JP2813925B2 - 有機光非線形材料および非線形素子 - Google Patents
有機光非線形材料および非線形素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機光非線形材料およ
びこれを用いた光非線形素子に関し、さらに詳細には大
きな２次または３次の光非線形効果を有する高分子材料
とこれを用いた光非線形素子に関するものである。
びこれを用いた光非線形素子に関し、さらに詳細には大
きな２次または３次の光非線形効果を有する高分子材料
とこれを用いた光非線形素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、大きな２次または３次光非線形性
を有する色素材料を含有した透明高分子を用い、光変調
素子や光双安定素子等の光非線形素子を作製する技術が
研究されている。用いる材料は、大きな２次または３次
分子感受率を有する色素を透明高分子主鎖に化学結合し
たものが一般的である。色素材料には、ドナーやアクセ
プタを有する共役π電子系である。具体的には、ポリメ
チルメタクリレートの主鎖にアゾ色素（Ｋ．Ｄ．Ｓｉｎ
ｇｅｒら、Ａｐｐｌ．Ｐｈ ｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５３，
１８００，（１９８８））やスチルベン色素（Ｍ．Ｂ．
Ｊ．Ｄｉｅｍｅｅｒら、ＥＣＯＣ’８９，５７（３），
（１９８９））を結合し、２次または３次光非線形性を
測定した報告がなされている。
を有する色素材料を含有した透明高分子を用い、光変調
素子や光双安定素子等の光非線形素子を作製する技術が
研究されている。用いる材料は、大きな２次または３次
分子感受率を有する色素を透明高分子主鎖に化学結合し
たものが一般的である。色素材料には、ドナーやアクセ
プタを有する共役π電子系である。具体的には、ポリメ
チルメタクリレートの主鎖にアゾ色素（Ｋ．Ｄ．Ｓｉｎ
ｇｅｒら、Ａｐｐｌ．Ｐｈ ｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５３，
１８００，（１９８８））やスチルベン色素（Ｍ．Ｂ．
Ｊ．Ｄｉｅｍｅｅｒら、ＥＣＯＣ’８９，５７（３），
（１９８９））を結合し、２次または３次光非線形性を
測定した報告がなされている。
【０００３】また、これらの光非線形定数は、光非線形
色素含有量を多くすることにより大きくなり得ることも
知られている。素子形成には、その高分子膜をイオンエ
ッチングやプラズマエッチング、または可視・紫外線照
射等により光導波路とし、導波路型光非線形素子とする
方法が提案されている。なお、その高分子材料を３次光
非線形材料として用いる場合は、素子形成後に特段の処
理は必要ないが、２次光非線形材料として用いるために
は、光非線形色素部分の双極子の方向をそろえる分極配
向をすることが必要であり、このために直流電場中で分
極処理が行われる。
色素含有量を多くすることにより大きくなり得ることも
知られている。素子形成には、その高分子膜をイオンエ
ッチングやプラズマエッチング、または可視・紫外線照
射等により光導波路とし、導波路型光非線形素子とする
方法が提案されている。なお、その高分子材料を３次光
非線形材料として用いる場合は、素子形成後に特段の処
理は必要ないが、２次光非線形材料として用いるために
は、光非線形色素部分の双極子の方向をそろえる分極配
向をすることが必要であり、このために直流電場中で分
極処理が行われる。
【０００４】光通信もしくは光情報処理システムに用い
られる導波路型光非線形素子は、実用上、シングルモー
ド光ファイバと接続することを前提として設計され
（Ｐ．Ｋａｃｚｍａｒｓｋｉら、ＩＥＥ ＰＲＯＣＥＥ
ＤＩＮＧＳ，ＶＯＬ．１３６，Ｎｏ．３，１９８９，ｐ
ｐ．１５２−１５８）、その導波路自身もシングルモー
ド導波路として機能することが要求される（Ｒ．Ｌｙｔ
ｅｌら、ＳＰＩＥ ＶＯＬ．１２１６，１９９０，ｐ
ｐ．３０−４０）。このためには光非線形導波路厚が３
−５μｍ以上必要であることが上記文献に開示されてい
る。
られる導波路型光非線形素子は、実用上、シングルモー
ド光ファイバと接続することを前提として設計され
（Ｐ．Ｋａｃｚｍａｒｓｋｉら、ＩＥＥ ＰＲＯＣＥＥ
ＤＩＮＧＳ，ＶＯＬ．１３６，Ｎｏ．３，１９８９，ｐ
ｐ．１５２−１５８）、その導波路自身もシングルモー
ド導波路として機能することが要求される（Ｒ．Ｌｙｔ
ｅｌら、ＳＰＩＥ ＶＯＬ．１２１６，１９９０，ｐ
ｐ．３０−４０）。このためには光非線形導波路厚が３
−５μｍ以上必要であることが上記文献に開示されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが大きな２次ま
たは３次光非線形効果が得られる高色素濃度において
は、導波路型光非線形素子を作製するに際して、実用的
な光導波路として満足すべき高分子膜が得られず、実際
に、光通信システムに組み込まれることが可能なレベル
の光非線形素子を作製することは不可能な状況にあっ
た。具体的には、光導波路サイズに見合った光学的に均
一でかつ均一な厚さの膜を作製することが困難であり、
その結果、伝送損失が著しく大きい光導波路しか作製し
得なかった。
たは３次光非線形効果が得られる高色素濃度において
は、導波路型光非線形素子を作製するに際して、実用的
な光導波路として満足すべき高分子膜が得られず、実際
に、光通信システムに組み込まれることが可能なレベル
の光非線形素子を作製することは不可能な状況にあっ
た。具体的には、光導波路サイズに見合った光学的に均
一でかつ均一な厚さの膜を作製することが困難であり、
その結果、伝送損失が著しく大きい光導波路しか作製し
得なかった。
【０００６】以上説明したような、実用的な光導波路と
して満足すべき２次および３次光非線形成分を高濃度に
含有する高分子膜が作製できない原因は、主に以下の通
りである。高分子膜が高分子溶媒に著しく溶けにくく、
高分子膜作製に最も一般的な方法であるスピンコート法
やディップ法による光導波路膜作製を１段階で行うこと
は不可能であり、光導波路に要求される膜厚を達成する
ためには複数回のスピンコートやディップを必要とし
た。このため、各段階で形成される膜境界面で、光学的
に不均一となった。また、膜厚の寸法精度も著しく悪い
ものであった。
して満足すべき２次および３次光非線形成分を高濃度に
含有する高分子膜が作製できない原因は、主に以下の通
りである。高分子膜が高分子溶媒に著しく溶けにくく、
高分子膜作製に最も一般的な方法であるスピンコート法
やディップ法による光導波路膜作製を１段階で行うこと
は不可能であり、光導波路に要求される膜厚を達成する
ためには複数回のスピンコートやディップを必要とし
た。このため、各段階で形成される膜境界面で、光学的
に不均一となった。また、膜厚の寸法精度も著しく悪い
ものであった。
【０００７】以上説明したように、２次または３次光非
線形成分を高濃度に含有する高分子材料は、その大きな
２次または３次光非線形定数にも関らず、実用的な光非
線形素子材料として用いることはできなかった。本発明
はこのような状況に鑑みてなされたものであり、光導波
路に適した２次または３次有機非線形材料を提供するこ
と、および光学的に均一で、寸法精度を従来より高くす
ることができ、しかも伝送損失が従来よりも小さい有機
非線形材料および光非線形素子を提供するものである。
線形成分を高濃度に含有する高分子材料は、その大きな
２次または３次光非線形定数にも関らず、実用的な光非
線形素子材料として用いることはできなかった。本発明
はこのような状況に鑑みてなされたものであり、光導波
路に適した２次または３次有機非線形材料を提供するこ
と、および光学的に均一で、寸法精度を従来より高くす
ることができ、しかも伝送損失が従来よりも小さい有機
非線形材料および光非線形素子を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために本発明は、大きな２次または３次分子感受率を
有する化合物成分を高濃度に含む高分子材料において、
高分子材料に通常に用いられるスピンコート用溶媒、重
合溶媒、高分子反応溶媒に対し優れた溶解性を示し、こ
れは光学的に均一な、寸法精度の優れた任意の膜厚の光
導波路膜作製が可能であることを特徴とするガラス状高
分子材料とその材料を用いた光非線形素子とにより構成
される。
るために本発明は、大きな２次または３次分子感受率を
有する化合物成分を高濃度に含む高分子材料において、
高分子材料に通常に用いられるスピンコート用溶媒、重
合溶媒、高分子反応溶媒に対し優れた溶解性を示し、こ
れは光学的に均一な、寸法精度の優れた任意の膜厚の光
導波路膜作製が可能であることを特徴とするガラス状高
分子材料とその材料を用いた光非線形素子とにより構成
される。
【０００９】
【作用】従来存在した光非線形性を有する高分子膜に比
べ寸法精度に優れ、光学的に均一な、大きな２次または
３次光非線形定数を有する任意厚さの高分子膜を得るこ
とができる。また、任意の形式の、寸法精度に優れ従っ
て伝送特性に優れた、また、伝送損失の小さい２次また
は３次光導波路型光非線形素子を作製することができ
る。
べ寸法精度に優れ、光学的に均一な、大きな２次または
３次光非線形定数を有する任意厚さの高分子膜を得るこ
とができる。また、任意の形式の、寸法精度に優れ従っ
て伝送特性に優れた、また、伝送損失の小さい２次また
は３次光導波路型光非線形素子を作製することができ
る。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施態様では下記の一般式「化
７」式に示される化合物が結合したことを特徴とする２
次または３次の有機光非線形材料が提供される。
７」式に示される化合物が結合したことを特徴とする２
次または３次の有機光非線形材料が提供される。
【化７】
【００１１】ここで、「化７」式中、π１−πｎはπ電
子共役系の環状化合物であり、相互に等しい構造でも異
なる構造であってもよく、Ｒ１１−Ｒｎ４はその環状化
合物に結合するアルキル置換基またはアルキル置換基誘
導体、又は水素を表している。ただし、ここでは「化
７」式中のπ１−πｎまでの全ての環状化合物がアルキ
ル置換基またはアルキル置換基誘導体で置換されるもの
ではなく、少なくともいずれか１つの環状化合物が置換
されていれば充分とする。また、Ｘ１−Ｘｎ−１および
Ｙ１−Ｙｎ−１はＣＨ、ＮまたはＮ→Ｏのいずれかの組
み合わせを示し、ＡおよびＤはそれぞれ電子吸引基およ
び電子供与基、ｎは３以上の整数を示している。
子共役系の環状化合物であり、相互に等しい構造でも異
なる構造であってもよく、Ｒ１１−Ｒｎ４はその環状化
合物に結合するアルキル置換基またはアルキル置換基誘
導体、又は水素を表している。ただし、ここでは「化
７」式中のπ１−πｎまでの全ての環状化合物がアルキ
ル置換基またはアルキル置換基誘導体で置換されるもの
ではなく、少なくともいずれか１つの環状化合物が置換
されていれば充分とする。また、Ｘ１−Ｘｎ−１および
Ｙ１−Ｙｎ−１はＣＨ、ＮまたはＮ→Ｏのいずれかの組
み合わせを示し、ＡおよびＤはそれぞれ電子吸引基およ
び電子供与基、ｎは３以上の整数を示している。
【００１２】「化７」式では共役π電子系を有し、ま
た、ドナーアクセプタを有しており、大きな２次または
３次光非線形性が期待できるものである。３次の光非線
形性を示す前記材料に、その軟化状態もしくは流動状態
において、直流電場印加もしくは電荷帯電を行い、次い
で、その材料を冷却固化させて２次の光非線形材料を製
造することができる。
た、ドナーアクセプタを有しており、大きな２次または
３次光非線形性が期待できるものである。３次の光非線
形性を示す前記材料に、その軟化状態もしくは流動状態
において、直流電場印加もしくは電荷帯電を行い、次い
で、その材料を冷却固化させて２次の光非線形材料を製
造することができる。
【００１３】本発明は更に、２次または３次光非線形性
を示す前記材料をコア層に、前記材料より小さな屈折率
を有する材料をクラッド層とした導波路型光非線形素子
に関するものである。ここでクラッド材料には見かけ上
材料の存在しない空気、真空状態をも含むものとする。
を示す前記材料をコア層に、前記材料より小さな屈折率
を有する材料をクラッド層とした導波路型光非線形素子
に関するものである。ここでクラッド材料には見かけ上
材料の存在しない空気、真空状態をも含むものとする。
【００１４】以下、さらに本発明を詳しく説明する。本
発明による有機光非線形材料は、前述のように高分子に
以下の構造「化８」式式を有する化合物が結合してい
る。
発明による有機光非線形材料は、前述のように高分子に
以下の構造「化８」式式を有する化合物が結合してい
る。
【００１５】
【化８】
【００１６】前記側鎖構造式「化８式」中において、Ｘ
ｎ＝Ｙｎの具体例として次の様な化学構造を用いること
ができる。
ｎ＝Ｙｎの具体例として次の様な化学構造を用いること
ができる。
【００１７】
【化９】
【００１８】ここで、π１〜πｎはベンゼン環、ピリミ
ジン環、オキサゾール環、フラン環、チアゾール環、オ
キサチアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサ
ゾール環、ベンゾオキサチアゾール環、ナフタレン環、
アントラセン環、イソキノリン環などのπ電子共役系の
環状化合物で、互いに等しい構造であっても相異なる構
造であってもよい。
ジン環、オキサゾール環、フラン環、チアゾール環、オ
キサチアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサ
ゾール環、ベンゾオキサチアゾール環、ナフタレン環、
アントラセン環、イソキノリン環などのπ電子共役系の
環状化合物で、互いに等しい構造であっても相異なる構
造であってもよい。
【００１９】また、電子吸引基Ａとしては−ＮＯ２、−
ＣＮ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＣＨ３、−ＣＨＯ、−ＣＯＮ
Ｈ２、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２、−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（Ｃ
Ｎ）２、ハロゲン等であり、電子供与基Ｄとしては、−
ＳＨ、−ＳＡ、−ＯＨ、−ＯＡ、−ＮＨ２、−ＮＡ１Ａ
２などが挙げられる。Ａ、Ａ１、Ａ２は、−（ＣＨ２）
ｎ−ＯＨ、−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ２、−（ＣＨ２）ｎ−
ＳＨ、アルキル基、水素のような官能基からなるのがよ
い。
ＣＮ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＣＨ３、−ＣＨＯ、−ＣＯＮ
Ｈ２、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２、−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（Ｃ
Ｎ）２、ハロゲン等であり、電子供与基Ｄとしては、−
ＳＨ、−ＳＡ、−ＯＨ、−ＯＡ、−ＮＨ２、−ＮＡ１Ａ
２などが挙げられる。Ａ、Ａ１、Ａ２は、−（ＣＨ２）
ｎ−ＯＨ、−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ２、−（ＣＨ２）ｎ−
ＳＨ、アルキル基、水素のような官能基からなるのがよ
い。
【００２０】Ａ１、Ａ２は、これらの何れかの官能基で
あり、互いに等しくともまた異なっていてもよい。高分
子中に結合するためには少なくとも一方が末端に−Ｏ
Ｈ、−ＮＨ２、−ＳＨを有することが望ましい。また、
Ｒ１１〜Ｒｎ４は−ＣＨ３、−ＣＨ２ＯＨ、−ＣＨ２Ｎ
Ｈ２、−ＣＨ２Ｘ（Ｘはハロゲン）、−ＣＨ２ＣＨ３、
−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、−ＣＨ２
ＣＨ２Ｘ、−ＣＨ（ＣＨ３）２、−Ｃ（ＣＨ３）３等で
あり、上記環状化合物１個当たりに、１個以上結合して
いることが望ましい。ただし、構造式「化８式」中のπ
１−πｎの全てにおいて、これらが結合している必要は
なくπ１−πｎのうち、少なくとも１つにおいて、これ
らアルキル基またはアルキル誘導体が１つ以上結合して
いればよい。
あり、互いに等しくともまた異なっていてもよい。高分
子中に結合するためには少なくとも一方が末端に−Ｏ
Ｈ、−ＮＨ２、−ＳＨを有することが望ましい。また、
Ｒ１１〜Ｒｎ４は−ＣＨ３、−ＣＨ２ＯＨ、−ＣＨ２Ｎ
Ｈ２、−ＣＨ２Ｘ（Ｘはハロゲン）、−ＣＨ２ＣＨ３、
−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２、−ＣＨ２
ＣＨ２Ｘ、−ＣＨ（ＣＨ３）２、−Ｃ（ＣＨ３）３等で
あり、上記環状化合物１個当たりに、１個以上結合して
いることが望ましい。ただし、構造式「化８式」中のπ
１−πｎの全てにおいて、これらが結合している必要は
なくπ１−πｎのうち、少なくとも１つにおいて、これ
らアルキル基またはアルキル誘導体が１つ以上結合して
いればよい。
【００２１】本発明は、光非線形成分に、これらアルキ
ル基またはアルキル誘導体基を導入することにより、光
非線形成分が高濃度に結合した高分子においても、高分
子膜作製に一般的に用いられる各種溶剤に対し、光導波
路に通常要求される任意の膜厚で均一な膜厚（膜厚変動
のない）でかつ光学的に均一な高分子膜を一段階のキャ
ストまたはディップにより生成するに充分な溶解度と溶
液粘性を有する光非線形高分子溶液を得ることを可能と
した。
ル基またはアルキル誘導体基を導入することにより、光
非線形成分が高濃度に結合した高分子においても、高分
子膜作製に一般的に用いられる各種溶剤に対し、光導波
路に通常要求される任意の膜厚で均一な膜厚（膜厚変動
のない）でかつ光学的に均一な高分子膜を一段階のキャ
ストまたはディップにより生成するに充分な溶解度と溶
液粘性を有する光非線形高分子溶液を得ることを可能と
した。
【００２２】ここでの各種溶剤とはテトラヒドロフラ
ン、塩化ベンゼン、メチルイソブチルケトン、メチルエ
チルケトン、酢酸セロソルブ、クロロホルム、塩化メチ
レン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等
である。また、粘性の高い溶液から成膜することにより
均一膜厚の膜が得られる。
ン、塩化ベンゼン、メチルイソブチルケトン、メチルエ
チルケトン、酢酸セロソルブ、クロロホルム、塩化メチ
レン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等
である。また、粘性の高い溶液から成膜することにより
均一膜厚の膜が得られる。
【００２３】本発明においては、３次光非線形材料とし
て用いる場合は、素子構造形成後、特段の処理を必要と
せずに使用できる。一方、２次光非線形材料の場合は、
分極処理が必要である。本発明においては、分極処理
は、その軟化状態もしくは流動状態において、直流電場
印加もしくは電荷帯電を行い、次いで、その材料を固化
させることにより行う。電場印加は試料に電極を装着し
て行う。また、帯電はコロナ放電を用いることができ
る。試料の固化は、冷却による場合や高分子の熱硬化に
よる場合があるが、いずれも、電場印加状態または帯電
状態で行うことが望ましい。
て用いる場合は、素子構造形成後、特段の処理を必要と
せずに使用できる。一方、２次光非線形材料の場合は、
分極処理が必要である。本発明においては、分極処理
は、その軟化状態もしくは流動状態において、直流電場
印加もしくは電荷帯電を行い、次いで、その材料を固化
させることにより行う。電場印加は試料に電極を装着し
て行う。また、帯電はコロナ放電を用いることができ
る。試料の固化は、冷却による場合や高分子の熱硬化に
よる場合があるが、いずれも、電場印加状態または帯電
状態で行うことが望ましい。
【００２４】本発明の他の実施態様では、前記有機２次
または光非線形高分子材料をコア構造とし、そのコア構
造材料より屈折率の小さな材料をクラッド構造材料とし
て用いた光非線形光学素子が得られる。なお、クラッド
材料には見かけ上、材料の存在しない空気、真空状態を
も含むものとする。ここで光非線形素子とは、２次光非
線形効果または３次光非線形効果を応用した光素子であ
り、２次光非線形素子としては、２次高調波発生素子、
光パラメトリック増幅素子、光スイッチ（電気光学）素
子等があり、３次光非線形素子としては、３次高調波発
生素子、３光波混合素子、４光波混合素子、光スイッチ
（力−効果を利用したもの）、光双安定素子等がある。
または光非線形高分子材料をコア構造とし、そのコア構
造材料より屈折率の小さな材料をクラッド構造材料とし
て用いた光非線形光学素子が得られる。なお、クラッド
材料には見かけ上、材料の存在しない空気、真空状態を
も含むものとする。ここで光非線形素子とは、２次光非
線形効果または３次光非線形効果を応用した光素子であ
り、２次光非線形素子としては、２次高調波発生素子、
光パラメトリック増幅素子、光スイッチ（電気光学）素
子等があり、３次光非線形素子としては、３次高調波発
生素子、３光波混合素子、４光波混合素子、光スイッチ
（力−効果を利用したもの）、光双安定素子等がある。
【００２５】本発明で用いられる２次または３次光非線
形材料膜は任意の膜厚が作製でき、寸法精度に優れ、光
学的に均一であるため、作製する光導波路は用途に応じ
た形状、寸法のものが精度よくできる。例えば光エレク
トロニクス分野で多用される石英系シングルモード光フ
ァイバコア寸法、形状に併せた光導波路が作製でき、導
波路への挿入損失低減が図れる。また、寸法精度に優れ
ているため、導波モードの乱れの少ない、伝送特性の優
れた導波路素子作製ができる。さらに、光学的に均一な
高分子膜ができるため、伝送損失の少ない素子が作製で
きる。クラッド構造材料としては、ポリシロキサン、ポ
リエステル、ポリカーボネート、ポリメタクソレート、
ポリアクリレート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイ
ミド、ポリウレタン、ポリエーテル、またはこれらの誘
導体等である。
形材料膜は任意の膜厚が作製でき、寸法精度に優れ、光
学的に均一であるため、作製する光導波路は用途に応じ
た形状、寸法のものが精度よくできる。例えば光エレク
トロニクス分野で多用される石英系シングルモード光フ
ァイバコア寸法、形状に併せた光導波路が作製でき、導
波路への挿入損失低減が図れる。また、寸法精度に優れ
ているため、導波モードの乱れの少ない、伝送特性の優
れた導波路素子作製ができる。さらに、光学的に均一な
高分子膜ができるため、伝送損失の少ない素子が作製で
きる。クラッド構造材料としては、ポリシロキサン、ポ
リエステル、ポリカーボネート、ポリメタクソレート、
ポリアクリレート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイ
ミド、ポリウレタン、ポリエーテル、またはこれらの誘
導体等である。
【００２６】光非線形中の光導波路構造はスラブ型、リ
ッジ型、チャネル型などが一般的であり、光導波路厚制
御はキャストまたはディップ条件、すなわち、高分子材
料原液の濃度、粘度やスピナーの回転速度の制御により
行う。また導波路幅加工は、イオンエッチングやプラズ
マエッチング、または可視、紫外光線照射などに代表さ
れる高分子微細加工技術を応用することにより行う。な
お、３次光非線形素子として用いる場合は、素子形成
後、特段の処理を必要とせずに使用できる。２次光非線
形性発現に必要な分極処理は、前記方法により行うが、
素子構造形成前にでも後にでも、また、素子構造形成工
程中にでも行うことができる。
ッジ型、チャネル型などが一般的であり、光導波路厚制
御はキャストまたはディップ条件、すなわち、高分子材
料原液の濃度、粘度やスピナーの回転速度の制御により
行う。また導波路幅加工は、イオンエッチングやプラズ
マエッチング、または可視、紫外光線照射などに代表さ
れる高分子微細加工技術を応用することにより行う。な
お、３次光非線形素子として用いる場合は、素子形成
後、特段の処理を必要とせずに使用できる。２次光非線
形性発現に必要な分極処理は、前記方法により行うが、
素子構造形成前にでも後にでも、また、素子構造形成工
程中にでも行うことができる。
【００２７】本発明における高分子構造は、ポリシロキ
サン、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリウレタ
ン、ポリアミドポリイミド、ポリアクリレート、ポリス
チレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエーテル
またはこれらの誘導体、またはこれらの共重合体等であ
り、光非線形成分が高分子主鎖に結合している場合も光
非線形成分が高分子主鎖の一部として含まれている場合
もある。
サン、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリウレタ
ン、ポリアミドポリイミド、ポリアクリレート、ポリス
チレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエーテル
またはこれらの誘導体、またはこれらの共重合体等であ
り、光非線形成分が高分子主鎖に結合している場合も光
非線形成分が高分子主鎖の一部として含まれている場合
もある。
【００２８】基礎事例１ まず、この発明の有機非線形材料を構成する高分子に結
合する化合物の説明を補助するために、その化合物の基
本的な構造ともいえる事例について説明する。下記「化
１０」式、「化１１」式、「化１２」式（以下、必要な
場合はそれぞれ化合物１、２、３と称する）の化合物を
合成した。「化１０」式の合成は以下のように行った。
また、「化１１」式、「化１２」式の合成はこれに準じ
て行った。
合する化合物の説明を補助するために、その化合物の基
本的な構造ともいえる事例について説明する。下記「化
１０」式、「化１１」式、「化１２」式（以下、必要な
場合はそれぞれ化合物１、２、３と称する）の化合物を
合成した。「化１０」式の合成は以下のように行った。
また、「化１１」式、「化１２」式の合成はこれに準じ
て行った。
【００２９】
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【００３０】この場合、「化１０」、「化１１」、「化
１２」式の基本構成は「化１３」式であり、このうちの
Ｒの値が「化１０」、「化１１」、「化１２」式のそれ
ぞれで異なっている。
１２」式の基本構成は「化１３」式であり、このうちの
Ｒの値が「化１０」、「化１１」、「化１２」式のそれ
ぞれで異なっている。
【化１３】
【００３１】化合物１の合成 ３−メチル−４−ヒドロキシベンズアルデヒドと４−ク
ロロ−１−ブタノールを水酸化カリウムおよびヨウ化カ
リウム存在下、メタノール中で２４時間還流しながら反
応した。反応後、反応混合物を水と混合し、生成物Ａを
ジエチルエーテルで抽出した。
ロロ−１−ブタノールを水酸化カリウムおよびヨウ化カ
リウム存在下、メタノール中で２４時間還流しながら反
応した。反応後、反応混合物を水と混合し、生成物Ａを
ジエチルエーテルで抽出した。
【００３２】次に生成物Ａと４−シアノフェニル酢酸を
ピペリジン存在下で、９０℃〜１１０℃で３時間反応さ
せた。反応後、反応混合物を水と混合し、沈澱した固体
を採取し、エタノールで洗浄し、化合物Ｂを得た。次
に、化合物Ｂを、乾燥テトラヒドロフラン中で、トリエ
チルアミン存在下、メタクリル酸クロリドと、常温で２
４時間反応させた。反応後、反応混合物を水と混合し、
沈澱する生成物を採取した。この生成物は、シリカゲル
カラムで精製し、化合物Ｃを得た。
ピペリジン存在下で、９０℃〜１１０℃で３時間反応さ
せた。反応後、反応混合物を水と混合し、沈澱した固体
を採取し、エタノールで洗浄し、化合物Ｂを得た。次
に、化合物Ｂを、乾燥テトラヒドロフラン中で、トリエ
チルアミン存在下、メタクリル酸クロリドと、常温で２
４時間反応させた。反応後、反応混合物を水と混合し、
沈澱する生成物を採取した。この生成物は、シリカゲル
カラムで精製し、化合物Ｃを得た。
【００３３】次に、化合物Ｃをメチルメタクリレートと
ｍ対ｎの比率で混合し、これらの０．１ｍｏｌ％に相当
するアゾビスイソブチロニトリルを混合し、溶存酸素を
凍結−脱気−溶解を繰り返すことにより取り除き、アン
プル中に封入して、６５℃で２４時間重合反応させた。
反応後、重合体をクロロホルムに溶解させ、メタノール
で再沈澱することにより、精製し、化合物１を得た。化
合物１の合成は次の通りである。
ｍ対ｎの比率で混合し、これらの０．１ｍｏｌ％に相当
するアゾビスイソブチロニトリルを混合し、溶存酸素を
凍結−脱気−溶解を繰り返すことにより取り除き、アン
プル中に封入して、６５℃で２４時間重合反応させた。
反応後、重合体をクロロホルムに溶解させ、メタノール
で再沈澱することにより、精製し、化合物１を得た。化
合物１の合成は次の通りである。
【００３４】
【化１４】
【００３５】成膜はクロロベンゼン溶液からスピンコー
ト法により行った。クロロベンゼンへの溶解度、一段階
のスピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動
は表１のようになった。
ト法により行った。クロロベンゼンへの溶解度、一段階
のスピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動
は表１のようになった。
【００３６】
【表１】
【００３７】次に１、２、３の膜をガラス基板上にスピ
ンコート法により作製し、それぞれ図１に示すような対
向電極間にはさみ、１４０℃の雰囲気温度下で、１．５
ＭＶ／ｃｍの電界を印加した。雰囲気温度は、５℃／分
で冷却し、４０℃以下の温度になるまで電界を印加し続
けた。電界を切断後、試料を取り出し、２次光非線形定
数（χ（２））を、基本波波長が１．０６４μｍで測定
したところ、１、２、３の値がそれぞれ、５．１×１０
−８ｅｓｕ、５．２×１０−８ｅｓｕ、４．９×１０
−８ｅｓｕとなった。
ンコート法により作製し、それぞれ図１に示すような対
向電極間にはさみ、１４０℃の雰囲気温度下で、１．５
ＭＶ／ｃｍの電界を印加した。雰囲気温度は、５℃／分
で冷却し、４０℃以下の温度になるまで電界を印加し続
けた。電界を切断後、試料を取り出し、２次光非線形定
数（χ（２））を、基本波波長が１．０６４μｍで測定
したところ、１、２、３の値がそれぞれ、５．１×１０
−８ｅｓｕ、５．２×１０−８ｅｓｕ、４．９×１０
−８ｅｓｕとなった。
【００３８】次に１、２、３の５．０μｍの膜を、ガラ
ス基板上に形成した。ここに幅５．０μｍの導波路形状
に対応したクロムマスクを設置し、ついで、ここに、１
００Ｗ出力の重水素ランプを用いて１５分間紫外線照射
した。マスクを取り除いた後に、紫外線照射部分の屈折
率が未照射部に比べ低下することをエリプソメータの測
定により確認した。この結果、５．０μｍ幅のコア部分
が形成された。
ス基板上に形成した。ここに幅５．０μｍの導波路形状
に対応したクロムマスクを設置し、ついで、ここに、１
００Ｗ出力の重水素ランプを用いて１５分間紫外線照射
した。マスクを取り除いた後に、紫外線照射部分の屈折
率が未照射部に比べ低下することをエリプソメータの測
定により確認した。この結果、５．０μｍ幅のコア部分
が形成された。
【００３９】このようにして得た膜を、前記の方法に従
い、電場中で処理し、さらに、膜上に基板に用いたと同
種のガラスを密着して設置し、図２に示すような光導波
路型素子を構成した。素子端面を光学研磨し、コア部分
に８３０ｎｍの半導体レーザー（出力４０ｍＷ）をシン
グルモード光ファイバー端面との直接結合により入射し
たところ、対向するコア端面から４１５ｎｍの青色２次
高調波（ＳＨ波）を観測した。表２には当該光導波路の
伝送損失と基本波からＳＨ波への変換効率を記す。
い、電場中で処理し、さらに、膜上に基板に用いたと同
種のガラスを密着して設置し、図２に示すような光導波
路型素子を構成した。素子端面を光学研磨し、コア部分
に８３０ｎｍの半導体レーザー（出力４０ｍＷ）をシン
グルモード光ファイバー端面との直接結合により入射し
たところ、対向するコア端面から４１５ｎｍの青色２次
高調波（ＳＨ波）を観測した。表２には当該光導波路の
伝送損失と基本波からＳＨ波への変換効率を記す。
【００４０】
【表２】
【００４１】比較例１ 下記の「化１５」式で示される化合物４を合成した。合
成は化合物１の方法に準じ、成膜はクロロベンゼン溶液
からスピンコート法により行った。クロロベンゼンへの
溶解度、一段階のスピンコートで生成する膜厚およびそ
の時の膜厚変動は表３のようになった。
成は化合物１の方法に準じ、成膜はクロロベンゼン溶液
からスピンコート法により行った。クロロベンゼンへの
溶解度、一段階のスピンコートで生成する膜厚およびそ
の時の膜厚変動は表３のようになった。
【００４２】
【化１５】
【００４３】
【表３】
【００４４】次に４の膜Ｓをガラス基板上にスピンコー
ト法により作製し、それぞれ、図１に示すような対向電
極Ｅ１，Ｅ２間にはさみ、１４０℃の雰囲気温度下で、
電圧源Ｐから１．５ＭＶ／ｃｍの電界を印加した。雰囲
気温度は５℃／分で冷却し、４０℃以下の温度になるま
で電界を印加し続けた。電界を切断後、試料を取り出
し、２次光非線形定数（χ（２））を、基本波波長が
１．０６４μｍで測定したところ、χ（２）値が、４．
０×１０−８ｅｓｕとなった。
ト法により作製し、それぞれ、図１に示すような対向電
極Ｅ１，Ｅ２間にはさみ、１４０℃の雰囲気温度下で、
電圧源Ｐから１．５ＭＶ／ｃｍの電界を印加した。雰囲
気温度は５℃／分で冷却し、４０℃以下の温度になるま
で電界を印加し続けた。電界を切断後、試料を取り出
し、２次光非線形定数（χ（２））を、基本波波長が
１．０６４μｍで測定したところ、χ（２）値が、４．
０×１０−８ｅｓｕとなった。
【００４５】次に、４の０．４μｍの膜Ｓをガラス基板
Ｇ上に形成した。ここに幅５．０μｍの導波路形状に対
応したクロムマスクを設置し、ついでここに１００Ｗ出
力の重水素ランプを用いて１５分間紫外線照射した。マ
スクを取り除いた後、紫外線照射部分の屈折率が、未照
射部に比べ低下することを確認した。この結果、５．０
μｍ幅のコア部分ＳＣが形成された。
Ｇ上に形成した。ここに幅５．０μｍの導波路形状に対
応したクロムマスクを設置し、ついでここに１００Ｗ出
力の重水素ランプを用いて１５分間紫外線照射した。マ
スクを取り除いた後、紫外線照射部分の屈折率が、未照
射部に比べ低下することを確認した。この結果、５．０
μｍ幅のコア部分ＳＣが形成された。
【００４６】このようにして得た膜を、前記の方法に従
い、電場中で処理し、さらに、膜上に基板に用いたと同
種のガラスを密着して設置し、図２に示すような光導波
路型素子を構成した。素子端面を光学研磨し、コア部分
ＳＣに８３０ｎｍの半導体レーザー（出力４０ｍＷ）を
シングルモード光ファイバー端面との直接結合により入
射したところ結合効率がきわめて悪く、、対向するコア
端面からの４１５ｎｍの青色２次高調波（ＳＨ波）パワ
ーは、実施例１の場合に比べ１／１００以下であった。
なお、図において、Ｓｓは光非線形高分子層、ＣＬは上
部クラッド層である。
い、電場中で処理し、さらに、膜上に基板に用いたと同
種のガラスを密着して設置し、図２に示すような光導波
路型素子を構成した。素子端面を光学研磨し、コア部分
ＳＣに８３０ｎｍの半導体レーザー（出力４０ｍＷ）を
シングルモード光ファイバー端面との直接結合により入
射したところ結合効率がきわめて悪く、、対向するコア
端面からの４１５ｎｍの青色２次高調波（ＳＨ波）パワ
ーは、実施例１の場合に比べ１／１００以下であった。
なお、図において、Ｓｓは光非線形高分子層、ＣＬは上
部クラッド層である。
【００４７】次に、４の５．０μｍの膜を、ガラス基板
上にスピンコート５０回以上繰り返し形成した。ここに
幅５．０μｍの導波路形状に対応したクロムマスクを設
置しついでここに、１００Ｗ出力の重水素ランプを用い
て１５分間紫外線照射したものの、膜厚変動が２５％／
ｃｍ２と大きく、マスクを取り除いた後、紫外線照射部
分の屈折率が、未照射部に比べ低下することは確認でき
なかった。このようにして得た膜を、前記の方法に従
い、電場中で処理し、さらに、膜上に基板に用いたと同
種のガラスを密着して設置し、図２に示すような光導波
路型素子を構成した。
上にスピンコート５０回以上繰り返し形成した。ここに
幅５．０μｍの導波路形状に対応したクロムマスクを設
置しついでここに、１００Ｗ出力の重水素ランプを用い
て１５分間紫外線照射したものの、膜厚変動が２５％／
ｃｍ２と大きく、マスクを取り除いた後、紫外線照射部
分の屈折率が、未照射部に比べ低下することは確認でき
なかった。このようにして得た膜を、前記の方法に従
い、電場中で処理し、さらに、膜上に基板に用いたと同
種のガラスを密着して設置し、図２に示すような光導波
路型素子を構成した。
【００４８】そして素子端面を光学研磨し、コア部分に
８３０ｎｍの半導体レーザー（出力４０ｍＷ）をシング
ルモード光ファイバー端面との直接結合により入射した
ところ、対向するコア端面から４１５ｎｍの青色２次高
調波（ＳＨ波）を観測した。しかしながら、導波路膜の
伝送損失がきわめて大きくコア端面からの出射光に関す
る変換効率は、具体的な実施例１の場合に比べ、１／５
５０〜１／７５０に留まった。表４には当該光導波路の
伝送損失と基本波からＳＨ波への変換効率を記す。
８３０ｎｍの半導体レーザー（出力４０ｍＷ）をシング
ルモード光ファイバー端面との直接結合により入射した
ところ、対向するコア端面から４１５ｎｍの青色２次高
調波（ＳＨ波）を観測した。しかしながら、導波路膜の
伝送損失がきわめて大きくコア端面からの出射光に関す
る変換効率は、具体的な実施例１の場合に比べ、１／５
５０〜１／７５０に留まった。表４には当該光導波路の
伝送損失と基本波からＳＨ波への変換効率を記す。
【００４９】
【表４】
【００５０】基本事例２ 下記の「化１６」式、「化１７」式、「化１８」式（以
下、必要に応じて化合物５、６、７と称する）を合成し
た。合成は前記化合物１に準じて行った。
下、必要に応じて化合物５、６、７と称する）を合成し
た。合成は前記化合物１に準じて行った。
【００５１】
【化１６】
【化１７】
【化１８】
【００５２】なお、化合物５〜７の基本構成は次の通り
である。
である。
【化１９】
【００５３】成膜はクロロベンゼン溶液からスピンコー
ト法により行った。クロロベンゼンへの溶解度、一段階
のスピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動
は表５のようになった。
ト法により行った。クロロベンゼンへの溶解度、一段階
のスピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動
は表５のようになった。
【００５４】
【表５】
【００５５】次に５、６、７の膜をガラス基板上にスピ
ンコート法により作製し、それぞれの試料Ｓは図３に示
すようなコロナ放電装置に設置し、１４０℃の雰囲気温
度下で１０μＡのコロナ放電電流を照射した。雰囲気温
度は５℃／分で冷却し、４０℃以下の温度になるまでコ
ロナ放電電流を照射し続けた。放電終了後、試料を取り
出し、２次光非線形定数（χ（２））を、基本波波長が
１．０６４μｍで測定したところ、５、６、７の値が、
それぞれ、８．１×１０−８ｅｓｕ、７．２×１０−８
ｅｓｕ、８．６×１０−８ｅｓｕとなった。
ンコート法により作製し、それぞれの試料Ｓは図３に示
すようなコロナ放電装置に設置し、１４０℃の雰囲気温
度下で１０μＡのコロナ放電電流を照射した。雰囲気温
度は５℃／分で冷却し、４０℃以下の温度になるまでコ
ロナ放電電流を照射し続けた。放電終了後、試料を取り
出し、２次光非線形定数（χ（２））を、基本波波長が
１．０６４μｍで測定したところ、５、６、７の値が、
それぞれ、８．１×１０−８ｅｓｕ、７．２×１０−８
ｅｓｕ、８．６×１０−８ｅｓｕとなった。
【００５６】次に５、６、７の６．０μｍの膜を、１０
０μｍ厚のポリイミドフィルム上に形成した。次に、こ
の２層フィルム上下に、幅１００μｍの導波路形状に対
応した電極を設置し、ここに１４０℃雰囲気下で１５Ｍ
Ｖ／ｃｍの電荷を印加した。雰囲気温度は５℃／分で冷
却し、４０℃以下の温度になるまで電荷を印加し続け
た。電荷を切断後、電極装着部分のＴＭモード光の屈折
率が、未照射部に比べ１．０％程度増加していること
が、プリズムカップラーによる屈折率測定により確認し
た。
０μｍ厚のポリイミドフィルム上に形成した。次に、こ
の２層フィルム上下に、幅１００μｍの導波路形状に対
応した電極を設置し、ここに１４０℃雰囲気下で１５Ｍ
Ｖ／ｃｍの電荷を印加した。雰囲気温度は５℃／分で冷
却し、４０℃以下の温度になるまで電荷を印加し続け
た。電荷を切断後、電極装着部分のＴＭモード光の屈折
率が、未照射部に比べ１．０％程度増加していること
が、プリズムカップラーによる屈折率測定により確認し
た。
【００５７】この結果、１００μｍ×６．０μｍ幅のコ
ア部分が形成された。このようにして得た導波路膜に対
し、膜上に基板に用いたと同種のポリイミドフィルムを
密着して設置し、図２に示すような光導波路型素子を構
成した。素子端面を光学研磨し、コア部分ＳＣに１０６
４ｎｍのＹＡＧレーザー（出力８０ｍＷ）をシングルモ
ード光ファイバー端面との直接結合により入射したとこ
ろ、対向するコア端面から５３２ｎｍの緑色２次高調波
（ＳＨ波）を観測した。表６には当該光導波路の伝送損
失と基本波からＳＨ波への変換効率を記す。
ア部分が形成された。このようにして得た導波路膜に対
し、膜上に基板に用いたと同種のポリイミドフィルムを
密着して設置し、図２に示すような光導波路型素子を構
成した。素子端面を光学研磨し、コア部分ＳＣに１０６
４ｎｍのＹＡＧレーザー（出力８０ｍＷ）をシングルモ
ード光ファイバー端面との直接結合により入射したとこ
ろ、対向するコア端面から５３２ｎｍの緑色２次高調波
（ＳＨ波）を観測した。表６には当該光導波路の伝送損
失と基本波からＳＨ波への変換効率を記す。
【００５８】
【表６】
【００５９】比較例２ 下記「化２０」式の構造を有するの化合物８を合成し
た。
た。
【００６０】
【化２０】
【００６１】合成は化合物１の方法に準じた。成膜はク
ロロベンゼン溶液からスピンコート法により行った。ク
ロロベンゼンへの溶解度、一段階のスピンコートで生成
する膜厚およびその時の膜厚変動は表７のようになっ
た。
ロロベンゼン溶液からスピンコート法により行った。ク
ロロベンゼンへの溶解度、一段階のスピンコートで生成
する膜厚およびその時の膜厚変動は表７のようになっ
た。
【００６２】
【表７】
【００６３】次に８の膜をガラス基板上にスピンコート
法により作製し、図１に示すような対向電極間にはさ
み、１４０℃の雰囲気温度下で、１．５ＭＶ／ｃｍの電
界を印加した。雰囲気温度は、５℃／分で冷却し、４０
℃以下の温度になるまで電界を印加し続けた。電界を切
断後、試料を取り出し、２次光非線形定数（χ（２））
を、基本波波長が１．０６４μｍで測定したところ、χ
（２）値が、７．５×１０−８ｅｓｕとなった。
法により作製し、図１に示すような対向電極間にはさ
み、１４０℃の雰囲気温度下で、１．５ＭＶ／ｃｍの電
界を印加した。雰囲気温度は、５℃／分で冷却し、４０
℃以下の温度になるまで電界を印加し続けた。電界を切
断後、試料を取り出し、２次光非線形定数（χ（２））
を、基本波波長が１．０６４μｍで測定したところ、χ
（２）値が、７．５×１０−８ｅｓｕとなった。
【００６４】次に、８の１．５μｍの膜を、１００μｍ
厚のポリイミドフィルム上に形成した。次に、この２層
フィルム上下に、幅１００μｍの導波路形状に対応した
電極を設置し、ここに、１４０℃雰囲気下で、１．５Ｍ
Ｖ／ｃｍの電界を印加した。雰囲気温度は５℃／分で冷
却し、４０℃以下の温度になるまで電界を印加し続け
た。電界を切断後、電極装着部分のＴＭモード光の屈折
率が未照射部に比べ１．０％程度増加していることが、
プリズムカップラーによる屈折率測定により確認した。
この結果、１００．０μｍ×６．０μｍ幅のコア部分が
形成された。
厚のポリイミドフィルム上に形成した。次に、この２層
フィルム上下に、幅１００μｍの導波路形状に対応した
電極を設置し、ここに、１４０℃雰囲気下で、１．５Ｍ
Ｖ／ｃｍの電界を印加した。雰囲気温度は５℃／分で冷
却し、４０℃以下の温度になるまで電界を印加し続け
た。電界を切断後、電極装着部分のＴＭモード光の屈折
率が未照射部に比べ１．０％程度増加していることが、
プリズムカップラーによる屈折率測定により確認した。
この結果、１００．０μｍ×６．０μｍ幅のコア部分が
形成された。
【００６５】このようにして得た導波路膜に対し、膜上
に基板に用いたと同種のポリイミドフィルムを密着して
設置し、図２に示すような光導波路型素子を構成した。
素子端面を光学研磨し、コア部分ＳＣに１０６４ｎｍの
ＹＡＧレーザー（出力８０ｍＷ）をシングルモード光フ
ァイバー端面との直接結合により入射したところ、結合
効率がきわめて悪く、対向するコア端面からの５３２ｎ
ｍの緑色２次高調波（ＳＨ波）パワーは、実施例２の場
合に比べ１／１００以下であった。
に基板に用いたと同種のポリイミドフィルムを密着して
設置し、図２に示すような光導波路型素子を構成した。
素子端面を光学研磨し、コア部分ＳＣに１０６４ｎｍの
ＹＡＧレーザー（出力８０ｍＷ）をシングルモード光フ
ァイバー端面との直接結合により入射したところ、結合
効率がきわめて悪く、対向するコア端面からの５３２ｎ
ｍの緑色２次高調波（ＳＨ波）パワーは、実施例２の場
合に比べ１／１００以下であった。
【００６６】次に８の１．５μｍの膜を、１００μｍ厚
のポリイミドフィルム上に、スピンコートを４回以上繰
り返し、形成した。次に、この２層フィルム上下に幅１
００μｍの導波路形状に対応した電極を設置し、ここ
に、１４０℃雰囲気下で、１．５ＭＶ／ｃｍの電界を印
加した。雰囲気温度は、５℃／分で冷却し、４０℃以下
の温度になるまで電界を印加し続けた。
のポリイミドフィルム上に、スピンコートを４回以上繰
り返し、形成した。次に、この２層フィルム上下に幅１
００μｍの導波路形状に対応した電極を設置し、ここ
に、１４０℃雰囲気下で、１．５ＭＶ／ｃｍの電界を印
加した。雰囲気温度は、５℃／分で冷却し、４０℃以下
の温度になるまで電界を印加し続けた。
【００６７】電界を切断後、プリズムカップラーによる
屈折率測定により、電極装着部分のＴＭモード光の屈折
率が未照射部に比べ増加していることを確認しようと試
みたが、膜厚変動が３５％／ｃｍ２ときわめて大きく、
このことは確認できなかった。このようにして得た膜に
対し、膜上に基板を用いたと同種のポリイミドフィルム
を密着して設置し、図２に示すような光導波路型素子を
構成した。素子端面を光学研磨し、コア部分に１０６４
ｎｍのＹＡＧレーザー（出力８０ｍＷ）をシングルモー
ド光ファイバー端面との直接結合により入射したとこ
ろ、対向するコア端面から５３２ｎｍの緑色２次高調波
（ＳＨ波）を観測した。しかしながら、導波路膜の伝送
損失がきわめて大きくコア端面からの出射光に関する変
換効率は、実施例２の場合に比べ、約１／５００に留ま
った。表８には当該光導波路の伝送損失と基本波からＳ
Ｈ波への変換効率を記す。
屈折率測定により、電極装着部分のＴＭモード光の屈折
率が未照射部に比べ増加していることを確認しようと試
みたが、膜厚変動が３５％／ｃｍ２ときわめて大きく、
このことは確認できなかった。このようにして得た膜に
対し、膜上に基板を用いたと同種のポリイミドフィルム
を密着して設置し、図２に示すような光導波路型素子を
構成した。素子端面を光学研磨し、コア部分に１０６４
ｎｍのＹＡＧレーザー（出力８０ｍＷ）をシングルモー
ド光ファイバー端面との直接結合により入射したとこ
ろ、対向するコア端面から５３２ｎｍの緑色２次高調波
（ＳＨ波）を観測した。しかしながら、導波路膜の伝送
損失がきわめて大きくコア端面からの出射光に関する変
換効率は、実施例２の場合に比べ、約１／５００に留ま
った。表８には当該光導波路の伝送損失と基本波からＳ
Ｈ波への変換効率を記す。
【００６８】
【表８】
【００６９】基本事例３ 下記の「化２１」式〜「化２９」式（以下、必要に応じ
て、化合物９〜１７と称する）を合成した。
て、化合物９〜１７と称する）を合成した。
【００７０】
【化２１】
【化２２】
【化２３】
【化２４】
【化２５】
【化２６】
【化２７】
【化２８】
【化２９】
【００７１】これらの化合物９〜１７の基本構成は「化
３０」に示す。
３０」に示す。
【化３０】
【００７２】化合物１０、１４、１７の合成法を以下に
記す。化合物９〜１１は化合物１０の方法、化合物１２
〜１４は化合物１４の方法、化合物１５〜１７は化合物
１７の方法に準じて合成した。
記す。化合物９〜１１は化合物１０の方法、化合物１２
〜１４は化合物１４の方法、化合物１５〜１７は化合物
１７の方法に準じて合成した。
【００７３】化合物１０ 「化３１」式の手順で化合物１０を得た。
【００７４】
【化３１】
【００７５】即ち、メタクリ酸クロリド（Ｎ−エチル）
アニリノエタノールを、乾燥したテトラヒドロフラン中
