また、後者の介在層と共に純水ではじ
きとばす方法は、光脱色性層が完全にはじきとばされず
に残って、スカムの発生があるという問題を有する。従
って、工程の複雑化を招かず、純水による溶解が可能で
ある光脱色性材料(CEM:Contrast Enh
anced Materials)の主成分として有用
なニトロン化合物が求められている。
[0005] However, since the above-mentioned nitrone compound is insoluble in water and only dissolved in an organic solvent, the photobleachable material containing the above-mentioned nitrone compound as a main component cannot be made water-soluble. For this reason, a step of removing the photobleachable layer with an organic solvent is required before the step of developing the photoresist, or, in the case of using an intervening layer, a step of repelling the intervening layer and the photobleachable layer using pure water. Is required. The former removal method using an organic solvent cannot be carried out with existing equipment, which complicates the process.In addition, the latter method, in which pure water is used together with the intervening layer, completely removes the photobleachable layer. And there is a problem that scum is generated. Accordingly, a photobleachable material (CEM: Contrast Enh) that can be dissolved in pure water without complicating the process.
There is a need for a nitrone compound that is useful as a main component of advanced materials.

【0006】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
純水による溶解が可能となるコントラスト増強用の光脱
色性材料の主成分として有用な新規なアルカリ可溶性ニ
トロン化合物及び該ニトロン化合物を含有する光脱色性
材料を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances,
It is an object of the present invention to provide a novel alkali-soluble nitrone compound useful as a main component of a photobleachable material for enhancing contrast, which can be dissolved in pure water, and a photobleachable material containing the nitrone compound.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、例えば下記
一般式(2)で示されるアルキルニトロ安息香酸の水素
添加を行なった後、これに下記一般式(3)で示される
化合物を反応させることにより、下記一般式(1)で示
される新規なアルカリ可溶性のニトロン化合物が得られ
ると共に、この化合物がコントラスト増強用の光脱色性
材料の主成分として有用であり、波長300〜450n
mの光でのコントラスト増強リソグラフィーにおいて大
いに威力を発揮し得ることを見い出した。
The present inventors have made intensive studies to achieve the above object, and as a result, for example, after hydrogenating an alkylnitrobenzoic acid represented by the following general formula (2), By reacting the compound with the compound represented by the following general formula (3), a novel alkali-soluble nitrone compound represented by the following general formula (1) is obtained, and this compound is a photobleachable material for enhancing contrast. Is useful as the main component of
It has been found that it can be very effective in contrast-enhanced lithography at m light.

【0008】[0008]

【化3】 (但し、式中R1,R2,R3は互いに同一又は異種のア
ルキル基、アリール基又は水素原子、R4乃至R8は互い
に同一又は異種のアルキル基、水素原子又はカルボキシ
基であるが、R4乃至R8の少なくとも1つはカルボキシ
基である。XはR9O−で表されるアルコキシ基、R10
11N−で表されるジアルキルアミノ基又は水素原子で
あり、R9はアルキル基、R10及びR11は互いに同一又
は異種のアルキル基である。nは0,1又は2の値を有
する。)
Embedded image (Where R 1 , R 2 , and R 3 are the same or different alkyl groups, aryl groups, or hydrogen atoms, and R 4 to R 8 are the same or different alkyl groups, hydrogen atoms, or carboxy groups. , R 4 to R 8 are a carboxy group, X is an alkoxy group represented by R 9 O—, R 10
R 11 is a dialkylamino group or a hydrogen atom represented by N—, R 9 is an alkyl group, and R 10 and R 11 are the same or different alkyl groups. n has a value of 0, 1 or 2. )

【0009】[0009]

【化3】 (但し、式中R,R,Rは互いに同一又は異種の
アルキル基、アリール基又は水素原子、R乃至R
互いに同一又は異種のアルキル基、水素原子又はカルボ
キシ基であるが、R乃至Rの少なくとも1つはカル
ボキシ基である。XはRO−で表されるアルコキシ基
又はR1011N−で表されるジアルキルアミノ基で
あり、Rはアルキル基、R10及びR11は互いに同
一又は異種のアルキル基である。nは0,1又は2の値
を有する。)
Embedded image (Wherein R 1 , R 2 , and R 3 are the same or different alkyl groups, aryl groups, or hydrogen atoms, and R 4 to R 8 are the same or different alkyl groups, hydrogen atoms, or carboxy groups. , R 4 to R 8 are a carboxy group, X is an alkoxy group represented by R 9 O— or a dialkylamino group represented by R 10 R 11 N—, and R 9 is an alkyl group , R 10 and R 11 are the same or different alkyl groups. N has a value of 0, 1 or 2.)

【0010】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明の新規なニトロン化合物は下記一般式(1)
で示されるニトロン化合物である。
Now, the present invention will be described in further detail. The novel nitrone compound of the present invention has the following general formula (1)
Is a nitrone compound represented by the formula:

