JP2843572B2 - Equipment for testing circuits such as printed circuits - Google Patents

Equipment for testing circuits such as printed circuits

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JP2843572B2
JP2843572B2 JP63192597A JP19259788A JP2843572B2 JP 2843572 B2 JP2843572 B2 JP 2843572B2 JP 63192597 A JP63192597 A JP 63192597A JP 19259788 A JP19259788 A JP 19259788A JP 2843572 B2 JP2843572 B2 JP 2843572B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は回路試験装置に関し、より詳細には、プリン
ト回路基板のような集成回路の試験装置に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit test apparatus, and more particularly, to a test apparatus for an integrated circuit such as a printed circuit board.

〔従来技術および発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the prior art and the invention]

自動的に試験を行うように構成され、回路接続点と接
触し、これらの接続点に励起信号を入力し、被試験回路
により発生されるレスポンス信号を監視する装置は知ら
れている。かかる装置は当業界ではしばしば「自動試験
装置」(ATEと略す)と呼ばれている。
2. Description of the Related Art Devices are known which are configured to perform tests automatically, make contact with circuit connection points, input excitation signals to these connection points, and monitor response signals generated by a circuit under test. Such devices are often referred to in the art as "automated test equipment" (abbreviated ATE).

ATEは2つの種類、すなわち機能試験装置およびデバ
イス試験装置に分類される。機能試験装置では、入力を
加え、例えば、基板装着回路用縁部コネクタのような回
路の通常の入力および出力接続点でのみ出力を受ける。
入力信号を加え、出力信号を監視して回路組立体の機能
性を評価する。
ATE is divided into two types: functional test equipment and device test equipment. In a functional test device, inputs are applied and outputs are received only at the normal input and output connection points of a circuit, such as, for example, a board mounted circuit edge connector.
The input signal is applied and the output signal is monitored to evaluate the functionality of the circuit assembly.

機能試験装置は、特に複雑な回路を含む場合、回路を
十分に働かせるのに多数の入力/出力の組合せ(当業界
では試験パターンと称する)を必要とする問題がある。
更らに、かかる装置の或る状態を外部から接近可能な接
続点単独では制御することをできないので、或る回路構
成要素、特にディジタルメモリーおよびカウンタを試験
することが不可能であるという問題もある。例えば、カ
ウンタの復帰入力部に対する外部接続部がない。同様
に、或る装置の或る出力部の状態は外部からは識別する
ことができない。これらの理由で、或る回路組立体は機
能試験装置では部分的にしか試験することができない。
Functional test equipment has the problem that it requires a large number of input / output combinations (referred to in the art as test patterns) to make the circuit work well, especially when it involves complex circuits.
Furthermore, it is not possible to test certain circuit components, in particular digital memories and counters, since certain states of such devices cannot be controlled by externally accessible connection points alone. is there. For example, there is no external connection to the return input of the counter. Similarly, the state of an output of a device cannot be identified externally. For these reasons, some circuit assemblies can only be partially tested with functional test equipment.

他方、デバイス試験装置は、内部回路接続点、すなわ
ち、外部入力部および出力部接続点以外の接続点に接触
するように設置されるので、基板装着回路の各構成要素
を個々に試験することができるという利点がある。しか
し、この利点を得るには、回路内の接続点に接触するよ
うに個々に位置決めされる複数のばね押しプローブより
なるハードウェアの特別の部片(当業界では「ネイルの
ベッド」固定治具と称する)の費用がかかる。この手段
によれば、構成要素の入力部及び出力部を駆動し、測定
して各構成要素の機能を立証することができる。
On the other hand, the device test apparatus is installed so as to be in contact with an internal circuit connection point, that is, a connection point other than the external input unit and the output unit connection point. There is an advantage that you can. However, to take advantage of this advantage, a special piece of hardware consisting of a plurality of spring-loaded probes individually positioned to contact connection points in the circuit (in the art, a "nail bed" fixture) Cost). According to this means, the function of each component can be verified by driving and measuring the input and output of the component.

回路組込み型(デバイス)試験装置の欠点としては、
主として、各被試験回路、例えば、各基板に適した固定
治具、および基板を適所にかつ固定治具と接触状態に保
持するための手段を設けるのにハードウェアを必要とす
る。デバイスの出力部をネイルを介して駆動して、その
入力部での信号から理論的に生じる状態以外の状態に
し、上記出力部に接続される入力部を有する他のデバイ
スを試験するときに回路デバイスに損傷をもたらす可能
性があるという他のあまり明らかでない欠点もある。こ
のような状況を当業界で称しているかかるバックドライ
ビングにより、例えば、過度の加熱を起こすことによっ
てバッグドリブンデバイスを損傷させてしまう。
Disadvantages of the circuit-embedded (device) test equipment include:
Mainly, hardware is required to provide a circuit to be tested, for example, a fixture suitable for each substrate, and a means for holding the substrate in place and in contact with the fixture. A circuit for driving an output of a device through a nail to a state other than the state theoretically generated from a signal at the input thereof and testing another device having an input connected to the output. There are other less obvious disadvantages that can cause damage to the device. Such backdriving, which is referred to in the art as such, can damage a bag driven device, for example, by causing excessive heating.

更らに、回路の小型化すると、被試験回路の内部接続
部へ接近し難たくなる。最後に、回路組込み型試験装置
は元来、回路の全機能性、特に種々の構成要素により生
じる信号の夫々のタイミングに干渉する機能性を監視す
るのにあまり適していない。これらの理由で、或る数の
条件が組込み型試験装置の使用に接続する。
Further, when the size of the circuit is reduced, it becomes difficult to access the internal connection of the circuit under test. Finally, built-in test equipment is inherently less well-suited for monitoring the full functionality of the circuit, especially the functionality that interferes with the respective timing of the signals generated by the various components. For these reasons, certain conditions lead to the use of built-in test equipment.

それにもかかわらず、ATEが構成要素個々の機能性の
有効性を示す情報、および各構成要素の機能性だけはで
なく、構成要素間の相互作用によっても決まる回路の全
機能性の有効性を示す情報を同時に生じることが望まし
い。
Nevertheless, the ATE provides information indicating the validity of the functionality of the individual components, and the validity of the full functionality of the circuit, not only by the functionality of each component, but also by the interactions between the components. It is desirable that the information shown be generated simultaneously.

回路組込み型試験装置は上記後者の面より上記前者の
面を優先し、機能試験装置は本質的にその反対であり、
また機能試験装置が故障の可能性のある原因を取り出す
ように機能するいわゆる診断段階は扱いにくい操作であ
る。実際、外部入力部を作動し、外部出力部を監視する
だけでは、故障の位置を定めることは一般に不可能であ
る。というのは、可能性のある故障ごとに対応する独特
の試験パターンがないからである。この問題は或る機能
試験装置では、機能試験に不合格であった基板の診断時
に使用するための手動プローブを設けることによって或
る程度まで解消される。
The circuit-embedded test equipment gives priority to the former aspect over the latter aspect, and the functional test equipment is essentially the opposite,
The so-called diagnostic stage, in which the functional tester functions to pick up a possible cause of the failure, is a cumbersome operation. In fact, it is generally not possible to locate a fault simply by activating the external input and monitoring the external output. This is because there is no unique test pattern for each possible failure. This problem has been overcome to some extent in some functional test devices by providing a manual probe for use in diagnosing a board that failed the functional test.

このような段階中、操作者は、内部接続点を組込み型
試験装置で監視する方法といくらか類似する方法で内部
接続点を監視し得るようにプローブを回路の種々の接続
点に設置する。しかしながら、このような手順はおそ
く、熟練操作者を必要とする。
During such a stage, the operator installs probes at various connection points of the circuit so that the connection points can be monitored in a manner somewhat similar to that of the built-in test equipment. However, such a procedure is slow and requires a skilled operator.

従って、本発明の目的は、分離支持体に設置されかつ
支持体の少なくとも一方の表面上を延びる導体網によっ
て相互に接続された複数の構成要素を備える回路、例え
ば、プリント回路基板の機能試験を行なえるだけではな
く、或る機能連結問題も、組込み型試験装置で生じる損
傷問題も生じることなく、立証された機能故障の原因を
診断することもできる装置を提供することである。
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a functional test of a circuit, e.g., a printed circuit board, comprising a plurality of components mounted on a separate support and interconnected by a conductive network extending over at least one surface of the support. It is an object of the present invention to provide an apparatus that can not only do so, but also diagnose the proven cause of a functional failure without causing certain functional connection problems or damage problems arising in embedded test equipment.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明の一面によれば、本発明の装置は、組立回路の
寸法と実質的に同じ寸法を有し、導体支持表面に電気的
に近接して設置される電気光学媒体の層を備えている。
According to one aspect of the invention, the device of the invention comprises a layer of an electro-optic medium having dimensions substantially the same as the dimensions of the assembled circuit and being placed in electrical proximity to the conductor support surface. .

従来技術から、例えば米国特許第4618819号から、信
号を送る導体と物理的接触せずに電気信号を遠隔監視す
るための電気光学材料を使用することは公知である。そ
の米国特許に述べられている装置はまだカプセル化され
ていない集積回路の表面に物理的に近接して設置される
電気光学結晶を使用している。偏光ビームは測定すべき
電気信号を送る媒体の近くで結晶の領域に差し向けられ
て反射される。周知の法則によれば、反射光の特性は導
体のまわりの電界によって影響され、この電界およびこ
れを生じる信号は適切な検出によって検出される。かく
して、導体における電気信号の像を得ることができる。
It is known from the prior art, for example from U.S. Pat. No. 4,618,819, to use electro-optical materials for remote monitoring of electrical signals without physical contact with the signal-carrying conductor. The device described in that patent uses an electro-optic crystal that is placed in physical proximity to the surface of an unencapsulated integrated circuit. The polarized beam is directed and reflected at a region of the crystal near the medium carrying the electrical signal to be measured. According to well-known rules, the properties of the reflected light are affected by the electric field around the conductor, and this electric field and the resulting signal are detected by suitable detection. Thus, an image of the electrical signal on the conductor can be obtained.

本発明はこの従来装置の或る特徴を採用しているが、
本発明は多数の点によって、特に、公知の装置が集積回
路内を循環する信号の測定専用のものであって、プリン
ト回路基板のような組立回路の構成要素間を流れる信号
の測定用ではないという理由により区別される。かくし
て、この装置は、集積回路の寸法と比較して大きな寸法
および集積回路には全く存在しない可成りの高さの変化
を有する回路に電気光学方法を実施する技術的可能性を
明らかにしていないだけではなく、何よりも、全機能性
を表わさない分析情報を収集するだけである公知の装置
は組立回路の試験によって生じる問題に関係しておら
ず、また機能試験および組込み型試験の要件を満たすよ
うに電気光学方法を適用することを教示していない。
Although the present invention employs certain features of this conventional device,
The invention is, in many respects, in particular, in that known devices are dedicated to measuring signals circulating in an integrated circuit and not to measuring signals flowing between components of an assembled circuit, such as a printed circuit board. Is distinguished by the reason. Thus, this device does not demonstrate the technical feasibility of implementing the electro-optical method on circuits having large dimensions compared to the dimensions of the integrated circuit and significant height variations not present at all in the integrated circuit. Not only that, but above all, known devices that only collect analytical information that does not represent full functionality are not involved in the problems caused by the testing of assembled circuits and meet the requirements of functional and built-in tests Does not teach to apply the electro-optic method.

本発明の一実施例では、電気光学材料は電気光学特性
を有するポリマーフィルムで構成するのがよい。このフ
ィルムは構成要素の装着および組付け前に導体支持表面
に直接貼ることができる。また、このフィルムは構成要
素の組立て後に導体支持表面に対して平らに位置するよ
うに使用してもよい。この場合、フィルムはこれらの構
成要素またはハンダパッドを受入れる開口部を有する。
また、フィルムは、試験を行うために被試験基板の導体
の表面に電気的に近接して設置されて試験用光学プロー
ブに組入れることができる。このようなフィルムは、例
えば、変換器の形態で製造することができ、この変換器
は、被試験回路の寸法および形状に関連して寸法決めさ
れかつ構成され、一方の面で、導体に電気的に近接して
設置されるようになっているかかる電気光学フィルムの
要素と、フィルムの層を通った後に達する光を反射させ
る少なくとも1つの要素と、他方の面で、照合電極とし
て機能する導電性の透明または半透明の層とを有してい
る。
In one embodiment of the present invention, the electro-optical material may be composed of a polymer film having electro-optical properties. This film can be applied directly to the conductor support surface before mounting and assembling the components. The film may also be used to lie flat against the conductor support surface after component assembly. In this case, the film has openings for receiving these components or solder pads.
Also, the film can be installed in electrical proximity to the surface of the conductor of the substrate under test for testing and incorporated into the optical probe for testing. Such a film can be manufactured, for example, in the form of a transducer, which is dimensioned and configured in relation to the size and shape of the circuit under test, and which, on one side, is electrically connected to a conductor. Elements of such an electro-optic film adapted to be placed in close proximity to each other, at least one element for reflecting light reaching after passing through the layers of the film, and, on the other side, a conductive element serving as a reference electrode Transparent or translucent layer.

ATEを構成するようにした本発明による装置は電気光
学層のほかに、電気光学媒体の任意の領域に光を差し向
け、そして媒体に生じる電気光学作用を検出し得るよう
に光を受けるための手段と、レスポンス信号を少なくと
も1つの回路接続点に生じるように試験電気信号パター
ンを1つまたはいくつかの外部接続点に加えるための手
段とを有しており、光はアナログを生じるように接続点
を構成する導体に電気的に近接している電気光学媒体の
領域に差し向けでき、またこのアナログを良好であると
わかった回路の実現レスポンスと比較し、この比較を表
わす出力信号を発生させるための手段を有している。
The device according to the invention adapted to constitute an ATE, in addition to the electro-optical layer, directs light to any area of the electro-optical medium and receives the light so as to be able to detect the electro-optical effect occurring on the medium. And means for applying a test electrical signal pattern to one or several external connection points so as to produce a response signal at at least one circuit connection point, wherein the light is connected to produce an analog. The analog can be directed to an area of the electro-optic medium that is in electrical proximity to the conductor making up the point, and this analog can be compared to the realized response of a circuit that has been found to be good, and an output signal representing this comparison generated. Means.

前記装置の実施例によれば、光を差し向ける手段は電
気光学媒体層に当る光ビームを反射させる音響光学手段
を有している。
According to an embodiment of the device, the means for directing light comprises acousto-optical means for reflecting a light beam impinging on the electro-optical medium layer.

前記原理により実現される光学プローブでは、被試験
回路に少なくとも等しい寸法を有する電界レンズを設け
るのがよい。有利には、このレンズは平凸レンズであ
り、その平らな面は被試験回路に近接している。一実施
例によれば、電気光学層はレンズの平らな面に付着され
る。
In an optical probe realized according to the above principle, it is preferable to provide an electric field lens having dimensions at least equal to the circuit under test. Advantageously, the lens is a plano-convex lens, the flat surface of which is close to the circuit under test. According to one embodiment, the electro-optic layer is applied to a flat surface of the lens.

