JP2829378B2 - 超伝導体電磁波発生方法及び装置 - Google Patents
超伝導体電磁波発生方法及び装置Info
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- JP2829378B2 JP2829378B2 JP7233417A JP23341795A JP2829378B2 JP 2829378 B2 JP2829378 B2 JP 2829378B2 JP 7233417 A JP7233417 A JP 7233417A JP 23341795 A JP23341795 A JP 23341795A JP 2829378 B2 JP2829378 B2 JP 2829378B2
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超伝導状態におい
て、光誘起により電磁波を発生する超伝導体電磁波発生
方法及びその装置に関する。
て、光誘起により電磁波を発生する超伝導体電磁波発生
方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、超伝導体を用いた電磁波発生装置
として、ジョセフソンアレイ型発振器や磁束フロー型発
振器等が存在している。
として、ジョセフソンアレイ型発振器や磁束フロー型発
振器等が存在している。
【０００３】この内、ジョセフソンアレイ型発振器の例
としては、Ｓ．Ｈａｎらによる論文（Applied Physics
Letters 64(1994)1424.)の中で５００個のジョセフソン
接合をアレイ化することにより、約５００ＧＨｚの電磁
波が発生できることが報告されている。
としては、Ｓ．Ｈａｎらによる論文（Applied Physics
Letters 64(1994)1424.)の中で５００個のジョセフソン
接合をアレイ化することにより、約５００ＧＨｚの電磁
波が発生できることが報告されている。
【０００４】一方、磁束フロー型発振器の例としては、
第２回ヨーロッパ応用超伝導会議（ＥＵＣＡＳ‘９５）
において磁束フロー型ジョセフソン接合を用いて約１Ｔ
Ｈｚの電磁波が発生可能であることが報告されている。
第２回ヨーロッパ応用超伝導会議（ＥＵＣＡＳ‘９５）
において磁束フロー型ジョセフソン接合を用いて約１Ｔ
Ｈｚの電磁波が発生可能であることが報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では原理的に発生電磁波の周波数上限は約１ＴＨｚ
であり、これを改善することは困難であった。
方法では原理的に発生電磁波の周波数上限は約１ＴＨｚ
であり、これを改善することは困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、かかる従来技
術の課題を解決したものであり、超伝導状態にある超伝
導体素子の両電極にバイアス電圧を印加すると共に、超
伝導体素子に光パルスを照射し、該光パルスにより誘起
された電磁波を電磁波放射手段により超伝導体素子の外
部に放射するものである。
術の課題を解決したものであり、超伝導状態にある超伝
導体素子の両電極にバイアス電圧を印加すると共に、超
伝導体素子に光パルスを照射し、該光パルスにより誘起
された電磁波を電磁波放射手段により超伝導体素子の外
部に放射するものである。
【０００７】本発明は、また、超伝導状態にある超伝導
体素子の両電極にバイアス電圧を印加するバイアス電源
手段と、超伝導体素子に光パルスを照射する光パルス照
射手段と、上記光パルスにより誘起された電磁波を超伝
導体素子の外部に放射する電磁波放射手段とを備えた超
伝導電磁波発生装置を得るものである。
体素子の両電極にバイアス電圧を印加するバイアス電源
手段と、超伝導体素子に光パルスを照射する光パルス照
射手段と、上記光パルスにより誘起された電磁波を超伝
導体素子の外部に放射する電磁波放射手段とを備えた超
伝導電磁波発生装置を得るものである。
【０００８】また、上記電磁波放射手段は、超伝導体素
子にアンテナ構造を保有させることにより形成されるも
のである。
子にアンテナ構造を保有させることにより形成されるも
のである。
【０００９】更に、上記超伝導体素子は、酸化物超伝導
材料によって構成されているものである。
材料によって構成されているものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る超伝導体電磁
波発生方法及び装置の実施例を詳細に説明する。まず、
本発明における超伝導体電磁波発生方法の原理について
説明する。超伝導状態にある超伝導体に光パルスを照射
すると、光パルスのエネルギーによる電子遷移によっ
て、その部分の超伝導電流を担うクーパー対が瞬時に破
壊される。この時、超伝導体に電流が流れていれば、瞬
時に電流は分断されてその部分において分極を生じ、分
極と同時にそれに対応した電磁波が超伝導体中で誘起さ
れる。
波発生方法及び装置の実施例を詳細に説明する。まず、
本発明における超伝導体電磁波発生方法の原理について
説明する。超伝導状態にある超伝導体に光パルスを照射
すると、光パルスのエネルギーによる電子遷移によっ
て、その部分の超伝導電流を担うクーパー対が瞬時に破
壊される。この時、超伝導体に電流が流れていれば、瞬
時に電流は分断されてその部分において分極を生じ、分
極と同時にそれに対応した電磁波が超伝導体中で誘起さ
れる。