【0011】ここで、上記(1)式中のR,R及び
は、アルキル基、アリール基又は水素原子である。
アルキル基としては、例えば、メチル基,エチル基,プ
ロピル基,ィソプロピル基,ブチル基,sec−ブチル
基,tert−ブチル基,シクロヘキシル基等の炭素数
1〜8のものが好適であり、中でもメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基がより好ましく用いられる。
アリール基としては、例えば、フェニル基,置換フェニ
ル基,ナフチル基,置換ナフチル基等の炭素数6〜15
のものが好適であり、中でもフェニル基、メチルフェニ
ル基、エチルフェニル基がより好ましく用いられる。R
,R,R,R及びRは互いに同一又は異種の
アルキル基、水素原子又はカルボキシ基であるが、
,R,R,R及びRのうち少なくとも1つ
はカルボキシ基である。この場合のアルキル基としては
,R,Rで例示したものと同様のものを挙げる
ことができる。XはRO−で表されるアルコキシ基又
はR1011N−で表されるジアルキルアミノ基であ
り、Rはアルキル基、R10及びR11は互いに同一
又は異種のアルキル基である。この場合のアルキル基と
してはR,R,Rで例示したものと同様のものを
挙げることができる。また、nは0、1又は2の値を有
し、好ましくは0又は1である。
Here, R 1 , R 2 and R 3 in the above formula (1) are an alkyl group, an aryl group or a hydrogen atom.
As the alkyl group, for example, those having 1 to 8 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group and cyclohexyl group are preferable. Groups, ethyl groups, propyl groups, and butyl groups are more preferably used.
Examples of the aryl group include a phenyl group, a substituted phenyl group, a naphthyl group, a substituted naphthyl group and the like having 6 to 15 carbon atoms.
Are preferable, and among them, a phenyl group, a methylphenyl group, and an ethylphenyl group are more preferably used. R
4 , R 5 , R 6 , R 7 and R 8 are the same or different alkyl groups, hydrogen atoms or carboxy groups,
At least one of R 4 , R 5 , R 6 , R 7 and R 8 is a carboxy group. Examples of the alkyl group in this case include the same alkyl groups as those exemplified for R 1 , R 2 , and R 3 . X is an alkoxy group represented by R 9 O— or a dialkylamino group represented by R 10 R 11 N—, R 9 is an alkyl group, and R 10 and R 11 are the same or different alkyl groups. . Examples of the alkyl group in this case include the same alkyl groups as those exemplified for R 1 , R 2 , and R 3 . Also, n has a value of 0, 1 or 2, and is preferably 0 or 1.

【0012】ここで、上記(1)式中のR1,R2及びR
3は、アルキル基、アリール基又は水素原子である。ア
ルキル基としては、例えば、メチル基,エチル基,プロ
ピル基,イソプロピル基,ブチル基,sec−ブチル
基,tert−ブチル基,シクロヘキシル基等の炭素数
1〜8のものが好適であり、中でもメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基がより好ましく用いられる。
アリール基としては、例えば、フェニル基,置換フェニ
ル基,ナフチル基,置換ナフチル基等の炭素数6〜15
のものが好適であり、中でもフェニル基、メチルフェニ
ル基、エチルフェニル基がより好ましく用いられる。R
4,R5,R6,R7及びR8は互いに同一又は異種のアル
キル基、水素原子又はカルボキシ基であるが、R4
5,R6,R7及びR8のうち少なくとも1つはカルボキ
シ基である。この場合のアルキル基としてはR1,R2
3で例示したものと同様のものを挙げることができ
る。XはR9O−で表されるアルコキシ基、R1011
−で表されるジアルキルアミノ基又は水素原子であり、
9はアルキル基、R10及びR11は互いに同一又は異種
のアルキル基である。この場合のアルキル基としてはR
1,R2,R3で例示したものと同様のものを挙げること
ができる。また、nは0、1又は2の値を有し、好まし
くは0又は1である。
Here, R 1 , R 2 and R in the above formula (1)
3 is an alkyl group, an aryl group or a hydrogen atom. As the alkyl group, for example, those having 1 to 8 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group and cyclohexyl group are preferable. Groups, ethyl groups, propyl groups, and butyl groups are more preferably used.
Examples of the aryl group include a phenyl group, a substituted phenyl group, a naphthyl group, a substituted naphthyl group and the like having 6 to 15 carbon atoms.
Are preferable, and among them, a phenyl group, a methylphenyl group, and an ethylphenyl group are more preferably used. R
4, R 5, R 6, R 7 and R 8 are each the same or different alkyl group, is a hydrogen atom or carboxy group, R 4,
At least one of R 5 , R 6 , R 7 and R 8 is a carboxy group. In this case, as the alkyl group, R 1 , R 2 ,
The same as those exemplified for R 3 can be mentioned. X is an alkoxy group represented by R 9 O—, R 10 R 11 N
-Is a dialkylamino group or a hydrogen atom,
R 9 is an alkyl group, and R 10 and R 11 are the same or different alkyl groups. In this case, the alkyl group is R
The same as those exemplified for 1 , R 2 and R 3 can be mentioned. Also, n has a value of 0, 1 or 2, and is preferably 0 or 1.

【0013】このような(1)式のニトロン化合物とし
ては、下記式のニトロン化合物を含む。
The nitrones of the formula (1) include the nitrones of the following formula.

