JP2837552B2 - Post-treatment method of plating film - Google Patents
Post-treatment method of plating filmInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、一般に、めっき皮膜
の後処理方法に関するものであり、より特定的には、高
品質のめっき皮膜が得られるように改良された、めっき
皮膜の後処理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention generally relates to a post-treatment method for a plating film, and more particularly to a post-treatment method for a plating film improved so as to obtain a high-quality plating film. About.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電子機器の一部には、接点や電極が設け
られている。これらの接点や電極は、たとえば、純金か
らなるめっき皮膜で形成される。2. Description of the Related Art Some electronic devices are provided with contacts and electrodes. These contacts and electrodes are formed of, for example, a plating film made of pure gold.
【０００３】図５は、特公昭６０−４５２７８号公報に
開示されている、電気端子の局部にめっき皮膜を形成す
る噴流めっき方法を示す図である。FIG. 5 is a view showing a jet plating method disclosed in Japanese Patent Publication No. 60-45278 for forming a plating film on a local portion of an electric terminal.
【０００４】被めっき材１である電気端子は、陰極１２
に固定される。空所１０を有するマスク１５は、電気端
子１を部分的に取囲むものである。空所１０に対向し
て、金めっき液の噴流１４を形成するためのノズル１３
が設けられている。図示しない陽極と陰極１２の間に電
圧を印加し、一方で、ノズル１３よりめっき液の噴流１
４を吹き出す。この処理により、図６を参照して、電気
端子１の局部めっきを行なうべき箇所に純金のめっき皮
膜１８が形成される。[0004] The electric terminal, which is the material 1 to be plated, has a cathode 12.
Fixed to The mask 15 having the space 10 partially surrounds the electric terminal 1. A nozzle 13 for forming a jet 14 of a gold plating solution facing the cavity 10
Is provided. A voltage is applied between an anode (not shown) and a cathode 12 (not shown).
Blow out 4. By this processing, referring to FIG. 6, a plating film 18 of pure gold is formed at a position where local plating of electric terminal 1 is to be performed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来の噴流めっき法に
よると、被めっき材１である電気端子毎にマスキングす
ることなしに、高速で局部めっきすることが可能とな
る。According to the conventional jet plating method, it is possible to perform local plating at high speed without masking each electric terminal as the material 1 to be plated.
【０００６】しかしながら、めっき皮膜１８の析出速度
が速いために、めっき皮膜１８は粒状のめっき皮膜にな
りやすい。その結果、めっき皮膜１８の割れが発生し、
また、めっき皮膜１８内にポロシティ（孔）が発生し、
高品質のめっき皮膜が得られないという問題点があっ
た。さらに、めっき皮膜に大きな応力が作用すると、め
っき皮膜１８と被めっき材１である電気端子との界面
で、めっき皮膜１８が剥離することがあり、高品質のめ
っき皮膜が得られないという問題点があった。However, since the deposition rate of the plating film 18 is high, the plating film 18 tends to become a granular plating film. As a result, cracking of the plating film 18 occurs,
In addition, porosity (holes) is generated in the plating film 18,
There was a problem that a high quality plating film could not be obtained. Furthermore, when a large stress acts on the plating film, the plating film 18 may peel off at the interface between the plating film 18 and the electrical terminal as the material 1 to be plated, and a high quality plating film cannot be obtained. was there.
【０００７】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、高品質のめっき皮膜にするた
めの、めっき皮膜の後処理方法を提供することを目的と
する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a post-treatment method for a plating film to obtain a high-quality plating film.
【０００８】[0008]
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】この発明に従う方法は、
被めっき材の表面に形成され、純金属めっき層と、該純
金属めっき層の上に設けられ、該純金属を一成分とする
共晶合金めっき層と、該共晶合金めっき層の上に設けら
れた純金属めっき層と、からなる三層構造のめっき皮膜
の後処理方法に係るものである。その表面に、上記三層
構造のめっき皮膜が形成された被めっき材を準備する。
被めっき材の表面側から上記めっき皮膜をプレスしなが
ら、該めっき皮膜を上記純金属めっき層の固相線温度以
下の温度であって、かつ上記共晶合金めっき層の共晶温
度以上の温度で加熱する。The method according to the present invention comprises:
A pure metal plating layer formed on the surface of the material to be plated, a eutectic alloy plating layer provided on the pure metal plating layer, and containing the pure metal as a component, and a eutectic alloy plating layer on the eutectic alloy plating layer The present invention relates to a post-treatment method for a plating film having a three-layer structure including a pure metal plating layer provided. A material to be plated having the three-layered plating film formed on its surface is prepared.
