JP2849086B2 - Integrated bias circuit - Google Patents

Integrated bias circuit

Info

Publication number
JP2849086B2
JP2849086B2 JP62196968A JP19696887A JP2849086B2 JP 2849086 B2 JP2849086 B2 JP 2849086B2 JP 62196968 A JP62196968 A JP 62196968A JP 19696887 A JP19696887 A JP 19696887A JP 2849086 B2 JP2849086 B2 JP 2849086B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
transistor
output node
node
level shift
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP62196968A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6441307A (en
Inventor
治則 里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP62196968A priority Critical patent/JP2849086B2/en
Publication of JPS6441307A publication Critical patent/JPS6441307A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2849086B2 publication Critical patent/JP2849086B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体集積回路において用いられるバイ
アス回路に関し、特に素子数と配線リード数を低減でき
る集積化バイアス回路に関するものである。 〔従来の技術〕 第3図は従来の集積化バイアス回路を示すものであ
る。図において、Bは定電圧電源であり、R6およびQ14,
Q15,Q16,Q17,Q18はPNPタイプの定電流(カレントミラ
ー)回路11を構成する抵抗およびトランジスタであり、
Q19,Q20は第1のバイアス源12aを構成するトランジス
タ、Q4,Q5,Q6は定電流回路3aを構成する定電流トランジ
スタ、C1は第1の電源回路ブロック(負荷)である。同
様に、Q21,Q22およびQ23,Q24はそれぞれ第2および第3
のバイアス源12bおよび12cを構成するトランジスタであ
り、Q8,Q9,Q10およびQ12,Q13,Q14はそれぞれ第2および
第3の定電流回路3bおよび3cを構成する定電流トランジ
スタであり、C2およびC3はそれぞれ第2および第3の電
子回路ブロック(負荷)である。 なお、B1,B2,B3はそれぞれバイアス源12aおよび定電
流回路3a,バイアス源12b及び定電流回路3b,バイアス源1
2c及び定電流回路3cにより構成された第1,第2,第3のバ
イアス回路である。 次に動作について説明する。 第3図に示すPNPタイプの定電流回路11においてトラ
ンジスタQ15のベース電位は、 B−(VBE14+VBE15) …(1) となり(但しVBE14,VBE15はトランジスタQ14,Q15のベー
ス・エミッタ間順方向電圧である)、 抵抗R6に流れる電流I0は となる。 この電流I0はトランジスタQ14のコレクタ電流となり
(トランジスタQ15のベース電流IB15は小さくI0>>IB1
5となり無視できるものとする)、トランジスタQ14,Q1
8,Q17,Q16が同一集積回路のチップ内に構成される時
は、各々のコレクタ電流I0,I1,I2,I3とそのコレクタ面
積は比例し、各々のコレクタ面積をS14,S18,S17,S16と
すると(3)式が成立する。 ここでS14=S16=S17=S18とおくと、 I0=I1=I2=I3 …(4) となる。そしてPNP定電流回路11から各バイアス回路B1,
B2,B3にそれぞれ供給される定電流I1,I2,I3は各々第1,
第2,第3の電子回路ブロック(負荷)C1,C2,C3のバイア
スを構成するNPNバイアス源12a,12b,12cのトランジスタ
Q19,Q21,Q23に供給される。 ここで第1の定電流回路3aにおいて、トランジスタQ1
9,Q4,Q5,Q6に流れるコレクタ電流I1,I4,I5,I6とその各
々のエミッタサイズとは比例し、各々のエミッタサイズ
をS19,S4,S5,S6とすると、 となる。ここでS19=S4=S5=S6とおくと、 I1=I4=I5=I6 …(6) となる。 (但し、トランジスタQ20のベース電流IB20はI1>>IB2
0とし、無視できるものとする) また第2,第3の定電流回路3b,3cに関しても、以上説
明した第1の定電流回路3aと同様にコレクタ電流I8,I9,
I10およびI12,I13,I14を設定することが可能である。 一般に集積回路により構成される電子回路は、複数組
の電子回路ブロックより構成される。第3図では3組の
電子回路ブロックC1,C2,C3により構成される一構成例を
示しており、この様にブロックに分割することにより、
電子回路ブロック間のクロストークが低減され、集積回
路としての総合特性を向上することができる。 また、集積回路でパターン設計をする時は、第1のバ
イアス回路B1と電子回路ブロックC1および第2のバイア
ス回路B2と電子回路ブロックC2および第3のバイアス回
路B3と電子回路ブロックC3は各々のブロックでまとまる
様にレイアウトする。特性向上とコストダウンのためで
ある。 このため3個のトランジスタQ16,Q17,Q18を有するPNP
定電流回路11から3組のバイアス回路ブロックB1,B2,B3
へそれぞれ配線をする必要性がある。しかるにこのよう
に集積回路を構成するときは、バイアス回路の増加に伴
い、配線数が増えることとなり、特性上、チップサイズ
上いろいろの不利をもたらすこととなる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述のように集積回路ではその総合特性を向上させる