【0014】[0014]

【化5】 Embedded image

【0015】上記(1)式のニトロン化合物を具体的に
例示すると、α−[p−(ジメチルアミノ)フェニル]
−N−(4−カルボキシフェニル)ニトロン、α−[p
−(ジエチルアミノ)フェニル]−N−(4−カルボキ
シフェニル)ニトロン、α−[p−(ジブチルアミノ)
フェニル]−N−(4−カルボキシフェニル)ニトロ
ン、α−[p−(ジエチルアミノ)フェニル]−N−
(3−カルボキシフェニル)ニトロン、α−[p−(ジ
エチルアミノ)フェニル]−N−(2−カルボキシフェ
ニル)ニトロン、α−[p−(ジエチルアミノ)フェニ
ル]−N−(2−メチル−4−カルボキシフェニル)ニ
トロン、α−[p−(ジエチルアミノ)フェニル]−N
−(2−メチル−3−カルボキシフェニル)ニトロン、
α−(p−メトキシフェニル)−N−(4−カルボキシ
フェニル)ニトロン、α−(p−エトキシフェニル)−
N−(4−カルボキシフェニル)ニトロン、α−(o−
メトキシフェニル)−N−(4−カルボキシフェニル)
ニトロン、α−(p−メトキシフェニル)−N−(3−
カルボキシフェニル)ニトロン、α−(p−メトキシフ
ェニル)−N−(2−カルボキシフェニル)ニトロン、
α−(p−メトキシフェニル)−N−(2−メチル−4
−カルボキシフェニル)ニトロン、α−(p−エトキシ
フェニル)−N−(3−メチル−2−カルボキシフェニ
ル)ニトロン、α−[p−(ジメチルアミノ)スチリ
ル]−N−(4−カルボキシフェニル)ニトロン、α−
[p−(ジエチルアミノ)スチリル]−N−(4−カル
ボキシフェニル)ニトロン、α−[p−(ジメチルアミ
ノ)スチリル]−N−(3−カルボキシフェニル)ニト
ロン、α−[p−(ジメチルアミノ)スチリル]−N−
(2−カルボキシフェニル)ニトロン、α−[p−(ジ
メチルアミノ)スチリル]−N−(2−メチル−4−カ
ルボキシフェニル)ニトロン、α−[p−(ジエチルア
ミノ)スチリル]−N−(4−メチル−2−カルボキシ
フェニル)ニトロン、α−(o−メトキシスチリル)−
N−(4−カルボキシフェニル)ニトロン、α−(o−
メトキシスチリル)−N−(3−カルボキシフェニル)
ニトロン、α−(p−メトキシスチリル)−N−(4−
カルボキシフェニル)ニトロン、α−(p−メトキシス
チリル)−N−(3−カルボキシフェニル)ニトロン、
α−(o−メトキシスチリル)−N−(2−メチル−4
−カルボキシフェニル)ニトロン、α−(p−メトキシ
スチリル)−N−(2−メチル−3−カルボキシフェニ
ル)ニトロンなどが挙げられる。
A specific example of the nitrone compound of the above formula (1) is α- [p- (dimethylamino) phenyl]
-N- (4-carboxyphenyl) nitrone, α- [p
-(Diethylamino) phenyl] -N- (4-carboxyphenyl) nitrone, α- [p- (dibutylamino)
Phenyl] -N- (4-carboxyphenyl) nitrone, α- [p- (diethylamino) phenyl] -N-
(3-carboxyphenyl) nitrone, α- [p- (diethylamino) phenyl] -N- (2-carboxyphenyl) nitrone, α- [p- (diethylamino) phenyl] -N- (2-methyl-4-carboxy) Phenyl) nitrone, α- [p- (diethylamino) phenyl] -N
-(2-methyl-3-carboxyphenyl) nitrone,
α- (p-methoxyphenyl) -N- (4-carboxyphenyl) nitrone, α- (p-ethoxyphenyl)-
N- (4-carboxyphenyl) nitrone, α- (o-
Methoxyphenyl) -N- (4-carboxyphenyl)
Nitrone, α- (p-methoxyphenyl) -N- (3-
Carboxyphenyl) nitrone, α- (p-methoxyphenyl) -N- (2-carboxyphenyl) nitrone,
α- (p-methoxyphenyl) -N- (2-methyl-4
-Carboxyphenyl) nitrone, α- (p-ethoxyphenyl) -N- (3-methyl-2-carboxyphenyl) nitrone, α- [p- (dimethylamino) styryl] -N- (4-carboxyphenyl) nitrone , Α-
[P- (Diethylamino) styryl] -N- (4-carboxyphenyl) nitrone, α- [p- (dimethylamino) styryl] -N- (3-carboxyphenyl) nitrone, α- [p- (dimethylamino) Styryl] -N-
(2-carboxyphenyl) nitrone, α- [p- (dimethylamino) styryl] -N- (2-methyl-4-carboxyphenyl) nitrone, α- [p- (diethylamino) styryl] -N- (4- Methyl-2-carboxyphenyl) nitrone, α- (o-methoxystyryl)-
N- (4-carboxyphenyl) nitrone, α- (o-
Methoxystyryl) -N- (3-carboxyphenyl)
Nitrone, α- (p-methoxystyryl) -N- (4-
Carboxyphenyl) nitrone, α- (p-methoxystyryl) -N- (3-carboxyphenyl) nitrone,
α- (o-Methoxystyryl) -N- (2-methyl-4
-Carboxyphenyl) nitrone, α- (p-methoxystyryl) -N- (2-methyl-3-carboxyphenyl) nitrone and the like.

【0016】本発明の(1)式のニトロン化合物は、工
業的にも入手容易な下記一般式(2)で示されるアルキ
ルニトロ安息香酸を原料とし、下記反応式に示されるよ
うに(2)式のアルキルニトロ安息香酸に水素添加を行
なって下記一般式(4)で示される化合物を得た後、こ
れに下記一般式(3)で示される化合物を反応させるこ
とにより合成することができる。
The nitrone compound of the formula (1) of the present invention is obtained from an alkylnitrobenzoic acid represented by the following general formula (2), which is easily available industrially, as a starting material, as shown in the following reaction formula (2). After hydrogenation is performed on the alkylnitrobenzoic acid of the formula to obtain a compound represented by the following general formula (4), the compound can be synthesized by reacting the compound with the compound represented by the following general formula (3).

