JP2836352B2 - Semiconductor wafer cleaning equipment - Google Patents

Semiconductor wafer cleaning equipment

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JP2836352B2
JP2836352B2 JP6302692A JP6302692A JP2836352B2 JP 2836352 B2 JP2836352 B2 JP 2836352B2 JP 6302692 A JP6302692 A JP 6302692A JP 6302692 A JP6302692 A JP 6302692A JP 2836352 B2 JP2836352 B2 JP 2836352B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハに微細
凍結粒子を衝突させて洗浄する半導体ウエハ洗浄装置に
係り、特に半導体ウエハの保持部の構造に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers by colliding fine frozen particles with the semiconductor wafers, and more particularly to a structure of a semiconductor wafer holding portion.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4はこの種の従来の半導体ウエハ洗浄
装置の構成を示す図、図5は図4における半導体ウエハ
洗浄装置の半導体ウエハ保持機構の構成を示す斜視図、
図6は図4における半導体ウエハ洗浄装置における微細
凍結粒子の噴射状態を示す図である。図において、1は
微細凍結粒子を生成する製氷部、2は冷却用の液体窒素
を製氷部1に供給する供給管、3は純水を微噴霧する噴
霧ノズル、4は生成された微細凍結粒子、5は微細凍結
粒子4を噴射する噴射ノズル、6は半導体ウエハ7を保
持するウエハ保持アーム、8はこのウエハ保持アーム6
を移動させるための駆動機構で、これらウエハ保持アー
ム6および駆動機構8で図5に示すようなウエハ保持機
構9を構成している。10は洗浄槽、11は半導体ウエ
ハ7にイオンを放射して表面に帯電する静電気を中和し
て除去する静電気除去装置である。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a view showing the configuration of a conventional semiconductor wafer cleaning apparatus of this type, FIG. 5 is a perspective view showing the configuration of a semiconductor wafer holding mechanism of the semiconductor wafer cleaning apparatus in FIG.
FIG. 6 is a view showing a state of spraying fine frozen particles in the semiconductor wafer cleaning apparatus in FIG. In the figure, 1 is an ice making section for generating fine frozen particles, 2 is a supply pipe for supplying liquid nitrogen for cooling to the ice making section 1, 3 is a spray nozzle for finely spraying pure water, and 4 is generated fine frozen particles. Reference numeral 5 denotes an injection nozzle for injecting the fine frozen particles 4, reference numeral 6 denotes a wafer holding arm for holding the semiconductor wafer 7, and reference numeral 8 denotes the wafer holding arm 6.
The wafer holding arm 6 and the driving mechanism 8 constitute a wafer holding mechanism 9 as shown in FIG. Reference numeral 10 denotes a cleaning tank, and reference numeral 11 denotes a static electricity removing device that emits ions to the semiconductor wafer 7 to neutralize and remove static electricity charged on the surface.

【0003】そして、ウエハ保持機構9は図5に示すよ
うに、半導体ウエハ7を保持するフィンガー12a、1
2bおよび13a、13bをそれぞれ有し、シリンダ1
4によって接離方向にスライダー15上を移動する一対
のアーム12、13と、各フィンガー12a、12b、
13a、13bの先端に支承されたローラ16、17、
18、19と、これらローラ16、17、18、19の
内下方に位置するローラ17、19を、ギヤ群20を介
して回転駆動するモータ21と、両アーム12、13を
レール22上水平方向に移動させるリニアモータ23と
で構成されている。
As shown in FIG. 5, the wafer holding mechanism 9 has fingers 12a, 1
2b and 13a, 13b, respectively, and the cylinder 1
4, a pair of arms 12 and 13 that move on the slider 15 in the contact and separation directions, and fingers 12a and 12b,
Rollers 16, 17 supported at the tips of 13a, 13b,
18 and 19; a motor 21 for rotating the rollers 17 and 19 positioned below the rollers 16, 17, 18 and 19 via a gear group 20; And a linear motor 23 for moving the motor.