ために電子回路を回路ブロックに分割するようにしてお
り、このため従来の集積化バイアス回路では定電流源を
構成するPNPトランジスタおよび定電流源と各ブロック
とを結ぶ配線が各電子回路ブロックの数だけ必要とな
り、集積回路化する時、チップサイズの増大を招き、コ
ストアップの要因になる等の欠点があった。 この発明は、上記のような従来のものの問題点を解消
するためになされたもので、素子数と配線数を減少さ
せ、集積回路のチップサイズを小さくでき、併せて信号
の劣化を防止することのできる集積化バイアス回路を得
ることを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係る集積化バイアス回路は、第1の出力ノ
ードと、コレクタが前記第1の出力ノードに接続され、
エミッタが接地ノードに接続された第1のトランジスタ
と、エミッタが前記第1のトランジスタのベースに接続
され、ベースが前記第1の出力ノードに接続され、コレ
クタがトランジスタを飽和状態にさせない電圧を供給で
きる電圧源に接続された第2のトランジスタと、一端が
電源ノードに接続され、他端が前記第2のトランジスタ
のベースに接続された第1の抵抗手段と、一端が接地ノ
ードに接続され、他端が前記第2のトランジスタのエミ
ッタに接続された第2の抵抗手段とを有し、前記第1の
出力ノードより第1の定電圧を発生する定電圧発生回
路、それぞれが第1の入力ノードと、第2の出力ノード
と、第1の入力ノードにベースが接続され、第2の出力
ノードにエミッタが接続され、トランジスタを飽和状態
にさせない電圧を供給できる電圧源にコレクタが接続さ
れたレベルシフト用トランジスタと、一端が接地ノード
に接続され、他端が前記レベルシフト用トランジスタの
エミッタに接続された第3の抵抗手段とを有し、前記定
電圧回路の第1の出力ノードからの第1の定電圧を第1
の入力ノードに受け、第2の出力ノードよりレベルシフ
トされた第2の定電圧を発生する複数のレベルシフト回
路、前記定電圧回路の第1の出力ノードと上記複数のレ
ベルシフト回路の各々の第1の入力ノードとの間にそれ
ぞれ設けられた、雑音成分を遮断するフィルタ、上記複
数のレベルシフト回路に対応して設けられ、第2の入力
ノードと、第3の出力ノードと、第2の入力ノードにベ
ースが接続され、接地ノートにエミッタが接続され、第
3の出力ノードにコレクタが接続された定電流用トラン
ジスタとを有し、前記レベルシフト回路からの第2の定
電圧を第2の入力ノードに受け、この第2の定電圧に基
づき、第3の出力ノードより一定電流であるバイアス電
流を出力する定電流回路、これらの複数の定電流回路に
対応して設けられ、それぞれが対応した定電流回の第3
の出力ノードに接続され、バイアス電流にて駆動される
複数の電子回路ブロックを備えたものである。 〔作用〕 この発明においては、第1の出力ノードと、コレクタ
が前記第1の出力ノードに接続され、エミッタが接地ノ
ードに接続された第1のトランジスタと、エミッタが前
記第1のトランジスタのベースに接続され、ベースが前
記第1の出力ノードに接続され、コレクタがトランジス
タを飽和状態にさせない電圧を供給できる電圧源に接続
された第2のトランジスタと、一端が電源ノードに接続
され、他端が前記第2のトランジスタのベースに接続さ
れた第1の抵抗手段と、一端が接地ノードに接続され、
他端が前記第2のトランジスタのエミッタに接続された
第2の抵抗手段とを有し、前記第1の出力ノードより第
1の定電圧を発生する定電圧発生回路、それぞれが第1
の入力ノードと、第2の出力ノードと、第1の入力ノー
ドにベースが接続され、第2の出力ノードにエミッタが
接続され、トランジスタを飽和状態にさせない電圧を供
給できる電圧源にコレクタが接続されたレベルシフト用
トランジスタと、一端が接地ノードに接続され、他端が
前記レベルシフト用トランジスタのエミッタに接続され
た第3の抵抗手段とを有し、前記定電圧回路の第1の出
力ノードからの第1の定電圧を第1の入力ノードに受
け、第2の出力ノードよりレベルシフトされた第2の定
電圧を発生する複数のレベルシフト回路、前記定電圧回
路の第1の出力ノードと上記複数のレベルシフト回路の
各々の第1の入力ノードとの間にそれぞれ設けられた、
雑音成分を遮断するフィルタ、上記複数のレベルシフト
回路に対応して設けられ、第2の入力ノードと、第3の
出力ノードと、第2の入力ノードにベースが接続され、
接地ノートにエミッタが接続され、第3の出力ノードに
コレクタが接続された定電流用トランジスタとを有し、
前記レベルシフト回路からの第2の定電圧を第2の入力
ノードに受け、この第2の定電圧に基づき、第3の出力
ノードより一定電流であるバイアス電流を出力する定電
流回路、これらの複数の定電流回路に対応して設けら
れ、それぞれが対応した定電流回の第3の出力ノードに
接続され、バイアス電流にて駆動される複数の電子回路
ブロックを備えた構成としたから、定電圧回路と各レベ
ルシフト回路とを一本の配線で接続でき、しかも素子数
を削減できる。またフィルタを設けたことにより回路ブ
ロック間のクロストーク,ノイズ等はこのフィルタで除
去される。 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。 第1図はこの発明の一実施例による集積化バイアス回
路を示す回路図である。第1図において、Q1,Q2およびR
1,R2はそれぞれバイアス系に定電圧を供給するための定
電圧回路1を構成するトランジスタおよび抵抗、Q3およ
びR3は第1のレベルシフト回路2aを構成するトランジス
タおよび抵抗、Q7およびR4は第2のレベルシフト回路2b
を構成するトランジスタおよび抵抗、Q11およびR5は第
3のレベルシフト回路2cを構成するトランジスタおよび
抵抗である。 F1,F2,F3はそれぞれ抵抗RおよびコンデンサCからな
るローパスフィルタであり、定電圧回路1と各レベルシ
フト回路2a〜2cの間にそれぞれ設けられている。 次に動作について説明する。 第1図の定電圧回路1において抵抗R1に流れる電流I1
0は、 となる(但し、VBE1,VBE2はトランジスタQ1,Q2のベース
・エミッタ間順方向飽和電圧である)。 抵抗R2に流れる電流をI20とすると、 I20=VBE1/R2 …(8) であり、 トランジスタQ1のコレクタ電圧Vc1は となる。 (但し、kはボルツマン定数,qは電子の電荷量,Tは絶対