或る用途につては、電気光学層は、その平面と直角で
ある電界の成分がこの層の平面と直角に入射する偏光さ
れた光によって検出できるような構造が選択される。電
気光学ポリマーフィルムの場合、フィルムの電気光学特
性は、フィルムをその分子が移動度を得る温度を十分に
越える温度まで上昇させることによって、またフィルム
を所定の配向の電界にさらすことによって定めることが
できる。フィルムを冷却すると、電界を維持していれ
ば、分子は不動になってそれらの好ましい配向を保つ。
本発明によれば、この配向は、例えばフィルムの平面と
直角であるか、あるいはフィルムの平面内にあるように
選択し得る。また、層に対して傾斜して、例えば、45゜
で入射する偏光された光の場合に作動することが可能で
ある。
For some applications, the electro-optic layer is selected so that the component of the electric field perpendicular to its plane can be detected by polarized light incident perpendicular to the plane of the layer. In the case of electro-optic polymer films, the electro-optic properties of the film can be determined by raising the film to a temperature well above the temperature at which its molecules gain mobility and by exposing the film to an electric field of a predetermined orientation. it can. Upon cooling of the film, if the electric field is maintained, the molecules become immobile and maintain their preferred orientation.
According to the invention, this orientation can be chosen, for example, to be perpendicular to the plane of the film or to lie in the plane of the film. It is also possible to operate in the case of polarized light incident on the layer, for example at 45 °.

電気光学材料における被試験回路の局部電圧によって
生じる電気光学作用を分析する手段は上で説明したばか
りの偏光方法によって、あるいは干渉測方法によって作
動条件の関数として分析することができる。
The means for analyzing the electro-optical effect caused by the local voltage of the circuit under test in the electro-optical material can be analyzed by the polarization method just described or by interferometric methods as a function of the operating conditions.

分析手段が偏光式のものである場合、電気光学媒体層
を達する光の進路に、初期の入射光の偏光方向の電界の
成分を高めることが有利である。さらに、電気光学層か
らの出力光を2つの軸線に沿って分析する偏光分析器の
場合、上記分析手段の出力信号の関数として制御できる
電気光学層からの出力光の移相を行う手段を設けるのが
有利である。
If the analyzing means is of the polarization type, it is advantageous to increase the component of the electric field in the polarization direction of the initially incident light in the path of the light reaching the electro-optic medium layer. Furthermore, in the case of a polarization analyzer for analyzing the output light from the electro-optic layer along two axes, means are provided for phase shifting the output light from the electro-optic layer which can be controlled as a function of the output signal of the analysis means. Is advantageous.

本発明によるATEは好ましくは、外部入力部および出
力部のみを励起して監視する試験段階、更らにこの試験
段階で不合格の場合、更らに接続点、すなわち特定の内
部接続点を検査する診断段階で作動する機能試験装置と
して働く。
The ATE according to the invention is preferably tested in a test phase in which only the external inputs and outputs are excited and monitored, and furthermore, if this test phase fails, further connection points, i.e. specific internal connection points It functions as a functional test device that operates at the diagnostic stage.

有利には、接続点を順次検査し、各試験中、多くの試
験パターンを入力する。好ましくは、検査されている接
続点に作用するすべての可能な試験パターンを連続的に
入力する。
Advantageously, the connection points are checked sequentially and during each test many test patterns are entered. Preferably, all possible test patterns acting on the connection point being tested are entered continuously.

かくして、本発明による装置は従来技術が提案しなか
った方法の診断技術の可成りの実施例および改良を可能
にする。実際、既存の手動診断プローブでは、或る診断
箇所(めったに10を越えない)のみでnon−amoigous ra
nit特徴を得て操作者が診断を行うのに必要な介在時間
および介在度を考慮するのに回路入力部で複雑な試験工
程を使用することが必要である。各診断箇所についての
かかる多くのベクトル試験工程を特定するのは複雑であ
り、コスト高である。対照的に、本発明による装置は診
断中、多数の箇所を非常にすばやく調べることができ、
その結果、各箇所に簡単な試験工程を使用することがで
き、多くの箇所で測定可能であることにより不明確性を
容易に解決することができる。
Thus, the device according to the invention allows a considerable embodiment and improvement of the diagnostic technique in a way not proposed by the prior art. In fact, with existing manual diagnostic probes, only non-amoigous ra.
It is necessary to use a complex test process at the circuit input to take into account the intervening time and the degree of intervention required to obtain a nit feature and allow the operator to make a diagnosis. Identifying many such vector test steps for each diagnostic location is complex and costly. In contrast, the device according to the invention makes it possible to examine a number of points very quickly during a diagnosis,
As a result, a simple test process can be used at each location, and measurement can be performed at many locations, so that the ambiguity can be easily resolved.

本発明の好適な実施例によれば、電気光学媒体が導体
支持表面に直接付着されたポリマーフィルムで構成され
ていない場合、この媒体をインターフェース部材を介し
て電気的に近接させて設置する。このインターフェース
部材は両者の相対空間配置を保ちながら上記導体支持表
面に現われる電位を電気光学部材に継電するようになっ
ている。このインターフェース部材は互いに分離された
複数の本質的に平行な導電性支柱を備えるのがよく、こ
の組立体はインターフェースの寸法に実質的に等しい寸
法の可撓性シートの形態をとる。そのうえ、このシート
は組立回路が平らでないなら、この組立回路の形状と合
うように異形表面を有するのがよい。
According to a preferred embodiment of the present invention, if the electro-optic medium does not consist of a polymer film adhered directly to the conductor support surface, the medium is placed in electrical proximity via an interface member. The interface member relays the potential appearing on the conductor supporting surface to the electro-optical member while maintaining the relative spatial arrangement of the two. The interface member may include a plurality of substantially parallel conductive posts separated from each other, and the assembly takes the form of a flexible sheet having dimensions substantially equal to the dimensions of the interface. Moreover, the sheet may have a contoured surface to match the shape of the assembly circuit if the assembly circuit is not flat.

本発明の他の面によれば、光を電気光学媒体またはそ
の一部に向けて一般方向に差し向けるのがよい。電気光
学媒体は光の進路に沿って個々に電気的にバイアスされ
る複数の部位(サイト)を有している。使用中、1つの
部位は、出力部で検出された光が媒体の1つの領域を表
わすようにかかるバイアスによって機能するように形成
されるのがよい。
According to another aspect of the invention, light may be directed in a general direction toward an electro-optic medium or a portion thereof. The electro-optic medium has a plurality of sites that are individually electrically biased along the path of light. In use, one site may be formed to function with a bias such that light detected at the output represents one region of the medium.

本発明は均等かつ個々に、上記の本発明による原理を
実行するためのプリント回路基板、光プローブおよび変
換器に関する。
The invention relates equally and individually to printed circuit boards, optical probes and transducers for implementing the principles according to the invention described above.

〔実施例〕〔Example〕

添付図面を参照して本発明の特定の実施例を例として
のみ以下に説明する。
Specific embodiments of the present invention will now be described by way of example only with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、自動試験装置(第1図)は試験すべ
きプリント回路のような組立回路の寸法と実質的に等し
い寸法の電気光学媒体の層10を有しており、この組立体
は電気光学媒体が電気回路を支持している基板11の表面
12に電気的に近接するうように組合されており、電気回
路は15のような構成要素を備えている。表面12は16、17
のような導体を支持しており、これらの導体は構成要素
を相互に接続し、回路の接続点を構成する。媒体10はイ
ンターフェース要素18を介して表面12に電気的に近接し
て設置するのがよく、インターフェース要素18はその下
面19に現われる電位をその上面100(第1図の構成にお
いて)に伝えるように機能する。
In accordance with the present invention, an automatic test apparatus (FIG. 1) includes a layer 10 of electro-optic media having dimensions substantially equal to the dimensions of an assembled circuit, such as a printed circuit to be tested, wherein the assembly comprises The surface of the substrate 11 on which the electro-optical medium supports the electric circuit
Combined in electrical proximity to 12, the electrical circuit comprises components such as 15. Surface 12 is 16, 17
These conductors interconnect components and form connection points in the circuit. The medium 10 may be placed in electrical proximity to the surface 12 via an interface element 18, which transfers the potential appearing on its lower surface 19 to its upper surface 100 (in the configuration of FIG. 1). Function.

使用中、下面19はプリント回路基板と接触しており、
上面100は媒体10と接触している。
During use, the lower surface 19 is in contact with the printed circuit board,
The upper surface 100 is in contact with the medium 10.

源101からの光は基板表面12の任意の領域に向けら
れ、その領域から位置決め手段102を介して受光され、
この受光された光は半透明板のようなビーム分割器104
によって検出器103に差し向けられる。
Light from the source 101 is directed to any area of the substrate surface 12, from which the light is received via the positioning means 102,
The received light is converted into a beam splitter 104 such as a translucent plate.
To the detector 103.

検出器103は媒体10の光入射領域の近傍に電界の変化
によって誘発される媒体の光学特性の変化に敏感であっ
て、この電界のアナログを生じ、この検出器の出力部10
5では電気信号の形態をとり、従ってこの信号は光の入
射領域でインターフェース部材18によって電位が電気光
学媒体に伝えられた導体に存在するいずれの電気信号を
も表わしている。
The detector 103 is sensitive to changes in the optical properties of the medium induced by changes in the electric field in the vicinity of the light incident area of the medium 10 and produces an analog of this electric field.
5 takes the form of an electrical signal, which signal thus represents any electrical signal present on the conductor whose potential has been transmitted to the electro-optical medium by the interface member 18 in the area of light incidence.

基板11は106、107のような長さ方向のコネクタを有し
ており、これらのコネクタは基板にプリントされて回路
の外部接続点を構成し、これらの接続点とともに、従来
の機能試験装置で使用が十分に確立されている標準型の
適切な雌コネクタにより物理的連結部を設定することが
可能である。概略的に図示してある支持体すなわち固定
治具93によって、試験中、基板の操作および/または支
持を行うことができる。
The board 11 has longitudinal connectors such as 106 and 107, and these connectors are printed on the board to form external connection points of the circuit, and together with these connection points, a conventional functional test apparatus is used. It is possible to set up the physical connection with a suitable standard female connector that is well established for use. A schematically illustrated support or fixture 93 allows manipulation and / or support of the substrate during testing.

今電気光学的に検査されている接続点にレスポンスを
生じて出力部105にこのレスポンスのアナログを発生す
るのに十分な試験パターンを供給してこれらの外部接続
部を介して回路を作動することができる。
Actuate the circuit through these external connections by providing a response at the connection point that is now being electro-optically tested and providing the output 105 with a test pattern sufficient to generate an analog of this response. Can be.

試験すべき回路の分析に基づいて、ATE技術で行って
いるように、適用される試験パターンについて予期され
る出力を前もって予想し、この予想108を比較器109にお
ける得られた出力105との比較用の基準として使用す
る。比較の結果、生じたレスポンスと予想レスポンスと
が異なっていれば、比較器109はその出力部110に試験不
合格を表示する。
Based on an analysis of the circuit to be tested, we anticipate the expected output for the applied test pattern, as is done with ATE technology, and compare this expectation 108 with the resulting output 105 in comparator 109. Use as a reference for As a result of the comparison, if the generated response is different from the expected response, the comparator 109 displays a test failure on the output unit 110 thereof.

第1図は回路支持基板の断面図である。説明を明確に
するために、この基板とその導体(以後トラックと呼
ぶ)および電気構成要素との平面図を示し、第1図は第
2図の線II〜II′に沿った断面図に相当する。代表的に
は、回路基板は300m×200mmまたはそれ以上であり、電
気光学媒体10および継電部材18は実質的に上記と同じ寸
法を有している。基板に設けられる15のような電子装置
はデュアルインライン実装の最も一般的な構成要素であ
り、これらの構成要素を相互に接続するトラック回路網
の一部を第2図に示してあり、これらの構成要素を基板
11の下面に挿入した程度(第1の構成において)で、直
接には見えない構成要素15は、表面12で支持されたトラ
ックにハンダ付けすべき基板にまたがって第2図に直接
示されているその接続ピンを除いて第2図に仮想で示さ
れている。
FIG. 1 is a sectional view of a circuit supporting substrate. For clarity, a plan view of the substrate and its conductors (hereinafter referred to as tracks) and electrical components is shown, with FIG. 1 corresponding to a cross-sectional view along line II-II 'in FIG. I do. Typically, the circuit board is 300 m × 200 mm or more, and the electro-optic medium 10 and the relay member 18 have substantially the same dimensions as above. Electronic devices such as 15 on the substrate are the most common components of a dual in-line package, and a portion of the track network interconnecting these components is shown in FIG. Component to board
Components 15 that are not directly visible (in the first configuration) inserted into the underside of 11 are shown directly in FIG. 2 across the substrate to be soldered to the tracks supported by surface 12. Except for the connection pins that are present, they are shown virtually in FIG.

構成要素のピンの端部とトラックとの間のはんだパッ
ドは表面を支持する基板導体の表面における不連続部を
構成する。完成基板では、この表面は保護ラッカーで完
全に覆われており、このラッカーは基板導体と外部試験
プローブとの間にある数ミクロメータ厚の中間層を形成
する。さらに、これらの導体はしばしば実際には、製造
中および貯蔵中、形成する酸化物で覆われている。この
酸化物自身は工業用テスタを実現する際に存在を考慮し
なければならない物質である。
The solder pads between the ends of the component pins and the tracks constitute discontinuities in the surface of the substrate conductor that supports the surface. On the finished substrate, this surface is completely covered by a protective lacquer, which forms a few micrometer thick intermediate layer between the substrate conductor and the external test probe. Moreover, these conductors are often actually covered with oxides that form during manufacture and storage. The oxide itself is a substance that must be considered when realizing an industrial tester.

最後に、しばしば、近代的なプリント回路基板もまた
導電性トラック回路網を支持する表面に構成要素を支持
している。現今の基板は両面にトラックおよび構成要素
を支持している。
Finally, often modern printed circuit boards also support components on surfaces that support conductive track networks. Modern substrates support tracks and components on both sides.

使用中、インターフェース部材18は第2図に部分的に
示すように導体を支持する表面12と接触状態に置かれて
いる。このインターフェース部材18は支柱111のような
複数の支柱を有しており、これらの支柱は各導体の電位
が導体支柱のうちの少なくとも1つを介して電気光学媒
体10(部分的に図示)に継電されるようにマトリックス
状態に配列されている。インターフェース部材18の性質
および作動は後で説明する。
In use, the interface member 18 is placed in contact with the conductor supporting surface 12 as shown partially in FIG. The interface member 18 has a plurality of struts, such as struts 111, which provide a potential for each conductor to the electro-optic medium 10 (partially shown) via at least one of the conductor struts. They are arranged in a matrix so as to be relayed. The nature and operation of the interface member 18 will be described later.

支柱の各々は回路の別々に観察できる領域に対応し、
光を各支柱に向け、そして各支柱からの反射によって受
光される。この光はレーザからの偏光化光ビームよりな
り、受光された反射光の分析は、例えば、受光された光
を2つの検出可能なビームに分離するウオラストン(Wo
llaton)プリズムを有する偏光測定組立体によって偏光
平面の回転を検出することよりなる。実際、検出器は2
つのビーム間の強さの差を測定し、源の強さの変化を補
償し得るように2つの検出器よりなる。
Each of the struts corresponds to a separately observable area of the circuit,
Light is directed to each column and received by reflection from each column. This light consists of a polarized light beam from a laser, and analysis of the received reflected light can be performed, for example, by using Wollaston (Wo) to separate the received light into two detectable beams.
(laton) detecting the rotation of the plane of polarization by means of a polarimetry assembly with a prism. In fact, the detector is 2
It consists of two detectors to measure the difference in intensity between the two beams and to compensate for variations in source intensity.