【0004】次に、上記のように構成される従来の半導
体ウエハ洗浄装置の動作について説明する。まず、図4
に示すように、断熱材で囲まれた製氷部1に液体窒素を
供給管2を介して供給し、その内部で蒸発させることに
より製氷部1内を冷却する。製氷部1内が十分に冷却さ
れた後、噴霧ノズル3から超純水が微噴霧され微細凍結
粒子4が得られる。こうして得られた微細凍結粒子4を
気体の噴流によるエジェクター方式によって噴射ノズル
5から洗浄槽10内に高圧で噴射され、ウエハ保持機構
9によって保持される半導体ウエハ7の表面は洗浄され
る。この際、半導体ウエハ7とこれに衝突する微細凍結
粒子との間で摩擦が起こり、静電気が発生して半導体ウ
エハ7が帯電すると、半導体ウエハ7上に形成されたパ
ターンの静電破壊が発生するため、静電気除去装置11
により半導体ウエハ7上にイオンを放射し、静電気を中
和して除去し半導体ウエハ7が帯電するのを防止してい
る。
Next, the operation of the conventional semiconductor wafer cleaning apparatus configured as described above will be described. First, FIG.
As shown in (1), liquid nitrogen is supplied to the ice making unit 1 surrounded by the heat insulating material through the supply pipe 2, and the inside thereof is evaporated to cool the inside of the ice making unit 1. After the inside of the ice making unit 1 is sufficiently cooled, ultrapure water is finely sprayed from the spray nozzle 3 to obtain fine frozen particles 4. The fine frozen particles 4 thus obtained are ejected from the ejection nozzle 5 into the cleaning tank 10 at a high pressure by an ejector method using a gas jet, and the surface of the semiconductor wafer 7 held by the wafer holding mechanism 9 is washed. At this time, friction occurs between the semiconductor wafer 7 and the fine frozen particles colliding with the semiconductor wafer 7, and when static electricity is generated and the semiconductor wafer 7 is charged, electrostatic destruction of a pattern formed on the semiconductor wafer 7 occurs. Therefore, the static eliminator 11
Thus, ions are emitted onto the semiconductor wafer 7 to neutralize and remove the static electricity, thereby preventing the semiconductor wafer 7 from being charged.

【0005】一方、ウエハ保持機構18においては、ま
ず、図示されない搬送装置によって半導体ウエハ7が所
定の位置に搬送されてくると、シリンダ14によって両
アーム12、13を接近する方向に移動させ、各フィン
ガー12a、12bおよび13a、13bに支承された
各ローラ16、17、18、19によって半導体ウエハ
7を保持する。その後、モータ21を駆動させてローラ
17、19を回転させながら、図6に示すように噴射ノ
ズル5から微細凍結粒子4を半導体ウエハ7の表面に噴
射させる。そして、リニアモータ23を駆動させて両ア
ーム12、13を、レール22上水平方向に移動させる
ことにより、図7および図8に示すように半導体ウエハ
7の表面全域に、微細凍結粒子4が行き渡るように成さ
れている。
On the other hand, in the wafer holding mechanism 18, first, when the semiconductor wafer 7 is transferred to a predetermined position by a transfer device (not shown), the arms 14 and 13 are moved by the cylinder 14 in the approaching direction. The semiconductor wafer 7 is held by rollers 16, 17, 18, and 19 supported by fingers 12a, 12b and 13a, 13b. Thereafter, while the motor 21 is driven to rotate the rollers 17 and 19, the fine frozen particles 4 are jetted from the jet nozzle 5 onto the surface of the semiconductor wafer 7 as shown in FIG. Then, by driving the linear motor 23 to move the arms 12 and 13 horizontally on the rail 22, the fine frozen particles 4 spread over the entire surface of the semiconductor wafer 7 as shown in FIGS. It is made as follows.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウエハ洗
浄装置はウエハ保持機構9が以上のように構成されてい
るので、半導体ウエハ7の全面を洗浄するためには、図
7および図8に示すように、両アーム12、13をスラ
イダー15上を水平方向に移動させ、噴射ノズル5の位
置と半導体ウエハ7の端面とがほぼ一致するまで半導体
ウエハ7を移動させなければならないため、半導体ウエ
ハ7の端面近傍に配設されている各フィンガー12a、
12b、13a、13bおよび各ローラ16、17、1
8、19にも、微細凍結粒子4が噴射されこれらの表面
を削って微細な異物が発生し、これらの異物が半導体ウ
エハ7表面に付着して、その結果、半導体ウエハ7の汚
染が生し、洗浄上の信頼性が低下するという問題点があ
った。
In the conventional semiconductor wafer cleaning apparatus, since the wafer holding mechanism 9 is constructed as described above, in order to clean the entire surface of the semiconductor wafer 7, FIGS. As described above, the arms 12 and 13 must be moved in the horizontal direction on the slider 15 and the semiconductor wafer 7 must be moved until the position of the injection nozzle 5 and the end face of the semiconductor wafer 7 substantially coincide with each other. Each finger 12a disposed near the end face of
12b, 13a, 13b and each roller 16, 17, 1
8 and 19, the fine frozen particles 4 are sprayed, and their surfaces are shaved to generate fine foreign matters. These foreign matters adhere to the surface of the semiconductor wafer 7, and as a result, contamination of the semiconductor wafer 7 occurs. However, there has been a problem that the reliability in cleaning is reduced.