で、トリエチルアミン存在下で、室温下で２４時間反応
させた。反応後、反応混合物を水と混合し、反応生成物
をジエチルエーテルで抽出、さらにシリカゲルカラムで
精製し、化合物Ｄを得た。次に、化合物Ｄをメチルメタ
クリレートとｍ対ｎの比率で混合して、これらの０．１
ｍｏｌ％に相当するアゾビスイソブチロニトリルを混合
し、溶存酸素を凍結−脱気−溶解を繰り返すことにより
取り除き、アンプル中に封入して、６５℃で２４時間重
合反応させた。反応後、重合体をクロロホルムに溶解さ
せ、メタノールで再沈澱することにより精製し、化合物
Ｅを得た。
アニリノエタノールを、乾燥したテトラヒドロフラン中
で、トリエチルアミン存在下で、室温下で２４時間反応
させた。反応後、反応混合物を水と混合し、反応生成物
をジエチルエーテルで抽出、さらにシリカゲルカラムで
精製し、化合物Ｄを得た。次に、化合物Ｄをメチルメタ
クリレートとｍ対ｎの比率で混合して、これらの０．１
ｍｏｌ％に相当するアゾビスイソブチロニトリルを混合
し、溶存酸素を凍結−脱気−溶解を繰り返すことにより
取り除き、アンプル中に封入して、６５℃で２４時間重
合反応させた。反応後、重合体をクロロホルムに溶解さ
せ、メタノールで再沈澱することにより精製し、化合物
Ｅを得た。
【００７６】次に、３−メチル−４−ニトロアニリンを
酢酸に溶解し、ここに、硫酸に溶解した亜硝酸ナトリウ
ムを、液温を２０℃以下に保ちながら添加した。ここ
に、さらに、ＫＰＦ０を等モル量加え、析出する沈澱を
取り出し、さらに、蒸留水で洗浄し化合物Ｆを得た。次
に、化合物Ｆを酢酸溶液に化合物Ｅの酢酸溶液を加え、
さらにＦの２等量の酢酸ナトリウムを添加し、室温下で
２４時間反応させた。反応後、反応混合物をメタノール
中に加え、再沈澱により１０を得た。
酢酸に溶解し、ここに、硫酸に溶解した亜硝酸ナトリウ
ムを、液温を２０℃以下に保ちながら添加した。ここ
に、さらに、ＫＰＦ０を等モル量加え、析出する沈澱を
取り出し、さらに、蒸留水で洗浄し化合物Ｆを得た。次
に、化合物Ｆを酢酸溶液に化合物Ｅの酢酸溶液を加え、
さらにＦの２等量の酢酸ナトリウムを添加し、室温下で
２４時間反応させた。反応後、反応混合物をメタノール
中に加え、再沈澱により１０を得た。
【００７７】化合物１２ 「化３２」式の記号（ａ）の手順で化合物１２を得た。
【００７８】
【化３２】
【００７９】化合物Ｇは化合物Ｅの合成法に準じた。次
に、市販のアミノベンズアルデヒドモノマーからジエタ
リエーテルで抽出して精製したアミノベンズアルデヒド
とマロノニトリルを無水エタノール中で、酢酸に溶解し
たビペリジンを触媒として、２時間加熱還流して反応さ
せた。反応後、冷却して沈澱する固体を採取し、エタノ
ールから再結晶して化合物Ｈを得た。次に、化合物Ｈを
化合物１０の合成に準じた方法で、ジアゾ化および化合
物Ｇとのカップリングをおこない化合物１２を得た。
に、市販のアミノベンズアルデヒドモノマーからジエタ
リエーテルで抽出して精製したアミノベンズアルデヒド
とマロノニトリルを無水エタノール中で、酢酸に溶解し
たビペリジンを触媒として、２時間加熱還流して反応さ
せた。反応後、冷却して沈澱する固体を採取し、エタノ
ールから再結晶して化合物Ｈを得た。次に、化合物Ｈを
化合物１０の合成に準じた方法で、ジアゾ化および化合
物Ｇとのカップリングをおこない化合物１２を得た。
【００８０】化合物１７ 「化３２」式の記号（ｂ）の手順により、化合物Ｈを５
０％エタノール水溶液中に分散させ、シアン化ナトリウ
ムと反応させ化合物Ｉを得た。さらに、化合物Ｉを４酢
酸鉛で酸化させ化合物Ｊを得た。化合物Ｋの合成は化合
物Ｅ、Ｇの場合に準じた。次に、化合物Ｊを化合物１
０、１２の場合に準じて、ジアゾ化および化合物Ｋとの
カップリングを行い化合物１７を得た。
０％エタノール水溶液中に分散させ、シアン化ナトリウ
ムと反応させ化合物Ｉを得た。さらに、化合物Ｉを４酢
酸鉛で酸化させ化合物Ｊを得た。化合物Ｋの合成は化合
物Ｅ、Ｇの場合に準じた。次に、化合物Ｊを化合物１
０、１２の場合に準じて、ジアゾ化および化合物Ｋとの
カップリングを行い化合物１７を得た。
【００８１】成膜は酢酸メチルセルソルブ溶液からスピ
ンコート法により行った。同溶媒への溶解度、一段階の
スピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動は
表９のようになった。
ンコート法により行った。同溶媒への溶解度、一段階の
スピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動は
表９のようになった。
【００８２】
【表９】
【００８３】次に、図４（ａ）〜図４（ｄ）に示すよう
に多成分ガラスであるコーニング７０５９（コーニング
社商品名）ガラス２をスッパタ法でつけたシリコン基板
１上に、コプレーナ線路型金電極３をメッキ法で形成し
た後、ネガ型レジスト４であるＯＭＲ−８３（商品名）
で電極付近の凹部を埋めて平滑にした。この上にポリビ
ニルアルコールを塗布して下部クラッド層５を形成した
後、化合物９〜１７の６．０μｍの膜を、スピンコート
法で塗布した。
に多成分ガラスであるコーニング７０５９（コーニング
社商品名）ガラス２をスッパタ法でつけたシリコン基板
１上に、コプレーナ線路型金電極３をメッキ法で形成し
た後、ネガ型レジスト４であるＯＭＲ−８３（商品名）
で電極付近の凹部を埋めて平滑にした。この上にポリビ
ニルアルコールを塗布して下部クラッド層５を形成した
後、化合物９〜１７の６．０μｍの膜を、スピンコート
法で塗布した。
【００８４】この高分子薄膜が設置されたシリコン基板
を図１に示した方法で電極間にはさみ高分子部分を分極
処理した。この後、光硬化性樹脂を塗布して紫外光を照
射し上部クラッド層を形成した。この上にポジ型レジス
トを塗布し、導波路パターンがコプレーナ電極の中心導
体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外光で露光し現
像した。
を図１に示した方法で電極間にはさみ高分子部分を分極
処理した。この後、光硬化性樹脂を塗布して紫外光を照
射し上部クラッド層を形成した。この上にポジ型レジス
トを塗布し、導波路パターンがコプレーナ電極の中心導
体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外光で露光し現
像した。
【００８５】この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエ
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図５に示すようなマッハツエンダー型干渉計の
パターンを有したチャネル型導波路を作製した。この導
波路を端面研磨し、波長１．３μｍのレーザー光をシン
グルモードファイバを用いて直接結合したところ、２．
０〜３．０Ｖの駆動電圧で光変調できた。また、信号の
消光比は１８〜２０ｄＢであった。これらの結果と作製
した導波路の伝送損失を表１０に記す。
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図５に示すようなマッハツエンダー型干渉計の
パターンを有したチャネル型導波路を作製した。この導
波路を端面研磨し、波長１．３μｍのレーザー光をシン
グルモードファイバを用いて直接結合したところ、２．
０〜３．０Ｖの駆動電圧で光変調できた。また、信号の
消光比は１８〜２０ｄＢであった。これらの結果と作製
した導波路の伝送損失を表１０に記す。
【００８６】
【表１０】
【００８７】なお、図５において、図４と同じものは同
符号を用いている。図５において７は上部クラッド層、
８はレーザ光、９ａ，９ｂは変調信号入出力電極であ
る。
符号を用いている。図５において７は上部クラッド層、
８はレーザ光、９ａ，９ｂは変調信号入出力電極であ
る。
【００８８】比較例３ 下記「化３３」〜「化３５」式により化合物１８〜２０
を合成した。合成は化合物１０、１２、１７合成の方法
に準じた。
を合成した。合成は化合物１０、１２、１７合成の方法
に準じた。
【００８９】
【化３３】
【化３４】
【化３５】
【００９０】化合物１８〜２０の基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化３６】
【００９１】成膜生成は酢酸セルソルブ溶液からスピン
コート法により行った。同溶媒への溶解度、一段階のス
ピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動は表
１１のようになった。
コート法により行った。同溶媒への溶解度、一段階のス
ピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動は表
１１のようになった。
【００９２】
【表１１】
【００９３】次に、図４（ａ）〜図４（ｄ）に示すよう
に多成分ガラスであるコーニング７０５９ガラス（商品
名）２をスッパタ法でつけたシリコン上に、コプレーナ
線路型金電極３をメッキ法で形成した後、ネガ型レジス
ト４であるＯＭＲ−８３（商品名）で電極付近の凹部を
埋めて平滑にした。この上にポリビニルアルコールを塗
布して下部クラッド層５を形成した後、化合物１８〜２
０の１．０μｍの膜をスピンコート法で塗布した。この
高分子薄膜が設置されたシリコン基板を図１に示した方
法で電極間にはさみ高分子部分を分極処理した。
に多成分ガラスであるコーニング７０５９ガラス（商品
名）２をスッパタ法でつけたシリコン上に、コプレーナ
線路型金電極３をメッキ法で形成した後、ネガ型レジス
ト４であるＯＭＲ−８３（商品名）で電極付近の凹部を
埋めて平滑にした。この上にポリビニルアルコールを塗
布して下部クラッド層５を形成した後、化合物１８〜２
０の１．０μｍの膜をスピンコート法で塗布した。この
高分子薄膜が設置されたシリコン基板を図１に示した方
法で電極間にはさみ高分子部分を分極処理した。
【００９４】この後、光硬化性樹脂を塗布して紫外光を
照射し上部クラッド層を形成した。この上にポジ型レジ
ストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ電極の中心
導体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外光で露光し
現像した。この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエッ
チングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除去
して、図５に示すようなマッハツエンダー型干渉計のパ
ターンを有したチャネル型導波路を作製した。
照射し上部クラッド層を形成した。この上にポジ型レジ
ストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ電極の中心
導体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外光で露光し
現像した。この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエッ
チングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除去
して、図５に示すようなマッハツエンダー型干渉計のパ
ターンを有したチャネル型導波路を作製した。
【００９５】この導波路を端面研磨し波長１．３μｍの
レーザー光をシングルモードファイバを用いて直接結合
したところ、２．０〜３．０Ｖの駆動電圧で光変調でき
た。しかしながら、入射光の結合効率が極めて悪いた
め、信号の消光比は実施例３の場合に比較して約４０分
の１となった。
レーザー光をシングルモードファイバを用いて直接結合
したところ、２．０〜３．０Ｖの駆動電圧で光変調でき
た。しかしながら、入射光の結合効率が極めて悪いた
め、信号の消光比は実施例３の場合に比較して約４０分
の１となった。
【００９６】次に、上記マッハツエンダー型干渉計作製
に当たり、１８〜２０の６．０μｍの膜をスピンコート
を４回以上繰り返して作製した。この導波路を端面研磨
し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモードファ
イバを用いて直接結合したところ、２．０〜３．０Ｖの
駆動電圧で光変調できた。しかしながら、導波路層伝送
損失および膜厚変動（３５％／ｃｍ２）実施例３の場合
に比べきわめて大きく、信号の消光比は実施例３の場合
に比較し約１００分の１となった。
に当たり、１８〜２０の６．０μｍの膜をスピンコート
を４回以上繰り返して作製した。この導波路を端面研磨
し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモードファ
イバを用いて直接結合したところ、２．０〜３．０Ｖの
駆動電圧で光変調できた。しかしながら、導波路層伝送
損失および膜厚変動（３５％／ｃｍ２）実施例３の場合
に比べきわめて大きく、信号の消光比は実施例３の場合
に比較し約１００分の１となった。
【００９７】具体的な実施例１ 化合物２１〜３２は「化３７」式〜「化５１」式で表さ
れる。
れる。
【００９８】化合物２１は下記の合成法により、化合物
２２〜２４は化合物２１の合成法に準じて合成した。
２２〜２４は化合物２１の合成法に準じて合成した。
【化３７】
【化３８】
【化３９】
【化４０】
【００９９】これらの化合物２１〜２４の基本構成は次
の通りである。
の通りである。
【化４１】
【０１００】化合物２６は下記の方法で合成した。化合
物２５，化合物２７〜２９は化合物２６の合成法に準じ
て合成した。
物２５，化合物２７〜２９は化合物２６の合成法に準じ
て合成した。
【化４２】
【化４３】
【化４４】
【化４５】
【化４６】
【０１０１】これらの化合物２５〜２９の基本構成は次
の通りである。
の通りである。
【化４７】
【０１０２】化合物３０は下記の方法で合成した。化合
物３１，３２は化合物３０の合成法に準じて合成した。
物３１，３２は化合物３０の合成法に準じて合成した。
【化４８】
【化４９】
【化５０】
【０１０３】これらの化合物３０〜３２の基本構成は次
の通りである。
の通りである。
【化５１】
【０１０４】化合物２１，２６，３０の合成は以下のよ
うに行った。その他の化合物についても化合物２１，２
６，３０の場合および実施例３に示した合成方法に準じ
て行った。
うに行った。その他の化合物についても化合物２１，２
６，３０の場合および実施例３に示した合成方法に準じ
て行った。
【０１０５】化合物２１ 化合物Ｎは、化合物Ｅ、化合物Ｇ合成法に準じて「化５
２」式の方法により合成した。ｐ−ニトロアニリンを実
施例３に示した方法でジアゾ化し化合物Ｋを得た。次に
化合物Ｋと２，６−キシリジンを、酢酸中で２等量の酢
酸ナトリウムを加え、ジアゾカップリングしてＬを得
た。これをさらにジアゾ化し、Ｎとカップリングするこ
とにより２１を得た。
２」式の方法により合成した。ｐ−ニトロアニリンを実
施例３に示した方法でジアゾ化し化合物Ｋを得た。次に
化合物Ｋと２，６−キシリジンを、酢酸中で２等量の酢
酸ナトリウムを加え、ジアゾカップリングしてＬを得
た。これをさらにジアゾ化し、Ｎとカップリングするこ
とにより２１を得た。
【０１０６】
【化５２】 なおＮは「化５３」に示す構成である。
【０１０７】
【化５３】
【０１０８】化合物３０ 化合物Ｐは化合物２１の合成に準じて、２段階のジアゾ
カップリング反応を経て合成した。次に、Ｐをトルエン
スルホン酸クロリドと無水溶媒中で反応させ、Ｑを得
た。次に、ＯとＱを、ＫＯＨ存在下で反応させ、化合物
３０を得た。
カップリング反応を経て合成した。次に、Ｐをトルエン
スルホン酸クロリドと無水溶媒中で反応させ、Ｑを得
た。次に、ＯとＱを、ＫＯＨ存在下で反応させ、化合物
３０を得た。
【０１０９】化合物Ｚの合成 （Ｎ−エチル）アニリノエタノール（東京化成）１７０
ｇを、１０００ｃｃの無水テトラヒドロフラン（モレキ
ュラーシーブで乾燥したもの）に溶解し、さらに無水硫
酸マグネシウムで乾燥した。これを、モレキュラーシー
ブで乾燥したトリエチルアミン３００ｇとともに、塩化
カルシウム管、滴下ロートと還流管を取り付けた３００
０ｃｃの三つ口のフラスコに入れ、撹拌しながらメタク
リル酸クロリド（アルドリッチ、安定剤入り）１０５ｇ
を１時間以上かけて滴下し、更に２４時間室温で撹拌し
た。その後、１時間加熱還流した。反応後、２０００ｃ
ｃの水を加えて、塩素で中和し、さらに生成物をジエチ
ルエーテルで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エー
テルを留去し化合物Ｚを得た（収量２００ｇ）。
ｇを、１０００ｃｃの無水テトラヒドロフラン（モレキ
ュラーシーブで乾燥したもの）に溶解し、さらに無水硫
酸マグネシウムで乾燥した。これを、モレキュラーシー
ブで乾燥したトリエチルアミン３００ｇとともに、塩化
カルシウム管、滴下ロートと還流管を取り付けた３００
０ｃｃの三つ口のフラスコに入れ、撹拌しながらメタク
リル酸クロリド（アルドリッチ、安定剤入り）１０５ｇ
を１時間以上かけて滴下し、更に２４時間室温で撹拌し
た。その後、１時間加熱還流した。反応後、２０００ｃ
ｃの水を加えて、塩素で中和し、さらに生成物をジエチ
ルエーテルで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エー
テルを留去し化合物Ｚを得た（収量２００ｇ）。
【０１１０】化合物Ｙの合成 化合物１５０ｇ、蒸留精製したメチルメタクリレート
（東京化成）５０ｇ，２．２ジアゾビス（イソブチロニ
トリル）（東京化成）０．１ｇをガラスアンプルに入
れ、減圧下で、凍結、脱気、溶解を３回繰り返したあと
真空に封入し、６５℃で２４時間重合反応した。反応
後、重合体（化合物Ｙ）を酢酸５００ｃｃに溶解し、さ
らにメタノール２０００ｃｃから再沈澱し精製した（収
量８０ｇ）。分子量はＭｎ＝２１０００、Ｍｗ＝７１０
００であった。化合物Ｙ中のメチルメタクリレート存在
比は、ＮＭＲスペクトルより、２０ｍｏｌ％と決定し
た。
（東京化成）５０ｇ，２．２ジアゾビス（イソブチロニ
トリル）（東京化成）０．１ｇをガラスアンプルに入
れ、減圧下で、凍結、脱気、溶解を３回繰り返したあと
真空に封入し、６５℃で２４時間重合反応した。反応
後、重合体（化合物Ｙ）を酢酸５００ｃｃに溶解し、さ
らにメタノール２０００ｃｃから再沈澱し精製した（収
量８０ｇ）。分子量はＭｎ＝２１０００、Ｍｗ＝７１０
００であった。化合物Ｙ中のメチルメタクリレート存在
比は、ＮＭＲスペクトルより、２０ｍｏｌ％と決定し
た。
【０１１１】化合物Ｘの合成 ｐ−アミノベンズアルデヒドモノマー（東京化成）２０
ｇ（ホモポリマー５０％含有）、マロノニトリル（東京
化成）５．５ｇおよび無水エタノール（モレキュラーシ
ーブで乾燥したもの）５００ｃｃを塩化カルシウム管、
滴下ロートおよび還流管を取り付けたミロロフラスコに
入れ、撹拌して懸濁液を得た。ここに、ピベリジン（東
京化成）２．０ｃｃを酢酸７ｃｃに溶かした溶液を滴下
した。さらに２時間加熱還流した。反応後にエタノール
を留去し、反応物をジエチルエーテルで抽出した。な
お、エーテルに溶けた部分は取り除いた（未反応のｐ−
アミノベンズアルデヒドモノマーと考えられる）。エー
テル抽出成分をエタノールから再結晶し化合物Ｘを得た
（収率３８％）。
ｇ（ホモポリマー５０％含有）、マロノニトリル（東京
化成）５．５ｇおよび無水エタノール（モレキュラーシ
ーブで乾燥したもの）５００ｃｃを塩化カルシウム管、
滴下ロートおよび還流管を取り付けたミロロフラスコに
入れ、撹拌して懸濁液を得た。ここに、ピベリジン（東
京化成）２．０ｃｃを酢酸７ｃｃに溶かした溶液を滴下
した。さらに２時間加熱還流した。反応後にエタノール
を留去し、反応物をジエチルエーテルで抽出した。な
お、エーテルに溶けた部分は取り除いた（未反応のｐ−
アミノベンズアルデヒドモノマーと考えられる）。エー
テル抽出成分をエタノールから再結晶し化合物Ｘを得た
（収率３８％）。
【０１１２】化合物ＸＸの合成 化合物３２０ｇを酢酸５００ｃｃに加熱溶解し、更に１
０℃以下に冷却した。次に、亜硝酸ナトリウム９．９ｇ
を２００ｃｃの硫酸に発熱しないよう徐々に加え溶解し
た。これを前記化合物Ｘの酢酸溶液に、液温が１０℃を
越えないように注意しながら滴下した。つぎは、反応液
を１０℃以下に冷却し、ヘキサフルオロりん酸カリウム
（関東化学）２９ｇを少量の水で溶かして加え１５分程
度撹拌した。析出する沈澱をガラスフィルターで採取
し、少量の酢酸で洗浄し保存した（化合物ＸＸ）。
０℃以下に冷却した。次に、亜硝酸ナトリウム９．９ｇ
を２００ｃｃの硫酸に発熱しないよう徐々に加え溶解し
た。これを前記化合物Ｘの酢酸溶液に、液温が１０℃を
越えないように注意しながら滴下した。つぎは、反応液
を１０℃以下に冷却し、ヘキサフルオロりん酸カリウム
（関東化学）２９ｇを少量の水で溶かして加え１５分程
度撹拌した。析出する沈澱をガラスフィルターで採取
し、少量の酢酸で洗浄し保存した（化合物ＸＸ）。
【０１１３】化合物ＹＹの合成 前記上記、化合物ＸＸを１５℃程度に冷却した酢酸５０
０ｃｃに溶解し、ここに３．５−キシリジン１２ｇと酢
酸ナトリウム２７ｇを加えた。反応液は、直ちに濃赤色
に着色した。反応液は１５℃程度で数時間撹拌した後、
室温下でさらに、１２時間反応した。反応後、２０００
ｃｃの水を加え、反応生成物を沈澱させた。この沈澱を
真空乾燥器で充分に乾燥し、さらに、シリカゲルカラム
（塩化メチレンで流出）を用いて精製した（収量１５
ｇ）。
０ｃｃに溶解し、ここに３．５−キシリジン１２ｇと酢
酸ナトリウム２７ｇを加えた。反応液は、直ちに濃赤色
に着色した。反応液は１５℃程度で数時間撹拌した後、
室温下でさらに、１２時間反応した。反応後、２０００
ｃｃの水を加え、反応生成物を沈澱させた。この沈澱を
真空乾燥器で充分に乾燥し、さらに、シリカゲルカラム
（塩化メチレンで流出）を用いて精製した（収量１５
ｇ）。
【０１１４】化合物２６の合成 化合物ＹＹ５７ｇと化合物Ｎ１１０ｇとを化合物ＸＸお
よびＹＹ合成に準じて反応させ、化合物２６を得た。精
製は化合物Ｙに準じメタノールを用いて再沈澱した。成
膜は酢酸メチルセルソルブ溶液からスピンコート法によ
り行った。同溶媒への溶解度、一段階のスピンコートで
生成する膜厚およびその時の膜厚変動は表１２のように
なった。
よびＹＹ合成に準じて反応させ、化合物２６を得た。精
製は化合物Ｙに準じメタノールを用いて再沈澱した。成
膜は酢酸メチルセルソルブ溶液からスピンコート法によ
り行った。同溶媒への溶解度、一段階のスピンコートで
生成する膜厚およびその時の膜厚変動は表１２のように
なった。
【０１１５】
【化５４】
【化５５】
【０１１６】
【表１２】
【０１１７】次に、コーニング７０５９ガラス（商品
名）をスパッタ法でつけたシリコン上に、コプレーナ線
路型（ＣＰＷ）金電源をメッキ法で形成した後、ネガ型
レジストであるＯＭＲ−８３（商品名）で電極付近の凹
部を埋めて平滑にした。この上にポリメチルメタクリレ
ートを塗布して下部クラッド層を形成した後、化合物２
２１〜３２の６．０μｍの膜を、スピンコート法で塗布
した。この上にＰＶＡを塗布して上部クラッド層を形成
した後、ポジ型レジストであるマイクロポジットＳ１４
００−２７（商品名）を、１９５℃で約１時間加熱して
ハードコート層を形成した。この上にシリコン系ポジ型
レジストを塗布し、導波路パターンが電極の中心導体上
にくるようにマスクを重ねた後、紫外光で露光し現像し
た。
名）をスパッタ法でつけたシリコン上に、コプレーナ線
路型（ＣＰＷ）金電源をメッキ法で形成した後、ネガ型
レジストであるＯＭＲ−８３（商品名）で電極付近の凹
部を埋めて平滑にした。この上にポリメチルメタクリレ
ートを塗布して下部クラッド層を形成した後、化合物２
２１〜３２の６．０μｍの膜を、スピンコート法で塗布
した。この上にＰＶＡを塗布して上部クラッド層を形成
した後、ポジ型レジストであるマイクロポジットＳ１４
００−２７（商品名）を、１９５℃で約１時間加熱して
ハードコート層を形成した。この上にシリコン系ポジ型
レジストを塗布し、導波路パターンが電極の中心導体上
にくるようにマスクを重ねた後、紫外光で露光し現像し
た。
【０１１８】この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエ
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去した。さらに、表面に形成された酸化シリコンの薄膜
をフッ酸緩衝液で除去した後、シリコン系ポジ型レジス