【００１１】その電磁波の周波数上限は分極量の時間に
対する２回微分により制限され、最大誘起電磁波周波数
は約１０ＴＨｚと見積もることができる。この電磁波
は、光パルス照射時に誘起されるが、光パルス幅を短く
し、且つくり返し照射することによって、効率良く電磁
波を誘起することができる。
対する２回微分により制限され、最大誘起電磁波周波数
は約１０ＴＨｚと見積もることができる。この電磁波
は、光パルス照射時に誘起されるが、光パルス幅を短く
し、且つくり返し照射することによって、効率良く電磁
波を誘起することができる。
【００１２】ただし、光パルスの総エネルギー量が大き
くなりすぎて、超伝導状態を維持できなくなると、当然
であるが電磁波を誘起することができなくなるので、で
きる限り、臨界温度の高い超伝導物質を用いる必要があ
る。これには、臨界温度の低い従来の金属系超伝導物質
は適切ではなく、臨界温度が５０Ｋを越える酸化物超伝
導材料を用いることが適切といえる。また、酸化物超伝
導材料よりも臨界温度の高い超伝導材料であればなお有
効であるといえる。
くなりすぎて、超伝導状態を維持できなくなると、当然
であるが電磁波を誘起することができなくなるので、で
きる限り、臨界温度の高い超伝導物質を用いる必要があ
る。これには、臨界温度の低い従来の金属系超伝導物質
は適切ではなく、臨界温度が５０Ｋを越える酸化物超伝
導材料を用いることが適切といえる。また、酸化物超伝
導材料よりも臨界温度の高い超伝導材料であればなお有
効であるといえる。
【００１３】更に、誘起された電磁波は超伝導体にアン
テナ構造を保有させることにより、超伝導体の外部に取
り出すことができるが、外部に取り出させる電磁波はア
ンテナ構造に依存し、現在の微細加工技術を用いること
により、５ＴＨｚ以上に到達させることができる。
テナ構造を保有させることにより、超伝導体の外部に取
り出すことができるが、外部に取り出させる電磁波はア
ンテナ構造に依存し、現在の微細加工技術を用いること
により、５ＴＨｚ以上に到達させることができる。
【００１４】このように、光誘起を用いた超伝導体電磁
波発生方法を用いた超伝導体電磁波発生装置を構成する
ことにより、従来にはない超高周波の電磁波を発生させ
ることが可能となる。
波発生方法を用いた超伝導体電磁波発生装置を構成する
ことにより、従来にはない超高周波の電磁波を発生させ
ることが可能となる。
【００１５】図１は本発明の実施例を示す超伝電導体磁
波発生装置の構成例である。すなわち、後述するレーザ
ー装置である光パルス光源１から出力されたレーザー光
の光パルス２を、バイアス電源５にて電流バイアスされ
た超伝導薄膜４からなる超伝導体電磁波発生素子３に照
射することにより、電磁波を発生し、且つ超伝導体素子
３にアンテナ構造を保有させることにより、電磁波７を
放射するものである。尚、図中、６はアンテナ部であ
り、この形状を変えることによって、アンテナ構造が変
わり、例えば、ダイポール型のアンテナ構造やボウタイ
型のアンテナ構造とすることができる。
波発生装置の構成例である。すなわち、後述するレーザ
ー装置である光パルス光源１から出力されたレーザー光
の光パルス２を、バイアス電源５にて電流バイアスされ
た超伝導薄膜４からなる超伝導体電磁波発生素子３に照
射することにより、電磁波を発生し、且つ超伝導体素子
３にアンテナ構造を保有させることにより、電磁波７を
放射するものである。尚、図中、６はアンテナ部であ
り、この形状を変えることによって、アンテナ構造が変
わり、例えば、ダイポール型のアンテナ構造やボウタイ
型のアンテナ構造とすることができる。
【００１６】ここで誘起用光源としては、例えば、アル
ゴンイオンレーザー誘起のモード同期チタンサファイア
レーザーにより発生される波長７９４ｎｍでパルス周期
が約０．１２２μＳ、パルス巾が約８０ｆＳで出力３３
ｍＷのレーザー光を用いることができる。
ゴンイオンレーザー誘起のモード同期チタンサファイア
レーザーにより発生される波長７９４ｎｍでパルス周期
が約０．１２２μＳ、パルス巾が約８０ｆＳで出力３３
ｍＷのレーザー光を用いることができる。
【００１７】図２には、アンテナ構造を有した超伝導体
電磁波発生素子３の構造例を示している。アンテナ構造
としてはダイポール型アンテナ（図２（ａ））、あるい
はボウタイ型アンテナ（図２（ｂ））等を用いることが
できる。ここで、アンテナの長さや大きさをかえること
により、取り出す電磁波の特性が制御できる。
電磁波発生素子３の構造例を示している。アンテナ構造
としてはダイポール型アンテナ（図２（ａ））、あるい
はボウタイ型アンテナ（図２（ｂ））等を用いることが
できる。ここで、アンテナの長さや大きさをかえること
により、取り出す電磁波の特性が制御できる。
【００１８】次に、電磁波放射の実施例を図３に示す。
図３に示されている特性曲線は超伝導材料として下記の
化学式１の物質を用い、ダイポール型アンテナを有する
電磁波発生素子を用いた場合の放射電磁波のスペクトル
である。ピーク位置周波数が約２ＴＨｚ、最大周波数が
５ＴＨｚに及ぶ電磁波が放射されていることが示されて
いる。
図３に示されている特性曲線は超伝導材料として下記の
化学式１の物質を用い、ダイポール型アンテナを有する
電磁波発生素子を用いた場合の放射電磁波のスペクトル
である。ピーク位置周波数が約２ＴＨｚ、最大周波数が
５ＴＨｚに及ぶ電磁波が放射されていることが示されて
いる。
【００１９】