電気光学媒体は結晶で構成するのがよい。変更例で
は、電気光学材料は電気光学特性を付与されたポリマー
フィルムで構成してもよい。このフィルムは第1図のAT
Eにおいて電気光学結晶層の代わりに使用してもよい。
また、このフィルムはインターフェース部材または厚さ
の薄いこのような部材のみに頼ることなしに試験すべき
基板の構成要素間に基板の導体と直接接触状態で嵌合す
るように予備成形するのがよい。変更例として、構成要
素を取付ける前に、導体と接触している面がもともと、
あるいは金属微粒子のシルクスクリーン印刷付着により
光反射度を有する導体支持表面に直接設置してもよく、
例えば、フィルムをプリント回路基板とその製造時に一
体化してもよい。このような構造では、インターフェー
ス部材はなくて済み、電子基板を、それらの製造によ
り、本発明の利点すべてから有利である試験にかけるこ
とができる。
The electro-optic medium is preferably composed of a crystal. In a variant, the electro-optical material may comprise a polymer film provided with electro-optical properties. This film is the AT of Fig. 1.
E may be used instead of the electro-optic crystal layer.
Also, the film may be preformed to mate in direct contact with the conductors of the substrate between the components of the substrate to be tested without relying only on interface members or such thin members. . As a modification, before mounting the component, the surface in contact with the conductor was originally
Alternatively, it may be installed directly on a conductor supporting surface having light reflectivity by attaching silk screen printing of metal fine particles,
For example, the film may be integrated with the printed circuit board during its manufacture. In such a configuration, no interface members are required, and the electronic boards can be subjected to tests that, by their manufacture, would benefit from all the advantages of the present invention.

電気光学作動により信号を検出する機構をより詳細に
(第3図)、特にインターフェース部材を使用する本発
明の実施例と関連して説明する。但し、上記の本質的な
特性はポリマーフィルムを使用する場合に同じである。
The mechanism for detecting signals by electro-optical actuation will be described in more detail (FIG. 3), in particular in connection with an embodiment of the invention using an interface member. However, the above essential characteristics are the same when a polymer film is used.

レーザ(例えば、波長633mmのHeNeレーザ)からの出
力光は偏向器31により線状に偏向され、そしてレンズ32
によって音響光学偏向器33上に集中されてレンズ34を介
して電気光学結晶37の反射表面36の検査箇所に差し向け
られるようにする。一般に、中間強さ、代表的には5〜
100mwの連続レーザを使用する。
Output light from a laser (eg, a 633 mm wavelength HeNe laser) is linearly deflected by a deflector 31 and
Is focused on the acousto-optic deflector 33 and directed via the lens 34 to the inspection location on the reflective surface 36 of the electro-optic crystal 37. Generally, intermediate strength, typically 5
A 100 mw continuous laser is used.

公知である音響光学偏向器33は検査を望む電気光学媒
体の任意の箇所に入射光を偏向させるようにATEの制御
装置(図示せず)により連続的に出力される電圧信号に
よって制御される。
The known acousto-optical deflector 33 is controlled by a voltage signal continuously output by a control unit (not shown) of the ATE so as to deflect incident light to an arbitrary portion of the electro-optical medium desired to be inspected.

好適な実施例では、2つの音響光学偏向器を直接に設
置するのがよい。そうすれば、第1制御信号電圧は例え
ば試験すべき基板の寸法のうちの1つに相当する第1方
向に沿ってビーム偏向を制御し、他の電圧信号は好まし
くは第1方向と直角であり、例えば、他の基板寸法に相
当する第2寸法に沿って偏向を制御する。
In a preferred embodiment, two acousto-optic deflectors may be installed directly. Then, the first control signal voltage controls the beam deflection along a first direction, e.g., corresponding to one of the dimensions of the substrate to be tested, and the other voltage signals are preferably perpendicular to the first direction. Yes, for example, controlling deflection along a second dimension corresponding to another substrate dimension.

2つの偏向器をこのように使用すると、1つの監視箇
所から他の監視箇所まで移動させるのにかかる時間を多
くとも数ミクロセカンド程度の時間まで短縮することが
できる。
When two deflectors are used in this way, the time required to move from one monitoring location to another monitoring location can be reduced to at most a few microseconds.

反対表面36は、少なくとも、この表面に或る1つの箇
所に印加される電位が他に伝播しないという意味で分離
している。かくして、この表面の反射性が金属蒸着によ
り、もともと導体により得られれば、この表面は一様な
層で構成されていないが、別々に付着され、相互に連結
されていないが、インターフェース部材300を介して
(ポリマーフィルムの場合には直接)基板39の試験箇所
38のような被試験箇所の領域に連結されている反射性粒
子のマトリックスで構成されている。可能な一実施例に
よれば、反射性表面36は本質的分離材、例えば、酸化チ
タンTiO2および酸化ケイ素SiO2の層の交互構造のような
誘電材料の薄層で形成することができる。
Opposite surface 36 is separated, at least in the sense that a potential applied to one point on this surface does not propagate to another. Thus, if the reflectivity of this surface is originally obtained by metal deposition, by means of a conductor, this surface is not composed of a uniform layer, but is separately deposited and not interconnected, but the interface member 300 Via (or directly in the case of a polymer film) the test location of the substrate 39
It consists of a matrix of reflective particles connected to the area under test, such as 38. According to one possible embodiment, the reflective surface 36 can be formed of an essentially separating material, for example a thin layer of a dielectric material such as an alternating structure of layers of titanium oxide TiO 2 and silicon oxide SiO 2 .

例えば金またはアルミニウムの蒸着により構成される
透明な電極が電気光学結晶37の入射光の当る第1面に層
として付着されており、この電極は基準としての地電位
に保たれ、かくして、検査中の試験箇所の電位がこの基
準と異なれば、反射光の偏光は電界が電気光学結晶37の
厚さにわたって印加されるため、入射光の偏光と異な
り、この差が検出される。
A transparent electrode, for example made of gold or aluminum, is deposited as a layer on the first surface of the electro-optic crystal 37 where the incident light strikes, this electrode being kept at ground potential as a reference and thus being inspected. If the electric potential at the test point is different from this reference, the polarization of the reflected light is different from the polarization of the incident light because the electric field is applied over the thickness of the electro-optic crystal 37, and this difference is detected.

結晶軸100が四分の一波長プレート302と直角に光学的
に配向されている酸化ビスマスゲルマニウムBi4Ge3O12
のような立体結晶構造の場合、持続電気光学作用による
光の移相は監視箇所の結晶37の面間の電位差に比例し、
結晶における電界の分布に無関係である。
Bismuth germanium oxide Bi 4 Ge 3 O 12 with crystal axis 100 optically oriented perpendicular to quarter-wave plate 302
In the case of such a three-dimensional crystal structure, the phase shift of light due to the continuous electro-optic action is proportional to the potential difference between the surfaces of the crystal 37 at the monitoring location,
It is independent of the distribution of the electric field in the crystal.

反射光は分割器303を介して四分の一波長プレート302
に向けて反射され、プレート302の下流では、光はレン
ズ304によってウオラストン分析器305に差し向けられ、
この分析器のステムから2つのビームが夫々の光学電気
検出器308、309に達し、これらの検出器はそれらの出力
部306、307で夫々の電気信号I1、I2を発生する。
The reflected light is passed through a splitter 303 to a quarter-wave plate 302.
And downstream of the plate 302, the light is directed by a lens 304 to a Wollaston analyzer 305,
Two beams from the stem of the analyzer reaches the optoelectronic detector 308, 309 each, these detectors generate electrical signals in respective I 1, I 2 at their output portion 306 and 307.

この種の偏光検出によれば、次の関係が得られる。 According to this type of polarization detection, the following relationship is obtained.

I1=I.(1+m)および I2=I.(1−m) (上記式中、Iはレーザ30の光度に比例する大きさであ
り、mはラジアンで表わされ、絶対的にわずかな検出遅
相である。) 出力部306、307の信号を入力する作動増幅器310はそ
の出力部311で信号I1−I2(従って、2Imに等しい)に出
力する。試験中、レーザ30の全光度変化はmの変化の周
波数より非常に低い周波数に相当する場合、この値mは
増幅器310の出力部311で有効な電気信号を適切に濾波す
ることによって直接得ることができる。変更例として、
信号I1+I2を使用して源の光度を調整してもよい。
I 1 = I. (1 + m) and I 2 = I. (1−m) (where I is a magnitude proportional to the luminous intensity of the laser 30, m is expressed in radians, and absolutely Do detection is lagging.) differential amplifier 310 for inputting a signal output section 306 and 307 signals I 1 -I 2 at its output 311 (and thus, outputs equal) to 2I m. If, during the test, the total intensity change of the laser 30 corresponds to a frequency much lower than the frequency of the change of m, this value m can be obtained directly by appropriately filtering the available electrical signal at the output 311 of the amplifier 310. Can be. As a change example,
The signal I 1 + I 2 may be used to adjust the light intensity of the source.

酸化リチウムノーベリウムLiN6O3の結晶のような非立
体構造の結晶の場合、電気光学作用もまた電気光学結晶
の面間の電位差に比例する。しかしながら、このような
結晶を使用するには、電位差と得られる作用との比例係
数が結晶カットの配向により決まる場合に或る程度の注
意を要する。
In the case of non-stereostructured crystals, such as lithium nobelium oxide LiN 6 O 3 , the electro-optic effect is also proportional to the potential difference between the planes of the electro-optic crystal. However, the use of such crystals requires some care when the proportionality factor between the potential difference and the effect obtained is determined by the orientation of the crystal cut.

電気光学結晶の望ましい特性は低吸収性、低拡散性、
低円形複屈折性および高直線性である。酸化リチウムノ
ーベリウムのような複屈折性の高い材料を使用する場
合、光の入射角がわずかに変化すると、静電相に敏感が
変化が生じる。結晶の厚さの変化を引起こす熱変化が同
様な作用を有しており、両方とも避けなければならな
い。
Desirable properties of electro-optic crystal are low absorption, low diffusion,
Low circular birefringence and high linearity. When a highly birefringent material such as lithium nobelium oxide is used, a slight change in the incident angle of light causes a change in the sensitivity of the electrostatic phase. Thermal changes that cause a change in crystal thickness have a similar effect, and both must be avoided.

このような複屈折性材料の性能を向上させるには、本
発明によれば、例えば入射角または温度に応じて入射光
の偏光の制御を行なえばよい。さらにあるいは変更例と
して、本発明の装置は、複屈折性を減ずるかあるいはな
くすように、電気光学媒体に比較して、直角な配向を呈
するが、厚さが実質的に同一である結晶構造を有するの
がよい。
In order to improve the performance of such a birefringent material, according to the present invention, the polarization of incident light may be controlled according to, for example, the incident angle or the temperature. Additionally or alternatively, the device of the present invention may exhibit a crystal structure that exhibits a perpendicular orientation, but substantially the same thickness, as compared to the electro-optic medium, so as to reduce or eliminate birefringence. Good to have.

電気光学媒体は、特に低周波数の回路を試験するのに
少なくとも10ohm.cm程度の固有抵抗を呈し、また低キャ
パシタンス(1pfまたはそれ以下)のみを導入するよう
に多くとも100程度の誘電定数を呈する。
Electro-optic media exhibit a resistivity of at least about 10 ohm.cm, especially for testing low frequency circuits, and a dielectric constant of at most about 100 to introduce only low capacitance (1 pf or less). .

インターフェース部材18の内部では(第4図)、導電
性支柱111が可撓性分離基質112に埋込まれている。支柱
111のような各支柱は例えば円筒形である。基質112は他
の相互に平行な支柱の集合体を有しており、これらの支
柱は長さ方向に間隔をへだてていて、インターフェース
部材18に沿って幅方向に延びている。
Inside the interface member 18 (FIG. 4), conductive posts 111 are embedded in a flexible separation substrate 112. Prop
Each strut, such as 111, is for example cylindrical. Substrate 112 includes a collection of other mutually parallel struts that are longitudinally spaced and extend widthwise along interface member 18.

使用中、これらの部材はプリント回路基板の導体支持
表面12と接触状態に置かれ、支柱111の下面113が表面12
の導体114に近接し、他の支柱の表面も同様に他の導体
に近接する。支柱111の導体における電位はその上面115
で監視することができる。
In use, these members are placed in contact with the conductor support surface 12 of the printed circuit board and the
, And the surface of the other strut is also close to the other conductor. The electric potential of the conductor of the support 111 is its upper surface 115
Can be monitored.

上記のように電気光学作用の検査のために支柱の上面
に鋭い電位段を与えるようにアースする導電性支柱の上
面の領域を除いて、上面117には、導電性フィルム116が
貼られている。
A conductive film 116 is attached to the upper surface 117, except for the region of the upper surface of the conductive column, which is grounded to give a sharp potential step to the upper surface of the column for the inspection of the electro-optical action as described above. .

電流が導電性支柱111に沿って流れる必要がないの
で、導体114に近接した領域では高い抵抗を許容するこ
とができる。かくして、この装置を使用して、分離保護
ラッカーのフィルム118を付着した基板11のような基板
に設けられた回路を検査することができる。これは本発
明によるATEの特に重要な利点である。それにより、ラ
ッカー塗布を含めてすべての製造工程が終了した後に基
板を試験することができる。従来技術の装置テスターで
は、ネイルが導体と直接に接触しなければならないの
で、ラッカーを塗布することがなく、機能試験でも、手
動プローブを使用しようとするなら、ラッカーを浸透さ
せなければならない。本発明では、仕上げ状態の基板を
試験すればよい。
Since the current does not need to flow along the conductive pillar 111, a high resistance can be allowed in a region close to the conductor 114. Thus, the device can be used to inspect circuits provided on a substrate, such as the substrate 11, on which the separating protective lacquer film 118 has been applied. This is a particularly important advantage of the ATE according to the invention. Thereby, the substrate can be tested after all the manufacturing steps including the lacquer application are completed. In prior art device testers, the nail must be in direct contact with the conductor, so that the lacquer must not be applied, and in functional tests, the lacquer must be penetrated if a manual probe is to be used. In the present invention, the finished substrate may be tested.

第5図に示す基板5がそうであるように、試験すべき
組立て回路の導体支持表面が一様でない場合、インター
フェース部材の対応表面を適当な形状に輪郭決めした
り、成形したり擦過したりする。基板50は例えば、表面
装着構成要素(例えば、52)を使用している回路を有し
ており、これらの構成要素の接続ピン50は基板50を貫通
せずに導電性トラック53に直接取付けられている。この
ような構成では、平らな導電性表面が存在しなくてもよ
く、かくしてインターフェース部材51は平らな表面を電
気光学媒体54に近接して維持して表面装着構成要素を受
け入れるようになっている。
If the conductor support surface of the assembled circuit to be tested is not uniform, as is the case with the substrate 5 shown in FIG. 5, the corresponding surface of the interface member may be contoured, shaped or scraped appropriately. I do. The board 50 has, for example, circuitry using surface mounted components (eg, 52), and the connecting pins 50 of these components are mounted directly to the conductive tracks 53 without penetrating the board 50. ing. In such an arrangement, a flat conductive surface may not be present, and thus the interface member 51 is adapted to maintain the flat surface in close proximity to the electro-optic medium 54 to receive a surface mounted component. .