トをアルカリ液にて除去し、再度、酸素ガスを用いた反
応性イオンエッチングを行い、ハードコート層を除去し
て、図４に示すようなマッハツエンダー型干渉計のパタ
ーンを有したチャネル型導波路を作製した。この高分子
薄膜が設置されたシリコン基板を図１に示した方法で電
極間にはさみ高分子部分を分極処理した。
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去した。さらに、表面に形成された酸化シリコンの薄膜
をフッ酸緩衝液で除去した後、シリコン系ポジ型レジス
トをアルカリ液にて除去し、再度、酸素ガスを用いた反
応性イオンエッチングを行い、ハードコート層を除去し
て、図４に示すようなマッハツエンダー型干渉計のパタ
ーンを有したチャネル型導波路を作製した。この高分子
薄膜が設置されたシリコン基板を図１に示した方法で電
極間にはさみ高分子部分を分極処理した。
【０１１９】この導波路を端面研磨し、波長１．３μｍ
のレーザー光をシングルモードファイバを用いて直線結
合したところ１．５〜２．０Ｖの駆動電圧で光変調でき
た。信号の消光比は１８〜２０ｄＢであった。また、こ
れたの材料の電気光学定数は１６０〜２２０ｐｍ／／Ｖ
であった。これらの結果と作製した導波路の伝送損失を
表１３に記す。
のレーザー光をシングルモードファイバを用いて直線結
合したところ１．５〜２．０Ｖの駆動電圧で光変調でき
た。信号の消光比は１８〜２０ｄＢであった。また、こ
れたの材料の電気光学定数は１６０〜２２０ｐｍ／／Ｖ
であった。これらの結果と作製した導波路の伝送損失を
表１３に記す。
【０１２０】
【表１３】
【０１２１】比較例４ 「化５６」式で示される化合物３３を、「化５８」式で
示される化合物３４を、「化６０」式で示される化合物
３５の化合物を合成した。これたの合成は、前記の方法
に準じて行った。成膜は酢酸セルソルブ溶液からスピン
コート法により行なった。同溶媒への溶解度、一段階の
スピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動は
表１４のようになった。
示される化合物３４を、「化６０」式で示される化合物
３５の化合物を合成した。これたの合成は、前記の方法
に準じて行った。成膜は酢酸セルソルブ溶液からスピン
コート法により行なった。同溶媒への溶解度、一段階の
スピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動は
表１４のようになった。
【０１２２】
【化５６】
【０１２３】なお、化合物３３の基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化５７】
【０１２４】
【化５８】
【０１２５】なお、化合物３４の基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化５９】
【０１２６】
【化６０】
【０１２７】なお、化合物３６の基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化６１】
【０１２８】
【表１４】
【０１２９】次に前記マッハツエンダー型干渉系のパタ
ーンを有したチャネル型導波路作製に当たり、化合物３
３〜３５の１．０μｍの膜を、スピンコート法で塗布し
た。この導波路を端面研磨し、波長１．３μｍのレーザ
ー光をシングルモードファイバを用いて直接結合したと
ころ、入射光の結合効率が極めて悪いため、変調信号は
観測できなかった。
ーンを有したチャネル型導波路作製に当たり、化合物３
３〜３５の１．０μｍの膜を、スピンコート法で塗布し
た。この導波路を端面研磨し、波長１．３μｍのレーザ
ー光をシングルモードファイバを用いて直接結合したと
ころ、入射光の結合効率が極めて悪いため、変調信号は
観測できなかった。
【０１３０】次に前のマッハツエンダー型干渉計作製に
当たり、３３〜３５の６．０μｍの膜をスピンコートを
４回以上繰り返して作製した。この導波路を端面研磨
し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモードファ
イバを用いて直接結合したところ、波長損失（７０ｄＢ
／ｃｍ）および膜厚変動（３５％／ｃｍ２）がきわめて
大きく変調信号は観測できなかった。
当たり、３３〜３５の６．０μｍの膜をスピンコートを
４回以上繰り返して作製した。この導波路を端面研磨
し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモードファ
イバを用いて直接結合したところ、波長損失（７０ｄＢ
／ｃｍ）および膜厚変動（３５％／ｃｍ２）がきわめて
大きく変調信号は観測できなかった。
【０１３１】具体的な実施例２ 「化６２」〜「７３」式で示される化合物３６〜４７の
化合物を合成した。
化合物を合成した。
【０１３２】
【化６２】
【化６３】
【化６４】
【化６５】
【化６６】
【化６７】
【化６８】
【化６９】
【化７０】
【化７１】
【化７２】
【化７３】
【０１３３】なお、化合物３６〜４７の基本構成は次の
通りである。
通りである。
【化７４】
【０１３４】化合物３６の合成は以下のように行った。
他の化合物については化合物３６の合成に準じて行っ
た。 化合物３６の合成 化合物Ｕを下記の反応式に記載した方法で合成した。Ｕ
とＲは具体的な実施例１に記載した方法で反応させ化合
物３６を得た。成膜はテトラヒドロフラン溶液からスピ
ンコート法により行った。同溶媒への溶解度、１段階の
スピンコートで生成する膜厚、その時の膜厚変動および
３次光非線形定数は表１５のようになった。
他の化合物については化合物３６の合成に準じて行っ
た。 化合物３６の合成 化合物Ｕを下記の反応式に記載した方法で合成した。Ｕ
とＲは具体的な実施例１に記載した方法で反応させ化合
物３６を得た。成膜はテトラヒドロフラン溶液からスピ
ンコート法により行った。同溶媒への溶解度、１段階の
スピンコートで生成する膜厚、その時の膜厚変動および
３次光非線形定数は表１５のようになった。
【０１３５】
【表１５】
【０１３６】ついで、スピンコートにより、５．０μｍ
の薄膜をガラス基板上に形成した。当該膜の３次光非線
形定数は、表１４記載の通りであった。ここに、幅５．
０μｍの導波路形状のマスクを重ね、１００Ｗの重水素
ランプで１５分間露光した。マスクを取り除いた後、紫
外線照射部分の屈折率が未照射部に比べ低下することを
確認した。この結果、５μｍ幅のコア部分が形成され
た。次に、当該導波路の両端面を研磨しアルミニウムを
蒸着して、光双安定素子構造を作製した。アルミ蒸着端
面にシングルモード光ファイバにより１．０６μｍのＹ
ＡＧレーザを入射し、透過光強度を入射光強度の関数と
して観測したところ、室温で、光双安定性を示す履歴現
象を確認した。
の薄膜をガラス基板上に形成した。当該膜の３次光非線
形定数は、表１４記載の通りであった。ここに、幅５．
０μｍの導波路形状のマスクを重ね、１００Ｗの重水素
ランプで１５分間露光した。マスクを取り除いた後、紫
外線照射部分の屈折率が未照射部に比べ低下することを
確認した。この結果、５μｍ幅のコア部分が形成され
た。次に、当該導波路の両端面を研磨しアルミニウムを
蒸着して、光双安定素子構造を作製した。アルミ蒸着端
面にシングルモード光ファイバにより１．０６μｍのＹ
ＡＧレーザを入射し、透過光強度を入射光強度の関数と
して観測したところ、室温で、光双安定性を示す履歴現
象を確認した。
【０１３７】
【化７５】
【０１３８】比較例５ 「化７６」〜「化７８」式で示される化合物４８〜５０
の化合物を合成した。
の化合物を合成した。
【０１３９】
【化７６】
【化７７】
【化７８】
【０１４０】化合物４８〜５０の基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化７９】
【０１４１】これらの合成は前記の方法に準じて行っ
た。成膜はテトラヒドロフラン溶液からスピンコート法
により行った。同溶媒への溶解度、一段階のスピンコー
トで生成する膜厚、その時の膜厚変動および３次光非線
形定数（χ（３））は表１６のようになった。
た。成膜はテトラヒドロフラン溶液からスピンコート法
により行った。同溶媒への溶解度、一段階のスピンコー
トで生成する膜厚、その時の膜厚変動および３次光非線
形定数（χ（３））は表１６のようになった。
【０１４２】
【表１６】
【０１４３】次いでスピンコートにより、５．０μｍの
膜をガラス基板上に形成した。ここに、幅５．０μｍの
導波路形状のマスクを重ね、１００Ｗの重水素ランプで
１５分間露光した。マスクを取り除いた後、紫外線照射
部分の屈折率が未照射部に比べ低下することを確認し
た。
膜をガラス基板上に形成した。ここに、幅５．０μｍの
導波路形状のマスクを重ね、１００Ｗの重水素ランプで
１５分間露光した。マスクを取り除いた後、紫外線照射
部分の屈折率が未照射部に比べ低下することを確認し
た。
【０１４４】この結果、５μｍ幅のコア部分が形成され
た。次に、当該導波路の両端面を研磨しアルミニウムを
蒸着して、光双安定素子構造を作成した。アルミ蒸着端
面にシングルモード光ファイバにより１．０６μｍのＹ
ＡＧレーザを入射し、透過光強度を入射光強度の関数と
して観測したところ、室温で、光双安定性を示す履歴現
象を確認したものの、信号強度は実施例６の場合に比べ
１０００分の１以下であった。また、スピンコートを繰
り返して１μｍ以上の膜を形成し、光双安定動作確認を
上記のように試みたが、膜厚精度および膜質の光学的均
一性が、実施例５の場合に比べ著しく劣るため履歴現象
は確認できなかった。
た。次に、当該導波路の両端面を研磨しアルミニウムを
蒸着して、光双安定素子構造を作成した。アルミ蒸着端
面にシングルモード光ファイバにより１．０６μｍのＹ
ＡＧレーザを入射し、透過光強度を入射光強度の関数と
して観測したところ、室温で、光双安定性を示す履歴現
象を確認したものの、信号強度は実施例６の場合に比べ
１０００分の１以下であった。また、スピンコートを繰
り返して１μｍ以上の膜を形成し、光双安定動作確認を
上記のように試みたが、膜厚精度および膜質の光学的均
一性が、実施例５の場合に比べ著しく劣るため履歴現象
は確認できなかった。
【０１４５】具体的な実施例３ 「化８０」式で示される下記の化合物５０Ａを合成し
た。
た。
【０１４６】
【化８０】
【０１４７】この化合物５０Ａの基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化８１】
【０１４８】合成は実施例４に準じて行った。当該化合
物をクロロベンゼンに１１％ｗ／ｗ溶解し、ついで、ス
ピンコートにより、５．０μｍの薄膜をガラス基板上に
形成した。当該膜の３次光非線形定数は、２×１０
−１０ｅｓｕであった。ここに幅５．０μｍの導波路形
状のマスクを重ね、１００ｗの重水素ランプで１５分間
露光した。マスクを取り除いた後、紫外線照射部分の屈
折率が未照射部に比べ低下することを確認した。
物をクロロベンゼンに１１％ｗ／ｗ溶解し、ついで、ス
ピンコートにより、５．０μｍの薄膜をガラス基板上に
形成した。当該膜の３次光非線形定数は、２×１０
−１０ｅｓｕであった。ここに幅５．０μｍの導波路形
状のマスクを重ね、１００ｗの重水素ランプで１５分間
露光した。マスクを取り除いた後、紫外線照射部分の屈
折率が未照射部に比べ低下することを確認した。
【０１４９】この結果、５μｍ幅のコア部分が形成され
た。次に、当該導波路の両端面を研磨しアルミニウムを
蒸着して、光双安定素子構造を作製した。アルミ蒸着端
面にシングルモード光ファイバにより１．０６μｍのＹ
ＡＧレーザを入射し、透過光強度を入射光強度の関数と
して観測したところ、室温で、光双安定性を示す履歴現
象を確認した。
た。次に、当該導波路の両端面を研磨しアルミニウムを
蒸着して、光双安定素子構造を作製した。アルミ蒸着端
面にシングルモード光ファイバにより１．０６μｍのＹ
ＡＧレーザを入射し、透過光強度を入射光強度の関数と
して観測したところ、室温で、光双安定性を示す履歴現
象を確認した。
【０１５０】比較例６ 「化８２」式で示される化合物５０Ｂを合成した。
【化８２】
【０１５１】この化合物５０Ｂの基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化８３】
【０１５２】合成は具体的な実施例１に準じて行った。
当該化合物はクロロベンゼンに１％Ｗ／Ｗ以下しか溶解
せず、一段階のスピンコートでは、０．１μｍ以下の溶
膜が形成されるのみであった。当該膜の３次光非線形定
数は、２．２×１０−１０ｅｓｕであった。ここに、幅
５．０μｍの導波路形状のマスクを重ね、１００ｗの重
水素ランプで１５分間露光した。マスクを取り除いた
後、紫外線照射部分の屈折率が未照射部に比べ低下する
ことを確認した。
当該化合物はクロロベンゼンに１％Ｗ／Ｗ以下しか溶解
せず、一段階のスピンコートでは、０．１μｍ以下の溶
膜が形成されるのみであった。当該膜の３次光非線形定
数は、２．２×１０−１０ｅｓｕであった。ここに、幅
５．０μｍの導波路形状のマスクを重ね、１００ｗの重
水素ランプで１５分間露光した。マスクを取り除いた
後、紫外線照射部分の屈折率が未照射部に比べ低下する
ことを確認した。
【０１５３】この結果、５μｍ幅のコア部分が形成され
た。次に、当該導波路の両端面を研磨しアルミニウムを
蒸着して、光双安定素子構造を作製した。アルミ蒸着端
面にシングルモード光ファイバにより１．０６μｍのＹ
ＡＧレーザを入射し、透過光強度を入射光強度の関数と
して観測したところ、室温で、光双安定性を示す履歴現
象を確認したものの、信号強度は実施例６の場合に比べ
１０００分の１以下であった。また、スピンコートを繰
り返して１μｍ以上の膜を形成し、光双安定動作確認を
上記のように試みたが、膜厚精度および膜質の光学的均
一性が、実施例６の場合に比べ著しく劣るため履歴現象
は確認できなかった。
た。次に、当該導波路の両端面を研磨しアルミニウムを
蒸着して、光双安定素子構造を作製した。アルミ蒸着端
面にシングルモード光ファイバにより１．０６μｍのＹ
ＡＧレーザを入射し、透過光強度を入射光強度の関数と
して観測したところ、室温で、光双安定性を示す履歴現
象を確認したものの、信号強度は実施例６の場合に比べ
１０００分の１以下であった。また、スピンコートを繰
り返して１μｍ以上の膜を形成し、光双安定動作確認を
上記のように試みたが、膜厚精度および膜質の光学的均
一性が、実施例６の場合に比べ著しく劣るため履歴現象
は確認できなかった。
【０１５４】具体的な実施例４ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、具体的な実施例２に記載した化合物３６
〜４７をそれぞれ６μｍ厚に塗布した。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、具体的な実施例２に記載した化合物３６
〜４７をそれぞれ６μｍ厚に塗布した。
【０１５５】この上にＰＶＡを塗布して上部クラッド層
を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジット
Ｓ１４００−２７を塗布し、更に光導波路パターンがＣ
ＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重ね紫外
光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用いた反応
性イオンエッチングにより導波路パターン部以外の有機
薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツェンダー
型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路を作製し
た。この導波路に平行平板電極による分極処理を施し、
波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード光ファイ
バで入射した。その結果、１．８〜２．２Ｖの駆動電圧
で光変調できた。信号の消光比は１８〜２０ｄＢであっ
た。また、これらの材料の電気光学定数は１４０〜１８
０ｐｍ／Ｖであった。
を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジット
Ｓ１４００−２７を塗布し、更に光導波路パターンがＣ
ＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重ね紫外
光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用いた反応
性イオンエッチングにより導波路パターン部以外の有機
薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツェンダー
型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路を作製し
た。この導波路に平行平板電極による分極処理を施し、
波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード光ファイ
バで入射した。その結果、１．８〜２．２Ｖの駆動電圧
で光変調できた。信号の消光比は１８〜２０ｄＢであっ
た。また、これらの材料の電気光学定数は１４０〜１８
０ｐｍ／Ｖであった。
【０１５６】比較例７ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、具体的な実施例２に記載した化合物４８
〜５０の０．１μｍの膜をそれぞれ塗布した。この上に
ＰＶＡを塗布して、上部クラッド層を形成した後、ポジ
型レジストであるマイクロポジットＳ１４００−２７を
塗布し、さらに、光導波路パターンがＣＰＷ型電極の中
心導体上にくるようにマスクを重ね、紫外光で路光し、
現像した。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、具体的な実施例２に記載した化合物４８
〜５０の０．１μｍの膜をそれぞれ塗布した。この上に
ＰＶＡを塗布して、上部クラッド層を形成した後、ポジ
型レジストであるマイクロポジットＳ１４００−２７を
塗布し、さらに、光導波路パターンがＣＰＷ型電極の中
心導体上にくるようにマスクを重ね、紫外光で路光し、
現像した。
【０１５７】この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエ
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有するチャネル型導波路を作製した。この導
波路に平行平板電極による分極処理を施し、波長１．３
μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで入射し
た。その結果、１．８−２．２Ｖの駆動電圧で光変調で
きたものの、信号消光比はきわめて悪く、実施例７の１
０００分の１になった。次に、上記マッハツェンダー型
干渉計作製に当たり、４８−５０の１μｍ厚の膜をスピ
ンコートを１０回以上繰り返して作製した。この導波路
に波長１．３μｍのレーザー光をシングルモードファイ
バを用いて直接結合したところ、変調信号は観測できな
かった。
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有するチャネル型導波路を作製した。この導
波路に平行平板電極による分極処理を施し、波長１．３
μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで入射し
た。その結果、１．８−２．２Ｖの駆動電圧で光変調で
きたものの、信号消光比はきわめて悪く、実施例７の１
０００分の１になった。次に、上記マッハツェンダー型
干渉計作製に当たり、４８−５０の１μｍ厚の膜をスピ
ンコートを１０回以上繰り返して作製した。この導波路
に波長１．３μｍのレーザー光をシングルモードファイ
バを用いて直接結合したところ、変調信号は観測できな
かった。
【０１５８】具体的な実施例５ 「化８４」式で示される化合物５０Ｃを合成した。
【０１５９】
【化８４】
【０１６０】この化合物５０Ｃの基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化８５】
【０１６１】表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシ
リコン基板上に、ＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層を
形成した後、下記の化合物５０Ｃをクロロベンゼン溶液
（１１％Ｗ／Ｗ）からスピンコートし、６μｍ厚に塗布
した。化合物合成は具体的な実施例２の場合に準じた。
この上にＰＶＡを塗布して、上部クラッド層を形成した
後、ポジ型レジストであるマイクロポジットＳ１４００
−２７を塗布し、さらに、光導波路パターンのマスクを
重ね、紫外光で露光し、現像した。
リコン基板上に、ＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層を
形成した後、下記の化合物５０Ｃをクロロベンゼン溶液
（１１％Ｗ／Ｗ）からスピンコートし、６μｍ厚に塗布
した。化合物合成は具体的な実施例２の場合に準じた。
この上にＰＶＡを塗布して、上部クラッド層を形成した
後、ポジ型レジストであるマイクロポジットＳ１４００
−２７を塗布し、さらに、光導波路パターンのマスクを
重ね、紫外光で露光し、現像した。
【０１６２】この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエ
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図６に示すような光カップラーのパターンを有
するチャネル型導波路を作製した。この導波路に波長
１．３μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで
入射した。その結果、片端の入力光量で、出力光をスイ
ッチングできることが確認された。信号の消光比は１８
−２０ｄＢであった。材料の３次光非線形定数は１．５
×１０−１０ｅｓｕであった。図６において、１１はＰ
ＶＡ、１２は光非線形高分子（試料）、１３はＰＭＭＡ
である。
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図６に示すような光カップラーのパターンを有
するチャネル型導波路を作製した。この導波路に波長
１．３μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで
入射した。その結果、片端の入力光量で、出力光をスイ
ッチングできることが確認された。信号の消光比は１８
−２０ｄＢであった。材料の３次光非線形定数は１．５
×１０−１０ｅｓｕであった。図６において、１１はＰ
ＶＡ、１２は光非線形高分子（試料）、１３はＰＭＭＡ
である。
【０１６３】比較例８ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層を形成した後、
下記の化合物５０Ｄを、クロロベンゼン溶液からスピン
コートしたが、溶解度が１％Ｗ／Ｗ以下であり、０．１
μｍ厚以上の膜は作製できなかった。化合物合成は具体
的な実施例２の場合に準じた。この上にＰＶＡを塗布し
て、上部クラッド層を形成した後、ポジ型レジストであ
るマイクロポジットＳ１４００−２７を塗布し、さら
に、光導波路パターンのマスクを重ね、紫外光で露光
し、現像した。
に、ＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層を形成した後、
下記の化合物５０Ｄを、クロロベンゼン溶液からスピン
コートしたが、溶解度が１％Ｗ／Ｗ以下であり、０．１
μｍ厚以上の膜は作製できなかった。化合物合成は具体
的な実施例２の場合に準じた。この上にＰＶＡを塗布し
て、上部クラッド層を形成した後、ポジ型レジストであ
るマイクロポジットＳ１４００−２７を塗布し、さら
に、光導波路パターンのマスクを重ね、紫外光で露光
し、現像した。
【０１６４】この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエ
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図６に示すような光カップラーのパターンを有
するチャネル型導波路を作製した。この導波路に波長
１．３μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで
入射した。その結果、片端の入力光量で、出力光をスイ
ッチングできることが確認されたが、信号の消光比は著
しく悪く、実施例５の１２００倍になった。なお、材料
の３次光非線形定数は１．７×１０−１０ｅｓｕであっ
た。
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図６に示すような光カップラーのパターンを有
するチャネル型導波路を作製した。この導波路に波長
１．３μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで
入射した。その結果、片端の入力光量で、出力光をスイ
ッチングできることが確認されたが、信号の消光比は著
しく悪く、実施例５の１２００倍になった。なお、材料
の３次光非線形定数は１．７×１０−１０ｅｓｕであっ
た。
【０１６５】次に、上記マッハツェンダー型干渉計作製
に当たり、「化８６」式に示した化合物５０Ｄを用いて
１μｍ厚の膜をスピンコートを１０回以上繰り返して作
製した。この導波路に波長１．３μｍのレーザー光をシ
ングルモードファイバを用いて直接結合したところ、ス
イッチング動作は観測できなかった。
に当たり、「化８６」式に示した化合物５０Ｄを用いて
１μｍ厚の膜をスピンコートを１０回以上繰り返して作
製した。この導波路に波長１．３μｍのレーザー光をシ
ングルモードファイバを用いて直接結合したところ、ス
イッチング動作は観測できなかった。
【０１６６】
【化８６】
【０１６７】化合物５０Ｄの基本構成は次の通りであ
る。
る。
【化８７】
【０１６８】具体的な実施例６ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化８８」で示す化合物５０Ｅを６μｍ
厚に塗布した。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化８８」で示す化合物５０Ｅを６μｍ
厚に塗布した。
【０１６９】
【化８８】
【０１７０】化合物５０Ｅの基本構成は次の通りであ
る。
る。
【化８９】
【０１７１】この化合物の合成は実施例１、２、３の場
合に準じて行った。この上にＰＶＡを塗布して、上部ク
ラッド層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロ
ポジットＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路
パターンＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスク
を重ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガス
を用いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン
部以外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッ
ハツェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導
波路を作製した。この導波路に平行平板電極による分極
処理を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモ
ード光ファイバで入射した。その結果、１．９Ｖの駆動
電圧で光変調できた。信号の消光比は１８−２０ｄＢで
あった。また、これらの材料の電気光学定数は１４０ｐ
ｍ／Ｖであった。
合に準じて行った。この上にＰＶＡを塗布して、上部ク
ラッド層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロ
ポジットＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路
パターンＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスク
を重ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガス
を用いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン
部以外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッ
ハツェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導
波路を作製した。この導波路に平行平板電極による分極
処理を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモ
ード光ファイバで入射した。その結果、１．９Ｖの駆動
電圧で光変調できた。信号の消光比は１８−２０ｄＢで
あった。また、これらの材料の電気光学定数は１４０ｐ
ｍ／Ｖであった。
【０１７２】比較例９ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化９０」式に示す化合物５０Ｆの０．
１μｍ厚の膜をそれぞれ塗布した。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化９０」式に示す化合物５０Ｆの０．
１μｍ厚の膜をそれぞれ塗布した。
【０１７３】
【化９０】
【０１７４】化合物５０Ｆの基本構成は次の通りであ
る。
る。
【化９１】
【０１７５】この化合物の合成は実施例１、２、３の場
合に準じて行った。この上にＰＶＡを塗布して、上部ク
ラッド層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロ
ポジットＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路
パターンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマス
クを重ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガ
スを用いた反応性イオンエッチングにより導波路パター
ン部以外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマ
ッハツェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型
導波路を作製した。この導波路に平行平板電極による分
極処理を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングル
モード光ファイバで入射した。
合に準じて行った。この上にＰＶＡを塗布して、上部ク
ラッド層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロ
ポジットＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路
パターンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマス
クを重ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガ
スを用いた反応性イオンエッチングにより導波路パター
ン部以外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマ
ッハツェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型
導波路を作製した。この導波路に平行平板電極による分
極処理を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングル
モード光ファイバで入射した。
【０１７６】その結果２．０Ｖの駆動電圧で光変調でき
たものの、信号消光比はきわめて悪く、実施例７の１０
００分の１になった。次に、上記マッハツェンダー型干
渉計作製に当たり、１μｍ厚の膜をスピンコートを１０
回以上繰り返して作製した。この導波路に波長１．３μ
ｍのレーザー光をシングルモードファイバを用いて直接
結合したところ、変調信号は観測できなかった。
たものの、信号消光比はきわめて悪く、実施例７の１０
００分の１になった。次に、上記マッハツェンダー型干
渉計作製に当たり、１μｍ厚の膜をスピンコートを１０
回以上繰り返して作製した。この導波路に波長１．３μ
ｍのレーザー光をシングルモードファイバを用いて直接
結合したところ、変調信号は観測できなかった。
【０１７７】具体的な実施例７ 「化９２」式で示される化合物５０Ｇを合成した。
【０１７８】
【化９２】
【０１７９】化合物５０Ｇの基本構成は次の通りであ
る。
る。
【化９３】
【０１８０】合成は具体的な実施例２の場合に準じた。
成膜は酢酸メチルセルソルブ溶液（２０％Ｗ／Ｗ）から
スピンコート法により行った。次に、多成分ガラスであ
るコーニング７０５９ガラスをスパッタ法でつけたシリ
コン上に、コプレーナ線路型金電極をメッキ法で形成し
た後、ネガ型レジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の
凹部を埋めて平滑にした。この上にＰＶＡを塗布して下
部クラッド層を形成した後、この化合物５０Ｇの８．０
μｍの膜を、スピンコート法で塗布した。この高分子薄
膜が設置されたシリコン基板を図１に示した方法で電極
間にはさみ高分子部分を分極処理した。
成膜は酢酸メチルセルソルブ溶液（２０％Ｗ／Ｗ）から
スピンコート法により行った。次に、多成分ガラスであ
るコーニング７０５９ガラスをスパッタ法でつけたシリ
コン上に、コプレーナ線路型金電極をメッキ法で形成し
た後、ネガ型レジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の
凹部を埋めて平滑にした。この上にＰＶＡを塗布して下
部クラッド層を形成した後、この化合物５０Ｇの８．０
μｍの膜を、スピンコート法で塗布した。この高分子薄
膜が設置されたシリコン基板を図１に示した方法で電極
間にはさみ高分子部分を分極処理した。
【０１８１】この後、光硬化性樹脂を塗布して紫外光を
照射し上部クラッド層を形成した。この上にシリコン系
ポジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ
電極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外
光で露光し現像した。この後酸素ガスを用いた反応性イ
オンエッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜
層を除去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干
渉計のパターンを有したチャネル型導波路を作製した。
この導波路を端面研磨し、波長１．３μｍのレーザー光
をシングルモードファイバを用いて直接結合したとこ
ろ、４．０〜５．０Ｖの駆動電圧で光変調できた。ま
た、信号の消光比は１８−２０ｄＢ、電気光学定数は３
０ｐｍ／Ｖであった。
照射し上部クラッド層を形成した。この上にシリコン系
ポジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ
電極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外
光で露光し現像した。この後酸素ガスを用いた反応性イ
オンエッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜
層を除去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干
渉計のパターンを有したチャネル型導波路を作製した。
この導波路を端面研磨し、波長１．３μｍのレーザー光
をシングルモードファイバを用いて直接結合したとこ
ろ、４．０〜５．０Ｖの駆動電圧で光変調できた。ま
た、信号の消光比は１８−２０ｄＢ、電気光学定数は３
０ｐｍ／Ｖであった。
【０１８２】比較例１０ 「化９４」式の化合物５０Ｈを合成した。
【０１８３】
【化９４】
【０１８４】化合物５０Ｈの基本構成は次の通りであ
る。
る。
【化９５】
【０１８５】合成は具体的な実施例２の方法に準じた。
成膜は酢酸セルソルブ溶液からスピンコート法により行
った。下記化合物５０Ｈは酢酸セルソルブへの溶解度が
７．０％Ｗ／Ｗ以下であり１．５μｍ以上の厚さの膜形
成はできなかった。次に、多成分ガラスであるコーニン
グ７０５９ガラス２をスパッタ法でつけたシリコン上
に、コプレーナ線路型金電極をメッキ法で形成した後、
ネガ型レジスト４であるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部
を埋めて平滑にした。
成膜は酢酸セルソルブ溶液からスピンコート法により行
った。下記化合物５０Ｈは酢酸セルソルブへの溶解度が
７．０％Ｗ／Ｗ以下であり１．５μｍ以上の厚さの膜形
成はできなかった。次に、多成分ガラスであるコーニン
グ７０５９ガラス２をスパッタ法でつけたシリコン上
に、コプレーナ線路型金電極をメッキ法で形成した後、
ネガ型レジスト４であるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部
を埋めて平滑にした。
【０１８６】この上にＰＶＡを塗布して下部クラッド層
５を形成した後、下記化合物の１．５μｍの膜を、スピ
ンコート法で塗布した。この高分子薄膜が設置されたシ
リコン基板を、図１に示した方法で電極間にはさみ高分
子部分を分極処理した。この後、光硬化性樹脂を塗布し
て紫外光を照射し上部クラッド層を形成した。この上に
シリコン系ポジ型レジストを塗布し、導波路パターンが
コプレーナ電極の中心導体上にくるようにマスクを重ね
た後、紫外光で露光し現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有したチャネル型導波路
を作製した。
５を形成した後、下記化合物の１．５μｍの膜を、スピ
ンコート法で塗布した。この高分子薄膜が設置されたシ
リコン基板を、図１に示した方法で電極間にはさみ高分
子部分を分極処理した。この後、光硬化性樹脂を塗布し
て紫外光を照射し上部クラッド層を形成した。この上に
シリコン系ポジ型レジストを塗布し、導波路パターンが
コプレーナ電極の中心導体上にくるようにマスクを重ね
た後、紫外光で露光し現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有したチャネル型導波路
を作製した。
【０１８７】この導波路のを端面を研磨し、波長１．３
μｍのレーザー光をシングルモードファイバを用いて直
接結合したところ、４．０〜５．０Ｖの駆動電圧で光変
調できた。しかしながら、入射光の結合効率が極めて悪
いため、信号の消光比は実施例７の場合に比較し約４０
分の１となった。次に、上記のマッハツェンダー型干渉
計作製に当たり６．０μｍの膜をスピンコートを４回以
上繰り返して作製した。この導波路を端面研磨し、波長
１．３μｍのレーザー光をシングルモードファイバを用
いて直接結合したところ、４．０〜５．０Ｖの駆動電圧
で光変調できた。しかしながら、信号の消光比は実施例
３の場合に比較し約１００分の１となる。
μｍのレーザー光をシングルモードファイバを用いて直
接結合したところ、４．０〜５．０Ｖの駆動電圧で光変
調できた。しかしながら、入射光の結合効率が極めて悪
いため、信号の消光比は実施例７の場合に比較し約４０
分の１となった。次に、上記のマッハツェンダー型干渉
計作製に当たり６．０μｍの膜をスピンコートを４回以
上繰り返して作製した。この導波路を端面研磨し、波長
１．３μｍのレーザー光をシングルモードファイバを用
いて直接結合したところ、４．０〜５．０Ｖの駆動電圧
で光変調できた。しかしながら、信号の消光比は実施例
３の場合に比較し約１００分の１となる。
【０１８８】具体的な実施例８ 「化９６」式で示される化合物５０１を合成した。
【０１８９】
【化９６】
【０１９０】化合物５０１の基本構成は次の通りであ
る。
る。
【化９７】
【０１９１】合成は「化１０２」に示す下記のルートで
行った。成膜は酢酸メチルセルソルブ溶液（１８％Ｗ／
Ｗ）からスピンコート法により行った。次に、多成分ガ
ラスであるコーニング７０５９ガラスをスパッタ法でつ
けたシリコン上に、コプレーナ線路型金電極をメッキ法
で形成した後、ネガ型レジストであるＯＭＲ−８３で電
極付近の凹部を埋めて平滑にした。この上にＰＶＡを塗
布して下部クラッド層を形成した後、下記化合物５０１
の６．０μｍの膜を、スピンコート法で塗布した。この
高分子薄膜が設置されたシリコン基板を図１に示した方
法で電極間にはさみ高分子部分を分極処理した。
行った。成膜は酢酸メチルセルソルブ溶液（１８％Ｗ／
Ｗ）からスピンコート法により行った。次に、多成分ガ
ラスであるコーニング７０５９ガラスをスパッタ法でつ
けたシリコン上に、コプレーナ線路型金電極をメッキ法
で形成した後、ネガ型レジストであるＯＭＲ−８３で電
極付近の凹部を埋めて平滑にした。この上にＰＶＡを塗
布して下部クラッド層を形成した後、下記化合物５０１
の６．０μｍの膜を、スピンコート法で塗布した。この
高分子薄膜が設置されたシリコン基板を図１に示した方
法で電極間にはさみ高分子部分を分極処理した。
【０１９２】
【化９８】
【０１９３】この後、光硬化性樹脂を塗布して紫外光を
照射し上部クラッド層を形成した。この上にシリコン系
ポジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ
電極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外
光で露光し現像した。この後酸素ガスを用いた反応性イ
オンエッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜
層を除去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干
渉計のパターンを有したチャネル型導波路を作製した。
この導波路を端面研磨し、波長１．３μｍのレーザー光
をシングルモードファイバを用いて直接結合したとこ
ろ、３．０〜４．０Ｖの駆動電圧で光変調できた。ま
た、信号の消光比は１８〜２０ｄＢ、電気光学定数は７
６ｐｍ／Ｖであった。
照射し上部クラッド層を形成した。この上にシリコン系
ポジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ
電極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外
光で露光し現像した。この後酸素ガスを用いた反応性イ
オンエッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜
層を除去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干
渉計のパターンを有したチャネル型導波路を作製した。
この導波路を端面研磨し、波長１．３μｍのレーザー光
をシングルモードファイバを用いて直接結合したとこ
ろ、３．０〜４．０Ｖの駆動電圧で光変調できた。ま
た、信号の消光比は１８〜２０ｄＢ、電気光学定数は７
６ｐｍ／Ｖであった。
【０１９４】比較例１１ 「化９９」式で示される化合物５０Ｊを合成した。
【０１９５】
【化９９】
【０１９６】化合物５０Ｊの基本構成は次の通りであ
る。
る。
【化１００】
【０１９７】合成は具体的な実施例８の場合に準じた。
成膜は酢酸セルソルブ溶液からスピンコート法により行
った。下記化合物は酢酸セルソルブへの溶解度が２．０
％Ｗ／Ｗ以下であり０．３μｍ以上の厚さの膜形成はで
きなかった。次に、多成分ガラスであるコーニング７０
５９ガラス２をスパッタ法でつけたシリコン上に、コプ
レーナ線路型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＶＡを塗布して下部クラッド層を
形成した後、下記化合物５０Ｊの０．３μｍの膜を、ス
ピンコート法で塗布した。この高分子薄膜が設置された
シリコン基板を図１に示した方法で電極間にはさみ高分
子部分を分極処理した。
成膜は酢酸セルソルブ溶液からスピンコート法により行
った。下記化合物は酢酸セルソルブへの溶解度が２．０
％Ｗ／Ｗ以下であり０．３μｍ以上の厚さの膜形成はで
きなかった。次に、多成分ガラスであるコーニング７０
５９ガラス２をスパッタ法でつけたシリコン上に、コプ
レーナ線路型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＶＡを塗布して下部クラッド層を
形成した後、下記化合物５０Ｊの０．３μｍの膜を、ス
ピンコート法で塗布した。この高分子薄膜が設置された
シリコン基板を図１に示した方法で電極間にはさみ高分
子部分を分極処理した。
【０１９８】この後、光硬化性樹脂を塗布して紫外光を
照射し上部クラッド層を形成した。この上にシリコン系
ポジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ
電極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外
光で露光し現像した。この後酸素ガスを用いた反応性イ
オンエッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜
層を除去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干
渉計のパターンを有したチャネル型導波路を作製した。
照射し上部クラッド層を形成した。この上にシリコン系
ポジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ
電極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外
光で露光し現像した。この後酸素ガスを用いた反応性イ
オンエッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜
層を除去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干
渉計のパターンを有したチャネル型導波路を作製した。
【０１９９】この導波路を端面研磨し、波長１．３μｍ
のレーザー光をシングルモードファイバを用いて直接結
合したところ３．０〜４．０Ｖの駆動電圧で光変調でき
た。しかしながら、入射光の結合効率が極めて悪いた
め、信号の消光比は実施例７場合に比較し約１０００分
の１となった。次に、上記のマッハツェンダー型干渉計
作製に当たり３．０μｍの膜をスピンコートを１０回以
上繰り返して作製した。この導波路を端面研磨し、波長
１．３μｍのレーザー光をシングルモードファイバを用
いて直接結合したところ、変調信号は観測できなかっ
た。
のレーザー光をシングルモードファイバを用いて直接結
合したところ３．０〜４．０Ｖの駆動電圧で光変調でき
た。しかしながら、入射光の結合効率が極めて悪いた
め、信号の消光比は実施例７場合に比較し約１０００分
の１となった。次に、上記のマッハツェンダー型干渉計
作製に当たり３．０μｍの膜をスピンコートを１０回以
上繰り返して作製した。この導波路を端面研磨し、波長
１．３μｍのレーザー光をシングルモードファイバを用
いて直接結合したところ、変調信号は観測できなかっ
た。
【０２００】具体的な実施例９ 「化１０１」式で示される化合物５０Ｋを合成した。
【０２０１】
【化１０１】
【０２０２】化合物５０Ｋの基本構成は次の通りであ
る。
る。
【化１０２】
【０２０３】合成は具体的な実施例１に準じて行った。
当該化合物をクロロベンゼンに７．０％Ｗ／Ｗ溶解し、
ついで、スピンコートにより、５．μｍの薄膜をガラス
基板上に形成した。当該膜の３次光非線形定数は、２．
１×１０−１０ｅｓｕであった。ここに、幅５．０μｍ
の導波路形状のマスクを重ね、１００ｗの重水素ランプ
で１５分間露光した。マスクを取り除いた後、紫外線照
射部分の屈折率が未照射部に比べ低下することを確認し
た。この結果、５μｍ幅のコア部分が形成された。次
に、当該導波路の両端面を研磨しアルミニウムを蒸着し
て、光双安定素子構造を作製した。アルミ蒸着端面にシ
ングルモード光ファイバにより１．０６μｍのＹＡＧレ
ーザを入射し、透過光強度を入射光強度の関数として観
測したところ、室温で、光双安定性を示す履歴現象を確
認した。
当該化合物をクロロベンゼンに７．０％Ｗ／Ｗ溶解し、
ついで、スピンコートにより、５．μｍの薄膜をガラス