【化１】化学式１ ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-X
【００２０】尚、上記した実施例においては、化学式１
の物質をＭｇＯ基板上にＲＦマグネトロンスパッタ法で
厚さ１００ｎｍの超伝導薄膜４からなるＨ型をした回路
を形成することにより、超伝導体電磁波発生素子３を構
成している。
の物質をＭｇＯ基板上にＲＦマグネトロンスパッタ法で
厚さ１００ｎｍの超伝導薄膜４からなるＨ型をした回路
を形成することにより、超伝導体電磁波発生素子３を構
成している。
【００２１】発生する電磁波のスペクトルはアンテナ長
に依存するが、図４にアンテナの構造をダイポール型ア
ンテナとし、アンテナ長を３０μｍ、２０μｍ、１０μ
ｍ、及び５μｍと変えたときの電磁波スペクトルの特性
曲線の変化を示す（８〜１１）。この図から、アンテナ
長を短くすることにより放射電磁波の強度は小さくなる
が最大周波数が増加していることがわかる。
に依存するが、図４にアンテナの構造をダイポール型ア
ンテナとし、アンテナ長を３０μｍ、２０μｍ、１０μ
ｍ、及び５μｍと変えたときの電磁波スペクトルの特性
曲線の変化を示す（８〜１１）。この図から、アンテナ
長を短くすることにより放射電磁波の強度は小さくなる
が最大周波数が増加していることがわかる。
【００２２】一方、アンテナとしてボウタイ型アンテナ
を用いた場合は、特性曲線は図５に示すように、ダイポ
ール型アンテナに比べて最大周波数は減少するが、放射
電磁波強度を増大させることができる（１２、１３）。
また、図６にその時に放射される電力とバイアス電流の
相関特性曲線を示す（１２′、１３′）。この時、最大
で約１μＷの電力が放射されており、アンテナの設計に
より各種電磁波の放射を任意に設定できることが実現で
きる。
を用いた場合は、特性曲線は図５に示すように、ダイポ
ール型アンテナに比べて最大周波数は減少するが、放射
電磁波強度を増大させることができる（１２、１３）。
また、図６にその時に放射される電力とバイアス電流の
相関特性曲線を示す（１２′、１３′）。この時、最大
で約１μＷの電力が放射されており、アンテナの設計に
より各種電磁波の放射を任意に設定できることが実現で
きる。
【００２３】以上、本発明を実施例に基づいて説明した
が、本発明は上記した実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に記載した構成を変更しない限り、
どのようにでも実施できる。
が、本発明は上記した実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に記載した構成を変更しない限り、
どのようにでも実施できる。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明による超伝導
体電磁波発生方法及び装置によって、今までに容易に発
生することができなかった超高周波の電磁波を、簡単な
構成で、しかも実用的な放射電力を有して出力すること
ができる。また、超伝導体の素材や形状等を任意に選択
して、用途に応じた超高周波の電磁波を発生させること
ができる等、本発明特有の効果を奏する。
体電磁波発生方法及び装置によって、今までに容易に発
生することができなかった超高周波の電磁波を、簡単な
構成で、しかも実用的な放射電力を有して出力すること
ができる。また、超伝導体の素材や形状等を任意に選択
して、用途に応じた超高周波の電磁波を発生させること
ができる等、本発明特有の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】超伝導体電磁波発生装置の概略図である。
【図２】（ａ）はダイポール型アンテナを装備し、
（ｂ）はボウタイ型アンテナを装備した電磁波発生素子
を示す平面図である。
（ｂ）はボウタイ型アンテナを装備した電磁波発生素子
を示す平面図である。
【図３】電磁波放射スペクトルの例である。
【図４】電磁波スペクトルのダイポールアンテナ長依存
性を示す図である。
性を示す図である。
【図５】電磁波スペクトルのアンテナ形状依存性を示す
図である。
図である。
【図６】放射電磁波電力の電流バイアス依存性とアンテ
ナ形状依存性を示す図である。
ナ形状依存性を示す図である。
１ 光パルス光源 ２ 光パルス ３ 超伝導体電磁波発生素子 ４ 超伝導薄膜 ５ バイアス電源 ６ アンテナ部 ７ 放射電磁波 ８ ダイポールアンテナ長３０μｍの放射電磁波のス
ペクトル ９ ダイポールアンテナ長２０μｍの放射電磁波のス
ペクトル １０ ダイポールアンテナ長１０μｍの放射電磁波の
スペクトル １１ ダイポールアンテナ長５μｍの放射電磁波のス
ペクトル １２ ダイポール型アンテナの放射電磁波のスペクト
ル １２′ ダイポール型アンテナの放射電力とバイアス電
流の相関特性曲線 １３ ボウタイ型アンテナの放射電磁波のスペクトル １３′ ボウタイ型アンテナの放射電力とバイアス電流
の相関特性曲線
ペクトル ９ ダイポールアンテナ長２０μｍの放射電磁波のス
ペクトル １０ ダイポールアンテナ長１０μｍの放射電磁波の
スペクトル １１ ダイポールアンテナ長５μｍの放射電磁波のス
ペクトル １２ ダイポール型アンテナの放射電磁波のスペクト
ル １２′ ダイポール型アンテナの放射電力とバイアス電
流の相関特性曲線 １３ ボウタイ型アンテナの放射電磁波のスペクトル １３′ ボウタイ型アンテナの放射電力とバイアス電流