【0017】[0017]

【化6】 Embedded image

【0018】この場合、上記反応はメタノール等の有機
溶媒中で行なうことが好ましい。また、(2)式のアル
キルニトロ安息香酸への水素添加は、アルキルニトロ安
息香酸に対して1.7〜2.3当量の水素を1〜10k
g/cm2の圧力で充填し、触媒量の炭素担持白金等の
触媒存在下で室温で行なうことができる。
In this case, the above reaction is preferably performed in an organic solvent such as methanol. In addition, hydrogenation to the alkylnitrobenzoic acid of the formula (2) is performed by adding 1.7 to 2.3 equivalents of hydrogen to the alkylnitrobenzoic acid for 1 to 10 k.
The reaction can be performed at room temperature in the presence of a catalyst such as platinum on carbon in a catalytic amount by filling at a pressure of g / cm 2 .

【0019】更に、水素添加アルキルニトロ安息香酸に
(3)式の化合物を反応させる際は、アルキルニトロ安
息香酸1モルに対して(3)式の化合物を0.8〜1.
2モルの割合で添加し、酢酸等の酸の存在下で行なうこ
とが望ましい。なお、その反応条件は20〜50℃で3
〜8時間とすることが好適である。反応終了後は析出し
た結晶を濾別し、結晶を適当な溶剤で洗浄することによ
り、目的とする(1)式のニトロン化合物を得ることが
できる。
Further, when the compound of the formula (3) is reacted with the hydrogenated alkylnitrobenzoic acid, the compound of the formula (3) is added in an amount of 0.8 to 1 to 1 mol of the alkylnitrobenzoic acid.
It is desirable to add at a ratio of 2 mol and carry out in the presence of an acid such as acetic acid. The reaction conditions are 20 to 50 ° C. for 3 hours.
It is preferable to set it to 8 hours. After completion of the reaction, the precipitated crystals are separated by filtration, and the crystals are washed with an appropriate solvent to obtain the desired nitrone compound of the formula (1).

【0020】本発明の光脱色性材料は上記(1)式のニ
トロン化合物を含有するもので、このニトロン化合物を
結合剤、有機塩基、界面活性剤などと共に水もしくは有
機溶剤もしくは水−有機溶剤混合液に溶解して混合し、
回転注型可能な光脱色性材料として用いることができ
る。この光脱色性材料は、(A)水0〜100部(重量
部、以下同じ)、好ましくは50〜100部、(B)有
機溶剤0〜100部、好ましくは0〜50部、(C)水
溶性重合体結合剤1〜30部、好ましくは1〜15部、
(D)上記ニトロン化合物1〜30部、好ましくは1〜
15部、(E)有機塩基1〜30部、好ましくは1〜1
5部及び(F)界面活性剤0〜2部、好ましくは0〜1
部を混合したものが好適である。
The photobleachable material of the present invention contains the nitrone compound of the above formula (1), and the nitrone compound is mixed with a binder, an organic base, a surfactant and the like in water or an organic solvent or a water-organic solvent mixture. Dissolve in the liquid and mix
It can be used as a photobleachable material that can be cast in rotation. This photobleachable material comprises (A) 0-100 parts of water (parts by weight, the same applies hereinafter), preferably 50-100 parts, (B) 0-100 parts of an organic solvent, preferably 0-50 parts, (C) 1 to 30 parts, preferably 1 to 15 parts of a water-soluble polymer binder,
(D) 1 to 30 parts of the above nitrone compound, preferably 1 to 30 parts
15 parts, (E) 1 to 30 parts of an organic base, preferably 1 to 1
5 parts and 0 to 2 parts of (F) surfactant, preferably 0 to 1
A mixture of parts is preferred.

【0021】ここで、(B)成分の有機溶剤としては、
エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール等の
アルコール類、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサ
ン等のエーテル類等が挙げられる。
Here, as the organic solvent of the component (B),
Examples include alcohols such as ethanol, 1-propanol and 2-propanol, and ethers such as tetrahydrofuran and 1,4-dioxane.

【0022】(C)成分の結合剤としては、酢酸ビニル
重合体の部分ケン化物、ポリビニルアルコール、水溶性
セルロースエーテルやセルロースエステル類、ポリビニ
ルピロリドン単独重合体又は共重合体、プルラン類等が
挙げられる。
Examples of the binder as the component (C) include partially saponified vinyl acetate polymers, polyvinyl alcohol, water-soluble cellulose ethers and cellulose esters, homopolymers or copolymers of polyvinylpyrrolidone, and pullulans. .

【0023】(E)成分の有機塩基としては、水酸化テ
トラメチルアンモニウム溶液、水酸化テトラブチルアン
モニウム溶液、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタ
ン、2,2’,2”−ニトリロトリエタノール、ピリジ
ン、トリエチルアミン等が挙げられる。
Examples of the organic base as the component (E) include tetramethylammonium hydroxide solution, tetrabutylammonium hydroxide solution, tris (hydroxymethyl) aminomethane, 2,2 ′, 2 ″ -nitrilotriethanol, pyridine, triethylamine and the like. Is mentioned.

【0024】(F)成分の界面活性剤としては、フッ素
含有の界面活性剤等が挙げられる。
As the surfactant of the component (F), a fluorine-containing surfactant and the like can be mentioned.