第9図に示す本発明による試験装置の実施例では、物
理的偏向ならびに音響光学的偏向を使用して走査回路表
面を広げる。第10図の例におけるようにし、レーザー43
0は偏光器およびレンズ432を介して試験ビームを音響光
学偏向装置433に放出する。この装置433は例えばオート
メート・ET・オートマチスムス社(パリ78460、シェブ
レウス、フランス)製の型式の2つの音響光学偏向器よ
りなる。
In the embodiment of the test apparatus according to the invention shown in FIG. 9, physical scanning as well as acousto-optical deflection are used to extend the surface of the scanning circuit. Laser 43 as in the example of FIG.
0 emits the test beam to the acousto-optic deflector 433 via the polarizer and lens 432. This device 433 comprises, for example, two acousto-optic deflectors of the type manufactured by Automate ET Automatismmus (Paris 78460, Chebreus, France).

第1偏向器はハウジング433内に設けられてレーザビ
ームを第1方向aに偏向し、第2偏向器はそのように偏
移されたビームを直角方向bに偏向し、2つの偏向器の
組合せにより、レンズ432の出力部から1000mmの距離
(その焦点距離に相当する)で50×50mm正方形表面を掃
引することができるようになっている。
A first deflector is provided in the housing 433 to deflect the laser beam in a first direction a, and a second deflector deflects the beam so shifted in a right-angle direction b to combine two deflectors. Thereby, it is possible to sweep a 50 × 50 mm square surface at a distance of 1000 mm (corresponding to the focal length) from the output section of the lens 432.

装置433から出るビームは第1物理的偏向器443の回動
ミラー441に落ち、この偏向器443はこのビームを第2物
理的偏向器444の回動ミラー442へ偏向する。偏向器44
3、444を方向a、bと平行な2方向A、Bに変位させる
ことによって、出現ビーム445がレンズの焦点平面で500
×500mmの矩形表面を掃引する。
The beam exiting device 433 falls on a turning mirror 441 of a first physical deflector 443, which deflects the beam to a turning mirror 442 of a second physical deflector 444. Deflector 44
3, 444 is displaced in two directions A, B parallel to the directions a, b, so that the emergent beam 445 is 500 at the focal plane of the lens.
Sweeps a rectangular surface of × 500mm.

ビーム445は、例えばBK7ガラスで作られた500×500mm
寸法の平凸レンズの凸449に落ちる。
The beam 445 is, for example, 500 x 500 mm made of BK7 glass
It falls into the convex 449 of the plano-convex lens of the size.

BGO(酸化ビスマス・ゲルマニウム、Bi4G33O12)結晶
のモザイクの矩形層がレンズの平らな面に付着されてい
る。レンズ450および電気光学結晶層451の寸法は偏向器
443の系から出るビーム445により掃引されるべき全面積
にほぼ相当する。
A rectangular layer of mosaic of BGO (bismuth germanium oxide, Bi 4 G 33 O 12 ) crystals is attached to the flat surface of the lens. The dimensions of the lens 450 and the electro-optic crystal layer 451 are deflectors
This roughly corresponds to the total area to be swept by the beam 445 exiting the system 443.

BGO層451は1mmの範囲の厚さを有している。この例で
は、BGO層451をレンズ450の平らな面に合わせることに
より、圧電共振現象の結果、結晶に自然に起る機械振動
を環状にすることができる。かかる振動は、結晶に光弾
性作用によりこれらの振動が生じる寄生光信号によって
明らかである。
BGO layer 451 has a thickness in the range of 1 mm. In this example, by aligning the BGO layer 451 with the flat surface of the lens 450, the mechanical vibration naturally occurring in the crystal as a result of the piezoelectric resonance phenomenon can be made annular. Such oscillations are evident by the parasitic optical signals that cause these oscillations by photoelastic effects on the crystal.

レーザー430、偏光器431、音響光学および物理的偏光
器433、443、444、およびBGO層451付きのレンズ450の組
立体は層451によって偏向光の回収/検出装置と一体化
されている。この組立体(第9図には図示せず)は第3
図に319として示してあり、分割器303と、レンズ304の
四分の一波長プレート302と、ウォラストンプリズム305
と、両光学電気検出器308、309、と、ATEヘッドに組込
まれる光プローブを構成する作動増幅器310とを備えて
いる。
The assembly of laser 430, polarizer 431, acousto-optic and physical polarizer 433, 443, 444, and lens 450 with BGO layer 451 are integrated by layer 451 with the polarized light collection / detection device. This assembly (not shown in FIG. 9)
Shown in the figure as 319, a splitter 303, a quarter-wave plate 302 of lens 304, and a Wollaston prism 305
And an optoelectronic detector 308, 309, and an operational amplifier 310 constituting an optical probe incorporated in the ATE head.

使用の際、異方性の導電性を有するインターフェース
18(第1図の)に類似するインターフェース部材462を
まずプリント回路基板460(第9図)の被試験面に接触
させて設置してその一方の面と接触しているカード460
の導体の電圧のアナログをその他方の面463に形成す
る。この面463および光プローブの中央の電気光学結晶4
51の自由面は試験可能に接触していて、加圧手段(図示
せず)によって互いに強固に押圧されてBGO層451、イン
ターフェース部材462および試験すべき基板の接触面間
の寄生間隔すべてをなくすかあるいは最小にする。この
例では、フェデラル・レパブリック(西ドイツ)のJSC
テクニック製で「ゼブラビディメンショネル」の名で販
売されているエラストマシートをインターフェース部材
用に使用した。その厚さは例えば基板の種類およびその
表面不連続部に応じて0.1〜5mmである。
Interface with anisotropic conductivity when used
An interface member 462 similar to 18 (FIG. 1) is first placed in contact with the surface under test of the printed circuit board 460 (FIG. 9) and the card 460 in contact with one surface thereof.
An analog of the conductor voltage is formed on the other side 463. This plane 463 and the electro-optic crystal 4 in the center of the optical probe
The free surfaces of 51 are in testable contact and are pressed firmly together by pressing means (not shown) to eliminate any parasitic spacing between BGO layer 451, interface member 462 and the contact surface of the substrate to be tested. Or minimize it. In this example, the JSC at Federal Republic (West Germany)
An elastomer sheet sold by Technics under the name "Zebra Vidimentionel" was used for the interface members. Its thickness is, for example, 0.1 to 5 mm depending on the type of substrate and its surface discontinuity.

第9図において、検査領域470は50×50mmの結晶の音
響光学走査すべき要素表面に相当する。物理的偏向装置
による変位によって、電気光学結晶451の表面上の互い
に隣合う100のこのような要素表面の音響光学走査が可
能である。
In FIG. 9, the inspection area 470 corresponds to the surface of an element to be subjected to acousto-optic scanning of a 50 × 50 mm crystal. The displacement by the physical deflection device allows for acousto-optic scanning of 100 adjacent element surfaces on the surface of the electro-optic crystal 451.

代表的には、得ることができる音響光学走査速度は10
0KHz(1つの試験箇所から他の試験箇所に達する周波
数)。この物理的走査は1つの要素領域470から他の要
素領域まで50ミリセコンド位の変化をみておく。
Typically, an acousto-optic scanning speed that can be obtained is 10
0 KHz (frequency from one test point to another test point). This physical scan looks at a change of about 50 milliseconds from one element area 470 to another element area.

第9図について説明すると、結晶層451の入力部での
直線に偏光された光ビーム445の偏光は、ビームの入射
箇所の領域における被試験基板の導体が電圧負荷を有し
ていない場合、層を横切るうちは変化しないままであ
る。電圧の印加により、光の電界の2成分間に移相P
(u)を生じる。そうすると、BGO層451の出力部でレン
ズ450を通って戻るビーム偏光の状態は楕円形である。
Referring to FIG. 9, the polarization of the linearly polarized light beam 445 at the input of the crystal layer 451 will be measured when the conductor of the substrate under test has no voltage load in the area where the beam is incident. It remains unchanged while crossing. By applying a voltage, the phase shift P between the two components of the electric field of light
(U). Then, the state of the beam polarization returning through the lens 450 at the output of the BGO layer 451 is elliptical.

出現ビームは分割器303(第3図)によって検出レン
ズ304に再び差し向けられ、次いでウォラストンプリズ
ム305によって2成分に分割され、これらの成分の強さ
は下記式によって表わされる。
The emerging beam is redirected by the splitter 303 (FIG. 3) to the detection lens 304 and then split by the Wollaston prism 305 into two components, the intensity of which is represented by the following equation:

I1=1/2I0(1+cos(P+P0)) I2=1/2I0(1−cos(P+P0)) (上記式中、I0は入射光の強さであり、P0は四分の一波
長プレート302により導入される静止相遅れである。) 差動増幅器310は信号Sを出力する。
I 1 = 1 / 2I 0 (1 + cos (P + P 0 )) I 2 = 1 / 2I 0 (1-cos (P + P 0 )) (In the above equation, I 0 is the intensity of incident light, and P 0 is four. This is the stationary phase lag introduced by the one-wavelength plate 302.) The differential amplifier 310 outputs the signal S.

S=I1−I2=I0(p+P0) 移相Pがゼロであれば、信号Sは多くの場合、層451
に生ずる偏光変化量がわずかであるため、ごくわずかで
ある。
S = I 1 −I 2 = I 0 (p + P 0 ) If the phase shift P is zero, the signal S is often the layer 451
Is very small because the amount of polarization change that occurs in

例として、647mm(クリプトンレーザ)のレーザ波長
の場合、指数2および電気光学係数が1pm/Vに等しいBGO
結晶では、P=8.10-4ラジアル/V.の値が得られる。
As an example, for a laser wavelength of 647 mm (krypton laser), BGO with an index of 2 and an electro-optic coefficient equal to 1 pm / V
For crystals, a value of P = 8.10 -4 radial / V. Is obtained.

四分の一波長プレート、P0=Pi/2、およびS=I0×P
の場合のレスポンスでは、信号SはVととも線状に変化
し、約10-4のPの値が簡単に検出される。これは、用い
た差動方法によれば、レーザ源の強さが時間で比較的ゆ
っくりな変動(約10パーセントまで)を受けやすくて
も、そうである。
Quarter wave plate, P 0 = Pi / 2, and S = I 0 × P
In the response in the case of (2), the signal S changes linearly with V, and a value of P of about 10 -4 is easily detected. This is so even though the intensity of the laser source is subject to relatively slow fluctuations in time (up to about 10 percent) according to the differential method used.

BGO結晶を固定することにより、引起される変形によ
り、1箇所と他の箇所とで異なる寄生複屈折性をもたら
す。その結果、P0は1箇所と他の箇所とで変化する。ビ
ームの各位置決め後、かつケル(Kerr)セル480を四分
の一波長プレート302とウォラストンプリズムとの間に
挿入することによる電気測定前に、P1はバイアスされて
P1/2に戻る。この装置は、スイッチ484および可変増幅
器486よりなるフィードバックループ482により差動増幅
器310の出力部311から供給される可変電界にある2つの
透明電極間に電気光学材料のプレートを設置することに
よって構成されている。そうすれば、移相をプレート31
1によってこれを通るビーム電界成分間に導入すること
により、試験箇所に対応する信号Sの背景成分をなくす
のに必要とされるレベルに調整することができる。適度
に高い周波数の試験信号では、信号sの高周波数成分が
所望の試験情報を含んでいる。
By fixing the BGO crystal, the induced deformation results in different parasitic birefringence between one location and another. As a result, P 0 varies between one location and another location. After each positioning of the beam and before electrical measurements by inserting a Kerr cell 480 between the quarter-wave plate 302 and the Wollaston prism, P 1 is biased.
Return to P 1/2 . The device is constructed by placing a plate of electro-optic material between two transparent electrodes in a variable electric field supplied from the output 311 of a differential amplifier 310 by a feedback loop 482 consisting of a switch 484 and a variable amplifier 486. ing. Then the phase shift can be performed on plate 31
By introducing between 1 and the electric field component of the beam passing therethrough, it is possible to adjust to the level required to eliminate the background component of the signal S corresponding to the test location. For a test signal of a moderately high frequency, the high frequency component of the signal s contains the desired test information.

この構成の変調深度は不完全偏光器340を結晶層出力
部と四分の一波長プレート302との間に導入することに
よって更らに向上することができる。
The modulation depth of this configuration can be further improved by introducing an imperfect polarizer 340 between the crystal layer output and the quarter wave plate 302.

第10図では、この偏光器は第10図のレンズ34から出る
ビーム335を遮断する立方体340であり、この立方体340
は分割器303の代わりに使用される。
In FIG. 10, the polarizer is a cube 340 that blocks the beam 335 emanating from the lens 34 of FIG.
Is used in place of the divider 303.

軸線系350はレンズから出る光の偏光を表わしてお
り、PはY軸に沿った線形偏光の初期の方向に対する偏
光角である。ビーム335の偏光波を表わすセクタ352のX
成分およびY成分は偏光楕円の主軸を表わし、ウォラス
トンプリズム305(第3図)は光成分をこれらの両軸に
沿って分割するように配向されている。
Axis system 350 represents the polarization of light exiting the lens, where P is the angle of polarization of the linearly polarized light along the Y axis relative to the initial direction. X of sector 352 representing the polarization of beam 335
The component and the Y component represent the principal axes of the polarization ellipse, and the Wollaston prism 305 (FIG. 3) is oriented to split the light component along both of these axes.

分割器立方体340はビーム335を2つのビームに分離
し、一方のビーム334は透過され、他方のビーム336は反
射される。この立方体のインターフェース355は反射光
用の不良偏光器として働き、その偏光楕円率を増大する
ように構成されている。Y軸に沿った成分はフランス特
許出願第88/04177(本出願人名義で1988年3月30日出
願)に述べられている原理により第10図の線図360で示
すように成分Xに対して非常に減小される。
Divider cube 340 separates beam 335 into two beams, one beam 334 is transmitted and the other beam 336 is reflected. This cubic interface 355 serves as a defective polarizer for the reflected light and is configured to increase its polarization ellipticity. The component along the Y axis is based on the principle described in French Patent Application No. 88/04177 (filed on Mar. 30, 1988 in the name of the present applicant) with respect to the component X as shown in diagram 360 in FIG. Greatly reduced.

対照的に、ビーム334の透過部分については、これは
Y(線370)に沿って線形に偏光されている。
In contrast, for the transmitted portion of beam 334, it is linearly polarized along Y (line 370).

ウォラストンプリズムによるビーム336の分離後に受
け入れられた成分I1、I2は次の如く表わされる。
The components I 1 and I 2 received after separation of the beam 336 by the Wollaston prism are expressed as follows:

I1=(I+Ap)I0/2A2 I2=(I+Ap)I0/2A2 Aは偏光器立方体340の特性が示す1より大きい係数
である。これらの関係はより強力なレーザを使用してウ
ォラストンプリズムの出力部のところの検出器を飽和す
ることなしに変調深度を増すことができることを示して
いる。
I 1 = (I + A p ) I 0 / 2A 2 I 2 = (I + A p ) I 0 / 2A 2 A is a coefficient larger than 1 indicated by the characteristics of the polarizer cube 340. These relationships indicate that more powerful lasers can be used to increase the modulation depth without saturating the detector at the output of the Wollaston prism.

プリント回路基板460、インターフェース部材462およ
び結晶層451間のインターフェースを第11に概略的に示
してある。2試験箇所をなす2つの導体467、468は、一
方が電圧V1下に、他方が地電位に示されている。これら
の導体はしばしば酸化物で覆われている。基板を完成す
ると、これらの導体をラッカーで被覆する。酸化物層ま
たはラッカー層は基板の上面とインターフェース部材の
462の対向面との間に間隔469を形成する。
The interface between the printed circuit board 460, the interface member 462, and the crystal layer 451 is schematically illustrated in the eleventh. Two conductors 467 and 468 constituting the 2 test points, one is the lower voltage V 1, the other is shown in the ground potential. These conductors are often covered with oxide. When the substrate is completed, these conductors are covered with lacquer. The oxide or lacquer layer is between the top surface of the substrate and the interface
An interval 469 is formed between the 462 and the opposing surface.