温度,IsはトランジスタQ1,Q2の逆方向飽和電流,A1,A2は
トランジスタQ1,Q2のエミッタ面積である) 次に抵抗R3を流れる電流をI30とすると、 I30=VBE3/R3 …(10) であり、 (但しVBE3はトランジスタQ3のベース・エミッタ間順方
向飽和電圧である) またレベルシフト回路2aの出力となるトランジスタQ3の
エミッタ電圧VE3である。 (但しA3はトランジスタQ3のエミッタ面積である。) レベルシフト回路2aの出力VE3は、トランジスタQ4の
ベースに印加され、VE3=VBE4より、 であり、従って となり、ここでA1=A2=A3=A4とすると、 I40=I10・R3/R2 …(13) となる。同様にトランジスタQ5,Q6のエミッタ面積がそ
れぞれA5,A6の時、 となる。 このように基準電流I10と、トランジスタのエミッタ
面積を決めると、各バイアス電流I40,I50,I60は抵抗R2,
R3の関数((12)〜(15)式)となる。 第2及び第3のレベルシフト回路2b,2c、定電流回路3
b,3cより、その各々のバイアス電流I80〜I100及びI120
〜I140についても以上と同様に設定できる。 このような本実施例回路を用いて、集積回路をパター
ン設計する時、従来のパターン設計時と同様に、第1,第
2,第3のレベルシフト回路2a,2b,2cと第1,第2,第3の定
電流回路3a,3b,3cとはバイアス回路B10,B20,B30の各々
のブロックにまとめてレイアウトする性能向上と、チッ
プサイズ縮少のためである。 ここで3組のバイアス回路B10,B20,B30へ配線をする
ときは、定電圧回路1から各々直列に配線するだけで良
いので、1本の配線で済ませることができ、チップサイ
ズの増大およびコストの上昇を阻止できる。また、定電
圧回路1と各電子回路ブロックのレベルシフト回路2a,2
b,2cとの間にそれぞれフィルタF1,F2,F3を設けた構成と
したので、このフィルタを設けない場合に比して、回路
ブロック間のクロストーク,ノイズ等が軽減され、信号
の質が改善される。 なお本実施例では3組のバイアス回路を有するものに
ついて説明したが、N組のバイアス回路を有するもので
あってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。 また第2図は本発明の他の実施例による回路であり、
これはトランジスタQ1,Q4,Q5,Q6,Q8,Q9,Q10,Q12,Q13,Q1
4の各エミッタと接地との間に抵抗RE1,RE4,RE5,RE6,
RE8,RE9,RE10,RE12,RE13,RE14をそれぞれ挿入したもの
である。 これらの抵抗を挿入したことにより、カーレントボギ
ング,アーリ効果等の影響が軽減され、特性の向上がな
される。またこれらのバイアス回路を用いた集積回路
は、各種民生用,産業用分野に幅広く用いることができ
る。 〔発明の効果〕 以上のように、この発明に係る集積化バイアス回路に
よれば、第1の出力ノードと、コレクタが前記第1の出
力ノードに接続され、エミッタが接地ノードに接続され
た第1のトランジスタと、エミッタが前記第1のトラン
ジスタのベースに接続され、ベースが前記第1の出力ノ
ードに接続され、コレクタがトランジスタを飽和状態に
させない電圧を供給できる電圧源に接続された第2のト
ランジスタと、一端が電源ノードに接続され、他端が前
記第2のトランジスタのベースに接続された第1の抵抗
手段と、一端が接地ノードに接続され、他端が前記第2
のトランジスタのエミッタに接続された第2の抵抗手段
とを有し、前記第1の出力ノードより第1の定電圧を発
生する定電圧発生回路、それぞれが第1の入力ノード
と、第2の出力ノードと、第1の入力ノードにベースが
接続され、第2の出力ノードにエミッタが接続され、ト
ランジスタを飽和状態にさせない電圧を供給できる電圧
源にコレクタが接続されたレベルシフト用トランジスタ
と、一端が接地ノードに接続され、他端が前記レベルシ
フト用トランジスタのエミッタに接続された第3の抵抗
手段とを有し、前記定電圧回路の第1の出力ノードから
の第1の定電圧を第1の入力ノードに受け、第2の出力
ノードよりレベルシフトされた第2の定電圧を発生する
複数のレベルシフト回路、前記定電圧回路の第1の出力
ノードと上記複数のレベルシフト回路の各々の第1の入
力ノードとの間にそれぞれ設けられた、雑音成分を遮断
するフィルタ、上記複数のレベルシフト回路に対応して
設けられ、第2の入力ノードと、第3の出力ノードと、
第2の入力ノードにベースが接続され、接地ノートにエ
ミッタが接続され、第3の出力ノードにコレクタが接続
された定電流用トランジスタとを有し、前記レベルシフ
ト回路からの第2の定電圧を第2の入力ノードに受け、
この第2の定電圧に基づき、第3の出力ノードより一定
電流であるバイアス電流を出力する定電流回路、これら
の複数の定電流回路に対応して設けられ、それぞれが対
応した定電流回路の第3の出力ノードに接続され、バイ
アス電流にて駆動される複数の電子回路ブロックを備え
た構成としたので、各回路ブロックのレベルシフト回路
と定電圧回路とは、1本の配線だけで接続でき、配線が
削減され、しかも各ブロックに対応する定電流(カレン
トミラー)回路が不要となったので、素子を削減でき、
各回路ブロック間のクロストーク,ノイズ等が軽減され
ると共にローノイズ化,発振防止に効果的であり、装置
が簡単にでき、また精度の高いものが得られる効果があ
る。
The present invention relates to a bias circuit used in a semiconductor integrated circuit, and more particularly to an integrated bias circuit capable of reducing the number of elements and the number of wiring leads. [Prior Art] FIG. 3 shows a conventional integrated bias circuit. In the figure, B is a constant voltage power supply, and R6 and Q14,