【0025】本発明の光脱色性材料を用いたレジストパ
ターンを形成するには、図1及び図2に示すリソグラフ
ィー工程により行なうことができる。図1はホトレジス
ト層の上に光脱色性層を直接形成した例を示す。まず、
ケイ素ウエハー等の基板1上にスピンコート等の方法で
ホトレジスト層2を形成し、このホトレジスト層2の上
に本発明の光脱色性材料をスピンコート等の方法で塗布
して光脱色性層3を形成し、光脱色性層3に所定波長の
紫外線4を縮小投影法により所望のパターン形状に露光
し、即ち図1においてA部分を露光し、水により光脱色
性層3を除去し、現像液を用いて現像する方法によりレ
ジストパターン5を形成することができる。
A resist pattern using the photobleachable material of the present invention can be formed by the lithography process shown in FIGS. FIG. 1 shows an example in which a photobleachable layer is directly formed on a photoresist layer. First,
A photoresist layer 2 is formed on a substrate 1 such as a silicon wafer by a method such as spin coating, and the photobleachable material of the present invention is applied on the photoresist layer 2 by a method such as spin coating to form a photobleachable layer 3. Is formed, and the photobleachable layer 3 is exposed to ultraviolet rays 4 having a predetermined wavelength in a desired pattern shape by a reduced projection method, that is, the portion A in FIG. 1 is exposed, the photobleachable layer 3 is removed with water, and development is performed. The resist pattern 5 can be formed by a method of developing using a liquid.

【0026】図2は光脱色性層をホトレジスト層から隔
離するために両者の間にポリビニルアルコール等の中性
物質からなる薄い介在層6を設けた例を示す。この場
合、本発明の光脱色性材料は水溶性であるので、光脱色
性層3と介在層6を水で同時に洗い流すことができ、ス
カムが発生することがない。
FIG. 2 shows an example in which a thin intervening layer 6 made of a neutral substance such as polyvinyl alcohol is provided between the photobleachable layer and the photoresist layer in order to isolate the photobleachable layer from the photoresist layer. In this case, since the photobleachable material of the present invention is water-soluble, the photobleachable layer 3 and the intervening layer 6 can be simultaneously washed away with water, and no scum is generated.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明の上記(1)式のニトロン化合物
は、特にg線及びi線に対して光脱色性を有すると共
に、アルカリ可溶性であり、高コントラスト、高解像
度、高精度で微細なレジストパターンを形成し得る水溶
性の光脱色性材料を提供することができ、それ故、微細
なレジストパターンの形成が可能となるコントラスト増
強用の水溶性の光脱色性材料の主成分として有用であ
る。
The nitrone compound of the above formula (1) of the present invention has a photobleaching property especially for g-line and i-line, is soluble in alkali, and has high contrast, high resolution, high precision and fineness. It is possible to provide a water-soluble photobleachable material capable of forming a resist pattern, and thus is useful as a main component of a water-soluble photobleachable material for contrast enhancement that enables formation of a fine resist pattern. is there.

【0028】[0028]

【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではな
い。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.

【0029】[実施例1]1リットルのオートクレーブ
にp−ニトロ安息香酸122.2g(731mmo
l)、ジメチルスルホキシド11.3g、5%白金担持
触媒2.0g、メタノール260gを加え、この系に水
素を約4kg/cm2の圧力で充填し、p−ニトロ安息
香酸に対して当量の水素が反応し終るまで室温で撹拌し
た。反応混合液を濾過し、触媒を除去した後、更に、4
−ジエチルアミノベンズアルデヒド120.0g(67
7mmol)、酢酸30.0g、メタノール100gを
加え、室温で5時間撹拌した。析出した結晶を濾別後、
メタノールにより洗浄を行ない黄色い結晶を得、乾燥し
て収量187.6g(収率88.7%)、純度96%の
α−[p−(ジエチルアミノ)フェニル]−N−(4−
カルボキシフェニル)ニトロンを単離した。得られたα
−[p−(ジエチルアミノ)フェニル]−N−(4−カ
ルボキシフェニル)ニトロンの質量スペクトル(M
S)、核磁気共鳴スペクトル(NMR)、赤外線スペク
トル(IR)及び元素分析値の結果を下記に示す。
Example 1 In a 1-liter autoclave, 122.2 g (731 mmol) of p-nitrobenzoic acid was added.
l), 11.3 g of dimethylsulfoxide, 2.0 g of a 5% platinum-supported catalyst and 260 g of methanol were added, and the system was filled with hydrogen at a pressure of about 4 kg / cm 2 , and an equivalent amount of hydrogen relative to p-nitrobenzoic acid was added. The mixture was stirred at room temperature until the reaction was completed. After filtering the reaction mixture and removing the catalyst, 4
120.0 g of diethylaminobenzaldehyde (67
7 mmol), 30.0 g of acetic acid and 100 g of methanol were added, and the mixture was stirred at room temperature for 5 hours. After filtering out the precipitated crystals,
Washing with methanol yielded yellow crystals, which were dried and yielded 187.6 g (88.7% yield) of α- [p- (diethylamino) phenyl] -N- (4-
(Carboxyphenyl) nitrone was isolated. Obtained α
Mass spectrum of-[p- (diethylamino) phenyl] -N- (4-carboxyphenyl) nitrone (M
The results of S), nuclear magnetic resonance spectrum (NMR), infrared spectrum (IR) and elemental analysis are shown below.