While pressing the plating film from the surface side of the material to be plated, the plating film is heated at a temperature not higher than the solidus temperature of the pure metal plating layer and not lower than the eutectic temperature of the eutectic alloy plating layer. Heat with.
【００１０】[0010]
【００１１】[0011]
【作用】この発明に従うめっき皮膜の後処理方法によれ
ば、共晶合金めっき層を加熱によって溶融させるので、
共晶合金めっき層の溶融物が純金属めっき層に拡散す
る。その結果、純金属めっき皮膜内部の格子欠陥密度が
大幅に低下する。その結果、めっき皮膜の割れやポロシ
ティが減少し、ひいては、高品質のめっき皮膜が得られ
る。According to the post-treatment method for a plating film according to the present invention , the eutectic alloy plating layer is melted by heating.
The melt of the eutectic alloy plating layer diffuses into the pure metal plating layer. As a result, the lattice defect density inside the pure metal plating film is greatly reduced. As a result, cracks and porosity of the plating film are reduced, and a high quality plating film is obtained.
【００１２】[0012]
【実施例】参考例１ 図１は、本発明の参考例に係る、めっき皮膜の後処理方
法を実現するための装置の概念図である。後処理装置
は、めっき皮膜１８が形成された被めっき材１を載せる
ための冷却チップ１０を備える。冷却チップ１０は、た
とえば純銅からなり、水冷されている。冷却チップ１０
の上方には、冷却チップ１０と協働して、被めっき材１
を挟むヒータチップ３が設けられている。ヒータチップ
３は、モリブデン、タングステンまたはチタンから形成
される。ヒータチップ３には通電端子４ａ，４ｂが設け
られ、通電端子４ａ，４ｂは電源５に接続されている。
図示しないが、冷却チップ１０は電源５とは電気的に絶
縁されている。ヒータチップ３の上には、絶縁体６を介
在させて、加圧機構７が設置される。絶縁体６は、ヒー
タチップ３以外に電流が流れないようにするためのもの
であり、たとえばテフロン樹脂板で形成される。Embodiment 1 FIG. 1 is a conceptual diagram of an apparatus for realizing a post-treatment method of a plating film according to a reference example of the present invention. The post-processing apparatus includes a cooling chip 10 on which the material to be plated 1 on which the plating film 18 is formed is placed. The cooling chip 10 is made of, for example, pure copper and is water-cooled. Cooling chip 10
Above the workpiece 1 in cooperation with the cooling chip 10.
Is provided. The heater chip 3 is formed from molybdenum, tungsten or titanium. The heater chip 3 is provided with energizing terminals 4a and 4b, and the energizing terminals 4a and 4b are connected to a power supply 5.
Although not shown, the cooling chip 10 is electrically insulated from the power supply 5. A pressure mechanism 7 is provided on the heater chip 3 with an insulator 6 interposed therebetween. The insulator 6 is for preventing a current from flowing to portions other than the heater chip 3, and is formed of, for example, a Teflon resin plate.
【００１３】加圧機構７には、ロッド８を介在させて、
エアシリンダ９が接続されている。エアシリンダ９は、
ロッド８を上下させるものである。The pressure mechanism 7 has a rod 8 interposed therebetween.
The air cylinder 9 is connected. The air cylinder 9
The rod 8 is moved up and down.
【００１４】図２は、この発明に係る、めっき皮膜の後
処理方法において採用される、温度および加圧力の時間
変化を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing changes over time in temperature and pressure applied in the method for post-treating a plating film according to the present invention.
【００１５】図１と図２を参照して、めっき皮膜の後処
理方法を説明する。With reference to FIGS. 1 and 2, a method of post-treating a plating film will be described.
