JP2810458B2 - Driving method of thin film EL display device - Google Patents

Driving method of thin film EL display device

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JP2810458B2 JP1322277A JP32227789A JP2810458B2 JP 2810458 B2 JP2810458 B2 JP 2810458B2 JP 1322277 A JP1322277 A JP 1322277A JP 32227789 A JP32227789 A JP 32227789A JP 2810458 B2 JP2810458 B2 JP 2810458B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜EL表示装置の駆動方法に関する。The present invention relates to a method for driving a thin film EL display device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に、薄膜EL素子は画素へ波形が対称な交流電圧を
印加することにより高輝度化、長寿命化を計ることがで
きる。
In general, a thin-film EL element can achieve higher luminance and longer life by applying an AC voltage having a symmetric waveform to pixels.

従来、薄膜EL表示装置の駆動方法としては薄膜EL素子
に駆動電圧を走査側及び信号側から印加し、かつ走査側
及び信号側に両極性素子を使用する双方向Push−Pull対
称駆動法(特開昭61−282895号公報参照)や、薄膜EL素
子に駆動電圧を走査側及び信号側から印加し、駆動時の
消費電力を低減化するために放電過程を設ける方法(特
開昭62−143096号公報参照)があげられる。
Conventionally, as a driving method of a thin film EL display device, a driving voltage is applied to the thin film EL element from a scanning side and a signal side, and a bidirectional Push-Pull symmetric driving method using a bipolar element on the scanning side and the signal side (particularly, And a method of applying a drive voltage to the thin-film EL element from the scanning side and the signal side and providing a discharging process to reduce power consumption during driving (Japanese Patent Laid-Open No. 62-143096). Reference).

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

上記薄膜EL表示装置の駆動方法では薄膜EL素子に駆動
電圧を走査側及び信号側から印加するので、薄膜EL素子
の非選択画素にも電圧を印加する。このため、薄膜EL素
子における非選択画素の漏れ発光を避けるべく薄膜EL素
子の発光層の輝度・電圧特性によって駆動電圧の調整を
行う必要がある。また、走査側と信号側の両方に電源が
必要である。コストを下げるためには工程及び使用部品
数を減らす必要があるが、この点は考慮されていない。
In the driving method of the thin-film EL display device, since a driving voltage is applied to the thin-film EL element from the scanning side and the signal side, the voltage is also applied to unselected pixels of the thin-film EL element. For this reason, it is necessary to adjust the driving voltage according to the luminance / voltage characteristics of the light emitting layer of the thin film EL element in order to avoid leakage light emission of unselected pixels in the thin film EL element. In addition, power is required on both the scanning side and the signal side. To reduce the cost, it is necessary to reduce the number of processes and the number of parts used, but this point is not taken into consideration.