この構成の電気等価回路図を第11図に概略的に示して
ある。結晶、導体および間隔469のキャパシタンスによ
って、V1に応じて結晶に達する電圧V2は、間隔469のキ
ャパシタンスがより低くかつ結晶のキャパシタンスがよ
り大きいときには、すべてより弱い。そのうえ、厚さが
カード460の表面に設けられた構成要素によ定められる
所定のインターフェース部材462では、間隔469が大きく
なればなるほど、比V3/V2で表わされる漏話が大きくな
る。
An electrical equivalent circuit diagram of this configuration is schematically shown in FIG. Crystals, by the capacitance of the conductors and the spacing 469, the voltage V 2 to reach the crystal in response to V 1 was when greater is the capacitance of the lower and crystals capacitance interval 469 is weaker than all. Moreover, the predetermined interface member 462 having a thickness defined by the components provided on the surface of the card 460, the greater the spacing 469, crosstalk represented by the ratio V 3 / V 2 increases.

一例では、これらのパラメータは次の如くであった。 In one example, these parameters were as follows:

インターフェース部材462の厚さ:e=2mm BGO結晶451の厚さ: =1mm 結晶の誘電定数: e′=16 2試験箇所間の距離: d=400ミクロン 最大の許容可能な漏話は約10%であり、間隔469の高
さhは1.5ミクロンを越えてはならない。
Interface member 462 thickness: e = 2 mm BGO crystal 451 thickness: = 1 mm Crystal dielectric constant: e '= 16 Distance between two test points: d = 400 microns Maximum allowable crosstalk is about 10% And the height h of the gap 469 should not exceed 1.5 microns.

従って、出来るだけ低い誘電定数を有し、同時に出来
るだけ高い電気光学係数を呈する電気光学材料を付着さ
せることが望ましい。
It is therefore desirable to deposit an electro-optic material that has as low a dielectric constant as possible and at the same time exhibits as high an electro-optic coefficient as possible.

結晶の電気光学感度指数n3r(nは媒体の屈折率であ
り、rは電気光学係数である)および誘電定数e′との
関係は電気光学層451として使用するための材料の選択
の標準(示性数)をなす。
The relationship between the crystal's electro-optic sensitivity index n 3 r (n is the refractive index of the medium and r is the electro-optic coefficient) and the dielectric constant e ′ is a standard for the selection of materials for use as the electro-optic layer 451. (Demonstration number).

下記表は異なる結晶についてのこの関係を示してい
る。
The table below illustrates this relationship for different crystals.

意図したようにBGO層を有する装置では、2mm離れた試
験箇所に出力され、接地導体により分離された5MHzの周
波数で1ボルト振幅の試験ビットの信頼性のある検出が
達成された。エラストマインターフェース部材の厚さは
2mmであり、接触表面は酸化物がなく、5ミクロン厚さ
のラッカー層で被覆されていた。
In devices with BGO layers as intended, reliable detection of 1 volt amplitude test bits at a frequency of 5 MHz, output at test points 2 mm apart and achieved by a ground conductor, was achieved. The thickness of the elastomer interface member is
2 mm and the contact surface was oxide-free and covered with a 5 micron thick lacquer layer.

上記表を考案すると、MNAのような有機組成物が意図
した用途に最も興味を起こすこの種の物質を形成する示
性数を示している。
Given the above table, it is shown the number of organic compounds such as MNA that form such substances that are of most interest for the intended use.

このような物質は結晶質形態だけではなく、このよう
な活性の電気光学物質の分子を混入した支持材との組合
せ形態でも使用することができる。かくして、支持体と
して、パースペックス(PMMA:ポリメチルメタクリレー
ト)を約15%のMNA密度で使用することができる。従っ
て、組成物を電気光学性にするために、MNAはPMMAマト
リックスに保有される分子を有するドーパントとして使
用される。電気光学特性を有する他の可能なドーパント
としては、例えば、次のものがある。
Such materials can be used not only in crystalline form, but also in combination with a support incorporating molecules of such active electro-optic material. Thus, Perspex (PMMA: polymethyl methacrylate) can be used as a support at an MNA density of about 15%. Thus, MNA is used as a dopant with the molecules carried in the PMMA matrix to make the composition electro-optical. Other possible dopants with electro-optical properties include, for example:

DNA〔4−(N,N−ジメチルアミノ)−3−アセトアミド
ニトロベンゼン〕 COANP〔2−シクロ−オクチルアミノ−5−ニトロピリ
ジン〕 PAN〔4−N−ピロリジノ−3−アセトアミノニトロベ
ンゼン〕 MBANP〔2−(α−メチルベンジルアミノ)−5−ニト
ロピリジン〕 この種のポリマー物質は、ロックヘッド・ミサイルズ
・アンド・スペース社、ヘキストセラネセス社および化
学分野の他の大会社のような分野のいくつかの企業、大
学および研究所が現在取りかかっている多くの開発計画
の論題である。〔例えば、ナトウ・アドバンスド・ワー
クシォップと称するシンポジウムの会議会報の「非線形
光学装置用のポリマー」(ソファイアアンチポリス著、
1985年6月19〜24日)を参照せよ〕。
DNA [4- (N, N-dimethylamino) -3-acetamidonitrobenzene] COANP [2-cyclo-octylamino-5-nitropyridine] PAN [4-N-pyrrolidino-3-acetaminonitrobenzene] MBANP [2- (Α-Methylbenzylamino) -5-nitropyridine] This type of polymeric material has been used in some fields such as Rockhead Missiles and Space, Hoechst Theraneses and other large companies in the chemicals field. Companies, universities and research institutes are the topics of many development plans currently underway. [For example, "Polymers for Nonlinear Optical Devices" (Sophia Antipolis, by the conference report of the symposium called "Nato Advanced Workshop",
(June 19-24, 1985).

得られたポリマーを使用して公知の基質にフィルム、
繊維、または薄層を形成することができる。
Film on a known substrate using the obtained polymer,
Fibers or thin layers can be formed.

これらのポリマーの特に興味のある特性は、これらの
ポリマーを大量にかつ適度なコストで製造することがで
きるフィルムの形態で使用することができることであ
る。これらのフィルムはガラスのような透明支持体上に
数ミクロン(例えば、10ミクロン)の厚さで使用するこ
とができる。また、これらのフィルムは初期フィルム
(例えば、500ミクロン厚)のいくつかの隣接層で出来
た弾性フィルムの形態で直接供給することができる。乾
燥後、電気光学的活性成分の分子を特定の配向のない非
晶質状態の支持材料に固定する。この支持材料を電気光
学性にするには、活性分子にマトリックス内での或程度
の移動性を回復させるのに十分な温度まで加熱すること
が必要である。この転移温度の値はポリマーにより変わ
るが、代表的には100〜200℃あたりである。この状態で
は、これらの活性分子は電界の作用下で支持体に対して
配向を受ける。これらの分子は励起電界の方向にそれら
自身配向する傾向がある。励起電界が強くなればなるほ
ど、電界の方向に配向された活性分子の割合が高くな
る。
A particularly interesting property of these polymers is that they can be used in the form of films that can be produced in large quantities and at a reasonable cost. These films can be used on transparent supports, such as glass, with a thickness of several microns (eg, 10 microns). Also, these films can be supplied directly in the form of an elastic film made of several adjacent layers of the initial film (eg, 500 microns thick). After drying, the molecules of the electro-optically active component are fixed to an amorphous support material without a specific orientation. Making the support material electro-optical requires heating the active molecule to a temperature sufficient to restore some mobility within the matrix. The value of the transition temperature varies depending on the polymer, but is typically around 100 to 200 ° C. In this state, these active molecules are oriented with respect to the support under the action of an electric field. These molecules tend to align themselves in the direction of the excitation field. The higher the excitation electric field, the higher the proportion of active molecules oriented in the direction of the electric field.

分子が電界の作用下で配向されている間、温度を再び
下げると、これらの分子はこの配向を保つ。かくして、
この材料は電界の存在下で異方性光学挙動〔ポッケルズ
(Pockels)作用〕によって示される配向構造を保つ。
かくして、電界の不存在下でこの材料に線形偏光入射光
を当てるとき、この材料は偏光のいずれの変化をもたら
さない。
When the temperature is reduced again while the molecules are oriented under the action of the electric field, they retain this orientation. Thus,
This material retains the oriented structure exhibited by anisotropic optical behavior (Pockels action) in the presence of an electric field.
Thus, when the material is exposed to linearly polarized incident light in the absence of an electric field, the material does not cause any change in polarization.

対照的に、電界の存在下では、透過光は印加電界の強
さに線形に関係付けられた楕円形偏光を持続する。
In contrast, in the presence of an electric field, the transmitted light maintains elliptically polarized light that is linearly related to the strength of the applied electric field.

第12図には、温度が転移領域(これを越えると電気光
学性ドーパント分子がそれらの移動性を失う)以下に下
げられる間、ポリマー分子が整合電界と呼ばれる電界の
印加によって配向された上記種類のポリマーに実現され
た電気光学フィルム500の指数分布を示してある。502と
して表わされる楕円面は、その平面と直角の電界(検出
電界と呼ぶ)を印加している間、材料の屈折率分布を描
く。この楕円面は材料の空間屈折率変化を示す。この楕
円面はフィルム500の平面において法線504に対して旋回
対称を有し、これは材料がフィルムの平面と光学的に等
方性で平行であることを表わしている。
Figure 12 shows that polymer molecules are oriented by the application of an electric field, called the matching electric field, while the temperature is reduced below the transition region (beyond which the electro-optical dopant molecules lose their mobility). The exponential distribution of the electro-optic film 500 realized on the polymer of FIG. The elliptical surface represented as 502 depicts the refractive index distribution of the material while applying an electric field perpendicular to the plane (called the detection electric field). This ellipsoid shows the spatial refractive index change of the material. This ellipsoid has a rotational symmetry about the normal 504 in the plane of the film 500, indicating that the material is optically isotropic and parallel to the plane of the film.

フィルム500をこれと直角な偏光入射ビーム506で照ら
すと、(フィルムの反対面508からの透過または引続く
反射によって)フィルムから回収される光は偏光の変化
状態を示さない。これは、このようなフィルムを例えば
第9図のBGO層451の代わりに使用すると、走査回路の接
続部の電圧を検出することができないことの理由を説明
している。他方、フィルムの平面に対して傾斜した入射
ビーム510はその偏光状が変化する。
When the film 500 is illuminated with a polarized incident beam 506 perpendicular thereto, light collected from the film (by transmission or subsequent reflection from the opposite side 508 of the film) does not show a change in polarization. This explains why if such a film is used instead of the BGO layer 451 of FIG. 9, for example, the voltage at the connection of the scanning circuit cannot be detected. On the other hand, the incident beam 510 inclined with respect to the plane of the film changes its polarization.

従って、この場合、試験回路における電圧によって生
じるポッケルズ作用を現わすために、電気光学層に対し
て傾斜した偏光入射光ビームを使用することが必要であ
る。
Therefore, in this case, it is necessary to use a polarized incident light beam inclined with respect to the electro-optic layer in order to exhibit the Pockels effect caused by the voltage in the test circuit.

第12b図には、フィルム500の分子を整合電界によって
フィルム平面で予め配向した場合に、フィルムの平面と
直角な検出電界の作用下で同一物質で得られる指数の楕
円面を示してある。この場合、これらの指数の楕円面51
2はフィルム500の平面内の軸線513に対して旋回対称を
有している。そのうえ、法線入射ビーム506はその偏光
がフィルムの平面内の主軸線に沿って指数γ、γ
差の関数として変化している。これらの条件下では、第
3図に示すような偏光測定分析装置を有する第9図の組
立体(これは法線入射を伴う)は試験すべき回路により
生じるポッケルズ作用を光プローブまたは基板に組入れ
られるポリマーフィルムに利用することができる。
FIG. 12b shows the ellipsoid of the index obtained with the same material under the action of a detection electric field perpendicular to the plane of the film, when the molecules of the film 500 are pre-oriented in the plane of the film by the matching electric field. In this case, the ellipsoid 51 of these indices
2 has a rotational symmetry with respect to an axis 513 in the plane of the film 500. Moreover, the normal incident beam 506 changes its polarization along the principal axis in the plane of the film as a function of the difference in indices γ 2 , γ 3 . Under these conditions, the assembly of FIG. 9, which has a polarimetric analyzer as shown in FIG. 3, which involves normal incidence, incorporates the Pockels effect created by the circuit to be tested into the optical probe or substrate. It can be used for polymer films to be produced.

ポリマーフィルムの平面において活性組成物の分子を
配向させる装置を第17図及び第18図に概略的に示してあ
る。ポリマーストップ800を約100℃(上記転移温度より
わずかに高い)の温度Tまで加熱されたトンネルオーブ
ン801に装入する。
A device for orienting the molecules of the active composition in the plane of the polymer film is shown schematically in FIGS. 17 and 18. The polymer stop 800 is charged to a tunnel oven 801 which has been heated to a temperature T of about 100 ° C. (slightly above the transition temperature).

このストリップを連続した同一電位+Vに保たれた2
つの対向金属板802、804間の界面に導びく。トンネルオ
ーブンの出口805で、このストリップは、例えばゼロの
電位に保たれた2つの対向金属板812、814により形成さ
れた第2トンネル810に入る。その結果、加熱トンネル
出口801と第2トンネル810との間の間隔815はこの間隔
に位置するストリップ800の平面で実質的に一様でかつ
平行な電界を受けやすい。フィルムの電気光学的に活性
な分子はトンネル801の出口805で電界の局部作用により
この方向と平行にそれら自身配向する傾向がある。フィ
ルム800の両側の2つのノズル818、819は間隔815で開口
しており、この間隔のところで−40℃まで冷却された不
活性ガス(例えば、アルゴンまたは6弗化イオンSF6
の流れ820をフィルム800の両面に送り出す。このガスは
図示していない手段によって第2トンネルの板間から排
出される。フィルム800の温度は空間815内の転移領域を
通る。活性分子は第2トンネルで冷えるフィルムの平面
で好ましい配向を保つ。
This strip was kept at the same potential + V continuously.
To the interface between the two opposing metal plates 802, 804. At the exit 805 of the tunnel oven, the strip enters a second tunnel 810 formed, for example, by two opposed metal plates 812, 814 kept at zero potential. As a result, the spacing 815 between the heating tunnel exit 801 and the second tunnel 810 is susceptible to a substantially uniform and parallel electric field in the plane of the strip 800 located at this spacing. The electro-optically active molecules of the film tend to orient themselves parallel to this direction due to the local action of the electric field at the exit 805 of the tunnel 801. The two nozzles 818, 819 on either side of the film 800 open at a spacing 815, at which interval an inert gas (eg, argon or hexafluoride ion SF 6 ) cooled to −40 ° C.
Is sent out to both sides of the film 800. This gas is discharged from between the plates of the second tunnel by means not shown. The temperature of the film 800 passes through a transition region in the space 815. The active molecules maintain the preferred orientation in the plane of the film that cools in the second tunnel.

フィルム構造の配向および試験光の入射に関する先行
データにより、偏光測定方法によって回路における信号
を試験するのにこの電気光学ポリマーフィルム500を使
用することができる。
Prior data on the orientation of the film structure and the incidence of the test light allow this electro-optic polymer film 500 to be used to test signals in circuits by means of a polarimetry.