【００１６】その表面にめっき皮膜１８が形成された被
めっき材１を冷却チップ１０の上に載せる。めっき皮膜
１８は、たとえば図５に示す噴流めっき方法によって形
成されたものである。エアシリンダ９を操作して、ロッ
ド８を押下げる。ロッド８の押下げによって、加圧機構
７が、ヒータチップ３を間に挟んで、めっき皮膜１８を
加圧し始める。The material to be plated 1 having a plating film 18 formed on its surface is placed on the cooling chip 10. The plating film 18 is formed, for example, by the jet plating method shown in FIG. The air cylinder 9 is operated to push down the rod 8. When the rod 8 is pressed down, the pressing mechanism 7 starts pressing the plating film 18 with the heater chip 3 interposed therebetween.
【００１７】めっき皮膜１８に圧力が加えられると同時
に、電源５は通電を開始し、ヒータチップ３の温度を上
昇させる。ヒータチップ３で発生した熱はめっき皮膜１
８に伝達され、めっき皮膜１８の温度も上昇する。な
お、被めっき材１の裏面が冷却チップ１０により冷却さ
れているので、被めっき材１は熱影響を受難くなってい
る。めっき皮膜１８の温度上昇に伴って、加圧力をだん
だん増加させる。所定の温度に達したら、図２に示すよ
うに、一定温度Ｔ1 および一定加圧力Ｐ1 に維持する。
その後、温度および加圧力を下げていく。At the same time as the pressure is applied to the plating film 18, the power supply 5 starts energizing and raises the temperature of the heater chip 3. Heat generated by heater chip 3 is plating film 1
8, the temperature of the plating film 18 also increases. In addition, since the back surface of the material to be plated 1 is cooled by the cooling chip 10, the material to be plated 1 is hardly affected by heat. As the temperature of the plating film 18 increases, the pressing force is gradually increased. When the temperature reaches the predetermined temperature, the temperature is maintained at a constant temperature T 1 and a constant pressure P 1 as shown in FIG.
Thereafter, the temperature and the pressure are reduced.
【００１８】純金めっきの場合、Ｔ1 は９００〜９５０
℃が好ましい。Ｐ1 は、１〜３ｋｇｆ／ｍｍ2 が好まし
い。温度Ｔ1 に到達するまでの時間ｔ1 は、１０〜２０
分が好ましい。温度Ｔ1 での保持時間（ｔ3 −ｔ1 ）は
２０〜３０分が好ましい。冷却時間（ｔ5 −ｔ3 ）は、
２０〜４０分が好ましい。また、圧力Ｐ1 に到達するま
での時間ｔ2 は１０〜２０分が好ましく、時間ｔ1 より
も長時間であるのが好ましい。圧力Ｐ1 での保持時間
（ｔ4 −ｔ2 ）は、３０〜５０分が好ましい。除圧時間
（ｔ5 −ｔ4 ）は５〜１０分が好ましい。時間ｔ2 を時
間ｔ1 よりも短く設定すると、めっき皮膜内部で破断が
生じる場合があった。In the case of pure gold plating, T 1 is 900 to 950.
C is preferred. P 1 is preferably 1 to 3 kgf / mm 2 . The time t 1 required to reach the temperature T 1 is 10 to 20
Minutes are preferred. The holding time (t 3 −t 1 ) at the temperature T 1 is preferably 20 to 30 minutes. Cooling time (t 5 -t 3) is,
20 to 40 minutes are preferred. The time t 2 is preferably 10 to 20 minutes to reach a pressure P 1, preferably a longer time than the time t 1. The holding time (t 4 −t 2 ) at the pressure P 1 is preferably 30 to 50 minutes. Between removal pressure time (t 5 -t 4) is preferably 5 to 10 minutes. If shorter than the time t 2 time t 1, there are cases where fracture within the plating film occurs.
【００１９】なお、これらの処理プロセスは、ヒータチ
ップ３およびめっき皮膜１８の酸化を防止するために、
アルゴンや窒素等の不活性ガス雰囲気下で行なった。These processing processes are performed to prevent the heater chip 3 and the plating film 18 from being oxidized.
The test was performed under an atmosphere of an inert gas such as argon or nitrogen.
【００２０】上述の処理を行なった後、試料を取出し
た。図３は、取出した試料の断面図である。被めっき材
１の上に形成されためっき皮膜１８の金属組織を顕微鏡
で観察したところ、割れやポロシティは認められなかっ
た。After performing the above processing, a sample was taken out. FIG. 3 is a sectional view of the sample taken out. When the metallographic structure of the plating film 18 formed on the material to be plated 1 was observed with a microscope, no crack or porosity was observed.