本発明は上記欠点を改善し、信号側の駆動用電源が不
要で薄膜EL素子の非選択画素へ電圧を印加しないことに
より薄膜EL素子の漏れ発光が生じなくて良好な表示品質
が得られる薄膜EL表示装置の駆動方法を提供することを
目的とする。
The present invention solves the above-mentioned drawbacks and eliminates the need for a driving power supply on the signal side and does not apply a voltage to non-selected pixels of the thin-film EL element. It is an object to provide a driving method of an EL display device.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記目的を達成するため、本発明はEL発光層の両側に
互いに直交する2組のストライプ状電極群を走査側電極
群及び信号側電極群として設けた薄膜EL素子を線順次駆
動方法により駆動してドットマトリクス表示を行わせる
薄膜EL表示装置の駆動方法において、駆動電圧として絶
対値が等しくて極性が異なり、かつ絶対値が前記薄膜EL
素子の発光開始電圧以上である2種類の電圧を用い、前
記走査側電極群における走査中の1つの走査側電極への
み前記2種類の電圧の一方を印加して他の走査側電極を
フローティング状態とし、前記信号側電極群における前
記薄膜EL素子の選択画素に接続された信号側電極を接地
電位点に接続して前記薄膜EL素子の非選択画素に接続さ
れた信号側電極をフローティング状態とすることで前記
薄膜EL素子における各画素の駆動電圧をオン/オフさせ
る。
In order to achieve the above object, the present invention drives a thin-film EL element provided with two sets of striped electrode groups orthogonal to each other on both sides of an EL light emitting layer as a scanning side electrode group and a signal side electrode group by a line sequential driving method. In the method of driving a thin-film EL display device that performs dot matrix display by using the thin-film EL, the driving voltage has the same absolute value and different polarity, and the absolute value is the thin-film EL.
Two types of voltages that are equal to or higher than the light emission start voltage of the element are used, and one of the two types of voltages is applied to only one scanning side electrode during scanning in the scanning side electrode group, and the other scanning side electrodes are in a floating state. The signal side electrode connected to the selected pixel of the thin film EL element in the signal side electrode group is connected to a ground potential point, and the signal side electrode connected to the non-selected pixel of the thin film EL element is set in a floating state. This turns on / off the drive voltage of each pixel in the thin film EL element.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の実施に用いた薄膜EL素子装置の駆動
回路の一例を示す。
FIG. 1 shows an example of a driving circuit of a thin film EL device used in the embodiment of the present invention.

この例は薄膜EL素子に対して走査側からのみ駆動電圧
を印加して信号側からは駆動電圧を印加しないものであ
る。第1図において1はドットマトリクス表示を行うEL
表示パネルからなる薄膜EL素子であり、EL発光層の両側
に互いに直交する2組のストライプ状電極群が走査側電
極群及び信号側電極群として設けられている。2,3は互
いに絶対値が等しくて極性が異なり、かつ絶対値がEL表
示パネル1における画素の発光開始電圧以上である電圧
(+HV,−HV)を発生する電源である。4,5はEL表示パネ
ル1の各信号側電極に接地電位点の接続,非接続を行う
複数のスイッチング素子CP1,CP2,…CPN、CN1,CN2,…CNN
からなるスイッチング素子群である。6,7はこれらのス
イッチング素子群CP1,CP2,…CPN、CN1,CN2,…CNNを制御
するシフトレジスタ,ラッチ等の論理回路である。8は
EL表示パネル1の各走査側電極への+HVのオン,オフを
行う複数のスイッチング素子RP1,RP2,…RPNからなるス
イッチング素子群、9はEL表示パネル1の各走査側電極
への−HVのオン,オフを行う複数のスイッチング素子RN
1,RN2,…RNNからなるスイッチング素子群である。10,11
はシフトレジスタ等の論理回路である。スイッチング素
子RP1,RP2,…RPNは一端がEL表示パネル1の各走査側電
極にそれぞれ接続されて他端が共通の線に接続され、ス
イッチング素子RN1,RN2,…RNNも一端がEL表示パネル1
の各走査側電極にそれぞれ接続されて他端が共通の線に
接続されている。12はスイッチング素子RP1,RP2,…RPN
の共通線を電源2と接地電位点とに切換接続するスイッ
チ、13はスイッチング素子RN1,RN2,…RNNの共通線を電
源3と接地電位点とに切換接続するスイッチである。
In this example, a driving voltage is applied to the thin film EL element only from the scanning side and no driving voltage is applied from the signal side. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an EL for displaying a dot matrix.
This is a thin-film EL element composed of a display panel. Two sets of stripe-shaped electrodes orthogonal to each other are provided on both sides of an EL light-emitting layer as a scanning-side electrode group and a signal-side electrode group. Reference numerals 2 and 3 denote power supplies that generate voltages (+ HV, −HV) whose absolute values are equal to each other, have different polarities, and whose absolute values are equal to or higher than the light emission start voltage of the pixels in the EL display panel 1. 4 and 5 connect ground potential to the signal-side electrodes of the EL display panel 1, a plurality of switching elements CP 1 for performing non-connection, CP 2, ... CP N, CN 1, CN 2, ... CN N
Is a switching element group. 6,7 These switching element group CP 1, CP 2, ... CP N, CN 1, CN 2, a shift register that controls the ... CN N, a logic circuit such as a latch. 8 is
ON + HV to each scanning electrode of the EL display panel 1, a plurality of switching elements RP 1 for performing off, RP 2, ... switching element group consisting of RP N, 9 are to each scanning electrode of the EL display panel 1 -Multiple switching elements RN for turning on and off HV
1, RN 2, a switching element group composed of ... RN N. 10,11
Is a logic circuit such as a shift register. Switching element RP 1, RP 2, ... RP N has one end connected to each of the connected other end a common line to each scanning electrode of the EL display panel 1, the switching element RN 1, RN 2, ... RN N also One end is EL display panel 1
And the other end is connected to a common line. 12 the switching element RP 1, RP 2, ... RP N
Common line switch for switching and connecting to the power supply 2 and the ground potential point of 13 switching elements RN 1, RN 2, ... is a switch for switching connects the common line to a power source 3 and the ground potential point of the RN N.