変更例として、本発明の他の面によれば、試験すべき
電圧によるポッケルズ作用を検出するのに、偏光測定法
の代わりにファブリーペロット(Fabry−Perot)干渉測
定方法を用いることができる。
As a variant, according to another aspect of the invention, Fabry-Perot interferometry can be used instead of polarimetry to detect the Pockels effect due to the voltage to be tested.

第19図には、組立て回路の代表例である回路基板840
の一部を示してあり、この基板は分離材の支持体841を
備えており、この支持体の表面には電子構成要素が設け
られており、これらの構成要素は848のような導電性リ
ンクによって相互に接続されている。
FIG. 19 shows a circuit board 840 which is a typical example of an assembled circuit.
The substrate is provided with a support 841 of separating material, on the surface of which the electronic components are provided, which are electrically conductive links such as 848. Interconnected by

電気光学材料842の層または板を導体848の上面に接触
して回路支持基板841に近接して設置する。この層はレ
ーザ源が発するレーザビームの所定の法線入射を受け
る。レーザ源に面するフィルム842の表面は平均反射係
数値の半透明ミラーを形成する導電性半透明材料の層84
5で被覆されている。フィルム842の他方の表面(被試験
回路基板と反対側)は反射材料の導電性および高い係数
の層846、例えば、層845より厚いアルミニウム層で被覆
されていてこの層に達する光の可成りの部分を反射させ
るようになっている。反射面846により透過された光の
その部分を吸収するために、層847が設けられている。
層846は、被試験基板840上の相隣る導電性トラック間に
短絡を生じないようにするために互いに分離された粒子
又はフラグメントで形成するのがよい。
A layer or plate of electro-optic material 842 is placed in contact with the top surface of conductor 848 and in proximity to circuit support substrate 841. This layer receives a predetermined normal incidence of the laser beam emitted by the laser source. The surface of the film 842 facing the laser source is a layer 84 of conductive translucent material forming a translucent mirror of average reflection coefficient value.
Coated with 5. The other surface of the film 842 (opposite the circuit board under test) is coated with a conductive and reflective layer of reflective material 846, such as an aluminum layer that is thicker than the layer 845 to allow a substantial amount of light to reach this layer. The part is to be reflected. A layer 847 is provided to absorb that portion of the light transmitted by the reflective surface 846.
Layer 846 may be formed of particles or fragments that are separated from each other to prevent short circuits between adjacent conductive tracks on substrate under test 840.

並列ミラーにより反射された光間に干渉が生じ、フィ
ルムから発散する光ビーム(図面に二重矢印で示してあ
る)は半透明ミラー851で反射され、放出ビーム843およ
び出力ビーム849の共通進路で重畳されて光信号849の強
さを測定する分析手段に差し向けられる。公知のよう
に、干渉現象はフィルムの厚さ(e)であるミラーを分
離する距離と、波長〔ランダ(ランダ=1/1000cm3)〕
と、フィルムの材料の屈折率(a)との関数である。屈
折率「n」はフィルムが受ける電界、すなわち、測定す
べき電位Vの関数により変化する。
Interference occurs between the light reflected by the parallel mirrors, and the light beam diverging from the film (indicated by a double arrow in the drawing) is reflected by the translucent mirror 851 and travels in a common path of the emission beam 843 and the output beam 849. The superimposed signal is directed to analysis means for measuring the intensity of the optical signal 849. As is well known, the interference phenomenon is the thickness (e) of the film, the distance separating the mirror, and the wavelength [lander (lander = 1/1000 cm 3 )].
And the refractive index (a) of the material of the film. The index of refraction "n" varies with the electric field experienced by the film, ie, as a function of the potential V to be measured.

従って、受信器850での信号の光度の測定により、回
路800の所定箇所での電位Vの測定が達成される。電気
光学材料842の層が上記種類のポリマーフィルムである
なら(また、基板840と一体化することができるな
ら)、たとえフィルムの電気光学性分子がもともとフィ
ルムの平面と直角に配向されていたとしても、直角入射
ではこの干渉測定法でポッケルズ作用の測定が可能であ
ることはわかるであろう。
Thus, by measuring the luminosity of the signal at the receiver 850, a measurement of the potential V at a predetermined location of the circuit 800 is achieved. If the layer of electro-optic material 842 is a polymer film of the type described above (and can be integrated with the substrate 840), even if the electro-optic molecules of the film were originally oriented perpendicular to the plane of the film However, it can be seen that the Pockels effect can be measured by this interferometry at normal incidence.

電気光学フィルムまたは層において厚さの差が生じる
結果を緩和するために、光源は可変波長の光ビームを発
するようになっている。これは以下のことを意味してい
る。すなわち、装置の作用箇所を、PHI=〔2pi/ランバ
(1/1000cm3)〕の関数としての強さの特性曲線(第20
図)上で、どのPHIでもI=最大値である曲線の第1部
分に位置した点Aから、(最大値とゼロとの間にある)
IがPHIの関数として大きく変化する第2部分に位置し
た点Bまで移すことができ、感度は点B付近の曲線の第
2部分でのIの変化の関数であり、好ましくは点Bの約
最大値/2に相当する。点Bを固定すると、測定は点Bに
対応する波長によって影響される。
To mitigate the consequence of thickness differences in the electro-optic film or layer, the light source emits a light beam of variable wavelength. This means that: That is, the operating point of the device is determined by the characteristic curve of the strength as a function of PHI = [2 pi / lumbar (1/1000 cm 3 )] (20th.
From above, from point A, located on the first part of the curve where I = maximum for any PHI (between the maximum and zero)
I can be shifted to a point B located in a second portion where I varies significantly as a function of PHI, and the sensitivity is a function of the change in I in the second portion of the curve near point B, preferably about It corresponds to the maximum value / 2. With point B fixed, the measurement is affected by the wavelength corresponding to point B.

第13図では、プリント回路基板600は慣例的にエポキ
シとガラス繊維とで構成される材料の基質602を有して
おり、この基質はその面603、604の各々に605、606のよ
うな金属被覆体すなわち導電性トラックを備えて基板に
設けられる構成要素を接続する回路網を形成している。
In FIG. 13, the printed circuit board 600 has a substrate 602 of a material conventionally comprised of epoxy and fiberglass, which substrate has a metal 605, 606 on each of its faces 603, 604. A covering or conductive track is provided to form a network connecting the components provided on the substrate.

基板の面604は電気光学ポリマーフィルム608の層で被
覆されており、この層は形成される金属トラック606の
上の表面の実質的にすべてにわたって延びている。フィ
ルム608は、金属被覆体の形成後だが、例えば接合によ
る構成要素の設置の前にカードに組付けられる。面604
の一方の側部は反射アルミニウム層609によって素ミラ
ーの検査基板パターンで被覆されている。このパターン
の粒子または部片の大きさは、各部片が2つの相隣る金
属トラック間に短絡を起こすことがないような大きさで
ある。反対面では、フィルム608は方向612から基板に投
射された試験光にとって透過性であるのに十分薄い厚さ
の他のアルミニウム層610で被覆されている。この層610
は導体606に印加される電圧によってフィルム608の層に
発生される電界用の照合電極を構成する。
The surface 604 of the substrate is coated with a layer of an electro-optic polymer film 608, which extends over substantially all of the surface above the metal tracks 606 to be formed. The film 608 is assembled to the card after formation of the metal coating, but prior to installation of the components, for example, by bonding. Face 604
Is covered with a reflective aluminum layer 609 with the inspection substrate pattern of the elementary mirror. The size of the particles or pieces of this pattern is such that each piece does not cause a short circuit between two adjacent metal tracks. On the opposite side, the film 608 is coated with another aluminum layer 610 that is thin enough to be transparent to test light projected from the direction 612 onto the substrate. This layer 610
Constitutes a reference electrode for the electric field generated in the layer of the film 608 by the voltage applied to the conductor 606.

基板600はその表面603に個別要素または集積回路パッ
ケージ616のような構成要素を支持している。構成要素
は基板の他方の面上の金属トラック606に対して直角に
設けられた孔620に基板基質を貫いている接続ピン618を
有しており、これらのピンはハンダバッド622を介して
金属トラック606に接続されている。また構成要素624も
示されており、この構成要素は基板の表面604に設けら
れており、その2つの外面625、626はハンダ628の2つ
のビーズにより2つの金属トラック606に夫々接続され
ている。金属ハンダと照合電極610とのいずれの電気接
触を回避するために、構成要素614、616、624の組付け
の前に、630のような開口部を予期ハンダビード622、62
8のまわりでポリマーフィルム608に形成した。これらの
開口部は、構成要素をガードに設置する前に形成する
か、あるいはフィルム608をカードの表面604に接合する
前にこのフィルム608に形成するのがよい。変更例とし
て、試験すべき導体を支持する基板領域の機能として予
め形成されたフィルムまたはフィルム要素を装着前の基
板に設置してもよい。金属被覆体606の上面とフィルム6
08との間の632のような接触領域が試験箇所をなしてい
る。
Substrate 600 supports discrete components or components, such as integrated circuit package 616, on surface 603 thereof. The component has connection pins 618 which penetrate the substrate substrate in holes 620 provided at right angles to the metal tracks 606 on the other side of the substrate, these pins being connected via the solder pads 622 to the metal tracks. Connected to 606. Also shown is a component 624, which is provided on the surface 604 of the substrate and whose two outer surfaces 625, 626 are connected to two metal tracks 606 by two beads of solder 628, respectively. . To avoid any electrical contact between the metal solder and the reference electrode 610, anticipate openings such as 630 before assembly of the components 614, 616, 624 solder beads 622, 62
Around 8 formed a polymer film 608. These openings may be formed before the components are placed on the guard, or may be formed in the film 608 prior to bonding the film 608 to the card surface 604. Alternatively, a pre-formed film or film element as a function of the substrate area supporting the conductor to be tested may be placed on the substrate before mounting. Top surface of metal cover 606 and film 6
The contact area, such as 632 between 08 and 08, forms the test site.

これらの領域は、入射レーザビームを投射し、対応す
る金属ミラー609で反射されたビームを分析することに
よって監視することができる。この分析はBGO層451およ
びインターフェース層462を除去した第9図の装置に類
似する試験プローブで行なわれる。実際、平凸レンズ45
0から去る光はこのレンズの平らな面にすぐ隣接して設
けられたカードに当る。試験基板600の各箇所により、
この箇所を駆動する電圧作用で変化されて戻されたビー
ムは第3図の319のような構成により検出されて分析さ
れる。フィルム608と試験導体606との密着接触により、
監視すべき信号の優れた光学保存および良好な空間分解
能が確保される。検査すべき導電領域606Aが接地接続領
域606Bに近接して設けられた構成である或る基板構造
(第13b)では、電気光学フィルムの平面と平行な電界
が形成される(第13b図において電界レンズ640、64
1)。この電界の存在は他の方法では必要であるかも知
れない反対極性の電極いずれをも使用せずに直接試験す
ることができる。この場合ポッケルズ作用はフィルムの
平面における実質的な平行な、もはや直角でない電界に
よって現われる。
These areas can be monitored by projecting the incident laser beam and analyzing the beam reflected by the corresponding metal mirror 609. This analysis is performed with a test probe similar to the device of FIG. 9 with the BGO layer 451 and interface layer 462 removed. In fact, a plano-convex lens 45
Light leaving the zero impinges on a card provided immediately adjacent to the flat surface of the lens. Depending on each part of the test board 600,
The beam changed back by the voltage action driving this point is detected and analyzed by a configuration such as 319 in FIG. Due to the close contact between the film 608 and the test conductor 606,
Excellent optical storage of the signal to be monitored and good spatial resolution are ensured. In a certain substrate structure (13b) in which the conductive region 606A to be inspected is provided close to the ground connection region 606B, an electric field is formed parallel to the plane of the electro-optic film (see FIG. 13b). Lens 640, 64
1). The presence of this electric field can be tested directly without using any electrodes of the opposite polarity that might otherwise be necessary. In this case, the Pockels effect is manifested by a substantially parallel, no longer perpendicular electric field in the plane of the film.

本発明の他の実施例によれば、試験装置の光プローブ
に電気光学ポリマーフィルムを直接に使用することがで
きる。実際、これらの材料の良好な特性は、それらの電
気光学係数の高いレベルおよびそれらの低い誘電定数の
ため、この用途に非常に適している。これらの材料はBG
O結晶層451の代わりに、例えば、平凸レンズ450(第9
図)の平らな面に接合される層の形態で形成し得る。
According to another embodiment of the present invention, an electro-optic polymer film can be directly used for an optical probe of a test apparatus. In fact, the good properties of these materials are very suitable for this application because of their high level of electro-optic coefficient and their low dielectric constant. These materials are BG
Instead of the O crystal layer 451, for example, a plano-convex lens 450 (ninth
2) can be formed in the form of a layer which is bonded to the flat surface.

他の有利な技術によれば、各種類の基板には、この種
の基板に特有の電気光学変換器を使用することができ
る。これと関連して、上記種類のポリマーについてのコ
ストがそれほど高くはないという良好な結果がある。従
って、新規な各種類の被試験基板用に、試験中に光プロ
ーブと関連するように設計されているが、基板のその形
態に適している変換器を製造することが可能である。
According to another advantageous technique, for each type of substrate, an electro-optical transducer specific to this type of substrate can be used. In this connection, there is the good result that the costs for the above-mentioned types of polymers are not very high. Thus, for each new type of substrate under test, it is possible to produce a transducer that is designed to be associated with an optical probe during testing, but is suitable for that form of substrate.

変換器700(第14図および第15図)は、これを試験の
ために接続すると、プリント回路カード705の上面の構
成要素、はんだパッドおよび他の不連続部が位置決めさ
れる内部開口部すなわちキャビティを形成することがで
きるように低光弾性の加工容易なガラスまたは透明プラ
スチック材料製のプレート702の形態である。変換器700
の面710には、第12図を参照してすでに説明した種類の
電気光学ポリマーフィルムが付着されている。このフィ
ルム712はこれが支持プレート702と合わさるところで透
明なアルミニウム電極で被覆されている。フィルム712
の下面はこれもまたアルミニウムの反射層で被覆されて
いる。先に述べたように、この層は連続していないが、
相互に間隔をへだてた粒子で形成されており、基板の表
面上の導体と接触している粒子が隣接した導体と接する
ことがなく、あるいはその電位がこの隣接導体によって
影響されることがないようになっている。
Transducer 700 (FIGS. 14 and 15), when connected for testing, provides an internal opening or cavity in which components, solder pads and other discontinuities on the top surface of printed circuit card 705 are located. In the form of a plate 702 made of glass or transparent plastic material with low photoelasticity and easy to process. Converter 700
An electro-optical polymer film of the type already described with reference to FIG. The film 712 is coated with a transparent aluminum electrode where it meets the support plate 702. Film 712
Is also coated with a reflective layer of aluminum. As mentioned earlier, this layer is not continuous,
It is formed of particles that are spaced apart from each other, so that particles in contact with a conductor on the surface of the substrate do not come into contact with an adjacent conductor or their potential is not affected by this adjacent conductor. It has become.

開口部720、721は例えば、724のような構成要素を725
のようなハンダビーズに入り込ませ、それにより基板70
5を通っている構成要素727のピン726が変換器700の接触
する基板の表面730上の導体に固定されて受け入れられ
るように、変換器700に配列されている。
Apertures 720, 721 provide components, such as 724, for example.
Into the solder beads such as
Transducer 700 is arranged such that pins 726 of component 727 through 5 are fixedly received on conductors on surface 730 of the contacting substrate of transducer 700.