【００２１】実施例１ 図４は、この発明の実施例において用いられるめっき皮
膜の断面図である。図４を参照して、被めっき材１の上
に三層構造のめっき皮膜１８が形成されている。めっき
皮膜１８は、めっき金属層２ａと、めっき金属層２ａの
上に形成された非晶合金めっき層１１と、非晶合金めっ
き層１１の上に形成されためっき金属層２ｂとからな
る。めっき金属層２ａ，２ｂは、たとえば純Ａｕからな
る。非晶合金めっき層１１は、めっき金属層２ａ，２ｂ
を主成分として、それに添加元素が加えられたものであ
り、たとえば、Ａｕ−６重量％Ｓｉ共晶合金からなる。
めっき金属層２ａ、共晶合金めっき層１１およびめっき
金属部２ｂの厚さの比率は、３：１：２であった。 Embodiment 1 FIG. 4 is a sectional view of a plating film used in an embodiment of the present invention . Referring to FIG. 4, a plating film 18 having a three-layer structure is formed on material 1 to be plated. The plating film 18 includes a plating metal layer 2a, an amorphous alloy plating layer 11 formed on the plating metal layer 2a, and a plating metal layer 2b formed on the amorphous alloy plating layer 11. The plating metal layers 2a and 2b are made of, for example, pure Au. The amorphous alloy plating layer 11 includes the plating metal layers 2a and 2b.
As a main component and an additional element added thereto, and is made of, for example, an Au-6 wt% Si eutectic alloy.
The ratio of the thicknesses of the plating metal layer 2a, the eutectic alloy plating layer 11, and the plating metal portion 2b was 3: 1: 2.
【００２２】このような三層構造のめっき皮膜１８を有
する被めっき材１を、図１に示す装置を用いて、図２に
示す条件で加熱圧縮する。この場合、純金の融点１０６
３℃に比較して、Ａｕ−６重量％Ｓｉ共融合金の共晶温
度は約３７０℃と低い。そのため、参考例の場合と比較
して、ｔ1 〜ｔ5 の時間を参考例の１／３程度にして
も、高品質のめっき皮膜が得られる。その理由は、共晶
合金めっき層１１が加熱中に溶融し、溶融した金属がめ
っき金属層２ａ，２ｂに拡散し、ひいてはめっき金属層
２ａ，２ｂ内部の格子欠陥密度が大幅に低下するからで
ある。The material 1 to be plated having such a three-layered plating film 18 is heated and compressed using the apparatus shown in FIG. 1 under the conditions shown in FIG. In this case, the melting point of pure gold 106
Compared with 3 ° C., the eutectic temperature of Au-6 wt% Si eutectic gold is as low as about 370 ° C. Therefore, compared to the case of the reference example , a high-quality plating film can be obtained even when the time from t 1 to t 5 is set to about の of the reference example . The reason is that the eutectic alloy plating layer 11 melts during heating, and the molten metal diffuses into the plating metal layers 2a and 2b, and the lattice defect density inside the plating metal layers 2a and 2b is greatly reduced. is there.
【００２３】[0023]
【００２４】[0024]
【００２５】[0025]
【００２６】[0026]
【００２７】[0027]
【００２８】[0028]
【００２９】[0029]
【００３０】[0030]
【発明の効果】この発明に従うめっき皮膜の後処理方法
によれば、共晶合金めっき層を加熱によって溶融させる
ので、共晶合金めっき層の溶融物が純金属めっき層に拡
散する。その結果、純金属めっき皮膜内部の格子欠陥密
度が大幅に低下し、ひいては、めっき皮膜の割れやポロ
シティなどが減少する。その結果、高品質のめっき皮膜
が得られるという効果を奏する。According to the post-treatment method of the plating film according to the present invention , the eutectic alloy plating layer is melted by heating, so that the molten material of the eutectic alloy plating layer diffuses into the pure metal plating layer. As a result, the lattice defect density inside the pure metal plating film is greatly reduced, and as a result, cracks and porosity of the plating film are reduced. As a result, there is an effect that a high quality plating film can be obtained.