次にこの駆動回路の動作について説明する。 Next, the operation of the driving circuit will be described.

この駆動回路は基本的にはEL表示パネル1の走査側電
極に対する駆動電圧として絶対値がEL表示パネル1の画
素の発光開始電圧以上で、かつ絶対値が等しくて極性が
異なる2種類の電圧+HV,−HVを用い、EL表示パネル1
の信号側電極を接地状態とフローティング状態に切り換
えることにより、EL表示パネル1の各画素の選択,非選
択を制御するものである。EL表示パネル1の走査側電極
に正極性の電圧を印加する場合をモードI、EL表示パネ
ル1の走査側電極に負極性の電圧を印加する場合をモー
ドIIとする。
This drive circuit basically includes two types of voltages + HV having an absolute value equal to or higher than a light emission start voltage of a pixel of the EL display panel 1 as a drive voltage for a scanning side electrode of the EL display panel 1 and having the same absolute value and different polarity. , -HV, EL display panel 1
The selection or non-selection of each pixel of the EL display panel 1 is controlled by switching the signal side electrode of the EL display panel 1 between the ground state and the floating state. The case where a positive voltage is applied to the scanning electrodes of the EL display panel 1 is mode I, and the case where a negative voltage is applied to the scanning electrodes of the EL display panel 1 is mode II.

