JP2838914B2 - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、感圧半導体チップのダ
イヤフラム部の一面側の空間が圧力基準室となり、他面
側に加えられる圧力の絶対圧を測定する半導体圧力セン
サの製造方法に関する。
イヤフラム部の一面側の空間が圧力基準室となり、他面
側に加えられる圧力の絶対圧を測定する半導体圧力セン
サの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体圧力センサは、半導体のピエゾ抵
抗効果を利用して圧力を電気信号に変換するもので、さ
らにＩＣプロセス技術を利用して周辺回路を含めた集積
化が試みられている。図２は三浦, 酒井により富士時報
61巻537 ページ(1988 年) に記述されたワンチップ型圧
力センサの一例で、半導体チップ１は、20〜100 μｍに
薄く成形されたダイヤフラム部に感圧用の抵抗が、その
周辺部に増幅, 温度補償等のための抵抗, 増幅器等より
なる集積回路がそれぞれ形成されている。この半導体チ
ップ１が熱膨脹係数の類似している半導体あるいはガラ
ス等からなる台座２の上にはんだ等を用いて固着され、
その台座２の開口部がガス導入管21に連通している。こ
の導入管21は容器ステム22にはんだで固着され、このス
テム22とキャップ３が結合されて基準圧力室４を形成し
ている。調整抵抗, コンデンサ５等を搭載したセラミッ
ク基板６はスペーサ23を介してステム22に固着され、チ
ップ１上の回路から電気信号がAl導線７により基板６上
の厚膜回路に伝達される。厚膜回路の電源への接続ある
いは出力信号の外部への取出しはリード線24を介して行
われる。圧力基準室４には封入管25を通じてHeガスが封
入されている。
抗効果を利用して圧力を電気信号に変換するもので、さ
らにＩＣプロセス技術を利用して周辺回路を含めた集積
化が試みられている。図２は三浦, 酒井により富士時報
61巻537 ページ(1988 年) に記述されたワンチップ型圧
力センサの一例で、半導体チップ１は、20〜100 μｍに
薄く成形されたダイヤフラム部に感圧用の抵抗が、その
周辺部に増幅, 温度補償等のための抵抗, 増幅器等より
なる集積回路がそれぞれ形成されている。この半導体チ
ップ１が熱膨脹係数の類似している半導体あるいはガラ
ス等からなる台座２の上にはんだ等を用いて固着され、
その台座２の開口部がガス導入管21に連通している。こ
の導入管21は容器ステム22にはんだで固着され、このス
テム22とキャップ３が結合されて基準圧力室４を形成し
ている。調整抵抗, コンデンサ５等を搭載したセラミッ
ク基板６はスペーサ23を介してステム22に固着され、チ
ップ１上の回路から電気信号がAl導線７により基板６上
の厚膜回路に伝達される。厚膜回路の電源への接続ある
いは出力信号の外部への取出しはリード線24を介して行
われる。圧力基準室４には封入管25を通じてHeガスが封
入されている。
【０００３】図２に示す構造の絶対圧型圧力センサには
次の欠点がある。 (イ) 容器が金属で形成され、その上寸法も大きいので
高価である。 (ロ) 導圧管に加わる圧力が高圧である場合、それによ
って生ずる引張応力に対応する固着強度をチップ１と台
座２、台座２と導圧管21の間に確保しなければならず、
固着面積を大きくとる必要があり、高価になる。
次の欠点がある。 (イ) 容器が金属で形成され、その上寸法も大きいので
高価である。 (ロ) 導圧管に加わる圧力が高圧である場合、それによ
って生ずる引張応力に対応する固着強度をチップ１と台
座２、台座２と導圧管21の間に確保しなければならず、
固着面積を大きくとる必要があり、高価になる。
【０００４】これに対する安価な構造として図３に示す
絶対圧型半導体圧力センサが特開平２−45721 号公報に
記載されている。この半導体圧力センサは、感圧チップ
１を開口部のない台座２の上に静電接合法で固着して、
チップの凹部と台座によって生ずる空間を真空の圧力基
準室４とし、このチップ１と台座２をキャップ３と容器
を形成する厚膜回路基板６の開口部を閉塞する金属薄板
８の上に支持させたものである。チップ１の集積回路と