【0030】〈 MS:m/e(スペクトル強度比)〉 312(16.5)、297(8.1)、296(1
5.1)、281(24.6)、176(100.
0)、32(31.5)
< MS: m / e (spectral intensity ratio)> 312 (16.5), 297 (8.1), 296 (1
5.1), 281 (24.6), 176 (100.
0), 32 (31.5)

【0031】[0031]

【化7】 Embedded image

【0032】〈IR:(cm-1)〉 3437、2976、2900、1705、1605、
1572、1523、1410、1275、1180、
1155、1122、1080、1036、1011、
879、860、817
<IR: (cm −1 )> 3437, 2976, 2900, 1705, 1605,
1572, 1523, 1410, 1275, 1180,
1155, 1122, 1080, 1036, 1011,
879, 860, 817

【0033】〈元素分析値:(%)C182023〉 理論値 C:69.2 H:6.4 N:
9.0 実測値 C:68.1 H:6.2 N:
8.5
<Elemental analysis value: (%) C 18 H 20 N 2 O 3 > Theoretical value C: 69.2 H: 6.4 N:
9.0 Found C: 68.1 H: 6.2 N:
8.5

【0034】[実施例2]p−ニトロ安息香酸の代わり
に、3−メチル−4−ニトロ安息香酸132.4g(7
31mmol)を用いる以外は実施例1と同様にして合
成を行なったところ収量211.3g(収率95.6
%)、純度95%のα−[p−(ジエチルアミノ)フェ
ニル]−N−(2−メチル−4−カルボキシフェニル)
ニトロンを単離した。得られた化合物の分析結果を下記
に示す。
Example 2 Instead of p-nitrobenzoic acid, 132.4 g of 3-methyl-4-nitrobenzoic acid (7
Synthesis was carried out in the same manner as in Example 1 except that 31 mmol) was used. As a result, 211.3 g (yield 95.6 g) was obtained.
%), 95% pure α- [p- (diethylamino) phenyl] -N- (2-methyl-4-carboxyphenyl)
Nitron was isolated. The analysis results of the obtained compound are shown below.

【0035】〈 MS:m/e(スペクトル強度比)〉 326(20.3)、311(15.3)、310
(6.7)、295(8.9)、176(100.
0)、32(26.0)
< MS: m / e (spectral intensity ratio)> 326 (20.3), 311 (15.3), 310
(6.7), 295 (8.9), 176 (100.
0), 32 (26.0)

【0036】[0036]

【化8】 Embedded image

【0037】〈IR:(cm-1)〉 3435、3053、2974、2902、1703、
1591、1524、1408、1273、1176、
1155、1122、1078、1039、1009、
877、854、817
<IR: (cm −1 )> 3435, 3053, 2974, 2902, 1703,
1591, 1524, 1408, 1273, 1176,
1155, 1122, 1078, 1039, 1009,
877, 854, 817

【0038】〈元素分析値:(%)C192223〉 理論値 C:69.9 H:6.7 N:
8.6 実測値 C:67.4 H:6.4 N:
8.0
<Elemental analysis value: (%) C 19 H 22 N 2 O 3 > Theoretical value C: 69.9 H: 6.7 N:
8.6 Actual value: C: 67.4 H: 6.4 N:
8.0

【0039】[実施例3]4−ジエチルアミノベンズア
ルデヒドの代わりにp−アニスアルデヒド92.2g
(677mmol)を用いる以外は実施例1と同様にし
て合成を行なったところ、収量162.0g(収率8
8.2%)、純度96%のα−(p−メトキシフェニ
ル)−N−(4−カルボキシフェニル)ニトロンを単離
した。得られた化合物の分析結果を下記に示す。
Example 3 Instead of 4-diethylaminobenzaldehyde, 92.2 g of p-anisaldehyde
(677 mmol), and the synthesis was carried out in the same manner as in Example 1, yielding 162.0 g (yield 8
8.2%) and 96% pure α- (p-methoxyphenyl) -N- (4-carboxyphenyl) nitrone. The analysis results of the obtained compound are shown below.

【0040】[0040]

【化9】 Embedded image

【0041】〈IR:(cm-1)〉 3456、3109、3157、2968、2841、
2673、2551、1703、1686、1603、
1508、1431、1323、1292、1251、
1169、1070、 1028、870、841、8
06
<IR: (cm −1 )> 3456, 3109, 3157, 2968, 2841,
2673, 2551, 1703, 1686, 1603,
1508, 1431, 1323, 1292, 1251,
1169, 1070, 1028, 870, 841, 8
06

【0042】〈元素分析値:(%)C1513 4〉 理論値 C:66.4 H:4.8 N:
5.2 実測値 C:66.1 H:4.9 N:
4.8
<Elemental analysis value: (%) C15H13N OFour> Theoretical value C: 66.4 H: 4.8 N:
5.2 Actual value: C: 66.1 H: 4.9 N:
4.8

【0043】[実施例4]p−ニトロ安息香酸の代わり
に3−メチル−4−ニトロ安息香酸132.4g(73
1mmol)、4−ジエチルアミノベンズアルデヒドの
代わりに4−ジメチルアミノシンナムアルデヒド11
8.6g(677mmol)を用いる以外は実施例1と
同様にして合成を行なったところ、収量213.8g
(収率97.4%)、純度96%のα−[p−(ジメチ
ルアミノ)スチリル]−N−(2−メチル−4−カルボ
キシフェニル)ニトロンを単離した。得られた化合物の
分析結果を下記に示す。
Example 4 132.4 g of 3-methyl-4-nitrobenzoic acid (73) instead of p-nitrobenzoic acid
1 mmol), 4-dimethylaminocinnamaldehyde 11 instead of 4-diethylaminobenzaldehyde
Synthesis was carried out in the same manner as in Example 1 except that 8.6 g (677 mmol) was used, and the yield was 213.8 g.
(Yield 97.4%), α- [p- (dimethylamino) styryl] -N- (2-methyl-4-carboxyphenyl) nitrone having a purity of 96% was isolated. The analysis results of the obtained compound are shown below.