モードIにおいてはスイッチング素子RP1,RP2,…RPN
の共通線はスイッチ12により電源2に接続されて+Hが
印加され、スイッチング素子RN1,RN2,…RNNの共通線は
スイッチ13により接地電位点に接続される。このとき、
スイッチング素子RN1,RN2,…RNNの共通線を接地電位点
に接続するのはスイッチング素子群8がオン状態になっ
たときにスイッチング素子RN1,RN2,…RNNの両端に両極
性のHVがかかるのを防ぐためである。この状態で、走査
側のスイッチング素子RN1,RN2,…RNNが全て論理回路11
の出力信号によりオフとなり、スイッチング素子RP1,RP
2,…RPNはEL表示パネル1の走査すべき走査側電極に接
続されているスイッチング素子のみが論理回路10からの
信号によりオンして他のスイッチング素子が全て論理回
路10からの信号によりオフとなる。これにより、EL表示
パネル1の走査側電極群は走査される走査側電極にのみ
電圧+Hが印加されることになる。一方、信号側のスイ
ッチング素子CP1,CP2,…CPNが全て論理回路6の出力信
号によりオフとなり、スイッチング素子CN1,CN2,…CNN
が論理回路7からの表示信号に従ってオン,オフするこ
とによりEL表示パネル1の各画素の選択,非選択を行わ
れる。ここで、説明を簡便にするため、1つの画素につ
いて第2図を用いて説明する。第2図において14はEL表
示パネル1における第1の信号側電極及び第1の走査側
電極に接続されている画素であり、スイッチング素子CP
1,CN1,RP1,RN1に接続されている。この画素14が選択画
素である場合にはスイッチング素子CN1が論理回路6か
らの信号によりオンし、画素14は第1の走査側電極に電
源2から+HVが印加された走査時に+HVが両端間に印加
されて発光する。画素14が非選択画素である場合にはス
イッチング素子CN1が論理回路6からの信号によりオフ
し、画素14は一端がオープン状態になって電圧が印加さ
れず発光しない。
Switching element RP 1 In mode I, RP 2, ... RP N
Common lines are connected by the switch 12 to the power supply 2 + H is applied, the switching element RN 1, RN 2, ... common line of RN N is connected to a ground potential point by the switch 13. At this time,
Switching elements RN 1, RN 2, ... switching elements RN 1 when the switching element group 8 is turned on to connect to the ground potential point common line of RN N, RN 2, ... poles at both ends of the RN N This is to prevent sex HV. In this state, the switching element RN of the scanning 1, RN 2, ... RN N is any logic circuitry 11
RP 1 , RP
2, ... RP N is turned off by the signal from the signal other switching elements are all logic circuit 10 is turned on by the switching element only a logic circuit 10 which is connected to the scanning electrode to be scanned of the EL display panel 1 Becomes Accordingly, the voltage + H is applied only to the scanning electrodes to be scanned in the scanning electrode group of the EL display panel 1. On the other hand, the switching element CP 1 of the signal side, CP 2, ... CP N are all turned off by the output signal of the logic circuit 6, switching element CN 1, CN 2, ... CN N
Is turned on and off according to the display signal from the logic circuit 7, thereby selecting and deselecting each pixel of the EL display panel 1. Here, in order to simplify the description, one pixel will be described with reference to FIG. In FIG. 2, reference numeral 14 denotes a pixel connected to the first signal side electrode and the first scanning side electrode in the EL display panel 1, and includes a switching element CP.
1 , CN 1 , RP 1 , RN 1 . When the pixel 14 is the selected pixel, the switching element CN 1 is turned on by a signal from the logic circuit 6, and the pixel 14 has + HV between both ends when + HV is applied from the power supply 2 to the first scanning electrode. To emit light. Off by a signal from the switching device CN 1 logic circuit 6 when the pixel 14 is a non-selected pixel, the pixel 14 has one end does not emit light is applied voltage becomes open.