基板６の配線とはAl導線７で接続されている。測定圧力
をもつ気体は、キャップ３に形成された導圧管21を通じ
てチップ１のダイヤフラムの上面に導かれる。この場合
は、測定圧力が高圧になってもチップ１と台座２との間
には圧縮力が加わるので、固着面積を大きくする必要が
ない。
絶対圧型半導体圧力センサが特開平２−45721 号公報に
記載されている。この半導体圧力センサは、感圧チップ
１を開口部のない台座２の上に静電接合法で固着して、
チップの凹部と台座によって生ずる空間を真空の圧力基
準室４とし、このチップ１と台座２をキャップ３と容器
を形成する厚膜回路基板６の開口部を閉塞する金属薄板
８の上に支持させたものである。チップ１の集積回路と
基板６の配線とはAl導線７で接続されている。測定圧力
をもつ気体は、キャップ３に形成された導圧管21を通じ
てチップ１のダイヤフラムの上面に導かれる。この場合
は、測定圧力が高圧になってもチップ１と台座２との間
には圧縮力が加わるので、固着面積を大きくする必要が
ない。
【０００５】図４は、さらに小型の安価な構造を示す。
この場合は台座２は容器ステム22の上に接着剤などで固
着され、チップ１の上面に形成された回路とステム22を
貫通するリード線24とは導線７で接続されている。チッ
プ１には薄膜抵抗を用いた調整抵抗も搭載している。容
器はキャップ３によって閉塞され、測定圧力をもつ気体
は、キャップ３に明けられた導圧口26を通じてチップ１
のダイヤフラムの上面に導かれる。図３, 図４のように
感圧チップ１の凹部と穴の明いてない台座２とにより真
空基準圧力室４を形成することにより、チップ１のダイ
ヤフラムの厚さを変えるだけで高圧を検出できる圧力セ
ンサとすることができ、系列化が容易になる。
この場合は台座２は容器ステム22の上に接着剤などで固
着され、チップ１の上面に形成された回路とステム22を
貫通するリード線24とは導線７で接続されている。チッ
プ１には薄膜抵抗を用いた調整抵抗も搭載している。容
器はキャップ３によって閉塞され、測定圧力をもつ気体
は、キャップ３に明けられた導圧口26を通じてチップ１
のダイヤフラムの上面に導かれる。図３, 図４のように
感圧チップ１の凹部と穴の明いてない台座２とにより真
空基準圧力室４を形成することにより、チップ１のダイ
ヤフラムの厚さを変えるだけで高圧を検出できる圧力セ
ンサとすることができ、系列化が容易になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図３, 図４に示した圧
力センサでは、感圧チップ１のダイヤフラム部周辺部に
形成されたゲージ抵抗や集積回路の上面に導圧管21ある
いは導圧口26から容器内に入る気体が触れるため、その
気体に含まれる水蒸気の影響で集積回路の特性が劣化す
る問題がある。本発明の目的は、この問題を解決し、構
造簡単で信頼性の高い半導体圧力センサの低いコストで
の製造方法を提供することにある。
力センサでは、感圧チップ１のダイヤフラム部周辺部に
形成されたゲージ抵抗や集積回路の上面に導圧管21ある
いは導圧口26から容器内に入る気体が触れるため、その
気体に含まれる水蒸気の影響で集積回路の特性が劣化す
る問題がある。本発明の目的は、この問題を解決し、構
造簡単で信頼性の高い半導体圧力センサの低いコストで
の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、半導体素体が一面から凹部を形成して
なるダイヤフラムを有し、その素体の前記一面のダイヤ
フラム部に感圧用の抵抗が、ダイヤフラムの周辺部に集
積回路がそれぞれ設けられ、半導体素体は近似した熱膨
張係数を有する材料からなる台座上に固定され、前記凹
部が台座によって閉塞されてなる密閉空間を基準圧力室
としてダイヤフラムの反凹部側の面上に導かれる気体と
の圧力差を検知する半導体圧力センサの製造方法におい
て、半導体素体を台座上に固定し、半導体素体上の集積
回路に導線を接続後、その導線がかくれる程度に液状樹
脂をキャップ及び底板からなる容器内部に注入し、次い
でその樹脂を一部を残して排除し、残った樹脂を硬化さ
せて樹脂膜を形成するものとする。その液状樹脂がシリ
コーン注封剤であることが有効である。そして、そし