【0007】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、ウエハ洗浄上の信頼性の向
上が可能な半導体ウエハ洗浄装置を提供することを目的
とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor wafer cleaning apparatus capable of improving reliability in cleaning a wafer.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体ウ
エハ洗浄装置は、垂直方向に延在して設けられお互いに
接離する方向および上下方向に移動可能な一対のフィン
ガーと、これら両フィンガーの下方先端にそれぞれ配設
され半導体ウエハの端面の相反する側を把持するととも
に同期回転する複数のローラと、両フィンガーのほぼ中
間に配設され半導体ウエハ表面に微細凍結粒子を噴射さ
せる噴射ノズルとを備えたものである。
A semiconductor wafer cleaning apparatus according to the present invention is provided with a pair of fingers which extend in a vertical direction and are movable in directions of coming and going and moving up and down with each other, and a pair of these fingers. A plurality of rollers respectively disposed at the lower end and gripping opposite sides of the end face of the semiconductor wafer and rotating synchronously, and an injection nozzle disposed substantially in the middle of both fingers and injecting fine frozen particles onto the surface of the semiconductor wafer are provided. It is provided.

【0009】[0009]

【作用】この発明における半導体ウエハ洗浄装置の複数
のローラは、上下方向に移動する一対のフィンガーの下
方先端にそれぞれ回動自在に配設され、半導体ウエハの
端面の相反する側を把持する。
The plurality of rollers of the semiconductor wafer cleaning apparatus according to the present invention are rotatably disposed at the lower ends of a pair of fingers which move vertically, and grip opposite sides of the end face of the semiconductor wafer.

【0010】[0010]

【実施例】【Example】

実施例1.以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図1はこの発明の実施例1における半導体ウエハ洗
浄装置の半導体ウエハ保持機構の構成を示す斜視図であ
る。図において、24は垂直に配設されるレール25
と、このレール25に沿って上昇、下降するスライダー
26とで構成されるリニアモータ、27はスライダー2
6上に設けられ水平方向に延在するレール、28、29
はこのレール27上をお互いに接離する方向に摺動する
スライダー、そして、これらレール27および両スライ
ダー28、29でリニアモータ30を構成している。
Embodiment 1 FIG. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a semiconductor wafer holding mechanism of a semiconductor wafer cleaning apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. In the drawing, reference numeral 24 denotes a vertically arranged rail 25.
And a slider 26 that moves up and down along the rail 25.
6, rails 28, 29 provided on
, A slider that slides on the rail 27 in a direction to contact and separate from each other, and the rail 27 and both sliders 28 and 29 constitute a linear motor 30.

【0011】31、32は両スライダー28、29上に
設けられ垂直方向に延在する一対のフィンガーで、先端
にはそれぞれ保持部31a、32aが形成されている。
33、34、35および36、37、38は両保持部3
1a、32aに回転自在に設けられるローラ、39、4
0はこれら各ローラ33〜38とは、例えばベルト等の
伝達機構(図示せず)で連結され、各ローラ33〜38
を同期回転させる駆動装置である。なお、微細凍結粒子
4を噴射する噴射ノズル5は、両フィンガー31、32
のほぼ中間の位置に配設されている。
Reference numerals 31 and 32 denote a pair of fingers provided on both sliders 28 and 29 and extending in the vertical direction, and holding portions 31a and 32a are formed at the tips, respectively.
33, 34, 35 and 36, 37, 38
Rollers rotatable on 1a, 32a, 39, 4
0 is connected to each of the rollers 33 to 38 by a transmission mechanism (not shown) such as a belt.
Is a driving device for synchronously rotating. In addition, the injection nozzle 5 that injects the fine frozen particles 4 has two fingers 31, 32.
It is arranged almost at the middle position of.