Q15, Q16, Q17 and Q18 are resistors and transistors that constitute a PNP-type constant current (current mirror) circuit 11,
Q19 and Q20 are transistors forming the first bias source 12a, Q4, Q5 and Q6 are constant current transistors forming the constant current circuit 3a, and C1 is a first power supply circuit block (load). Similarly, Q21, Q22 and Q23, Q24 are the second and third, respectively.
Q8, Q9, Q10 and Q12, Q13, Q14 are constant current transistors that constitute the second and third constant current circuits 3b and 3c, respectively, and C2 and C3 Are second and third electronic circuit blocks (loads), respectively. B1, B2, and B3 are respectively a bias source 12a and a constant current circuit 3a, a bias source 12b and a constant current circuit 3b, and a bias source 1
This is a first, second, and third bias circuit constituted by 2c and a constant current circuit 3c. Next, the operation will be described. In the PNP-type constant current circuit 11 shown in FIG. 3, the base potential of the transistor Q15 is B− (V BE14 + V BE15 ) (1) (where V BE14 and V BE15 are between the base and emitter of the transistors Q14 and Q15). The current I0 flowing through the resistor R6 is Becomes This current I0 becomes the collector current of the transistor Q14 (the base current IB15 of the transistor Q15 is small and I0 >> IB1
5 and can be ignored), transistors Q14, Q1
8, Q17, Q16 are configured in the same integrated circuit chip, each collector current I0, I1, I2, I3 and its collector area is proportional, each collector area is S14, S18, S17, S16 Then, equation (3) holds. Here, if S14 = S16 = S17 = S18, I0 = I1 = I2 = I3 (4) Then, from the PNP constant current circuit 11, the bias circuits B1,
The constant currents I1, I2, I3 supplied to B2, B3 respectively are
Transistors of NPN bias sources 12a, 12b, 12c constituting biases of second and third electronic circuit blocks (loads) C1, C2, C3
It is supplied to Q19, Q21 and Q23. Here, in the first constant current circuit 3a, the transistor Q1
9, Collector currents I1, I4, I5, I6 flowing in Q4, Q5, Q6 and their respective emitter sizes are proportional, and if each emitter size is S19, S4, S5, S6, Becomes Here, if S19 = S4 = S5 = S6, then I1 = I4 = I5 = I6 (6) (However, the base current IB20 of the transistor Q20 is I1 >> IB2
Also, the second and third constant current circuits 3b and 3c are similar to the first constant current circuit 3a described above, and the collector currents I8, I9,
It is possible to set I10 and I12, I13, I14. Generally, an electronic circuit configured by an integrated circuit includes a plurality of sets of electronic circuit blocks. FIG. 3 shows an example of a configuration composed of three sets of electronic circuit blocks C1, C2, and C3.