【図１】本発明の参考例に係る、めっき皮膜の後処理方
法を実現する装置の概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram of an apparatus for realizing a post-treatment method of a plating film according to a reference example of the present invention.
【図２】本発明の参考例に係る、めっき皮膜の後処理方
法において採用される、温度および加圧力の時間変化を
示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a time change of a temperature and a pressure applied in a post-treatment method of a plating film according to a reference example of the present invention.
【図３】本発明の参考例に係る処理方法によって得た、
めっき皮膜を備える被めっき材の断面図である。FIG. 3 is obtained by a processing method according to a reference example of the present invention;
It is sectional drawing of the to-be-plated material provided with a plating film.
【図４】本発明を適用する、三層構造のめっき皮膜を備
える被めっき材の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a material to be plated having a three-layered plating film to which the present invention is applied.
【図５】従来の噴流めっき方法を示す概念図である。FIG. 5 is a conceptual diagram showing a conventional jet plating method.
【図６】従来の噴流めっき方法によって得た金属めっき
皮膜を備える被めっき材の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a material to be plated having a metal plating film obtained by a conventional jet plating method.
１ 被めっき材 ３ ヒータチップ ４ 通電端子 ５ 電源 ７ 加圧機構 ８ ロッド ９ エアシリンダ １０ 冷却チップ １８ めっき皮膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 To-be-plated material 3 Heater chip 4 Power supply terminal 5 Power supply 7 Pressurizing mechanism 8 Rod 9 Air cylinder 10 Cooling chip 18 Plating film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 修 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社 生産技術研究所内 (72)発明者 星之内 進 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社 生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−128287（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−210992（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−161094（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−99934（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−64053（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C25D 5/00 - 7/12 C22F 1/14 H01R 13/03 H01R 43/00──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Osamu Hayashi Inventor, 8-1-1, Tsukaguchi Honcho, Amagasaki-shi, Hyogo Mitsubishi Electric Corporation (72) Inventor Susumu Hoshinouchi 8-chome, Tsukaguchi-Honcho, Amagasaki-shi, Hyogo No. 1 Mitsubishi Electric Corporation Production Technology Laboratory (56) References JP-A-60-128287 (JP, A) JP-A-57-210992 (JP, A) JP-A-56-161094 (JP, A) JP-A-52-99934 (JP, A) JP-A-3-64053 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) C25D 5/00-7/12 C22F 1/14 H01R 13/03 H01R 43/00
Claims (1)
っき層と、該純金属めっき層の上に設けられ、該純金属
を主成分とする共晶合金めっき層と、該共晶合金めっき
層の上に設けられた純金属めっき層と、からなる三層構
造のめっき皮膜の後処理方法であって、 その表面に前記めっき皮膜が形成された被めっき材を準
備する工程と、 前記被めっき材の表面側から前記めっき皮膜をプレスし
ながら、該めっき皮膜を前記純金属めっき層の固相線温
度以下の温度であって、かつ前記共晶合金めっき層の共
晶温度以上の温度で加熱する工程と、を備える、めっき
皮膜の後処理方法。1. A pure metal plating layer formed on a surface of a material to be plated, a eutectic alloy plating layer provided on the pure metal plating layer and containing the pure metal as a main component, and the eutectic alloy A pure metal plating layer provided on the plating layer, a post-treatment method of a plating film having a three-layer structure comprising: a step of preparing a material to be plated having the plating film formed on the surface thereof; While pressing the plating film from the surface side of the material to be plated, the temperature of the plating film is equal to or lower than the solidus temperature of the pure metal plating layer and equal to or higher than the eutectic temperature of the eutectic alloy plating layer. And a step of heating the plating film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8012791A JP2837552B2 (en) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | Post-treatment method of plating film |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP8012791A JP2837552B2 (en) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | Post-treatment method of plating film |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04314886A JPH04314886A (en) | 1992-11-06 |
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Family
ID=13709555
Family Applications (1)
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| JP8012791A Expired - Lifetime JP2837552B2 (en) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | Post-treatment method of plating film |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2837552B2 (en) |
-
1991
- 1991-04-12 JP JP8012791A patent/JP2837552B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JPH04314886A (en) | 1992-11-06 |
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