て、シリコーン注封剤硬化後、導線がかくれる程度にふ
っ素系樹脂をキャップ及び底板から構成される容器内部
に注入したのち、その被覆剤の一部を残して排除し、残
った被覆剤を硬化させることが有効である。さらには、
予め一面上をポリイミド膜で被覆した半導体素体を用い
ること、あるいは半導体素体を台座上に固定し、半導体
素体上の集積回路に導線を接続後、その素体一面上にポ
リイミドを塗布し、硬化させたのち液状樹脂の注入をキ
ャップ及び底板から構成される容器内部に行うことも有
効である。
めに、本発明は、半導体素体が一面から凹部を形成して
なるダイヤフラムを有し、その素体の前記一面のダイヤ
フラム部に感圧用の抵抗が、ダイヤフラムの周辺部に集
積回路がそれぞれ設けられ、半導体素体は近似した熱膨
張係数を有する材料からなる台座上に固定され、前記凹
部が台座によって閉塞されてなる密閉空間を基準圧力室
としてダイヤフラムの反凹部側の面上に導かれる気体と
の圧力差を検知する半導体圧力センサの製造方法におい
て、半導体素体を台座上に固定し、半導体素体上の集積
回路に導線を接続後、その導線がかくれる程度に液状樹
脂をキャップ及び底板からなる容器内部に注入し、次い
でその樹脂を一部を残して排除し、残った樹脂を硬化さ
せて樹脂膜を形成するものとする。その液状樹脂がシリ
コーン注封剤であることが有効である。そして、そし
て、シリコーン注封剤硬化後、導線がかくれる程度にふ
っ素系樹脂をキャップ及び底板から構成される容器内部
に注入したのち、その被覆剤の一部を残して排除し、残
った被覆剤を硬化させることが有効である。さらには、
予め一面上をポリイミド膜で被覆した半導体素体を用い
ること、あるいは半導体素体を台座上に固定し、半導体
素体上の集積回路に導線を接続後、その素体一面上にポ
リイミドを塗布し、硬化させたのち液状樹脂の注入をキ
ャップ及び底板から構成される容器内部に行うことも有
効である。
【０００８】
【作用】導圧管あるいは導圧口から入る気体の影響を防
ぐためにはゲージ抵抗や集積回路の表面を防水性のある
材料で被覆することが有効である。同時に集積回路に接
続される導線も被覆できれば導線の腐食も防止できる。
しかし厚い膜を被覆すれば、ダイヤフラムの変形に影響
が及び、センサ感度が劣化する。シリコーン注封剤のよ
うな防水性のある樹脂を液状で半導体素体上に導線がか
くれる程度に注入し、一部を残して排除したのち硬化さ
せれば、半導体素体および導線の表面に樹脂の被膜が形
成されるので、センサ感度を損なうことなく耐湿性が向
上する。さらに樹脂被膜としてシリコーン樹脂膜の上に
ふっ素系被覆剤の膜を重ねれば耐湿性がさらに向上し、
また半導体素体表面にポリイミド膜で被覆した場合には
半導体素体表面の安定性が増大する。
ぐためにはゲージ抵抗や集積回路の表面を防水性のある
材料で被覆することが有効である。同時に集積回路に接
続される導線も被覆できれば導線の腐食も防止できる。
しかし厚い膜を被覆すれば、ダイヤフラムの変形に影響
が及び、センサ感度が劣化する。シリコーン注封剤のよ
うな防水性のある樹脂を液状で半導体素体上に導線がか
くれる程度に注入し、一部を残して排除したのち硬化さ
せれば、半導体素体および導線の表面に樹脂の被膜が形
成されるので、センサ感度を損なうことなく耐湿性が向
上する。さらに樹脂被膜としてシリコーン樹脂膜の上に
ふっ素系被覆剤の膜を重ねれば耐湿性がさらに向上し、
また半導体素体表面にポリイミド膜で被覆した場合には
半導体素体表面の安定性が増大する。
【０００９】
【実施例】図１は水蒸気を含んだ大気等の圧力測定用セ
ンサにおける本発明の実施例を示し、図２、図３, 図４
と共通の部分には同一の符号が付されている。
ンサにおける本発明の実施例を示し、図２、図３, 図４
と共通の部分には同一の符号が付されている。
【００１０】この半導体圧力センサは、図３に示したセ
ンサと同様な構造をもち、印刷配線基板への装着が容易
で低価格型のものである。一面にゲージ抵抗およびＩＣ
の形成されているシリコンチップ１は、厚さ１〜５mmの
パイレックスガラスからなる台座２と300 〜600 ℃の温
度の真空中で600 〜800 Ｖの電圧を印加することにより
静電接着した。従ってチップ１の凹部と台座で形成され
る圧力基準室４は真空排気状態である。次にこの台座２
を金属薄板８の上に接着剤等で接着する。金属薄板８
は、感度調整抵抗, コンデンサ５等を搭載したセラミッ
ク基板６に接着してある。このように底板をセラミック
基板６と金属薄板８により構成するのは、チップ１の上
面とセラミック基板６の上面の高さをほぼ同じ平面にそ
ろえるためである。ほぼ同じ平面にあるため、チップ１
のＩＣと基板６上の配線とは、Al線７のボンディングに
よる接続が容易にできる。次いでアクリル系樹脂よりな
るキャップ３を接着し、容器内部の圧力を変えながらセ
ラミック基板６上の容器外にある抵抗のトリミングを行
い感度調整を実施した。
ンサと同様な構造をもち、印刷配線基板への装着が容易
で低価格型のものである。一面にゲージ抵抗およびＩＣ
の形成されているシリコンチップ１は、厚さ１〜５mmの
パイレックスガラスからなる台座２と300 〜600 ℃の温
度の真空中で600 〜800 Ｖの電圧を印加することにより
静電接着した。従ってチップ１の凹部と台座で形成され
る圧力基準室４は真空排気状態である。次にこの台座２
を金属薄板８の上に接着剤等で接着する。金属薄板８
は、感度調整抵抗, コンデンサ５等を搭載したセラミッ
ク基板６に接着してある。このように底板をセラミック
基板６と金属薄板８により構成するのは、チップ１の上
面とセラミック基板６の上面の高さをほぼ同じ平面にそ
ろえるためである。ほぼ同じ平面にあるため、チップ１
のＩＣと基板６上の配線とは、Al線７のボンディングに
よる接続が容易にできる。次いでアクリル系樹脂よりな
るキャップ３を接着し、容器内部の圧力を変えながらセ
ラミック基板６上の容器外にある抵抗のトリミングを行
い感度調整を実施した。
【００１１】次に、導圧口26となるキャップ３の穴から
スプレー等を用いて液状樹脂を注入してチップ１および
導線７を塗布した。樹脂として商品名東芝シリコーンTS
E3051 のようなポッティング剤 (注封剤) を用い、この
圧力センサをプレッシャ・クッカー試験に入れた場合に
は５時間程度で導線７の破断が発生した。これに対し本
発明による場合は、シリコーン・ポッティング剤を導線
７がかくれるまで注入したのち、セラミック基板６の面
上およびチップ１の面上に液が50〜500 μｍ残るように
液の排出を行い硬化させた。これによりセラミック基板
６, チップ１の面上およびAl線７の上に樹脂膜９が生じ
た。この結果、導線７の切断は50時間まで発生しないこ
とが確認できた。しかし、チップ１の上のAl配線が腐食
し、断線することが、40〜50時間の間に発生する確率が
若干存在した。
スプレー等を用いて液状樹脂を注入してチップ１および
導線７を塗布した。樹脂として商品名東芝シリコーンTS
E3051 のようなポッティング剤 (注封剤) を用い、この
圧力センサをプレッシャ・クッカー試験に入れた場合に
は５時間程度で導線７の破断が発生した。これに対し本
発明による場合は、シリコーン・ポッティング剤を導線
７がかくれるまで注入したのち、セラミック基板６の面
上およびチップ１の面上に液が50〜500 μｍ残るように
液の排出を行い硬化させた。これによりセラミック基板
６, チップ１の面上およびAl線７の上に樹脂膜９が生じ
た。この結果、導線７の切断は50時間まで発生しないこ
とが確認できた。しかし、チップ１の上のAl配線が腐食
し、断線することが、40〜50時間の間に発生する確率が
若干存在した。
【００１２】別の実施例では、図５に示すチップ１の上
に、例えば日立化成商品名RiXL110のポリイミド樹脂か
らなる膜10を２〜10μｍの厚さに塗布し、加熱硬化させ
たものを用い、上記の実施例と同様にシリコーン・ポッ
ティング剤の膜９を形成した。この結果、チップ１上の
Alの腐食はプレッシャ・クッカー試験100 時間維持でな
ければ発生しなかった。
に、例えば日立化成商品名RiXL110のポリイミド樹脂か
らなる膜10を２〜10μｍの厚さに塗布し、加熱硬化させ
たものを用い、上記の実施例と同様にシリコーン・ポッ
ティング剤の膜９を形成した。この結果、チップ１上の
Alの腐食はプレッシャ・クッカー試験100 時間維持でな
ければ発生しなかった。
【００１３】また他の実施例では、チップ１の集積回路
と基板６上の配線とをAl線７のボンディングで接続した
のち、100 〜1000μｇのポリイミドをチップ１上に滴下
し、0.5 〜2.0 ×103 rpm で回転してポリイミド膜10を
形成し、250 〜350 ℃の温度で硬化した。そのあとは上
記の実施例と同様にシリコーン・ポッティング剤の膜９
を形成した。このようにして製作した圧力センサは100
時間のプレッシャ・クッカー試験でも問題なく、かつ非
常に安定した特性を示した。これは、予めポリイミド膜
10を被覆したチップ１を用いる場合のようにポリイミド
膜に傷がつくおそれがなく、かつワイヤボンディングの
パッド部を含めて全面的にポリイミド膜10で覆われるこ
とによると考えられる。
と基板６上の配線とをAl線７のボンディングで接続した
のち、100 〜1000μｇのポリイミドをチップ１上に滴下
し、0.5 〜2.0 ×103 rpm で回転してポリイミド膜10を
形成し、250 〜350 ℃の温度で硬化した。そのあとは上
記の実施例と同様にシリコーン・ポッティング剤の膜９
を形成した。このようにして製作した圧力センサは100
時間のプレッシャ・クッカー試験でも問題なく、かつ非
常に安定した特性を示した。これは、予めポリイミド膜
10を被覆したチップ１を用いる場合のようにポリイミド
膜に傷がつくおそれがなく、かつワイヤボンディングの
パッド部を含めて全面的にポリイミド膜10で覆われるこ
とによると考えられる。
【００１４】図６は、図４に示した小型化したセンサに
おける実施例を示し、図１と共通の部分に付された同一
の符号からわかるように、チップ１およびAl線７の上に
シリコーン・ポッティング剤により樹脂膜９が形成され
ている。
おける実施例を示し、図１と共通の部分に付された同一
の符号からわかるように、チップ１およびAl線７の上に
シリコーン・ポッティング剤により樹脂膜９が形成され
ている。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、チップの凹部と台座の
間に生ずる空間を基準圧力室とした圧力センサの測定圧
力をもつ気体にさらされるチップ面および接続導線を液
状樹脂の注入と一部を残しての排除により形成される薄
い樹脂膜により覆うことによって気体中の水蒸気に対す
る耐湿性が向上し、信頼性の高い小型半導体圧力センサ
を安価で製造することが可能になった。そして樹脂膜を
シリコーン注封剤により作製し、あるいはさらにその上
にふっ素系被覆剤により膜を作製することにより耐湿性
の高い被膜が形成できる。また、チップ面上に予めポリ
イミド膜を形成することが表面の安定性をより向上させ
る効果がある。
間に生ずる空間を基準圧力室とした圧力センサの測定圧
力をもつ気体にさらされるチップ面および接続導線を液
状樹脂の注入と一部を残しての排除により形成される薄
い樹脂膜により覆うことによって気体中の水蒸気に対す
る耐湿性が向上し、信頼性の高い小型半導体圧力センサ
を安価で製造することが可能になった。そして樹脂膜を
シリコーン注封剤により作製し、あるいはさらにその上
にふっ素系被覆剤により膜を作製することにより耐湿性
の高い被膜が形成できる。また、チップ面上に予めポリ
イミド膜を形成することが表面の安定性をより向上させ
る効果がある。
【図１】本発明の一実施例の圧力センサの断面図
【図２】従来の圧力センサの一例の断面図
【図３】従来の圧力センサの別の例の断面図
【図４】従来の圧力センサのさらに別の断面図
【図５】本発明の別の実施例における半導体チップの断
面図
面図
【図６】本発明のさらに別の実施例の圧力センサの断面
図
図
１ 半導体チップ ２ 台座 ３ キャップ ４ 圧力基準室 ５ コンデンサ ６ セラミック基板 ７ Al線 ８ 金属薄板 ９ 樹脂膜 １０ ポリイミド膜 ２２ ステム ２６ 導圧口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−96875（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−144368（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−142533（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−138841（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−88373（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−150832（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 29/84 G01L 9/04 101
Claims (5)
- 【請求項１】半導体素体が一面から凹部を形成してなる
ダイヤフラムを有し、その素体の前記一面のダイヤフラ
ム部に感圧用の抵抗が、ダイヤフラムの周辺部に集積回
路がそれぞれ設けられ、半導体素体は近似した熱膨張係
数を有する材料からなる台座上に固定され、前記凹部が
台座によって閉塞されてなる密閉空間を基準圧力室とし
てダイヤフラムの反凹部側の面上に導かれる気体との圧
力差を検知する半導体圧力センサの製造方法において、
半導体素体を台座上に固定し、半導体素体上の集積回路
に導線を接続後、その導線がかくれる程度に液状樹脂を
キャップ及び底板から構成される容器内部に注入し、次
いでその樹脂を一部を残して排除し、残った樹脂を硬化
させて樹脂膜を形成することを特徴とする半導体圧力セ
ンサの製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体圧力センサの製造方
法において、液状樹脂がシリコーン注封剤であることを
特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 【請求項３】請求項２記載の半導体圧力センサの製造方
法において、シリコーン注封剤硬化後導線がかくれる程
度にふっ素系被覆剤をキャップ及び底板から構成される
容器内部に注入したのち、その被覆剤の一部を残して排
除し、残った被覆剤を硬化させて樹脂膜を形成すること
を特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 【請求項４】請求項１，２あるいは３記載の半導体圧力
センサの製造方法において、予め一面上をポリイミド膜
で被覆した半導体素体を用いることを特徴とする半導体
圧力センサの製造方法。 - 【請求項５】請求項１，２あるいは３記載の半導体圧力
センサの製造方法において、半導体素体を台座上に固定
し、半導体素体上の集積回路に導線を接続後、その素体
一面上にポリイミドを塗布し、硬化させたのち液状樹脂
の注入をキャップ及び底板から構成される容器内部に行
うことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3485291A JP2838914B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3485291A JP2838914B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04274371A JPH04274371A (ja) | 1992-09-30 |
| JP2838914B2 true JP2838914B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=12425710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3485291A Expired - Fee Related JP2838914B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2838914B2 (ja) |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3485291A patent/JP2838914B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04274371A (ja) | 1992-09-30 |
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