Crosstalk between electronic circuit blocks is reduced, and overall characteristics as an integrated circuit can be improved. When designing a pattern with an integrated circuit, the first bias circuit B1, the electronic circuit block C1, and the second bias circuit B2, the electronic circuit block C2, and the third bias circuit B3 and the electronic circuit block C3 are connected to each other. Lay out in blocks. This is for improving characteristics and reducing costs. Therefore, a PNP having three transistors Q16, Q17, Q18
Three sets of bias circuit blocks B1, B2, B3 from the constant current circuit 11
It is necessary to wire to each. However, when an integrated circuit is configured in this manner, the number of wirings increases with an increase in the number of bias circuits, which causes various disadvantages in characteristics and chip size. [Problems to be Solved by the Invention] As described above, in an integrated circuit, an electronic circuit is divided into circuit blocks in order to improve its overall characteristics. Therefore, in a conventional integrated bias circuit, a constant current source is used. The wiring that connects the PNP transistor and the constant current source to each block and each block is required for each electronic circuit block, and when integrated circuits are used, the chip size increases and the cost increases. there were. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the conventional device, and can reduce the number of elements and the number of wirings, can reduce the chip size of an integrated circuit, and also prevent signal deterioration. It is an object of the present invention to obtain an integrated bias circuit capable of performing the following. [Means for Solving the Problems] An integrated bias circuit according to the present invention has a first output node and a collector connected to the first output node,
A first transistor having an emitter connected to the ground node; an emitter connected to the base of the first transistor; a base connected to the first output node; and a collector providing a voltage that does not cause the transistor to be saturated. A second transistor connected to a possible voltage source, a first resistor connected at one end to a power supply node, the other end connected to the base of the second transistor, and one end connected to a ground node; A second resistance means having the other end connected to the emitter of the second transistor, and a constant voltage generation circuit for generating a first constant voltage from the first output node, each of which has a first input The base is connected to the node, the second output node, and the first input node, and the emitter is connected to the second output node to supply a voltage that does not cause the transistor to be saturated. A level shift transistor having a collector connected to a possible voltage source; and third resistance means having one end connected to a ground node and the other end connected to the emitter of the level shift transistor. A first constant voltage from a first output node of the circuit to a first
, A plurality of level shift circuits for receiving a second constant voltage level-shifted from a second output node, and a first output node of the constant voltage circuit and each of the plurality of level shift circuits. Filters provided between the first input node and the first input node for blocking noise components, and provided corresponding to the plurality of level shift circuits; a second input node; a third output node; A constant current transistor having a base connected to the input node, a emitter connected to the ground node, and a collector connected to the third output node, and a second constant voltage from the level shift circuit. A constant current circuit that receives a bias current that is a constant current from a third output node based on the second constant voltage and that is provided corresponding to the plurality of constant current circuits. Third constant current times, each corresponding
And a plurality of electronic circuit blocks that are connected to the output node and driven by a bias current. [Operation] In the present invention, a first transistor having a first output node, a collector connected to the first output node, an emitter connected to a ground node, and an emitter connected to a base of the first transistor. A second transistor having a base connected to the first output node, a collector connected to a voltage source capable of supplying a voltage that does not cause the transistor to be saturated, one end connected to a power supply node, and the other end connected to a power supply node. Is connected to a first resistor means connected to the base of the second transistor, and one end is connected to a ground node;
A second resistance means having the other end connected to the emitter of the second transistor, and a constant voltage generating circuit for generating a first constant voltage from the first output node;
, A second output node, a base connected to the first input node, an emitter connected to the second output node, and a collector connected to a voltage source capable of supplying a voltage that does not cause the transistor to be saturated. Level shift transistor, and third resistance means having one end connected to the ground node and the other end connected to the emitter of the level shift transistor, and a first output node of the constant voltage circuit. A plurality of level shift circuits receiving a first constant voltage from a first input node to generate a second constant voltage level-shifted from a second output node, a first output node of the constant voltage circuit And a first input node of each of the plurality of level shift circuits.