基板上に形成した。当該膜の３次光非線形定数は、２．
１×１０−１０ｅｓｕであった。ここに、幅５．０μｍ
の導波路形状のマスクを重ね、１００ｗの重水素ランプ
で１５分間露光した。マスクを取り除いた後、紫外線照
射部分の屈折率が未照射部に比べ低下することを確認し
た。この結果、５μｍ幅のコア部分が形成された。次
に、当該導波路の両端面を研磨しアルミニウムを蒸着し
て、光双安定素子構造を作製した。アルミ蒸着端面にシ
ングルモード光ファイバにより１．０６μｍのＹＡＧレ
ーザを入射し、透過光強度を入射光強度の関数として観
測したところ、室温で、光双安定性を示す履歴現象を確
認した。
【０２０４】比較例１２ 「化１０３」で示す化合物５０Ｌを合成した。
【０２０５】
【化１０３】
【０２０６】化合物５０Ｌの基本構成は次の通りであ
る。
る。
【化１０４】
【０２０７】合成は具体的な実施例１に準じて行った。
当該化合物はクロロベンゼンに１％Ｗ／Ｗ以下しか溶解
せず、一段階のスピンコートでは、０．１μｍ以下の薄
膜が形成されるのみであった。当該膜の３次光非線形定
数は、２．０×１０−１０ｅｓｕであった。ここに、幅
５．０μｍの導波路形状のマスクを重ね、１００ｗの重
水素ランプで１５分間露光した。マスクを取り除いた
後、紫外線照射部分の屈折率が未照射部に比べ低下する
ことを確認した。
当該化合物はクロロベンゼンに１％Ｗ／Ｗ以下しか溶解
せず、一段階のスピンコートでは、０．１μｍ以下の薄
膜が形成されるのみであった。当該膜の３次光非線形定
数は、２．０×１０−１０ｅｓｕであった。ここに、幅
５．０μｍの導波路形状のマスクを重ね、１００ｗの重
水素ランプで１５分間露光した。マスクを取り除いた
後、紫外線照射部分の屈折率が未照射部に比べ低下する
ことを確認した。
【０２０８】この結果、５μｍ幅のコア部分が形成され
た。次に、当該導波路の両端面を研磨しアルミニウムを
蒸着して、光双安定素子構造を作製した。アルミ蒸着端
面にシングルモード光ファイバにより１．０６μｍのＹ
ＡＧレーザを入射し、透過光強度を入射光強度の関数と
して観測したところ、室温で、光双安定性を示す履歴現
象を確認したものの、信号強度は実施例６の場合に比べ
１０００分の１以下であった。また、スピンコートを繰
り返して１μｍ以上の膜を形成し、光双安定動作確認を
上記のように試みたが、膜厚精度および膜質の光学的均
一性が、実施例９の場合に比べ著しく劣るため履歴現象
は確認できなかった。
た。次に、当該導波路の両端面を研磨しアルミニウムを
蒸着して、光双安定素子構造を作製した。アルミ蒸着端
面にシングルモード光ファイバにより１．０６μｍのＹ
ＡＧレーザを入射し、透過光強度を入射光強度の関数と
して観測したところ、室温で、光双安定性を示す履歴現
象を確認したものの、信号強度は実施例６の場合に比べ
１０００分の１以下であった。また、スピンコートを繰
り返して１μｍ以上の膜を形成し、光双安定動作確認を
上記のように試みたが、膜厚精度および膜質の光学的均
一性が、実施例９の場合に比べ著しく劣るため履歴現象
は確認できなかった。
【０２０９】具体的な実施例１０ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１０５」式に示す化合物５０Ｍを６
μｍ厚に塗布した。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１０５」式に示す化合物５０Ｍを６
μｍ厚に塗布した。
【０２１０】
【化１０５】
【０２１１】化合物５０Ｍの基本構成は次の通りであ
る。
る。
【化１０６】
【０２１２】合成は具体的な実施例８の場合に準じて行
った。この上にＰＶＡを塗布して上部クラッド層を形成
した後、ポジ型レジストであるマイクロポジットＳ１４
００−２７を塗布し、さらに、光導波路パターンがＣＰ
Ｗ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重ね、紫外
光で露光し、現像した。
った。この上にＰＶＡを塗布して上部クラッド層を形成
した後、ポジ型レジストであるマイクロポジットＳ１４
００−２７を塗布し、さらに、光導波路パターンがＣＰ
Ｗ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重ね、紫外
光で露光し、現像した。
【０２１３】この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエ
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図４に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有するチャネル型導波路を作製した。この導
波路に平行平板電極による分極処理を施し、波長１．３
μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで入射し
た。その結果、５．１Ｖの駆動電圧で光変調できた。信
号の消光比は１８〜２０ｄＢであった。また、これらの
材料の電気光学定数は２８ｐｍ／Ｖであった。
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図４に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有するチャネル型導波路を作製した。この導
波路に平行平板電極による分極処理を施し、波長１．３
μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで入射し
た。その結果、５．１Ｖの駆動電圧で光変調できた。信
号の消光比は１８〜２０ｄＢであった。また、これらの
材料の電気光学定数は２８ｐｍ／Ｖであった。
【０２１４】比較例１３ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１０７」式で示す化合物５０Ｎの
０．１μｍ厚の膜を塗布した。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１０７」式で示す化合物５０Ｎの
０．１μｍ厚の膜を塗布した。
【０２１５】
【化１０７】
【０２１６】化合物５０Ｎの基本構成は次の通りであ
る。
る。
【化１０８】
【０２１７】同化合物の合成は具体的な実施例の場合に
準じた。また、同化合物は塗布溶媒への溶解度が劣り、
０．１μｍ厚以上の膜厚作製はできなかった。この上に
ＰＶＡを塗布して、上部クラッド層を形成した後、ポジ
型レジストであるマイクロポジットＳ１４００−２７を
塗布し、さらに、光導波路パターンがＣＰＷ型電極の中
心導体上にくるようにマスクを重ね、紫外光で露光し、
現像した。
準じた。また、同化合物は塗布溶媒への溶解度が劣り、
０．１μｍ厚以上の膜厚作製はできなかった。この上に
ＰＶＡを塗布して、上部クラッド層を形成した後、ポジ
型レジストであるマイクロポジットＳ１４００−２７を
塗布し、さらに、光導波路パターンがＣＰＷ型電極の中
心導体上にくるようにマスクを重ね、紫外光で露光し、
現像した。
【０２１８】この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエ
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図４に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有するチャネル型導波路を作製した。この導
波路に平行平板電極による分極処理を施し、波長１．３
μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで入射し
た。その結果、４．９Ｖの駆動電圧で光変調できたもの
の、信号消光比はきわめて悪く、具体的な実施例４の１
０００倍になった。次に、上記マッハツェンダー型干渉
計作製に当たり、４８−５０の１μｍ厚の膜をスピンコ
ートを１０回以上繰り返して作製した。この導波路に波
長１．３μｍのレーザー光をシングルモードファイバを
用いて直接結合したところ、変調信号は観測できなかっ
た。
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図４に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有するチャネル型導波路を作製した。この導
波路に平行平板電極による分極処理を施し、波長１．３
μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで入射し
た。その結果、４．９Ｖの駆動電圧で光変調できたもの
の、信号消光比はきわめて悪く、具体的な実施例４の１
０００倍になった。次に、上記マッハツェンダー型干渉
計作製に当たり、４８−５０の１μｍ厚の膜をスピンコ
ートを１０回以上繰り返して作製した。この導波路に波
長１．３μｍのレーザー光をシングルモードファイバを
用いて直接結合したところ、変調信号は観測できなかっ
た。
【０２１９】具体的な実施例１１ 「化１０９」式から「化１１１」式で示される化合物５
１〜５３を合成した。合成は具体的な実施例１に準じ
た。
１〜５３を合成した。合成は具体的な実施例１に準じ
た。
【０２２０】
【化１０９】
【化１１０】
【化１１１】
【０２２１】化合物５１〜５３の基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化１１２】
【０２２２】成膜は酢酸メチルセルソルブ溶液からスピ
ンコート法により行った。同溶媒への溶解度、一段階の
スピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動は
表１７のようになった。
ンコート法により行った。同溶媒への溶解度、一段階の
スピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動は
表１７のようになった。
【０２２３】
【表１７】
【０２２４】次に、コーニング７０５９ガラスをスパッ
タ法でつけたシリコン上に、コプレーナ線路型（ＣＰ
Ｗ）金電極を、メッキ法で形成した後、ネガ型レジスト
であるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平滑にし
た。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層を形成
した後、化合物５１〜５３の６．０μｍの膜を、スピン
コート法で塗布した。この上にＰＶＡを塗布して上部ク
ラッド層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロ
ポジットＳ１４００−２７を、１９５℃で約１時間加熱
してハードコート層を形成した。
タ法でつけたシリコン上に、コプレーナ線路型（ＣＰ
Ｗ）金電極を、メッキ法で形成した後、ネガ型レジスト
であるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平滑にし
た。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層を形成
した後、化合物５１〜５３の６．０μｍの膜を、スピン
コート法で塗布した。この上にＰＶＡを塗布して上部ク
ラッド層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロ
ポジットＳ１４００−２７を、１９５℃で約１時間加熱
してハードコート層を形成した。
【０２２５】この上にシリコン系ポジ型レジストを塗布
し、導波路パターンが電極の中心導体上にくるようにマ
スクを重ねた後、紫外光で露光し現像した。この後、酸
素ガスを用いた反応性イオンエッチングにより導波路パ
ターン部以外の有機薄膜層を除去した。さらに、表面に
形成された酸化シリコンの薄膜をフッ酸緩衝波で除去し
た後、シリコン系ポジ型レジストをアルカリ液にて除去
し、再度、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチングを
行い、ハードコート層を除去して、図５に示すようなマ
ッハツェンダー型干渉計のパターンを有したチャネル型
導波路を作製した。
し、導波路パターンが電極の中心導体上にくるようにマ
スクを重ねた後、紫外光で露光し現像した。この後、酸
素ガスを用いた反応性イオンエッチングにより導波路パ
ターン部以外の有機薄膜層を除去した。さらに、表面に
形成された酸化シリコンの薄膜をフッ酸緩衝波で除去し
た後、シリコン系ポジ型レジストをアルカリ液にて除去
し、再度、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチングを
行い、ハードコート層を除去して、図５に示すようなマ
ッハツェンダー型干渉計のパターンを有したチャネル型
導波路を作製した。
【０２２６】この高分子薄膜が設置されたシリコン基板
を図１に示した方法で電極間にはさみ高分子部分を分極
処理した。この導波路を端面研磨し、波長１．３μｍの
レーザー光をシングルモードファイバを用いて直接結合
したところ、１．５〜２．０Ｖの駆動電圧で光変調でき
た。信号の消光比は１８〜２０ｄＢであった。また、こ
れらの材料の電気光学定数は１６０〜２２０ｐｍ／Ｖで
あった。これらの結果と作製した導波路の伝送損失を表
１８に記す。
を図１に示した方法で電極間にはさみ高分子部分を分極
処理した。この導波路を端面研磨し、波長１．３μｍの
レーザー光をシングルモードファイバを用いて直接結合
したところ、１．５〜２．０Ｖの駆動電圧で光変調でき
た。信号の消光比は１８〜２０ｄＢであった。また、こ
れらの材料の電気光学定数は１６０〜２２０ｐｍ／Ｖで
あった。これらの結果と作製した導波路の伝送損失を表
１８に記す。
【０２２７】
【表１８】
【０２２８】具体的な実施例１２ 「化１１３」〜「化１１５」式に従って化合物５４〜５
６を合成した。合成は実施例４の場合を参考に化合物３
０の合成に準じて行った。
６を合成した。合成は実施例４の場合を参考に化合物３
０の合成に準じて行った。
【０２２９】
【化１１３】
【化１１４】
【化１１５】
【０２３０】化合物５４〜５６の基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化１１６】
【０２３１】成膜は酢酸メチルセルソルブ溶液からスピ
ンコート法により行った。同溶媒への溶解度、一段階の
スピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動は
表１９のようになった。
ンコート法により行った。同溶媒への溶解度、一段階の
スピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動は
表１９のようになった。
【０２３２】
【表１９】
【０２３３】次に多成分ガラスであるコーニング７０５
９ガラスをスパッタ法でつけたシリコン上に、コプレー
ナ線路型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レジス
ト４であるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平滑
にした。この上にＰＶＡを塗布して下部クラッド層５を
形成した後、化合物５４〜５６の６．０μｍの膜を、ス
ピンコート法で塗布した。この高分子薄膜が設置された
シリコン基板を図１に示した方法で電極間にはさみ高分
子部分を分極処理した。
９ガラスをスパッタ法でつけたシリコン上に、コプレー
ナ線路型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レジス
ト４であるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平滑
にした。この上にＰＶＡを塗布して下部クラッド層５を
形成した後、化合物５４〜５６の６．０μｍの膜を、ス
ピンコート法で塗布した。この高分子薄膜が設置された
シリコン基板を図１に示した方法で電極間にはさみ高分
子部分を分極処理した。
【０２３４】この後、光硬化性樹脂を塗布して紫外光を
照射し上部クラッド層を形成した。この上にシリコン系
ポジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ
電極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた後に、紫
外光で露光し現像した。この後、酸素ガスを用いた反応
性イオンエッチングにより導波路パターン部以外の有機
薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツェンダー
型干渉計のパターンを有したチャネル型導波路を作製し
た。
照射し上部クラッド層を形成した。この上にシリコン系
ポジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ
電極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた後に、紫
外光で露光し現像した。この後、酸素ガスを用いた反応
性イオンエッチングにより導波路パターン部以外の有機
薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツェンダー
型干渉計のパターンを有したチャネル型導波路を作製し
た。
【０２３５】この導波路を端面研磨して、波長１．３μ
ｍのレーザー光をシングルモードファイバを用いて直接
結合したところ、２．０〜３．０Ｖの駆動電圧で光変調
できた。また、信号の消光比は１８〜２０ｄＢであっ
た。これらの結果と作製した導波路の伝送損失を表２０
に記す。
ｍのレーザー光をシングルモードファイバを用いて直接
結合したところ、２．０〜３．０Ｖの駆動電圧で光変調
できた。また、信号の消光比は１８〜２０ｄＢであっ
た。これらの結果と作製した導波路の伝送損失を表２０
に記す。
【０２３６】
【表２０】
【０２３７】比較例１５ 「化１１７」式に示す化合物５７を合成した。合成は実
施例１２に準じた。成膜は酢酸セルソルブ溶液からスピ
ンコート法により行った。同溶媒への溶解度、一段階の
スピンコートで生成する１μｍ以下の厚変動は３０％／
ｃｍ２になった。
施例１２に準じた。成膜は酢酸セルソルブ溶液からスピ
ンコート法により行った。同溶媒への溶解度、一段階の
スピンコートで生成する１μｍ以下の厚変動は３０％／
ｃｍ２になった。
【０２３８】
【化１１７】
【０２３９】化合物５７の基本構成は次の通りである。
【化１１８】
【０２４０】次に、多成分ガラスであるコーニング７０
５９ガラス２をスパッタ法でつけたシリコン上に、コプ
レーナ線路型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジスト４であるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて
平滑にした。この上にＰＶＡを塗布して下部クラッド層
５を形成した後、化合物５７の１．０μｍの膜を、スピ
ンコート法で塗布した。この高分子薄膜が設置されたシ
リコン基板を図１に示した方法で電極間にはさみ高分子
部分を分極処理した。この後、光硬化性樹脂を塗布して
紫外光を照射し上部クラッド層を形成した。
５９ガラス２をスパッタ法でつけたシリコン上に、コプ
レーナ線路型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジスト４であるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて
平滑にした。この上にＰＶＡを塗布して下部クラッド層
５を形成した後、化合物５７の１．０μｍの膜を、スピ
ンコート法で塗布した。この高分子薄膜が設置されたシ
リコン基板を図１に示した方法で電極間にはさみ高分子
部分を分極処理した。この後、光硬化性樹脂を塗布して
紫外光を照射し上部クラッド層を形成した。
【０２４１】この上にシリコン系ポジ型レジストを塗布
し、導波路パターンがコプレーナ電極の中心導体上にく
るようにマスクを重ねた後、紫外光で露光し現像した。
この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチングによ
り導波路パターン部以外の有機薄膜層を除去して、図５
に示すようなマッハツェンダー型干渉計のパターンを有
したチャネル型導波路を作製した。この導波路を端面研
磨し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモードフ
ァイバを用いて直接結合したところ、２．０〜３．０Ｖ
の駆動電圧で光変調できた。しかしながら、入射光の結
合効率が極めて悪いため、信号の消光比は実施例１２の
場合に比較し約４０分の１となった。
し、導波路パターンがコプレーナ電極の中心導体上にく
るようにマスクを重ねた後、紫外光で露光し現像した。
この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチングによ
り導波路パターン部以外の有機薄膜層を除去して、図５
に示すようなマッハツェンダー型干渉計のパターンを有
したチャネル型導波路を作製した。この導波路を端面研
磨し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモードフ
ァイバを用いて直接結合したところ、２．０〜３．０Ｖ
の駆動電圧で光変調できた。しかしながら、入射光の結
合効率が極めて悪いため、信号の消光比は実施例１２の
場合に比較し約４０分の１となった。
【０２４２】次に上記のマッハツェンダー型干渉計作製
に当たり、１８〜２０の６．０μｍの膜をスピンコート
を４回以上繰り返して作製した。この導波路を端面研磨
し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモードファ
イバを用いて直接結合したところ、２．０〜３．０Ｖの
駆動電圧で光変調できた。しかしながら、導波路層伝送
損失および膜厚変動（３５％／ｃｍ２）は実施例１２の
場合に比べきわめて大きく、信号の消光比は実施例３の
場合に比較し約１００分の１となった。
に当たり、１８〜２０の６．０μｍの膜をスピンコート
を４回以上繰り返して作製した。この導波路を端面研磨
し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモードファ
イバを用いて直接結合したところ、２．０〜３．０Ｖの
駆動電圧で光変調できた。しかしながら、導波路層伝送
損失および膜厚変動（３５％／ｃｍ２）は実施例１２の
場合に比べきわめて大きく、信号の消光比は実施例３の
場合に比較し約１００分の１となった。
【０２４３】具体的な実施例１３ 「化１１９」〜「１２１」式で示される化合物５８〜６
０を合成した。
０を合成した。
【０２４４】
【化１１９】
【化１２０】
【化１２１】
【０２４５】合成は具体的な実施例１の場合を参考に、
下記のように行った。
下記のように行った。
【化１２２】
【０２４６】化合物５８〜６０の基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化１２３】
【０２４７】成膜は酢酸メチルセルソルブ溶液からスピ
ンコート法により行った。同溶媒への溶解度、一段階の
スピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動は
表２１のようになった。
ンコート法により行った。同溶媒への溶解度、一段階の
スピンコートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動は
表２１のようになった。
【０２４８】
【表２１】
【０２４９】次に、多成分ガラスであるコーニング７０
５９ガラスをスパッタ法でつけたシリコン上に、コプレ
ーナ線路型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レジ
スト４であるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＶＡを塗布して下部クラッド層５
を形成した後に、化合物５８〜６０の６．０μｍの膜
を、スピンコート法で塗布した。
５９ガラスをスパッタ法でつけたシリコン上に、コプレ
ーナ線路型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レジ
スト４であるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＶＡを塗布して下部クラッド層５
を形成した後に、化合物５８〜６０の６．０μｍの膜
を、スピンコート法で塗布した。
【０２５０】この高分子薄膜が設置されたシリコン基板
を図１に示した方法で電極間にはさみ高分子部分を分極
処理した。この後、光硬化性樹脂を塗布して紫外光を照
射し上部クラッド層を形成した。この上にシリコン系ポ
ジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ電
極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外光
で露光し現像した。
を図１に示した方法で電極間にはさみ高分子部分を分極
処理した。この後、光硬化性樹脂を塗布して紫外光を照
射し上部クラッド層を形成した。この上にシリコン系ポ
ジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ電
極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外光
で露光し現像した。
【０２５１】この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエ
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有したチャネル型導波路を作製した。この導
波路を端面研磨し、波長１．３μｍのレーザー光をシン
グルモードファイバを用いて直接結合したところ２．０
〜３．０Ｖの駆動電圧で光変調できた。また、信号の消
光比は１８〜２０ｄＢであった。これらの結果と作製し
た導波路の伝送損失を表２２に記す。
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有したチャネル型導波路を作製した。この導
波路を端面研磨し、波長１．３μｍのレーザー光をシン
グルモードファイバを用いて直接結合したところ２．０
〜３．０Ｖの駆動電圧で光変調できた。また、信号の消
光比は１８〜２０ｄＢであった。これらの結果と作製し
た導波路の伝送損失を表２２に記す。
【０２５２】
【表２２】
【０２５３】比較例１６ 「化１２４」に示す化合物６１を合成した。合成は化合
物１０、１４、１７合成の方法に準じた。
物１０、１４、１７合成の方法に準じた。
【０２５４】
【化１２４】
【０２５５】化合物６１の基本構成は次の通りである。
【化１２５】
【０２５６】成膜は酢酸セルソルブ溶液からスピンコー
ト法により行った。同溶媒への溶解度、一段階のスピン
コートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動はそれぞ
れ、０．５μｍ以下、２５％となった。次に、多成分ガ
ラスであるコーニング７０５９ガラス２をスパッタ法で
つけたシリコン上に、コプレーナ線路型金電極をメッキ
法で形成した後、ネガ型レジスト４であるＯＭＲ−８３
で電極付近の凹部を埋めて平滑にした。
ト法により行った。同溶媒への溶解度、一段階のスピン
コートで生成する膜厚およびその時の膜厚変動はそれぞ
れ、０．５μｍ以下、２５％となった。次に、多成分ガ
ラスであるコーニング７０５９ガラス２をスパッタ法で
つけたシリコン上に、コプレーナ線路型金電極をメッキ
法で形成した後、ネガ型レジスト４であるＯＭＲ−８３
で電極付近の凹部を埋めて平滑にした。
【０２５７】この上にＰＶＡを塗布して下部クラッド層
５を形成した後、化合物６１の１．０μｍの膜を、スピ
ンコート法で塗布した。この高分子薄膜が設置されたシ
リコン基板を図１に示した方法で電極間にはさみ高分子
部分を分極処理した。この後光硬化性樹脂を塗布して紫
外光を照射し上部クラッド層を形成した。この上にシリ
コン系ポジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプ
レーナ電極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた
後、紫外光で露光し現像した。
５を形成した後、化合物６１の１．０μｍの膜を、スピ
ンコート法で塗布した。この高分子薄膜が設置されたシ
リコン基板を図１に示した方法で電極間にはさみ高分子
部分を分極処理した。この後光硬化性樹脂を塗布して紫
外光を照射し上部クラッド層を形成した。この上にシリ
コン系ポジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプ
レーナ電極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた
後、紫外光で露光し現像した。
【０２５８】この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエ
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有したチャネル型導波路を作製した。この導
波路を端面研磨し、波長１．３μｍのレーザー光をシン
グルモードファイバを用いて直接結合したところ、２．
０−３．０Ｖの駆動電圧で光変調できた。しかしなが
ら、入射光の結合効率が極めて悪いため、信号の消光比
は実施例１３の場合に比較し約４０分の１となった。
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有したチャネル型導波路を作製した。この導
波路を端面研磨し、波長１．３μｍのレーザー光をシン
グルモードファイバを用いて直接結合したところ、２．
０−３．０Ｖの駆動電圧で光変調できた。しかしなが
ら、入射光の結合効率が極めて悪いため、信号の消光比
は実施例１３の場合に比較し約４０分の１となった。
【０２５９】次に前記のマッハツェンダー型干渉計作製
に当たり、化合物６１の６．０μｍの膜をスピンコート
を４回以上繰り返して作製した。この導波路を端面研磨
し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモードファ
イバを用いて直接結合したところ、２．０〜３．０Ｖの
駆動電圧で光変調できた。しかしながら、導波路層伝送
損失および膜厚変動（３５％／ｃｍ２）は実施例１３の
場合に比べきわめて大きく、信号の消光比は実施例１３
の場合に比較し約１００分の１となった。
に当たり、化合物６１の６．０μｍの膜をスピンコート
を４回以上繰り返して作製した。この導波路を端面研磨
し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモードファ
イバを用いて直接結合したところ、２．０〜３．０Ｖの
駆動電圧で光変調できた。しかしながら、導波路層伝送
損失および膜厚変動（３５％／ｃｍ２）は実施例１３の
場合に比べきわめて大きく、信号の消光比は実施例１３
の場合に比較し約１００分の１となった。
【０２６０】具体的な実施例１４ 「化１２６」〜「化１２８」に示すような化合物６２〜
６４を合成した。
６４を合成した。
【０２６１】
【化１２６】
【化１２７】
【化１２８】
【０２６２】合成は具体的な実施例１の場合を参考に下
記のように行った。
記のように行った。
【化１２９】
【０２６３】化合物６２〜６４の基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化１３０】
【０２６４】加熱硬化を８０℃１０分行ったものを酢酸
メチルセルソルブ溶液からスピンコート法により行っ
た。同溶媒への溶解度、一段階のスピンコートで生成す
る膜厚およびその時の膜厚変動は表２３のようになっ
た。最後に１２０℃３時間加熱硬化した。
メチルセルソルブ溶液からスピンコート法により行っ
た。同溶媒への溶解度、一段階のスピンコートで生成す
る膜厚およびその時の膜厚変動は表２３のようになっ
た。最後に１２０℃３時間加熱硬化した。
【０２６５】
【表２３】
【０２６６】次に、多成分ガラスであるコーニング７０
５９ガラスをスパッタ法でつけたシリコン上に、コプレ
ーナ線路型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レジ
ストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平滑
にした。この上にＰＶＡを塗布して下部クラッド層５を
形成した後、化合物６２〜６４の６．０μｍの膜を、ス
ピンコート法で塗布した。
５９ガラスをスパッタ法でつけたシリコン上に、コプレ
ーナ線路型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レジ
ストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平滑
にした。この上にＰＶＡを塗布して下部クラッド層５を
形成した後、化合物６２〜６４の６．０μｍの膜を、ス
ピンコート法で塗布した。
【０２６７】この高分子薄膜が設置されたシリコン基板
を図１に示した方法で電極間にはさみ高分子部分を分極
処理した。この後、光硬化性樹脂を塗布して紫外光を照
射し上部クラッド層を形成した。この上にシリコン系ポ
ジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ電
極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外光
で露光し現像した。
を図１に示した方法で電極間にはさみ高分子部分を分極
処理した。この後、光硬化性樹脂を塗布して紫外光を照
射し上部クラッド層を形成した。この上にシリコン系ポ
ジ型レジストを塗布し、導波路パターンがコプレーナ電
極の中心導体上にくるようにマスクを重ねた後、紫外光
で露光し現像した。
【０２６８】この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエ
ッチングにより、導波路パターン部以外の有機薄膜層を
除去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干渉計
のパターンを有したチャネル型導波路を作製した。この
導波路の端面を研磨し、波長１．３μｍのレーザー光を
シングルモードファイバを用いて直接結合したところ
２．０〜３．０Ｖの駆動電圧で光変調できた。また、信
号の消光比は１８〜２０ｄＢであった。これらの結果と
作製した導波路の伝送損失を表２４に記す。
ッチングにより、導波路パターン部以外の有機薄膜層を
除去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干渉計
のパターンを有したチャネル型導波路を作製した。この
導波路の端面を研磨し、波長１．３μｍのレーザー光を
シングルモードファイバを用いて直接結合したところ
２．０〜３．０Ｖの駆動電圧で光変調できた。また、信
号の消光比は１８〜２０ｄＢであった。これらの結果と
作製した導波路の伝送損失を表２４に記す。
【０２６９】
【表２４】
【０２７０】具体的な実施例１５ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１３１」式、「化１３２」式に示す
化合物６５または６６を６μｍ厚に塗布した。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１３１」式、「化１３２」式に示す
化合物６５または６６を６μｍ厚に塗布した。
【０２７１】
【化１３１】
【化１３２】
【０２７２】化合物６５、６６の基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化１３３】
【０２７３】この上にＰＶＡを塗布して、上部クラッド
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、２．３Ｖの駆動電圧
で光変調できた。信号の消光比は１９ｄＢであった。ま
た、これらの材料の電気光学定数は１５０ｐｍ／Ｖであ
った。
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、２．３Ｖの駆動電圧
で光変調できた。信号の消光比は１９ｄＢであった。ま
た、これらの材料の電気光学定数は１５０ｐｍ／Ｖであ
った。
【０２７４】比較例１８ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、具体的な実施例２記載した化合物６６の
０．１μｍの膜を塗布した。この上にＰＶＡを塗布し
て、上部クラッド層を形成した後、ポジ型レジストであ
るマイクロポジットＳ１４００−２７を塗布し、さら
に、光導波路パターンＣＰＷ型電極の中心導体上にくる
ようにマスクを重ね、紫外光で露光し、現像した。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、具体的な実施例２記載した化合物６６の
０．１μｍの膜を塗布した。この上にＰＶＡを塗布し
て、上部クラッド層を形成した後、ポジ型レジストであ
るマイクロポジットＳ１４００−２７を塗布し、さら
に、光導波路パターンＣＰＷ型電極の中心導体上にくる
ようにマスクを重ね、紫外光で露光し、現像した。
【０２７５】この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエ
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有するチャネル型導波路を作製した。この導
波路に平行平板電極による分極処理を施し、波長１．３
μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで入射し
た。その結果、２．３Ｖの駆動電圧で光変調できたもの
の、信号消光比はきわめて悪く、実施例７の１０００分
の１になった。
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有するチャネル型導波路を作製した。この導
波路に平行平板電極による分極処理を施し、波長１．３
μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで入射し
た。その結果、２．３Ｖの駆動電圧で光変調できたもの
の、信号消光比はきわめて悪く、実施例７の１０００分
の１になった。
【０２７６】次に、上記マッハツェンダー型干渉計作製
に当たり、１μｍ厚の膜をスピンコートを１０回以上繰
り返して作製した。この導波路に波長１．３μｍのレー
ザー光をシングルモードファイバを用いて直接結合した
ところ、変調信号は観測できなかった。
に当たり、１μｍ厚の膜をスピンコートを１０回以上繰
り返して作製した。この導波路に波長１．３μｍのレー
ザー光をシングルモードファイバを用いて直接結合した
ところ、変調信号は観測できなかった。
【０２７７】具体的な実施例１６ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、合成は実施例７に準じた「化１３４」式
で示す化合物６７をそれぞれ６μｍ厚に塗布した。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、合成は実施例７に準じた「化１３４」式
で示す化合物６７をそれぞれ６μｍ厚に塗布した。
【０２７８】
【化１３４】
【０２７９】この上にＰＶＡを塗布して、上部クラッド
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。
【０２８０】この後、酸素ガスを用いた反応性イオンエ
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有するチャネル型導波路を作製した。この導
波路に平行平板電極による分極処理を施し、波長１．３
μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで入射し
た。その結果、２．３Ｖの駆動電圧で光変調できた。信
号の消光比は１９ｄＢであった。また、これらの材料の
電気光学定数は１７０ｐｍ／Ｖであった。
ッチングにより導波路パターン部以外の有機薄膜層を除
去して、図５に示すようなマッハツェンダー型干渉計の
パターンを有するチャネル型導波路を作製した。この導
波路に平行平板電極による分極処理を施し、波長１．３
μｍのレーザー光をシングルモード光ファイバで入射し
た。その結果、２．３Ｖの駆動電圧で光変調できた。信
号の消光比は１９ｄＢであった。また、これらの材料の
電気光学定数は１７０ｐｍ／Ｖであった。
【０２８１】比較例１９ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１３５」式に示す化合物６８の０．
１μｍの膜をそれぞれ塗布した。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１３５」式に示す化合物６８の０．
１μｍの膜をそれぞれ塗布した。
【０２８２】
【化１３５】
【０２８３】化合物６７、６８の基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化１３６】
【０２８４】この上にＰＶＡを塗布して、上部クラッド
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、２．３Ｖの駆動電圧
で光変調できたものの、信号消光比はきわめて悪く、実
施例７の１０００分の１になった。
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、２．３Ｖの駆動電圧
で光変調できたものの、信号消光比はきわめて悪く、実
施例７の１０００分の１になった。
【０２８５】次に、上記マッハツェンダー型干渉計作製
に当たり、１μｍ厚の膜をスピンコートを１０回以上繰
り返して作製した。この導波路に波長１．３μｍのレー
ザー光をシングルモードファイバを用いて直接結合した
ところ、変調信号は観測できなかった。
に当たり、１μｍ厚の膜をスピンコートを１０回以上繰
り返して作製した。この導波路に波長１．３μｍのレー
ザー光をシングルモードファイバを用いて直接結合した
ところ、変調信号は観測できなかった。
【０２８６】具体的な実施例１７ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１３７」式に記載の化合物６９を６
μｍ厚に塗布し、合成は具体的な実施例１に準じた。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１３７」式に記載の化合物６９を６
μｍ厚に塗布し、合成は具体的な実施例１に準じた。
【０２８７】
【化１３７】
【０２８８】この上にＰＶＡを塗布して、上部クラッド
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。
【０２８９】この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、１．８Ｖの駆動電圧
で光変調できた。信号の消光比は２０ｄＢであった。ま
た、これらの材料の電気光学定数は１８０ｐｍ／Ｖであ
った。
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、１．８Ｖの駆動電圧
で光変調できた。信号の消光比は２０ｄＢであった。ま
た、これらの材料の電気光学定数は１８０ｐｍ／Ｖであ
った。
【０２９０】比較例２０ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１３８」式に示す化合物７０の０．
１μｍ厚の膜をそれぞれ塗布した。合成は実施例４に準
じた。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１３８」式に示す化合物７０の０．
１μｍ厚の膜をそれぞれ塗布した。合成は実施例４に準
じた。
【０２９１】
【化１３８】
【０２９２】化６９、７０の基本構成は次の通りであ
る。
る。
【化１３９】
【０２９３】この上にＰＶＡを塗布して、上部クラッド
層を形成した後に、ポジ型レジストであるマイクロポジ
ットＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パタ
ーンＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。
層を形成した後に、ポジ型レジストであるマイクロポジ
ットＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パタ
ーンＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。
【０２９４】その結果、２．２Ｖの駆動電圧で光変調で
きたものの、信号消光比はきわめて悪く、実施例７の１
０００分の１になった。次に、上記マッハツェンダー型
干渉計作製に当たり１μｍ厚の膜をスピンコートを１０
回以上繰り返して作製した。この導波路に波長１．３μ
ｍのレーザー光をシングルモードファイバを用いて直接
結合したところ、変調信号は観測できなかった。
きたものの、信号消光比はきわめて悪く、実施例７の１
０００分の１になった。次に、上記マッハツェンダー型
干渉計作製に当たり１μｍ厚の膜をスピンコートを１０
回以上繰り返して作製した。この導波路に波長１．３μ
ｍのレーザー光をシングルモードファイバを用いて直接
結合したところ、変調信号は観測できなかった。
【０２９５】具体的な実施例１８ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１４０」に示す化合物７１を６μｍ
厚に塗布した。。合成は実施例４に従った。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１４０」に示す化合物７１を６μｍ
厚に塗布した。。合成は実施例４に従った。
【０２９６】
【化１４０】
【０２９７】この上にＰＶＡを塗布して、上部クラッド
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、１．８Ｖの駆動電圧
で光変調できた。信号の消光比は１８ｄＢであった。ま
た、これらの材料の電気光学定数は１９０ｐｍ／Ｖであ
った。
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、１．８Ｖの駆動電圧
で光変調できた。信号の消光比は１８ｄＢであった。ま
た、これらの材料の電気光学定数は１９０ｐｍ／Ｖであ
った。
【０２９８】比較例２１ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「式１４１」に示す化合物７２の０．１
μｍの膜をそれぞれ塗布した。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「式１４１」に示す化合物７２の０．１
μｍの膜をそれぞれ塗布した。
【０２９９】
【化１４１】
【０３００】化７１、７２の基本構成は次の通りであ
る。
る。
【化１４２】
【０３０１】この上にＰＶＡを塗布して、上部クラッド
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し現像した。この後、酸素ガスを用い
た反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以外
の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツェ
ンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路を
作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理を
施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード光
ファイバで入射した。
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し現像した。この後、酸素ガスを用い
た反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以外
の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツェ
ンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路を
作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理を
施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード光
ファイバで入射した。
【０３０２】その結果１．９Ｖの駆動電圧で光変調でき
たものの、信号消光比はきわめて悪く、実施例７の１０
００分の１になった。次に、前記マッハツェンダー型干
渉計作製に当たり、１μｍ厚の膜をスピンコートを１０
回以上繰り返して作製した。この導波路に波長１．３μ
ｍのレーザー光をシングルモードファイバを用いて直接
結合したところ、変調信号は観測できなかった。
たものの、信号消光比はきわめて悪く、実施例７の１０
００分の１になった。次に、前記マッハツェンダー型干
渉計作製に当たり、１μｍ厚の膜をスピンコートを１０
回以上繰り返して作製した。この導波路に波長１．３μ
ｍのレーザー光をシングルモードファイバを用いて直接
結合したところ、変調信号は観測できなかった。
【０３０３】具体的な実施例１９ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１４３」式に示す化合物７３を６μ
ｍ厚に塗布した。合成は、実施例４に準じた。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１４３」式に示す化合物７３を６μ
ｍ厚に塗布した。合成は、実施例４に準じた。
【０３０４】
【化１４３】
【０３０５】この上にＰＶＡを塗布して、上部クラッド
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイタロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、１．７Ｖの駆動電圧
で光変調できた。信号の消光比は２０ｄＢであった。ま
た、これらの材料の電気光学定数は１７０ｐｍ／Ｖであ
った。
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイタロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、１．７Ｖの駆動電圧
で光変調できた。信号の消光比は２０ｄＢであった。ま
た、これらの材料の電気光学定数は１７０ｐｍ／Ｖであ
った。
【０３０６】比較例２２ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１４４式」で示す化合物７４を０．
１μｍの膜に塗布した。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１４４式」で示す化合物７４を０．
１μｍの膜に塗布した。
【０３０７】
【化１４４】
【０３０８】化合物７３、７４の基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化１４５】
【０３０９】この上にＰＶＡを塗布して、上部クラッド
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し現像した。この後、酸素ガスを用い
た反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以外
の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツェ
ンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路を
作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理を
施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード光
ファイバで入射した。その結果、２．２Ｖの駆動電圧で
光変調できたものの、信号消光比はきわめて悪く、実施
例７の１０００分の１になった。
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し現像した。この後、酸素ガスを用い
た反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以外
の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツェ
ンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路を
作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理を
施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード光
ファイバで入射した。その結果、２．２Ｖの駆動電圧で
光変調できたものの、信号消光比はきわめて悪く、実施
例７の１０００分の１になった。
【０３１０】次に、上記マッハツェンダー型干渉計作製
に当たり、１μｍ厚の膜をスピンコートを１０回以上繰
り返して作製した。この導波路に波長１．３μｍのレー
ザー光をシングルモードファイバを用いて直接結合した
ところ、変調信号は観測できなかった。
に当たり、１μｍ厚の膜をスピンコートを１０回以上繰
り返して作製した。この導波路に波長１．３μｍのレー
ザー光をシングルモードファイバを用いて直接結合した
ところ、変調信号は観測できなかった。
【０３１１】具体的な実施例２０ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、合成は具体的な実施例４に準じた「化１
４６」に示す化合物７５を、それぞれ６μｍ厚に塗布し
た。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、合成は具体的な実施例４に準じた「化１
４６」に示す化合物７５を、それぞれ６μｍ厚に塗布し
た。
【０３１２】
【化１４６】
【０３１３】この上にＰＶＡを塗布して、上部クラッド
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、２．２Ｖの駆動電圧
で光変調できた。信号の消光比は１８ｄＢであった。ま
た、これらの材料の電気光学定数は１５０ｐｍ／Ｖであ
った。
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、２．２Ｖの駆動電圧
で光変調できた。信号の消光比は１８ｄＢであった。ま
た、これらの材料の電気光学定数は１５０ｐｍ／Ｖであ
った。
【０３１４】比較例２３ 表面に石英ガラスを熱酸化法で形成したシリコン基板上
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１４７」式に示す化合物７６の０．
１μｍの膜をそれぞれ塗布した。
に、ＣＰＷ型金電極をメッキ法で形成した後、ネガ型レ
ジストであるＯＭＲ−８３で電極付近の凹部を埋めて平
滑にした。この上にＰＭＭＡを塗布して下部クラッド層
を形成した後、「化１４７」式に示す化合物７６の０．
１μｍの膜をそれぞれ塗布した。
【０３１５】
【化１４７】
【０３１６】化合物７５、７６の基本構成は次の通りで
ある。
ある。
【化１４８】
【０３１７】この上にＰＶＡを塗布して、上部クラッド
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、２．０Ｖの駆動電圧
で光変調できたものの、信号消光比はきわめて悪く、実
施例７の１０００分の１になった。
層を形成した後、ポジ型レジストであるマイクロポジッ
トＳ１４００−２７を塗布し、さらに、光導波路パター
ンがＣＰＷ型電極の中心導体上にくるようにマスクを重
ね、紫外光で露光し、現像した。この後、酸素ガスを用
いた反応性イオンエッチングにより導波路パターン部以
外の有機薄膜層を除去して、図５に示すようなマッハツ
ェンダー型干渉計のパターンを有するチャネル型導波路
を作製した。この導波路に平行平板電極による分極処理
を施し、波長１．３μｍのレーザー光をシングルモード
光ファイバで入射した。その結果、２．０Ｖの駆動電圧
で光変調できたものの、信号消光比はきわめて悪く、実
施例７の１０００分の１になった。
【０３１８】次に、上記マッハツェンダー型干渉計作製
に当たり、１μｍ厚の膜をスピンコートを１０回以上繰
り返して作製した。この導波路に波長１．３μｍのレー
ザー光をシングルモードファイバを用いて直接結合した
ところ、変調信号は観測できなかった。
に当たり、１μｍ厚の膜をスピンコートを１０回以上繰
り返して作製した。この導波路に波長１．３μｍのレー
ザー光をシングルモードファイバを用いて直接結合した
ところ、変調信号は観測できなかった。
【０３１９】以上を要約すると第１の発明は、高分子
に、以下の「化１４９」式の化合物が結合していること
を特徴とする２次または３次の有機光非線形材料であ
る。
に、以下の「化１４９」式の化合物が結合していること
を特徴とする２次または３次の有機光非線形材料であ
る。
【化１４９】 「化１４９」式中において、π１〜πｎはπ電子共役系
の環状化合物であり、Ｒ１１〜Ｒｎ４は少なくとも一つ
がアルキル置換基誘導体であって、残りは水素である。
また、Ｘ１〜Ｘ（ｎ−１）およびＹ１〜Ｙ（ｎ−１）は
ＣＨ，ＮあるいはＮ→Ｏの中から選ばれた一つである。
また、Ａは電子吸引基、Ｄは電子供与基である。ｎは３
以上の整数である。
の環状化合物であり、Ｒ１１〜Ｒｎ４は少なくとも一つ
がアルキル置換基誘導体であって、残りは水素である。
また、Ｘ１〜Ｘ（ｎ−１）およびＹ１〜Ｙ（ｎ−１）は
ＣＨ，ＮあるいはＮ→Ｏの中から選ばれた一つである。
また、Ａは電子吸引基、Ｄは電子供与基である。ｎは３
以上の整数である。
【０３２０】第２の発明は第１の発明において、「化１
５０」の化合物が更に前記高分子に結合されていること
を特徴とする有機光非線形材料である。
５０」の化合物が更に前記高分子に結合されていること
を特徴とする有機光非線形材料である。
【化１５０】 ここでＲ１１〜Ｒ３４は少なくとも一つがアルキル置換
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
【０３２１】第３の発明は第１の発明において、「化１
５１」の化合物が更に前記高分子に結合されていること
を特徴とする有機光非線形材料である。
５１」の化合物が更に前記高分子に結合されていること
を特徴とする有機光非線形材料である。
【化１５１】 ここでＲ１１〜Ｒ４４は少なくとも一つがアルキル置換
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
【０３２２】第４の発明は第１の発明において、「化１
５２」の化合物が更に前記高分子に結合されていること
を特徴とする有機光非線形材料である。
５２」の化合物が更に前記高分子に結合されていること
を特徴とする有機光非線形材料である。
【化１５２】 ここでＲ１１〜Ｒ３４は少なくとも一つがアルキル置換
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
【０３２３】第５の発明は第１の発明において、「化１
５３」の化合物が更に前記高分子に結合されていること
を特徴とする有機光非線形材料である。
５３」の化合物が更に前記高分子に結合されていること
を特徴とする有機光非線形材料である。
【化１５３】 ここでＲ１１〜Ｒ４４は少なくとも一つがアルキル置換
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
【０３２４】第６の発明は高分子に、以下の「化１５
４」式の化合物が結合している、２次または３次の有機
光非線形材料からなるコアと、このコアの周囲に配置さ
れるクラッドとを有する光非線形素子である。
４」式の化合物が結合している、２次または３次の有機
光非線形材料からなるコアと、このコアの周囲に配置さ
れるクラッドとを有する光非線形素子である。
【化１５４】 「化１５４」式中において、π１〜πｎはπ電子共役系
の環状化合物であり、Ｒ１１〜Ｒｎ４は少なくとも一つ
がアルキル置換基誘導体であって、残りは水素である。
また、Ｘ１〜Ｘ（ｎ−１）およびＹ１〜Ｙ（ｎ−１）は
ＣＨ，ＮあるいはＮ→Ｏの中から選ばれた一つである。
また、Ａは電子吸引基、Ｄは電子供与基である。ｎは３
以上の整数である。
の環状化合物であり、Ｒ１１〜Ｒｎ４は少なくとも一つ
がアルキル置換基誘導体であって、残りは水素である。
また、Ｘ１〜Ｘ（ｎ−１）およびＹ１〜Ｙ（ｎ−１）は
ＣＨ，ＮあるいはＮ→Ｏの中から選ばれた一つである。
また、Ａは電子吸引基、Ｄは電子供与基である。ｎは３
以上の整数である。
【０３２５】第７の発明は第１の発明において、高分子
はポリシロキサン、ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリスチレ
ン、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテル、これらの
誘導体、これらの共重合体の中から選ばれた一つである
ものである。
はポリシロキサン、ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリスチレ
ン、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテル、これらの
誘導体、これらの共重合体の中から選ばれた一つである
ものである。
【０３２６】第８の発明は、第６の発明において、「化
１５５」の化合物が更に前記高分子に結合されているこ
とを特徴とする有機光非線形材料である。
１５５」の化合物が更に前記高分子に結合されているこ
とを特徴とする有機光非線形材料である。
【化１５５】 ここでＲ１１〜Ｒ３４は少なくとも一つがアルキル置換
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
【０３２７】第９の発明は第６の発明において、「化１
５６」の化合物が更に前記高分子に結合されていること
を特徴とする有機光非線形材料である。
５６」の化合物が更に前記高分子に結合されていること
を特徴とする有機光非線形材料である。
【化１５６】 ここでＲ１１〜Ｒ４４は少なくとも一つがアルキル置換
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
【０３２８】第１０の発明は第６の発明において、「化
１５７」の化合物が更に前記高分子に結合されているこ
とを特徴とする有機光非線形材料である。
１５７」の化合物が更に前記高分子に結合されているこ
とを特徴とする有機光非線形材料である。
【化１５７】 ここでＲ１１〜Ｒ３４は少なくとも一つがアルキル置換
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
【０３２９】第１１の発明は第６の発明において、「化
１」の化合物が更に前記高分子に結合されていることを
特徴とする有機光非線形材料である。
１」の化合物が更に前記高分子に結合されていることを
特徴とする有機光非線形材料である。
【化１５８】 ここでＲ１１〜Ｒ４４は少なくとも一つがアルキル置換
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。
【０３３０】第１２の発明は第６の発明において、高分
子はポリシロキサン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリスチ
レン、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテル、これら
の誘導体、これらの共重合体の中から選ばれた一つであ
るものである。
子はポリシロキサン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリスチ
レン、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテル、これら
の誘導体、これらの共重合体の中から選ばれた一つであ
るものである。
【０３３１】第１３の発明は前記クラッドは、前記非線
形材料より屈折率の小さい材料であるものである。
形材料より屈折率の小さい材料であるものである。
【０３３２】第１４の発明は、第１３の発明において、
前記クラッドの材料が空気であるものである。
前記クラッドの材料が空気であるものである。
【０３３３】第１５の発明は、第１３の発明において、
前記クラッドの材料が真空であるものである。
前記クラッドの材料が真空であるものである。
【０３３４】第１６の発明は、前記クラッドの材料は、
ポリシロキサン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リメタクリレート、ポリアクリレート、ポリスチレン、
ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテル、これらの誘導
体、これらの共重合体の中から選ばれた一つであるもの
である。
ポリシロキサン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リメタクリレート、ポリアクリレート、ポリスチレン、
ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテル、これらの誘導
体、これらの共重合体の中から選ばれた一つであるもの
である。
【０３３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来存在した光非線形性を有する高分子膜に比べ寸法精
度に優れ、光学的に均一な、大きな２次または３次光非
線形定数を有する任意厚さの高分子膜を得ることができ
る。また、任意の形式の、寸法精度に優れ従って伝送特
性に優れた、また、伝送損失の小さい２次または３次光
導波路型光非線形素子を作製することができる。従っ
て、光伝送、光情報処理等の光エレクトロニクス分野を
はじめとする分野で用いられる、光導波路型非線形素子
に用いることができる。
従来存在した光非線形性を有する高分子膜に比べ寸法精
度に優れ、光学的に均一な、大きな２次または３次光非
線形定数を有する任意厚さの高分子膜を得ることができ
る。また、任意の形式の、寸法精度に優れ従って伝送特
性に優れた、また、伝送損失の小さい２次または３次光
導波路型光非線形素子を作製することができる。従っ
て、光伝送、光情報処理等の光エレクトロニクス分野を
はじめとする分野で用いられる、光導波路型非線形素子
に用いることができる。
【図１】試料を電極で挟み、電圧を加えた状態を示す図
【図２】光導波路型素子の構成を示す図
【図３】コロナ放電装置を示す図
【図４】パターン形成順序を示す図
【図５】マッハツエンダー型干渉計のパターンを有した
チャネル型導波路を示す斜視図
チャネル型導波路を示す斜視図
【図６】光カップラーのパターンを有するチャネル型導
波路を示す斜視図
波路を示す斜視図
１ シリコン基板 ２ ガラス層 ３ コプレーナ線路型電極 ４ レジスト層 ５ 下部クラッド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/35 504 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (6)
- 【請求項１】 高分子に、以下の「化１」式の化合物が
結合していることを特徴とする２次または３次の有機光
非線形材料。 【化１】 「化１」式中において、π１〜πｎはπ電子共役系の環
状化合物であり、Ｒ１１〜Ｒｎ４は少なくとも一つがア
ルキル置換基誘導体であって、残りは水素である。ま
た、Ｘ１〜Ｘ（ｎ−１）およびＹ１〜Ｙ（ｎ−１）はＣ
Ｈ，ＮあるいはＮ→Ｏの中から選ばれた一つである。ま
た、Ａは電子吸引基、Ｄは電子供与基である。ｎは３以
上の整数である。 - 【請求項２】 請求項１において、「化２」式の化合物
が更に前記高分子に結合されていることを特徴とする有
機光非線形材料。 【化２】 ここでＲ１１〜Ｒ３４は少なくとも一つがアルキル置換
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。 - 【請求項３】 請求項１において、「化３」式の化合物
が更に前記高分子に結合されていることを特徴とする有
機光非線形材料。 【化３】 ここでＲ１１〜Ｒ４４は少なくとも一つがアルキル置換
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。 - 【請求項４】 請求項１において、「化５」式の化合物
が更に前記高分子に結合されていることを特徴とする有
機光非線形材料。 【化４】 ここでＲ１１〜Ｒ３４は少なくとも一つがアルキル置換
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。 - 【請求項５】 請求項１において、「化５」式の化合物
が更に前記高分子に結合されていることを特徴とする有
機光非線形材料。 【化５】 ここでＲ１１〜Ｒ４４は少なくとも一つがアルキル置換
基であり、残りは水素であり、Ａはニトロ基（−Ｎ
Ｏ２）、ジシアノビニル基（−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）２）、
トリシアノビニル基（−Ｃ（ＣＮ）＝Ｃ（ＣＮ）２）の
中から選ばれた一つである。また、Ｄはジアルキルアミ
ノ基誘導体である。 - 【請求項６】 高分子に、以下の「化６」式の化合物が
結合している２次または３次の有機光非線形材料からな
るコアと、このコアの周囲に配置されるクラッドとを有
する光非線形素子。 【化６】 「化６」式中において、π１〜πｎはπ電子共役系の環
状化合物であり、Ｒ１１〜Ｒｎ４は少なくとも一つがア
ルキル置換基誘導体であって、残りは水素である。ま
た、Ｘ１〜Ｘ（ｎ−１）およびＹ１〜Ｙ（ｎ−１）はＣ
Ｈ，ＮあるいはＮ→Ｏの中から選ばれた一つである。ま
た、Ａは電子吸引基、Ｄは電子供与基である。ｎは３以
上の整数である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184080A JP2813925B2 (ja) | 1990-07-06 | 1991-06-28 | 有機光非線形材料および非線形素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-178700 | 1990-07-06 | ||
| JP17870090 | 1990-07-06 | ||
| JP3184080A JP2813925B2 (ja) | 1990-07-06 | 1991-06-28 | 有機光非線形材料および非線形素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356030A JPH04356030A (ja) | 1992-12-09 |
| JP2813925B2 true JP2813925B2 (ja) | 1998-10-22 |
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ID=26498792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP3184080A Expired - Lifetime JP2813925B2 (ja) | 1990-07-06 | 1991-06-28 | 有機光非線形材料および非線形素子 |
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| JP (1) | JP2813925B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2813627B2 (ja) * | 1992-05-18 | 1998-10-22 | 日本電信電話株式会社 | ２次非線形光学材料およびその製造方法 |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03121114A (ja) * | 1989-05-03 | 1991-05-23 | Rhone Poulenc Chim | 非線形光学活性有機物質およびこの物質からなる要素を含む装置 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3184080A patent/JP2813925B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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| JPH04356030A (ja) | 1992-12-09 |
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