モードIIのおいてはスイッチング素子RN1,RN2,…RNN
の共通線がスイッチ13により電源3に接続され、スイッ
チング素子RP1,RP2,…RPNの共通線がスイッチ12により
接地電位点に接続される。このとき、スイッチング素子
RP1,RP2,…RPNの共通線を接地電位点に接続するのはモ
ードIの場合と同様にスイッチング素子群9がオン状態
になったときにスイッチング素子RP1,RP2,…RPNの両端
に両極性のHVがかかるのを防ぐためである。この状態
で、走査側のスイッチング素子RP1,RP2,…RPNが全て論
理回路10の出力信号によりオフとなり、スイッチング素
子RN1,RN2,…RNNはEL表示パネル1の走査すべき走査側
電極に接続されているスイッチング素子のみが論理回路
11からの信号によりオンして他のスイッチング素子が全
て論理回路11からの信号によりオフとなる。これによ
り、EL表示パネル1の走査側電極群は走査される走査側
電極にのみ電圧−Hが印加されることになる。一方、信
号側のスイッチング素子CN1,CN2,…CNNは全て論理回路
7の出力信号によりオフとなり、スイッチング素子CP1,
CP2,…CPNは論理回路6からの表示信号に従ってオン,
オフすることによりEL表示パネル1の各画素の選択,非
選択を行う。次にモードIの場合と同様に第2図を用い
て説明する。画素14が選択画素である場合にはスイッチ
ング素子CP1が論理回路6からの信号によりオンし、画
素14は第1の走査側電極に電源3から−HVが印加された
走査時に−HVが両端間に印加されて発光する。画素14が
非選択画素である場合にはスイッチング素子CP1が論理
回路6からの信号によりオフし、画素14は一端がオープ
ン状態になって電圧が印加されず発光しない。
Oite mode II the switching element RN 1, RN 2, ... RN N
Common line is connected to the power supply 3 by the switch 13, the switching element RP 1, RP 2, common line of ... RP N is connected to the ground potential point by the switch 12. At this time, the switching element
RP 1, RP 2, ... switching element RP 1, RP 2 when in mode I is similarly to switching element group 9 for connection is turned on to ground potential the common line of the RP N, ... RP This is to prevent bipolar HV from being applied to both ends of N. In this state, the switching element RP 1 of the scanning, RP 2, ... RP N are all turned off by the output signal of the logic circuit 10, the switching element RN 1, RN 2, ... RN N is to be scanned of the EL display panel 1 Only switching elements connected to the scanning electrode are logic circuits
The switching element is turned on by a signal from 11, and all other switching elements are turned off by a signal from the logic circuit 11. As a result, the scanning electrode group of the EL display panel 1 is applied with the voltage -H only to the scanning electrodes to be scanned. On the other hand, the switching element CN 1, CN 2 of the signal side, ... CN N are all turned off by the output signal of the logic circuit 7, the switching element CP 1,
CP 2 , ..., CP N are turned on in accordance with the display signal from the logic circuit 6,
By turning off, selection or non-selection of each pixel of the EL display panel 1 is performed. Next, a description will be given with reference to FIG. Across the switching element CP 1 when the pixel 14 is selected pixels are turned on by a signal from logic circuit 6, the pixel 14 is -HV when scanning from the power supply 3 -HV is applied to the first scanning electrode Light is emitted when applied in between. Off by a signal from the switching element CP 1 logic circuit 6 when the pixel 14 is a non-selected pixel, the pixel 14 has one end does not emit light is applied voltage becomes open.

第4図及び第5図は各モードにおける上述のような各
素子の動作を示す。
4 and 5 show the operation of each element as described above in each mode.

モードI,モードIIを各画素について交互に行うことに
より、選択画素には走査側電極から+HV,−HVが印加さ
れ、非選択画素には電圧が印加されない。つまり、非選
択画素の漏れ発光を防ぐことができる。
By alternately performing mode I and mode II for each pixel, + HV and -HV are applied to the selected pixel from the scanning side electrode, and no voltage is applied to the non-selected pixels. That is, it is possible to prevent leakage light emission of non-selected pixels.