A filter for blocking a noise component, provided corresponding to the plurality of level shift circuits, a base connected to the second input node, the third output node, and the second input node;
A constant current transistor having an emitter connected to the ground notebook, and a collector connected to the third output node;
A constant current circuit that receives a second constant voltage from the level shift circuit at a second input node, and outputs a constant bias current from a third output node based on the second constant voltage; Since a plurality of constant current circuits are provided corresponding to the plurality of constant current circuits, each of which is connected to the third output node of the corresponding constant current circuit, and is provided with a plurality of electronic circuit blocks driven by a bias current, a constant current circuit is provided. The voltage circuit and each level shift circuit can be connected by one line, and the number of elements can be reduced. In addition, by providing a filter, crosstalk, noise, and the like between circuit blocks are removed by this filter. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing an integrated bias circuit according to one embodiment of the present invention. In FIG. 1, Q1, Q2 and R
1, R2 are transistors and resistors constituting a constant voltage circuit 1 for supplying a constant voltage to a bias system, Q3 and R3 are transistors and resistors constituting a first level shift circuit 2a, and Q7 and R4 are second transistors. Level shift circuit 2b
, And Q11 and R5 are the transistors and resistors that form the third level shift circuit 2c. F1, F2, and F3 are low-pass filters each including a resistor R and a capacitor C, and are provided between the constant voltage circuit 1 and each of the level shift circuits 2a to 2c. Next, the operation will be described. The current I1 flowing through the resistor R1 in the constant voltage circuit 1 of FIG.
0 is (Where V BE1 and V BE2 are forward saturation voltages between the base and the emitter of the transistors Q1 and Q2). Assuming that the current flowing through the resistor R2 is I20, I20 = VBE1 / R2 (8), and the collector voltage Vc1 of the transistor Q1 is Becomes (However, k is Boltzmann's constant, q is the charge of electrons, T is the absolute temperature, Is is the reverse saturation current of transistors Q1 and Q2, and A1 and A2 are the emitter areas of transistors Q1 and Q2.) Next, resistor R3 Assuming that the current flowing through the transistor is I30, I30 = V BE3 / R3 (10) (where V BE3 is the forward saturation voltage between the base and the emitter of the transistor Q3) and the transistor serving as the output of the level shift circuit 2a The emitter voltage V E3 of Q3 is It is. (However, A3 is the emitter area of the transistor Q3.) The output V E3 of the level shift circuit 2a is applied to the base of the transistor Q4, and from V E3 = V BE4 , And therefore Here, if A1 = A2 = A3 = A4, then I40 = I10 · R3 / R2 (13) Similarly, when the emitter areas of the transistors Q5 and Q6 are A5 and A6, respectively, Becomes When the reference current I10 and the emitter area of the transistor are determined in this manner, the bias currents I40, I50, and I60 become resistors R2,
This is the function of R3 (Equations (12) to (15)). Second and third level shift circuits 2b and 2c, constant current circuit 3
b, 3c, the respective bias currents I80 to I100 and I120
~ I140 can be set in the same manner as above. When a pattern of an integrated circuit is designed using such a circuit of the present embodiment, the first and second patterns are designed in the same manner as in the conventional pattern design.
2. Performance of laying out the third level shift circuits 2a, 2b, 2c and the first, second, and third constant current circuits 3a, 3b, 3c collectively in each block of the bias circuits B10, B20, B30 This is for improvement and chip size reduction. Here, when wiring to the three sets of bias circuits B10, B20, and B30, it is only necessary to wire each of the constant voltage circuits 1 in series, so that only one wiring is required, which increases the chip size and the cost. Can be prevented from rising. Also, the constant voltage circuit 1 and the level shift circuits 2a, 2
Since filters F1, F2, and F3 are provided between b and 2c, crosstalk and noise between circuit blocks are reduced and signal quality is reduced as compared with a case where no filter is provided. Be improved. In the present embodiment, a configuration having three sets of bias circuits has been described. However, a configuration having N sets of bias circuits may be provided, and the same effects as those of the above-described embodiments can be obtained. FIG. 2 shows a circuit according to another embodiment of the present invention.