基板705および変換器700を操作装置(図示せず)によ
って合わせるとき、電気光学ポリマーフィルム712を基
板705の表面730の728、732のような導体と接触状態にす
るのに十分、変換器はプレート702により剛性になって
いる。敏感なフィルム712と接触子との間の寄生キャパ
シタンスは、良好な空間分解を達成し得る最小レベルで
あり、例えば、10ミクロン厚のラッカーでは0.1mmであ
る。第1図ないし第3図を参照して述べたような比較的
厚いインターフェースエラストマでは分解が可能である
という結果は実質的に良好である。このラッカーの薄い
厚さにより、非常に接近した試験箇所間の漏話を許容可
能な値に保つことができる。
When the substrate 705 and the transducer 700 are mated by an operating device (not shown), the transducer is a plate sufficient to bring the electro-optic polymer film 712 into contact with a conductor such as 728, 732 on the surface 730 of the substrate 705. 702 makes it more rigid. The parasitic capacitance between the sensitive film 712 and the contact is the minimum level that can achieve good spatial resolution, for example, 0.1 mm for a 10 micron thick lacquer. With relatively thick interface elastomers such as those described with reference to FIGS. 1 to 3, the result that disassembly is possible is substantially better. The low thickness of this lacquer keeps the crosstalk between test points very close together at an acceptable value.

支持プレートは平凡な機械手段によって製造し得る。
敏感なフィルム(第15図)はそれ自身、レーザによって
形成し得る。変換器組立体700は、BGOラッカー451およ
びエラストマインターフェース462により構成される構
造の代わりに光プローブの電界レンズ(第9図の45参
照)の平らな面と直接に接触して(あるいはこの面にす
ぐ隣接して)固定されるのがよい。変更例として、被試
験基板を挿入すると同時に、変換器組立体700をこのレ
ンズとは別々に操作してもよい。第13図の電気光学基板
の場合のように、フィルム部分又は電気光学的に敏感な
フィルムは分離していてもよく、また基板表面にわたっ
て分布された所定数の試験箇所すなわち領域に変形して
もよい。入射ビームを回路の被試験接続部用の導体に正
確に差し向けるためにビーム反射系統を校正する規準記
号728を位置決めし得るように、変換器700には、ミラー
または開口部728のない領域が設けられている。する
と、反射集成体433、434、444(第9図)の制御装置を
プログラミングして電気光学フィルムまたは材料を備え
ている変換器の領域に対応する基板の接続部に選択的に
信号を送るようにすることができる。
The support plate can be manufactured by routine mechanical means.
The sensitive film (FIG. 15) can itself be formed by laser. The transducer assembly 700 is in direct contact with (or on) the flat surface of the optical probe's electric lens (see 45 in FIG. 9) instead of the structure constituted by the BGO lacquer 451 and the elastomer interface 462. (Immediately adjacent). Alternatively, the transducer assembly 700 may be operated separately from the lens while the substrate under test is inserted. As in the case of the electro-optical substrate of FIG. 13, the film portion or electro-optically sensitive film may be separate and may be deformed into a predetermined number of test points or areas distributed over the substrate surface. Good. The transducer 700 has an area without mirrors or apertures 728 so that the reference symbol 728 that calibrate the beam reflection system to accurately direct the incident beam to the conductor for the connection under test of the circuit can be positioned. Is provided. The controller of the reflective assemblies 433, 434, 444 (FIG. 9) is then programmed to selectively send signals to the connections of the substrate corresponding to the area of the transducer comprising the electro-optic film or material. Can be

第16図は電気光学フィルム740の概略断面図であり、
このフィルム740はその一方の面に透明な照合電極742を
設けある。フィルムの他方の面はアルミニウムを薄く付
着させることにより形成された小さいミラー744の検査
パターンで被覆されている。測定のコントラストを更ら
に増大させるために、ポリマーをミラー間でエッチング
(例えば化学的に)して必要な分解程度の深さ(例え
ば、0.1mm)のへこみ706を形成してある。かくして、2
つの相隣るミラー744間のキャパシタンスは減小され
る。このフィルムは第14図および第15図の変換器700に
使用することができる。
FIG. 16 is a schematic sectional view of the electro-optical film 740,
This film 740 has a transparent reference electrode 742 provided on one surface thereof. The other side of the film is covered with a test pattern of small mirrors 744 formed by depositing a thin layer of aluminum. To further increase the contrast of the measurement, the polymer is etched (eg, chemically) between the mirrors to form a dimple 706 of the required resolution (eg, 0.1 mm). Thus, 2
The capacitance between two adjacent mirrors 744 is reduced. This film can be used in the transducer 700 of FIGS. 14 and 15.

本発明により完成基板、すなわち、ラッカーで被覆さ
れた基板を試験することができるという上記の点のほか
に、本発明の他の利点としては、内部接続点の活量を観
察することができ、従来の試験装置については、ほとん
ど中断が伴う。実際、電流が流れる要素であるプローブ
とあらゆる接触により、監視回路の正常な作動を中断
し、従来の試験装置では、試験しているときでも、して
いないときでも、監視回路は同じようには作動するはず
がない。
In addition to the above-mentioned point that the present invention makes it possible to test a finished substrate, that is, a substrate coated with lacquer, another advantage of the present invention is that the activity of internal connection points can be observed, Conventional test equipment is almost always interrupted. In fact, any contact with the probe, the current carrying element, interrupts the normal operation of the monitoring circuit, and with conventional test equipment, the monitoring circuit, whether or not it is testing, It should not work.

在来の試験装置では、監視回路が機能し得る最大速度
は或る場合には試験の必要条件によって制限されること
がある。かくして、回路が正常に機能すべきである情況
と同じ作動情況では、試験は行なわれない。これによ
り、従来の試験装置では、その手動診断プローブが高い
キャパシタンス(約100pf)を有しているという問題が
ある。他方、インターフェース部材18は1pfのキャパシ
タンスを有しているだけであり、かくして試験中、最高
速度で回路の作動を行うことができる。
In conventional test equipment, the maximum speed at which the monitoring circuit can function may in some cases be limited by test requirements. Thus, in the same operating situation in which the circuit should function properly, no test is performed. As a result, the conventional test apparatus has a problem that the manual diagnostic probe has a high capacitance (about 100 pf). On the other hand, the interface member 18 only has a capacitance of 1 pf, so that the circuit can operate at full speed during the test.

以上に述べた電気光学材料は、電界の作用下で、この
電界に応じて横切る領域においてこれらの材料を通るビ
ームの偏光角である。意図した波長での実質的に線形の
電気光学作用(ポッケルズ作用)を生じる。他の材料は
二次作用(ケル作用)を呈し、この二次作用に応じて、
偏光角の変化が電界の面積単位〔100平方フィート(=
9.29cm2)〕に比例する。この特性は本発明の別の実施
例(第6図)に使用され、この実施例では、光は試験す
べき電気回路の基板62にプリントされた導体61のような
導体に電気に近接して設けられた二次電気光学媒体60に
全体として横方向に差し向けられる。
The electro-optic materials mentioned above are the angles of polarization of the beams passing through these materials in the region traversed in response to this electric field under the action of the electric field. A substantially linear electro-optic effect (Pockels effect) occurs at the intended wavelength. Other materials exhibit a secondary action (Kell action), and according to this secondary action,
The change in the polarization angle is the area unit of the electric field [100 square feet (=
9.29cm 2 )]. This property is used in another embodiment of the invention (FIG. 6), in which light is brought into close electrical contact with a conductor, such as conductor 61 printed on a substrate 62 of the electrical circuit to be tested. It is directed laterally as a whole to the provided secondary electro-optical medium 60.

光は検出器63により媒体50の反対縁面のところで受け
られ、この検出器63はすでに概説した原理に従って出力
64を生じる。この出力64は前述のようにATEで使用する
ことができる。
Light is received by the detector 63 at the opposite edge of the medium 50, which outputs according to the principles outlined above.
Yields 64. This output 64 can be used in ATE as described above.

電気光学媒体60の上面には、電極65のような電極が光
の進路に沿って付着されている。電気接続(図示せず)
により各電極を所定の電位、例えば、基準電位に対して
ゼロまたは20ボルトの電位までバイアスすることができ
る。
On the upper surface of the electro-optical medium 60, an electrode such as the electrode 65 is attached along the light path. Electrical connection (not shown)
Can bias each electrode to a predetermined potential, eg, zero or 20 volts relative to a reference potential.

これらの条件下では、検出器63で受けられた透過光の
性質は電気光学媒体の前後で現われる電位により決ま
る。媒体の下方の回路を励磁すると、これらの電位は継
電部材66を介して媒体60の下面に継電される。0ボルト
でロジック0、また5ボルトでロジック1を有するディ
ジタル回路を例にとり、すべてのバイアス電極65が0ボ
ルトにバイアスされていると仮定すると、0ボルトまた
は5ボルトのいずれかの電位が電気光学媒体60に印加さ
れる。
Under these conditions, the nature of the transmitted light received by detector 63 is determined by the potential appearing before and after the electro-optic medium. When the circuit below the medium is excited, these potentials are relayed to the lower surface of the medium 60 via the relay member 66. Taking the example of a digital circuit having a logic 0 at 0 volts and a logic 1 at 5 volts, assuming that all bias electrodes 65 are biased to 0 volts, then either 0 volts or 5 volts of electro-optic Applied to the medium 60.

本発明のこの実施例用に選択した電気光学媒体、例え
ば、レーザビームの光ゲートの制御用に使用される種類
のPLZTセラミック組成物の特性(第7図)は作用対電圧
を形成する曲線70である。
The characteristics (FIG. 7) of the electro-optic medium selected for this embodiment of the invention, for example, a PLZT ceramic composition of the type used for controlling the optical gate of a laser beam, are shown in FIG. It is.

かくして、0〜5ボルトの印加電位では、電気光学作
用は縦座標に沿ったaとbとの間で検出される。今、1
つの電極、例えば、電極65が20Vの電位にバイアスされ
ていると仮定する。すると、導体61の領域に媒体60の前
後に現われる有効電位は20ボルト(ロジック0)または
15ボルト(ロジック6)のいずれかである。これらの電
位はcとdとの間に作用を生じる。
Thus, at an applied potential of 0-5 volts, the electro-optic effect is detected between a and b along the ordinate. Now one
Assume that one electrode, for example, electrode 65, is biased to a potential of 20V. Then, the effective potential appearing before and after the medium 60 in the area of the conductor 61 is 20 volts (logic 0) or
15 volts (logic 6). These potentials act between c and d.

従って、バイアスされた電極の領域に現われる動信号
は未バイアス領域に生じる累積効果と区別され、振りc
−dは振りa−bより非常に大きい。従って、電極を選
択的にバイアスすることによって、光の進路に沿った任
意の領域の活量を検査することができる。
Therefore, the dynamic signal appearing in the region of the biased electrode is distinguished from the cumulative effect occurring in the unbiased region,
-D is much larger than swing ab. Therefore, by selectively biasing the electrodes, the activity of an arbitrary region along the light path can be inspected.

任意の領域の活量を検査するのに、縁方向に延びる検
出器列80(第8図)を必要とする。第6図の実施例の諸
部分が第8図の部分に対応する場合、共同の参照番号を
使用した。
In order to check the activity of an arbitrary area, a detector row 80 (FIG. 8) extending in the edge direction is required. Where parts of the embodiment of FIG. 6 correspond to those of FIG. 8, joint reference numerals have been used.

電極65のようなバイアス電極は媒体における光の伝播
方向と実質的に直角の方向に媒体60を横切って横方向に
ストリップ状に延びており、任意の領域の電気活量を、
その領域をバイアスする電極を付勢し、その領域を通る
光を受ける81のような検出器出力信号を選択することに
よって調べることができるようになっている。
A bias electrode, such as electrode 65, extends laterally across the medium 60 in a direction substantially perpendicular to the direction of light propagation in the medium in a strip-like manner to reduce the electrical activity of any region.
The electrode that biases the region is energized and can be examined by selecting a detector output signal, such as 81, that receives light through the region.

本発明によるATEを作動するように構成する方法を以
下に述べる。
A method for configuring an ATE according to the present invention to operate is described below.

プリント回路基板のような組立て回路では、出力各々
の状態は入力の先行状態により決まるのは明らかであ
り、例えば、良好な回路であるとわかっている場合、K
番目の出力の状態SKは入力の状態の列〔E〕の関数FKで
あり、これはSK=FK(〔E〕0)と表わすことができ
る。
Obviously, in an assembled circuit, such as a printed circuit board, the state of each output is determined by the prior state of the input. For example, if a good circuit is known, K
The state SK of the third output is a function FK of the sequence [E] of input states, which can be expressed as SK = FK ([E] 0).

従来技術の機能的試験装置の目的は、回路に指定され
た入力状態の列〔E〕の場合、K番目の出力の状態SKの
ような各出力の状態が回路の正しい作動の特徴を表わす
FKのような関数を適用することにより入力状態の列
〔E〕上に首尾よく見つけ出されるということを証明す
ることである。
The purpose of the prior art functional test apparatus is that for a sequence of input states [E] assigned to the circuit, the state of each output, such as the state SK of the Kth output, characterizes the correct operation of the circuit.
The goal is to prove that a function like FK can be successfully found on the sequence [E] of input states.

そうでないなら、すなわち、K番目の出力のような少
なくとも1つの出力の状態が正しくないなら、例えば、
S′KがSKの場所をとるなら、監視回路が故障している
ことは明らかである。
Otherwise, ie, if the state of at least one output, such as the Kth output, is incorrect, for example,
If S'K takes the place of SK, it is clear that the monitoring circuit has failed.

しかしながら、この情報は回路の修理の助けにはなら
なく、またSKおよび〔E〕の依頼性が非常に複雑である
ことはわかるであろう。
However, it will be appreciated that this information does not aid in circuit repair and that the SK and [E] requirements are very complex.

更らに調べてみると、出力各々の状態は内部回路接続
点がとる状態を介して入力の状態により決まることがわ
かる。良好な回路の場合、K番目の出力の状態SKがGKと
して示される関数によって、直接だけではなく、第1内
部接続点の状態I1、第2内部接続点の状態I2等・・・を
介しても入力の状態の列〔E〕により決まり、これはn
個の接続点を有する回路の場合、次式で表わされる。
Further examination shows that the state of each output is determined by the state of the input through the state taken by the internal circuit connection point. In the case of a good circuit, the state SK of the K-th output is not only directly, but also the state I 1 of the first internal connection point, the state I 2 of the second internal connection point, etc. Also depends on the sequence of input states [E], which is n
In the case of a circuit having the number of connection points, it is expressed by the following equation.

SK=GK(I1、I2・・・、In) K番目の出力が状態SKをとるのに代わって状態S′K
をとるなら、第1接続点が状態I1をとるのに代わって状
態I′をとるため、および/あるいは第3接続点が状
態I3をとるのに代わって状態I′をとるため等・・
・、下記式のような一連の可能性が生じる。
SK = GK (I 1, I 2 ···, I n) state on behalf of the K-th output takes a state SK S'k
, The first connection point takes the state I ′ 1 instead of taking the state I 1 , and / or the third connection point takes the state I ′ 3 instead of taking the state I 3. etc··
・ There is a series of possibilities as shown in the following equation.