の相関特性曲線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 信一 大阪府吹田市佐竹台３丁目13番７号 (72)発明者 村上 吉繁 大阪府茨木市山手台６丁目14番12号 審査官 彦田 克文 (56)参考文献 特開 平３−46520（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−88884（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−259522（ＪＰ，Ａ) ”Ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ ｅｆｆｅｃｔ ｓｕｂｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ ｗａｖｅ ｓｏｕｒｃｅｓ ｗｉｔｈ ｉｎｃｒ ｅａｓｅｄ ｐｏｗｅｒ”，Ｓ．Ｈａｎ ｓ ｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ. Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．64，ｎｏ．11，ｐ ａｇｅ1424−1426，1994 ”Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｊｏｓｅ ｐｈｓｏｎ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ａｒｒ ａｙｓ ａｓ ｌｏｃａｌ ｏｓｃｉｌ ｌａｔｏｒｓ”，Ｂ．Ｂｉ ｅｔａ ｌ．，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ａｐｐ ｌ．Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ．，ｖｏｌ. ３，ｎｏ．１，ｐｔ４，ｐａｇｅ2303− 2306，1993 Ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ ｓｕｂｍｉｌ ｌｉｍｅｔｅｒ Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ ｅｆｆｅｃｔ ｓｏｕｒｃｅｓ”，Ｋ. Ｗａｎ ｅｔａｌ，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ ｓ．Ｍａｇｎ．，ｖｏｌ27，ｎｏ．２, ｐｔ．４，ｐａｇｅ3339−3342，1991 Ｏｒｉｇｉｎ ｏｆ ｔｈｅ ｆａｓ ｔ ｐｈｏｔｏｒｅｓｐｏｎｓｅ ｏｆ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ＹＢａ２Ｃｕ 307−δ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ”，Ｆ. Ａ．Ｈｅｇｍａｎｎ ｅｔａｌ，Ｐｈｙ ｓ．Ｒｅｖ．Ｂ，ｖｏｌ．48，ｎｏ. 21，ｐａｇｅ16023−16039，1993 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H03B 15/00 H01L 39/02 - 39/22 ZAA H01Q 1/00
Claims (6)
- 【請求項１】超伝導状態にある超伝導体素子の両電極に
バイアス電圧を印加すると共に、超伝導体素子に光パル
スを照射し、該光パルスにより誘起された電磁波を電磁
波放射手段により超伝導体素子の外部に放射することを
特徴とする超伝導電磁波発生方法。 - 【請求項２】上記電磁波放射手段は、超伝導体素子にア
ンテナ構造を保有させることにより形成されることを特
徴とする請求項１に記載の超伝導電磁波発生方法。 - 【請求項３】上記超伝導体素子は、酸化物超伝導材料に
よって構成されていることを特徴とする請求項１乃至請
求項２の何れかに記載の超伝導電磁波発生方法。 - 【請求項４】超伝導状態にある超伝導体素子の両電極に
バイアス電圧を印加するバイアス電源手段と、超伝導体
素子に光パルスを照射する光パルス照射手段と、上記光
パルスにより誘起された電磁波を超伝導体素子の外部に
放射する電磁波放射手段とを備えたことを特徴とする超
伝導電磁波発生装置。 - 【請求項５】上記電磁波放射手段は、超伝導体素子にア
ンテナ構造を保有させることにより形成されることを特
徴とする請求項４に記載の超伝導電磁波発生装置。 - 【請求項６】上記超伝導体素子は、酸化物超伝導材料に
よって構成されていることを特徴とする請求項４乃至請
求項５の何れかに記載の超伝導電磁波発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7233417A JP2829378B2 (ja) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | 超伝導体電磁波発生方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7233417A JP2829378B2 (ja) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | 超伝導体電磁波発生方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955626A JPH0955626A (ja) | 1997-02-25 |