These are transistors Q1, Q4, Q5, Q6, Q8, Q9, Q10, Q12, Q13, Q1
The resistances R E1 , R E4 , R E5 , R E6 ,
R E8 , R E9 , R E10 , R E12 , R E13 , and R E14 are respectively inserted. By inserting these resistors, the effects of the current bogging, the Early effect, and the like are reduced, and the characteristics are improved. An integrated circuit using these bias circuits can be widely used in various consumer and industrial fields. [Effects of the Invention] As described above, according to the integrated bias circuit of the present invention, the first output node and the collector connected to the first output node and the emitter connected to the ground node are connected to the ground. A first transistor, an emitter connected to a base of the first transistor, a base connected to the first output node, and a collector connected to a voltage source capable of supplying a voltage that does not cause the transistor to be saturated. Transistor, one end connected to a power supply node, the other end connected to the base of the second transistor, a first resistance means, one end connected to a ground node, and the other end connected to the second
Constant voltage generating circuits for generating a first constant voltage from the first output node, each of which has a first input node; A level shift transistor having an output node, a base connected to the first input node, an emitter connected to the second output node, and a collector connected to a voltage source capable of supplying a voltage that does not cause the transistor to saturate; Third resistance means having one end connected to a ground node and the other end connected to the emitter of the level shift transistor, and a first constant voltage from a first output node of the constant voltage circuit. A plurality of level shift circuits for receiving a first input node and generating a second constant voltage level-shifted from a second output node; a first output node of the constant voltage circuit; A filter provided between each of the first input nodes of the bell shift circuit for blocking noise components, a second input node provided corresponding to the plurality of level shift circuits, and a third output node Nodes and
A constant current transistor having a base connected to the second input node, an emitter connected to the ground node, and a collector connected to the third output node, and a second constant voltage from the level shift circuit. To the second input node,
A constant current circuit that outputs a bias current that is a constant current from a third output node based on the second constant voltage; a constant current circuit provided corresponding to the plurality of constant current circuits, Since a plurality of electronic circuit blocks connected to the third output node and driven by a bias current are provided, the level shift circuit and the constant voltage circuit of each circuit block are connected by only one wiring. The number of elements can be reduced because the wiring is reduced and the constant current (current mirror) circuit corresponding to each block becomes unnecessary.
This is effective in reducing crosstalk and noise between circuit blocks, reducing noise and preventing oscillation, and can simplify the device and obtain a highly accurate device.

【図面の簡単な説明】 第1図はこの発明の一実施例による集積化バイアス回路
の回路図、第2図は本発明の他の実施例を示す回路図、
第3図は従来の集積化バイアス回路を示す回路図であ
る。 1……定電圧回路、2a〜2c……レベルシフト回路、3a〜
3c……定電流回路、Q4〜Q6,Q8〜Q10,Q12〜Q14……定電
流トランジスタ、F1,F2,F3……ローパスフィルタ。 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a circuit diagram of an integrated bias circuit according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention,
FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional integrated bias circuit. 1 ... constant voltage circuit, 2a-2c ... level shift circuit, 3a-
3c Constant current circuit, Q4 to Q6, Q8 to Q10, Q12 to Q14 Constant current transistors, F1, F2, F3 Low pass filters. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 1.第1の出力ノードと、コレクタが前記第1の出力ノ
ードに接続され、エミッタが接地ノードに接続された第
1のトランジスタと、エミッタが前記第1のトランジス
タのベースに接続され、ベースが前記第1の出力ノード
に接続され、コレクタがトランジスタを飽和状態にさせ
ない電圧を供給できる電圧源に接続された第2のトラン
ジスタと、一端が上記電圧源に接続され、他端が前記第
2のトランジスタのベースに接続された第1の抵抗手段
と、一端が接地ノードに接続され、他端が前記第2のト
ランジスタのエミッタに接続された第2の抵抗手段とを
有し、前記第1の出力ノードより第1の定電圧を発生す
る定電圧発生回路、 それぞれが第1の入力ノードと、第2の出力ノードと、
第1の入力ノードにベースが接続され、第2の出力ノー
ドにエミッタが接続され、トランジスタを飽和状態にさ
せない電圧を供給できる電圧源にコレクタが接続された
レベルシフト用トランジスタと、一端が接地ノードに接
続され、他端が前記レベルシフト用トランジスタのエミ
ッタに接続された第3の抵抗手段とを有し、前記定電圧
回路の第1の出力ノードからの第1の定電圧を第1の入
力ノードに受け、第2の出力ノードよりレベルシフトさ
れた第2の定電圧を発生する複数のレベルシフト回路、 前記定電圧回路の第1の出力ノードと上記複数のレベル
シフト回路の各々の第1の入力ノードとの間にそれぞれ
設けられた、雑音成分を遮断するフィルタ、 上記複数のレベルシフト回路に対応して設けられ、第2
の入力ノードと、第3の出力ノードと、第2の入力ノー
ドにベースが接続され、接地ノートにエミッタが接続さ
れ、第3の出力ノードにコレクタが接続された定電流用
トランジスタとを有し、前記レベルシフト回路からの第
2の定電圧を第2の入力ノードに受け、この第2の定電
圧に基づき、第3の出力ノードより一定電流であるバイ
アス電流を出力する定電流回路、 これらの複数の定電流回路に対応して設けられ、それぞ
れが対応した定電流回の第3の出力ノードに接続され、
バイアス電流にて駆動される複数の電子回路ブロックを
備えたことを特徴とする集積化バイアス回路。 2.上記雑音成分を遮断するフィルタは、それぞれ抵抗
及びコンデンサからなるローパスフィルタであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の集積化バイアス
回路。