【0044】[0044]

【化10】 Embedded image

【0045】〈IR:(cm-1)〉 3446、3037、2891、2812、1701、
1593、1524、1487、1435、1367、
1329、1275、1234、1232、1165、
1126、1105、1018、984、945、92
4、920、860、841、810
<IR: (cm −1 )> 3446, 3037, 2891, 2812, 1701,
1593, 1524, 1487, 1435, 1367,
1329, 1275, 1234, 1232, 1165,
1126, 1105, 1018, 984, 945, 92
4,920,860,841,810

【0046】〈元素分析値:(%)C192032〉 理論値 C:70.4 H:6.2 N:
8.6 実測値 C:69.9 H:6.3 N:
8.4
<Elemental analysis value: (%) C 19 H 20 O 3 N 2 > Theoretical value C: 70.4 H: 6.2 N:
8.6 Observed value C: 69.9 H: 6.3 N:
8.4

【0047】[実施例5]光脱色性材料としてα−[p
−(ジエチルアミノフェニル]−N−(4−カルボキシ
フェニル)ニトロン4.5%、分子量約3,000で成
分比6:4のポリビニルピロリドン−酢酸ビニル共重合
体3.5%、10%水酸化テトラ−n−ブチルアンモニ
ウム溶液38.0%及びフロラードFC−430(住友
スリーエム(株)製)0.25%の水溶液を用い、図1
に示すリソグラフィー工程に従ってレジストパターンを
形成した。まずケイ素ウエハーからなる基板1にS−1
813(シップレー社製、ポジレジスト)をスピンコー
トしてレジスト層2を形成し(図1(a))、次にレジ
ス層2上に上記光脱色性材料をスピンコートして光脱色
性層3を形成し(図1(b))、縮小投影法によりA部
分に選択的に436nmの紫外線4を露光した(図1
(c))。その後、光脱色性層3を純水を用いて除去
し、アルカリ現像液を用いて現像を行ない、レジストパ
ターン5を形成した(図1(d))。得られたレジスト
パターンはコントラストが増強された0.5μm解像の
ものであった。
[Example 5] α- [p
-(Diethylaminophenyl) -N- (4-carboxyphenyl) nitrone 4.5%, polyvinylpyrrolidone-vinyl acetate copolymer having a molecular weight of about 3,000 and a component ratio of 6: 4 3.5%, 10% tetrahydroxide 1 using an aqueous solution of 38.0% of n-butylammonium solution and 0.25% of Florado FC-430 (manufactured by Sumitomo 3M).
A resist pattern was formed according to the lithography process shown in FIG. First, S-1 was added to a substrate 1 made of a silicon wafer.
813 (Shipley Corp., positive resist) is spin-coated to form a resist layer 2 (FIG. 1 (a)), and then the photobleachable material is spin-coated on the resist layer 2 to form a photobleachable layer 3 (FIG. 1B), and the portion A was selectively exposed to ultraviolet light 4 of 436 nm by the reduced projection method (FIG. 1).
(C)). Thereafter, the photobleachable layer 3 was removed using pure water, and development was performed using an alkaline developer to form a resist pattern 5 (FIG. 1D). The obtained resist pattern had a 0.5 μm resolution with enhanced contrast.

【0048】[実施例6]光脱色性材料としてα−[p
−(ジエチルアミノフェニル]−N−(2−メチル−4
−カルボキシフェニル)ニトロン4.5%、分子量約
3,000で成分比6:4のポリビニルピロリドン−酢
酸ビニル共重合体3.5%、トリス(ヒドロキシメチ
ル)アミノメタン2.0%及びフロラードFC−430
(住友スリーエム(株)製)0.25%の水溶液を用
い、図1に示すリソグラフィー工程に従ってレジストパ
ターンを形成した。まずケイ素ウエハーからなる基板1
にTHMR−iP1800(東京応化学工業(株)製、
ポジレジスト)をスピンコートしてレジスト層2を形成
し(図1(a))、次にレジス層2上に上記光脱色性材
料をスピンコートして光脱色性層3を形成し(図1
(b))、縮小投影法によりA部分に選択的に365n
mの紫外線4を露光した(図1(c))。その後、光脱
色性層3を純水を用いて除去し、アルカリ現像液を用い
て現像を行ない、レジストパターン5を形成した(図1
(d))。得られたレジストパターンはコントラストが
増強された0.36μm解像のものであった。
Example 6 As a photobleachable material, α- [p
-(Diethylaminophenyl) -N- (2-methyl-4
4.5% of carboxyphenyl) nitrone, 3.5% of polyvinylpyrrolidone-vinyl acetate copolymer having a molecular weight of about 3,000 and a component ratio of 6: 4, 2.0% of tris (hydroxymethyl) aminomethane and Florad FC- 430
Using a 0.25% aqueous solution (manufactured by Sumitomo 3M Limited), a resist pattern was formed according to the lithography process shown in FIG. First, a substrate 1 consisting of a silicon wafer
To THMR-iP1800 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
A positive resist is spin-coated to form a resist layer 2 (FIG. 1A), and then the photo-bleachable material is spin-coated on the resist layer 2 to form a photo-bleachable layer 3 (FIG. 1).
(B)) 365n is selectively applied to the portion A by the reduced projection method.
m ultraviolet rays 4 were exposed (FIG. 1 (c)). Thereafter, the photobleachable layer 3 was removed using pure water, and development was performed using an alkaline developer to form a resist pattern 5 (FIG. 1).
(D)). The obtained resist pattern had a 0.36 μm resolution with enhanced contrast.