なお、本発明は各画素の極性を補償するためのモード
の切り換え方について制限を加えるものではなく、例え
ば各画素の極性を補償するためのモードを1走査線毎に
切り換える方法や、各画素の極性を補償するためのモー
ドを1画面表示毎に切り換える方法等を用いることがで
きる。また、本発明は上記駆動回路で使用する電源電圧
+HV,−HVについて、これらの絶対値が発光開始電圧以
上である点を除いて何ら制限を加えるものではない。さ
らに、本発明は薄膜EL表示装置について何ら制限を加え
るものではない。例えば薄膜EL素子の発光層材料はZnS,
ZnSe,CaS,SrSe,CaSe及びこれらの混晶を用い、発光層の
発光中心としてMnあるいはランタン系希土類を用い、薄
膜EL素子の絶縁層としてY2O3,SiO2,Al2O3,Ta2O5等の酸
化物、Si3N4,BN,AlN等の窒化物あるいはタングステンブ
ロンズ系、ペロブスカイト系等の強誘電体を用い、薄膜
EL素子の透明電極材料としてITO,ZnO系等を用いること
ができる。薄膜EL素子の構造としては上記絶縁層を発光
層の片側あるいは両側に設けたいわゆる絶縁構造でも、
あるいは絶縁層を設けない構造でもよい。
Note that the present invention does not limit how to switch the mode for compensating the polarity of each pixel. For example, a method for switching the mode for compensating the polarity of each pixel for each scanning line, For example, a method of switching the mode for compensating the polarity for each screen display can be used. The present invention does not impose any restrictions on the power supply voltages + HV and -HV used in the drive circuit, except that their absolute values are equal to or higher than the light emission start voltage. Further, the present invention does not impose any restrictions on the thin film EL display device. For example, the light emitting layer material of the thin film EL element is ZnS,
Using ZnSe, CaS, SrSe, CaSe and mixed crystals thereof, using Mn or a lanthanum-based rare earth as a light emitting center of a light emitting layer, and using a Y 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , Ta Thin films using oxides such as 2 O 5 , nitrides such as Si 3 N 4 , BN, and AlN or ferroelectrics such as tungsten bronze and perovskite
As the transparent electrode material of the EL element, ITO, ZnO, or the like can be used. As the structure of the thin-film EL element, the so-called insulating structure in which the insulating layer is provided on one side or both sides of the light emitting layer,
Alternatively, a structure without an insulating layer may be employed.

本発明の実施例では発光層にSrS:Ceを用いた32×32ド
ットの表示容量を持つ薄膜EL表示装置を作成して用い、
駆動素子としてNchMOSIC,PchMOSICを用いて上記駆動回
路を作成した。
In the embodiment of the present invention, a thin film EL display device having a display capacity of 32 × 32 dots using SrS: Ce for the light emitting layer is created and used,
The above driving circuit was created using NchMOSIC and PchMOSIC as driving elements.

上記薄膜EL表示装置におけるEL表示パネル1は発光層
としてSrS:Ceを用いて第3図に示すような構造に作成し
た。すなわち、EL表示パネル1はEL発光層23の両側に互
いに直交する2組のストライプ状電極群21,24を絶縁層2
2を介して設ける構造に作成した。ストライプ状電極群2
1はRFマグネトロンスパッタ法にてターゲットにAl2O3
2wt%ドープしたZnOを用いて基板温度300℃で2000Å成
膜し、続いてエッチングにて3本mm(電極線幅200μ
m)の透明電極に作成した。絶縁層22はEB蒸着法にてY2
O3を蒸着源に用い、基板温度70℃で3000〜5000Å成膜し
て作成した。発光層23は蒸着源としてCeCl3を0.1mol%
ドープしたSrSを用い、基板温度450℃で1μm成膜して
作成した。ストライプ状電極群24は抵抗線加熱蒸着法に
てAlを蒸着し、続いてエッチングにて3本mm(電極線幅
200μm)の背面電極として作成した。
The EL display panel 1 in the above thin film EL display device was formed in a structure as shown in FIG. 3 using SrS: Ce as a light emitting layer. That is, the EL display panel 1 includes two sets of striped electrode groups 21 and 24 orthogonal to each other on both sides of the EL light emitting layer 23.
It was created in a structure provided through 2. Striped electrode group 2
1 is Al 2 O 3 as target by RF magnetron sputtering
A film of 2000 mm was formed at a substrate temperature of 300 ° C. using ZnO doped with 2 wt%, followed by etching to 3 mm (electrode line width 200 μm).
m). The insulating layer 22 is made of Y 2 by EB evaporation.
Using O 3 deposition source was prepared by 3000~5000Å formed at a substrate temperature of 70 ° C.. The light emitting layer 23 is 0.1 mol% of CeCl 3 as an evaporation source.
A 1 μm film was formed at 450 ° C. substrate temperature using doped SrS. The striped electrode group 24 is formed by depositing Al by a resistance wire heating evaporation method, and then etching it to 3 mm (electrode line width).
(200 μm).