【0012】次に、上記のように構成されたこの発明の
実施例1における半導体ウエハ洗浄装置の動作について
説明する。まず、図示されない搬送装置によって半導体
ウエハ7が所定の位置に搬送されてくると、両スライダ
ー28、29を接近する方向に移動させ、両フィンガー
31、32の先端にそれぞれ形成される保持部31a、
32aで各ローラ33〜38を介して半導体ウエハ7を
保持する。そして、図2および図3に示すように駆動装
置39、40により同期回転させるとともに、スライダ
ー26をレール25に沿って上昇、下降させることによ
り、半導体ウエハ7を回転させながら上下動させ、この
状態で噴射ノズル5から微細凍結粒子4を半導体ウエハ
7表面に向けて噴射することにより洗浄が行われる。
Next, the operation of the semiconductor wafer cleaning apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described. First, when the semiconductor wafer 7 is transferred to a predetermined position by a transfer device (not shown), the sliders 28 and 29 are moved in the approaching direction, and the holding portions 31a formed at the tips of the fingers 31 and 32, respectively.
At 32a, the semiconductor wafer 7 is held via the rollers 33 to 38. Then, as shown in FIGS. 2 and 3, the semiconductor wafer 7 is rotated up and down by rotating the slider 26 up and down along the rail 25 while being synchronously rotated by the driving devices 39 and 40. Cleaning is performed by ejecting the fine frozen particles 4 from the ejection nozzle 5 toward the surface of the semiconductor wafer 7.

【0013】このように、上記実施例1によれば、各ロ
ーラ33〜38の同期回転により半導体ウエハ7を回転
させ、且つ、スライダー26の上昇、下降により半導体
ウエハ7を上下動させながら、微細凍結粒子4を噴射ノ
ズル5から半導体ウエハ7の表面に噴射するようにして
いるので、図7および図8に示す従来装置のように、半
導体ウエハ7を噴射ノズル5に対して水平方向に移動さ
せることなく、半導体ウエハ7の全表面に渡って微細凍
結粒子4を噴射させることができるため、微細凍結粒子
4が各ローラ33〜38、各保持部31a、32aに衝
突することがなくなり、これらが削られて微細な異物が
発生することも防止され、洗浄上の信頼性は大幅に向上
する。
As described above, according to the first embodiment, while the semiconductor wafer 7 is rotated by the synchronous rotation of the rollers 33 to 38 and the semiconductor wafer 7 is moved up and down by raising and lowering the slider 26, Since the frozen particles 4 are ejected from the ejection nozzle 5 onto the surface of the semiconductor wafer 7, the semiconductor wafer 7 is moved in the horizontal direction with respect to the ejection nozzle 5 as in the conventional apparatus shown in FIGS. Since the fine frozen particles 4 can be sprayed over the entire surface of the semiconductor wafer 7 without any trouble, the fine frozen particles 4 do not collide with each of the rollers 33 to 38 and each of the holding portions 31a and 32a. The generation of fine foreign matter due to shaving is also prevented, and the reliability in cleaning is greatly improved.

【0014】実施例2.尚、上記実施例1によれば、両
フィンガー31、32の水平方向および垂直方向の移動
を、それぞれリニアモータ30、24を駆動源として行
う場合について説明したが、ボールねじを適用して、ね
じ軸をそれぞれ水平方向および垂直方向に配設し、この
ねじ軸を例えば小型モータ等で回転させ、ねじ軸上を移
動するナットにそれぞれ被移動物体を搭載して移動させ
るようにしても、同様の効果を発揮することは言うまで
もない。
Embodiment 2 FIG. According to the first embodiment, the case where the horizontal and vertical movements of the fingers 31 and 32 are performed by using the linear motors 30 and 24 as drive sources, respectively, has been described. Even if the shafts are disposed in the horizontal direction and the vertical direction, respectively, this screw shaft is rotated by, for example, a small motor or the like, and the object to be moved is mounted on each of the nuts moving on the screw shaft and moved. Needless to say, it is effective.

【0015】実施例3.又、上記実施例1、2において
は、半導体ウエハ7と直接当接する各ローラ33〜38
の材料については説明していないが、各ローラ33〜3
8を導電性部材で形成するとともに、アースに接続して
おくようにすれば、洗浄時に生じる静電気を半導体ウエ
ハ7上からアースに放出して帯電を防止することができ
るので、図4に示す従来装置の静電気除去装置11が不
要となり、装置が簡素化できコストの低減を図ることが
できる。
Embodiment 3 FIG. In the first and second embodiments, each of the rollers 33 to 38 directly contacting the semiconductor wafer 7.
The material of the rollers 33 to 3 is not described.
4 is made of a conductive material and connected to the ground, static electricity generated during cleaning can be discharged from the semiconductor wafer 7 to the ground to prevent charging. The static elimination device 11 of the device is not required, so that the device can be simplified and the cost can be reduced.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば垂直方
向に延在して設けられお互いに接離する方向および上下
方向に移動可能な一対のフィンガーと、これら両フィン
ガーの下方先端にそれぞれ配設され半導体ウエハの端面
の相反する側を把持するとともに同期回転する複数のロ
ーラと、両フィンガーのほぼ中間に配設され半導体ウエ
ハ表面に微細凍結粒子を噴射させる噴射ノズルとを備え
たので、ウエハ洗浄上の信頼性の向上が可能な半導体ウ
エハ洗浄装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, a pair of fingers which extend in the vertical direction and are movable in the directions of contacting and separating from each other and in the vertical direction, and the lower ends of these two fingers are respectively provided. A plurality of rollers that are arranged and grip the opposite sides of the end face of the semiconductor wafer and rotate synchronously, and an ejection nozzle that is arranged almost in the middle of both fingers and ejects fine frozen particles to the surface of the semiconductor wafer are provided, A semiconductor wafer cleaning apparatus capable of improving the reliability of wafer cleaning can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施例1における半導体ウエハ洗浄
装置の半導体ウエハ保持機構の構成を示す斜視図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a semiconductor wafer holding mechanism of a semiconductor wafer cleaning apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】図1における半導体ウエハ保持機構のフィンガ
ーが上昇した状態を示す図である。
FIG. 2 is a view showing a state in which fingers of a semiconductor wafer holding mechanism in FIG. 1 are raised.