S′K=GK(I′、I′・・・In)または S′K=GK(I1、I2、I3・・・In)または S′K=GK(I′、I2、I′・・In)、等・・ 一般に、異常状態S′Kの出現は、従来の試験装置が
長期のかつ困難な追加の関数に頼らずに実際の原因を検
出することができないような可能性のある多くの原因に
よりプリオリ(priori)である。
S'K = GK (I '1, I' 2 ··· I n) or S'K = GK (I 1, I 2, I 3 ··· I n) or S'K = GK (I '1 and I 2, I '3 ·· I n), etc .. in general, the appearance of the abnormal state S'K the conventional test device detects the actual cause without resorting to long and difficult additional functions It is a priori due to many possible causes that may not be possible.

対照的に、本発明によるATEは、診断中、すなわち、
試験回路の関数上の問題を回路の出力接続点の検査にお
いて少なくとも1つの異常な結果で示して証明した後、
次の如く使用することができる。まず、内部接続点を選
んで検査し、すべての可能性のある状態または望ましい
状態の組合せを回路の入力接続点に適用する一方、対応
する接続点の状態を調べて記録する。得られた結果のデ
ータから、出来るだけ多くの可能性のある故障の推定を
取り除く。
In contrast, ATE according to the invention is diagnostic, i.e.
After proving the functional problem of the test circuit by showing at least one abnormal result in the test of the output connection point of the circuit,
It can be used as follows. First, the internal connection points are selected and examined, and all possible states or combinations of desired states are applied to the input connection points of the circuit, while the states of the corresponding connection points are examined and recorded. Remove as many possible fault estimates from the resulting data as possible.

次いで、他の接続点を選び、同じ手順をくり返す。か
くして、故障の原因の証拠が現われるまで、内部接続点
を1つずつ調べる。
Next, another connection point is selected, and the same procedure is repeated. Thus, the internal connection points are examined one at a time until evidence of the cause of the failure appears.

当業者は、本発明が専門装置の使用を含む従来の引返
し技術に頼る上記の1つの実施例に限定されないことを
わかるであろう。
Those skilled in the art will appreciate that the present invention is not limited to the one embodiment described above that relies on conventional turnaround techniques, including the use of specialized equipment.

また、当業者は、上記の諸実施例がたった1つの光ビ
ームを使用しているが、いくつかのビームの使用も本発
明の範囲に入ることをわかるであろう。
Also, those skilled in the art will recognize that although the embodiments described above use only one light beam, the use of several beams is also within the scope of the invention.

最後に、回路の試験について述べてきた構造はこのよ
うな回路が供給する信号のスペクトル分析器と組合せる
ことができる。かくして、上記装置では、信号を実時間
で記録し、試験は所定の瞬間にパルスの有無のみを考慮
する。使用した検出器の帯域により限定される装置の帯
域は例えば100MHzの領域にある。
Finally, the structure described for testing circuits can be combined with a spectrum analyzer of the signals provided by such circuits. Thus, the device records the signal in real time and the test only considers the presence or absence of a pulse at a given moment. The band of the device which is limited by the band of the used detector is, for example, in the region of 100 MHz.

ところが、非常に大きい周波数での波長の詳細な分析
は、サンプリング(ストロボスコープ)技術により、第
21図を参照して以下に述べるように作動することによっ
て達成することができる。
However, detailed analysis of wavelengths at very large frequencies requires sampling (stroboscope) technology.
This can be achieved by operating as described below with reference to FIG.

すべて述べた種類のCWレーザ901が試験光を光学装置9
02に向けて投射するように配置されている。この装置は
上記形式のものである。この装置は、例えば電界レンズ
および第9図を参照して述べた形式の電気光学変換器を
備える電気光学構造を横切って被試験回路907の方向に
投射される分析光ビーム903を生じて掃引する。反射さ
れた光信号は分割器により分割され、そして検出器914
に伝えられる。
A CW laser 901 of all the mentioned types converts the test light into an optical device 9
It is arranged to project toward 02. This device is of the type described above. The apparatus produces and sweeps an analytical light beam 903 that is projected in the direction of the circuit under test 907 across an electro-optic structure comprising, for example, an electro-optic lens and an electro-optic transducer of the type described with reference to FIG. . The reflected light signal is split by a splitter and the detector 914
Conveyed to.

パルス型の第2レーザ920が設けられており、このレ
ーザは回路907の入力部922に加えられる試験励磁に応じ
て、回路の接続点で生じる信号の持続時間に対して非常
に短かいパルスを所定の反復率で発する。
A pulsed second laser 920 is provided which, in response to a test excitation applied to the input 922 of the circuit 907, generates a very short pulse for the duration of the signal occurring at the connection of the circuit. Emit at a given repetition rate.

レーザ920の光パルスは一方では光検出器924に差し向
けられ、他方では、分割器925を経て、可変光遅延路を
通して反射器932に差し向けられ、この反射器932はパル
スをレーザ900の光出力として同じ軸線に沿って光学装
置の入力部に差し向ける。遅延路926は分割器925のビー
ム出力の方向に直角に曲げる2つの可動反射器927、928
と、ビームを反射器932の方向に再び整合させる固定反
射器929とを備えている。パルスレーザ920と光学装置90
2との間のビームに課せられた光の遅れは2つの反射器9
27、928および固定ミラー929を近づけたり遠ざけたり
(矢印930)することによって緩和することができる。
The light pulse of laser 920 is directed on the one hand to a photodetector 924 and, on the other hand, via a splitter 925 to a reflector 932 through a variable optical delay path, which reflects the pulse of laser 900 light. The output is directed along the same axis to the input of the optical device. Delay path 926 comprises two movable reflectors 927, 928 which bend at right angles to the direction of the beam output of splitter 925.
And a fixed reflector 929 that realigns the beam in the direction of the reflector 932. Pulse laser 920 and optical device 90
The light delay imposed on the beam between 2 and 2
This can be alleviated by moving the 27, 928 and fixed mirrors 929 closer and further away (arrow 930).

光検出器924の電気出力部は同期化装置940に接続さ
れ、この同期化装置は回路基板907の入力部に接続され
た試験信号発生器942を制御して電気パルスをパルスレ
ーザの反復率に等しい反復率で入力部に入力するように
なっている。
The electrical output of the photodetector 924 is connected to a synchronizer 940, which controls a test signal generator 942 connected to the input of the circuit board 907 to convert the electrical pulses to the pulse laser repetition rate. Input is made to the input unit at an equal repetition rate.

レーザ920のパルスの持続時間は入力部22でのパルス
と比較して非常に短かい。レーザパルスの長さと比較し
て低い帯域幅の検出装置914が発する信号を多数のサン
プル上で集積する。パルスレーザ920と光学装置902との
間の光路の適当な調整によって波形または回路接続点の
各箇所を検査することができる。
The pulse duration of the laser 920 is very short compared to the pulse at the input 22. The signal emitted by the low bandwidth detector 914 compared to the length of the laser pulse is integrated over a number of samples. Appropriate adjustment of the optical path between the pulsed laser 920 and the optical device 902 can be used to inspect each waveform or circuit connection point.

変更例として、同期化パルスの電気的調整を行っても
よい。試験に使用中、連続レーザ900は発光し、パルス
レーザはオフである。詳細なタイミング分析では、レー
ザ900をオフにし、パルスレーザ920を励磁する。
As a modification, an electrical adjustment of the synchronization pulse may be performed. During use in the test, the continuous laser 900 emits light and the pulsed laser is off. In the detailed timing analysis, the laser 900 is turned off and the pulse laser 920 is excited.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明によるATEの実施例を示す図;第2図は
第1図の装置の諸部分を示す図;第3図は光学組立体の
図;第4図はインターフェース要素の図;第5図は別の
インターフェース要素の図;第6図は本発明による別の
ATEの図;第7図は印加電圧に対する電気光学作用の特
性を示すグラフ;第8図は第6図のATEの要素を示す斜
視図;第9図は被試験回路基板の表面を光学的に検査す
るのに使用する反射装置の具体例の概略図;第10図は光
分離体の具体例の図;第11図は試験中の接触要素の配置
を示す図;第12a図および第12b図は電気光学フィルムの
異方性表示を示す図;第13図は試験のために電気光学ポ
リマーを組入れたプリント回路基板の断面図;第13b図
は第13図の変更例を或る程度詳細に示す図;第14図は予
め形成した電気光学フィルムを基板に配置した実施例の
図;第15図は第14図で使用したフィルムの平面図;第16
図は第14図で使用したフィルムの別の具体例の図;第17
図および第18図は本発明を実施するのに有用なポリマー
フィルムを製造する方法を示す概略図;第19図は干渉測
定式ファブリーペロット技術によってポッケルズ作用を
検出する構造を示す図;第20図は第19図の技術の変更例
を示す図;第21図は回路接続点での信号の波形を詳細に
分析する構造を示す図である。 10……電気光学媒層、11……プリント回路基板、15……
構成要素、16、17……導体、18……インターフェース部
材、30……レーザ、32、34……レンズ、33……音響光学
反射器、36……反射表面、38……試験箇所、101……
源、102……位置決め手段、103……検出器、104……ビ
ーム分割器、111……支柱、114……支柱、116……導電
性フィルム、118……分離保護ラッカーフィルム
1 shows an embodiment of an ATE according to the invention; FIG. 2 shows parts of the device of FIG. 1; FIG. 3 shows a view of the optical assembly; FIG. 5 is a diagram of another interface element; FIG. 6 is another diagram of the present invention.
FIG. 7 is a graph showing characteristics of the electro-optical action with respect to an applied voltage; FIG. 8 is a perspective view showing elements of the ATE of FIG. 6; FIG. 10 is a schematic diagram of an embodiment of a reflector used for inspection; FIG. 10 is a diagram of an embodiment of a light separator; FIG. 11 is a diagram showing an arrangement of a contact element under test; FIGS. 12a and 12b. FIG. 13 shows an anisotropic representation of an electro-optic film; FIG. 13 is a cross-sectional view of a printed circuit board incorporating an electro-optic polymer for testing; FIG. 13b shows a modification of FIG. 13 in some detail. FIG. 14 is a view of an embodiment in which a preformed electro-optical film is arranged on a substrate; FIG. 15 is a plan view of the film used in FIG. 14;
Figure shows another embodiment of the film used in FIG. 14;
FIG. 18 and FIG. 18 are schematic diagrams showing a method for producing a polymer film useful for practicing the present invention; FIG. 19 is a diagram showing a structure for detecting Pockels action by the interferometric Fabry-Perot technique; FIG. 21 is a diagram showing a modification of the technique in FIG. 19; FIG. 21 is a diagram showing a structure for analyzing the waveform of a signal at a circuit connection point in detail. 10 ... electro-optical medium layer, 11 ... printed circuit board, 15 ...
Components, 16, 17 ... conductor, 18 ... interface member, 30 ... laser, 32, 34 ... lens, 33 ... acousto-optic reflector, 36 ... reflective surface, 38 ... test point, 101 ... …
Source 102, positioning means 103, detector 104, beam splitter 111, support, 114 support, 116, conductive film 118, separation protection lacquer film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−18071(JP,A) 特開 昭60−73366(JP,A) 特開 昭63−204172(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-64-18071 (JP, A) JP-A-60-73366 (JP, A) JP-A-63-204172 (JP, A)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】絶縁支持体の少なくとも一方の表面に形成
された導体回路網により相互に電子素子を接続している
印刷回路のような回路を試験する装置において、 試験されている回路への試験信号の印加に対する応答と
して導体に現れる電圧の影響により入射光を分析できる
よう使用時に電気的に近接して前記の導体回路網を支持
している表面に配置される、前記の回路の大きさと実質
的に同じ大きさの電気光学媒体層と、前記の印刷回路の
表面を個別にサンプリングするため前記の電気光学媒体
層の対応する個別の区域へ偏光を順次投影する手段とを
備え、更に相互に隔離された複数の本質的に平行な導電
性支柱を備えるインターフェース部材を含み、このイン
ターフェース部材を介して前記の電気光学媒体層を電気
的に近接して導体回路網を支持している表面に配置し、
この表面に存在する電位を前記の電気光学媒体層に中継
するようにしたことを特徴とする装置。
An apparatus for testing a circuit, such as a printed circuit, which interconnects electronic components by means of a conductive network formed on at least one surface of an insulating support, the test on the circuit being tested. The size and substantially the size of the circuit, disposed in electrical proximity to the surface supporting the conductive network in use so that incident light can be analyzed by the effect of voltage appearing on the conductor in response to the application of a signal. Electro-optic media layers of the same size, and means for sequentially projecting polarized light onto corresponding individual areas of the electro-optic media layer for individually sampling the surface of the printed circuit, further comprising: A conductive network including an interface member having a plurality of isolated, substantially parallel conductive struts, in electrical proximity of said electro-optic media layer via said interface member Placed on the surface that supports
An apparatus wherein an electric potential present on the surface is relayed to the electro-optical medium layer.
【請求項2】インターフェース部材の表面を、組み合わ
される回路の表面輪郭に嵌まり合うような形状にした請
求項1に記載の装置。
2. The apparatus of claim 1, wherein the surface of the interface member is shaped to fit the surface contour of the circuit to be mated.
【請求項3】絶縁支持体の少なくとも一方の表面に形成
された導体回路網により相互に電子素子を接続している
印刷回路のような回路の少なくとも一つの区域の電圧試
験に用いる変換器において、 前記の導体回路網内の前記の少なくとも一つの区域に電
気的に近接して一面を配置することのできる形状寸法の
電気光学的ポリマーフイルム要素と、 この電気光学的ポリマーフイルム要素の前記の一面を覆
っており、電気光学的ポリマーフイルム要素を通過して
電圧試験区域に至り、その電圧試験区域の電圧を表して
いる入射光を電気光学的ポリマーフイルム要素の他面に
向かって反射する反射膜と、 試験入射光を透過することができ、基準電位に維持され
ている導電膜と を含むことを特徴とする変換器。
3. A transducer for use in voltage testing of at least one area of a circuit, such as a printed circuit, interconnecting electronic components by means of a conductive network formed on at least one surface of an insulating support, An electro-optic polymer film element of a geometry capable of placing a surface in electrical proximity to said at least one area in said conductive network; and said one side of said electro-optic polymer film element. A reflective film overlying, passing through the electro-optic polymer film element to the voltage test zone, and reflecting incident light representing the voltage of the voltage test zone toward the other surface of the electro-optic polymer film element; And a conductive film capable of transmitting test incident light and being maintained at a reference potential.
【請求項4】絶縁支持体の少なくとも一方の表面に形成
された導体回路網により相互に電子素子を接続している
印刷回路において、 前記の導体回路網の個々の試験区域の各々の上に電気光
学的ポリマーフイルム要素を配置し、前記の試験区域に
近い電気光学的ポリマーフイルム要素の表面に、電気光
学的ポリマーフイルム要素を通過して電圧試験区域に至
り、その電圧試験区域の電圧を表す入射光を反対の表面
の方へ反射できる層を設けたことを特徴とする印刷回路
板。
4. A printed circuit connecting electronic components to one another by means of a conductive network formed on at least one surface of an insulating support, wherein an electrical test is carried out on each of the individual test areas of said conductive network. An optical polymer film element is arranged, and an incidence on the surface of the electro-optic polymer film element close to the test area, passing through the electro-optical polymer film element to the voltage test area and representing the voltage of the voltage test area A printed circuit board provided with a layer capable of reflecting light toward an opposite surface.
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EP87/10870 1988-07-22
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