【0049】[実施例7]α−[p−(ジエチルアミ
ノ)フェニル]−N−(2−メチル−4−カルボキシフ
ェニル)ニトロンの代わりにα−(p−メトキシフェニ
ル)−N−(4−カルボキシフェニル)ニトロンを用い
る以外は実施例6と同様にして、レジストパターンを形
成したところ、得られたレジストパターンはコントラス
トが増強された0.4μm解像のものであった。
Example 7 α- [p- (Diethylamino) phenyl] -N- (2-methyl-4-carboxyphenyl) nitrone was replaced with α- (p-methoxyphenyl) -N- (4-carboxy) When a resist pattern was formed in the same manner as in Example 6 except that (phenyl) nitrone was used, the obtained resist pattern had a 0.4 μm resolution with enhanced contrast.

【0050】[実施例8]光脱色性材料としてα−[p
−(ジメチルアミノ)スチリル]−N−(2−メチル−
4−カルボキシフェニル)ニトロン4.5%、分子量約
3,000で成分比6:4のポリビニルピロリドン、酢
酸ビニル共重合体3.5%、トリス(ヒドロキシメチ
ル)アミノメタン2.0%及びフロラードFC−430
(住友スリーエム(株)製)0.25%の純水−1−プ
ロパノール溶液(重量成分比65:35)を用いて実施
例5と同様にしてレジストパターンを形成したところ、
得られたレジストパターンはコントラストが増強された
0.5μm解像のものであった。
Example 8 As a photobleachable material, α- [p
-(Dimethylamino) styryl] -N- (2-methyl-
4-carboxyphenyl) nitrone 4.5%, polyvinylpyrrolidone having a molecular weight of about 3,000 and a component ratio of 6: 4, vinyl acetate copolymer 3.5%, tris (hydroxymethyl) aminomethane 2.0% and Florard FC -430
A resist pattern was formed in the same manner as in Example 5 using a 0.25% pure water-1-propanol solution (weight ratio 65:35) (manufactured by Sumitomo 3M Limited).
The obtained resist pattern had a 0.5 μm resolution with enhanced contrast.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の光脱色性材料を用いたリソグラフィー
工程の一例を示す工程図である。
FIG. 1 is a process chart showing an example of a lithography process using a photobleachable material of the present invention.

【図2】本発明の光脱色性材料を用いたリソグラフィー
工程の他の例を示す工程図である。
FIG. 2 is a process chart showing another example of a lithography process using the photobleachable material of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 ホトレジスト層 3 光脱色性層 4 紫外線 5 レジストパターン 6 介在層 7 光脱色性層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Photoresist layer 3 Photobleachable layer 4 Ultraviolet light 5 Resist pattern 6 Intermediate layer 7 Photobleachable layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 健一 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地 の1 信越化学工業株式会社 合成技術 研究所内 (56)参考文献 米国特許3792031(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C07C 291/02 C09K 9/02 CA(STN) REGISTRY(STN)────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Kenichi Ito 28-1, Nishifukushima, Oku-ku, Nikushiro-mura, Nakakibijo-gun, Niigata Prefecture Synthetic Technology Research Laboratory, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (56) References US Patent No. (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) C07C 291/02 C09K 9/02 CA (STN) REGISTRY (STN)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 下記一般式(1)で表されるアルカリ可
溶性ニトロン化合物。 【化1】 (但し、式中R,R,Rは互いに同一又は異種の
アルキル基、アリール基又は水素原子、R乃至R
互いに同一又は異種のアルキル基、水素原子又はカルボ
キシ基であるが、R乃至Rの少なくとも1つはカル
ボキシ基である。XはRO−で表されるアルコキシ基
又はR1011N−で表されるジアルキルアミノ基で
あり、Rはアルキル基、R10及びR11は互いに同
一又は異種のアルキル基である。nは0,1又は2の値
を有する。)
1. An alkali-soluble nitrone compound represented by the following general formula (1). Embedded image (Wherein R 1 , R 2 , and R 3 are the same or different alkyl groups, aryl groups, or hydrogen atoms, and R 4 to R 8 are the same or different alkyl groups, hydrogen atoms, or carboxy groups. , R 4 to R 8 are a carboxy group, X is an alkoxy group represented by R 9 O— or a dialkylamino group represented by R 10 R 11 N—, and R 9 is an alkyl group , R 10 and R 11 are the same or different alkyl groups. N has a value of 0, 1 or 2.)
【請求項2】 請求項1記載のアルカリ可溶性ニトロン
化合物を含有する光脱色性材料。
2. A photobleachable material containing the alkali-soluble nitrone compound according to claim 1.
JP4042492A 1991-12-06 1992-01-30 Alkali-soluble nitrone compound and photobleachable material Expired - Lifetime JP2850627B2 (en)

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