【図3】図1における半導体ウエハ保持機構のフィンガ
ーが下降した状態を示す図である。
FIG. 3 is a view showing a state where fingers of the semiconductor wafer holding mechanism in FIG. 1 are lowered.

【図4】従来の半導体ウエハ洗浄装置の構成を示す図で
ある。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a conventional semiconductor wafer cleaning apparatus.

【図5】図4における半導体ウエハ洗浄装置の半導体ウ
エハ保持機構の構成を示す斜視図である。
5 is a perspective view showing a configuration of a semiconductor wafer holding mechanism of the semiconductor wafer cleaning apparatus in FIG.

【図6】図4における半導体ウエハ洗浄装置における微
細凍結粒子の噴射状態を示す図である。
FIG. 6 is a view showing a state of spraying fine frozen particles in the semiconductor wafer cleaning apparatus in FIG. 4;

【図7】図5における半導体ウエハ保持機構のウエハ保
持部が平行移動して半導体ウエハ端面の一方が噴射ノズ
ルの位置に合致した状態を示す図である。
FIG. 7 is a view showing a state in which the wafer holding portion of the semiconductor wafer holding mechanism in FIG. 5 moves in parallel and one of the semiconductor wafer end faces coincides with the position of the ejection nozzle.

【図8】図5における半導体ウエハ保持機構のウエハ保
持部が平行移動して半導体ウエハ端面の他方が噴射ノズ
ルの位置に合致した状態を示す図である。
8 is a view showing a state in which the wafer holding portion of the semiconductor wafer holding mechanism in FIG. 5 moves in parallel, and the other of the semiconductor wafer end faces matches the position of the ejection nozzle.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4 微細凍結粒子 5 噴射ノズル 7 半導体ウエハ 24、30 リニアモータ 31、32 フィンガー 31a、32a 保持部 33〜38 ローラ 39、40 駆動装置 Reference Signs List 4 Fine frozen particles 5 Injection nozzle 7 Semiconductor wafer 24, 30 Linear motor 31, 32 Finger 31a, 32a Holder 33-38 Roller 39, 40 Drive device

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/304Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/304

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体ウエハの表面に微細凍結粒子を衝
突させ上記表面に付着したダスト等を除去する半導体ウ
エハ洗浄装置において、垂直方向に延在して設けられお
互いに接離する方向および上下方向に移動可能な一対の
フィンガーと、これら両フィンガーの下方先端にそれぞ
れ配設され上記半導体ウエハの端面の相反する側を把持
するとともに同期回転する複数のローラと、上記両フィ
ンガーのほぼ中間に配設され上記半導体ウエハ表面に上
記微細凍結粒子を噴射させる噴射ノズルとを備えたこと
を特徴とする半導体ウエハ洗浄装置。
1. A semiconductor wafer cleaning apparatus for removing fine particles and the like adhering to the surface of a semiconductor wafer by colliding with fine frozen particles on the surface of the semiconductor wafer. And a plurality of rollers respectively disposed at the lower ends of the two fingers and gripping opposite sides of the end surface of the semiconductor wafer and rotating synchronously with each other, and disposed substantially at the center between the two fingers. And a spray nozzle for spraying the fine frozen particles onto the surface of the semiconductor wafer.
【請求項2】 各ローラは導電性部材で形成されるとと
もにアースに接続されていることを特徴とする請求項1
記載の半導体ウエハ洗浄装置。
2. The roller according to claim 1, wherein each roller is formed of a conductive member and is connected to a ground.
A semiconductor wafer cleaning apparatus as described in the above.
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