上記駆動回路は駆動素子として32ビットの出力数を持
ち、それぞれシフトレジスタ及びラッチを内蔵したNchM
OSIC,PchMOSICを用いて作成した。上記駆動素子を制御
する制御回路はTTLを用いた。上記駆動回路ではスイッ
チング素子としてNchMOSIC,PchMOSICを用いたが、スイ
ッチング素子の種類は制限されるものではなく、例えば
CMOSやバイポーラトランジスタ等を使用することができ
る。上記駆動電圧HVはEL表示パネル1の輝度が1cd/cm2
となる電圧に60Vを加えた電圧(190V)とした。また2
つのモードの切換方法としては1走査線毎に交互にモー
ドI,モードIIを行い、これを1フレーム毎に切り換える
方法を用いた。
The above drive circuit has a 32-bit output number as a drive element, and each has a built-in shift register and latch.
It was created using OSIC and PchMOSIC. The control circuit for controlling the driving element uses TTL. In the above drive circuit, NchMOSIC and PchMOSIC are used as the switching elements, but the types of the switching elements are not limited.
A CMOS, a bipolar transistor, or the like can be used. The driving voltage HV is such that the luminance of the EL display panel 1 is 1 cd / cm 2
And a voltage (190 V) obtained by adding 60 V to the voltage. Also 2
As a method of switching the two modes, a method of alternately performing the mode I and the mode II for each scanning line and switching the mode for each frame was used.

上記薄膜EL表示装置の評価として、上記薄膜EL表示装
置にマイクロコンピュータからデータを入力して静止画
及び動画の再現を行ったところ、上述のように従来より
少ない2つの電源を用いて特別に駆動電圧の調整を行わ
ずに静止画,動画共に非選択画素の漏れ発光が無い良好
な表示品質が得られた。
As an evaluation of the thin film EL display device, when a still image and a moving image were reproduced by inputting data from the microcomputer to the thin film EL display device, as described above, the thin film EL display device was specially driven using two power supplies less than the conventional one. Good display quality without leakage light emission of non-selected pixels was obtained for both still images and moving images without adjusting the voltage.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように本発明によればEL発光層の両側に互いに
直交する2組のストライプ状電極群を走査側電極群及び
信号側電極群として設けた薄膜EL素子を線順次駆動方法
により駆動してドットマトリクス表示を行わせる薄膜EL
表示装置の駆動方法において、駆動電圧として絶対値が
等しくて極性が異なり、かつ絶対値が前記薄膜EL素子の
発光開始電圧以上である2種類の電圧を用い、前記走査
側電極群における走査中の1つの走査側電極へのみ前記
2種類の電圧の一方を印加して他の走査側電極をフロー
ティング状態とし、前記信号側電極群における前記薄膜
EL素子の選択画素に接続された信号側電極を接地電位点
に接続して前記薄膜EL素子の非選択画素に接続された信
号側電極をフローティング状態とすることで前記薄膜EL
素子における各画素の駆動電圧をオン/オフさせるの
で、薄膜EL素子に駆動電圧を走査側電極のみから印加す
ることで電源として正極性及び負極性の電圧を出力する
2つの電源を用いるだけであり、信号側の駆動用電源が
不要となる。しかも、薄膜EL素子の非選択画素へ電圧を
印加しないことにより薄膜EL素子の漏れ発光が生じなく
て良好な表示品質が得られる。
As described above, according to the present invention, a thin-film EL element provided with two sets of stripe-shaped electrode groups orthogonal to each other on both sides of an EL light-emitting layer as a scanning-side electrode group and a signal-side electrode group is driven by a line-sequential driving method. Thin-film EL for dot matrix display
In the method for driving the display device, two voltages having absolute values equal to each other, different polarities, and an absolute value equal to or higher than the light emission start voltage of the thin-film EL element are used as driving voltages during scanning by the scanning electrode group. One of the two types of voltages is applied only to one scanning-side electrode to bring the other scanning-side electrode into a floating state, and the thin film in the signal-side electrode group
The signal side electrode connected to the selected pixel of the EL element is connected to a ground potential point, and the signal side electrode connected to the non-selected pixel of the thin film EL element is brought into a floating state, thereby forming the thin film EL.
Since the drive voltage of each pixel in the element is turned on / off, only two power supplies that output positive and negative voltages as power supplies by applying the drive voltage to the thin-film EL element from the scanning electrode alone are used. This eliminates the need for a driving power supply on the signal side. In addition, since no voltage is applied to the non-selected pixels of the thin-film EL element, leakage of light from the thin-film EL element does not occur and good display quality can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の実施に用いた薄膜EL表示装置の駆動回
路の一例を示すブロック図、第2図は動駆動回路におけ
る1画素分の構成を示す回路図、第3図は上記薄膜EL表
示装置を示す斜視図、第4図及び第5図は上記駆動回路
における各素子の動作を示す図である。 1……薄膜EL素子、2,3……電源、4,5,8,9……スイッチ
ング素子群、12,13……スイッチ。
FIG. 1 is a block diagram showing an example of a driving circuit of a thin film EL display device used in the embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of one pixel in a dynamic driving circuit, and FIG. FIG. 4 and FIG. 5 are perspective views showing the display device, and are diagrams showing the operation of each element in the drive circuit. 1. Thin-film EL element, 2,3 ... Power supply, 4,5,8,9 ... Switching element group, 12,13 ... Switch.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (72)発明者 大瀬戸 誠一 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 平2−32392(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G09G 3/00 - 3/38 H05B 33/00 - 33/28──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Yoshiyuki Kageyama 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Co., Ltd. (72) Inventor Seiichi Oseto 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo (56) References JP-A-2-32392 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) G09G 3/00-3/38 H05B 33/00- 33/28

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】EL発光層の両側に互いに直交する2組のス
トライプ状電極群を走査側電極群及び信号側電極群とし
て設けた薄膜EL素子を線順次駆動方法により駆動してド
ットマトリクス表示を行わせる薄膜EL表示装置の駆動方
法において、駆動電圧として絶対値が等しくて極性が異
なり、かつ絶対値が前記薄膜EL素子の発光開始電圧以上
である2種類の電圧を用い、前記走査側電極群における
走査中の1つの走査側電極へのみ前記2種類の電圧の一
方を印加して他の走査側電極をフローティング状態と
し、前記信号側電極群における前記薄膜EL素子の選択画
素に接続された信号側電極を接地電位点に接続して前記
薄膜EL素子の非選択画素に接続された信号側電極をフロ
ーティング状態とすることで前記薄膜EL素子における各
画素の駆動電圧をオン/オフさせることを特徴とする薄
膜EL表示装置の駆動方法。
1. A dot matrix display by driving a thin-film EL element provided with two sets of stripe-shaped electrode groups orthogonal to each other on both sides of an EL light-emitting layer as a scanning side electrode group and a signal side electrode group by a line sequential driving method. In the method of driving a thin film EL display device to be performed, the scanning side electrode group uses two types of voltages having the same absolute value and different polarities as drive voltages, and the absolute value of which is equal to or higher than the light emission start voltage of the thin film EL element. Applying one of the two types of voltages to only one scanning-side electrode during scanning in the other to make the other scanning-side electrode in a floating state, and connecting a signal connected to a selected pixel of the thin-film EL element in the signal-side electrode group The driving voltage of each pixel in the thin film EL element is turned on / off by connecting the side electrode to the ground potential point and setting the signal side electrode connected to a non-selected pixel of the thin film EL element to a floating state. The driving method of a thin film EL display device, characterized in that to off.
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