| JP2829378B2 true JP2829378B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=16954743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7233417A Expired - Lifetime JP2829378B2 (ja) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | 超伝導体電磁波発生方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2829378B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7123207B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-10-17 | National Institute Of Information And Communications Technology | Ultra wideband bow-tie printed antenna |
| US7193576B2 (en) | 2004-02-19 | 2007-03-20 | National Institute Of Information And Communications Technology | Ultra wideband bow-tie slot antenna |
-
1995
- 1995-08-17 JP JP7233417A patent/JP2829378B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| "Ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ ｅｆｆｅｃｔ ｓｕｂｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ ｗａｖｅ ｓｏｕｒｃｅｓ ｗｉｔｈ ｉｎｃｒｅａｓｅｄ ｐｏｗｅｒ"，Ｓ．Ｈａｎｓ ｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．６４，ｎｏ．１１，ｐａｇｅ１４２４−１４２６，１９９４ |
| "Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ａｒｒａｙｓ ａｓ ｌｏｃａｌ ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒｓ"，Ｂ．Ｂｉ ｅｔａｌ．，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ａｐｐｌ．Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄ．，ｖｏｌ．３，ｎｏ．１，ｐｔ４，ｐａｇｅ２３０３−２３０６，１９９３ |
| Ｏｒｉｇｉｎ ｏｆ ｔｈｅ ｆａｓｔ ｐｈｏｔｏｒｅｓｐｏｎｓｅ ｏｆ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ＹＢａ２Ｃｕ３０７−δ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ"，Ｆ．Ａ．Ｈｅｇｍａｎｎ ｅｔａｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ，ｖｏｌ．４８，ｎｏ．２１，ｐａｇｅ１６０２３−１６０３９，１９９３ |
| Ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ ｓｕｂｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ ｅｆｆｅｃｔ ｓｏｕｒｃｅｓ"，Ｋ．Ｗａｎ ｅｔａｌ，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．，ｖｏｌ２７，ｎｏ．２，ｐｔ．４，ｐａｇｅ３３３９−３３４２，１９９１ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7123207B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-10-17 | National Institute Of Information And Communications Technology | Ultra wideband bow-tie printed antenna |
| US7193576B2 (en) | 2004-02-19 | 2007-03-20 | National Institute Of Information And Communications Technology | Ultra wideband bow-tie slot antenna |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0955626A (ja) | 1997-02-25 |
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