(57) [Claims] A first transistor having a first output node, a collector connected to the first output node, an emitter connected to a ground node, an emitter connected to a base of the first transistor, and a base connected to the first transistor; A second transistor connected to an output node of the first transistor and having a collector connected to a voltage source capable of supplying a voltage that does not cause the transistor to saturate; and a second end connected to the voltage source and the other end connected to the second transistor. A first resistor connected to a base; a second resistor connected at one end to a ground node and the other end connected to an emitter of the second transistor; A constant voltage generating circuit for generating a first constant voltage, each of which has a first input node, a second output node,
A level shift transistor having a base connected to the first input node, an emitter connected to the second output node, and a collector connected to a voltage source capable of supplying a voltage that does not cause the transistor to saturate; And third resistance means having the other end connected to the emitter of the level shift transistor, and a first constant voltage from a first output node of the constant voltage circuit to a first input. A plurality of level shift circuits receiving at a node and generating a second constant voltage level-shifted from a second output node; a first output node of the constant voltage circuit and a first of each of the plurality of level shift circuits A filter for blocking a noise component, which is provided between each of the input nodes and a plurality of level shift circuits;
, A third output node, a constant current transistor having a base connected to the second input node, an emitter connected to the ground node, and a collector connected to the third output node. A constant current circuit that receives a second constant voltage from the level shift circuit at a second input node and outputs a bias current that is a constant current from a third output node based on the second constant voltage; Are provided corresponding to the plurality of constant current circuits, and each is connected to the third output node of the corresponding constant current circuit,
An integrated bias circuit comprising a plurality of electronic circuit blocks driven by a bias current. 2. 2. The integrated bias circuit according to claim 1, wherein the filter that blocks the noise component is a low-pass filter including a resistor and a capacitor.
JP62196968A 1987-08-06 1987-08-06 Integrated bias circuit Expired - Fee Related JP2849086B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62196968A JP2849086B2 (en) 1987-08-06 1987-08-06 Integrated bias circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62196968A JP2849086B2 (en) 1987-08-06 1987-08-06 Integrated bias circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6441307A JPS6441307A (en) 1989-02-13
JP2849086B2 true JP2849086B2 (en) 1999-01-20

Family

ID=16366643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62196968A Expired - Fee Related JP2849086B2 (en) 1987-08-06 1987-08-06 Integrated bias circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2849086B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998040704A1 (en) * 1997-03-11 1998-09-17 Frama Ag Postbearbeitungssysteme Device for measuring volume

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4312741Y1 (en) * 1964-07-22 1968-05-31
US4329639A (en) * 1980-02-25 1982-05-11 Motorola, Inc. Low voltage current mirror
JPS61114608A (en) * 1984-11-08 1986-06-02 Mitsubishi Electric Corp Integrated bias circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6441307A (en) 1989-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3831040A (en) Temperature-dependent current supplier
US4507573A (en) Current source circuit for producing a small value output current proportional to an input current
US4264873A (en) Differential amplification circuit
KR0136874B1 (en) Stabilized current and voltage reference sources
US4683416A (en) Voltage regulator
JPS6145315A (en) Reference voltage generating circuit
US4352057A (en) Constant current source
JP2849086B2 (en) Integrated bias circuit
JP2581492B2 (en) Input buffer circuit
JPS62196714A (en) Constant-current supplying circuit
JPH0571970B2 (en)
JPS6398159A (en) Thermal current source and voltage regulator employing the same
JP3272749B2 (en) A current source whose output current has a predetermined ratio to input current
JPH0821832B2 (en) Reactance circuit using gyrator circuit
JP2729071B2 (en) Constant current circuit
JP3406468B2 (en) Constant voltage generator
JPH06101671B2 (en) Voltage comparison circuit
JP2507081B2 (en) Optical integrated circuit
JPH0477329B2 (en)
JP2604043Y2 (en) Reference voltage source circuit
JP3407833B2 (en) Voltage limit circuit
JP2910003B2 (en) Low voltage operation temperature stability characteristic current source circuit
JP3161929B2 (en) Voltage conversion circuit
JPH0133842B2 (en)
JPH0664504B2 (en) Level shift circuit

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees