JP2837559B2 - Method for manufacturing electroluminescent element - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
Landscapes
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Description
【０００１】[0001]
【技術分野】本発明は、電界の印加によって発光するエ
レクトロルミネッセンス層（以下、ＥＬ層という）を備
えたエレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と
いう）の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an electroluminescence device (hereinafter, referred to as an EL device) having an electroluminescence layer (hereinafter, referred to as an EL layer) which emits light when an electric field is applied.
【０００２】[0002]
【背景技術】かかるＥＬ素子は構造で分類すると、電極
とＥＬ層との間に絶縁層又は誘電層をもたない直流形
と、電極とＥＬ層との間に絶縁層をもつ交流形とに分類
されている。また、ＥＬ素子を発光するＥＬ層構造で分
類すると、分散形と、薄膜形とに分けられる。さらにま
た、ＥＬ素子を発光するＥＬ層材質で分類すると、無機
物からなる無機ＥＬ層を有する無機ＥＬ素子と有機物か
らなる有機ＥＬ層を有する有機ＥＬ素子とに分けられ
る。2. Description of the Related Art Such EL devices can be classified by structure into a DC type having no insulating layer or dielectric layer between the electrode and the EL layer, and an AC type having an insulating layer between the electrode and the EL layer. Classified. In addition, when the EL elements are classified according to the EL layer structure that emits light, they are classified into a dispersion type and a thin film type. Furthermore, when the EL elements are classified according to the material of the EL layer that emits light, they are classified into inorganic EL elements having an inorganic EL layer made of an inorganic substance and organic EL elements having an organic EL layer made of an organic substance.
【０００３】例えば、有機ＥＬ素子には図３及び図４に
示すように、Ｘ，Ｙマトリクス型がある。図４は図３の
Ｉ−Ｉ線の断面図を示す。該有機ＥＬ素子は、ガラス透
明基板１上に、ＩＴＯ等の複数の透明電極２（アノー
ド）、正孔輸送層３、有機ＥＬ層４、透明電極２に交差
する複数の背面電極５（カソード）を順に積層、形成し
たものである。有機有機ＥＬ素子には、図示する正孔輸
送層３及び有機ＥＬ層４からなる２層構造のものや、図
示しないが有機ＥＬ層４及びカソード５間に有機電子輸
送層がさらに配された３層構造のものが知られている。
また、カソード５の上には、通常これを保護し短絡を防
ぐ保護層が被覆されている。For example, as shown in FIGS. 3 and 4, there are X and Y matrix types of organic EL elements. FIG. 4 is a sectional view taken along line II of FIG. The organic EL element includes a plurality of transparent electrodes 2 (anode) such as ITO, a hole transport layer 3, an organic EL layer 4, and a plurality of back electrodes 5 (cathodes) crossing the transparent electrode 2 on a glass transparent substrate 1. Are sequentially laminated and formed. The organic organic EL device has a two-layer structure including a hole transport layer 3 and an organic EL layer 4 shown in the drawing, and an organic electron transport layer further provided between the organic EL layer 4 and the cathode 5 (not shown). Layered structures are known.
On the cathode 5, a protective layer for protecting the cathode 5 and preventing a short circuit is usually coated.
【０００４】このマトリクス方式の有機ＥＬ素子を作成
する場合、図５に示すように、ＩＴＯ層を一様に担持し
たガラス基板上に複数の平行アノードを整列し配すべ
く、ストライプ状（帯状）のパターンマスクをＩＴＯ層
上に配置してエッチングにより形成する（Ｓ1）。この
アノード上に正孔輸送層、ＥＬ層の有機層を順次積層す
る（Ｓ2）。その後、複数の平行カソードをアノードの
ストライプの伸長方向に対して垂直方向に延在するスト
ライプ状に整列させるために有機層上にパターンマスク
を被せ（Ｓ3）、カソード用の金属を蒸着して（Ｓ4）、
パターンマスクを剥離して（Ｓ5）、ストライプ状のカ
ソードを作成する。[0004] When fabricating an organic EL device of this matrix type, as shown in FIG. 5, a plurality of parallel anodes are arranged and arranged on a glass substrate which uniformly carries an ITO layer. The pattern mask is disposed on the ITO layer and formed by etching (S 1 ). An organic layer of a hole transport layer and an EL layer is sequentially laminated on the anode (S 2 ). Thereafter, a pattern mask is placed on the organic layer to align the plurality of parallel cathodes in a stripe shape extending in a direction perpendicular to the direction of extension of the anode stripe (S 3 ), and a metal for the cathode is deposited. (S 4),
And peeling the pattern mask (S 5), creating a cathode stripe.
【０００５】しかしながら、上記した従来の方法では、
正孔輸送層、ＥＬ層の有機層上にカソードのパターンマ
スクを載置する時、一度真空槽をリークしなければなら
ない手間がある上、パターンマスクの位置合せが困難
で、パターンマスクの位置ずれによる不良や、パターン
マスクの密着不良によるカソード間の短絡等のパターン
不良が発生するという問題点があった。However, in the above-mentioned conventional method,
When placing the cathode pattern mask on the organic layer of the hole transport layer and the EL layer, it is necessary to once leak the vacuum chamber, and it is difficult to align the pattern mask, and the pattern mask is misaligned. And a pattern defect such as a short circuit between cathodes due to poor adhesion of the pattern mask occurs.
【０００６】[0006]
【発明の目的】本発明は上記問題点に鑑みなされ、本発
明の目的はクロストークの発生の少ないＥＬ素子を簡素
な工程で製造する製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a manufacturing method for manufacturing an EL element with less occurrence of crosstalk by a simple process.
【０００７】[0007]
【発明の構成】第１の本発明のＥＬ素子製造方法は、基
板上における互いに対向する複数のカソード電極及びア
ノード電極の電極対と前記電極対間に配置されたＥＬ層
とを有し、前記ＥＬ層の前記電極対によって挟まれる複
数の部分を発光領域とするＥＬ素子の製造方法であっ
て、基板上に第１電極材料層からなる複数のアノード電
極を形成するアノード電極形成工程と、前記アノード電
極上にＥＬ層を形成するＥＬ層形成工程と、前記ＥＬ層
上に第２電極材料層を形成する第２電極材料層形成工程
と、集光レーザビームの焦点を前記アノード電極の前記
ＥＬ層側境界面から前記第２電極材料層の外側境界面ま
でに位置させつつ集光レーザビームを走査することで、
少なくとも前記ＥＬ層及び前記第２電極材料層の一部を
切削して複数のＥＬ層及びカソード電極を形成するカソ
ード電極形成工程とを含むことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided an EL device manufacturing method comprising: a plurality of cathode and anode electrode pairs facing each other on a substrate; and an EL layer disposed between the electrode pairs. A method for manufacturing an EL element in which a plurality of portions of an EL layer sandwiched by said pair of electrodes is a light emitting region, wherein an anode electrode forming step of forming a plurality of anode electrodes made of a first electrode material layer on a substrate; An EL layer forming step of forming an EL layer on the anode electrode, a second electrode material layer forming step of forming a second electrode material layer on the EL layer, and focusing of a focused laser beam on the EL electrode of the anode electrode By scanning the focused laser beam while being positioned from the layer-side boundary surface to the outer boundary surface of the second electrode material layer,
Forming a plurality of EL layers and a cathode electrode by cutting at least a part of the EL layer and the second electrode material layer.
【０００８】第２の本発明のＥＬ素子製造方法は、基板
上における互いに対向する複数のカソード電極及びアノ
ード電極の電極対と前記電極対間に配置されたＥＬ層と
を有し、前記ＥＬ層の前記電極対によって挟まれる複数
の部分を発光領域とするＥＬ素子の製造方法であって、
基板上に第１電極材料層を形成する第１電極材料層形成
工程と、前記第１電極材料層上にＥＬ層を形成するＥＬ
層形成工程と、集光レーザビームの焦点を前記基板の前
記第１電極材料層側境界面から前記ＥＬ層の外側境界面
までに位置させつつ集光レーザビームを走査して、少な
くとも前記ＥＬ層及び前記第１電極材料層の一部を切削
して複数のアノード電極を形成するアノード電極形成工
程と、前記ＥＬ層上に第２電極材料層を形成する第２電
極材料層形成工程と、集光レーザビームの焦点を前記ア
ノード電極の前記ＥＬ層側境界面から前記第２電極材料
層の外側境界面までに位置させつつ集光レーザビームを
走査することで、前記ＥＬ層及び前記第２電極材料層の
一部を切削して複数のカソード電極を形成するカソード
電極形成工程とを含むことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an EL device, comprising: a plurality of electrode pairs of a cathode electrode and an anode electrode facing each other on a substrate; and an EL layer disposed between the electrode pairs. A method for manufacturing an EL element, wherein a plurality of portions sandwiched by the pair of electrodes is a light-emitting region,
Forming a first electrode material layer on a substrate; and forming an EL layer on the first electrode material layer.
Forming a layer and scanning the focused laser beam while positioning the focal point of the focused laser beam from the first electrode material layer-side boundary surface of the substrate to the outer boundary surface of the EL layer; An anode electrode forming step of forming a plurality of anode electrodes by cutting a part of the first electrode material layer; a second electrode material layer forming step of forming a second electrode material layer on the EL layer; The focused laser beam is scanned while the focal point of the optical laser beam is located from the boundary surface on the EL layer side of the anode electrode to the outer boundary surface of the second electrode material layer, whereby the EL layer and the second electrode are scanned. A step of forming a plurality of cathode electrodes by cutting a part of the material layer.
【０００９】[0009]
【発明の作用】本発明によれば、パターン不良の少ない
ＥＬ素子を簡素な工程で得られる。According to the present invention, an EL element having less pattern defects can be obtained by a simple process.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明による実施例を図面を参照しつ
つ説明する。実施例のＥＬ素子製造によって正孔輸送層
を有する二層構造の有機ＥＬ素子を製造する。まず、図
１（ａ）に示すように、ガラス基板１の主面上にＩＴＯ
からなる複数の帯状の透明アノード２を各々が平行とな
るようにスパッタリング法及びリソグラフィ法などによ
って積層する。次に、図１（ｂ）に示すように、複数の
透明電極２上に正孔輸送層３及びＥＬ層４を蒸着法など
によって均一に一様に積層し順に形成する。次に、図１
（ｃ）に示すように、ＥＬ層４上に蒸着法などによって
カソード用金属層５を均一に一様に形成する。最後に、
図１（ｄ）に示すように、キセノンレーザビームカッタ
を用い、正孔輸送層３、ＥＬ層４及び金属層５を、アノ
ード２のＥＬ層側境界面から金属層５の外側境界面まで
に集光レーザビーム６の焦点を一致させつつ走査によっ
てカッティングし、これらを複数の平行溝にて分割する
パターニングを行ないカソード５を各々が平行となるよ
うに形成する。このようにして、有機ＥＬ素子が得られ
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. A two-layer organic EL device having a hole transport layer is manufactured by manufacturing the EL device of the embodiment. First, as shown in FIG. 1A, an ITO
Are laminated by a sputtering method, a lithography method, or the like so as to be parallel to each other. Next, as shown in FIG. 1B, the hole transport layer 3 and the EL layer 4 are uniformly and uniformly laminated on the plurality of transparent electrodes 2 by a vapor deposition method or the like, and are sequentially formed. Next, FIG.
As shown in (c), a cathode metal layer 5 is formed uniformly on the EL layer 4 by an evaporation method or the like. Finally,
As shown in FIG. 1D, the hole transport layer 3, the EL layer 4, and the metal layer 5 are moved from the boundary surface on the EL layer side of the anode 2 to the outer boundary surface of the metal layer 5 using a xenon laser beam cutter. The focused laser beam 6 is cut by scanning while making the focal points coincide with each other, and patterning is performed to divide the laser beam with a plurality of parallel grooves to form the cathodes 5 in parallel. Thus, an organic EL device is obtained.
【００１１】本実施例では、図１に示すように、有機層
３，４さらにはカソード用金属層５の形成までは従来の
製造工程で積層してもよい。カソード用金属層５の形成
までおこなった素子部材を真空槽から取り出し、集束レ
ーザビーム光を用いて、正孔輸送層、ＥＬ層及び金属層
をカッティングし、パターニングを行なう。図に示すよ
うに、カソード用の金属層５の積層後、集光レーザビー
ム６の焦点をアノード２のＥＬ層側境界面から金属層５
の外側境界面までに位置するように制御して、集光レー
ザビーム６を平行に走査して、これによって少なくとも
ＥＬ層及び金属層の一部を切削してアノードと交差する
複数の帯状ＥＬ層及び帯状カソードを互いに平行に形成
する。かかる集光レーザビームを発生させて切削する装
置としては、キセノンレーザビームカッタが好ましい。
このように、カソード用金属層５からカソードをマスク
を用いることなく形成する。In this embodiment, as shown in FIG. 1, the organic layers 3 and 4 and the cathode metal layer 5 may be laminated by conventional manufacturing steps. The element member that has been formed up to the formation of the cathode metal layer 5 is taken out of the vacuum chamber, and the hole transport layer, the EL layer, and the metal layer are cut and patterned using a focused laser beam. As shown in the figure, after laminating the metal layer 5 for the cathode, the focus of the condensed laser beam 6 is shifted from the boundary surface of the anode 2 on the EL layer side.
The laser beam 6 is scanned in parallel by controlling the laser beam 6 to be positioned up to the outer boundary surface of the EL layer and the plurality of strip-shaped EL layers intersecting the anode by cutting at least a part of the EL layer and the metal layer. And the strip-shaped cathodes are formed parallel to each other. A xenon laser beam cutter is preferred as an apparatus for cutting by generating such a focused laser beam.
As described above, the cathode is formed from the cathode metal layer 5 without using a mask.
【００１２】本実施例によれば、従来の作成方法による
欠点を解決できると共に、カソードのラインが非常に微
細でかつピクセルサイズが小さくなる。他の実施例とし
て正孔輸送層を有する二層構造の有機ＥＬ素子を製造す
る。まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板１の主
面一面にＩＴＯからなるアノード用ＩＴＯ層２を均一に
一様になるようにスパッタリング法及びリソグラフィ法
などによって積層する。さらに、このＩＴＯ２層上に正
孔輸送層３、ＥＬ層４を蒸着法などによって均一に一様
に順次形成する。このようにＩＴＯ層、正孔輸送層及び
ＥＬ層を一様に担持した基板を真空槽から取り出し、図
２（ｂ）に示すように、これらの層２，３，４を、キセ
ノンレーザビームカッタを用い集光レーザビーム６によ
ってストライプ状にカッティングし、これらを複数の平
行溝にて分割する。次に、図２（ｃ）に示すように、分
割されたＥＬ層４上に蒸着法などによってカソード用金
属層５を均一に一様に形成する。最後に、再びキセノン
レーザビームカッタを用い、この正孔輸送層３、ＥＬ層
４及び金属層５を、ストライプ状のアノード２に直角方
向に沿ってカッティングし、これらを複数の平行溝にて
分割する。このとき集光レーザビーム６は、アノード２
のＥＬ層側境界面から金属層５の外側境界面までに焦点
が位置するように走査する。このようにしても、有機Ｅ
Ｌ素子が得られる。According to this embodiment, the drawbacks of the conventional manufacturing method can be solved, and the cathode line is very fine and the pixel size is small. As another example, an organic EL device having a two-layer structure having a hole transport layer is manufactured. First, as shown in FIG. 2A, an anode ITO layer 2 made of ITO is laminated on the entire main surface of a glass substrate 1 by a sputtering method, a lithography method, or the like so as to be uniform. Further, the hole transport layer 3 and the EL layer 4 are formed on the ITO2 layer uniformly and sequentially by a vapor deposition method or the like. The substrate on which the ITO layer, the hole transport layer, and the EL layer are uniformly supported is taken out of the vacuum chamber, and these layers 2, 3, and 4 are separated by a xenon laser beam cutter as shown in FIG. Are cut into stripes by the focused laser beam 6, and these are divided by a plurality of parallel grooves. Next, as shown in FIG. 2C, a cathode metal layer 5 is formed uniformly on the divided EL layers 4 by an evaporation method or the like. Finally, again using a xenon laser beam cutter, the hole transport layer 3, the EL layer 4, and the metal layer 5 are cut along the direction perpendicular to the striped anode 2, and divided by a plurality of parallel grooves. I do. At this time, the focused laser beam 6 is
The scanning is performed so that the focal point is located from the boundary surface on the EL layer side to the outer boundary surface of the metal layer 5. Even in this case, organic E
An L element is obtained.
【００１３】本実施例によれば、従来の製造方法の欠点
であったカソードのパターン不良などの欠陥が解決でき
るとともに、アノード２をストライプ状に形成するため
エッチング等の作業が省略でき、ドットサイズの極めて
小さい高密度なＥＬ素子を容易に作成できる。また、正
孔輸送層及びＥＬ層をＩＴＯ層と同時に切断するため、
これら有機層を介しての漏洩電流が少なくなり、クロス
トークの少ないマトリクス方式の有機ＥＬ素子を提供で
きる。According to the present embodiment, defects such as a defective pattern of the cathode, which are disadvantages of the conventional manufacturing method, can be solved. In addition, since the anode 2 is formed in a stripe shape, an operation such as etching can be omitted. A very high-density EL element with a very small size can be easily produced. Also, since the hole transport layer and the EL layer are cut at the same time as the ITO layer,
A leakage current through these organic layers is reduced, and a matrix type organic EL element with less crosstalk can be provided.
【００１４】上記実施例では二層構造の有機ＥＬ素子に
ついて説明したが、上記工程において、ＥＬ層を形成
後、電子輸送層を成膜する電子輸送層形成工程を加え
て、その後カソード電極を形成して、正孔輸送層、ＥＬ
層及び電子輸送層を有する三層構造の有機ＥＬ素子を得
ることが出来る。上記実施例では有機ＥＬ素子について
説明したが、上記工程において、ＥＬ層を無機化合物か
ら形成し、アノードとＥＬ層との間に第１絶縁層を成膜
するような第１絶縁層形成工程を加え、ＥＬ層とカソー
ドとの間に第２絶縁層を成膜するような第２絶縁層形成
工程を加えれば無機ＥＬ素子を得ることが出来る。ま
た、この場合、電極とＥＬ層との間に絶縁層又は誘電層
を有する交流形としても、電極とＥＬ層との間に絶縁層
を有さない直流形のＥＬ素子にしても適用できる。In the above-described embodiment, an organic EL device having a two-layer structure has been described. However, in the above process, an electron transport layer forming step of forming an electron transport layer after forming an EL layer is added, and then a cathode electrode is formed. And a hole transport layer, EL
An organic EL device having a three-layer structure having a layer and an electron transport layer can be obtained. Although the organic EL device has been described in the above embodiment, the above process includes a first insulating layer forming step of forming an EL layer from an inorganic compound and forming a first insulating layer between the anode and the EL layer. In addition, an inorganic EL element can be obtained by adding a second insulating layer forming step of forming a second insulating layer between the EL layer and the cathode. In this case, the present invention can be applied to an AC type having an insulating layer or a dielectric layer between the electrode and the EL layer, or a DC type EL element having no insulating layer between the electrode and the EL layer.
【００１５】[0015]
【発明の効果】以上の如く、本発明によれば、電極材料
層の積層後、集光レーザビームをＥＬ層及び電極材料層
内に位置するようにして、集光レーザビームを走査し
て、これによって少なくともＥＬ層及び電極材料層の一
部を切削して複数の電極を形成するので、パターン不良
が少なく微細なドットを有する高密度なＥＬ素子を簡素
な工程で得られる。ＥＬ素子を発光させる時においても
発光領域のみが発光し、発光領域の周囲のクロストーク
や発光の「にじみ」が減少し、精細な画像が得られる。As described above, according to the present invention, after the electrode material layer is laminated, the focused laser beam is scanned in such a manner that the focused laser beam is located in the EL layer and the electrode material layer. Thus, since a plurality of electrodes are formed by cutting at least a part of the EL layer and the electrode material layer, a high-density EL element with few pattern defects and fine dots can be obtained in a simple process. Even when the EL element emits light, only the light emitting region emits light, and crosstalk around the light emitting region and "bleeding" of light emission are reduced, and a fine image can be obtained.
【図１】本発明による実施例のＥＬ素子製造方法におけ
る素子部材を示す拡大部分斜視図である。FIG. 1 is an enlarged partial perspective view showing an element member in an EL element manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明による他の実施例のＥＬ素子製造方法に
おける素子部材を示す拡大部分斜視図である。FIG. 2 is an enlarged partial perspective view showing an element member in an EL element manufacturing method according to another embodiment of the present invention.
【図３】有機ＥＬ素子の部分切欠拡大斜視図である。FIG. 3 is a partially cutaway enlarged perspective view of the organic EL element.
【図４】図４の有機ＥＬ素子の部分拡大断面図である。FIG. 4 is a partially enlarged sectional view of the organic EL element of FIG.
【図５】従来のＥＬ素子製造方法を示すフローチャート
である。FIG. 5 is a flowchart showing a conventional EL element manufacturing method.
１……透明基板 ２……透明アノード電極 ３……正孔輸送層 ４……有機ＥＬ層 ５……カソード電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Transparent substrate 2 ... Transparent anode electrode 3 ... Hole transport layer 4 ... Organic EL layer 5 ... Cathode electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−17484（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−43391（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/10 H05B 33/22 H05B 33/26────────────────────────────────────────────────── (5) References JP-A-63-17484 (JP, A) JP-A-57-43391 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H05B 33/10 H05B 33/22 H05B 33/26
Claims (8)
ソード電極及びアノード電極の電極対と前記電極対間に
配置されたエレクトロルミネッセンス層とを有し、前記
エレクトロルミネッセンス層の前記電極対によって挟ま
れる複数の部分を発光領域とするエレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法であって、 基板上に第１電極材料層からなる複数のアノード電極を
形成するアノード電極形成工程と、 前記アノード電極上にエレクトロルミネッセンス層を形
成するエレクトロルミネッセンス層形成工程と、 前記エレクトロルミネッセンス層上に第２電極材料層を
形成する第２電極材料層形成工程と、 集光レーザビームの焦点を前記アノード電極の前記エレ
クトロルミネッセンス層側境界面から第２電極材料層の
外側境界面まで位置させつつ集光レーザビームを走査す
ることで、少なくとも前記エレクトロルミネッセンス及
び前記第２電極材料層の一部を切削して、複数のエレク
トロルミネッセンス層及びカソード電極を形成するカソ
ード電極形成工程とを含むことを特徴とするエレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法。1. An electroluminescent layer, comprising: a plurality of cathode and anode electrode pairs facing each other on a substrate; and an electroluminescence layer disposed between the electrode pairs, wherein the plurality of electroluminescence layers are sandwiched by the electrode pairs. A method for manufacturing an electroluminescent element having a portion as a light emitting region, comprising: forming an anode electrode comprising a first electrode material layer on a substrate; and forming an electroluminescent layer on the anode electrode. Forming a second electrode material layer on the electroluminescent layer; and focusing the focused laser beam from the boundary surface of the anode electrode on the electroluminescent layer side. While positioning up to the outer boundary surface of the second electrode material layer Scanning an optical laser beam to cut at least a part of the electroluminescence and the second electrode material layer to form a plurality of electroluminescence layers and a cathode electrode forming step of forming a cathode electrode. Of manufacturing an electroluminescent element.
化合物からなり、前記アノード電極形成工程と前記エレ
クトロルミネッセンス層形成工程との間に有機化合物か
らなる正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成工程を有す
ることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッ
センス素子の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the electroluminescent layer is formed of an organic compound, and further includes a hole transport layer forming step of forming a hole transport layer of an organic compound between the anode electrode forming step and the electroluminescent layer forming step. 2. The method for manufacturing an electroluminescent device according to claim 1, wherein:
程と前記第２電極材料層形成工程との間に有機化合物か
らなる電子輸送層を形成する電子輸送層形成工程を有す
ることを特徴とする請求項２記載のエレクトロルミネッ
センス素子の製造方法。3. An electron transport layer forming step of forming an electron transport layer made of an organic compound between the electroluminescent layer forming step and the second electrode material layer forming step. A method for manufacturing an electroluminescent element.
化合物からなり、前記アノード電極形成工程と前記エレ
クトロルミネッセンス層形成工程との間に第１絶縁層を
形成する第１絶縁層形成工程を有し、前記エレクトロル
ミネッセンス層形成工程と前記第２電極材料層形成工程
との間に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程を有
することを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法。4. An electroluminescent layer comprising an inorganic compound, comprising a first insulating layer forming step of forming a first insulating layer between the anode electrode forming step and the electroluminescent layer forming step. 2. The method for manufacturing an electroluminescent element according to claim 1, further comprising a second insulating layer forming step of forming a second insulating layer between the luminescent layer forming step and the second electrode material layer forming step.
ソード電極及びアノード電極の電極対と前記電極対間に
配置されたエレクトロルミネッセンス層とを有し、前記
エレクトロルミネッセンス層の前記電極対によって挟ま
れる複数の部分を発光領域とするエレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法であって、 基板上に第１電極材料層を形成する第１電極材料層形成
工程と、 前記第１電極材料層上にエレクトロルミネッセンス層を
形成するエレクトロルミネッセンス層形成工程と、 集光レーザビームの焦点を前記基板の前記第１電極材料
層側境界面から前記エレクトロルミネッセンス層の外側
境界面までに位置させつつ集光レーザビームを走査し
て、少なくとも前記エレクトロルミネッセンス層及び前
記第１電極材料層の一部を切削して複数のアノード電極
を形成するアノード電極形成工程と、 前記エレクトロルミネッセンス層上に第２電極材料層を
形成する第２電極材料層形成工程と、 集光レーザビームの焦点を前記アノード電極の前記エレ
クトロルミネッセンス層側境界面から第２電極材料層の
外側境界面までに位置させつつ集光レーザビームを走査
することで、少なくとも前記エレクトロルミネッセンス
層及び前記第２電極材料層の一部を切削して複数のカソ
ード電極を形成するカソード電極形成工程とを含むこと
を特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方
法。5. A plurality of electrode pairs of a cathode electrode and an anode electrode facing each other on a substrate, and an electroluminescent layer disposed between the electrode pairs, wherein the plurality of electrode pairs are sandwiched by the electrode pairs of the electroluminescent layer. A first electrode material layer forming step of forming a first electrode material layer on a substrate, and forming an electroluminescent layer on the first electrode material layer. Forming an electroluminescent layer, and scanning the focused laser beam while positioning the focal point of the focused laser beam from the first electrode material layer side boundary surface of the substrate to the outer boundary surface of the electroluminescence layer, Cutting at least a part of the electroluminescent layer and the first electrode material layer to form a plurality Forming an anode electrode on the electroluminescent layer; forming a second electrode material layer on the electroluminescent layer; focusing the focused laser beam on the electroluminescent layer of the anode electrode By scanning the focused laser beam while being positioned from the side boundary surface to the outer boundary surface of the second electrode material layer, at least a part of the electroluminescence layer and the second electrode material layer is cut to form a plurality of cathodes. A method of forming a cathode electrode for forming an electrode.
化合物からなり、前記第１電極材料層形成工程と前記エ
レクトロルミネッセンス層形成工程との間に有機化合物
からなる正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成工程を有
することを特徴とする請求項５記載のエレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法。6. The method according to claim 1, wherein the electroluminescent layer is formed of an organic compound, and a hole transport layer formed of an organic compound is formed between the first electrode material layer forming step and the electroluminescent layer forming step. 6. The method for manufacturing an electroluminescent device according to claim 5, comprising a step.
極材料層形成工程との間に有機化合物からなる電子輸送
層を形成する電子輸送層形成工程を有することを特徴と
する請求項６記載のエレクトロルミネッセンス素子の製
造方法。7. The method according to claim 6, further comprising an electron transport layer forming step of forming an electron transport layer made of an organic compound between the anode electrode forming step and the second electrode material layer forming step. A method for manufacturing an electroluminescence element.
化合物からなり、前記第１電極材料層形成工程と前記エ
レクトロルミネッセンス層形成工程との間に第１絶縁層
を形成する第１絶縁層形成工程を有し、前記アノード電
極形成工程と前記第２電極材料層形成工程との間に第２
絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程を有することを特
徴とする請求項５記載のエレクトロルミネッセンス素子
の製造方法。8. The method according to claim 1, wherein the electroluminescent layer is made of an inorganic compound, and further includes a first insulating layer forming step of forming a first insulating layer between the first electrode material layer forming step and the electroluminescent layer forming step. Between the anode electrode forming step and the second electrode material layer forming step.
The method according to claim 5, further comprising a second insulating layer forming step of forming an insulating layer.
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